JP2020096141A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】溶質および溶媒を有する処理液が基板Ｗの上面に供給される（処理液供給工程）。処理液を固化または硬化させることによって、除去対象物１０３を保持する処理膜１００が基板Ｗの上面に形成される（処理膜形成工程）。基板Ｗの上面に剥離液形成液を供給することによって剥離液形成液が処理膜１００に接触して剥離液が形成される。除去対象物１０３を保持した状態の処理膜１００が、剥離液によって基板Ｗの表面から剥離される（剥離工程）。処理膜１００の剥離後に剥離液形成液の供給を継続することによって、処理膜１００が、除去対象物１０３を保持した状態で、基板Ｗの上面から除去される（除去工程）。【選択図】図６Ｃ

Description

この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等の基板が含まれる。

半導体装置の製造工程では、基板に付着した各種汚染物、前工程で使用した処理液やレジスト等の残渣、あるいは各種パーティクル等（以下「除去対象物」と総称する場合がある。）を除去するために、洗浄工程が実施される。
洗浄工程では、脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）等の洗浄液を基板に供給することにより、除去対象物を洗浄液の物理的作用によって除去したり、除去対象物と化学的に反応する薬液を基板に供給することにより、当該除去対象物を化学的に除去したりすることが一般的である。

しかし、基板上に形成される凹凸パターンの微細化および複雑化が進んでいる。そのため、凹凸パターンの損傷を抑制しながら除去対象物を洗浄液または薬液によって除去することが容易でなくなりつつある。
そこで、基板の上面に、溶質および揮発性を有する溶媒を含む処理液を供給し、当該処理液を固化または硬化させた処理膜を形成した後に、当該処理膜を溶解して除去する手法が提案されている（特許文献１および特許文献２を参照）。

この手法では、処理液が固化または硬化して処理膜が形成される際に、除去対象物が基板から引き離される。そして、引き離された除去対象物が処理膜中に保持される。
次いで、基板の上面に溶解処理液が供給される。これにより、処理膜が基板上で溶解されて除去されるので、除去対象物が、処理膜の溶解物とともに基板の上面から除去される（特許文献１を参照）。

あるいは、基板の上面に剥離処理液が供給される場合もある。これにより、処理膜が基板の上面から剥離される。次いで溶解処理液が供給されることにより、処理膜が基板上で溶解される（特許文献２を参照）。

特開２０１４−１９７７１７号公報 特開２０１５−１１９１６４号公報

ところが、特許文献１、２の方法では、いずれも、処理膜が基板上で溶解する。そのため、基板上において処理膜から除去対象物が脱落し、その脱落した除去対象物が基板に再付着するおそれがある。したがって、基板上から除去対象物を効率良く除去できないおそれがある。よって、処理膜に除去対象物を保持させた状態で基板上から処理膜を除去する手法が求められている。

しかしながら、処理膜に除去対象物を保持させた状態で処理膜を基板の表面から剥離して除去できる剥離液は比較的高価である。基板の上面に向けて剥離液を供給した場合、剥離液を多量に消費することになるため、コストが増大するおそれがある。
そこで、この発明の１つの目的は、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

この発明の一実施形態は、溶質および溶媒を有する処理液を基板の表面に供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に剥離液形成液を供給することによって前記剥離液形成液を前記処理膜に接触させて剥離液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記剥離液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、前記処理膜の剥離後に前記剥離液形成液の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を前記基板の表面から除去する除去工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、基板の表面に供給された剥離液形成液と処理膜とを接触させることによって、処理膜を基板の表面から剥離する剥離液が基板上で形成される。基板上で自発的に形成された剥離液によって、除去対象物を保持した状態の処理膜が基板の表面から剥離される。そして、剥離液形成液の供給を継続することによって、処理膜に除去対象物を保持させた状態で、処理膜を基板の表面から除去することができる。つまり、基板の表面に向けて剥離液を供給せずに剥離液形成液を供給するだけで、除去対象物を基板の表面から除去することができる。すなわち、比較的高価な剥離液を多量に消費することなく、除去対象物を基板の表面から除去することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記溶質が、剥離液形成物質を有する。そして、前記処理膜形成工程が、固体状態の前記剥離液形成物質を有する前記処理膜を形成する工程を含む。そして、前記剥離工程が、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液に前記処理膜中の固体状態の前記剥離液形成物質を溶解させることによって前記剥離液を形成する工程を含む。

この方法によれば、処理膜中の固体状態の剥離液形成物質を剥離液形成液に溶解させることによって、剥離液が形成される。そのため、処理膜の近傍の剥離液形成液に剥離液形成物質を溶解させて、処理膜の近傍に剥離液を形成することができる。したがって、剥離液形成液に溶け出した剥離液形成物質が剥離液形成液の全体に均一に拡散する前の、剥離形成物質の濃度が比較的高い剥離液を、処理膜に作用させることができる。これにより、処理膜を効率良く剥離することができ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

剥離液の形成に必要な剥離液形成物質も、剥離液と同様に比較的高価である。そして、処理膜の形成に必要な量の処理液を基板に供給するのに必要な時間は、処理膜を剥離して基板上から除去するために必要な時間より短い。そこで、この方法では、処理膜を形成するために剥離液形成物質を含む処理液が基板に供給され、処理膜の剥離および除去のために剥離液形成物質を含まない剥離液形成液が基板に供給される。そのため、処理膜を形成するために剥離液形成物質を含まない処理液が基板に供給され、処理膜の剥離および除去のために剥離液（剥離液形成物質が溶解した剥離液形成液）が基板に供給される方法と比較して、基板への剥離液形成物質の供給時間（消費量）を低減することができる。したがって、コストの増大を抑制できる。

結果として、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記剥離液が、アルカリ性液体である。アルカリ性液体は、処理膜を効率的に剥離できる一方で、比較的高価である。そこで、剥離液形成液と処理膜との接触によってアルカリ性液体を形成する方法であれば、アルカリ性液体を基板上で自発的に発生させることができる。そのため、基板の表面に向けてアルカリ性液体を供給せずに剥離液形成液を供給するだけで、除去対象物を基板の表面から除去することができる。すなわち、比較的高価なアルカリ性液体を多量に消費することなく、除去対象物を基板の表面から除去することができる。したがって、アルカリ性液体の消費量を低減できるので、コストの増大を抑制できる。よって、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記剥離液形成液が、純水である。そのため、剥離液形成液として比較的安価な純水を用いて、処理膜を基板の表面から剥離して除去することができる。これにより、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記剥離工程が、前記剥離液形成液が前記基板の表面に供給されることによって、前記処理膜を部分的に溶解させて前記処理膜に貫通孔を形成する貫通孔形成工程を含む。

この方法によれば、基板の表面に剥離液形成液を供給することによって、処理膜が部分的に溶解して処理膜に貫通孔が形成される。処理膜に貫通孔が形成されることによって、剥離液が基板の表面付近に到達しやすくなる。そのため、処理膜と基板との界面に剥離液を作用させて、処理膜を基板の表面から効率良く剥離することができる。その一方で、処理膜の一部は、貫通孔の形成のために溶解されるものの、残りの部分は、固体状態、すなわち除去対象物を保持した状態で維持される。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有する。そして、前記処理膜形成工程が、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜を形成する工程を含む。そして、前記貫通孔形成工程が、前記基板上で形成された前記剥離液に前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む。

この方法によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液に対する溶解性が高い。そのため、剥離液が処理膜中の固体状態の高溶解性物質を溶解させることによって、処理膜に貫通孔を確実に形成することができる。その一方で、処理膜中の低溶解性物質は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、固体状態の低溶解性物質で除去対象物を保持しながら、固体状態の低溶解性物質と基板との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記剥離液形成液に対する前記低溶解性物質の溶解性が、前記剥離液形成液に対する前記高溶解性物質の溶解性よりも低い。そして、前記貫通孔形成工程が、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液に前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む。

この方法によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液形成液に対する溶解性が高い。そのため、剥離液形成液が処理膜中の固体状態の高溶解性物質を溶解させることによって、処理膜に貫通孔を確実に形成することができる。その一方で、処理膜中の固体状態の低溶解性物質は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、固体状態の低溶解性物質で除去対象物を保持しながら、固体状態の低溶解性物質と基板との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液形成液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有する。そして、前記処理膜形成工程が、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜を形成する工程を含む。そして、前記貫通孔形成工程が、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液に前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む。

この方法によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液形成液に対する溶解性が高い。そのため、剥離液形成液が処理膜中の固体状態の高溶解性物質を溶解させることによって、処理膜に貫通孔を確実に形成することができる。その一方で、処理膜中の低溶解性物質は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、固体状態の低溶解性物質で除去対象物を保持しながら、固体状態の低溶解性物質と基板との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態は、アルカリ成分を含む溶質、および溶媒を有する処理液を基板の表面に向けて供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持し、前記アルカリ成分を含有する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に純水を供給して前記純水を前記処理膜に接触させることによって、前記処理膜から前記アルカリ成分を前記純水に溶け出させてアルカリ性水溶液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記アルカリ性水溶液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、前記処理膜の剥離後に前記純水の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を洗い流して前記基板の表面から除去する除去工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、基板の表面に供給された純水と処理膜とを接触させることによって、処理膜からアルカリ成分が純水に溶け出してアルカリ性水溶液が基板上で形成（調製）される。基板上で自発的に形成されたアルカリ性水溶液によって、除去対象物を保持した状態の処理膜が基板の表面から剥離される。そして、純水の供給を継続することによって、処理膜に除去対象物を保持させた状態で、処理膜を基板の表面から除去することができる。つまり、基板の表面に向けてアルカリ性水溶液を供給せずに純水を供給するだけで、除去対象物を基板の表面から除去することができる。すなわち、比較的高価なアルカリ性水溶液を多量に消費することなく、除去対象物を基板の表面から除去することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態は、溶質および溶媒を有する処理液を基板の表面に供給する処理液供給ユニットと、前記処理液を固化または硬化させる固体形成ユニットと、前記基板の表面に剥離液形成液を供給する剥離液形成液供給ユニットと、前記処理液供給ユニット、前記固体形成ユニットおよび前記剥離液形成液供給ユニットを制御するコントローラとを含む、基板処理装置を提供する。

前記コントローラは、前記処理液供給ユニットから前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記固体形成ユニットに固化または硬化させることによって、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に前記剥離液形成液供給ユニットから前記剥離液形成液を供給することによって前記剥離液形成液を前記処理膜に接触させて剥離液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記剥離液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、前記処理膜の剥離後に、前記剥離液形成液供給ユニットからの前記剥離液形成液の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を前記基板の表面から除去する除去工程とを実行するようにプログラムされている。

この構成によれば、基板の表面に供給された剥離液形成液と処理膜とを接触させることによって、処理膜を基板の表面から剥離する剥離液が基板上で形成される。基板上で自発的に形成された剥離液によって、除去対象物を保持した状態の処理膜が基板の表面から剥離される。そして、剥離液形成液の供給を継続することによって、処理膜に除去対象物を保持させた状態で、処理膜を基板の表面から除去することができる。つまり、基板の表面に向けて剥離液を供給せずに剥離液形成液を供給するだけで、除去対象物を基板の表面から除去することができる。すなわち、比較的高価な剥離液を多量に消費することなく、除去対象物を基板の表面から除去することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態では、前記溶質が、剥離液形成物質を有する。そして、前記処理膜形成工程において、固体状態の前記剥離液形成物質を有する前記処理膜が形成される。そして、前記剥離工程において、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液が前記処理膜中の固体状態の前記剥離液形成物質を溶解させることによって前記剥離液が形成される。

この構成によれば、処理膜中の固体状態の剥離液形成物質を剥離液形成液に溶解させることによって、剥離液が形成される。そのため、処理膜の近傍の剥離液形成液に剥離液形成物質を溶解させて、処理膜の近傍に剥離液を形成することができる。したがって、剥離液形成液に溶け出した剥離液形成物質が剥離液形成液の全体に均一に拡散する前の、剥離形成物質の濃度が比較的高い剥離液を、処理膜に作用させることができる。これにより、処理膜を効率良く剥離することができ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

剥離液の形成に必要な剥離液形成物質も、剥離液と同様に比較的高価である。そして、処理膜の形成に必要な量の処理液を基板に供給するのに必要な時間は、処理膜を剥離して基板上から除去するために必要な時間よりも短い。そこで、この構成では、処理膜を形成するために剥離液形成物質を含む処理液が基板に供給され、処理膜の剥離および除去のために剥離液形成物質を含まない剥離液形成液が基板に供給される。そのため、処理膜を形成するために剥離液形成物質を含まない処理液が基板に供給され、処理膜の剥離および除去のために剥離液（剥離液形成物質が溶解した剥離液形成液）が基板に供給される構成と比較して、剥離液形成物質の供給時間（消費量）を低減することができる。したがって、コストの増大を抑制できる。

結果として、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。
この発明の他の実施形態は、前記剥離液が、アルカリ性液体である。アルカリ性液体は、処理膜を効率的に剥離できる一方で、比較的高価である。そこで、剥離液形成液と処理膜との接触によってアルカリ性液体を形成する構成であれば、アルカリ性液体を基板上で自発的に発生させることができる。そのため、基板の表面に向けてアルカリ性液体を供給せずに剥離液形成液を供給するだけで、除去対象物を基板の表面から除去することができる。すなわち、比較的高価なアルカリ性液体を多量に消費することなく、除去対象物を基板の表面から除去することができる。したがって、アルカリ性液体の消費量を低減できるので、コストの増大を抑制できる。よって、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態では、前記剥離液形成液供給ユニットが、前記剥離液形成液として純水を前記基板の表面に供給する。そのため、剥離液形成液として比較的安価な純水を用いて、処理膜を基板の表面から剥離して除去することができる。これにより、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態では、前記剥離工程において、前記剥離液形成液が前記基板の表面に供給されることによって、前記処理膜が部分的に溶解されて前記処理膜に貫通孔が形成される。
この構成によれば、基板の表面に剥離液形成液を供給することによって、処理膜が部分的に溶解して処理膜に貫通孔が形成される。処理膜に貫通孔が形成されることによって、剥離液が基板の表面付近に到達しやすくなる。そのため、処理膜と基板との界面に剥離液を作用させて、処理膜を基板の表面から効率良く剥離することができる。その一方で、処理膜の一部は、貫通孔の形成のために溶解されるものの、残りの部分は、固体状態、すなわち除去対象物を保持した状態で維持される。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態では、前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有する。そして、前記処理膜形成工程において、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜が形成される。そして、前記剥離工程において、前記基板上で形成された前記剥離液が前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔が形成される。

この構成によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液に対する溶解性が高い。そのため、剥離液が処理膜中の固体状態の高溶解性物質を溶解させることによって、処理膜に貫通孔を確実に形成することができる。その一方で、処理膜中の低溶解性物質は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、固体状態の低溶解性物質で除去対象物を保持しながら、固体状態の低溶解性物質と基板との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態では、前記剥離液形成液に対する前記低溶解性物質の溶解性が、前記剥離液形成液に対する前記高溶解性物質の溶解性よりも低い。そして、前記処理膜形成工程において、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液が前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって前記処理膜に前記貫通孔が形成される。

この構成によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液形成液に対する溶解性が高い。そのため、剥離液形成液が処理膜中の固体状態の高溶解性物質を溶解させることによって、処理膜に貫通孔を確実に形成することができる。その一方で、処理膜中の固体状態の低溶解性物質は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、固体状態の低溶解性物質で除去対象物を保持しながら、固体状態の低溶解性物質と基板との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態では、前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液形成液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有する。そして、前記処理膜形成工程において、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜が形成される。そして、前記剥離工程において、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液が前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔が形成される。

この構成によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液形成液に対する溶解性が高い。そのため、剥離液形成液が処理膜中の固体状態の高溶解性物質を溶解させることによって、処理膜に貫通孔を確実に形成することができる。その一方で、処理膜中の低溶解性物質は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、固体状態の低溶解性物質で除去対象物を保持しながら、固体状態の低溶解性物質と基板との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜を基板の表面から速やかに剥離し、処理膜とともに除去対象物を基板の表面から効率良く除去することができる。

この発明の他の実施形態は、アルカリ成分を含む溶質、溶質および溶媒を有する処理液を基板の表面に供給する処理液供給ユニットと、前記処理液を固化または硬化させる固体形成ユニットと、前記基板の表面に純水を供給する純水供給ユニットと、前記処理液供給ユニット、前記固体形成ユニットおよび前記純水供給ユニットを制御するコントローラとを含む、基板処理装置を提供する。

前記コントローラが、前記処理液供給ユニットから前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記固体形成ユニットに固化または硬化させることによって、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持し、前記アルカリ成分を含有する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に前記純水供給ユニットから前記純水を供給して前記純水を前記処理膜に接触させることによって、前記処理膜から前記アルカリ成分を前記純水に溶け出させてアルカリ性水溶液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記アルカリ性水溶液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、前記処理膜の剥離後に、前記純水供給ユニットからの前記純水の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を前記基板の表面から除去する除去工程とを実行するようにプログラムされている。

この構成によれば、基板の表面に供給された純水と処理膜とを接触させることによって、処理膜からアルカリ成分が純水に溶け出してアルカリ性水溶液が基板上で形成（調製）される。基板上で自発的に形成されたアルカリ性水溶液によって、除去対象物を保持した状態の処理膜が基板の表面から剥離される。そして、純水の供給を継続することによって、処理膜に除去対象物を保持させた状態で、処理膜を基板の表面から除去することができる。つまり、基板の表面に向けてアルカリ性水溶液を供給せずに純水を供給するだけで、除去対象物を基板の表面から除去することができる。すなわち、比較的高価なアルカリ性水溶液を多量に消費することなく、除去対象物を基板の表面から除去することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつ、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる。

図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの概略構成を示す模式的な部分断面図である。 図３は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。 図４は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図５Ａは、前記基板処理の処理液供給工程（ステップＳ５）の様子を説明するための模式図である。 図５Ｂは、前記基板処理の薄膜化工程（ステップＳ６）の様子を説明するための模式図である。 図５Ｃは、前記基板処理の加熱工程（ステップＳ７）の様子を説明するための模式図である。 図５Ｄは、前記基板処理の剥離除去工程（ステップＳ８）の様子を説明するための模式図である。 図５Ｅは、前記基板処理の第２リンス工程（ステップＳ９）の様子を説明するための模式図である。 図５Ｆは、前記基板処理の第２有機溶剤供給工程（ステップＳ１０）の様子を説明するための模式図である。 図５Ｇは、前記基板処理のスピンドライ工程（ステップＳ１１）の様子を説明するための模式図である。 図６Ａは、前記加熱工程（ステップＳ７）後の基板表面付近の様子を説明するための模式的な断面図である。 図６Ｂは、前記剥離除去工程（ステップＳ８）実行中の基板表面付近の様子を説明するための模式的な断面図である。 図６Ｃは、前記剥離除去工程（ステップＳ８）実行中の基板表面付近の様子を説明するための模式的な断面図である。 図６Ｄは、前記剥離除去工程（ステップＳ８）実行中の基板表面付近の様子を説明するための模式的な断面図である。 図７は、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの概略構成を示す模式的な部分断面図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
本明細書において、特に限定されて言及されない限り、単数形は複数形を含み、「１つの」や「その」は「少なくとも１つ」を意味する。本明細書において、特に言及されない限り、ある概念の要素は複数種によって発現されることが可能であり、その量（たとえば質量％やモル％）が記載された場合、その量はそれら複数種の和を意味する。

「および／または」は、要素の全ての組み合わせを含み、また単体での使用も含む。
本明細書において、「〜」または「−」を用いて数値範囲を示した場合、特に限定されて言及されない限り、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。たとえば、５〜２５モル％は、５モル％以上２５モル％以下を意味する。
本明細書において、「Ｃ_ｘ〜ｙ」、「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」および「Ｃ_ｘ」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。たとえば、Ｃ_１〜６アルキルは、１以上６以下の炭素を有するアルキル鎖（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等）を意味する。

本明細書において、ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。特に限定されて言及されない限り、これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。ポリマーや樹脂を構造式で示す際、括弧に併記されるｎやｍ等は繰り返し数を示す。

＜第１実施形態＞
図１は、この発明の第１実施形態にかかる基板処理装置１のレイアウトを示す模式的な平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。

基板処理装置１は、基板Ｗを流体で処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを含む。
搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。詳しくは後述するが、処理ユニット２内で基板Ｗに供給される処理流体には、薬液、リンス液、処理液、剥離液形成液、熱媒、不活性ガス等が含まれる。

各処理ユニット２は、チャンバ４と、チャンバ４内に配置された処理カップ７とを備えており、処理カップ７内で基板Ｗに対する処理を実行する。チャンバ４には、搬送ロボットＣＲによって、基板Ｗを搬入したり基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）が形成されている。チャンバ４には、この出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）が備えられている。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。処理ユニット２は、スピンチャック５と、対向部材６と、処理カップ７と、第１移動ノズル８と、第２移動ノズル９と、第３移動ノズル１０と、中央ノズル１１と、下面ノズル１２とを含む。
スピンチャック５は、基板Ｗを水平に保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させる。スピンチャック５は、複数のチャックピン２０と、スピンベース２１と、回転軸２２と、スピンモータ２３とを含む。

スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１の上面には、基板Ｗの周縁を把持する複数のチャックピン２０が、スピンベース２１の周方向に間隔を空けて配置されている。スピンベース２１および複数のチャックピン２０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットを構成している。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。

回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端部は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。スピンモータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１のまわりに回転される。スピンモータ２３は、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板回転ユニットの一例である。

対向部材６は、スピンチャック５に保持された基板Ｗに上方から対向する。対向部材６は、基板Ｗとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成されている。対向部材６は、基板Ｗの上面（上側の表面）に対向する対向面６ａを有する。対向面６ａは、スピンチャック５よりも上方でほぼ水平面に沿って配置されている。
対向部材６において対向面６ａとは反対側には、中空軸６０が固定されている。対向部材６において平面視で回転軸線Ａ１と重なる部分には、対向部材６を上下に貫通し、中空軸６０の内部空間６０ａと連通する連通孔６ｂが形成されている。

対向部材６は、対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間内の雰囲気を当該空間の外部の雰囲気から遮断する。そのため、対向部材６は、遮断板ともいう。
処理ユニット２は、対向部材６の昇降を駆動する対向部材昇降ユニット６１をさらに含む。対向部材昇降ユニット６１は、下位置から上位置までの任意の位置（高さ）に対向部材６を位置させることができる。下位置とは、対向部材６の可動範囲において、対向面６ａが基板Ｗに最も近接する位置である。上位置とは、対向部材６の可動範囲において対向面６ａが基板Ｗから最も離間する位置である。

対向部材昇降ユニット６１は、たとえば、中空軸６０を支持する支持部材（図示せず）に結合されたボールねじ機構（図示せず）と、当該ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータ（図示せず）とを含む。対向部材昇降ユニット６１は、対向部材リフタ（遮断板リフタ）ともいう。
処理カップ７は、スピンチャック５に保持された基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める複数のガード７１と、複数のガード７１によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ７２と、複数のガード７１と複数のカップ７２とを取り囲む円筒状の外壁部材７３とを含む。

この実施形態では、２つのガード７１（第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂ）と、２つのカップ７２（第１カップ７２Ａおよび第２カップ７２Ｂ）とが設けられている例を示している。
第１カップ７２Ａおよび第２カップ７２Ｂのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。

第１ガード７１Ａは、スピンベース２１を取り囲むように配置されている。第２ガード７１Ｂは、第１ガード７１Ａよりも基板Ｗの回転径方向外方でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。
第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有しており、各ガード７１Ａ，７１Ｂの上端部は、スピンベース２１に向かうように内方に傾斜している。

第１カップ７２Ａは、第１ガード７１Ａによって下方に案内された液体を受け止める。第２カップ７２Ｂは、第１ガード７１Ａと一体に形成されており、第２ガード７１Ｂによって下方に案内された液体を受け止める。
処理ユニット２は、第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂをそれぞれ別々に昇降させるガード昇降ユニット７４を含む。ガード昇降ユニット７４は、下位置と上位置との間で第１ガード７１Ａを昇降させる。ガード昇降ユニット７４は、下位置と上位置との間で第２ガード７１Ｂを昇降させる。

第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第１ガード７１Ａによって受けられる。第１ガード７１Ａが下位置に位置し、第２ガード７１Ｂが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第２ガード７１Ｂによって受けられる。
ガード昇降ユニット７４は、たとえば、第１ガード７１Ａに結合された第１ボールねじ機構（図示せず）と、第１ボールねじ機構に駆動力を与える第１モータ（図示せず）と、第２ガード７１Ｂに結合された第２ボールねじ機構（図示せず）と、第２ボールねじ機構に駆動力を与える第２モータ（図示せず）とを含む。ガード昇降ユニット７４は、ガードリフタともいう。

第１移動ノズル８は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けて薬液を供給（吐出）する薬液供給ユニットの一例である。
第１移動ノズル８は、第１ノズル移動ユニット３６によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第１移動ノズル８は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。第１移動ノズル８は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。基板Ｗの上面の回転中心とは、基板Ｗの上面における回転軸線Ａ１との交差位置である。第１移動ノズル８は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第１移動ノズル８は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。

第１ノズル移動ユニット３６は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。
回動軸駆動ユニットは、回動軸を鉛直な回動軸線まわりに回動させることによってアームを揺動させる。さらに、回動軸駆動ユニットは、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アームを上下動させる。第１移動ノズル８はアームに固定される。アームの揺動および昇降に応じて、第１移動ノズル８が水平方向および鉛直方向に移動する。

第１移動ノズル８は、薬液を案内する薬液配管４０に接続されている。薬液配管４０に介装された薬液バルブ５０が開かれると、薬液が、第１移動ノズル８から下方に連続的に吐出される。
第１移動ノズル８から吐出される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液である。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１液（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等が挙げられる。

第２移動ノズル９は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けて処理液を供給（吐出）する処理液供給ユニットの一例である。
第２移動ノズル９は、第２ノズル移動ユニット３７によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第２移動ノズル９は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。第２移動ノズル９は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。第２移動ノズル９は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第２移動ノズル９は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。

第２ノズル移動ユニット３７は、第１ノズル移動ユニット３６と同様の構成を有している。すなわち、第２ノズル移動ユニット３７は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸および第２移動ノズル９に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。
第２移動ノズル９は、処理液を案内する処理液配管４１に接続されている。処理液配管４１に介装された処理液バルブ５１が開かれると、処理液が、第２移動ノズル９から下方に連続的に吐出される。

第２移動ノズル９から吐出される処理液は、溶質および溶媒を含んでいる。この処理液は、溶媒の少なくとも一部が揮発（蒸発）することによって固化または硬化される。この処理液は、基板Ｗ上で固化または硬化することによって、基板Ｗ上に存在するパーティクル等の除去対象物を保持する処理膜を形成する。
ここで、「固化」とは、たとえば、溶媒の揮発に伴い、分子間や原子間に作用する力等によって溶質が固まることを指す。「硬化」とは、たとえば、重合や架橋等の化学的な変化によって、溶質が固まることを指す。したがって、「固化または硬化」とは、様々な要因によって溶質が「固まる」ことを表している。

第３移動ノズル１０は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けて純水等の剥離液形成液を供給（吐出）する剥離液形成液供給ユニット（純水供給ユニット）の一例である。
第３移動ノズル１０は、第３ノズル移動ユニット３８によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第３移動ノズル１０は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。第３移動ノズル１０は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。第３移動ノズル１０は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第３移動ノズル１０は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。

第３ノズル移動ユニット３８は、第１ノズル移動ユニット３６と同様の構成を有している。すなわち、第３ノズル移動ユニット３８は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸および第３移動ノズル１０に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。

第３移動ノズル１０は、第３移動ノズル１０に剥離液形成液を案内する上側剥離液形成液配管４２に接続されている。上側剥離液形成液配管４２に介装された上側剥離液形成液バルブ５２が開かれると、剥離液形成液が、第３移動ノズル１０の吐出口から下方に連続的に吐出される。
剥離液形成液は、後述する剥離液を形成するための液体である。剥離液形成液は、たとえば、純水であり、特にＤＩＷ（脱イオン水）が好ましい。剥離液形成液として、ＤＩＷ以外の液体を用いることもできる。剥離液形成液として用いられるＤＩＷ以外の液体としては、炭酸水や希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水等の機能水が挙げられる。

第２移動ノズル９から吐出される処理液中の溶質には、低溶解性物質、高溶解性物質および剥離液形成物質が含まれている。
剥離液形成物質は、剥離液形成液に溶けることによって、基板Ｗの表面から処理膜を剥離する剥離液を形成する物質である。剥離液形成物質は、たとえば、剥離液形成液に溶解してアルカリ性（塩基性）を示す塩（アルカリ成分）である。剥離液形成物質は、たとえば、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよび第四級アンモニウム塩等である。剥離液は、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよび第四級アンモニウム塩等の水溶液、すなわちアルカリ性水溶液（アルカリ性液体）である。

低溶解性物質および高溶解性物質は、剥離液形成液や剥離液に対する溶解性が互いに異なる物質を用いることができる。具体的には、高溶解性物質としては、低溶解性物質として用いられる物質よりも剥離液形成液および剥離液の少なくともいずれかに対する溶解性が高い物質を用いることができる。
高溶解性物質は、剥離液形成液および剥離液のうちの一方に対する溶解性が低溶解性物質よりも高ければ、剥離液形成液および剥離液のうちの他方に対する溶解性が低溶解性物質と同程度に低く、剥離液形成液および剥離液のうちの他方に対してほとんど溶解しなくてもよい。逆に、高溶解性物質は、剥離液形成液および剥離液のうちの一方に対する溶解性が低溶解性物質よりも高いものであっても、剥離液形成液および剥離液のうちの他方に対する溶解性が低溶解性物質よりも低いものを用いることはできない。

第２移動ノズル９から吐出される処理液に含まれる低溶解性物質は、たとえば、ノボラックであり、第２移動ノズル９から吐出される処理液に含まれる高溶解性物質は、たとえば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである。
第２移動ノズル９から吐出される処理液に含まれる溶媒は、低溶解性物質、高溶解性物質および剥離液形成物質を溶解させる液体であればよい。処理液に含まれる溶媒は、剥離液形成液と相溶性を有する（混和可能である）液体であることが好ましい。第２移動ノズル９から吐出される処理液に含まれる溶媒、低溶解性物質、高溶解性物質および剥離液形成物質の詳細については、第３移動ノズル１０から吐出される剥離液形成液の詳細とともに後述する。

中央ノズル１１は、対向部材６の中空軸６０の内部空間６０ａに収容されている。中央ノズル１１の先端に設けられた吐出口１１ａは、基板Ｗの上面の中央領域に上方から対向する。基板Ｗの上面の中央領域とは、基板Ｗの上面において基板Ｗの回転中心を含む領域のことである。
中央ノズル１１は、流体を下方に吐出する複数のチューブ３１〜３３（第１チューブ３１、第２チューブ３２および第３チューブ３３）と、複数のチューブ３１〜３３を取り囲む筒状のケーシング３０とを含む。複数のチューブ３１〜３３およびケーシング３０は、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びている。中央ノズル１１の吐出口１１ａは、複数のチューブ３１〜３３の吐出口でもある。

第１チューブ３１は、リンス液を基板Ｗの上面に供給するリンス液供給ユニットの一例である。第２チューブ３２は、気体を基板Ｗの上面と対向部材６の対向面６ａとの間に供給する気体供給ユニットとしての一例である。第３チューブ３３は、ＩＰＡ等の有機溶剤を基板Ｗの上面に供給する有機溶剤供給ユニットの一例である。
第１チューブ３１は、リンス液を第１チューブ３１に案内する上側リンス液配管４４に接続されている。上側リンス液配管４４に介装された上側リンス液バルブ５４が開かれると、リンス液が、第１チューブ３１（中央ノズル１１）から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続的に吐出される。

第２チューブ３２は、気体を第２チューブ３２に案内する気体配管４５に接続されている。気体配管４５に介装された気体バルブ５５が開かれると、気体が、第２チューブ３２（中央ノズル１１）から下方に連続的に吐出される。
第２チューブ３２から吐出される気体は、たとえば、窒素ガス（Ｎ_２）等の不活性ガスである。第２チューブ３２から吐出される気体は、空気であってもよい。不活性ガスとは、窒素ガスに限られず、基板Ｗの上面や、基板Ｗの上面に形成されたパターンに対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガスの他に、アルゴン等の希ガス類が挙げられる。

第３チューブ３３は、有機溶剤を第３チューブ３３に案内する有機溶剤配管４６に接続されている。有機溶剤配管４６に介装された有機溶剤バルブ５６が開かれると、有機溶剤が、第３チューブ３３（中央ノズル１１）から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続的に吐出される。
第３チューブ３３から吐出される有機溶剤は、剥離液形成液によって処理膜を除去した後の基板Ｗの上面に残る残渣を除去する残渣除去液である。第３チューブ３３から吐出される有機溶剤は、処理液およびリンス液と相溶性を有することが好ましい。

第３チューブ３３から吐出される有機溶剤の例としては、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液等が挙げられる。
また、第３チューブ３３から吐出される有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡとＤＩＷとの混合液であってもよいし、ＩＰＡとＨＦＥとの混合液であってもよい。

下面ノズル１２は、スピンベース２１の上面中央部で開口する貫通孔２１ａに挿入されている。下面ノズル１２の吐出口１２ａは、スピンベース２１の上面から露出されている。下面ノズル１２の吐出口１２ａは、基板Ｗの下面（下側の表面）の中央領域に下方から対向する。基板Ｗの下面の中央領域とは、基板Ｗの下面において基板Ｗの回転中心を含む領域のことである。

下面ノズル１２には、リンス液、剥離液形成液、および熱媒を下面ノズル１２に共通に案内する共通配管８０の一端が接続されている。共通配管８０の他端には、共通配管８０にリンス液を案内する下側リンス液配管８１と、共通配管８０に剥離液形成液を案内する下側剥離液形成液配管８２と、共通配管８０に熱媒を案内する熱媒配管８３とが接続されている。

下側リンス液配管８１に介装された下側リンス液バルブ８６が開かれると、リンス液が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続的に吐出される。下側剥離液形成液配管８２に介装された下側剥離液形成液バルブ８７が開かれると、剥離液形成液が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続的に吐出される。熱媒配管８３に介装された熱媒バルブ８８が開かれると、熱媒が、下面ノズル１２から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続的に吐出される。

下面ノズル１２は、基板Ｗの下面にリンス液を供給する下側リンス液供給ユニットの一例である。また、下面ノズル１２は、基板Ｗの下面に剥離液形成液を供給する下側剥離液形成液供給ユニットの一例である。また、下面ノズル１２は、基板Ｗを加熱するための熱媒を基板Ｗに供給する熱媒供給ユニットの一例である。下面ノズル１２は、基板Ｗを加熱する基板加熱ユニットでもある。

下面ノズル１２から吐出される熱媒は、たとえば、室温よりも高く、処理液に含まれる溶媒の沸点よりも低い温度の高温ＤＩＷである。処理液に含まれる溶媒がＩＰＡである場合、熱媒としては、たとえば、６０℃〜８０℃のＤＩＷが用いられる。下面ノズル１２から吐出される熱媒は、高温ＤＩＷには限られず、室温よりも高く、処理液に含有される溶媒の沸点よりも低い温度の高温不活性ガスや高温空気等の高温気体であってもよい。

図３は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンモータ２３、第１ノズル移動ユニット３６、第２ノズル移動ユニット３７、第３ノズル移動ユニット３８、対向部材昇降ユニット６１、ガード昇降ユニット７４、バルブ５０，５１，５２，５４，５５，５６，８６，８７，８８を制御するようにプログラムされている。
図４は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。図４には、主として、コントローラ３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図５Ａ〜図５Ｇは、前記基板処理の各工程の様子を説明するための模式図である。

基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図４に示すように、基板搬入工程（ステップＳ１）、薬液供給工程（ステップＳ２）、第１リンス工程（ステップＳ３）、第１有機溶剤供給工程（ステップＳ４）、処理液供給工程（ステップＳ５）、薄膜化工程（ステップＳ６）、加熱工程（ステップＳ７）、剥離除去工程（ステップＳ８）、第２リンス工程（ステップＳ９）、第２有機溶剤供給工程（ステップＳ１０）、スピンドライ工程（ステップＳ１１）および基板搬出工程（ステップＳ１２）がこの順番で実行される。

まず、未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ（図１参照）によってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（ステップＳ１）。これにより、基板Ｗは、スピンチャック５によって水平に保持される（基板保持工程）。スピンチャック５による基板Ｗの保持は、スピンドライ工程（ステップＳ１１）が終了するまで継続される。基板Ｗの搬入時には、対向部材６は、上位置に退避している。

次に、搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、薬液供給工程（ステップＳ２）が開始される。具体的には、スピンモータ２３が、スピンベース２１を回転させる。これにより、水平に保持された基板Ｗが回転される（基板回転工程）。ガード昇降ユニット７４が第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂを上位置に移動させる。
第１ノズル移動ユニット３６が第１移動ノズル８を処理位置に移動させる。第１移動ノズル８の処理位置は、たとえば中央位置である。そして、薬液バルブ５０が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第１移動ノズル８から薬液が供給（吐出）される。基板Ｗの上面に供給された薬液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗの上面が薬液によって処理される。第１移動ノズル８からの薬液の吐出は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。薬液供給工程において、基板Ｗは、所定の薬液回転数、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。

次に、第１リンス工程（ステップＳ３）が開始される。第１リンス工程では、基板Ｗ上の薬液がリンス液によって洗い流される。
具体的には、薬液バルブ５０が閉じられる。これにより、基板Ｗに対する薬液の供給が停止される。そして、第１ノズル移動ユニット３６が第１移動ノズル８をホーム位置に移動させる。そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を上位置と下位置との間の処理位置に移動させる。対向部材６が処理位置に位置するとき、基板Ｗの上面と対向面６ａとの間の距離は、たとえば、３０ｍｍである。第１リンス工程において、第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂは、上位置に維持されている。

そして、上側リンス液バルブ５４が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１１からリンス液が供給（吐出）される。中央ノズル１１から基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗの上面の薬液が基板Ｗ外に洗い流される。第１リンス工程において、基板Ｗは、所定の第１リンス回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。

また、下側リンス液バルブ８６が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１２からリンス液が供給（吐出）される。下面ノズル１２から基板Ｗの下面に供給されたリンス液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの下面の全体に行き渡る。薬液供給工程によって基板Ｗから飛散した薬液が下面に付着した場合であっても、下面ノズル１２から供給されたリンス液によって、下面に付着した薬液が洗い流される。中央ノズル１１および下面ノズル１２からのリンス液の吐出は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。

次に、第１有機溶剤供給工程（ステップＳ４）が開始される。第１有機溶剤供給工程では、基板Ｗ上のリンス液が有機溶剤によって置換される。
具体的には、上側リンス液バルブ５４および下側リンス液バルブ８６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。そして、ガード昇降ユニット７４が、第２ガード７１Ｂを上位置に維持した状態で、第１ガード７１Ａを下位置に移動させる。対向部材６は、処理位置に維持される。

そして、有機溶剤バルブ５６が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１１から有機溶剤が供給（吐出）される。
中央ノズル１１から基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上のリンス液が有機溶剤によって置換される。中央ノズル１１からの有機溶剤の吐出は、所定時間、たとえば、１０秒間継続される。

第１有機溶剤供給工程において、基板Ｗは、所定の第１有機溶剤回転速度、たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転される。基板Ｗは、第１有機溶剤供給工程において一定の回転速度で回転する必要はない。たとえば、スピンモータ２３は、有機溶剤の供給開始時に基板Ｗを３００ｒｐｍで回転させ、基板Ｗに有機溶剤を供給しながら基板Ｗの回転速度が１５００ｒｐｍになるまで基板Ｗの回転を加速させてもよい。

次に、処理液供給工程（ステップＳ５）が開始される。具体的には、有機溶剤バルブ５６が閉じられる。これにより、基板Ｗに対する有機溶剤の供給が停止される。そして、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を上位置に移動させる。そして、ガード昇降ユニット７４が、第１ガード７１Ａを上位置に移動させる。処理液供給工程において、基板Ｗは、所定の処理液回転速度、たとえば、１０ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転される。

そして、図５Ａに示すように、第２ノズル移動ユニット３７が、第２移動ノズル９を処理位置に移動させる。第２移動ノズル９の処理位置は、たとえば、中央位置である。そして、処理液バルブ５１が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第２移動ノズル９から処理液が供給（吐出）される（処理液供給工程、処理液吐出工程）。これにより、基板Ｗ上の有機溶剤が処理液によって置換されて、基板Ｗ上に処理液の液膜１０１（処理液膜）が形成される（処理液膜形成工程）。第２移動ノズル９からの処理液の供給は、所定時間、たとえば、２秒〜４秒の間継続される。

次に、処理膜形成工程（ステップＳ６およびステップＳ７）が実行される。処理膜形成工程では、基板Ｗ上の処理液が固化または硬化されて、基板Ｗ上に存在する除去対象物を保持する処理膜１００（図５Ｃ参照）が基板Ｗの上面に形成される。
処理膜形成工程では、薄膜化工程（スピンオフ工程）（ステップＳ６）が実行される。薄膜化工程では、まず、処理液バルブ５１が閉じられる。これにより、基板Ｗに対する処理液の供給が停止される。そして、第２ノズル移動ユニット３７によって第２移動ノズル９がホーム位置に移動される。

図５Ｂに示すように、薄膜化工程では、基板Ｗ上の液膜１０１の厚さが適切な厚さになるように、基板Ｗの上面への処理液の供給が停止された状態で遠心力によって基板Ｗの上面から処理液の一部が排除される。薄膜化工程では、対向部材６、第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂが上位置に維持される。
薄膜化工程では、スピンモータ２３が、基板Ｗの回転速度を所定の薄膜化速度に変更する。薄膜化速度は、たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍである。基板Ｗの回転速度は、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍの範囲内で一定に保たれてもよいし、薄膜化工程の途中で３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍの範囲内で適宜変更されてもよい。薄膜化工程は、所定時間、たとえば、３０秒間実行される。

処理膜形成工程では、薄膜化工程後に、基板Ｗを加熱する加熱工程（ステップＳ７）が実行される。加熱工程では、基板Ｗ上の処理液の溶媒の一部を揮発（蒸発）させるために、基板Ｗ上の液膜１０１（図５Ｂ参照）を加熱する。
具体的には、図５Ｃに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を、上位置と下位置との間の近接位置に移動させる。近接位置は、下位置であってもよい。近接位置は、基板Ｗの上面から対向面６ａまでの距離がたとえば１ｍｍの位置である。加熱工程では、第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂが上位置に維持される。

そして、気体バルブ５５が開かれる。これにより、基板Ｗの上面（液膜１０１の上面）と、対向部材６の対向面６ａとの間の空間に気体が供給される（気体供給工程）。
基板Ｗ上の液膜１０１に気体が吹き付けられることによって、液膜１０１中の溶媒の蒸発（揮発）が促進される（溶媒蒸発工程、溶媒蒸発促進工程）。そのため、処理膜１００の形成に必要な時間を短縮することができる。中央ノズル１１は、処理液中の溶媒の蒸発させる蒸発ユニット（蒸発促進ユニット）として機能する。

また、熱媒バルブ８８が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１２から熱媒が供給（吐出）される（熱媒供給工程、熱媒吐出工程）。下面ノズル１２から基板Ｗの下面に供給された熱媒は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの下面の全体に行き渡る。基板Ｗに対する熱媒の供給は、所定時間、たとえば、６０秒間継続される。加熱工程において、基板Ｗは、所定の加熱回転速度、たとえば、１０００ｒｐｍで回転される。

基板Ｗの下面に熱媒が供給されることによって、基板Ｗを介して、基板Ｗ上の液膜１０１が加熱される。これにより、液膜１０１中の溶媒の蒸発（揮発）が促進される（溶媒蒸発工程、溶媒蒸発促進工程）。そのため、処理膜１００の形成に必要な時間を短縮することができる。下面ノズル１２は、処理液中の溶媒の蒸発させる蒸発ユニット（蒸発促進ユニット）として機能する。

薄膜化工程および加熱工程が実行されることによって、処理液が固化または硬化されて、基板Ｗ上に処理膜１００が形成される。このように、基板回転ユニット（スピンモータ２３）、中央ノズル１１および下面ノズル１２は、処理液を固化または硬化させて固体（処理膜１００）を形成する固体形成ユニットを構成している。
加熱工程では、基板Ｗ上の処理液の温度が溶媒の沸点未満となるように、基板Ｗが加熱されることが好ましい。処理液を、溶媒の沸点未満の温度に加熱することにより、処理膜１００中に溶媒を適度に残留させることができる。これにより、処理膜１００内に溶媒が残留していない場合と比較して、その後の剥離除去工程において、処理膜１００中に残留した溶媒と、剥離液形成液との相互作用によって、剥離液形成液を処理膜１００になじませやすい。したがって、剥離液を形成しやすくなる。

遠心力によって基板Ｗ外に飛散した熱媒は、第１ガード７１Ａによって受けられる。第１ガード７１Ａによって受けられた熱媒は、第１ガード７１Ａから跳ね返る場合がある。しかしながら、対向部材６は、基板Ｗの上面に近接しているため、第１ガード７１Ａから跳ね返った熱媒から基板Ｗの上面を保護することができる。したがって、処理膜１００の上面への熱媒の付着を抑制することができるので、第１ガード７１Ａからの熱媒の跳ね返りに起因するパーティクルの発生を抑制できる。

さらに、中央ノズル１１からの気体の供給によって、対向部材６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間には、基板Ｗの上面の中央領域から基板Ｗの上面の周縁に向けて移動する気流Ｆが形成される。基板Ｗの上面の中央領域から基板Ｗの上面の周縁に向けて移動する気流Ｆを形成することによって、第１ガード７１Ａから跳ね返った熱媒を第１ガード７１Ａに向けて押し戻すことができる。したがって、処理膜１００の上面への熱媒の付着を一層抑制することができる。

次に、基板Ｗの上面から処理膜１００を剥離して除去する剥離除去工程（ステップＳ８）が実行される。具体的には、熱媒バルブ８８が閉じられる。これにより、基板Ｗの下面に対する熱媒の供給が停止される。また、気体バルブ５５が閉じられる。これにより、対向部材６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間への気体の供給が停止される。
そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を上位置に移動させる。そして、図５Ｄに示すように、第３ノズル移動ユニット３８が、第３移動ノズル１０を処理位置に移動させる。第３移動ノズル１０の処理位置は、たとえば、中央位置である。

そして、上側剥離液形成液バルブ５２が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第３移動ノズル１０から剥離液形成液が供給（吐出）される（上側剥離液形成液供給工程、上側剥離液形成液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給された剥離液形成液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。
基板Ｗの上面への剥離液形成液の供給は、所定時間、たとえば、６０秒間継続される。前述したように、処理液供給工程における基板Ｗの上面への処理液の供給時間は、たとえば、２〜４秒間である。そのため、剥離除去工程における基板Ｗの上面への剥離液形成液の供給時間は、処理液供給工程における基板Ｗの上面への処理液の供給時間よりも長い。

剥離除去工程において、基板Ｗは、所定の剥離回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
また、下側剥離液形成液バルブ８７が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１２から剥離液形成液が供給（吐出）される（下側剥離液形成液供給工程、下側剥離液形成液吐出工程）。基板Ｗの下面に供給された剥離液形成液は、遠心力により、基板Ｗの下面の全体に広がる。

基板Ｗの上面に剥離液形成液が供給されることによって、剥離液形成液と処理膜１００とが接触し、剥離液が形成される。そして、処理膜１００が、剥離液の剥離作用によって、除去対象物とともに基板Ｗの上面から剥離される（剥離工程）。処理膜１００は、基板Ｗの上面から剥離される際に分裂して膜片となる。そして、処理膜１００の剥離後、基板Ｗの上面への剥離液形成液の供給が継続されることによって、分裂した処理膜１００の膜片は、剥離液形成液とともに基板Ｗ外へ排除される。これにより、除去対象物を保持した状態の処理膜１００の膜片が、基板Ｗの上面から除去される（除去工程）。

ここで、図５Ａに示す処理液供給工程（ステップＳ５）で基板Ｗの上面に供給された処理液は、基板Ｗの周縁を伝って基板Ｗの下面に回り込むことがある。また、基板Ｗから飛散した処理液が、第１ガード７１Ａから跳ね返って基板Ｗの下面に付着することがある。このような場合であっても、図５Ｃに示すように、加熱工程（ステップＳ７）において基板Ｗの下面に熱媒が供給されるので、その熱媒の流れによって、基板Ｗの下面から処理液を排除することができる。

さらに、処理液供給工程（ステップＳ５）に起因して基板Ｗの下面に付着した処理液が固化または硬化して固体を形成することがある。このような場合であっても、図５Ｄに示すように、剥離除去工程（ステップＳ８）において基板Ｗの上面に剥離液形成液が供給されている間、下面ノズル１２から基板Ｗの下面に剥離液形成液を供給（吐出）することによって、その固体を基板Ｗの下面から剥離し除去することができる。詳しくは、剥離液形成液とその固体との接触により剥離液が形成され、剥離液の剥離作用によってその固体が基板Ｗの下面から剥離される。

剥離除去工程（ステップＳ８）の後、第２リンス工程（ステップＳ９）が実行される。具体的には、上側剥離液形成液バルブ５２および下側剥離液形成液バルブ８７が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対する剥離液形成液の供給が停止される。そして、第３ノズル移動ユニット３８が、第３移動ノズル１０をホーム位置に移動させる。そして、図５Ｅに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を処理位置に移動させる。第２リンス工程において、基板Ｗは、所定の第２リンス回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂは、上位置に維持される。

そして、上側リンス液バルブ５４が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１１からリンス液が供給（吐出）される（第２上側リンス液供給工程、第２上側リンス液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面に付着していた剥離液形成液がリンス液で洗い流される。

また、下側リンス液バルブ８６が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１２からリンス液が供給（吐出）される（第２下側リンス液供給工程、第２下側リンス液吐出工程）。これにより、基板Ｗの下面に付着していた剥離液形成液がリンス液で洗い流される。基板Ｗの上面および下面へのリンス液の供給は、所定時間、たとえば、３５秒間継続される。

次に、第２有機溶剤供給工程（ステップＳ１０）が実行される。具体的には、上側リンス液バルブ５４および下側リンス液バルブ８６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。そして、図５Ｆに示すように、ガード昇降ユニット７４が第１ガード７１Ａを下位置に移動させる。そして、対向部材６は、処理位置に維持される。第２有機溶剤供給工程において、基板Ｗは、所定の第２有機溶剤回転速度、たとえば、３００ｒｐｍで回転される。

そして、有機溶剤バルブ５６が開かれる。これにより、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１１から有機溶剤が供給（吐出）される（第２有機溶剤供給工程、第２有機溶剤吐出工程、残渣除去液供給工程）。基板Ｗの上面への有機溶剤の供給は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。
基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面のリンス液が有機溶剤で置換される。基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、基板Ｗの上面に残る処理膜１００の残渣を溶解したのち、基板Ｗの上面の周縁から排出される（残渣除去工程）。

次に、スピンドライ工程（ステップＳ１１）が実行される。具体的には、有機溶剤バルブ５６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面への有機溶剤の供給が停止される。そして、図５Ｇに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を処理位置よりも下方の乾燥位置に移動させる。対向部材６が乾燥位置に位置するとき、対向部材６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間の距離は、たとえば、１．５ｍｍである。そして、気体バルブ５５が開かれる。これにより、基板Ｗの上面と、対向部材６の対向面６ａとの間の空間に気体が供給される。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速回転させる。スピンドライ工程における基板Ｗは、乾燥速度、たとえば、１５００ｒｐｍで回転される。スピンドライ工程は、所定時間、たとえば、３０秒間の間実行される。それによって、大きな遠心力が基板Ｗ上の有機溶剤に作用し、基板Ｗ上の有機溶剤が基板Ｗの周囲に振り切られる。スピンドライ工程では、基板Ｗの上面と、対向部材６の対向面６ａとの間の空間への気体の供給によって有機溶剤の蒸発が促進される。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を停止させる。ガード昇降ユニット７４が第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂを下位置に移動させる。気体バルブ５５が閉じられる。そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を上位置に移動させる。
搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５のチャックピン２０から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（ステップＳ１２）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

次に、図６Ａ〜図６Ｄを参照して、処理膜１００が基板Ｗから剥離されるときの様子について説明する。図６Ａは、加熱工程（ステップＳ７）後の基板Ｗの上面付近の様子を示している。図６Ｂ〜図６Ｄは、剥離除去工程（ステップＳ８）実行中の基板Ｗの上面付近の様子を示している。
処理膜形成工程において実行される加熱工程では、前述したように、基板Ｗ上の液膜１０１が基板Ｗを介して熱媒によって加熱される。これにより、図６Ａに示すように、パーティクル等の除去対象物１０３を保持した処理膜１００が形成される。詳しくは、溶媒の少なくとも一部が蒸発することによって、処理液の溶質に含まれる高溶解性物質が高溶解性固体１１０（固体状態の高溶解性物質）を形成する。また、溶媒の少なくとも一部が蒸発することによって、処理液の溶質に含まれる低溶解性物質が低溶解性固体１１１（固体状態の低溶解性物質）を形成し、処理液の溶質に含まれる剥離液形成物質が剥離液形成固体１１２（固体状態の剥離液形成物質）を形成する。

処理膜１００は、高溶解性固体１１０が偏在している部分と、低溶解性固体１１１が偏在している部分とに分けられる。剥離液形成固体１１２は、処理膜１００の全体に万遍なく形成されている。
図６Ｂを参照して、剥離除去工程において、基板Ｗの上面に剥離液形成液が供給されると、剥離液形成固体１１２が剥離液形成液中に溶け出す。剥離液形成固体１１２が剥離液形成液に溶解されることによって、剥離液（アルカリ性液体）が形成される。

図６Ｃを参照して、剥離液形成液の供給に起因して、高溶解性固体１１０が溶解される。すなわち、処理膜１００が部分的に溶解される。高溶解性固体１１０が溶解されることによって、処理膜１００において高溶解性固体１１０が偏在している部分に貫通孔１０２が形成される（貫通孔形成工程）。貫通孔１０２は、特に、基板Ｗの厚さ方向Ｔ（処理膜１００の厚さ方向でもある）に高溶解性固体１１０が延びている部分に形成されやすい。貫通孔１０２は、平面視で、たとえば、直径数ｎｍの大きさである。

高溶解性固体１１０が剥離液形成液および剥離液の両方に溶解する性質を有する場合には、剥離液形成物質が剥離液形成液に充分に溶け出していなくても、剥離液形成液が処理膜１００に着液した瞬間から貫通孔１０２が形成され始める。そして、剥離液が形成されると貫通孔１０２の形成が促進される。すなわち、剥離液および剥離形成液の両方によって貫通孔１０２が形成される。

高溶解性固体１１０が剥離液形成液には殆ど溶解しないが剥離液に溶解する性質を有する場合には、剥離液形成物質が剥離液形成液に充分に溶け出してから貫通孔１０２が形成され始める。すなわち、剥離液によって貫通孔１０２が形成される。
高溶解性固体１１０が剥離液には殆ど溶解しないが剥離液形成液に溶解する性質を有する場合には、剥離液形成物質が剥離液形成液に溶け出す前に貫通孔１０２が形成される。すなわち、剥離液形成液によって貫通孔１０２が形成される。

貫通孔１０２が形成されるまでには、処理膜１００から剥離液形成液に剥離液形成物質が溶け出して剥離液が形成されている。剥離液に対する低溶解性物質の溶解性は低く低溶解性物質は剥離液によって殆ど溶解されない。そのため、低溶解性固体１１１は、剥離液によってその表面付近が僅かに溶解されるだけである。そのため、貫通孔１０２を介して基板Ｗの上面付近まで到達した剥離液は、低溶解性固体１１１において基板Ｗの上面付近の部分を僅かに溶解させる。これにより、図６Ｃの拡大図に示すように、剥離液が、基板Ｗの上面付近の低溶解性固体１１１を徐々に溶解させながら、処理膜１００と基板Ｗの上面との間の隙間Ｇに進入していく（剥離液進入工程）。

処理膜１００において高溶解性固体１１０の偏在箇所が溶解される際、当該箇所に存在する剥離液形成固体１１２や、処理膜１００において貫通孔１０２を取り囲む部分に存在する剥離液形成固体１１２が剥離液（剥離液形成液）によって溶解される。同様に、剥離液が隙間Ｇに進入することで、処理膜１００における基板Ｗの上面付近の部分に存在する剥離液形成固体１１２が剥離液によって溶解される。これにより、剥離液中のアルカリ性成分の濃度がさらに向上される（図６Ｃの拡大図参照）。そのため、処理膜１００の低溶解性固体１１１の剥離が一層促進される。

そして、たとえば、貫通孔１０２の周縁を起点として処理膜１００が分裂して膜片となり、図６Ｄに示すように、処理膜１００の膜片が除去対象物１０３を保持した状態で基板Ｗから剥離される（処理膜分裂工程、剥離工程）。そして、剥離液形成液の供給を継続することによって、膜片となった処理膜１００が、除去対象物１０３を保持した状態で、洗い流されて（基板Ｗ外に押し出されて）基板Ｗの上面から除去される（除去工程）。

なお、剥離液は、低溶解性固体１１１を殆ど溶解させない場合もあり得る。この場合でも、処理膜１００と基板Ｗの上面との間の僅かな隙間Ｇに入り込むことによって、処理膜１００が基板Ｗから剥離される。
第１実施形態によれば、基板Ｗの上面に供給された剥離液形成液（純水）と処理膜１００とを接触させることによって、基板Ｗの上面から処理膜１００を剥離する剥離液（アルカリ性液体）が形成される。具体的には、処理膜１００中のアルカリ成分が純水に溶け出して、アルカリ性液体（アルカリ性水溶液）が形成される。剥離液形成液は、比較的安価であり、剥離液形成液として用いられる液体のうち、純水は、特に安価である。剥離液として用いられるアルカリ性液体は、比較的高価である。

基板Ｗ上で自発的に形成された剥離液によって、除去対象物１０３を保持した状態の処理膜１００が基板Ｗの上面から剥離される。そして、剥離液形成液の供給を継続することによって、処理膜１００に除去対象物１０３を保持させた状態で、処理膜１００を洗い流して基板Ｗの上面から除去することができる。つまり、基板Ｗの上面に向けて剥離液を供給せずに剥離液形成液を供給するだけで、除去対象物１０３を基板Ｗの上面から除去することができる。すなわち、比較的高価な剥離液を多量に消費することなく、除去対象物１０３を基板Ｗの上面から除去することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつ、基板Ｗの上面に存在する除去対象物１０３を効率良く除去することができる。

また、この実施形態によれば、処理膜１００中の剥離液形成固体１１２を剥離液形成液に溶解させることによって、剥離液が形成される。そのため、処理膜１００の近傍の剥離液形成液に剥離液形成物質を溶解させて、処理膜１００の近傍に剥離液を形成することができる。したがって、剥離液形成物質が剥離液形成液の全体に均一に拡散する前の、剥離形成物質の濃度が高い剥離液を処理膜１００に作用させることができる。これにより、処理膜１００を効率良く剥離することができる。よって、処理膜１００とともに除去対象物１０３が基板Ｗの上面から効率良く除去される。

剥離液の形成に必要な剥離液形成物質も、剥離液と同様に比較的高価である。そして、処理膜１００の形成に必要な量の処理液を基板Ｗに供給するのに必要な時間（たとえば、２秒間〜４秒間）は、処理膜１００を剥離して基板上から除去するために必要な時間（たとえば、６０秒間）よりも短い。そこで、この実施形態では、処理膜１００を形成するために剥離液形成物質を含む処理液が基板Ｗに供給され、処理膜１００の剥離および除去のために剥離液形成物質を含まない剥離液形成液が基板Ｗに供給される。そのため、処理膜１００を形成するために剥離液形成物質を含まない処理液が基板Ｗに供給され、処理膜１００の剥離および除去のために剥離液（剥離液形成物質が溶解した剥離液形成液）が基板に供給される方法と比較して、基板Ｗへの剥離液形成物質の供給時間（消費量）を低減することができる。したがって、コストの増大を抑制できる。

なお、アルカリ性液体等の剥離液を基板Ｗの上面に向けて多量に供給した場合、基板Ｗや基板処理装置１の各部品にダメージを与えるおそれがある。そのため、耐剥離液性能（耐アルカリ性能）を有する基板Ｗや部品を使用する必要があるため、コストが増大するおそれがある。
本実施形態では、基板Ｗの上面にダメージをほとんど及ぼさない純水等の剥離液形成液と処理膜１００との接触によって、剥離液を自発的に発生させることができる。そのため、基板Ｗの上面に向けて剥離液を供給せずに剥離液形成液を供給するだけで、除去対象物１０３を基板Ｗの上面から除去することができる。すなわち、基板Ｗや基板処理装置１の各部品にダメージを与えやすい剥離液を多量に基板Ｗに供給することなく、除去対象物１０３を基板Ｗの上面から除去することができる。そのため、基板Ｗや基板処理装置１の各部品へのダメージを抑制することができる。さらに、基板Ｗや基板処理装置１の各部品の耐剥離液性能を向上させる必要もないため、コストの増大を抑制することができる。

また、この実施形態では、基板Ｗの上面に剥離液形成液を供給することによって、処理膜１００が部分的に溶解して処理膜１００に貫通孔１０２が形成される。処理膜１００に貫通孔１０２が形成されることによって、剥離液が基板Ｗの上面付近に到達しやすくなる。そのため、処理膜１００と基板Ｗとの界面に剥離液を作用させて、処理膜１００を基板Ｗの上面から効率良く剥離することができる。その一方で、処理膜１００の一部は、貫通孔１０２の形成のために溶解されるものの、残りの部分は、固体状態、すなわち除去対象物１０３を保持した状態で維持される。その結果、処理膜１００とともに除去対象物１０３を基板Ｗの上面から効率良く除去することができる。

この実施形態によれば、高溶解性物質は、低溶解性物質よりも剥離液形成液および剥離液の少なくともいずれかに対する溶解性が高い。そのため、剥離液形成液または剥離液が処理膜１００中の高溶解性固体１１０を溶解させることによって、処理膜１００に貫通孔１０２を確実に形成することができる。その一方で、処理膜１００中の低溶解性固体１１１は、溶解されずに固体状態で維持される。したがって、低溶解性固体１１１で除去対象物１０３を保持しながら、固体状態の低溶解性固体１１１と基板Ｗとの界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜１００を基板Ｗの上面から速やかに剥離しつつ、処理膜１００とともに除去対象物１０３を基板Ｗの上面から効率良く除去することができる。

＜第２実施形態＞
図７は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐに備えられる処理ユニット２Ｐの概略構成を示す模式的な部分断面図である。図７を参照して、第２実施形態に係る処理ユニット２Ｐが第１実施形態に係る処理ユニット２（図２参照）と主に異なる点は、第２実施形態に係る処理ユニット２Ｐが、対向部材６および中央ノズル１１の代わりに、第４移動ノズル１４を含む点である。

第４移動ノズル１４は、基板Ｗの上面に有機溶剤を供給する有機溶剤供給ユニットの一例である。また、第４移動ノズル１４は、基板Ｗの上面に窒素ガス等の気体を供給する気体供給ユニットの一例でもある。
第４移動ノズル１４は、第４ノズル移動ユニット３５によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第４移動ノズル１４は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。

第４移動ノズル１４は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の回転中心に対向する。第４移動ノズル１４は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第４移動ノズル１４は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。
第４ノズル移動ユニット３５は、第１ノズル移動ユニット３６と同様の構成を有している。すなわち、第４ノズル移動ユニット３５は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸（図示せず）と、回動軸および第４移動ノズル１４に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含む。

第４移動ノズル１４には、第４移動ノズル１４に有機溶剤を案内する有機溶剤配管９０が接続されている。有機溶剤配管９０に介装された有機溶剤バルブ９５が開かれると、有機溶剤が、第４移動ノズル１４から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続的に吐出される。
第４移動ノズル１４には、第４移動ノズル１４に気体を案内する複数の気体配管（第１気体配管９１、第２気体配管９２および第３気体配管９３）が接続されている。複数の気体配管（第１気体配管９１、第２気体配管９２および第３気体配管９３）には、それぞれ、その流路を開閉する気体バルブ（第１気体バルブ９６Ａ、第２気体バルブ９７Ａおよび第３気体バルブ９８Ａ）が介装されている。

第４移動ノズル１４は、有機溶剤配管９０から案内される有機溶剤を、鉛直方向に沿って吐出する中心吐出口１４ａを有している。第４移動ノズル１４は、第１気体配管９１から供給される気体を、鉛直方向に沿って直線状に吐出する線状流吐出口１４ｂを有している。さらに、第４移動ノズル１４は、第２気体配管９２から供給される気体を、水平方向に沿って第４移動ノズル１４の周囲に放射状に吐出する水平流吐出口１４ｃを有している。また、第４移動ノズル１４は、第３気体配管９３から供給される気体を、斜め下方向に沿って第４移動ノズル１４の周囲に放射状に吐出する傾斜流吐出口１４ｄを有している。

第１気体配管９１には、第１気体配管９１内を流れる気体の流量を正確に調節するためのマスフローコントローラ９６Ｂが介装されている。マスフローコントローラ９６Ｂは、流量制御バルブを有している。また、第２気体配管９２には、第２気体配管９２内を流れる気体の流量を調節するための流量可変バルブ９７Ｂが介装されている。また、第３気体配管９３には、第３気体配管９３内を流れる気体の流量を調節するための流量可変バルブ９８Ｂが介装されている。さらに、第１気体配管９１、第２気体配管９２および第３気体配管９３には、それぞれ、異物を除去するためのフィルタ９６Ｃ，９７Ｃ，９８Ｃが介装されている。

第４移動ノズル１４から吐出される有機溶剤としては、第１実施形態に係る第３チューブ３３（図２参照）から吐出される有機溶剤と同様の有機溶剤が挙げられる。第４移動ノズル１４から吐出される気体としては、第１実施形態に係る第２チューブ３２（図２参照）から吐出される気体と同様の気体が挙げられる。
また、第２実施形態に係る処理ユニット２Ｐでは、第３移動ノズル１０にリンス液を案内する上側リンス液配管４３に接続されている。上側リンス液配管４３に介装された上側リンス液バルブ５３が開かれると、リンス液が、第３移動ノズル１０の吐出口から下方に連続的に吐出される。

リンス液バルブ５３、第１気体バルブ９６Ａ、第２気体バルブ９７Ａおよび第３気体バルブ９８Ａ、マスフローコントローラ９６Ｂ、流量可変バルブ９７Ｂ，９８Ｂ、および第４ノズル移動ユニット３５は、コントローラ３によって制御される（図３参照）。
第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐを用いることで、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の基板処理が可能である。ただし、第１リンス工程（ステップＳ３）および第２リンス工程（ステップＳ９）では、第３移動ノズル１０から基板Ｗの上面にリンス液が供給される。

以下では、処理液中の（Ａ）低溶解性物質、（Ｂ）剥離液形成物質、（Ｃ）溶媒、（Ｄ）高溶解性物質の詳細と、（Ｆ）剥離液形成液の詳細とについて説明する。
＜処理液＞
前述したように、基板Ｗ上で処理液が乾燥されて（Ｃ）溶媒が除去されることによって（Ａ）低溶解性物質が膜化される。すなわち、処理膜１００が形成される。（Ｂ）剥離液形成物質および／または（Ｄ）高溶解性物質は、（Ｃ）溶媒と共に除去されずに、処理膜１００に残される。「固化」や「硬化」は、「膜化」の一態様である。なお、処理液から得られる処理膜１００はパーティクル１０３を保持できる程度の固さを有していればよく、（Ｃ）溶媒が完全に除去（たとえば気化による）される必要はない。前記処理液は（Ｃ）溶媒の揮発に伴って徐々に収縮しながら処理膜となる。「（Ｃ）溶媒と共に除去されない」とは、全体と比してごく少量が除去（例：蒸発、揮発）されることは許容される。たとえば、元の量と比して０〜１０質量％が除去されることは許容される。

前述したように、処理膜１００が基板Ｗ上のパーティクル１０３を保持し、（Ｆ）剥離液形成液によって剥がされることで除去される。処理膜１００に（Ｂ）剥離液形成物質が残る場合、（Ｆ）剥離液形成液を基板Ｗに供給することによって、（Ｂ）剥離液形成物質が（Ｆ）剥離液形成液に溶け出す。これにより、（Ｆ）剥離液形成液のｐＨが上がって剥離液が形成（調製）されると考えられる。このため、（Ｆ）剥離液形成液はアンモニア水のようなアルカリ性の溶液である必要がなく、また、前記膜に（Ｂ）剥離液形成物質および／または（Ｄ）高溶解性物質が残る場合、処理膜１００が剥がれるきっかけとなる部分が生じると考えられる。

＜低溶解性物質＞
（Ａ）低溶解性物質は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリマレイン酸誘導体、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、これらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含む。好ましくは、（Ａ）低溶解性物質は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸誘導体、これらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含んでなる。さらに好ましくは、（Ａ）低溶解性物質は、ノボラック、ポリヒドロスチレン、ポリカーボネート、これらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含む。ノボラックはフェノールノボラックであっても良い。

言うまでもないが、本発明による処理液は（Ａ）低溶解性物質として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでも良い。たとえば、（Ａ）低溶解性物質はノボラックとポリヒドロキシスチレンの双方を含んでも良い。
（Ａ）低溶解性物質は乾燥されることで膜化し、前記膜は後述の（Ｆ）剥離液形成液（溶解した（Ｂ）剥離液形成物質を含み得る）で大部分が溶解されることなくパーティクルを保持したまた剥がされることが、好適な一態様である。なお、（Ｆ）剥離液形成液によって（Ａ）低溶解性物質のごく一部が溶解される態様は許容される。

好ましくは、（Ａ）低溶解性物質はフッ素および／またはケイ素を含有せず、より好ましくは双方を含有しない。
前記共重合はランダム共重合、ブロック共重合が好ましい。
本発明を限定する意図はないが、（Ａ）低溶解性物質の具体例として以下の化学式１〜７に示す物質が挙げられる。

（ＲはＣ_１−４アルキル等の置換基を意味する）

（Ａ）低溶解性物質の重量平均分子量（Ｍｗ）は好ましくは１５０〜５００，０００である。
（Ａ）低溶解性物質は合成することで入手可能である。また、購入することもできる。購入する場合、例として供給先は以下が挙げられる。本発明の効果を奏するように、供給先が（Ａ）低溶解性物質を合成することも可能である。
ノボラック：昭和化成（株）、旭有機材（株）、群栄化学工業（株）、住友ベークライト（株）
ポリヒドロキシスチレン：日本曹達（株）、丸善石油化学（株）、東邦化学工業（株）
ポリアクリル酸誘導体：（株）日本触媒
ポリカーボネート：シグマアルドリッチ
ポリメタクリル酸誘導体：シグマアルドリッチ
本発明の一態様として、処理液の全質量と比較して、（Ａ）低溶解性物質が０．１〜５０質量％である。言い換えると、処理液の全質量を１００質量％とし、これを基準として（Ａ）低溶解性物質が０．１〜５０質量％である。すなわち、「と比較して」は「を基準として」と言い換えることが可能である。特に言及しない限り、本明細書において同様である。

＜剥離液形成物質＞
（Ｂ）剥離液形成物質は第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンおよび第四級アンモニウム塩（好適には第一級アミン、第二級アミンおよび第三級アミン）の少なくとも１つを含んでおり、（Ｂ）剥離液形成物質は炭化水素を含んでいる。好適な一態様として、処理液から形成された処理膜１００に（Ｂ）剥離液形成物質が残り、剥離液が処理膜１００を剥離する際に（Ｂ）剥離液形成物質が（Ｆ）剥離液形成液に溶けだす。そのために、（Ｂ）のアルカリ成分の１気圧における沸点が、２０〜４００℃であることが好適である。

剥離液形成物質の種類を限定する意図はないが、（Ｂ）の好適例として、Ｎ−ベンジルエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２−（ブチルアミノ）エタノール、２−アニリノエタノール、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス（２−アミノエチル）アミン、トリス［２−（ジメチルアミノ）エチル］アミンが挙げられる。

剥離液形成物質の種類を限定する意図はないが、（Ｂ）の好適例として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミンが挙げられる。
剥離液形成物質の種類を限定する意図はないが、かご型の三次元構造を有する（Ｂ）の具体例として、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ヘキサメチレンテトラミンが挙げられる。本発明を限定する意図はないが、平面的な環構造を有する（Ｂ）の好適例として、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン、１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサアザシクロオクタデカンが挙げられる。

言うまでもないが、本発明による処理液は（Ｂ）剥離液形成物質として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでも良い。たとえば、（Ｂ）剥離液形成物質はＮ−ベンジルエタノールアミンとジエタノールアミンの双方を含んでも良い。また、（Ｂ）剥離液形成物質はＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミンと１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンの双方を含んでも良い。

（Ｂ）剥離液形成物質の分子量は、好適には５０〜５００である。
（Ｂ）剥離液形成物質は合成することでも、購入することでも入手可能である。供給先として、シグマアルドリッチ、東京化成工業が挙げられる。
本発明の一態様として、処理液中の（Ａ）低溶解性物質の質量と比較して、（Ｂ）剥離液形成物質は、好ましくは１〜１００質量％である。

＜溶媒＞
（Ｃ）溶媒は有機溶媒を含んでいることが好ましい。（Ｃ）溶媒は揮発性を有する。揮発性を有するとは水と比較して揮発性が高いことを意味する。（Ｃ）溶媒は１気圧における沸点は、５０〜２００℃であることが好ましい。（Ｃ）溶媒は、少量の純水を含むことも許容される。（Ｃ）溶媒に含まれる純水は、（Ｃ）溶媒全体と比較して、好ましくは３０質量％以下である。純水を含まない（０質量％）ことも、好適な一形態である。純水とは、好適にはＤＩＷである。

本発明の好適な一態様として、処理液に含まれる成分（添加物を含む）は（Ｃ）溶媒に溶解する。この態様をとる処理液は、埋め込み性能または膜の均一性が良いと考えられる。
（Ｃ）に含まれる有機溶媒としては、イソプロパノール（ＩＰＡ）等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

好ましい一態様として、（Ｃ）溶媒が含む有機溶媒は、ＩＰＡ、ＰＧＭＥ、ＰＧＥＥ、ＥＬ、ＰＧＭＥＡ、これらのいかなる組合せから選ばれる。有機溶媒が２種の組合せである場合、その体積比は、好ましくは２０：８０〜８０：２０である。
処理液の全質量と比較して、（Ｃ）溶媒は０．１〜９９．９質量％である。

＜高溶解性物質＞
（Ｄ）高溶解性物質は、炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基（−ＯＨ）および／またはカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）を含んでいる。（Ｄ）高溶解性物質がポリマーである場合、構成単位の１種が１単位ごとに炭化水素を含んでおり、さらに―ヒドロキシ基および／またはカルボニル基を含んでいる。カルボニル基とは、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、アルデヒド、ケトン、エステル、アミド、エノンが挙げられ、カルボン酸が好ましい。
前述したように、処理液が乾燥され基板上に形成された処理膜には、（Ｄ）高溶解性物質が残っている。（Ｆ）剥離液形成液が処理膜を剥離する際に（Ｄ）高溶解性物質は、処理膜が剥がれるきっかけとなる部分を生む。このためには、（Ｄ）高溶解性物質としては（Ｆ）剥離液形成液に対する溶解性が、（Ａ）低溶解性物質よりも高いものが用いられることが好ましい。

（Ｄ）高溶解性物質がカルボニル基としてケトンを含む態様として環形の炭化水素が挙げられる。具体例として、１，２−シクロヘキサンジオンや１，３−シクロヘキサンジオンが挙げられる。
権利範囲を限定する意図はないが、（Ｄ）の好適例として、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２’−メチレンビス（４−メチルフェノール）、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、１，３−シクロヘキサンジオール、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，６−ナフタレンジオール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、が挙げられる。これらは、重合や縮合によって得てもよい。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ｄ）の好適例として、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオール、が挙げられる。別の一形態として、３−ヘキシン−２，５−ジオール、１，４−ブチンジオール、２，４−ヘキサジイン−１，６−ジオール、１，４−ブタンジオール、シス−１，４−ジヒドロキシ−２−ブテン、１，４−ベンゼンジメタノールも（Ｄ）の好適例として挙げられる。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ｄ）ポリマーの好適例として、アクリル酸、マレイン酸、アクリル酸、またはこれらの組合せの重合体が挙げられる。ポリアクリル酸、マレイン酸アクリル酸コポリマーがさらに好適な例である。
共重合の場合、好適にはランダム共重合またはブロック共重合であり、より好適にはランダム共重合である。

言うまでもないが、処理液は（Ｄ）高溶解性物質として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでもよい。たとえば、（Ｄ）高溶解性物質は２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオールの双方を含んでも良い。
（Ｄ）高溶解性物質の分子量は、たとえば、８０〜１０，０００である。（Ｄ）高溶解性物質が樹脂、重合体またはポリマーの場合、分子量は重量平均分子量（Ｍｗ）で表す。
（Ｄ）高溶解性物質は合成しても購入しても入手することが可能である。供給先としては、シグマアルドリッチ、東京化成工業、日本触媒が挙げられる。
本発明の一態様として、処理液中の（Ａ）低溶解性物質の質量と比較して、（Ｄ）高溶解性物質は、好ましくは１〜１００質量％である。

＜その他の添加物＞
本発明の処理液は、（Ｅ）その他の添加物をさらに含んでもよい。（Ｅ）その他の添加物は、界面活性剤、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、抗真菌剤、または塩基を含んでいてもよく（好ましくは、界面活性剤）、これらのいずれの組合せを含んでいてもよい。
処理液中の（Ａ）低溶解性物質の質量と比較して、（Ｅ）その他の添加物（複数の場合、その和）は、好ましくは０〜１０質量％である。処理液は、（Ｅ）その他の添加剤を含まなくてもよい（０質量％）。

＜剥離液形成液＞
先述の通り、基板Ｗに供給された処理液は、乾燥されて（Ｃ）溶媒が除去されることによって、（Ａ）低溶解性物質が膜化される。すなわち、処理膜が形成される。（Ｂ）剥離液形成物質および／または（Ｄ）高溶解性物質は、（Ｃ）溶媒と共に除去されずに、処理膜に残される。処理膜は基板上に存在するパーティクルを保持することが可能であり、保持したまま（Ｆ）剥離液形成液によって除去される。

ここで、（Ｆ）剥離液形成液は中性または弱酸性であることが好ましい。（Ｆ）剥離液形成液のｐＨは４〜７であることが好ましく、ｐＨ５〜７であることがより好ましく、ｐＨ６〜７であることがさらに好ましい。ｐＨの測定は、空気中の炭酸ガスの溶解による影響を避けるために、脱ガスして測定することが好ましい。
好ましくは、（Ｆ）剥離液形成液は純水を含む。先述のように本発明の処理液は（Ｂ）剥離液形成物質を含むため、（Ｆ）剥離液形成液に溶けだし、（Ｆ）剥離液形成液のｐＨを上げることによって剥離液が形成（調製）される。このため、（Ｆ）剥離液形成液は大部分が純水であってもよい。（Ｆ）剥離液形成液の全質量と比較して、（Ｆ）に含まれる純水は、好ましくは８０〜１００質量％であり、より好ましくは９０〜１００質量％であり、さらに好ましくは９５〜１００質量％であり、よりさらに好ましくは９９〜１００質量％である。（Ｆ）剥離液形成液が純水のみからなる（１００質量％）態様も、好適である。

処理液が、（Ａ）低溶解性物質、（Ｂ）剥離液形成物質および（Ｃ）溶媒から構成されている場合には、処理膜の形成の様子、および、基板からの処理膜の剥離の様子を、以下のように説明することもできる。
パーティクルが付着している基板Ｗに処理液を滴下し、乾燥させることによって、低溶解性物質（ポリマー）が膜化する。低溶解性物質が膜化することによって、処理膜が形成される。剥離液形成物質（アルカリ成分）が処理膜に残っている。その後、処理膜に剥離液形成液を供給し、アルカリ成分が剥離液形成液に溶けだす。アルカリ成分の溶出により処理膜近辺の剥離液形成液のｐＨが上昇して、処理膜を基板Ｗから剥離させる剥離液が形成（調製）されると考えられる。アルカリ成分が溶け出すことによって、処理膜にアルカリ成分が溶出した跡（空孔）が生じる。アルカリ成分の溶出により処理膜近辺の除去液のｐＨが上昇し、処理膜を基板から剥離させる効果が高まると考えられる。さらに、アルカリ成分の溶出によって形成された跡は、処理膜が剥がれるきっかけとなり、ここを起点にクラックが広がる。クラックが広がることで分断された処理膜が、パーティクルを保持したまま基板から除去される。

処理液は、（Ａ）低溶解性物質、（Ｂ）剥離液形成物質、（Ｃ）溶媒および（Ｄ）高溶解性物質から構成されている場合には、処理膜の形成の様子、および、基板からの処理膜の剥離の様子を、以下のように説明することもできる。
パーティクルが付着している基板Ｗに処理液を滴下し、乾燥させることによって、低溶解性物質（ポリマー）が膜化する。低溶解性物質が膜化することによって、処理膜が形成される。剥離液形成物質（アルカリ成分）が処理膜に残っている。その後、処理膜に剥離液形成液を供給し、アルカリ成分が剥離液形成液に溶けだす。アルカリ成分の溶出により処理膜近辺の剥離液形成液のｐＨが上昇して、処理膜を基板Ｗから剥離させる剥離液が形成（調製）されると考えられる。また、高溶解性物質（クラック促進成分）が処理膜に残っている。クラック促進成分は剥離液形成液／剥離液に溶けだし、処理膜にクラック促進成分が溶出した跡（空孔）が生じる。クラック促進成分の溶出によって形成された跡は、処理膜が剥がれるきっかけとなり、ここを起点にクラックが広がる。クラックが広がることで分断された処理膜が、パーティクルを保持したまま基板Ｗから除去される。

（Ｆ）剥離液形成液が処理膜（パーティクル保持層）を除去（剥離）する際、処理膜に残る（Ｂ）剥離液形成物質および又は（Ｄ）高溶解性物質が、膜が剥がれるきっかけになる部分を生むと考えられる。そのため、（Ｂ）剥離液形成物質や（Ｄ）高溶解性物質は（Ｆ）剥離液形成液に対する溶解性が、（Ａ）低溶解性物質よりも高いものであることが好ましい。溶解性は公知の方法で評価することができる。例えば、２０〜３５℃（さらに好ましくは２５±２℃）の条件において、フラスコに前記（Ａ）または（Ｂ）を純水に１００ｐｐｍ添加し、蓋をし、振とう器で３時間振とうすることで、（Ａ）または（Ｂ）が溶解したかで求めることができる。溶解性の評価のために前記純水をアルカリ性の液（たとえば、５．０質量％アンモニア水）に変更してもよい。

処理膜は（Ｆ）剥離液形成液により完全に溶解することなく、パーティクルを保持したまま基板上から除去されることが本発明の好適な態様である。処理膜はたとえば前記「剥がれるきっかけになる部分」により細かく切れた状態になって、除去されると考えられる。
本発明を諸例により説明すると以下の通りである。なお、処理液や剥離液形成液は、これらの例のみに限定されるものではない。

パターン基板の準備
８インチＳｉ基板にＫｒＦレジスト組成物（ＡＺ ＤＸ−６２７０Ｐ、メルクパフォーマンスマテリアルズマテリアルズ株式会社、以下ＭＰＭ株とする）を滴下し、１５００ｒｐｍで前記基板にスピンコートする。基板を１２０℃で９０秒ソフトベークする。ＫｒＦステッパー（ＦＰＡ−３０００ ＥＸ５、Ｃａｎｏｎ）を用い、２０ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、１３０℃で９０秒 ＰＥＢ（露光後ベーク）し、現像液（ＡＺ ＭＩＦ−３００、ＭＰＭ株）で現像する。これにより、ピッチ３６０ｎｍ、デューティー比１：１のライン・スペースのレジストパターンを得る。同レジストパターンをエッチングマスクとして、ドライエッチ装置（ＮＥ−５０００Ｎ、ＵＬＶＡＣ）で基板をエッチングする。その後、ストリッパー（ＡＺ ４００Ｔ、ＭＰＭ株）で基板洗浄を行い、レジストパターンおよびレジスト残渣を剥離する。これにより、ピッチ３６０ｎｍ、デューティー比１：１、ライン高さ１５０ｎｍのパターンを有するパターン基板を作成する。

ベア基板の準備
８インチＳｉ基板を用いる。
評価基板の調製
上記のパターン基板およびベア基板にパーティクルを付着させる。
実験用のパーティクルとして超高純度コロイダルシリカ（ＰＬ−１０Ｈ、扶桑化学工業、平均一次粒径９０ｎｍ）を用いる。シリカ微粒子組成物を５０ｍＬ滴下し、５００ｒｐｍで５秒間回転することで、塗布する。その後、１０００ｒｐｍで３０秒間回転することで、シリカ微粒子組成物の溶媒をスピンドライする。これによって、評価基板を得る。

処理液における各成分の有無の比較試験
５ｇのノボラック（Ｍｗ約５，０００（Ａ）低溶解性物質）を、９５ｇのイソプロパノール（（Ｃ）溶媒）に添加する。これを、１時間、攪拌子で攪拌し、（Ａ）低溶解性物質濃度が５質量％の液を得る。ジエタノールアミン（（Ｂ）剥離液形成物質）および３，６−ジメチル−４−オクチン−３,６−ジオール（東京化成工業、以下ＴＣＩ株とする、（Ｄ）高溶解性物質）を、それぞれ２．５ｇずつ前記液に添加する。これを１時間、攪拌子で攪拌する。この液をＯｐｔｉｍｉｚｅｒ ＵＰＥ（日本インテグリス株式会社）でろ過する。これにより、（Ａ）、（Ｂ）および（Ｄ）が含まれる処理液を得る。
（Ｄ）成分を添加しない以外は同様にして、（Ａ）および（Ｂ）が含まれる処理液を得る。
（Ｂ）成分を添加しない以外は同様にして、（Ａ）および（Ｄ）が含まれる処理液を得る。
（Ａ）成分を添加しない以外は同様にして、（Ｂ）および（Ｄ）が含まれる処理液を得る。

コータ・デベロッパＲＦ^３（株ＳＯＫＵＤＯ）を用い、各評価基板に、各処理液を１０ｃｃ滴下し、１，５００ｒｐｍで６０秒回転することで、塗布および乾燥を行う。基板を１００ｒｐｍで回転させながらＤＩＷを１０秒間滴下し、基板全体をＤＩＷで覆い、この状態を２０秒間維持する。この基板を１，５００ｒｐｍで回転することで、基板を乾燥させる。この回転により、膜が存在する場合は、膜を剥離・除去する。

これら基板のパーティクル残存量を比較する。パターン基板の評価には明視野欠陥検査装置 （ＵＶｉｓｉｏｎ ４、ＡＭＡＴ社）を用い、ベア基板の評価には暗視野欠陥検査装置 （ＬＳ−９１１０、日立ハイテク社)を用いる。
洗浄液１の調製例１
５ｇのノボラック（Ｍｗ約５，０００（Ａ）低溶解性物質）を、９５ｇのイソプロパノール（（Ｃ）溶媒）に添加する。これを、１時間、攪拌子で攪拌し、（Ａ）低溶解性物質濃度が５質量％の液を得る。Ｎ−ベンジルエタノールアミン（ＴＣＩ株、（Ｂ）剥離液形成物質）および２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ＴＣＩ株、（Ｄ）高溶解性物質）を、それぞれ２．５ｇずつ前記液に添加する。これを１時間、攪拌子で攪拌する。この液をＯｐｔｉｍｉｚｅｒ ＵＰＥ（日本インテグリス株式会社）でろ過する。これにより、洗浄液１を得る。表１に記載する。

以下の表１〜表３において、上記のノボラックをＡ１、Ｎ−ベンジルエタノールアミンをＢ１、イソプロパノールをＩＰＡ、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンをＤ１と略称する。また、（Ａ）列における（）内の数字は、（Ｃ）溶媒に（Ａ）低溶解性物質を添加した際の濃度（質量％）を意味する。（Ｂ）列における（）内の数字は、液に（Ｂ）剥離液形成物質を添加した際の、（Ａ）低溶解性物質と比較した濃度（質量％）を意味する。（Ｃ）列における（）内の数字は、液に（Ｃ）高溶解性物質を添加した際の、（Ａ）低溶解性物質と比較した濃度（質量％）を意味する。

上記表１〜表３において以下のように略称する。
フェノールノボラック（Ｍｗ約１０，０００）をＡ２
フェノールノボラック（Ｍｗ約１００，０００）をＡ３、
ポリヒドロキシスチレン（Ｍｗ約１，０００）をＡ４、
ポリヒドロキシスチレン（Ｍｗ約１０，０００）をＡ５、
ポリヒドロキシスチレン（Ｍｗ約１００，０００）をＡ６、
下記化学式８に示す構造からなるポリアクリル酸誘導体（Ｍｗ約１，０００）をＡ７、

上記繰り返し単位からなるポリアクリル酸誘導体（Ｍｗ約１０，０００）をＡ８、
上記繰り返し単位からなるポリアクリル酸誘導体（Ｍｗ約１００，０００）をＡ９、
ポリメタクリル酸メチル（Ｍｗ約５，０００）をＡ１０、
ジエタノールアミンをＢ２、
モノエタノールアミンをＢ３、
２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールをＢ４、
４，４’−ジアミノジフェニルメタンをＢ５、
１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンをＢ６、
ヘキサメチレンテトラミンをＢ７、
２−（ブチルアミノ）エタノールをＢ８、
３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオールをＤ２、
ポリアクリル酸（Ｍｗ約１，０００）をＤ３、
ポリアクリル酸（Ｍｗ約１０，０００）をＤ４、
下記化学式９からなるマレイン酸アクリル酸コポリマー（Ｍｗ約３，０００）をＤ５。

洗浄液１〜２７の調製例１〜２７
（Ａ）低溶解性物質、（Ｂ）剥離液形成物質、（Ｃ）溶媒および（Ｄ）高溶解性物質として、表１〜表３に記載のものを使用し、濃度を表１〜表３に記載のものになるように調製する以外は、調製例１と同様にして、洗浄液２〜２７を調製する。
洗浄液１〜２７のパーティクル残存量の評価
上記の評価基板の調製に記載の通り調製した評価基板を用いる。

コータ・デベロッパＲＦ^３（株ＳＯＫＵＤＯ）を用い、各評価基板に、各処理液を１０ｃｃ滴下し、１，５００ｒｐｍで６０秒回転することで、塗布および乾燥を行う。基板を１００ｒｐｍで回転させながらＤＩＷを１０秒間滴下し、基板全体をＤＩＷで覆い、この状態を２０秒間維持する。この基板を１，５００ｒｐｍで回転することで、基板を乾燥させる。この回転により、膜が存在する場合は、膜を剥離・除去する。

これら基板のパーティクル残存量を比較する。パターン基板の評価には明視野欠陥検査装置（ＵＶｉｓｉｏｎ ４、ＡＭＡＴ社）を用い、ベア基板の評価には暗視野欠陥検査装置（ＬＳ−９１１０、日立ハイテク社)を用いる。
塗布状況、膜の除去状況を確認し、パーティクル残数をカウントし、以下の基準で評価する。評価結果を表１〜表３に記載する。
ＡＡ：≦１０個
Ａ：＞１０個、≦１００個
Ｂ：＞１００個、≦１，０００個
Ｃ：＞１０００個
Ｄ：膜が均一に塗布されない、または膜が除去されない
その他の変形例
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。

たとえば、上述の実施形態における基板処理とは異なり、薬液供給工程（ステップＳ２）、第１リンス工程（ステップＳ３）および第１有機溶剤供給工程（ステップＳ４）が省略されてもよい。
また、上述の実施形態における基板処理では、処理膜形成工程（ステップＳ６およびステップＳ７）において、熱媒による基板Ｗの加熱によって処理液の溶媒が蒸発する。しかしながら、基板Ｗは、熱媒の供給に限られず、たとえば、スピンベース２１や対向部材６に内蔵されたヒータ等（図示せず）によって加熱されてもよい。この場合、当該ヒータが、基板加熱ユニットおよび蒸発ユニット（蒸発促進ユニット）として機能する。

また、上述の実施形態における基板処理では、剥離除去工程（ステップＳ８）の後に第２リンス工程（ステップＳ９）が実行される。しかしながら、第２リンス工程は、省略することも可能である。
詳しくは、剥離除去工程において剥離液形成液として純水が用いられ、剥離液形成液としての純水によって処理膜１００が基板Ｗ外に排出される場合には、剥離液形成液を洗い流す必要がないため、第２リンス工程を省略することができる。また、剥離除去工程において基板Ｗに供給される剥離液形成液と、第２リンス工程の後に実行される第２有機溶剤供給工程（ステップＳ１０）において基板Ｗに供給される有機溶剤（残渣除去液）とが相溶性を有する場合にも、第２リンス工程を実行する必要がない。

また、処理膜１００の形成には、必ずしも基板Ｗの加熱を行う必要はない。すなわち、薄膜化工程（ステップＳ６）において、溶媒が充分に揮発した場合には、その後の加熱工程（ステップＳ７）は、実行しなくてもよい。とくに、処理膜１００の内部に溶媒を残留させてもよい場合には、基板Ｗ加熱させなくても所望の度合まで溶媒を蒸発させやすい。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１Ｐ ：基板処理装置
３ ：コントローラ
９ ：第２移動ノズル（処理液供給ユニット）
１０ ：第３移動ノズル（剥離液形成液供給ユニット、純水供給ユニット）
１１ ：中央ノズル（固体形成ユニット）
１２ ：下面ノズル（固体形成ユニット）
２０ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
２１ ：スピンベース（基板保持ユニット）
２３ ：スピンモータ（固体形成ユニット）
１００ ：処理膜
１０２ ：貫通孔
１０３ ：除去対象物
１１０ ：高溶解性固体（固体状態の高溶解性物質）
１１１ ：低溶解性固体（固体状態の低溶解性物質）
１１２ ：剥離液形成固体（固体状態の剥離液形成物質）
Ｗ ：基板

Claims (18)

1. 溶質および溶媒を有する処理液を基板の表面に向けて供給する処理液供給工程と、
   前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、
   前記基板の表面に剥離液形成液を供給することによって前記剥離液形成液を前記処理膜に接触させて剥離液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記剥離液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、
   前記処理膜の剥離後に前記剥離液形成液の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を洗い流して前記基板の表面から除去する除去工程とを含む、基板処理方法。
2. 前記溶質が、剥離液形成物質を有し、
   前記処理膜形成工程が、固体状態の前記剥離液形成物質を有する前記処理膜を形成する工程を含み、
   前記剥離工程が、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液に前記処理膜中の固体状態の前記剥離液形成物質を溶解させることによって前記剥離液を形成する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記剥離液が、アルカリ性液体である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記剥離液形成液が、純水である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記剥離工程が、前記剥離液形成液が前記基板の表面に供給されることによって、前記処理膜が部分的に溶解されて前記処理膜に貫通孔が形成される貫通孔形成工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有し、
   前記処理膜形成工程が、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜を形成する工程を含み、
   前記貫通孔形成工程が、前記基板上で形成された前記剥離液に前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法。
7. 前記剥離液形成液に対する前記低溶解性物質の溶解性が、前記剥離液形成液に対する前記高溶解性物質の溶解性よりも低く、
   前記貫通孔形成工程が、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液に前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む、請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液形成液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有し、
   前記処理膜形成工程が、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜を形成する工程を含み、
   前記貫通孔形成工程が、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液に前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む、請求項５に記載の基板処理方法。
9. アルカリ成分を含む溶質、および溶媒を有する処理液を基板の表面に向けて供給する処理液供給工程と、
   前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させることによって、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持し、前記アルカリ成分を含有する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、
   前記基板の表面に純水を供給して前記純水を前記処理膜に接触させることによって、前記処理膜から前記アルカリ成分を前記純水に溶け出させてアルカリ性水溶液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記アルカリ性水溶液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、
   前記処理膜の剥離後に前記純水の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を洗い流して前記基板の表面から除去する除去工程とを含む、基板処理方法。
10. 溶質および溶媒を有する処理液を基板の表面に供給する処理液供給ユニットと、
    前記処理液を固化または硬化させる固体形成ユニットと、
    前記基板の表面に剥離液形成液を供給する剥離液形成液供給ユニットと、
    前記処理液供給ユニット、前記固体形成ユニットおよび前記剥離液形成液供給ユニットを制御するコントローラとを含み、
    前記コントローラが、前記処理液供給ユニットから前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記固体形成ユニットに固化または硬化させることによって、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に前記剥離液形成液供給ユニットから前記剥離液形成液を供給することによって前記剥離液形成液を前記処理膜に接触させて剥離液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記剥離液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、前記処理膜の剥離後に、前記剥離液形成液供給ユニットからの前記剥離液形成液の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を前記基板の表面から除去する除去工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置。
11. 前記溶質が、剥離液形成物質を有し、
    前記処理膜形成工程において、固体状態の前記剥離液形成物質を有する前記処理膜が形成され、
    前記剥離工程において、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液が前記処理膜中の固体状態の前記剥離液形成物質を溶解させることによって前記剥離液が形成される、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記剥離液が、アルカリ性液体である、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。
13. 前記剥離液形成液供給ユニットが、前記剥離液形成液として純水を前記基板の表面に供給する、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記剥離工程において、前記剥離液形成液が前記基板の表面に供給されることによって、前記処理膜が部分的に溶解されて前記処理膜に貫通孔が形成される、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有し、
    前記処理膜形成工程において、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜が形成され、
    前記剥離工程において、前記基板上で形成された前記剥離液が前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔が形成される、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記剥離液形成液に対する前記低溶解性物質の溶解性が、前記剥離液形成液に対する前記高溶解性物質の溶解性よりも低く、
    前記処理膜形成工程において、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液が前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって前記処理膜に前記貫通孔が形成される、請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記溶質が、高溶解性物質と、前記高溶解性物質よりも前記剥離液形成液に対する溶解性が低い低溶解性物質とを有し、
    前記処理膜形成工程において、固体状態の前記高溶解性物質および前記低溶解性物質を有する前記処理膜が形成され、
    前記剥離工程において、前記基板の表面に供給された前記剥離液形成液が前記処理膜中の固体状態の前記高溶解性物質を溶解させることによって、前記処理膜に前記貫通孔が形成される、請求項１４に記載の基板処理装置。
18. アルカリ成分を含む溶質、溶質および溶媒を有する処理液を基板の表面に供給する処理液供給ユニットと、
    前記処理液を固化または硬化させる固体形成ユニットと、
    前記基板の表面に純水を供給する純水供給ユニットと、
    前記処理液供給ユニット、前記固体形成ユニットおよび前記純水供給ユニットを制御するコントローラとを含み、
    前記コントローラが、前記処理液供給ユニットから前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記固体形成ユニットに固化または硬化させることによって、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持し、前記アルカリ成分を含有する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に前記純水供給ユニットから前記純水を供給して前記純水を前記処理膜に接触させることによって、前記処理膜から前記アルカリ成分を前記純水に溶け出させてアルカリ性水溶液を形成し、前記除去対象物を保持した状態の前記処理膜を、前記アルカリ性水溶液によって前記基板の表面から剥離する剥離工程と、前記処理膜の剥離後に、前記純水供給ユニットからの前記純水の供給を継続することによって、前記処理膜に前記除去対象物を保持させた状態で、前記処理膜を前記基板の表面から除去する除去工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置。

Images