JP2020081223A - バイオセルロースドライフェイスマスク及びその乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】バイオセルロースドライフェイスマスク及びその乾燥方法を提供する。【解決手段】バイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法は以下のステップを含み、ステップ一は酸性イオン除去ステップで、ステップ二は膜厚制御ステップで、ステップ三はフェイスマスク2成形ステップで、ステップ四は高周波乾燥ステップで、上記方法で製造されるバイオセルロースドライフェイスマスク2は含水率6−10%、引っ張り強度は5.3−5.4MPa、メイラード反応変化率は8%以下で、復水率25−30%等の物理的特徴を備える。【選択図】図13
Description
本発明はバイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥技術に関する。
バイオセルロースフェイスマスクの水分含有量は、80〜90%を超え、含水率は不織布、コットン等をはるかに凌ぐ。
よって、バイオセルロースフェイスマスクの生物的適合性は高く、皮膚との密着度も、他の材質のフェイスマスクに比べて高い。
しかし、バイオセルロースフェイスマスク自体の含水率が高いという特徴は、細菌が繁殖しやすいという問題を派生させている。
この他、バイオセルロースフェイスマスクに、ヒアルロン酸、多糖類溶液等の比較的粘度が高い美容液を組み合わせると、フェイスマスク自体の高含水率により、このタイプの美容液の含有が困難となり、フェイスマスクが含有する美容液を、予期の濃度に制御するのが難しくなってしまう。
よって、バイオセルロースフェイスマスクの生物的適合性は高く、皮膚との密着度も、他の材質のフェイスマスクに比べて高い。
しかし、バイオセルロースフェイスマスク自体の含水率が高いという特徴は、細菌が繁殖しやすいという問題を派生させている。
この他、バイオセルロースフェイスマスクに、ヒアルロン酸、多糖類溶液等の比較的粘度が高い美容液を組み合わせると、フェイスマスク自体の高含水率により、このタイプの美容液の含有が困難となり、フェイスマスクが含有する美容液を、予期の濃度に制御するのが難しくなってしまう。
熱風乾燥は現在、バイオセルロースフェイスマスク処理の加工技術の一つである。
それは、熱した空気を利用し、物体内部まで対流及び熱伝導する。
熱風乾燥の第一段階は、自由水がフェイスマスク表面へと拡散し、蒸発除去される。
第二段階は、フェイスマスク表面が熱エネルギーを吸収して、組織変性を起こし、さらには褐変、又は組織硬化の現象を起こすため、フェイスマスクの品質に深刻な影響を及ぼし、またこれによりバイオセルロースフェイスマスクによる美容液含有はより困難となる。
それは、熱した空気を利用し、物体内部まで対流及び熱伝導する。
熱風乾燥の第一段階は、自由水がフェイスマスク表面へと拡散し、蒸発除去される。
第二段階は、フェイスマスク表面が熱エネルギーを吸収して、組織変性を起こし、さらには褐変、又は組織硬化の現象を起こすため、フェイスマスクの品質に深刻な影響を及ぼし、またこれによりバイオセルロースフェイスマスクによる美容液含有はより困難となる。
前記先行技術には、フェイスマスク表面が熱エネルギーを吸収すると組織変性、又は褐変、又は組織硬化を起こすため、品質に深刻な影響を及ぼし、またこれにより美容液含有が困難となる欠点がある。
本発明はバイオセルロースフェイスマスクの乾燥方法に関する。
本発明によるバイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法は、以下のステップを含む。
ステップ一は、酸性イオン除去ステップで、バイオセルロース一次膜のpH値を6.7−7.2まで低下させる。
ステップ二は、膜厚制御ステップで、該バイオセルロース一次膜の自由水を排除し、膜厚を0.30−0.35cmまで縮減する。
ステップ三は、フェイスマスク成形ステップで、カッティングプレスを通して、該バイオセルロース一次膜をフェイスマスク形状にカッティングプレスする。
ステップ四は、高周波乾燥ステップで、該フェイスマスクを、真空高周波乾燥システム中に入れ、乾燥を行い、乾燥させて、含水率6−10%のドライフェイスマスクとする。真空高周波乾燥システムの操作条件は、温度:30−60℃、仕事率:3−5W、周波数:30−40MHz、RF層板の間隔距離:13−17cmで、乾燥所要時間:38−42秒である。
ステップ一は、酸性イオン除去ステップで、バイオセルロース一次膜のpH値を6.7−7.2まで低下させる。
ステップ二は、膜厚制御ステップで、該バイオセルロース一次膜の自由水を排除し、膜厚を0.30−0.35cmまで縮減する。
ステップ三は、フェイスマスク成形ステップで、カッティングプレスを通して、該バイオセルロース一次膜をフェイスマスク形状にカッティングプレスする。
ステップ四は、高周波乾燥ステップで、該フェイスマスクを、真空高周波乾燥システム中に入れ、乾燥を行い、乾燥させて、含水率6−10%のドライフェイスマスクとする。真空高周波乾燥システムの操作条件は、温度:30−60℃、仕事率:3−5W、周波数:30−40MHz、RF層板の間隔距離:13−17cmで、乾燥所要時間:38−42秒である。
高周波乾燥の最良の操作条件は、温度は40℃、仕事率は5W、周波数は40MHz、RF層板の間隔距離は15cmで、乾燥所要時間は40秒である。
上記方法により製造されるバイオセルロースドライフェイスマスクの含水率は、6−10%で、引っ張り強度は、約5.3−5.4MPaで、メイラード反応変化率は8%以下で、及び復水率は25−30%に達する。
本発明の方法により乾燥させられるドライフェイスマスクは、含水率が低く、微生物の繁殖を抑制でき、フェイスマスクメイラード反応変化率は低く、褐斑が生じず、引っ張り強度が高く、復水率が高く、美容液に対して良好なポータビリティを有する。
上記で設定した高周波乾燥の最良条件と60℃熱風乾燥とを比較した結果から分かるように、同様の温度及び処理時間で、高周波乾燥の乾燥速度は、熱風乾燥より優れており、フェイスマスクの水分含有量をより速く8%まで低下させられ、セルロース構造の完全性を維持することができる。
上記で設定した高周波乾燥の最良条件と60℃熱風乾燥とを比較した結果から分かるように、同様の温度及び処理時間で、高周波乾燥の乾燥速度は、熱風乾燥より優れており、フェイスマスクの水分含有量をより速く8%まで低下させられ、セルロース構造の完全性を維持することができる。
(一実施形態)
本発明バイオセルロースフェイスマスクの乾燥方法は、以下のステップを含む。
ステップ一は、酸性イオン除去ステップで、イオン除去水により、バイオセルロース一次膜に対してもみ洗いを行い、バイオセルロース一次膜のpH値を6.7−7.2まで低下させる。
バイオセルロース一次膜は生産過程で、酢酸菌発酵プロセスを経るため、高濃度酸性イオンを帯びており、高濃度酸性イオンは誘電体加熱エネルギー量を損耗し、これにより後続の高周波乾燥ステップの操作時間が延びてしまう。
よって、もみ洗いにより、酸性イオンを、バイオセルロース一次膜から除去する必要がある。
酸性イオンの除去ができたかどうかは、バイオセルロース一次膜のpH値から分かり、pH値が中性寄りなら、酸性イオンはすでに大量に除去されている。
本発明バイオセルロースフェイスマスクの乾燥方法は、以下のステップを含む。
ステップ一は、酸性イオン除去ステップで、イオン除去水により、バイオセルロース一次膜に対してもみ洗いを行い、バイオセルロース一次膜のpH値を6.7−7.2まで低下させる。
バイオセルロース一次膜は生産過程で、酢酸菌発酵プロセスを経るため、高濃度酸性イオンを帯びており、高濃度酸性イオンは誘電体加熱エネルギー量を損耗し、これにより後続の高周波乾燥ステップの操作時間が延びてしまう。
よって、もみ洗いにより、酸性イオンを、バイオセルロース一次膜から除去する必要がある。
酸性イオンの除去ができたかどうかは、バイオセルロース一次膜のpH値から分かり、pH値が中性寄りなら、酸性イオンはすでに大量に除去されている。
ステップ二は、膜厚制御ステップである。
圧搾機により、バイオセルロース一次膜に対して圧迫を行い、バイオセルロース一次膜が含む自由水を排除し、膜厚を0.30−0.35cmまで圧縮する。
圧搾機により、バイオセルロース一次膜に対して圧迫を行い、バイオセルロース一次膜が含む自由水を排除し、膜厚を0.30−0.35cmまで圧縮する。
ステップ三は、フェイスマスク成形ステップである。
カッティングプレス技術を通して、既存のフェイスマスク形状に基づき、バイオセルロース一次膜を、バイオセルロースフェイスマスクにカッティングプレスする。
カッティングプレス技術を通して、既存のフェイスマスク形状に基づき、バイオセルロース一次膜を、バイオセルロースフェイスマスクにカッティングプレスする。
ステップ四は、高周波乾燥ステップである。
バイオセルロースフェイスマスクを、真空高周波乾燥システム中に入れて乾燥を行い、含水率が6−10%(最も好ましくは8%)のドライフェイスマスクとする。
真空高周波乾燥システムの操作条件は、温度:30−60℃(最も好ましくは40℃)、仕事率:3−5W(最も好ましくは5W)、周波数:30−40MHz(最も好ましくは40MHz)、RF層板の間隔距離:13−17cm(最も好ましくは15cm)、乾燥所要時間:38−42秒(最も好ましくは40秒)である。
バイオセルロースフェイスマスクを、真空高周波乾燥システム中に入れて乾燥を行い、含水率が6−10%(最も好ましくは8%)のドライフェイスマスクとする。
真空高周波乾燥システムの操作条件は、温度:30−60℃(最も好ましくは40℃)、仕事率:3−5W(最も好ましくは5W)、周波数:30−40MHz(最も好ましくは40MHz)、RF層板の間隔距離:13−17cm(最も好ましくは15cm)、乾燥所要時間:38−42秒(最も好ましくは40秒)である。
ドライフェイスマスクの含水率を、6−10%(最も好ましくは8%)に維持する重要性及び必要性について、図1〜4の実験数値データにより説明する。
図1に示す通り、3個のドライフェイスマスクサンプルに対してそれぞれ引っ張り強度試験を行った。
3個のドライフェイスマスクの含水率は、それぞれ6%、8%、10%である。
含水率6%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、約4.5−4.6MPaで、含水率8%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、約5.3−5.4MPaで、含水率10%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、約4.8−5MPaである。
この実験数値データは、含水率8%のドライフェイスマスクの引っ張り強度が最も好ましいことを示している。
3個のドライフェイスマスクの含水率は、それぞれ6%、8%、10%である。
含水率6%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、約4.5−4.6MPaで、含水率8%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、約5.3−5.4MPaで、含水率10%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、約4.8−5MPaである。
この実験数値データは、含水率8%のドライフェイスマスクの引っ張り強度が最も好ましいことを示している。
図2に示す通り、本発明のドライフェイスマスクと熱風乾燥を経たドライフェイスマスクに対する引っ張り強度の比較を行った。
熱風乾燥のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、4MPaで、本発明含水率8%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、5.3−5.4MPaで、熱風乾燥のドライフェイスマスクより高い。
これだけでなく、本発明による上記3種の含水率のドライフェイスマスクの引っ張り強度はすべて、熱風乾燥のドライフェイスマスクより高い。
引っ張り強度が高いドライフェイスマスクは、折り曲げ、美容液に浸し、袋詰め等の機械圧力に耐えられ破れにくく、しかも展開使用時にも破れにくく、使用者の顔で皮膚により密着する。
熱風乾燥のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、4MPaで、本発明含水率8%のドライフェイスマスクの引っ張り強度は、5.3−5.4MPaで、熱風乾燥のドライフェイスマスクより高い。
これだけでなく、本発明による上記3種の含水率のドライフェイスマスクの引っ張り強度はすべて、熱風乾燥のドライフェイスマスクより高い。
引っ張り強度が高いドライフェイスマスクは、折り曲げ、美容液に浸し、袋詰め等の機械圧力に耐えられ破れにくく、しかも展開使用時にも破れにくく、使用者の顔で皮膚により密着する。
図3に示す通り、本発明による含水率6%−10%のドライフェイスマスクは、復水率の評価においても、従来の熱風乾燥のドライフェイスマスクより優れている。
復水率(%)=[(復水後湿重−乾燥後乾重)/(原サンプル湿重−乾燥後乾重)]×100%
復水率が高いのは、ドライフェイスマスクの美容液を含む能力がより高いことを示している。
本発明による含水率6%−10%のドライフェイスマスクの復水率は、26%−27%で、熱風乾燥のドライフェイスマスクの復水率は、16%−19%である。
復水率(%)=[(復水後湿重−乾燥後乾重)/(原サンプル湿重−乾燥後乾重)]×100%
復水率が高いのは、ドライフェイスマスクの美容液を含む能力がより高いことを示している。
本発明による含水率6%−10%のドライフェイスマスクの復水率は、26%−27%で、熱風乾燥のドライフェイスマスクの復水率は、16%−19%である。
図4に示す通り、物体の含水率が13%を超えると、カビが生えやすくなるが、フェイスマスク製品は、高水分物体で、しかもヒトの皮膚と接触する。
よって、フェイスマスク上の微生物を抑え、安全係数に制御しなければならない。
ヒトの皮膚に予測不可能な問題を引き起こす必要があるため、フェイスマスクへの菌抑制剤添加はよい方法ではない。
よって、本発明は、含水率を低下させることで、ドライフェイスマスクの制菌性を向上させる。
しかし、ドライフェイスマスク含水率を低下させると同時に、美容液吸着の能力をも考慮しなければならない。
ドライフェイスマスクの含水率は2%まで低下させられるが、フェイスマスクの美容液(ヒアルロン酸)含有量は、含水率6%−10%のフェイスマスクより明確に高くない。
フェイスマスクの含水率を2%まで低下させるには、高周波乾燥時間を大幅に延長する必要がある。
しかも、ドライフェイスマスクの褐変、シワ、又は抗引っ張り強度低下等の問題が起きる恐れがある。
よって、含水率6%−10%は、本発明ドライフェイスマスクの好ましい含水量範囲で、最も好ましくは8%である。
よって、フェイスマスク上の微生物を抑え、安全係数に制御しなければならない。
ヒトの皮膚に予測不可能な問題を引き起こす必要があるため、フェイスマスクへの菌抑制剤添加はよい方法ではない。
よって、本発明は、含水率を低下させることで、ドライフェイスマスクの制菌性を向上させる。
しかし、ドライフェイスマスク含水率を低下させると同時に、美容液吸着の能力をも考慮しなければならない。
ドライフェイスマスクの含水率は2%まで低下させられるが、フェイスマスクの美容液(ヒアルロン酸)含有量は、含水率6%−10%のフェイスマスクより明確に高くない。
フェイスマスクの含水率を2%まで低下させるには、高周波乾燥時間を大幅に延長する必要がある。
しかも、ドライフェイスマスクの褐変、シワ、又は抗引っ張り強度低下等の問題が起きる恐れがある。
よって、含水率6%−10%は、本発明ドライフェイスマスクの好ましい含水量範囲で、最も好ましくは8%である。
本発明によるステップ二の膜厚制御ステップの重要性及び必要性について、図5〜図6の実験数値データを用いて説明する。
膜厚制御ステップは、実際には、2つの部分に分けられる。
一つは圧搾機による一次膜の自由水排除で、もう一つは自由水を圧搾して排除すると同時に、一次膜の厚さを0.30−0.35cmまで圧縮する。
膜厚制御ステップは、実際には、2つの部分に分けられる。
一つは圧搾機による一次膜の自由水排除で、もう一つは自由水を圧搾して排除すると同時に、一次膜の厚さを0.30−0.35cmまで圧縮する。
図5に示す通り、圧搾及び未圧搾の一次膜を、温度40℃、仕事率5W、周波数40MHz、RF層板の間隔距離15cm、乾燥所要時間40秒で、高周波乾燥を行い、ドライフェイスマスクの含水率8%を達成する。
圧搾ステップを経た一次膜のRF乾燥所要時間は、40−41秒で、圧搾ステップを経ていない一次膜の高周波乾燥所要時間は、65−68秒である。
圧搾した一次膜は、高周波乾燥時間を大幅に短縮できることを示している。
圧搾ステップを経た一次膜のRF乾燥所要時間は、40−41秒で、圧搾ステップを経ていない一次膜の高周波乾燥所要時間は、65−68秒である。
圧搾した一次膜は、高周波乾燥時間を大幅に短縮できることを示している。
図6は、高周波乾燥に対する一次膜厚さの影響を示す。
それぞれ3個の一次膜サンプルに対して、温度40℃、仕事率5W、周波数40MHz、RF層板の間隔距離15cm、乾燥所要時間40秒で高周波乾燥を行い、ドライフェイスマスク含水率8%を目標とする。
3個の一次膜の厚さはそれぞれ、0.3cm、0.35cm、0.4cmで、高周波乾燥所要時間はそれぞれ、39−41秒、37−38秒、45−47秒である。
実験数値データが示す通り、膜厚を0.30−0.35cmに制御すれば、高周波乾燥所要時間を具体的に短縮できる。
それぞれ3個の一次膜サンプルに対して、温度40℃、仕事率5W、周波数40MHz、RF層板の間隔距離15cm、乾燥所要時間40秒で高周波乾燥を行い、ドライフェイスマスク含水率8%を目標とする。
3個の一次膜の厚さはそれぞれ、0.3cm、0.35cm、0.4cmで、高周波乾燥所要時間はそれぞれ、39−41秒、37−38秒、45−47秒である。
実験数値データが示す通り、膜厚を0.30−0.35cmに制御すれば、高周波乾燥所要時間を具体的に短縮できる。
本発明ステップ四における、バイオセルロースフェイスマスクの色に対する高周波乾燥の操作条件の影響を、ドライフェイスマスク含水率8%を目標として、図7〜図11の実験数値データを用いて説明する。
図7は、仕事率5W、周波数40MHz、RF層板の間隔距離15cm、乾燥時間40秒、温度30℃、60℃、90℃の仕事率の、ドライフェイスマスクメイラード反応に対する影響を示す。
図8は、温度40℃、周波数40MHz、RF層板の間隔距離15cm、乾燥時間40秒、仕事率3W、5W、7W、10Wの、メイラード反応に対する影響を示す。
図9は、温度40℃、仕事率5W、RF層板の間隔距離15cm、乾燥時間40秒、RF周波数30MHz、40MHz、50MHzの、メイラード反応に対する影響を示す。
上記の実験数値データは、温度が90℃まで上がり、仕事率が10Wまで上がり、周波数が50MHzまで上がれば、ドライフェイスマスクには明確なメイラード反応が起きることを示している。
以上より、真空高周波乾燥システムの好ましい操作条件は、温度:30−60℃(最も好ましくは40℃)、仕事率:3−5W(最も好ましくは5W)、周波数:30−40MHz(最も好ましくは40MHz)、時間:38−42秒(最も好ましくは40秒)で、メイラード反応変化率を8%以下まで低下させられ、ドライフェイスマスクに褐斑は見られない。
図8は、温度40℃、周波数40MHz、RF層板の間隔距離15cm、乾燥時間40秒、仕事率3W、5W、7W、10Wの、メイラード反応に対する影響を示す。
図9は、温度40℃、仕事率5W、RF層板の間隔距離15cm、乾燥時間40秒、RF周波数30MHz、40MHz、50MHzの、メイラード反応に対する影響を示す。
上記の実験数値データは、温度が90℃まで上がり、仕事率が10Wまで上がり、周波数が50MHzまで上がれば、ドライフェイスマスクには明確なメイラード反応が起きることを示している。
以上より、真空高周波乾燥システムの好ましい操作条件は、温度:30−60℃(最も好ましくは40℃)、仕事率:3−5W(最も好ましくは5W)、周波数:30−40MHz(最も好ましくは40MHz)、時間:38−42秒(最も好ましくは40秒)で、メイラード反応変化率を8%以下まで低下させられ、ドライフェイスマスクに褐斑は見られない。
図10は、高周波乾燥時間へのRF周波数の影響を示す。
以温度40℃、仕事率5W、RF層板の間隔距離15cm、及びドライフェイスマスクが含水率8%を達成することを目標とすると、RF周波数30MHz乾燥時間は約52−53秒で、RF周波数40MHz乾燥時間は約41−42秒、RF周波数50MHz乾燥時間は約47−49秒である。
これにより、RF周波数40MHzが、最短乾燥時間であることが分かる。
以温度40℃、仕事率5W、RF層板の間隔距離15cm、及びドライフェイスマスクが含水率8%を達成することを目標とすると、RF周波数30MHz乾燥時間は約52−53秒で、RF周波数40MHz乾燥時間は約41−42秒、RF周波数50MHz乾燥時間は約47−49秒である。
これにより、RF周波数40MHzが、最短乾燥時間であることが分かる。
図11は、高周波乾燥バイオセルロースフェイスマスクにRFシステム層板の間隔距離の影響を示す。
温度40℃、仕事率5W、周波数40MHz、ドライフェイスマスクが含水率8%を達成することを目標とすると、層板の間隔距離10cmの所要乾燥時間は42−44秒で、層板の間隔距離15cmの所要乾燥時間は39−40秒で、層板の間隔距離20cmの所要乾燥時間は47−48秒である。
これにより、層板の間隔距離15cmが、最短乾燥時間であることが分かる。
RFシステム5層板の間隔距離は、図12に示す。
層板1は、RFの電源電極板で、電源電極板上にフェイスマスク2を置き、上層板3と下層板1の間隔距離Dは、層板の間隔距離である。
温度40℃、仕事率5W、周波数40MHz、ドライフェイスマスクが含水率8%を達成することを目標とすると、層板の間隔距離10cmの所要乾燥時間は42−44秒で、層板の間隔距離15cmの所要乾燥時間は39−40秒で、層板の間隔距離20cmの所要乾燥時間は47−48秒である。
これにより、層板の間隔距離15cmが、最短乾燥時間であることが分かる。
RFシステム5層板の間隔距離は、図12に示す。
層板1は、RFの電源電極板で、電源電極板上にフェイスマスク2を置き、上層板3と下層板1の間隔距離Dは、層板の間隔距離である。
図13では、上記で設定した高周波乾燥の最良条件と60℃熱風乾燥とを比較した。
結果から分かるように、同様の温度及び処理時間で、高周波乾燥の乾燥速度は、熱風乾燥より優れており、フェイスマスクの水分含有量をより速く8%まで低下させられ、セルロース構造の完全性を維持することができる。
結果から分かるように、同様の温度及び処理時間で、高周波乾燥の乾燥速度は、熱風乾燥より優れており、フェイスマスクの水分含有量をより速く8%まで低下させられ、セルロース構造の完全性を維持することができる。
前述した本発明の実施形態は本発明を限定するものではなく、よって、本発明により保護される範囲は後述する特許請求の範囲を基準とする。
1 下層板
2 フェイスマスク
3 上層板
5 RFシステム
D 間隔距離
2 フェイスマスク
3 上層板
5 RFシステム
D 間隔距離
Claims (6)
- バイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法であって、以下のステップを含み、
ステップ一は、酸性イオン除去ステップで、バイオセルロース一次膜のpH値を6.7−7.2まで低下させ、
ステップ二は、膜厚制御ステップで、前記バイオセルロース一次膜の自由水を排除し、膜厚を0.30−0.35cmまで縮減し、
ステップ三は、フェイスマスク成形ステップで、カッティングプレスを通して、前記バイオセルロース一次膜をフェイスマスク形状にカッティングプレスし、
ステップ四は、高周波乾燥ステップで、前記フェイスマスクを、真空高周波乾燥システム中に入れ、乾燥を行い、乾燥させて、含水率6−10%のドライフェイスマスクとし、真空高周波乾燥システムの操作条件は、温度:30−60℃、仕事率:3−5W、周波数:30−40MHz、RF層板の間隔距離:13−17cm、乾燥所要時間:38−42秒である、ことを特徴とする、
バイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法。 - 前記ステップ一はイオン除去水により、前記バイオセルロース一次膜に対してもみ洗いを行うことを特徴とする、請求項1に記載のバイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法。
- 前記ステップ二は圧搾機により、前記バイオセルロース一次膜に対して圧迫を行うことを特徴とする、請求項1に記載のバイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法。
- 前記ドライフェイスマスクの含水率は、8%であることを特徴とする、請求項1に記載のバイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法。
- 前記ステップ四において、温度は40℃、仕事率は5W、周波数は40MHz、RF層板の間隔距離は15cm、乾燥所要時間は40秒であることを特徴とする、請求項1又は4に記載のバイオセルロースドライフェイスマスクの乾燥方法。
- 請求項1に記載の方法を用いて製造されるバイオセルロースドライフェイスマスクであって、
含水率は6−10%、引っ張り強度は約5.3−5.4MPa、メイラード反応変化率は8%より低く、復水率は25−30%であることを特徴とする、
バイオセルロースドライフェイスマスク。
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