JP2020077808A - 半導体部品の放熱構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒートスプレッダを設けたものにあって、半導体部品のパッケージとヒートスプレッダとの間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とする。【解決手段】配線基板(9)上に実装された半導体部品(1)のパッケージ(6)の外面側にヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)を配置し、ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)に放熱材料(13)を介してヒートシンク(14、21、91)を熱的に接合して構成されると共に、ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)のうち、パッケージ(6)に対応した部分には、穴(15、42、52、72、82)が設けられ、ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)の穴(15、42、52、72、82)の周囲部と、パッケージ(6)との間が、金属系接合材(16)で接合されている。【選択図】図1
Description
本発明は、配線基板上に実装された半導体部品のパッケージからの放熱を行う半導体部品の放熱構造に関する。
例えばSoC(System on a Chip)等の半導体部品にあっては、高性能化に伴い、消費電力の増加ひいては発熱量の増加が見込まれ、高い放熱性を有する放熱構造を設けることが望まれる。この種の半導体部品の放熱構造として、従来では、一般に、パッケージ上に、ヒートシンクを接合し、ヒートシンクに対しファンにより冷却風を供給して冷却することが行われている(例えば特許文献1参照)。このとき、パッケージの熱をヒートシンクに伝達するために、それらの間には、熱伝導シートや、TIM(Thermal Interface Material)と称されるゲル状の放熱材料が介在される。
ところで、上記のような放熱構造にあって、放熱性能をより高めるための方策として、ファンの高性能化、ヒートシンクの放熱性向上、TIMの高熱伝導化等が考えらえる。しかし、ファンの高性能化を図ろうとすると、ファンの大型化、消費電力増加、騒音増加等を招いてしまう。また、ヒートシンクの表面積やフィン数は設計要件で最適化されており、限界がある。高い熱伝導性を有するTIMは、高価となり、ヒートシンクとの界面熱抵抗が大きくなる問題がある。
TIM部分のギャップを小さくするために、ヒートシンクをSoCに押付ける方法があるが、それでは、SoCのはんだバンプに応力がかかり、クラックや破断が発生する懸念がある。また、パッケージの大きさは決まっているため、TIMの面積を広げることには限界がある。SoCのパッケージからヒートシンクまでの熱抵抗を下げ、SoCからの熱をヒートシンクにいかに伝えるかが課題となるが、この熱抵抗は、材料の熱伝導率と厚み(ギャップ)に比例し、面積に反比例する。従って、熱抵抗を下げるには、TIM部分のギャップを小さくするか、TIMの面積を広げることが有効となる。
そこで、SoCのパッケージよりも大きな面積の金属製のヒートスプレッダを取付け、ヒートスプレッダとヒートシンクとをTIMで熱的に接合することにより、放熱面積を広げることが考えられる。但しこの場合、SoCのパッケージとヒートスプレッダとの間を、ゲル状の放熱材料で接合すると、熱抵抗が大きくなる虞があるため、半田などの金属系接合材で接合する必要がある。そのため、温度サイクルによるパッケージの反りの影響により、SoCとヒートスプレッダとの間のギャップが大きくなり、金属系接合材に作用する応力によってクラックが発生し、熱抵抗が大きくなる虞がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、ヒートスプレッダを設けたものにあって、半導体部品のパッケージとヒートスプレッダとの間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とする半導体部品の放熱構造を提供するにある。
上記目的を達成するために、本発明の半導体部品の放熱構造は、配線基板(9)上に実装された半導体部品(1)のパッケージ(6)の外面側にヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)を配置し、前記ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)に放熱材料(13)を介してヒートシンク(14、21、91)を熱的に接合して構成されると共に、前記ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)のうち、前記パッケージ(6)に対応した部分には、穴(15、42、52、72、82)が設けられ、前記ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)の前記穴(15、42、52、72、82)の周囲部と、前記パッケージ(6)との間が、金属系接合材(16)で接合されている。
上記構成においては、ヒートスプレッダとパッケージとの間は金属系接合材で接合されているので、これらの間は、熱抵抗が小さい形態で接合される。そして、ヒートスプレッダの穴内には、金属系接合材がなく、ヒートスプレッダとヒートシンクとの間に配置される放熱材料が配置されるようになる。そのため、パッケージに温度サイクルに伴う反り変形があっても、放熱材料によってその際に作用する応力を吸収でき、金属系接合材部分に作用する応力を緩和させることができる。
この結果、ヒートスプレッダを設けたものにあって、半導体部品のパッケージとヒートスプレッダとの間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とするという優れた効果を得ることができる。尚、ヒートスプレッダの穴の位置としては、パッケージの反りによって、該パッケージからの距離が最も変動する部分、例えば、パッケージの中央部に対応した位置とすることが望ましい。また、穴は複数設けることも可能であるが、パッケージの中央部に対応した位置に比較的大きな一つの穴を設ければ足りる。
以下、SoC(System on a Chip)と称される半導体部品に適用したいくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、以下に述べる各実施形態においては、複数の実施形態間で共通する部分については、同一符号を付し、説明を繰返すことを省略することとする。また、半導体部品の放熱構造を示す断面図(図1、図3等)においては、便宜上、半導体部品の内部構成や、ヒートシンク、マザーボード等に対するハッチングを省略している。
(1)第1の実施形態
第1の実施形態について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を概略的に示している。この半導体部品1は、例えばSoCと称されるもので、BGA(Ball Grid Array)型の部品とされている。
第1の実施形態について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を概略的に示している。この半導体部品1は、例えばSoCと称されるもので、BGA(Ball Grid Array)型の部品とされている。
半導体部品1は、次のように構成されている。即ち、多層配線基板からなるインタポーザ基板2の上面側に、半導体素子3が多数個のバンプ4により電気的接続(実装)されている。バンプ4の周囲にはアンダーフィル剤5が充填されている。インタポーザ基板2の上面側には、底面が開口した薄型矩形箱状(蓋状)をなすパッケージ6が設けられ、半導体素子3を覆っている。パッケージ6は、例えば銅等の金属製とされている。半導体素子3の上面とパッケージ6の天井面との間には、素子上TIM7が設けられている。前記インタポーザ基板2の下面には、多数個のはんだボール8が整列状態に設けられている。
さて、上記構成の半導体部品1は、多層配線基板からなるマザーボード9上に、PM(パワーマネージメント)ICやDRAMなどの他の部品10、11と共に実装される。そして、本実施形態では、前記半導体部品1からの放熱、ひいては半導体素子3の冷却を行うための放熱構造が以下のように設けられる。即ち、半導体部品1のパッケージ6の外面(上面)側には、マザーボード9全体を覆うようにヒートスプレッダ12が配置され、そのヒートスプレッダ12の上面にTIMと称される放熱材料13を介して、ヒートシンク14が熱的に接合されている。この場合のヒートスプレッダ12とヒートシンク14との間の隙間はごく小さい(薄い)ものとなる。
前記ヒートシンク14は、アルミ、銅等の金属から構成され、前記ヒートスプレッダ12よりもやや大型の矩形板状部の上面に、多数本のフィン14aを有して構成されている。このとき、フィン14a部分には、図示しない冷却用のファンからの冷却風が供給されるようになっている。また、前記放熱材料13は、例えば放熱用シリコーン等の熱伝導性の高いゲル状(ペースト状)のものが採用される。放熱材料13は、ヒートスプレッダ12の上面とヒートシンク14の下面との間の隙間に薄い層をなすように充填され、前記ヒートスプレッダ12の熱をヒートシンク14に伝達する。
前記ヒートスプレッダ12は、例えば銅等の金属からなり、全体として、四角形の上壁部とその4辺から立ち下がる脚部とを有した、下面が開口した矩形箱状(蓋状)をなしている。このヒートスプレッダ12は、例えば、脚部の下面部において、前記マザーボード9の上面に接着される。このとき、図2にも示すように、ヒートスプレッダ12のうち、前記半導体部品1のパッケージ6に対応した部分、つまりパッケージ6の中央部の真上部分には、この場合四角形(ほぼ正方形)の穴15が形成されている。
そして、図1に示すように、前記ヒートスプレッダ12の前記穴15の周囲部下面と、前記半導体部品1のパッケージ6の上面との間が、例えば半田や金属ペースト材等の金属系接合材16で接合されている。これにより、前記放熱材料13は、前記穴15内にも充填され、パッケージ6の上面に密着する。尚、ヒートスプレッダ12は、詳細には、図2に示すように、前後左右の4部品12a、12b、12c、12dを突合せて接合して構成される。この接合状態で、4部品12a、12b、12c、12d間に、四角形の穴15が形成される。また、ヒートスプレッダ12は、突合せ部に、穴15の4つの角部から外周端部にまで延びる4本のスリットを有した形態となる。
次に、上記構成の半導体部品1の放熱構造における、作用・効果について述べる。上記構成においては、半導体部品1(半導体素子3)からの発熱は、パッケージ6から、金属系接合材16を介してヒートスプレッダ12に伝達され、更に放熱材料13を介してヒートシンク14に伝達される。また、穴15部分では、パッケージ6から、放熱材料13を介して直接的にヒートシンク14に伝達される。そして、ヒートシンク14に対する冷却風の供給によって熱交換がなされ、半導体部品1の冷却が図られる。
このとき、半導体部品1のパッケージ6とヒートシンク14との間に、面積の大きいヒートスプレッダ12を介在させるようにしたので、放熱面積を広げて熱抵抗を小さくすることができる。ヒートスプレッダ12と半導体部品1のパッケージ6との間は金属系接合材16で接合されているので、それらの間は、熱抵抗が小さい形態で接合される。そして、ヒートスプレッダ12の穴15内には、金属系接合材16が存在せず、ゲル状の放熱材料13が配置される。そのため、パッケージ6に温度サイクルに伴う反り変形、この場合例えば中央部が下に凹となる反り変形があっても、ゲル状の放熱材料13によってその際に作用する応力が吸収され、穴15が存在しない場合と比較して、金属系接合材16部分に作用する応力を緩和することができる。
しかも、ヒートスプレッダ12は、4部品12a、12b、12c、12dから構成され、言い換えると、スリットによって4分割された形態で設けられている。これによっても、ヒートスプレッダ12とパッケージ6とを接合する金属系接合材16部分に作用する応力を緩和することができる。さらに、ヒートスプレッダ12は、パッケージ6の反りによって該パッケージ6からの距離が最も変動する部分である、パッケージ6の中央部に対応した位置に、穴15を有しているので、応力が最も大きくなる部分に対して応力緩和を図ることができる。
このように、本実施形態の半導体部品1の放熱構造によれば、ヒートスプレッダ12のうち、半導体部品1のパッケージ6に対応した部分に、穴15を設け、ヒートスプレッダ12の穴15の周囲部とパッケージ6との間を、金属系接合材16で接合するように構成した。この結果、ヒートスプレッダ12を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ12との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができるという優れた効果を奏するものである。
(2)第2、第3の実施形態
次に、図3、図4を夫々参照して、第2、第3の実施形態について順に述べる。
図3は、第2の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものである。この第2の実施形態が、上記第1の実施形態と異なる点は、ヒートシンク21の形状にある。
次に、図3、図4を夫々参照して、第2、第3の実施形態について順に述べる。
図3は、第2の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものである。この第2の実施形態が、上記第1の実施形態と異なる点は、ヒートシンク21の形状にある。
即ち、このヒートシンク21の裏面(図で下面)側の中央部には、ヒートスプレッダ12の穴15内に嵌合する突起部22が一体に設けられている。前記突起部22の先端面は、穴15の大きさよりもやや小さい断面を有する角柱状をなし、ヒートスプレッダ12の上壁部下面と同等の高さ位置に位置している。またこのとき、ヒートスプレッダ12の上面とヒートシンク21の下面との間に充填されるゲル状の放熱材料13は、突起部22と穴15との間、及び、突起部22の先端面と半導体部品1のパッケージ6との間にも、薄い層となって配置される。
この構成によれば、ヒートスプレッダ12に穴15を設け、穴15の周囲部でパッケージ6と金属系接合材16で接合するように構成したので、やはり、金属系接合材16部分に作用する応力を緩和することができる。従って、この第2の実施形態によっても、ヒートスプレッダ12を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ12との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができる。そして、ヒートスプレッダ12の穴15内の少なくとも一部が、ヒートシンク21の突起部22によって埋められた形態となるので、この穴15部分におけるゲル状の放熱材料13の使用量(厚み)を小さくすることができる。この結果、穴15部分の放熱材料13による熱抵抗を、より小さくすることができる。
図4は、第3の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものであり、上記第1の実施形態と異なる点は、ヒートスプレッダ31の形状にある。この第3の実施形態においては、ヒートスプレッダ31の外面つまり上壁部の上面の外周寄り部(四辺部)には、ヒートシンク14側に凸となる膨出部32が各辺部に沿って延びるように一体に設けられている。この場合、膨出部32のヒートスプレッダ31の上面からの突出高さ寸法は、ヒートシンク14の底面に接触しない程度とされている。
上記構成においては、ヒートスプレッダ31の上面に膨出部32が設けられている分だけ、その部分のゲル状の放熱材料13の厚みを小さくすることができ、その分だけ熱抵抗を小さくすることができる。このとき、膨出部32がヒートシンク14に接触してヒートスプレッダ31が応力を受けることがあっても、膨出部32はヒートスプレッダ31の外周部に位置しているので、その応力が金属系接合材16部分に作用することを抑えることができる。
従って、この第3の実施形態によっても、上記第1、第2の実施形態と同様に、ヒートスプレッダ12を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ12との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができるという優れた効果を奏する。尚、上記第2の実施形態のように、ヒートシンク21に、ヒートスプレッダ31の穴15内に嵌合する突起部22を設ける構成としても良いことは勿論である。また、この第3の実施形態では、ヒートスプレッダ31の上面に膨出部32を設けるようにしたが、逆に、ヒートシンク14側に下方に凸となる膨出部を設ける構成としても、同様の作用・効果を得ることができる。
(3)第4〜第9の実施形態、その他の実施形態
図5は、第4の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なるところは、ヒートスプレッダ41の構成にある。即ち、このヒートスプレッダ41は、半導体部品1のパッケージ6の中央部の真上部分に位置して、穴42が形成されているのであるが、穴42の外縁を構成する四辺部が、凹凸状(矩形波状)に形成され、凹凸部42aとされている。この場合、凹部の底(端部)部分の位置が、半導体部品1のパッケージ6の外周縁にほぼ沿う位置とされている。従って、穴42の面積は、第1の実施形態の穴15よりも大きくなっている。尚、ヒートスプレッダ41は、やはり4部品41a、41b、41c、41dから構成され、それらがスリットを介して結合された形態とされている。
図5は、第4の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なるところは、ヒートスプレッダ41の構成にある。即ち、このヒートスプレッダ41は、半導体部品1のパッケージ6の中央部の真上部分に位置して、穴42が形成されているのであるが、穴42の外縁を構成する四辺部が、凹凸状(矩形波状)に形成され、凹凸部42aとされている。この場合、凹部の底(端部)部分の位置が、半導体部品1のパッケージ6の外周縁にほぼ沿う位置とされている。従って、穴42の面積は、第1の実施形態の穴15よりも大きくなっている。尚、ヒートスプレッダ41は、やはり4部品41a、41b、41c、41dから構成され、それらがスリットを介して結合された形態とされている。
この構成においては、半導体部品1のパッケージ6の上面と、ヒートスプレッダ41のうち穴42の周囲部とが、金属系接合材16によって接合されるのであるが、穴42の外縁部が凹凸部42aとされていることにより、接合面積が小さくなる。そのため、金属系接合材16に作用する応力をより小さくすることができる。従って、この第4の本実施形態によれば、記第1〜第3の実施形態と同様に、ヒートスプレッダ41を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ41との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができる。
図6は、第5の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものである。この第5の実施形態が上記第1の実施形態と異なるところは、金属製のヒートスプレッダ12に代えて、ヒートスプレッダ51を、炭素材料例えばグラファイトから構成したところにある。この場合、ヒートスプレッダ51は、箱状でなく四角形の薄板状に構成され、表面全体に例えばニッケル等の金属皮膜51aがメッキ等により形成されている。そして、ヒートスプレッダ51には、半導体部品1のパッケージ6の中央部の真上部分に位置して穴52が形成されている。
上記ヒートスプレッダ51は、穴52の周囲部下面と、半導体部品1のパッケージ6の上面との間が、金属系接合材16で接合されて取付けられている。また、ヒートスプレッダ52の上面とヒートシンク14の下面との間の隙間にゲル状の放熱材料13が配置され、その放熱材料13は穴52内にも充填され、パッケージ6の上面に接している。この第5の実施形態によっても、第1の実施形態等と同様に、ヒートスプレッダ51を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ51との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができる。
そして、上記構成においては、ヒートスプレッダ51を平面方向に熱伝導率が高いグラファイトから構成したので、熱伝導性を確保しながら、金属製のヒートスプレッダに比べて軽量で済ませることができる。重量が軽量な分だけ、半導体部品1に作用する応力を小さくすることができる。このとき、グラファイト製のヒートスプレッダ51の表面に金属皮膜51aを設けるようにしたので、パッケージ6との接合性を高めて、金属系接合材16との間の接触熱抵抗を小さくすることができる。
図7は、第6の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものである。この第6の実施形態が、上記第1の実施形態と異なるところは、ヒートスプレッダ61の取付構造にある。即ち、ヒートスプレッダ61は、銅等の金属材料から構成され、矩形板状をなし中央部に穴15が形成された上壁部と、その四辺部から下方に立ち下がる脚部とを有した、下面が開口した矩形箱状(蓋状)をなしている。このとき、ヒートスプレッダ61の脚部は、例えばコイルばねからなる複数個のばね部材62を介してマザーボード9上に載置されている。
この構成でも、上記第1の実施形態等と同様に、ヒートスプレッダ51を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ51との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができる。そして、本実施形態では、ヒートシンク14の荷重をばね部材62を介してマザーボード9で受けることができる。これと共に、半導体部品1とヒートスプレッダ51との間で、例えば熱サイクルに伴う膨張、収縮等の相対的な位置変動があっても、その際の応力をばね部材52によって吸収することができ、ヒートスプレッダ61或いは半導体部品1、マザーボード9に応力として作用することを抑制することができる。
図8は、第7の実施形態に係るヒートスプレッダ71を示している。このヒートスプレッダ71は、例えば銅などの金属から、全体として、四角形の上壁部とその4辺から立ち下がる脚部とを有した、下面が開口した矩形箱状(蓋状)に構成されている。そして、上壁部のうち、半導体部品1のパッケージ6の中央部の真上部分には、円形の穴72が形成されている。
上記構成によれば、上記第1の実施形態等と同様に、ヒートスプレッダ71を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ71との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができる。そして、本実施形態では、ヒートスプレッダ71の穴72を円形に構成したので、金属系接合材16による半導体部品1のパッケージ6との接合面積を大きくして接合信頼性を高めることができる。
尚、穴の形状としては、四角形や円形に限られず、楕円形や多角形等の様々な形状を採用することもできる。また、穴を設ける個数についても、1個に限らず複数個設けることも可能である。但し、上記した各実施形態のように、パッケージ6の中央部に対応した位置に比較的大きな一つの穴を設けることが、最も好ましいと考えられる。中央の大きな穴の周りに小さな穴を複数設けても構わない。
図9は、第8の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものである。この第8の実施形態が、上記第1の実施形態と異なる点は、ヒートスプレッダ81の構成にある。即ち、ヒートスプレッダ81は、例えば銅などの金属から、矩形板状をなし中央部に穴15が形成された上壁部と、その四辺部から下方に立ち下がる脚部とを有した、下面が開口した矩形箱状(蓋状)に構成されている。そして、ヒートスプレッダ81の上面には、ヒートシンク14側に凸となる多数個の凸部81aが一体に設けられている。この凸部81aは、四角形或いは円形のものが多数個整列して設けられている。ヒートスプレッダ81とヒートシンク14との間には、放熱材料13が配置されている。
この構成によれば、上記第1の実施形態などと同様に、ヒートスプレッダ81を設けたものにあって、半導体部品1のパッケージ6とヒートスプレッダ81との間を低応力且つ低熱抵抗で接合することを可能とし、ひいては良好な放熱効果を得ることができる。そして、ヒートスプレッダ81の放熱材料13との接触面積(表面積)が増加するので、熱抵抗をより低減させることができる。
図10は、第9の実施形態に係る半導体部品1の放熱構造を示すものであり、上記第1の実施形態と異なる点は、ヒートシンク91の構成にある。即ち、本実施形態では、上記第8の実施形態(図9)とは逆に、ヒートシンク91の下面に、ヒートスプレッダ12側に凸となる多数個の凸部91aが一体に設けられている。これによれば、上記第1の実施形態などと同様の作用・効果に加え、ヒートシンク91の放熱材料13との接触面積(表面積)が増加するので、熱抵抗をより低減させることができる。
尚、上記した各実施形態では、SoCと称される半導体部品に適用するようにしたが、放熱(冷却)が必要な半導体部品全般に適用することができる。また、上記各実施形態では、半導体部品1のパッケージ6を金属製のものとしたが、半導体部品のパッケージの材質としても、セラミックやプラスチックなどであっても良い。半導体素子をモールド成型により樹脂封止するものであっても良い。その他、ヒートスプレッダやヒートシンクの形状などについても、様々な変更が可能であることは勿論である。上記した複数の実施形態の構成を組合せて実施することも可能である。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
図面中、1は半導体部品、3は半導体素子、6はパッケージ、9はマザーボード(配線基板)、12、31、41、51、61、71、81はヒートスプレッダ、13は放熱材料、14、21、91はヒートシンク、15、42、52、72、82は穴、16は金属系接合材、22は突起部、32は膨出部、62はばね部材を示す。
Claims (5)
- 配線基板(9)上に実装された半導体部品(1)のパッケージ(6)の外面側にヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)を配置し、前記ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)に放熱材料(13)を介してヒートシンク(14、21、91)を熱的に接合して構成されると共に、
前記ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)のうち、前記パッケージ(6)に対応した部分には、穴(15、42、52、72、82)が設けられ、
前記ヒートスプレッダ(12、31、41、51、61、71、81)の前記穴(15、42、52、72、82)の周囲部と、前記パッケージ(6)との間が、金属系接合材(16)で接合されている半導体部品の放熱構造。 - 前記ヒートシンクには、前記ヒートスプレッダの穴内に嵌合する突起部が設けられている請求項1に記載の半導体部品の放熱構造。
- 前記ヒートスプレッダの外面の外周部には、前記ヒートシンク側に凸となる膨出部が設けられている請求項1又は2に記載の半導体部品の放熱構造。
- 前記ヒートスプレッダは、炭素材料から構成されている請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体部品の放熱構造。
- 前記ヒートスプレッダの脚部は、ばね部材を介して前記配線基板上に載置されている請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体部品の放熱構造。
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