JP6823283B2 - 冷却装置、搭載方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体パッケージ、半導体パッケージ取付方法、に関し、特にシリコンチップなどの発熱部材に対する冷却性能を高めることが可能な半導体パッケージ、半導体パッケージ取付け方法に関する。

パッケージ基板にシリコンチップなどを搭載した半導体パッケージが知られている。

例えば、特許文献１には、ＣＰＵチップ（シリコンチップ）と、ＣＰＵチップが搭載されているパッケージ基板と、ＣＰＵチップの上面に配置される蓋体と、ＣＰＵチップと蓋体との間に挿入される熱媒介物質（ＴＩＭ：Ｔｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）と、を有する半導体パッケージが記載されている。また、特許文献１の場合、上記構成に加えて、ＴＩＭと隣接し、ＣＰＵチップと蓋体との間に挿入されて熱を分散する熱分散カバーを有している。特許文献１によると、このような構成により、熱放出能力を高めることが出来る。

また、蓋体の上部には、ＴＩＭなどを介してヒートシンクを配置することがある。このようなヒートシンクを用いる際の技術の一つとして、例えば、特許文献２がある。特許文献２には、発熱体に固定される固定部と、放熱凸部を有し固定部に対してスライドする放熱部と、を備えたヒートシンクが記載されている。特許文献２によると、このように固定部に対してスライドする放熱部を備えることで、発熱体の配置に制限が生じることを抑制することが出来る。

特許第４４３４５６４号 特開２０１５−５０２５５号公報

特許文献１に記載のように蓋体を用いる場合、蓋体の厚みに応じて熱抵抗が増大し冷却性能が下がることになる。そのため、冷却性能を高める観点からは、蓋体を用いずに、発熱体であるシリコンチップとヒートシンクとを直接接続する（又は、ＴＩＭを介して接続する）ことが望ましい。

一方で、蓋体には、パッケージ基板をマザー基板にはんだ接続する際に、シリコンチップとパッケージ基板との熱膨張率の差により生じるインターポーザ基板の反りを低減させる機能がある。そのため、単純に蓋体を撤去してしまうと、マザー基板への接合時にはんだ接続不良が生じやすくなるおそれがあった。

このように、冷却効率の観点からは蓋体を用いないことが望ましい一方で、はんだ接続不良を防ぐ観点からは蓋体を用いることが望ましかった。つまり、半導体パッケージにおいては、はんだ接続不良を防ぎつつ冷却性能を高めることが難しい、という問題が生じていた。

なお、特許文献２のようにヒートシンクをスライド移動可能としたところで、蓋体は依然として残ることになる。そのため、特許文献２のようなヒートシンクに対する工夫では、上記のような問題を解決することは難しかった。

そこで、本発明の目的は、はんだ接続不良を防ぎつつ冷却性能を高めることが難しい、という問題を解決する半導体パッケージを提供することにある。

かかる目的を達成するため本発明の一形態である半導体パッケージは、
発熱部材と、
前記発熱部材を搭載し、第２の基板に搭載される第１の基板と、
前記第１の基板の変形を防止する補強部材と、
を備え、
前記補強部材は、前記第１の基板に対して着脱可能に構成されている
という構成を採る。

また、本発明の他の形態である半導体パッケージ取付方法は、
第１の基板に、
発熱部材を搭載するとともに、前記第１の基板の変形を防止し前記第１の基板に対して着脱可能に構成されている補強部材を設ける
という構成を採る。

本発明は、以上のように構成されることにより、はんだ接続不良を防ぎつつ冷却性能を高めることが難しい、という問題を解決する半導体パッケージを提供することが可能となる。

本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージの構成の一例を示す図である。 図１で示す半導体パッケージのうち上板部を取り外した際の構成の一例を示す図である。 図１のＡ−Ａ線で切断した際の半導体パッケージの構成の一例を示すＡ−Ａ断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体パッケージを製造・取り付ける際の動作の一例を示すフローチャートである。 図４で示すステップＳ００２の様子の一例を示すＡ−Ａ断面図である。 図４で示すステップＳ００３の様子の一例を示すＡ−Ａ断面図である。 図４で示すステップＳ００４の様子の一例を示すＡ−Ａ断面図である。 脚部の他の構成の一例を示す図である。 リッド及びインターポーザ基板の他の一例を示すＡ−Ａ断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体パッケージの構成の一例を示す図である。 図１０で示すＢ−Ｂ線で切断した際の半導体パッケージの構成の一例を示すＢ−Ｂ断面図である。 上板部を脚部に取り付けた際の半導体パッケージの構成の一例を示すＢ−Ｂ断面図である。 本発明の第３の実施形態における半導体パッケージの構成の一例を示す概略図である。

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態を図１乃至図９を参照して説明する。図１は、半導体パッケージ１の構成の一例を示す図である。図２は、リッド１１のうち上板部１１１を取り外した際の構成の一例を示す図である。図３は、半導体パッケージ１のＡ−Ａ断面図である。図４は、半導体パッケージ１を製造・取り付ける際の動作の一例を示すフローチャートである。図５は、半導体パッケージ１をマザー基板３に接合した状態を示すＡ−Ａ断面図である。図６は、半導体パッケージ１をマザー基板３に接合した後、上板部１１１を取り外した状態を示すＡ−Ａ断面図である。図７は、上板部１１１を取り外した後、ヒートシンク４を設置した状態を示すＡ−Ａ断面図である。図８は、脚部１１２の他の構成の一例を示す図である。図９は、リッド１１及びインターポーザ基板１２の他の一例を示すＡ−Ａ断面図である。

本発明の第１の実施形態では、はんだ接続によりマザー基板３（第２の基板）などに搭載する半導体パッケージ１について説明する。後述するように、本実施形態における半導体パッケージ１のリッド１１は、当該リッド１１の少なくとも一部が着脱可能に構成されている。このような構成により、半導体パッケージ１とマザー基板３とを接合する際にリッド１１による反りの防止を行いつつ、接合後にリッド１１（の少なくとも一部）を取り外して、発熱チップ１１を露出させることが可能になる。

図１を参照すると、本実施形態における半導体パッケージ１は、リッド１１（補強部材）とインターポーザ基板１２（第１の基板）とを有している。また、図２で示すように、インターポーザ基板１２上には、発熱チップ１３（発熱部材）が搭載されている。つまり、半導体パッケージ１は、リッド１１とインターポーザ基板１２と発熱チップ１３とを有している。

リッド１１は、銅やアルミなどの放熱効率が良く剛性を有する部材により構成されている。図１で示すように、リッド１１は、上板部１１１と脚部１１２とを含んでおり、上板部１１１と脚部１１２とでインターポーザ基板１２を補強する。換言すると、リッド１１は、インターポーザ基板１２に設けられることで、インターポーザ基板１２をマザー基板３にはんだ接続する際にインターポーザ基板１２と発熱チップ１３との熱膨張率の差により生じる反り（つまり、インターポーザ基板１２の変形）を防止する。図１、図２で示すように、上板部１１１と脚部１１２とは、ネジ２により着脱可能に構成されている。

上板部１１１は、平面視で略矩形に形成された直方体形状の板材である。図２で示すように、上板部１１１の４隅には、当該上板部１１１の厚み方向に貫通する、ネジ２挿通用の貫通孔１１１１がそれぞれ形成されている。

脚部１１２は、平面視でインターポーザ基板１２上に搭載された発熱チップ１３を囲う四角形の枠状に形成されている。換言すると、脚部１１２の形状は、平面視で発熱チップ１３が挿通する四角形状の開口部を有する矩形である。また、脚部１１２の４隅のうち、上板部１１１に形成されている貫通孔１１１１に応じた位置には、ネジ２挿通用のネジ孔１１２１がそれぞれ形成されている。脚部１１２は、例えば接着剤により、インターポーザ基板１２上の所定位置に固定する。

上記のような構成により、上板部１１１は、脚部１１２の上に設置した後、貫通孔１１１１及びネジ孔１１２１を挿通するネジ２を締めることで、脚部１１２に固定することが出来る。上板部１１１を脚部１１２に固定すると、図１で示すように、発熱チップ１の周囲を覆うことになる（上板部１１１と脚部１１２とで蓋体を形成することになる）。一方で、上板部１１１は、脚部１１２に固定された状態からネジ２を外すことで、脚部１１２との固定状態を解除して外すことが出来る。このように、上板部１１１は、ネジ２を締めたり外したりすることで、脚部１１２に対して着脱可能なよう構成されている。

インターポーザ基板１２は、発熱チップ１３を搭載するとともに、後述するマザー基板３に搭載される基板である。図２で示すように、インターポーザ基板１２のうちマザー基板３に搭載される側の面上には、例えば、複数のはんだボール１２１が格子状に形成されている。一方、複数のはんだボール１１２が形成されている面とは反対側の面上には、発熱チップ１３が搭載されるとともに、リッド１１のうちの脚部１１２が固定されている。

発熱チップ１３は、シリコンチップなどの発熱部材である。発熱チップ１３は、ワイヤボンディングやフリップチップボンディングなどによりインターポーザ基板１２に接続されている。

以上のような半導体パッケージ１を図１のＡ−Ａ線で切断すると、その断面図は、例えば図３で示すようになる。

図３を参照すると、インターポーザ基板１２のうちの一方の面上には、発熱チップ１３が接続されているとともに、脚部１１２が固定されている。また、脚部１１２上には上板部１１１が設置されている。上述したように、上板部１１１は、ネジ２により脚部１１２に対して着脱することが可能である。一方、インターポーザ基板１２のうちの発熱チップ１３が接続されている側とは反対側の面上には、インターポーザ基板１２をマザー基板３に搭載する際に用いるはんだボール１２１が例えば格子状に複数形成されている。

なお、本実施形態においては、後述するように、上板部１１１を外した後で、ヒートシンク４（放熱部）と発熱チップ１３とを接触させることになる。そのため、図３で示すような上板部１１１を脚部１１２に固定した状態においては、上板部１１１と発熱チップ１３との間にグリスなどのＴＩＭ（Thermal Interface Material）を設ける必要はないことになる。

半導体パッケージ１は例えば上記のような構成を有している。続いて、上記のような構成の半導体パッケージ１を製造してマザー基板３上に搭載する際の動作の一例について、図４を参照して説明する。

図４を参照すると、インターポーザ基板１２に発熱チップ１３を接続するとともに、リッド１１を設ける（ステップＳ００１）。例えば、インターポーザ基板１２上に、ワイヤボンディングなどにより発熱チップ１３を接続する。また、インターポーザ基板１２上に、例えば接着剤を用いて脚部１１２を固定する。そして、脚部１１２の上部に上板部１１１を設置してネジ２を締める。これにより、上板部１１１を脚部１１２に固定する。

ステップＳ００１の結果、半導体パッケージ１は、例えば、図３で示すような状態になる。つまり、図３を参照すると、インターポーザ基板１２上に発熱チップ１３が接続されているとともに、脚部１１２が固定されている。また、脚部１１２に上板部１１１が固定されている。

続いて、はんだ接続により、インターポーザ基板１２をマザー基板３に搭載する（ステップＳ００２）。ステップＳ００２の結果、半導体パッケージ１の状態は、例えば、図５で示すようになる。図５を参照すると、インターポーザ基板１２はマザー基板３に搭載されている。

インターポーザ基板１２をマザー基板３に搭載した後、ネジ２を外して上板部１１１を取り外す（ステップＳ００３）。ステップＳ００３の結果、半導体パッケージ１の状態は、例えば、図６で示すようになる。図６を参照すると、上板部１１１が外れており、発熱チップ１１３が外部に露出している。

その後、発熱チップ１３上にヒートシンク４を設ける（ステップＳ００４）。ステップＳ００３の処理により上板部１１１が外されているため、ヒートシンク４は上板部１１１を介さずに発熱チップ１３と接することが出来る。

なお、ヒートシンク４と発熱チップ１３とは、直接接するよう構成しても構わないし、図７で示すようにグリスなどのＴＩＭ４１を介して接するよう構成しても構わない。また、脚部１１２にはネジ孔１１２１が設けられている。脚部１１２のネジ孔１１２１は、ヒートシンク４を設ける際に利用しても構わない。つまり、ネジ孔１１２１を用いてヒートシンク４をネジ止めするよう構成しても構わない。

以上が、半導体パッケージ１を製造してマザー基板３上に搭載する際の動作の一例である。

このように、本実施形態における半導体パッケージ１は、上板部１１１と脚部１１２とから構成されるリッド１１を有している。また、上板部１１１は、ネジ２により脚部１１２に対して着脱可能に構成されている。このような構成により、上板部１１１を脚部１１２に固定した状態で、インターポーザ基板１２をマザー基板３にはんだ接続することが出来る。その結果、発熱チップ１３とインターポーザ基板１２との熱膨張率の差により生じるインターポーザ基板１２の反りを低減させた状態で、インターポーザ基板１２をマザー基板３にはんだ接続することが可能となる。一方で、インターポーザ基板１２をマザー基板３にはんだ接続した後は、容易な方法で上板部１１１を脚部１１２から外すことが出来る。これにより、ヒートシンク４と発熱チップ１３とは、上板部１１１を介さずに接することが出来る。その結果、冷却性能を高めることが可能となる。このように、上記のような構成によると、はんだ接続不良を防ぎつつ冷却性能を高めることが可能となる。

なお、本実施形態では、脚部１１２は、平面視でインターポーザ基板１２上に搭載された発熱チップ１３を囲う四角形の枠状に形成されているとした。しかしながら、脚部１１２の形状は上記例示した場合に限定されない。例えば、図８で示すように、脚部１１２は、４隅に相当する箇所に設けられた四角柱状の形状を有する脚部１１２Ａであっても構わない。この場合、４つの脚部１１２Ａが形成されることになる。また、図８で示すように、平面視でＬ字状に形成された脚部１１２Ｂのような形状であっても構わない。このように、脚部１１２の形状は、本実施形態で例示した場合に限定されず様々な形状を採ることが出来る。

また、本実施形態においては、平面視、側面視でインターポーザ基板１２の方がリッド１１よりも大きい場合について例示したが、必ずしもそうでなくても構わない。例えば、図９で示すように、インターポーザ基板１２の端部に脚部１１２が形成されていても構わない。

また、本実施形態における半導体パッケージ１によると、上板部１１１を介さずにヒートシンク１と発熱チップ１３とを接触させることが出来る。そのため、上板部１１１を含むリッド１１は、必ずしも放熱性能の高い部材により構成されていなくても構わない。リッド１１は、例えば、放熱性能にかかわらず熱膨張率の低い部材を採用しても構わない。

［第２の実施形態］
続いて、本発明の第２の実施形態を図１０乃至図１２を参照して説明する。図１０は、半導体パッケージ５の構成の一例を示す図である。図１１、図１２は、半導体パッケージ５のＢ−Ｂ断面図である。

本発明の第２の実施形態では、第１の実施形態で説明したリッド１１の代わりにリッド５１を有する半導体パッケージ５について説明する。後述するように本実施形態におけるリッド５１は、ネジ止めする代わりにスライド移動することで上板部５１１を脚部５１２に対して着脱可能なよう構成されている。

図１０を参照すると、本実施形態における半導体パッケージ５は、リッド５１とインターポーザ基板１２と発熱チップ１３とを有している。インターポーザ基板１２と発熱チップ１３の構成は第１の実施形態と同じであるため、その説明は省略する。

リッド５１は、銅やアルミなどの放熱効率が良く剛性を有する部材により構成されている。リッド５１は、上板部５１１と脚部５１２とから構成されている。図１０で示すように、脚部５１２のうちの相対する端部にはそれぞれ溝部５１２１が設けられている。上板部５１１は、溝部５１２１の間を挿通することになる。

上板部５１１は、平面視で略矩形に形成された直方体形状の板材である。上板部５１１の厚さは、後述する脚部５１２に形成された溝部５１２１の厚みよりも薄くなるよう形成されている。

脚部５１２は、平面視でインターポーザ基板１２上に搭載された発熱チップ１３を囲う四角形の枠状に形成されている。換言すると、脚部５１２の形状は、平面視で発熱チップ１３が挿通する四角形状の開口部を有する矩形である。また、脚部５１２のうち相対する端部には、脚部５１２の内側に向かって凹部を形成する溝部５１２１が形成されている。上板部５１１の相対する端部のうちの一方は一方の溝部５１２１を挿通し、上板部５１１の相対する端部のうちの他方は、他方の溝部５１２１を挿通する。このように脚部５１２に形成された溝部５１２１の間を上板部５１１が挿通することで、上板部５１１はスライド移動により脚部５１２に対して着脱することが可能となる。

以上のような半導体パッケージ５を図１０のＢ−Ｂ線で切断すると、その断面図は、例えば図１１で示すようになる。

図１１を参照すると、インターポーザ基板１２のうちの一方の面上には、発熱チップ１３が接続されているとともに、脚部５１２が固定されている。また、脚部５１２の相対する端部には溝部５１２１が設けられている。溝部５１２１の間を上板部５１１が挿通することになる。一方、インターポーザ基板１２のうちの発熱チップ１３が接続されている側とは反対側の面上には、インターポーザ基板１２をマザー基板３に搭載する際に用いるはんだボール１２１が例えば格子状に複数形成されている。

また、上板部５１１を溝部５１２１の間に挿通させた状態の一例を図１２に示す。図１２を参照すると、溝部５１２１の間を上板部５１１が挿通しており、脚部５１２の上部に上板部５１１が配置されている。

半導体パッケージ５は例えば上記のような構成を有している。続いて、上記のような構成の半導体パッケージ５を製造してマザー基板３上に搭載する際の動作の一例について説明する。なお、基本的には第１の実施形態と同様のため、図４を参照して説明する。

図４を参照すると、インターポーザ基板１２に発熱チップ１３を接続するとともに、リッド５１を設ける（ステップＳ００１）。例えば、インターポーザ基板１２上に、ワイヤボンディングなどにより発熱チップ１３を接続する。また、インターポーザ基板１２上に、例えば接着剤を用いて脚部５１２を固定する。そして、脚部５１２に形成されている溝部５１２１の間に上板部５１１を挿通する。これにより、上板部５１１を脚部５１２上部に配置する。

ステップＳ００１の結果、半導体パッケージ５は、例えば、図１２で示すような状態になる。つまり、図１２を参照すると、インターポーザ基板１２上に発熱チップ１３が接続されているとともに、脚部５１２が固定されている。また、脚部５１２上に上板部５１１が配置されている。

続いて、はんだ接続により、インターポーザ基板１２をマザー基板３に搭載する（ステップＳ００２）。

その後、上板部５１１をスライド移動させて、脚部５１２から上板部５１１を外す（ステップＳ００３）。これにより、図１１で示すように、発熱チップ１１３が外部に露出することになる。そして、発熱チップ１３上にヒートシンク４を設ける（ステップＳ００４）。ステップＳ００３の処理により上板部５１１が外されているため、ヒートシンク４は上板部１１１を介さずに発熱チップ１３と接することが出来る。

以上が、半導体パッケージ５を製造してマザー基板３上に搭載する際の動作の一例である。

このように、本実施形態における半導体パッケージ５は、上板部５１１と脚部５１２とから構成されるリッド５１を有している。また、上板部５１１は脚部５１２に形成された溝部５１２１の間を挿通することで、脚部５１２上に配置したり外したりすることが出来る。このように上板部５１１をスライド移動可能なよう構成することでも、第１の実施形態と同様に、インターポーザ基板１２をマザー基板３にはんだ接続した後に容易な方法で上板部５１１を外すことが出来る。その結果、はんだ接続不良を防ぎつつ冷却性能を高めることが可能となる。

なお、第２の実施形態で説明した半導体パッケージ５も、第１の実施形態と同様に様々な変形例を有することが出来る。

［第３の実施形態］
続いて、本発明の第３の実施形態を、図１３を参照して説明する。図１３は、半導体パッケー６の構成の概略を示している。

図１３を参照すると、半導体パッケージ６は、発熱部材６１と、第１の基板６２と、補強部材６３と、を有している。

第１の基板６２は、発熱部材６１を搭載し、図示しない第２の基板に搭載される。補強部材６３は、第１の基板６２の変形を防止する。また、補強部材６３は、第１の基板に対して着脱可能に構成されている。

このように、本実施形態における半導体パッケージ６は、第１の基板６２に対して着脱可能に構成されている補強部材６３を有している。このような構成により、補強部材６３を第１の基板６２に固定した状態で、第１の基板６２を第２の基板に搭載することが出来る。一方で、第１の基板６２を第２の基板に搭載した後は、補強部材６３を第１の基板６２から取り外すことが出来る。その結果、ヒートシンク等の放熱部を、補強部材６３を介さずに直接発熱部材６１に接触させることが可能となる。これにより、はんだ接続不良を防ぎつつ冷却性能を高めることが可能となる。

また、上述した半導体パッケージ６を用いる方法としては、第１の基板に、発熱部材を搭載するとともに、第１の基板の変形を防止し第１の基板に対して着脱可能に構成されている補強部材を設ける、という方法を採る。

このような半導体パッケージ取付方法の発明であっても、上記半導体パッケージ６と同様の作用を有するために、上述した本発明の目的を達成することが出来る。

＜付記＞
上記実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうる。以下、本発明における半導体パッケージなどの概略を説明する。但し、本発明は、以下の構成に限定されない。
［付記１］
発熱部材と、
前記発熱部材を搭載し、第２の基板に搭載される第１の基板と、
前記第１の基板の変形を防止する補強部材と、
を備え、
前記補強部材は、前記第１の基板に対して着脱可能に構成されている
半導体パッケージ。
［付記２］
付記１に記載の半導体パッケージであって、
前記補強部材は、前記第１の基板に固定された脚部と、前記脚部に対して着脱可能な板部と、を有している
半導体パッケージ。
［付記３］
付記２に記載の半導体パッケージであって、
前記板部は前記脚部に対してネジ止めされている
半導体パッケージ。
［付記４］
付記２に記載の半導体パッケージであって、
前記脚部の形状は前記発熱部材が挿通する開口部を有する矩形であり、
前記板部の形状は矩形であり、
前記脚部のうちの相対する端部には、前記板部のうちの相対する端部が挿通する溝部がそれぞれ形成されている
半導体パッケージ。
［付記５］
付記２乃至４のいずれかに記載の半導体パッケージであって、
前記脚部と前記板部とで、前記発熱部材を覆う蓋体を形成する
半導体パッケージ。
［付記６］
第１の基板に、
発熱部材を搭載するとともに、前記第１の基板の変形を防止し前記第１の基板に対して着脱可能に構成されている補強部材を設ける
半導体パッケージ取付方法。
［付記７］
付記６に記載の半導体パッケージ取付方法であって、
第２の基板に前記第１の基板を接合した後、前記補強部材を取り外す
半導体パッケージ取付方法。
［付記８］
付記７に記載の半導体パッケージ取付方法であって、
前記補強部材は、前記第１の基板に固定された脚部と、前記脚部に対して着脱可能な板部と、から構成されており、
前記第２の基板に前記第１の基板を接合した後、前記板部を取り外す
半導体パッケージ取付方法。
［付記９］
付記６乃至８のいずれかに記載の半導体パッケージ取付方法であって、
前記補強部材を取り外した後、前記発熱部材のうちの前記第１の基板と接続された面と異なる面に放熱部を設置する
半導体パッケージ取付方法。

以上、上記各実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明の範囲内で当業者が理解しうる様々な変更をすることが出来る。

１ 半導体パッケージ
１１ リッド
１１１ 上板部
１１１１ 貫通孔
１１２ 脚部
１１２１ ネジ孔
１２ インターポーザ基板
１２１ はんだボール
１３ 発熱チップ
２ ネジ
３ マザー基板
４ ヒートシンク
５ 半導体パッケージ
５１ リッド
５１１ 上板部
５１２ 脚部
５１２１ 溝部
６ 半導体パッケージ
６１ 発熱部材
６２ 第１の基板
６３ 補強部材

Claims (4)

1. 発熱部材と、
   前記発熱部材を搭載し、第２の基板に搭載される第１の基板と、
   前記第１の基板の変形を防止する補強部材と、
   を備え、
   前記補強部材は、前記第１の基板に対して着脱可能に構成されており、
   前記補強部材は、前記第１の基板に固定された脚部と、前記脚部に対して着脱可能な板部と、を有しており、
   前記脚部の形状は前記発熱部材が挿通する開口部を有する矩形であり、
   前記板部の形状は矩形であり、
   前記脚部のうちの相対する端部には、前記板部のうちの相対する端部が挿通する溝部がそれぞれ形成されている
   半導体パッケージ。
2. 請求項１に記載の半導体パッケージであって、
   前記脚部と前記板部とで、前記発熱部材を覆う蓋体を形成する
   半導体パッケージ。
3. 第１の基板に、
   発熱部材を搭載するとともに、前記第１の基板の変形を防止し前記第１の基板に対して着脱可能に構成されている補強部材を設け、
   第２の基板に前記第１の基板を接合した後、前記補強部材を取り外し、
   前記補強部材は、前記第１の基板に固定された脚部と、前記脚部に対して着脱可能な板部と、から構成されており、
   前記第２の基板に前記第１の基板を接合した後、前記板部を取り外す
   半導体パッケージ取付方法。
4. 請求項３に記載の半導体パッケージ取付方法であって、
   前記補強部材を取り外した後、前記発熱部材のうちの前記第１の基板と接続された面と異なる面に放熱部を設置する
   半導体パッケージ取付方法。

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