JP2020065955A - 排水再利用装置及びボイラシステム - Google Patents

Abstract

【課題】従来よりも早期に膜劣化を検知することが可能な排水再利用装置及びボイラシステムを提供する。【解決手段】排水再利用装置２は、排水処理槽から回収される１次処理水から、ろ過膜によって懸濁物質を除去することにより２次処理水を生成するろ過膜装置５１と、２次処理水を逆浸透膜で膜分離することにより３次処理水を生成する逆浸透膜装置５３と、逆浸透膜装置５３の出口で、３次処理水のシリカ濃度を測定するシリカ濃度測定装置５４と、シリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、警報を発報する警報装置とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は、排水再利用装置及びボイラシステムに関する。

逆浸透膜（ＲＯ膜）を利用した排水の再利用システムでは、再利用先の要求水質によって、逆浸透膜の膜劣化の程度を速やかに検知する手法が必要となる。従来、逆浸透膜の膜劣化の程度を検知する手法として、逆浸透膜によって膜分離された処理水の電気伝導度を測定し、この電気伝導度によって逆浸透膜の状態を診断する手法が一般的である。

例えば、特許文献１は、ＮａＣｌ水溶液を逆浸透膜に透過させ、透過水の電気伝導度を電気伝導率計で測定し、測定された電気伝導度に基づいて実用塩分、延いてはＮａＣｌ濃度を求め、このＮａＣｌ濃度から逆浸透膜のＮａＣｌ阻止率を算出することにより、逆浸透膜の状態を測定する方法を開示している。

国際公開ＷＯ２０１６／１５８９９２号公報

しかし、例えば、再利用先の要求水質として衛生度を担保する必要がある場合や、ボイラへの給水において、微量の起泡性有機物や界面活性剤のリークが許されていない場合における、より慎重な対応を考えたときに、電気伝導率に基づいた膜劣化の検知は、検知のタイミングが遅く、膜劣化を検知する目安として万全ではなかった。

本発明は、従来よりも早期に膜劣化を検知することが可能な排水再利用装置及びボイラシステムを提供することを目的とする。

本発明は、排水処理槽から回収される１次処理水から、ろ過膜によって懸濁物質を除去することにより２次処理水を生成するろ過膜装置と、前記２次処理水を逆浸透膜で膜分離することにより３次処理水を生成する逆浸透膜装置と、前記逆浸透膜装置の出口で、前記３次処理水のシリカ濃度を測定するシリカ濃度測定装置と、前記シリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、警報を発報する警報装置と、を備える排水再利用装置に関する。

また、上記の排水再利用装置は、前記シリカ濃度が前記第１の閾値を超えた場合に、前記逆浸透膜装置での回収率を下げる逆浸透膜装置制御部を更に備えることが好ましい。

また、上記の排水再利用装置は、前記３次処理水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定装置と、前記電気伝導度が第２の閾値を超えた場合に前記排水再利用装置の動作を停止する動作停止部とを更に備えることが好ましい。

また、本発明のボイラシステムは、上記の排水再利用装置と、前記３次処理水を給水として利用するボイラと、前記シリカ濃度が前記第１の閾値を超えた場合に、前記ボイラのブロー率を上げるブロー率調整部とを備える。

また、上記のボイラシステムは、前記シリカ濃度が前記第１の閾値よりも高い第３の閾値を超えた場合に、前記３次処理水が前記ボイラを回避するように前記３次処理水の流路を制御する流路制御部を更に備えることが好ましい。

本発明によれば、従来よりも早期に膜劣化を検知することが可能な排水再利用装置及びボイラシステムを提供することが可能となる。

本発明の実施形態に係る排水再利用装置及び当該排水再利用装置を含むボイラシステムの構成図である。 本発明の実施形態に含まれる排水処理設備の構成例を示す図である。 本発明の実施形態に含まれる回収ろ過ユニットの構成例を示す図である。 本発明の実施形態に含まれるシリカ濃度測定装置の構成例を示す図である。 本発明の実施形態に含まれる回収ろ過ユニットの制御部の機能を示す機能ブロック図である。 本発明の実施形態に含まれるボイラの構成例を示す図である。 本発明の実施形態に含まれるボイラの制御部の機能を示す機能ブロック図である。 本発明の実施形態の第１の動作を示すフローチャートである。 本発明の実施形態の第２の動作を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。

〔１ 発明の概要〕
逆浸透膜装置を含む排水再利用装置において、逆浸透膜に膜劣化が発生した場合、処理水における電気伝導率が上昇する前に、逆浸透膜を通して処理水に対し微量のシリカがリークされる。この特性を利用して、処理水におけるシリカの濃度が閾値を超えた場合に、警報を発報し、逆浸透膜装置での回収率を下げる処理を実行する。更に、この排水再利用装置を含むボイラシステムにおいて、処理水におけるシリカの濃度が閾値を超えた場合に、ボイラのブロー率を挙げたり、処理水がボイラを迂回するよう流路を切り替えたりする処理を実行する。

〔２ 発明の構成〕
〔２．１ 全体構成〕
図１は、本発明の実施形態に係るボイラシステム１の全体構成図である。図１に示すように、ボイラシステム１は、排水再利用装置２とボイラ装置３を備え、排水再利用装置２は、排水処理設備４と回収ろ過ユニット５を備える。

排水処理設備４は、工場等で生じる有機性排水（原水Ｗ０）を生物処理して、１次処理水Ｗ１を得る設備である。排水処理設備４は、ボイラシステム１を備える工場等に既に設置された既存の設備として設けられる。

回収ろ過ユニット５は、排水処理設備４で得られた１次処理水Ｗ１を回収してろ過し、ろ過した２次処理水Ｗ２を逆浸透膜装置で膜分離することにより３次処理水である透過水Ｗ３ａを生成し、透過水Ｗ３ａをボイラ装置３へ供給水として供給するユニットである。回収ろ過ユニット５は、既存の排水処理設備４及びボイラ装置３に対して付加的に接続されている。

ボイラシステム１においては、水道用水や工業用水から逆浸透膜装置のみを用いて、ボイラ装置３への供給水を生成するのではなく、排水から供給水を生成することにより、外部に放流される排水の量を減らすことが可能となる。

〔２．２ 排水処理設備の構成〕
図２は、排水処理設備４の構成例を示す図である。排水処理設備４は、原水槽４１と、流量調整槽４２と、曝気槽４３と、沈降槽４４と、通水ラインＬ１〜Ｌ６と、ポンプＰ１〜Ｐ３と、ブロワＢ１，Ｂ２とを備える。

通水ラインＬ１は、工場等で生じた排水である原水Ｗ０を原水槽４１に通水するラインである。原水槽４１は、通水ラインＬ１から供給される原水Ｗ０を貯留する槽である。ポンプＰ１は、原水槽４１に貯留されている原水Ｗ０を吸引して、通水ラインＬ２を通じて流量調整槽４２に送るポンプである。

流量調整槽４２は、原水槽４１の後段に設置され、原水槽４１から通水ラインＬ２を通じて供給される原水Ｗ０を貯留する槽である。流量調整槽４２は、原水Ｗ０を貯留することで、後述する曝気槽４３へ供給する原水Ｗ０の流量を調整する機能を有する。このような流量調整機能を有する流量調整槽４２は、曝気槽４３における原水Ｗ０の使用量の変動を吸収するように構成される。ブロワＢ１は、流量調整槽４２に貯留されている原水Ｗ０を曝気するブロワである。流量調整槽４２へ流入する原水Ｗ０の水質は変動するため、流量調整槽４２内の原水Ｗ０が腐敗しないようにブロワＢ１の曝気により攪拌するものである。ポンプＰ２は、流量調整槽４２に貯留されている原水Ｗ０を吸引して、通水ラインＬ３を通じて曝気槽４３に送るポンプである。

曝気槽４３は、流量調整槽４２の後段に設置され、流量調整槽４２から供給される原水Ｗ０を生物処理するための槽である。本実施形態の曝気槽４３は、生物処理の中でも特に活性汚泥（図示せず）を用いた活性汚泥処理を行う槽として設けられる。ブロワＢ２は、曝気槽４３に貯留されている原水Ｗ０を曝気するブロワである。曝気槽４３では、ブロワＢ２による曝気と活性汚泥を組み合わせた処理を行うことにより、原水Ｗ０の活性汚泥処理が行われる。活性汚泥処理された原水Ｗ０は、有機物等が除去されて、１次処理水Ｗ１となる。通水ラインＬ４は、曝気槽４３で得られた１次処理水Ｗ１を沈降槽４４に通水するラインである。

沈降槽４４は、曝気槽４３の後段に設置され、曝気槽４３から供給される１次処理水Ｗ１を貯留して不純物を沈降させる槽である。沈降槽４４では、時間経過により不純物を沈降させて、不純物とそれを除く上澄み液への分離が行われる。沈降槽４４で得られた上澄み液は、通水ラインＬ５を通じて下水放流される。

曝気槽４３には、通水ラインＬ４とは別に、１次処理水Ｗ１を通水する通水ラインＬ６が接続されている。通水ラインＬ６は、曝気槽４３内の１次処理水Ｗ１を排水処理設備４外部の回収ろ過ユニット５に通水するラインである。曝気槽４３内に設けられたポンプＰ３は、曝気槽４３内の１次処理水Ｗ１を吸引することにより、通水ラインＬ６を通じて、回収ろ過ユニット３に１次処理水Ｗ１を供給するポンプである。

排水処理設備４は、上記の構成により、工場等で生じる排水の原水Ｗ０を生物処理（本実施形態では活性汚泥処理）して１次処理水Ｗ１を得ると共に、得られた１次処理水Ｗ１を下水放流又は回収ろ過ユニット５へ提供するように構成される。排水としては、例えば、クリーニング工場において、衣類等の洗浄に用いられた排水等が挙げられる。このような排水には、有機物として、タンパク質や界面活性剤等が含まれることがある。

なお、上述した排水処理設備４内のポンプＰ１，Ｐ２及びブロワＢ１，Ｂ２の運転は、図示しない排水処理設備４に設けられた制御装置により制御及び管理される。一方、ポンプＰ３は、回収ろ過ユニット５が１次処理水Ｗ１を取り込むための機器であるので、ポンプＰ３の運転は、回収ろ過ユニット５に設けられた制御部５６（後述）により制御及び管理される。

なお、上記の排水処理設備４の構成はあくまで一例であって、これには限定されない。

〔２．３ 回収ろ過ユニットの構成〕
図３は、回収ろ過ユニット５の構成例を示す図である。回収ろ過ユニット５は、既存の排水処理設備４に付加的に接続されると共に、排水処理設備４から１次処理水Ｗ１の供給を受けることにより、排水処理設備４から１次処理水Ｗ１を回収するユニットである。回収ろ過ユニット５は、ろ過膜装置５１と、タンク５２と、逆浸透膜装置５３と、シリカ濃度測定装置５４と、電気伝導度測定装置５５と、制御部５６と、通水ラインＬ７〜Ｌ１３と、ポンプＰ４，Ｐ５と、バルブＶ１−Ｖ３と、排水流量調整弁Ｆ１を備える。

ろ過膜装置５１は、排水処理設備４から回収した１次処理水Ｗ１をろ過膜により膜ろ過分離して、２次処理水Ｗ２を得る装置である。本実施形態のろ過膜装置５１は、膜分離槽５７と、ろ過膜モジュール５８と、ブロワＢ３とを備えて構成される。膜分離槽５７は、排水処理設備４から回収した１次処理水Ｗ１を貯留する槽である。膜分離槽５７内には、浸漬型のろ過膜モジュール５８が備えられている。ろ過膜モジュール５８は、膜分離槽５７内の１次処理水Ｗ１を膜ろ過する膜である。本実施形態のろ過膜モジュール５８としては、精密ろ過膜（ＭＦ膜）モジュール又は限外ろ過膜（ＵＦ膜）モジュールが用いられる。ブロワＢ３は、膜分離槽５７に貯留されている１次処理水Ｗ１を曝気するブロワである。ポンプＰ４は、ろ過膜モジュール５８を透過した２次処理水Ｗ２を吸引するポンプである。

上記の構成を有するろ過膜装置５１では、ブロワＢ３による曝気とポンプＰ４による吸引を行うことで、膜分離槽５７内において１次処理水Ｗ１の膜分離活性汚泥処理が行われる。膜分離活性汚泥処理された１次処理水Ｗ１は、生物分解されて、２次処理水Ｗ２となる。ポンプＰ４は、ろ過膜装置５１で得られた２次処理水Ｗ２を吸引すると共に、通水ラインＬ７を通じて、吸引した２次処理水Ｗ２をタンク５２に送る。

タンク５２は、ろ過膜装置５１の後段に接続され、ろ過膜装置５１から通水ラインＬ７を通じて供給される２次処理水Ｗ２を貯留するタンクである。タンク５２は、２次処理水Ｗ２を貯留することで、後述する逆浸透膜装置５３へ供給する２次処理水Ｗ２の流量を調整する機能を有する。このような流量調整機能を有するタンク５２は、逆浸透膜装置５３における２次処理水Ｗ２の使用量の変動を吸収するように構成される。タンク５２には、貯留されている２次処理水Ｗ２に通水するラインとして、通水ラインＬ７に加えて、２つの通水ラインＬ８，Ｌ９が接続されている。

通水ラインＬ８は、タンク５２に貯留されている２次処理水Ｗ２に対して上水を供給するラインである。上水とは、飲料水等として供給されるように浄化処理が行われた水のことである。通水ラインＬ８を設ける目的は、後述するように、回収ろ過ユニット５から排水される水の水質を調整するためである。なお、後述する逆浸透膜モジュール５３Ａは、酸化剤により逆浸透膜が劣化するおそれがあるため、上水中の残留塩素は、活性炭等で除去しておくことが望ましい。

通水ラインＬ９は、回収ろ過ユニット５から排水される水をタンク５２へ返送する返送ラインである。通水ラインＬ９を設ける目的は、後述するように、回収ろ過ユニット５からボイラ装置３へ提供する水の塩分濃度を調整するためである。

タンク５２には更に、通水ラインＬ１０が接続されている。通水ラインＬ１０は、タンク５２に貯留されている２次処理水Ｗ２を後段の逆浸透膜装置５３に通水するラインである。通水ラインＬ１０の途中に設けられたポンプＰ５は、タンク５２に貯留されている２次処理水Ｗ２を吸引して、通水ラインＬ１０を通じて逆浸透膜装置５３に送るポンプである。ポンプＰ５は更に、下流側の逆浸透膜装置５３における処理に必要な圧力を提供するように、２次処理水Ｗ２を逆浸透膜装置５３側に対して加圧する機能を有する。

２次処理水Ｗ２が供給される逆浸透膜装置５３は、逆浸透膜モジュール５３Ａにより２次処理水Ｗ２を膜分離し、３次処理水としての透過水Ｗ３ａ及び濃縮水Ｗ３ｂを得る装置である。逆浸透膜モジュール５３Ａでの膜分離に必要となる圧力は、上流側のポンプＰ５による加圧によって提供される。

逆浸透膜装置５３には、通水ラインＬ１１と通水ラインＬ１２が接続されている。
通水ラインＬ１１は、逆浸透膜装置５３で得られた透過水Ｗ３ａ（３次処理水）をボイラ装置３へ通水するラインであり、ボイラ装置３に接続されている。通水ラインＬ１１の途中には、シリカ濃度測定装置５４、電気伝導度測定装置５５、及び当該通水ラインＬ１の開閉を行うバルブＶ１が設けられている。

シリカ濃度測定装置５４は、透過水Ｗ３ａのシリカ濃度を測定する装置である。図４は、シリカ濃度測定装置５４の構成例を示す図である。なお、出願人は、図４に記載のシリカ濃度測定装置を特願２０１３−２２２５７９号にて既に出願済みであるため、以下ではその概略について説明する。

シリカ濃度測定装置５４は、モリブデンイエロー法（モリブデン黄吸光光度法）により透過水Ｗ３ａのシリカ濃度を測定する装置である。図４に示すように、シリカ濃度測定装置５４は、測定セル５２０と、試薬注入部５３０と、吸光度測定部の一部を構成する光学検出部５４０と、攪拌部５５０と、表示部５６０と、制御部５１０と、検査水導入ラインＬ１１１と、検査水排出ラインＬ１１２と、を備える。本明細書における「ライン」とは、流路、経路、管路等の流体の流通が可能なラインの総称である。

測定セル５２０は、シリカ濃度を測定する透過水Ｗ３ａを収容する容器である。測定セル５２０は、不透明の樹脂材料により形成されている。測定セル５２０は、その側壁に一対の光透過窓５２１，５２２が形成されている。光透過窓５２１，５２２には、透明な板材５７１，５７２が嵌め込まれている。

検査水導入ラインＬ１１１は、測定セル５２０への透過水Ｗ３ａの導入を行うラインである。検査水導入ラインＬ１１１は、図４に示すように、測定セル５２０の光透過窓５２１，５２２よりも下方の側壁に接続されている。検査水導入ラインＬ１１１は、測定セル５２０へ透過水Ｗ３ａを導入する流路である。検査水導入ラインＬ１１１には、電磁弁５２３が設けられている。電磁弁５２３は、透過水Ｗ３ａを採取する際に用いられる弁である。電磁弁５２３の開閉は、制御部５１０から出力される駆動信号により制御される。

検査水排出ラインＬ１１２は、測定セル５２０からの透過水Ｗ３ａ（試薬Ｒ１を含む）の排出を行うラインである。検査水排出ラインＬ１１２は、図４に示すように、測定セル５２０の光透過窓５２１，５２２よりも上方の側壁に接続されている。検査水排出ラインＬ１１２は、測定セル５２０から透過水Ｗ３ａを排出する流路である。

試薬注入部５３０は、測定セル５２０の内部へ試薬Ｒ１を注入する設備である。試薬注入部５３０は、試薬Ｒ１を内部に保持しており、所望の量の試薬Ｒ１を測定セル５２０の内部に吐出して供給する。試薬Ｒ１には、透過水Ｗ３ａに含まれるシリカと反応して、発色する呈色物質が配合されている。本実施形態では、モリブデンイエロー法によりシリカ濃度を測定しており、試薬としては、七モリブデン酸六アンモニウム及び無機酸を含む水溶液を用いる。本実施形態に好適な一液型の試薬水溶液の組成は、本願の出願人による特許第５１６９８０９号公報に詳細に開示されているため、当該特許文献を引用して詳細な説明を省略する。

試薬注入部５３０は、試薬カートリッジ５３１と、ローラポンプ機構５３２と、を備える。試薬カートリッジ５３１は、試薬Ｒ１が充填された試薬パック（不図示）と、試薬パックに一端側が接続され且つ他端にノズルを有する弾性チューブとからなる注入体（不図示）とが収納された容器である。

ローラポンプ機構５３２は、図４に示すように、測定セル５２０の上方に設けられている。ローラポンプ機構５３２の上部には、カートリッジ差込口５３３が設けられている。試薬カートリッジ５３１は、カートリッジ差込口５３３に着脱自在に装着される。

ローラポンプ機構５３２は、ローラポンプ５３４を備える。ローラポンプ５３４を駆動して、試薬カートリッジ５３１に収納された注入体の弾性チューブをしごくことにより、試薬パック内の試薬Ｒ１をノズルから測定セル５２０に向けて注入することができる。ローラポンプ５３４の駆動は、制御部５１０から出力される駆動信号により制御される。

光学検出部５４０は、試薬Ｒ１と共に攪拌された透過水Ｗ３ａの吸光度を測定する設備である。光学検出部５４０は、図４に示すように、第１発光素子５４１と、第２発光素子５４２と、発光基板５４３と、第１受光素子５４４と、第２受光素子５４５と、受光基板５４６と、を備える。

第１発光素子５４１及び第２発光素子５４２は、発光基板５４３に実装されている。第１発光素子５４１及び第２発光素子５４２は、測定セル５２０の光透過窓５２１に向けて光を照射する素子である。第１発光素子５４１及び第２発光素子５４２は、それぞれ発光波長の異なるＬＥＤ（発光ダイオード）により構成される。本実施形態においては、第１発光素子５４１は、低濃度のシリカ濃度を測定するために、３７５ｎｍの波長（低濃度測定波長）の光を発光可能な発光素子である。第２発光素子５４２は、高濃度のシリカ濃度を測定するために、４５０ｎｍの波長（高濃度測定波長）の光を発光可能な発光素子である。第１発光素子５４１及び第２発光素子５４２の点灯／消灯は、制御部５１０から出力される駆動信号により制御される。

第１受光素子５４４及び第２受光素子５４５は、受光基板５４６に実装されている。第１受光素子５４４及び第２受光素子５４５は、測定セル５２０の光透過窓５２２を通過した透過光を受光する素子である。第１受光素子５４４及び第２受光素子５４５は、フォトトランジスタにより構成される。第１受光素子５４４及び第２受光素子５４５は、受光した透過光量に対応した検出値信号を制御部５１０に出力する。

攪拌部５５０は、測定セル５２０の内部に収容された透過水Ｗ３ａ及び試薬Ｒ１を攪拌する設備である。図４に示すように、攪拌部５５０は、測定セル５２０の底部に設けられている。攪拌部５５０は、攪拌子５５１と、ステータコイル５５２と、を備える。攪拌子５５１は、測定セル５２０の底部に、回転可能に配置されている。ステータコイル５５２は、測定セル５２０の周囲を囲むようにリング状に形成された電磁誘導コイルである。ステータコイル５５２に駆動電流を供給すると、電磁誘導の作用により、測定セル５２０の底部に配置された攪拌子５５１が非接触で回転する。ステータコイル５５２の動作は、制御部５１０から供給される駆動電流により制御される。

表示部５６０は、測定した透過水Ｗ３ａのシリカ濃度の測定値やシリカ濃度測定装置５４の動作状況等を表示する装置である。表示部５６０は、液晶表示パネルにより構成される。

制御部５１０は、シリカ濃度測定装置５４の動作を制御する装置である。制御部５１０は、第１発光素子５４１、第２発光素子５４２を制御する。制御部５１０は、第１受光素子５４４及び第２受光素子５４５からの出力を受信する。制御部５１０は、光学検出部５４０により検出された吸光度に基づいて、透過水Ｗ３ａに含まれるシリカ成分の濃度を測定する。制御部５１０は、測定した透過水Ｗ３ａのシリカ濃度の測定値を表示部５６０に表示させる。制御部５１０は、後述する検量線を、測定波長毎に内部のメモリに格納している。

制御部５１０は、低濃度のシリカ濃度を測定するために、吸光度測定部の一部を構成する吸光度算出部５１１と、変化量算出部５１２と、計時部５１３と、シリカ濃度検出部５１４と、を有する。

吸光度算出部５１１は、光学検出部５４０により検出された透過光量の検出値に基づいて、第１時間Ｔ１及び第２時間Ｔ２において、透過水Ｗ３ａの吸光度を算出する。これにより、本実施形態においては、光学検出部５４０及び吸光度算出部５１１は、試薬Ｒ１が添加された透過水Ｗ３ａにおける３７５ｎｍの吸光度を測定する。

第１時間Ｔ１は、試薬Ｒ１が添加された直後の時間である。第１時間Ｔ１は、好ましくは、透過水Ｗ３ａに試薬Ｒ１が添加されてから３分以内である。なお、第１時間Ｔ１は、規定量の試薬Ｒ１の添加を実行可能な範囲で、規定量の試薬Ｒ１の添加が完了された直後に近い時間が採用される。本実施形態においては、第１時間Ｔ１は、２分程度である。また、試薬Ｒ１の添加操作に要する時間がごく短時間の場合には、第１時間Ｔ１は、透過水Ｗ３ａに試薬Ｒ１が添加された時間と同時である０分であってもよい。

第２時間Ｔ２は、透過水Ｗ３ａと試薬Ｒ１との反応が終了した試薬反応終了時間である。第２時間Ｔ２は、透過水Ｗ３ａと試薬Ｒ１との呈色反応がほぼ完結し、透過水Ｗ３ａの発色が安定する時間であり、予め試験等により求められた時間であって、予め制御部５１０のメモリ（不図示）に記憶されている。本実施形態においては、第２時間Ｔ２は、試薬Ｒ１の添加が開始されてから、２０分程度である。

計時部５１３は、第２時間Ｔ２を計時する。計時部５１３により計時された第２時間Ｔ２において、吸光度算出部５１１は、透過水Ｗ３ａの吸光度を算出する。

変化量算出部５１２は、光学検出部５４０及び吸光度算出部５１１により測定される試薬Ｒ１が添加された透過水Ｗ３ａの吸光度について、試薬Ｒ１が添加されてから第１時間Ｔ１経過後の透過水Ｗ３ａの吸光度Ａ１と、試薬Ｒ１が添加されてから第１時間Ｔ１よりも長い第２時間Ｔ２経過後の透過水Ｗ３ａの吸光度Ａ２との変化量、すなわち差分Ａ２−Ａ１を算出する。

シリカ濃度検出部５１４は、変化量算出部５１２により算出された吸光度の変化量（差分）に基づいて、シリカ濃度を検出する。具体的には、シリカ濃度検出部５１４は、算出された吸光度の変化量（差分）を透過水Ｗ３ａの吸光度と見做し、この吸光度に対してシリカ濃度と吸光度との検量線を用いて透過水Ｗ３ａ中のシリカ濃度を求める。検量線は、予めシリカ標準液を用いてシリカ濃度と吸光度との関係線として作成されており、制御部５１０のメモリ（不図示）に記憶されている。本実施形態においては、メモリ（不図示）には、透過水Ｗ３ａの吸光度とシリカ濃度との検量線として、透過水Ｗ３ａと試薬Ｒ１との呈色反応が完結された状態で作成された検量線が記憶されている。

シリカ濃度測定装置５４は、上記の構成を有することにより、透過水Ｗ３ａのシリカ濃度を測定することが可能となる。シリカ濃度測定装置５４によって測定される、透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が閾値を超えたことを検知することにより、後述のように電気伝導度を用いる場合に比較して、より早期に逆浸透膜装置５３における膜劣化を検知することが可能となる。

なお、上記のシリカ濃度測定装置５４の構成はあくまで一例であって、これには限定されない。

図３において、電気伝導度測定装置５５は、透過水Ｗ３ａの電気伝導度を測定する装置である。測定された電気伝導度に基づいて、逆浸透膜装置５３におけるＥＣ除去率（電気伝導度除去率）を算出することが可能であるが、このＥＣ除去率（電気伝導度除去率）が低いほど、逆浸透膜装置５３における膜劣化の度合いが高いと判定することが可能である。すなわち、電気伝導度測定装置５５によって測定される電気伝導度を閾値と比較することにより、逆浸透膜装置５３における膜劣化の度合いを判定することが可能である。

バルブＶ１は、通水ラインＬ１１の開閉を行うバルブである。バルブＶ１は、後述の制御部５６と通信し、制御部５６から制御されることにより、通水ラインＬ１１の開閉を行う。

通水ラインＬ１２は、逆浸透膜装置５３で得られた濃縮水Ｗ３ｂを通水（排水）するラインである。通水ラインＬ１２は、濃縮水Ｗ３ｂの一部を排水するように回収ろ過ユニット５の外部に接続される。通水ラインＬ１２の途中には、接続点Ｊ１にて分岐する通水ラインＬ１３が接続されている。通水ラインＬ１３は、前述したタンク５２とポンプＰ５の間における通水ラインＬ１０の途中に接続されており、濃縮水Ｗ３ｂの残部を通水ラインＬ１０中の２次処理水Ｗ２に供給可能に構成される。これにより、通水ラインＬ１３は、濃縮水Ｗ３ｂの残部を逆浸透膜装置５３へ還流する還流ラインとして機能する。通水ラインＬ１３の途中には、通水ラインＬ１０の上流側に還流させる濃縮水Ｗ３ｂの流量を調節するバルブＶ２が設けられている。

上述した通水ラインＬ１０−Ｌ１３、ポンプＰ５及び逆浸透膜モジュール５３Ａを備える装置として、逆浸透膜装置５３が構成されている。

接続点Ｊ１よりも下流側の通水ラインＬ１２の途中には、外部に排水させる濃縮水Ｗ３ｂの流量を調節する排水流量調整弁Ｆ１が設けられている。排水流量調整弁Ｆ１は、後述の制御部５６によって弁開度が制御されることにより、外部に排水させる濃縮水Ｗ３ｂの流量を調整する。

排水流量調整弁Ｆ１よりも下流側の通水ラインＬ１２の途中には、接続点Ｊ２にて分岐する前述した通水ラインＬ９が接続されている。通水ラインＬ９は、濃縮水Ｗ３ｂをタンク５２内の２次処理水Ｗ２へ戻すように通水するラインである。塩分濃度の高い濃縮水Ｗ３ｂを２次処理水Ｗ２に返送可能とすることで、通水ラインＬ９は、３次処理水の塩分濃度を調整する機能を有する。通水ラインＬ９の途中には、当該ラインの開閉を行うバルブＶ３が設けられている。

最終的に、通水ラインＬ１２は、通水ラインＬ９との接続箇所よりも下流側にて濃縮水Ｗ３ｂを排水するように設けられている。

図５は、制御部５６の機能を示す機能ブロック図である。制御部５６は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＭＯＳメモリ等を有し、これらはバスを介して相互に通信可能に構成される、当業者にとって公知のものである。

ＣＰＵは回収ろ過ユニット５を全体的に制御するプロセッサである。該ＣＰＵは、ＲＯＭに格納された各種プログラムを、バスを介して読み出し、該各種プログラムに従って逆回収ろ過ユニット５の全体を制御すると共に、警報部５６１、逆浸透膜装置制御部５６２、及び動作停止部５６３としての機能を実現するように構成される。ＲＡＭには一時的な計算データや表示データ等の各種データが格納される。ＣＭＯＳメモリは図示しないバッテリでバックアップされ、回収ろ過ユニット５の電源がオフされても記憶状態が保持される不揮発性メモリとして構成される。

警報部５６１は、シリカ濃度測定装置５４によって測定された透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が第１の閾値を超えたとき、警報装置（不図示）を用いて警報を発報する。これにより、従来技術よりも早期に逆浸透膜の劣化を検知し、排水再利用装置２の管理者に注意を喚起することが可能となる。この第１の閾値としては、１次処理水Ｗ１から抜き取った被処理水中のシリカ濃度と逆浸透膜装置５３で運転する濃縮倍率によって決まる濃縮水Ｗ３ｂ中のシリカ濃度の大小によっても変化するが、たとえば濃縮水Ｗ３ｂ中のシリカ濃度が１００ｐｐｍ程度である場合には、シリカ濃度測定装置５４の検出限界である０．５ｐｐｍから、２ｐｐｍまでの値を用いるとよい。

逆浸透膜装置制御部５６２は、シリカ濃度測定装置５４によって測定された透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が第１の閾値を超えたとき、逆浸透膜装置５３での回収率を下げる制御を実行する。より具体的には、逆浸透膜装置制御部５６２は、例えば、排水流量調整弁Ｆ１の開度を高め、排水としての濃縮水Ｗ３ｂの排水量を高めることにより、逆浸透膜装置５３での回収率を下げることが可能である。これにより、透過水Ｗ３ａの水量を減らして、逆浸透膜に掛る負担を減らすと共に、透過水Ｗ３ａの利用先での安全性を高めることが可能となる。

動作停止部５６３は、シリカ濃度測定装置５４によって測定された透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が第１の閾値を超えた後、電気伝導度測定装置５５によって測定された透過水Ｗ３ａの電気伝導度が第２の閾値を超えたとき、排水再利用装置２の動作を停止する。電気伝導度に基づいた逆浸透膜の劣化、延いては起泡性有機物や界面活性剤のリークの可能性の検知は、シリカ濃度に基づいて検知した場合よりも遅く検知される分、逆浸透膜の劣化や起泡性有機物や界面活性剤のリークの可能性がより高いことが推察されるが、この場合に排水再利用装置の動作を停止することにより、より安全に排水再利用装置を使用することが可能となる。

この第２の閾値としては、１次処理水Ｗ１から抜き取った被処理水中のシリカ濃度と逆浸透膜装置５３で運転する濃縮倍率によって決まる濃縮水Ｗ３ｂ中の電気伝導率の大小によっても変化するが、たとえば濃縮水Ｗ３ｂ中の電気伝導率が１０００μＳ／ｃｍ程度である場合には、電気伝導度測定装置５５の測定値として１０−２０μＳ／ｃｍの値を用いるとよい。

回収ろ過ユニット５は、上述した構成により、排水処理設備４で得られた１次処理水Ｗ１を回収してろ過し、ろ過した水（３次処理水としての透過水Ｗ３ａ）をボイラ装置３への供給水として供給するように構成される。

なお、上記の回収ろ過ユニット５のポンプＰ４，Ｐ５、バルブＶ１〜Ｖ３、排水流量調整弁Ｆ１、ブロワＢ３、シリカ濃度測定装置５４と、電気伝導度測定装置５５の運転は、制御部５６により制御及び管理される。

回収ろ過ユニット５は、上述した構成により、排水処理設備４で得られた１次処理水Ｗ１を回収してろ過し、ろ過した水（３次処理水としての透過水Ｗ３ａ）をボイラ装置３への供給水として供給するように構成される。

なお、上記の回収ろ過ユニット５の構成はあくまで一例であって、これには限定されない。

〔２．４ ボイラ装置の構成〕
図６は、ボイラ装置３の構成例を示す図である。ボイラ装置３は、図６に示すように、缶体３２０と、蒸気圧測定部３３０と、水位検知部３３１と、コントロールバルブ３３と、給水ポンプ３４と、気水分離部３５と、排水部３６と、制御部３７と、を備える。

缶体３２０は、図６に示すように、ボイラ筐体３２１と、複数の水管３２２と、下部ヘッダ３２３と、上部ヘッダ３２４と、燃焼室３２５と、燃焼部３２６と、を備える。
ボイラ筐体３２１は、缶体３２０の外形を構成する。

複数の水管３２２は、ボイラ筐体３２１の内部に上下方向に延びて配置される。
下部ヘッダ３２３は、ボイラ筐体３２１の下部に配置される。下部ヘッダ３２３には、複数の水管３２２の下端部が接続される。
上部ヘッダ３２４は、ボイラ筐体３２１の上部に配置される。上部ヘッダ３２４には、複数の水管３２２の上端部が接続される。

燃焼室３２５は、複数の水管３２２に囲まれた空間により構成される。燃焼室３２５は、これら水管３２２と燃焼部３２６からの燃焼ガス（炎及び排気ガス）とを熱交換させる。

燃焼部３２６は、燃焼室３２５の上方に配置され、段階的な複数の燃焼位置で燃焼することにより缶体３２０の内部を加熱する。燃焼部３２６は、燃料噴射ノズル及び空気供給ノズル（いずれも図示せず）を含んで構成される。燃焼部３２６は、燃料噴射ノズルから燃料を缶体３２０の燃焼室３２５に向けて噴射すると共に、空気供給ノズルから空気を缶体３２０の燃焼室３２５に供給して、燃料を燃焼させる。
本実施形態では、各燃焼位置における燃焼部３２６の燃焼量は、高燃焼位置における燃焼を１００％とした場合、中燃焼位置における燃焼が５０％、低燃焼位置における燃焼が２０％となるように設定されている。

蒸気圧測定部３３０は、ボイラ装置３の上部ヘッダ３２４の内部の蒸気圧（「ヘッダ蒸気圧」という）を測定する。蒸気圧測定部３３０で測定されたヘッダ蒸気圧は、制御部３７へ測定信号として送信される。

水位検知部３３１は、水管３２２に貯留される缶水Ｗ３２の水位を検出する。水位検知部３３１で検出された缶水Ｗ３２の水位は、制御部３７へ検出信号として送信される。

コントロールバルブ３３は、通水ラインＬ１１から流れてくる透過水Ｗ３ａの流路を、給水ラインＬ２１と迂回ラインＬ２２との間で切り替える流路切替手段である。なお、流路切替手段として、コントロールバルブ３３の代わりに複数のバルブを用いてもよい。

給水ポンプ３４は、通水ラインＬ１１を介して水を吸入し、給水ラインＬ２１を流通する透過水Ｗ３ａをボイラ筐体３２１に向けて送出する。給水ポンプ３４にはインバータ（不図示）が設けられ、透過水Ｗ３ａの水量を調整可能としている。また、給水ポンプ３４が透過水Ｗ３ａをボイラ筐体３２１に送り出すタイミングとその給水量は、制御部３７から送信される制御信号により制御される。

気水分離部３５は、上部ヘッダ３２４から蒸気取出ラインＬ３４を介して導入された蒸気ＳＭ１を、乾き蒸気ＳＭ２と水分（以下「分離水Ｗ３４」ともいう）とに分離する装置である。なお、気水分離部３５により分離される分離水Ｗ３４は、缶水Ｗ３２の一部でもある。

排水部３６は排水量を調整することで、ブロー率の設定を行う。排水部３６は、例えば、ブローラインＬ３３に並列に設けられた複数のブロー弁３６０（３６０Ａ及び３６０Ｂ）を備えるように構成することができる。ブロー弁３６０Ａ、ブロー弁３６０Ｂは、制御部３７により、それぞれ個別に制御される。

制御部３７は、蒸気圧測定部３３０から受信するヘッダ蒸気圧に基づいて、燃焼部３２６の燃焼位置を制御する。また、制御部３７は、燃焼部３２６の燃焼位置及び水位検知部３３１から受信する缶水Ｗ３２の水位等に基づいて、給水ポンプ３４の給水量を調整する。また、制御部３７は、排水部３６のブロー弁３６０の開閉を制御することによって濃縮ブロー量を調整する。

また、ボイラ装置３は、給水ラインＬ２１と、迂回ラインＬ２２と、燃料供給ラインＬ３２と、ブローラインＬ３３と、蒸気取出ラインＬ３４と、蒸気送出ラインＬ３５と、降水ラインＬ３６と、を備える。本明細書における「ライン」とは、流路、経路、管路等の流体の流通が可能なラインの総称である。

給水ラインＬ２１は、ボイラ装置３への給水としての透過水Ｗ３ａをボイラ筐体３２１に供給するラインである。給水ラインＬ２１には、給水ポンプ３４が設けられている。

迂回ラインＬ２２は、通水ラインＬ１１からの透過水Ｗ３ａをボイラ筐体３２１に供給せず、ボイラ筐体３２１を回避するように、透過水Ｗ３ａを迂回させるラインである。

燃料供給ラインＬ３２は、燃焼部３２６により燃焼される燃料Ｆを燃焼部３２６に供給するラインである。燃料供給ラインＬ３２には、燃料供給弁３９２が設けられている。燃料供給弁３９２における弁体の開閉は、制御部３７からの制御信号により制御される。

ブローラインＬ３３は、降水ラインＬ３６を流通する分離水Ｗ３４を、接続部Ｊ３１を介して、缶体３２０の外部に排出するラインである。ブローラインＬ３３には、ブロー弁３６０（３６０Ａ及び３６０Ｂ）が設けられている。ブロー弁３６０における弁体の開閉は、制御部３７からの制御信号により制御される。

蒸気取出ラインＬ３４は、生成された蒸気ＳＭ１を、ボイラ筐体３２１から取り出して、気水分離部３５に導入させるラインである。

蒸気送出ラインＬ３５は、気水分離部３５により分離された乾き蒸気ＳＭ２を、蒸気ヘッダ３５０に向けて送り出すラインである。蒸気送出ラインＬ３５には、蒸気弁３９５が設けられている。
蒸気ヘッダ３５０は、ボイラ装置３からの蒸気を集合させて、集合した蒸気ＳＭ３を負荷機器（不図示）に供給する設備である。

降水ラインＬ３６は、気水分離部３５により分離された分離水Ｗ３４を、ボイラ筐体３２１の下部ヘッダ３２３に向けて流下させるラインである。接続部Ｊ３１には、ブローラインＬ３３の上流側の端部が接続されている。

図７は、制御部３７の機能を示す機能ブロック図である。制御部３７は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＭＯＳメモリ等を有し、これらはバスを介して相互に通信可能に構成される、当業者にとって公知のものである。

ＣＰＵはボイラ装置３を全体的に制御するプロセッサである。該ＣＰＵは、ＲＯＭに格納された各種プログラムを、バスを介して読み出し、該各種プログラムに従ってボイラ装置３の全体を制御すると共に、ブロー率調整部３７１、及び流路制御部３７２としての機能を実現するように構成される。ＲＡＭには一時的な計算データや表示データ等の各種データが格納される。ＣＭＯＳメモリは図示しないバッテリでバックアップされ、ボイラ装置３の電源がオフされても記憶状態が保持される不揮発性メモリとして構成される。

なお、制御部３７は、回収ろ過ユニット５の制御部５６と通信することにより、シリカ濃度測定装置５４によって測定された透過水Ｗ３ａのシリカ濃度、及び、電気伝導度測定装置５５によって測定された透過水Ｗ３ａの電気伝導度を取得することが可能である。

ブロー率調整部３７１は、シリカ濃度測定装置５４によって測定された透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、排水部３６を制御することにより、ボイラ装置３からの排水の流量を高め、ボイラ装置３のブロー率を上昇させる。これにより、透過水Ｗ３ａへの起泡性有機物や界面活性剤のリークが懸念される場合、ボイラ装置３のブロー率を上げて、ボイラ装置３への給水に対するボイラ装置３からの排水の度合いを高め、ボイラ装置３から起泡性有機物や界面活性剤の含有が懸念される処理水を排出することにより、より安全にボイラ装置３を使用することが可能となる。

流路制御部３７２は、シリカ濃度測定装置５４によって測定された透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が第１の閾値よりも高い第３の閾値を超えた場合に、コントロールバルブ３３を制御することにより、透過水Ｗ３ａがボイラ筐体３２１を回避するように、透過水Ｗ３ａを迂回させる。これにより、透過水Ｗ３ａへの起泡性有機物や界面活性剤のリークの可能性がより高まった場合、透過水Ｗ３ａをボイラに流通させないことにより、より安全にボイラを使用することが可能となる。

この第３の閾値は、ボイラ蒸気の用途、排水中に含まれる界面活性剤成分等によって適宜設定され、例えば、あらかじめボイラ蒸気中に界面活性物質等の不純物が混入する不適となる場合のシリカ濃度を把握しておき、その濃度を持って第３の閾値とする。また、第３の閾値は第１の閾値より大きく設定されるため、例えば第１の閾値が０．５−２ｐｐｍの場合、第３の閾値は１−５ｐｐｍ程度に設定される。

なお、透過水Ｗ３ａのシリカ濃度が第３の閾値を超えたため、透過水Ｗ３ａがボイラ筐体３２１を回避するように迂回させた場合、迂回させた透過水Ｗ３ａは、例えば工場内の清掃水（トイレや床などの洗浄水）など別用途に用いるものとする。

ボイラ装置３は、上記の構成により、回収ろ過ユニット５から供給される透過水Ｗ３ａをボイラ装置３への給水として安全に利用する。

なお、上記のボイラ装置３の構成はあくまで一例であって、これには限定されない。

〔３ 実施形態の動作〕
〔３．１ 第１の動作〕
本実施形態に係る排水再利用装置２、及び排水再利用装置２を備えるボイラシステム１の動作について、図８及び図９を参照することにより説明する。
図８は、排水再利用装置２の動作であって、主として回収ろ過ユニット５の制御部５６の制御に基づく第１の動作を示すフローチャートである。

ステップＳ１１において、シリカ濃度測定装置５４が透過水Ｗ３ａのシリカ濃度を測定する。

ステップＳ１２において、測定したシリカ濃度が第１の閾値を越える場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）には、処理はステップＳ１３に移行する。測定したシリカ濃度が第１の閾値以下の場合（Ｓ１２：ＮＯ）には、処理はステップＳ１１に移行する。

ステップＳ１３において、警報部５６１は、警報装置（不図示）を用いて警報を発報する。

ステップＳ１４において、逆浸透膜装置制御部５６２は、逆浸透膜装置５３における回収率を下げるよう、例えば排水流量調整弁Ｆ１の開度を大きくする。

なお、ステップＳ１３及びステップＳ１４の処理は、双方の処理を実行しても、いずれか一方の処理のみを実行してもよい。

ステップＳ１５において、電気伝導度測定装置５５は、透過水Ｗ３ａの電気伝導度を測定する。

ステップＳ１６において、測定された電気伝導度が第２の閾値を越える場合（Ｓ１６：ＹＥＳ）には、処理はステップＳ１７に移行する。測定された電気伝導度が第２の閾値以下の場合（Ｓ１６：ＮＯ）には、処理はステップＳ１１に移行する。

ステップＳ１７において、動作停止部５６３は、排水再利用装置２の動作を停止する。

〔３．２ 第２の動作〕
図９は、ボイラシステム１の動作であって、主としてボイラ装置３の制御部３７の制御に基づく第２の動作を示すフローチャートである。

ステップＳ２１において、シリカ濃度測定装置５４が透過水Ｗ３ａのシリカ濃度を測定する。

ステップＳ２２において、測定されたシリカ濃度が第１の閾値を超える場合には、処理はステップＳ２３に移行する。測定されたシリカ濃度が第１の閾値以下の場合には、処理はステップＳ２１に移行する。

ステップＳ２３において、測定されたシリカ濃度が第１の閾値よりも高い第３の閾値を超える場合には、処理はステップＳ２４に移行する。測定されたシリカ濃度が第３の閾値以下の場合には、処理はステップＳ２５に移行する。

ステップＳ２４において、流路制御部３７２は、通水ラインＬ１１からの透過水Ｗ３ａがボイラ装置３を迂回するように、流路切替手段であるコントロールバルブ３３を制御する。

ステップＳ２５において、ブロー率調整部３７１は、ボイラ装置３のブロー率を上げるように、排水部３６を制御する。

〔４ 実施形態が奏する効果〕
上記の実施形態に係る排水再利用装置２、及び排水再利用装置２を備えるボイラシステム１によれば例えば以下の効果が得られる。

排水再利用装置２は、排水処理設備４から回収される１次処理水から、ろ過膜によって懸濁物質を除去することにより２次処理水を生成するろ過膜装置５１と、２次処理水を逆浸透膜で膜分離することにより３次処理水を生成する逆浸透膜装置５３と、逆浸透膜装置５３の出口で、３次処理水のシリカ濃度を測定するシリカ濃度測定装置５４と、シリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、警報を発報する警報装置とを備える。

従来技術においては、逆浸透膜の劣化を電気伝導度によって検知していた。しかし、逆浸透膜でのリークがある場合、処理水中のシリカ濃度の変化を電気伝導度の変化に先んじて検知することが可能であるため、従来技術よりも早期に逆浸透膜の劣化を検知することが可能となる。

また、排水再利用装置２は、シリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、逆浸透膜装置５３での回収率を下げる逆浸透膜装置制御部５６２を更に備える。

シリカ濃度が第１の閾値を超えたために逆浸透膜の劣化が検知された場合に、逆浸透膜装置での回収率を下げて透過水（３次処理水）の水量を減らすことにより、逆浸透膜に掛る負担を減らすと共に、透過水（３次処理水）の利用先での安全性を高めることが可能となる。

また、排水再利用装置２は、３次処理水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定装置５５と、電気伝導度が第２の閾値を超えた場合に排水再利用装置２の動作を停止する動作停止部５６３とを更に備える。

電気伝導度に基づいた逆浸透膜の劣化、延いては起泡性有機物や界面活性剤のリークの可能性の検知は、シリカ濃度に基づいて検知した場合よりも遅く検知される分、逆浸透膜の劣化や起泡性有機物や界面活性剤のリークの可能性がより高いことが推察されるが、この場合に排水再利用装置の動作を停止することにより、より安全に排水再利用装置を使用することが可能となる。

また、ボイラシステム１は、排水再利用装置２と、３次処理水を給水として利用するボイラ装置３と、シリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、ボイラ装置３のブロー率を上げるブロー率調整部３７１とを備える。

シリカ濃度が第１の閾値を超えたために逆浸透膜の劣化が検知され、透過水Ｗ３ａ（３次処理水）への起泡性有機物や界面活性剤のリークが懸念される場合、ボイラ装置３のブロー率を上げて、ボイラ装置３への給水に対するボイラ装置３からの排水の度合いを高め、ボイラ装置３から起泡性有機物や界面活性剤の含有が懸念される処理水を排出することにより、より安全にボイラ装置３を使用することが可能となる。

また、ボイラシステム１は、シリカ濃度が第１の閾値よりも高い第３の閾値を超えた場合に、３次処理水がボイラ装置３を回避するように３次処理水の流路を制御する流路制御部３７２を更に備える。

シリカ濃度が第１の閾値よりも高い第３の閾値を超えたために、透過水（３次処理水）への起泡性有機物や界面活性剤のリークの可能性がより高まった場合、透過水（３次処理水）をボイラに流通させないことにより、より安全にボイラを使用することが可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、前述した実施形態に限定されることなく、種々の形態で実施することができる。

〔５ 変形例〕
例えば、回収ろ過ユニット５は、通水ラインＬ９及び／又は通水ラインＬ１３を備えず、通水ラインＬ１２を流通する濃縮水Ｗ３ｂは、通水ラインＬ１０やタンク５２に返送されなくてもよい。

１ ボイラシステム
２ 排水再利用装置
３ ボイラ装置
４ 排水処理設備
５ 回収ろ過ユニット
３７ ５６ 制御部
３７１ ブロー率調整部
３７２ 流路制御部
５６１ 警報部
５６２ 逆浸透膜装置制御部
５６３ 動作停止部

Claims (5)

1. 排水処理槽から回収される１次処理水から、ろ過膜によって懸濁物質を除去することにより２次処理水を生成するろ過膜装置と、
   前記２次処理水を逆浸透膜で膜分離することにより３次処理水を生成する逆浸透膜装置と、
   前記逆浸透膜装置の出口で、前記３次処理水のシリカ濃度を測定するシリカ濃度測定装置と、
   前記シリカ濃度が第１の閾値を超えた場合に、警報を発報する警報装置と、を備える排水再利用装置。
2. 前記シリカ濃度が前記第１の閾値を超えた場合に、前記逆浸透膜装置での回収率を下げる逆浸透膜装置制御部を更に備える、請求項１に記載の排水再利用装置。
3. 前記３次処理水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定装置と、
   前記電気伝導度が第２の閾値を超えた場合に前記排水再利用装置の動作を停止する動作停止部とを更に備える、請求項１又は２に記載の排水再利用装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の排水再利用装置と、
   前記３次処理水を給水として利用するボイラと、
   前記シリカ濃度が前記第１の閾値を超えた場合に、前記ボイラのブロー率を上げるブロー率調整部とを備える、ボイラシステム。
5. 前記シリカ濃度が前記第１の閾値よりも高い第３の閾値を超えた場合に、前記３次処理水が前記ボイラを回避するように前記３次処理水の流路を制御する流路制御部を更に備える、請求項４に記載のボイラシステム。
   
   

Images