JP2020053419A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
(a)下地と、前記下地上に形成されたシリコンを含有する第1の膜と、を有する基板を処理容器内へ搬入する工程と、
(b)ヘリウムを含有する改質ガスをプラズマ化し、ヘリウムの反応種を生成する工程と、
(c)ヘリウムの反応種を含む前記改質ガスを前記基板の表面に供給し、前記第1の膜と、前記下地のうち前記第1の膜との界面を構成する界面層と、をそれぞれ改質する工程と、
を有する技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について図1〜図3を参照しながら説明する。
(1)基板処理装置
上述の基板処理装置100を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上に形成された膜をプラズマを用いて改質する基板処理シーケンス例について、主に図4(a)、図4(b)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ221により制御される。
下地と、下地上に形成されたシリコン(Si)を含有する第1の膜と、を有するウエハ200を処理容器203内へ搬入するステップAと、
ヘリウム(He)を含有する改質ガスをプラズマ化し、Heの反応種を生成するステップBと、
Heの反応種を含む改質ガスをウエハ200の表面に供給し、第1の膜と、下地のうち第1の膜との界面を構成する界面層と、をそれぞれ改質するステップCと、
を実施する。
サセプタ217を所定の搬送位置まで降下させた状態で、ゲートバルブ244を開き、処理対象のウエハ200を、図示しない搬送ロボットにより処理室201内へ搬入する(ステップA)。処理室201内へ搬入されたウエハ200は、サセプタ217の基板載置面217dから上方へ突出した3本の支持ピン266上に水平姿勢で支持される。処理室201内へのウエハ200の搬入が完了した後、処理室201内から搬送ロボットのアーム部を退去させ、ゲートバルブ244を閉じる。その後、サセプタ217を所定の処理位置まで上昇させ、処理対象のウエハ200を、支持ピン266上からサセプタ217上へと移載させる。
続いて、処理室201内が所望の処理圧力となるように、真空ポンプ246によって真空排気される。処理室201内の圧力は圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ242がフィードバック制御される。また、ウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ217bによって加熱される。処理室201内が所望の処理圧力となり、また、ウエハ200の温度が所望の処理温度に到達して安定したら、後述する改質処理を開始する。
この処理では、まず、改質ガスとしてのHeガスをプラズマ化し、Heの反応種を生成する(ステップB)。具体的には、バルブ253a、243aを開き、MFC252aにて流量制御しながら、バッファ室237を介して処理室201内へHeガスを供給する。このとき、共振コイル212に対して、高周波電源273から高周波電力を供給する。これにより、プラズマ生成空間201a内における共振コイル212の電気的中点に相当する高さ位置に、平面視がドーナツ状である誘導プラズマが励起される。誘導プラズマの励起により、Heガスが活性化され、Heの反応種が生成される。Heの反応種には、励起状態のHe原子(He*)、および、イオン化されたHe原子のうち、少なくともいずれかが含まれる。
Heガス供給流量:10〜5000sccm、好ましくは100〜1000sccm、例えば150sccm
Heガス供給時間:0.2〜60分、好ましくは0.5〜10分、例えば1分
高周波電力:100〜5000W、好ましくは500〜3500W、例えば1500W
処理温度:室温〜1000℃、より好ましくは600〜900℃、例えば700℃
処理圧力:1〜250Pa、より好ましくは50〜150Pa、例えば100Pa
が例示される。なお、本明細書における「10〜5000sccm」のような数値範囲の表記は、「10sccm以上5000sccm以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。
上述の改質処理が完了した後、処理室201内へのHeガスの供給を停止するとともに、共振コイル212への高周波電力の供給を停止する。そして、バルブ253cを開き、N2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される。その後、処理室201内の雰囲気がN2ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。
続いて、サセプタ217を所定の搬送位置まで下降させ、ウエハ200を、サセプタ217上から支持ピン266上へと移載させる。その後、ゲートバルブ244を開き、図示しない搬送ロボットを用い、処理後のウエハ200を処理室201外へ搬出する。以上により、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
本実施形態における基板処理シーケンスは、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。これらの変形例は任意に組み合わせることができる。特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、図4(a)、図4(b)を用いて説明した基板処理シーケンス(以下、単に上述の基板処理シーケンス)の各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とすることができる。
ウエハ200上に予め形成された改質対象の第1の膜は、SiO膜に限らず、SiおよびSi以外の元素を含む他の膜であってもよい。例えば、第1の膜は、SiおよびNを含む膜、すなわち、シリコン窒化膜(SiN膜)であってもよく、また、Si、OおよびNを含む膜、すなわち、シリコン酸窒化膜(SiON膜)であってもよい。また、第1の膜は、Si単体からなるSi膜であってもよい。これらの場合においても、改質ガスとして、Heガスを含み、酸化剤および窒化剤をいずれも含まないガスを用いることで、上述の基板処理シーケンスと同様の効果が得られる。
改質対象の第1の膜がSiO膜である場合、改質ガスとして、Heガス等の希ガスを含み、酸化剤をさらに含むガスを用いるようにしてもよい。酸化剤としては、例えば、O2ガス、亜酸化窒素(N2O)ガス、一酸化窒素(NO)ガス、二酸化窒素(NO2)ガス、水蒸気(H2O)ガス、一酸化炭素(CO)ガス、二酸化炭素(CO2)ガス等のO含有ガスを用いることができる。以下、一例として、酸化剤としてO2ガスを用い、改質ガスとして、HeガスとO2ガスとを含む混合ガス(Heガス+O2ガス)を用いる場合について、図5(a)、図5(b)、図6(a)、図6(b)、図7(a)、図7(b)を用いて詳しく説明する。
Heガス供給流量:10〜5000sccm、好ましくは100〜1000sccm、例えば150sccm
O2ガス供給流量:10〜5000sccm、好ましくは100〜1000sccm、例えば50sccm
Heガス+O2ガス供給時間:0.5〜60分、好ましくは0.5〜10分、例えば1分
が例示される。他の処理条件は、上述の基板処理シーケンスのステップB,Cにおける処理条件と同様である。
改質対象の第1の膜がSiN膜である場合、改質ガスとして、Heガス等の希ガスを含み、窒化剤をさらに含むガスを用いるようにしてもよい。窒化剤としては、例えば、N2ガスやアンモニア(NH3)ガス等のN含有ガスを用いることが可能である。以下、一例として、窒化剤としてN2ガスを用い、改質ガスとして、HeガスとN2ガスとを含む混合ガス(Heガス+N2ガス)を用いる場合について説明する。
Heガス供給流量:10〜5000sccm、好ましくは100〜1000sccm、例えば150sccm
N2ガス供給流量:10〜5000sccm、好ましくは100〜1000sccm、例えば50sccm
Heガス+N2ガス供給時間:0.2〜60分、好ましくは0.5〜10分、例えば1分
が例示される。他の処理条件は、上述の基板処理シーケンスのステップB,Cにおける処理条件と同様である。
改質対象の第1の膜がSiON膜である場合、改質ガスとして、Heガス等の希ガスを含み、酸化剤および窒化剤のうちいずれか、好ましくは、これらの両方をさらに含むガスを用いるようにしてもよい。本変形例のステップB,Cにおける処理手順、処理条件は、変形例2,3のステップB,Cにおける処理手順、処理条件と同様とすることができる。本変形例においても、変形例2,3と略同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、好ましい態様について付記する。
(a)下地と、前記下地上に形成されたシリコンを含有する第1の膜と、を有する基板を処理容器内へ搬入する工程と、
(b)ヘリウムを含有する改質ガスをプラズマ化し、ヘリウムの反応種を生成する工程と、
(c)ヘリウムの反応種を含む前記改質ガスを前記基板の表面に供給し、前記第1の膜と、前記下地のうち前記第1の膜との界面を構成する界面層と、をそれぞれ改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法または基板処理方法。
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、前記第1の膜を緻密化させ、改質後の前記第1の膜の厚さを、改質前の前記第1の膜の厚さよりも薄くする。また好ましくは、改質後の前記第1の膜の膜密度を、改質前の前記第1の膜の膜密度よりも大きくする。また好ましくは、改質後の前記第1の膜のウエットエッチング耐性を、改質前の前記第1の膜のウエットエッチング耐性よりも高くする。
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、前記第1の膜中に含まれる不純物を、前記第1の膜中から除去する。
付記3に記載の方法 であって、好ましくは、
前記不純物は、水素、酸素、水分、炭素、窒素、リン、硫黄、フッ素、塩素からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
付記1〜4のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
改質前の前記第1の膜の厚さは、該膜の厚さ方向全体にわたって該膜中に前記改質ガスを行きわたらせ、さらに、該膜を介して前記界面層に前記反応種を到達させることが可能な厚さである。より好ましくは、改質前の前記第1膜の厚さは、10nm以下、好ましくは7nm以下の厚さである。
付記1〜5のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
改質前の前記第1の膜の膜密度は、該膜の厚さ方向全体にわたって該膜中に前記反応種を行きわたらせ、さらに、該膜を介して前記界面層に前記反応種を到達させることが可能な大きさである。より好ましくは、改質前の前記第1膜の膜密度は、3.00g/cm3以下、好ましくは2.50g/cm3以下の大きさである。
付記1〜6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記改質ガスとして、ヘリウムガスを含み、酸化剤および窒化剤をいずれも含まないガスを用いる。好ましくは、ヘリウムガスとヘリウム以外の希ガスとを含み酸化剤および窒化剤のそれぞれを含まないガスを用いる。また好ましくは、ヘリウムガスを単体で用いる。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、改質後の前記第1の膜と、改質により組成が変化した前記界面層と、の合計厚さを、改質前の前記第1の膜と、改質により組成が変化する前の前記界面層と、の合計厚さよりも増加させないようにする。また、好ましくは、(c)では、改質により組成が変化する前の前記界面層の厚さに対する、改質により組成が変化した後の前記界面層の厚さの増大量が、改質前の前記第1の膜の厚さに対する、改質後の前記第1の膜の厚さの減少量を超えないようにする。
付記1〜6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の膜は、酸素(O)を含むシリコン酸化膜であり、
前記改質ガスとして、ヘリウムガスを含む希ガスであって酸化剤をさらに含むガスを用いる。
付記9に記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、前記第1の膜を酸化させ、前記第1の膜の組成を化学量論組成のシリコン酸化膜の組成に近づける。
付記9または10に記載の方法であって、好ましくは、
改質前の前記界面層はシリコン層であり、(c)では、前記界面層をシリコン酸化層へと改質(酸化)させる。
付記1〜6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の膜は、窒素(N)を含むシリコン窒化膜であり、
前記改質ガスとして、ヘリウムガスを含み、窒化剤をさらに含むガスを用いる。
付記12に記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、前記第1の膜を窒化させ、前記第1の膜の組成を化学量論組成のシリコン窒化膜の組成に近づける。
付記12または13に記載の方法であって、好ましくは、
改質前の前記界面層はシリコン層であり、(c)では、前記界面層をシリコン窒化層へと改質(窒化)させる。
付記9〜14のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、改質後の前記第1の膜と、改質により組成が変化した前記界面層と、の合計厚さを、改質前の前記第1の膜と、改質により組成が変化する前の前記界面層と、の合計厚さよりも薄くする。また好ましくは、(c)では、改質により組成を変化させる前記界面層の厚さの増加量(界面層自体の厚さの増加量)を、改質による前記第1の膜の厚さの減少量よりも小さくする。
付記9〜14のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、改質後の前記第1の膜と、改質により組成が変化した前記界面層と、の合計厚さを、改質前の前記第1の膜と、改質により組成が変化する前の前記界面層と、の合計厚さと等しくする。また好ましくは、(c)では、改質により組成を変化させる前記界面層の厚さの増加量(界面層自体の厚さの増加量)を、改質による前記第1の膜の厚さの減少量と一致させる。
付記9〜14のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、改質後の前記第1の膜と、改質により組成が変化した前記界面層と、の合計厚さを、改質前の前記第1の膜と、改質により組成が変化する前の前記界面層と、の合計厚さよりも厚くする。また好ましくは、(c)では、改質により組成を変化させる前記界面層の厚さの増加量(界面層自体の厚さの増加量)を、改質による前記第1の膜の厚さの減少量よりも大きくする。
付記9〜14のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、改質後の前記第1の膜と、改質により組成が変化した前記界面層と、の合計厚さを、前記処理容器内へ供給するHeガスの流量Aに対する、前記処理容器内へ供給する前記酸化剤あるいは前記窒化剤の流量Bの比率(B/A)により調整する。
例えば、(c)における比率B/Aを増加させることにより、前記合計厚さを大きくする方向に調整する。また例えば、(c)における比率B/Aを減少させることにより、前記合計厚さを小さくする方向に調整する。
本発明の他の態様によれば、
基板を収容する処理容器と、
ヘリウムを含有する改質ガスを前記処理容器内へ供給する改質ガス供給系と、
前記改質ガスを前記処理容器内でプラズマ化させるプラズマ生成部と、
前記処理容器内において、付記1の各処理(各工程)を行わせるように、前記改質ガス供給系および前記プラズマ生成部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理容器内において、
付記1における各手順(各工程)をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
300 改質前の第1の膜
300’ 改質後の第1の膜
200d 改質前の界面層
200d ’改質後の界面層
Claims (5)
- (a)下地と、前記下地上に形成されたシリコンを含有する第1の膜と、を有する基板を処理容器内へ搬入する工程と、
(b)ヘリウムを含有する改質ガスをプラズマ化し、ヘリウムの反応種を生成する工程と、
(c)ヘリウムの反応種を含む前記改質ガスを前記基板の表面に供給し、前記第1の膜と、前記下地のうち前記第1の膜との界面を構成する界面層と、をそれぞれ改質する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 改質前の前記第1の膜の厚さは、該膜の厚さ方向全体にわたって該膜中に前記反応種を行きわたらせ、さらに、該膜を介して前記界面層に前記反応種を到達させることが可能な厚さである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 改質前の前記第1の膜の膜密度は、該膜の厚さ方向全体にわたって該膜中に前記反応種を行きわたらせ、さらに、該膜を介して前記界面層に前記反応種を到達させることが可能な大きさである請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理容器と、
ヘリウムを含有する改質ガスを前記処理容器内へ供給する改質ガス供給系と、
前記改質ガスを前記処理容器内でプラズマ化させるプラズマ生成部と、
(a)下地と、前記下地上に形成されたシリコンを含有する第1の膜と、を有する基板を前記処理容器内へ搬入する処理と、(b)前記改質ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、ヘリウムの反応種を生成する処理と、(c)ヘリウムの反応種を含む前記改質ガスを前記基板の表面に供給し、前記第1の膜と、前記下地のうち前記第1の膜との界面を構成する界面層と、をそれぞれ改質する処理と、を行わせるように、前記改質ガス供給系および前記プラズマ生成部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - (a)下地と、前記下地上に形成されたシリコンを含有する第1の膜と、を有する基板を基板処理装置の処理容器内へ搬入する手順と、
(b)ヘリウムを含有する改質ガスをプラズマ化し、ヘリウムの反応種を生成する手順と、
(c)ヘリウムの反応種を含む前記改質ガスを前記基板の表面に供給し、前記第1の膜と、前記下地のうち前記第1の膜との界面を構成する界面層と、をそれぞれ改質する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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TW (1) | TWI813714B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240044516A (ko) | 2021-11-26 | 2024-04-04 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022902A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2009099252A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Limited | 絶縁膜のプラズマ改質処理方法 |
JP2009182000A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20100267248A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-21 | Applied Materials, Inc. | Post Treatment Methods for Oxide Layers on Semiconductor Devices |
JP2012227336A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁膜の製造方法 |
JP2017521865A (ja) * | 2014-07-15 | 2017-08-03 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 高縦横比を有する凹部の上に絶縁膜を蒸着する方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2702430B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5968324A (en) * | 1995-12-05 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing antireflective coating |
JP2004175927A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Canon Inc | 表面改質方法 |
JP2006216809A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008053308A (ja) | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置 |
JP4636133B2 (ja) | 2008-07-22 | 2011-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化チタン膜の改質方法及び改質装置 |
TW201118929A (en) | 2009-11-24 | 2011-06-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Method for forming crystalline silicon film |
JP2011168881A (ja) | 2010-01-25 | 2011-09-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
KR101129513B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2012-03-29 | 동국대학교 산학협력단 | 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법 |
TW201301403A (zh) * | 2011-06-24 | 2013-01-01 | United Microelectronics Corp | Mos電晶體的製作方法、鰭式場效電晶體及其製作方法 |
US9214333B1 (en) * | 2014-09-24 | 2015-12-15 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for uniform reduction of the in-feature wet etch rate of a silicon nitride film formed by ALD |
US10354860B2 (en) * | 2015-01-29 | 2019-07-16 | Versum Materials Us, Llc | Method and precursors for manufacturing 3D devices |
JP6607795B2 (ja) | 2016-01-25 | 2019-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10529554B2 (en) * | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10062575B2 (en) * | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US9847221B1 (en) * | 2016-09-29 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing |
US11037780B2 (en) * | 2017-12-12 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing semiconductor device with helium-containing gas |
-
2018
- 2018-09-21 JP JP2018177863A patent/JP6903040B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-28 TW TW108122897A patent/TWI813714B/zh active
- 2019-08-09 CN CN201910738427.4A patent/CN110942976B/zh active Active
- 2019-09-10 KR KR1020190112195A patent/KR102226603B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-11 SG SG10201908412UA patent/SG10201908412UA/en unknown
- 2019-09-13 US US16/570,452 patent/US11081362B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022902A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009182000A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2009099252A1 (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Tokyo Electron Limited | 絶縁膜のプラズマ改質処理方法 |
US20100267248A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-21 | Applied Materials, Inc. | Post Treatment Methods for Oxide Layers on Semiconductor Devices |
JP2012227336A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁膜の製造方法 |
JP2017521865A (ja) * | 2014-07-15 | 2017-08-03 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 高縦横比を有する凹部の上に絶縁膜を蒸着する方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240044516A (ko) | 2021-11-26 | 2024-04-04 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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