JP2020052132A - 電気光学装置及びその制御方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】１ドット表示の場合でも精細な表示ができる電気光学装置を提供する。【解決手段】プロジェクター１は、所定画素を含む複数の画素が配列された液晶パネル１０と、所定画素を介して照射される光が第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、第２の単位期間において表示面に到達する第２領域とが一部重なるように光の光路を変更する光路シフト素子１００と、第１の単位期間内のあるサブフィールド期間に第１の画素情報に対応する画像を所定画素に表示させ、第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に第２の画素情報に対応する画像を所定画素に表示させ、第２の単位期間内のあるサブフィールド期間に第２の画素情報に対応する画像を所定画素に表示させ、第２の単位期間の他のサブフィールド期間に第３の画素情報に対応する画像を所定画素に表示させる制御部５０とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、電気光学装置及びその制御方法に関する。
従来より擬似的に解像度を高めるいわゆる画素ずらしの技術が知られている。特許文献１には、１フレームを複数の単位期間に分割し、画素をシフトして画素ずらしを行った状態が単位期間ごとに相違するように偏光方向を制御する電気光学装置が開示されている。この電気光学装置は、ある単位期間において第１位置に第１画像を表示し、次の単位期間で１３５度方向に０．５画素の画素ずらしを行った第２位置に第２画像を表示する。
特開２０１４−１１０５８４号公報
０．５画素の画素ずらしでは、ある単位期間と次の単位期間において、表示面において第１画像と第２画像とが重なるため、重なる領域の階調レベルは、第１画像の階調レベルと第２画像の階調レベルとの平均値となる。このような表示方法において、ある画素の階調レベルが黒で周辺の画素の階調レベルが白となるいわゆる１ドット表示の場合、着目する１ドットでは白レベルと黒レベルを平均した階調レベルとなるため、精細な表示ができないといった問題がある。
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係る電気光学装置は、所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルと、前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更する光路シフト素子と、第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第１の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間の他のサブフィールド期間に前記第３の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させる制御部とを備える。
また、上記課題を解決するため、本発明の他の態様に係る電気光学装置は、所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルと、前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更する光路シフト素子と、第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第１の画素情報の階調レベルと前記第２の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第２の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第２の画素情報の階調レベルと前記第３の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させる制御部とを備える。
また、上記課題を解決するため、本発明の他の態様に係る電気光学装置の制御方法は、所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルを備えた電気光学装置の制御方法であって、前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更し、第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第１の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間の他のサブフィールド期間に前記第３の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させる。
また、上記課題を解決するため、本発明の他の態様に係る電気光学装置の制御方法は、 所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルを備えた電気光学装置の制御方法であって、前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更し、第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第１の画素情報の階調レベルと前記第２の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第２の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第２の画素情報の階調レベルと前記第３の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させる。
本発明に係るプロジェクターの光学系の構成の一例を示す説明図である。 プロジェクターの制御系の構成例を示すブロック図である。 各単位画素に対応する画素回路の回路図である。 プロジェクターの動作期間の説明図である。 光路シフト素子の動作の説明図である。 画像処理部の構成例を示すブロック図である。 高解像度画像の例を示す図である。 液晶パネルに表示される低解像度画像の例を示す図である。 選択処理の結果を模式的に示す画像の例を示す図である。 各サブフィールド期間で生成される出力画像信号を示す図である。 高解像度画像の１ドット表示を説明する図である。 スクリーンの表示面に表示される画像の例を示す図である。 スクリーンの表示面に表示される１ドット表示の例を示す図である。 画素ずらしの比較例を示す図である。 スクリーンの表示面に表示される画像の他の例を示す図である。 スクリーンの表示面に表示される１ドット表示の他の例を示す図である。 画素ずらしの比較例を示す図である。 第２実施形態に係る画素ずらし表示の第１態様を示す図である。 第２実施形態に係る画素ずらし表示の第２態様を示す図である。 第２実施形態に係る画素ずらし表示の第３態様を示す図である。 第３実施形態に係る画素ずらし表示の態様を示す図である。 交流駆動の単位期間ごとの極性反転を示す図である。 交流駆動のフレーム期間ごとの極性反転を示す図である。 交流駆動のサブフィールドごとの極性反転を示す図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。ただし、各図において、各部の寸法及び縮尺は、実際のものと適宜に異ならせてある。また、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
[１．第１実施形態]
[１．１．プロジェクターの構成]
図１を参照して、本発明の実施形態に係るプロジェクター１の構成例を説明する。プロジェクター１は電気光学装置の一例である。電気光学装置とは、電気エネルギーによって光学特性を変化させる装置である。電気光学装置の典型例は液晶装置である。
図１は、プロジェクター１の光学系の構成の一例を示すブロック図である。プロジェクター１は、照明装置９０と分離光学系７０と３個の液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ及び１０Ｂと投射光学系６０とを備える。照明装置９０は白色光源であり、例えばハロゲンランプが用いられる。分離光学系７０は、３個のミラー７１、７２、及び７５、並びに、ダイクロイックミラー７３及び７４を含む。分離光学系７０は、照明装置９０から射出された白色光を、赤色、緑色、青色の３原色に分離する。以下の説明では、赤色を「Ｒ」、緑色を「Ｇ」、青色を「Ｂ」と称する。具体的には、ダイクロイックミラー７４は、白色光のうち、Ｒの波長域の光を透過し、Ｇ及びＢの波長域の光を反射する。ダイクロイックミラー７３は、ダイクロイックミラー７４によって反射したＧ及びＢの波長域の光のうち、Ｂの波長域の光を透過し、Ｇの波長域の光を反射する。
以上のようにして分離された、Ｒ、Ｇ、及びＢに対応する光は、それぞれ液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、及び１０Ｂに導かれる。液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、及び１０Ｂは、空間光変調器として用いられる。なお、以下では、液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、及び１０Ｂを総称して、液晶パネル１０と総称する場合がある。
投射光学系６０は、ダイクロイックプリズム６１、投射レンズ系６２、及び光路シフト素子１００を含む。ダイクロイックプリズム６１には、液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂによってそれぞれ変調された光が三方向から入射する。このダイクロイックプリズム６１においてＲ、Ｇ、及びＢの画像が合成され、フルカラーの光が出射される。
ダイクロイックプリズム６１の、光が出射される側には、光路シフト素子１００及び投射レンズ系６２が配置されている。光路シフト素子１００は、入射光を、予め定められた２つの方向のうち、一方から他方へとシフトし、また、他方から一方へとシフトして出射する素子である。投射レンズ系６２は、光路シフト素子１００から射出された光（合成像）を、スクリーン８０に拡大投射する。スクリーン８０の表示面には画像が表示される。
図２は、プロジェクター１の制御系の構成例を示すブロック図である。プロジェクター１は、３つの液晶パネル１０、制御部５０、光路シフト素子駆動部１４、及び光路シフト素子１００を備える。液晶パネル１０は、複数の単位画素Ｐｘが配列された表示部３０と、各単位画素Ｐｘを駆動する駆動回路２０と、を備える。単位画素Ｐｘは画素の一例である。
図２に示すように、液晶パネル１０の表示部３０には、V方向に延在するＭ本の走査線３２と、V方向に交差するVI方向に延在するＮ本のデータ線３４とが形成される。但し、Ｍ及びＮは整数である。複数の単位画素Ｐｘは、表示部３０において、走査線３２とデータ線３４との交差点に対応して縦Ｍ行×横Ｎ列に配列される。なお、本実施形態において、単位画素Ｐｘは、Ｍ本の走査線３２及びＮ本のデータ線３４によるＭ×Ｎ個の交差点の全てに配置されるが、これらＭ×Ｎ個の交差のうち一部に配置されるものであっても構わない。液晶パネル１０の解像度は、液晶パネル１０が備える単位画素Ｐｘの数により規定される。
駆動回路２０は、各単位画素Ｐｘが表示する階調レベルを指定するデータ信号ＶＤ[ｎ]を、各単位画素Ｐｘに設けられる画素回路４０に対して供給する回路であり、走査線駆動回路２２とデータ線駆動回路２４とを具備する。但し、ｎは、１≦ｎ≦Ｎを満たす整数である。
走査線駆動回路２２は、第ｍ行の走査線３２に走査信号Ｙ[ｍ]を供給する。走査線駆動回路２２は、走査信号Ｙ[ｍ]を所定の選択電位に設定することで、第ｍ行の走査線３２を選択する。但しｍは、１≦ｍ≦Ｍを満たす整数である。
データ線駆動回路２４は、走査線駆動回路２２による走査線３２の選択に同期して、第１行〜第Ｎ行のデータ線３４にデータ信号ＶＤ[１]〜ＶＤ[Ｎ]を供給する。換言すると、データ線駆動回路２４は、第ｎ行のデータ線にデータ信号ＶＤ[ｎ]を供給する。
図３は、各単位画素Ｐｘに対応する画素回路４０の回路図である。図３に示すように、各画素回路４０は、液晶素子ＣＬ、選択スイッチＳｗ、及び容量Ｃｏを含む。
液晶素子ＣＬは、画素電極４１、共通電極４２、及び、画素電極４１と共通電極４２との間に設けられた液晶４３を具備する電気光学素子である。液晶素子ＣＬに、即ち、画素電極４１と共通電極４２との間に、電圧が印加されると、当該印加された電圧の大きさに応じて液晶素子ＣＬの相対透過率が変化する。そして、単位画素Ｐｘは、液晶素子ＣＬの相対透過率に応じた階調レベルを表示する。
ここで、液晶素子ＣＬの相対透過率とは、液晶素子ＣＬを透過する光量を示す相対的な値である。本実施形態では、液晶素子ＣＬに電圧が印加されていない状態であって液晶４３が最も光を透過しにくい状態であるときに液晶素子ＣＬを透過する光量を０％とする。また、液晶素子ＣＬに印加し得る最大の電圧を印加した状態であって液晶４３が最も光を透過しやすい状態であるときに液晶素子ＣＬを透過する光量を１００％とする。以下では、液晶素子ＣＬの相対透過率を、単に「透過率」と称する場合がある。
なお、本実施形態では、液晶素子ＣＬが備える液晶４３が、ＶＡ（Vertical Alignment）方式であり、画素電極４１及び共通電極４２の間に電圧が印加されていない状態において単位画素Ｐｘが黒表示となるノーマリーブラックモードである場合を例示して説明する。黒表示とは、液晶素子ＣＬの相対透過率が０％となることを意味する。
共通電極４２は、所定の基準電位に設定されている。容量Ｃｏは、一端が画素電極４１に電気的に接続され、他端が一定の電圧ＶＨomに保たれた容量線３６に電気的に接続される。また、共通電極４２も、容量線３６に電気的に接続される。
選択スイッチＳｗは、例えば、Ｎチャネル型のトランジスターであり、画素電極４１とデータ線３４との間に設けられ、両者の電気的な接続状態である導通と絶縁とを制御する。具体的には、Ｎチャネル型のトランジスターである選択スイッチＳｗのゲートは走査線３２と電気的に接続される。そして、走査信号Ｙ[ｍ]が選択電位に設定されると、第ｍ行の画素回路４０に設けられた選択スイッチＳｗがオン状態となる。選択スイッチＳｗがオン状態となると、当該画素回路４０にデータ線３４からデータ信号ＶＤ[ｎ]が供給され、液晶素子ＣＬには当該データ信号ＶＤ[ｎ]に応じた電圧が印加される。これにより、当該画素回路４０の液晶素子ＣＬの透過率はデータ信号ＶＤ［ｎ］に応じて変化し、当該画素回路４０に対応する単位画素Ｐｘはデータ信号ＶＤ[ｎ]に応じた階調レベルを表示する。
画素回路４０の液晶素子ＣＬにデータ信号ＶＤ[ｎ]に応じた電圧が印加された後、選択スイッチＳｗがオフ状態となると、画素電極４１における電位は容量Ｃｏにより保持される。すなわち、選択スイッチＳｗがオン状態となった後から、次にオン状態となるまでの期間において、液晶素子ＣＬにはデータ信号ＶＤ［ｎ］に応じた電圧が印加され続ける。
なお、液晶素子ＣＬは、直流電圧を引加すると電気的特性が劣化し、いわゆる焼き付き現象を引き起こす。このため、所定電位を中心としてデータ信号ＶＤ［ｎ］の電位を反転させる交流駆動を採用する。所定電位は、例えば、共通電極４２の基準電位である。あるいは、所定電位として選択スイッチＳｗのトランジスターによる電圧降下を考慮した電位を採用する。そして、データ信号ＶＤ［ｎ］の電位が所定電位より高い場合を正極性、データ信号ＶＤ［ｎ］の電位が所定電位より低い場合を負極性と称する。
説明を図２に戻す。制御部５０は、画像処理部１１と、タイミング信号生成部１２と、を備える。タイミング信号生成部１２は、図示せぬ上位装置から供給された同期信号に基づいて、駆動回路２０及び画像処理部１１を制御するための制御信号ＣＬＴを生成し、生成した制御信号ＣＬＴを駆動回路２０及び画像処理部１１に供給する。また、タイミング信号生成部１２は、データ信号ＶＤ［ｎ］の極性を示す極性信号ＰＬを生成し、データ線駆動回路２４に供給する。データ線駆動回路２４は、極性信号ＰＬに従ってデータ信号ＶＤ［ｎ］の極性を設定する。また、タイミング信号生成部１２は、同期信号に基づいて、光路シフト素子１００を制御するための制御信号ＣＬＤを生成する。
画像処理部１１は、プロジェクター１により表示されるべき画像を表す入力映像信号Ｖｉｎが上位装置から供給されると、当該入力映像信号Ｖｉｎと、タイミング信号生成部１２から供給される制御信号ＣＬＴとに基づいて、複数のサブフィールド期間ｓｆ（後述）の各々について単位画素Ｐｘの階調レベルを示す出力画像信号ＶＬを生成する。また、画像処理部１１は、入力映像信号Ｖｉｎに基づいて光路シフト素子１００の駆動の有無を指定する制御信号ＣＬＵを生成し、光路シフト素子駆動部１４に供給する。なお、入力映像信号Ｖｉｎの詳細は後述される。
光路シフト素子駆動部１４は、タイミング信号生成部１２から供給される制御信号ＣＬＤ及び画像処理部１１から供給される制御信号ＣＬＵに基づいて、光路シフト素子１００を駆動する。
光路シフト素子１００は、光路シフト素子駆動部１４から供給される信号に基づいて駆動される。上述のように、光路シフト素子１００は、当該光路シフト素子１００に入射した光の光路をシフトする。
[１．２．プロジェクターの動作の概要]
図４は、プロジェクター１の動作期間の説明図である。本実施形態において、プロジェクター１の動作期間は、複数のフレーム期間Ｆからなる。フレーム期間Ｆとは、プロジェクター１が１画面の画像を表示する場合に、単位画素Ｐｘが当該画像に対応する階調レベルを表示するための期間である。図４に示すように、本実施形態において、フレーム期間Ｆは互いに等しい時間長を有する第１の単位期間Ｕ１及び第２の単位期間Ｕ２に区分される。また、本実施形態において、第１の単位期間Ｕ１はフレーム期間Ｆの開始と同時に開始される期間であり、第２の単位期間Ｕ２は第１の単位期間Ｕ１に後続しフレーム期間Ｆと同時に終了する期間である。なお、以下では、第１の単位期間Ｕ１及び第２の単位期間Ｕ２を、単位期間Ｕと総称する場合がある。
本実施形態において、各単位期間Ｕは、互いに等しい時間長を有するα個のサブフィールド期間ｓｆに区分される。但し、αは、１≦αを満たす整数である。本実施形態において、フレーム期間Ｆは２α個のサブフィールド期間ｓｆを含む。
なお、本実施形態では、説明の便宜上、図４に示すように、αが「２」である場合を例示して説明する。つまり、本実施形態では、フレーム期間Ｆが４個のサブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４に区分される場合を例示して説明する。より具体的には、本実施形態において、第１の単位期間Ｕ１は第１のサブフィールド期間ｓｆ１及び第２のサブフィールド期間ｓｆ２を含み、第２の単位期間Ｕ２は第３のサブフィールド期間ｓｆ３及び第４のサブフィールド期間ｓｆ４を含む。なお、本実施形態においてはα＝２を想定するが、αは１≦αを満たす整数であれば任意の数でよい。また、本実施形態ではサブフィールド期間ｓｆが等しい時間長を有する例を説明するが、異なる時間長を有してもよい。
データ線駆動回路２４は、単位画素Ｐｘのフレーム期間Ｆに含まれる４個のサブフィールド期間ｓｆの各々において、当該単位画素Ｐｘに対してデータ信号ＶＤ[ｎ]を供給する。本実施形態において、データ信号ＶＤ[ｎ]は、１個のサブフィールド期間ｓｆにおける単位画素Ｐｘの階調レベルを指定する信号である。すなわち、データ線駆動回路２４は、各単位画素Ｐｘに対してサブフィールド期間ｓｆごとにデータ信号ＶＤ[ｎ]を供給することで、サブフィールド期間ｓｆごとに各単位画素Ｐｘの階調レベルを指定する。
単位画素Ｐｘがある所定の期間において表示する階調レベルは、当該単位画素Ｐｘが備える液晶素子ＣＬの相対透過率の、当該所定の期間にわたる積分値により決定される。具体的に、単位画素Ｐｘがフレーム期間Ｆおいて表示する階調レベルは、当該フレーム期間Ｆに含まれる４個のサブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４の階調レベルの平均に基づいて決定される。
次に、光路シフト素子１００の動作について図５を参照して説明する。図５は、光路シフト素子１００の動作の説明図である。上述のように、光路シフト素子１００は、入射光の光路を、予め定められた２つの方向のうちいずれかの方向にシフトして照射する。より具体的には、光路シフト素子１００は、照明装置９０から、複数の単位画素Ｐｘの各々を介して照射される光が第１の単位期間Ｕ１において到達する第１の単位領域ＵＲＡと、第２の単位期間Ｕ２において到達する第２の単位領域ＵＲＢとが異なるように、光の光路を変更する。結果として、スクリーン８０上では、各単位画素Ｐｘを介して光が投射される領域が第１の単位期間Ｕ１と第２の単位期間Ｕ２とで異なる。第１の単位領域ＵＲＡは第１領域の一例であり、第２の単位領域ＵＲＢは第２領域の一例である。また、第１の単位領域ＵＲＡ及び第２の単位領域ＵＲＢを単位領域ＵＲと総称する場合がある。また、第１の単位領域ＵＲＡに光を照射する光路シフト素子１００の状態を第１状態Ａ、第２の単位領域ＵＲＢに光を照射する光路シフト素子１００の状態を第２状態Ｂと称する。
図５に、スクリーン８０上における第１の単位領域ＵＲＡ及び第２の単位領域ＵＲＢの例を示す。図５の例において、第２の単位領域ＵＲＢは、第１の単位領域ＵＲＡをスクリーン８０上で＋ｘ方向及び−ｙ方向に単位画素Ｐｘの１／２個分の距離だけ移動させた領域である。図５から理解されるように、第１の単位領域ＵＲＡの一部と第２の単位領域ＵＲＢの一部とは相互に重なりあう。なお、本実施形態では第１の単位領域ＵＲＡが正方形である例を示すが、例えば長方形等の他の形状でもよい。また、本実施形態では、第１の単位領域ＵＲＡを移動させる距離が単位画素Ｐｘの１／２個分の距離である例を示すが、単位画素Ｐｘの１個分の距離未満の距離であれば任意の距離でもよい。
光が投射される領域をシフトする画素ずらし処理が実行されることにより、見かけ上の画素数が、液晶パネル１０が実際に備える単位画素Ｐｘの数よりも増加する。そのため、プロジェクター１は、スクリーン８０に投射する画像の解像度を、液晶パネル１０の解像度よりも擬似的に高めることができる。なお、光路シフト素子１００は、機械式の構成を有してもよいし、液晶式の構成を有してもよい。以上の光路シフト素子１００の制御により１３５度方向に一軸で行う画素ずらしが実現される。
[１．３．プロジェクターの動作の詳細]
図６は、画像処理部１１の構成例を示すブロック図である。図６に示すように、画像処理部１１は、入力映像信号Ｖｉｎに基づいて入力画像信号ＶＨを生成する画質調整部１１Ａと、入力画像信号ＶＨを低解像度化して出力画像信号ＶＬを生成する解像度変換部１１Ｂとを備える。
画質調整部１１Ａは、上位装置から入力映像信号Ｖｉｎが供給されると、当該入力映像信号Ｖｉｎが表す画像の明るさ等の特性を液晶パネル１０の表示特性に応じて調整し、入力画像情報を示す入力画像信号ＶＨを生成する。入力映像信号Ｖｉｎは、複数の単位画素Ｐｘにより表示されるべき画像を表す信号である。より詳細には、本実施形態において、入力映像信号Ｖｉｎは、フレーム期間Ｆにおいて各単位画素Ｐｘが表示すべき、Ｐビットの階調レベルを表すデジタルデータである。但し、Ｐは、２≦Ｐを満たす整数である。本実施形態では、入力映像信号Ｖｉｎが３ビットの階調レベルを表す場合を例示して説明する。より具体的に、本実施形態において、入力映像信号Ｖｉｎは、表示されるべき階調レベルを「０」から「７」までの８段階、つまり３ビットで表すものとする。なお、以上のビット数は一例であり、他の任意の数でもよい。
入力画像信号ＶＨは、入力映像信号Ｖｉｎと同様に、Ｐビットの階調レベルを表す。より詳細には、入力画像信号ＶＨは、入力映像信号Ｖｉｎに基づいて生成された画像を示し、当該画像に含まれる画素は、Ｐビットの階調レベルを表す。
以下では、入力画像信号ＶＨが示す画像を高解像度画像Ｍｖと称する。また、高解像度画像Ｍｖに含まれる画素を所望画素Ｐｖと称する。本実施形態では、高解像度画像Ｍｖの解像度が、液晶パネル１０の解像度を上回る。この例では入力画像信号ＶＨが示す高解像度画像Ｍｖは、液晶パネル１０の解像度の４倍の解像度を有すると想定する。すなわち、本実施形態では、１つの単位画素Ｐｘが、４つの所望画素Ｐｖに対応する場合を想定する。より具体的には、本実施形態では、液晶パネル１０がＭ×Ｎ個の単位画素Ｐｘを有するのに対し、高解像度画像Ｍｖは２Ｍ×２Ｎ個の所望画素Ｐｖを有する。つまり、入力画像信号ＶＨが表す高解像度画像Ｍｖは２Ｍ×２Ｎ個の所望画素Ｐｖに対応し、出力画像信号ＶＬが表す画像はＭ×Ｎ個の単位画素Ｐｘに対応する。以下の説明では、Ｍ＝３、Ｎ＝４の場合を取り挙げ説明する。但し、高解像度画像Ｍｖの解像度は、液晶パネル１０の解像度の４倍に限定されない。
図７に、高解像度画像Ｍｖの例を示し、図８に液晶パネル１０に表示される低解像度画像Ｍｚの例を示す。図７に示す高解像度画像Ｍｖは、６行８列の所望画素Ｐｖからなる。１画面に対応する入力画像信号ＶＨは、４８個の画素の各々について階調レベルを示す画素情報から構成される。以下の説明では、高解像度画像Ｍｖにおいて、２行２列の４個の所望画素ＰｖをブロックＢＬと称する。図７に示す例では、太線で囲まれた１２個のブロックＢＬが示されている。図７に示す画素情報は、各ブロックＢＬにおいて、左上に配置される所望画素Ｐｖに対応する画素情報に符号Ａ、右上に配置される所望画素Ｐｖに対応する画素情報に符号Ｂ、右下に配置される所望画素Ｐｖに対応する画素情報に符号Ｃ、左下に配置される所望画素Ｐｖに対応する画素情報に符号Ｄを付してある。さらに、３行４列に配置されるブロックＢＬの行番号と列番号とを画素情報の符号として採用する。
例えば、上から３行目左から３列目に配置される所望画素Ｐｖは、２行２列のブロックＢＬにおいて左上に位置するため、当該所望画素Ｐｖに対応する画素情報は「Ａ２２」で表される。また、図８に示されるように液晶パネル１０に表示される低解像度画像Ｍｚは、３行４列の単位画素Ｐｘからなる。低解像度画像Ｍｚの単位画素Ｐｘは、図７に示す高解像度画像ＭｖのブロックＢＬに対応している。また、本来的には、液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂに対応してそれぞれの情報が存在するが、説明の便宜上、一種類のものについて説明を行う。液晶パネル１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂはそれぞれ同様に適用することができる。
解像度変換部１１Ｂは、フレームメモリ１１０を備える。解像度変換部１１Ｂは、図７に示す高解像度画像Ｍｖの各ブロックＢＬのうち、左上の所望画素Ｐｖの画素情報（符号Ａを付したもの）と右下の所望画素Ｐｖの画素情報（符号Ｃを付したもの）のみを選択する選択処理を実行する。図９は、選択処理の結果を模式的に示す画像である。解像度変換部１１Ｂは、他の符号Ｂ及び符号Ｄを付した画素情報を欠落させて、入力画像信号ＶＨを構成する画素情報のうち、半数の画素情報のみからなる表示用画像信号をフレームメモリ１１０に記憶させる。
次に、解像度変換部１１Ｂは、フレームメモリ１１０から所定の規則に従って、表示用画像信号を読み出すことにより、出力画像信号ＶＬを生成する。図１０に各サブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４で生成される出力画像信号ＶＬを示す。
まず、第１の単位期間Ｕ１の第１のサブフィールド期間ｓｆ１において、解像度変換部１１Ｂは、フレームメモリ１１０に格納された表示用画像信号から、第１の単位期間Ｕ１内の第１のサブフィールド期間ｓｆ１の表示に必要な符号Ａを付した画素情報を取り出して出力画像信号ＶＬを生成する。即ち、低解像度画像Ｍｚの単位画素Ｐｘに対応する高解像度画像ＭｖのブロックＢＬにおいて、左上に配置される所望画素Ｐｖの画素情報を取り出す。例えば、３行４列の液晶パネル１０における第２行第２列の単位画素Ｐｘ、即ち図１０に太枠で図示する所定画素の一例に着目すると、当該単位画素Ｐｘの階調レベルは、画素情報Ａ２２に基づく階調レベルとなる。また、第１の単位期間Ｕ１において光路シフト素子１００は第１状態Ａとなるので、第１のサブフィールド期間ｓｆ１においてプロジェクター１は第１の単位領域ＵＲＡに光を照射する。
次に、第２のサブフィールド期間ｓｆ２において、解像度変換部１１Ｂは、フレームメモリ１１０に格納された表示用画像信号から、第１の単位期間Ｕ１内の第２のサブフィールド期間ｓｆ２の表示に必要な符号Ｃを付した画素情報を取り出して出力画像信号ＶＬを生成する。即ち、低解像度画像Ｍｚの単位画素Ｐｘに対応する高解像度画像ＭｖのブロックＢＬにおいて、右下に配置される所望画素Ｐｖの画素情報を取り出す。例えば、図１０に太枠で図示する第２行第２列の単位画素Ｐｘに着目すると、当該単位画素Ｐｘの階調レベルは、画素情報Ｃ２２に基づく階調レベルとなる。また、第２のサブフィールド期間ｓｆ２において光路シフト素子１００は第１状態Ａとなるので、プロジェクター１は第１の単位領域ＵＲＡに光を照射する。
次に、第３のサブフィールド期間ｓｆ３において、解像度変換部１１Ｂは、フレームメモリ１１０に格納された表示用画像信号から、第２の単位期間Ｕ２内の第３のサブフィールド期間ｓｆ３の表示に必要な符号Ｃを付した画素情報を取り出して出力画像信号ＶＬを生成する。即ち、低解像度画像Ｍｚの単位画素Ｐｘに対応する高解像度画像ＭｖのブロックＢＬにおいて、右下に配置される所望画素Ｐｖの画素情報を取り出す。例えば、図１０に太枠で図示する第２行第２列の単位画素Ｐｘに着目すると、当該単位画素Ｐｘの階調レベルは、画素情報Ｃ２２に基づく階調レベルとなる。また、第２の単位期間Ｕ２において光路シフト素子１００は第２状態Ｂとなるので、第３のサブフィールド期間ｓｆ３においてプロジェクター１は第２の単位領域ＵＲＢに光を照射する。
次に、第４のサブフィールド期間ｓｆ４において、解像度変換部１１Ｂは、フレームメモリ１１０に格納された表示用画像信号から、第２の単位期間Ｕ２内の第４のサブフィールド期間ｓｆ４の表示に必要な符号Ｃを付した画素情報を取り出して出力画像信号ＶＬを生成する。但し、第４のサブフィールド期間ｓｆ４の表示に必要な画素情報は、低解像度画像Ｍｚの単位画素Ｐｘに対応する高解像度画像ＭｖのブロックＢＬに対して、画素ずらしの方向に位置するブロックＢＬの左上に配置される所望画素Ｐｖの画素情報である。この例では画素ずらしを図７に示す方向Ｓに向けて行う。例えば、図１０に太枠で図示する第２行第２列の単位画素Ｐｘに着目すると、当該単位画素Ｐｘの階調レベルは、画素情報Ａ３３に基づく階調レベルとなる。また、第４のサブフィールド期間ｓｆ４において光路シフト素子１００は第２状態Ｂとなるので、プロジェクター１は第２の単位領域ＵＲＢに光を照射する。
また、図１０に示されるように、極性信号ＰＬはサブフィールド期間ｓｆごと反転している。この例において極性信号ＰＬは、ハイレベルにおいて正極性を指定し、ローレベルにおいて負極性を指定する。特に、第２のサブフィールド期間ｓｆ２と第３のサブフィールド期間ｓｆ３とにおいて、同じ出力画像信号ＶＬが各単位画素Ｐｘに書き込まれるが、第２のサブフィールド期間ｓｆ２と第３のサブフィールド期間ｓｆ３とでは極性が反転するので、液晶素子ＣＬに引加する電圧のバランスを良好に保つことができる。
なお、本実施例においては、出力画像信号ＶＬを構成する画素情報としては、符号Ａを付したものと符号Ｃを付したもののみを選択したが、第１の単位期間Ｕ１に表示する画素情報と第２の単位期間Ｕ２に表示する画素情報の一部に同一の画素情報が存在すればその選択の仕方は任意である。
以上の動作によって、所定画素の一例である液晶パネル１０の第２行第２列の単位画素Ｐｘから照射される光によって、スクリーン８０の表示面では、画素ずらしによる以下の表示がなされる。まず、第１の単位期間Ｕ１内のあるサブフィールド期間である第１のサブフィールド期間ｓｆ１において、第１の画素情報の一例である画素情報Ａ２２に対応する画像が第１の単位領域ＵＲＡに表示される。次に、第１の単位期間Ｕ１内の他のサブフィールド期間である第２のサブフィールド期間ｓｆ２において、第２の画素情報の一例である画素情報Ｃ２２に対応する画像が第１の単位領域ＵＲＡに表示される。次に第２の単位期間Ｕ２内のあるサブフィールド期間である第３のサブフィールド期間ｓｆ３において画素情報Ｃ２２に対応する画像が第２の単位領域ＵＲＢに表示される。さらに、第２の単位期間Ｕ２の他のサブフィールド期間である第４のサブフィールド期間ｓｆ４において第３の画素情報の一例である画素情報Ａ３３に対応する画像が第２の単位領域ＵＲＢに表示される。
これにより、画素情報Ｃ２２が、第２のサブフィールド期間ｓｆ２と第３のサブフィールド期間ｓｆ３の２回にわたり表示されるため、第１の単位領域ＵＲＡと第２の単位領域ＵＲＢとが重なる領域において、画素情報Ｃ２２の示す画像が他の画素情報の示す画像と比べて相対的に強調して表示されることになる。
[１．４．ドット表示における再現性]
次に、１ドット表示における再現性について説明する。図１１は、高解像度画像Ｍｖの１ドット表示を説明する図である。まず、高解像度画像Ｍｖとして、図１１に示すように第４行第４列の単位画素Ｐｘの階調レベルが黒に相当する「０」であり、他の単位画素Ｐｘの階調レベルが白に相当する「７」である場合を想定する。このような高解像度画像Ｍｖに上述した画素ずらしを適用すると、図１２に示す画像がスクリーン８０の表示面に表示される。図１２に示す画像は、人の視覚で積分されるので、図１３に示されるように１ドットの黒が相対的に強調される。
一方、従来の画素ずらしでは、第１の単位期間Ｕ１において高解像度画像ＭｖのブロックＢＬの左上の所望画素Ｐｖの画素情報を選択するとともに光路シフト素子１００を第１状態Ａとする。また、第２の単位期間Ｕ２において高解像度画像ＭｖのブロックＢＬの右下の所望画素Ｐｖの画素情報を選択するとともに光路シフト素子１００を第２状態Ｂとする。このため、図１４に比較例として示すように１ドットの黒がグレーとして表示されてしまう。
図１３と図１４とを比較すると、本実施形態によれば、高解像度画像Ｍｖにおける本来の位置である画素情報Ｃ２２の位置において黒の１ドット表示が強調される。よって、１ドット表示の再現性が良好なものとなる。
次に、第４行第４列の単位画素Ｐｘの階調レベルが白に相当する「７」であり、他の単位画素Ｐｘの階調レベルが黒に相当する「０」である場合を想定する。このような高解像度画像Ｍｖに上述した画素ずらしを適用すると、図１５に示す画像がスクリーン８０の表示面に表示される。図１５に示す画像は、人の視覚で積分されるので、図１６に示されるように１ドットの白が相対的に強調される。図１７に比較例として従来の画素ずらしにおける表示を示す。図１６と図１７とを比較すると、本実施形態によれば、高解像度画像Ｍｖにおける本来の位置である画素情報Ｃ２２の位置において白の１ドット表示が強調される。よって、１ドット表示の再現性が良好なものとなる。
以上説明したように、第１実施形態に係るプロジェクター１は、所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルの一例である液晶パネル１０を備える。また、プロジェクター１は、所定画素を介して照射される光がα個のサブフィールド期間ｓｆからなる第１の単位期間Ｕ１において表示面に到達する第１領域の一例である第１の単位領域ＵＲＡと、光がα個のサブフィールド期間ｓｆからなる第２の単位期間Ｕ２において表示面に到達する第２領域の一例である第２の単位領域ＵＲＢとが一部重なるように光の光路を変更する光路シフト素子１００を備える。さらに、プロジェクター１は、第１の画素の階調レベルを示す画素情報Ａ２２、第２の画素の階調レベルを示す画素情報Ｃ２２及び第３の画素の階調レベルを示す画素情報Ａ３３に基づいて、第１の単位期間Ｕ１内のあるサブフィールド期間ｓｆに画素情報Ａ２２に対応する画像を所定画素に表示させ、第１の単位期間Ｕ１内の他のサブフィールド期間に画素情報Ｃ２２に対応する画像を所定画素に表示させ、第２の単位期間Ｕ２内のあるサブフィールド期間ｓｆに画素情報Ｃ２２に対応する画像を所定画素に表示させ、第２の単位期間Ｕ２の他のサブフィールド期間ｓｆに画素情報Ａ３３に対応する画像を所定画素に表示させる制御部５０とを備える。
ここで、高解像度画像ＭｖのブロックＢＬのうち第１行第１列の所望画素Ｐｖは第１の画素の一例であり、当該ブロックＢＬのうち第２行第２列の所望画素Ｐｖは第２画素の一例である。さらに、当該ブロックＢＬに対して画素ずらしの方向に位置するブロックＢＬの第１行第１列の所望画素Ｐｖは第３の画素の一例である。
この態様によれば、第１の単位期間Ｕ１と第２の単位期間Ｕ２において、画素情報Ｃ２２に対応する画像を所定画素に表示させるので、１ドット表示において再現性を高めることができる。
また、第１実施形態において、制御部５０は、液晶パネル１０の所定画素に含まれる液晶素子ＣＬに印加する電圧の極性を、サブフィールド期間ｓｆごとに反転させる。従って、同じ画像を表示する第３のサブフィールド期間ｓｆ３と第４のサブフィールド期間ｓｆ４において、液晶素子ＣＬに引加する電圧のバランスを良好に保つことができる。この結果、液晶パネル１０の焼き付きを抑制し、信頼性を向上させることができる。
[２．第２実施形態]
第２実施形態に係るプロジェクター１の構成は、図１及び図２に示す第１実施形態のプロジェクター１と同じであり、図６に示す解像度変換部１１Ｂの動作のみが相違する。以下相違点について説明する。
第１実施形態では、第１のサブフィールド期間ｓｆ１で画素情報Ａ２２を、第２のサブフィールド期間ｓｆ２で画素情報Ｃ２２を、第３のサブフィールド期間ｓｆ３で画素情報Ｃ２２を、第４のサブフィールド期間ｓｆ４で画素情報Ａ３３を表示する例を説明したが、表示の順番はこれに限定されるものではない。
出力画像信号ＶＬは、図６に示す解像度変換部１１Ｂが、フレームメモリ１１０から表示用画像信号を読み出すことで生成するので、その生成の仕方によっては、画素情報に基づく画像を異なる順序で表示することができる。
図１８Ａに、第２実施形態に係る画素ずらし表示の第１態様を示す。この例では、第３のサブフィールド期間ｓｆ３において、図１０に示す第１実施形態の第４のサブフィールド期間ｓｆ４の表示とし、第４のサブフィールド期間ｓｆ４において、第１実施形態の第３のサブフィールド期間ｓｆ３の表示とする。この結果、液晶パネル１０の第２行目第２列目の単位画素Ｐｘには、サブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４において、画素情報Ａ２２に基づく画像、画素情報Ｃ２２に基づく画像、画素情報Ａ３３に基づく画像、画素情報Ｃ２２に基づく画像の順で表示される。
図１８Ｂに、第２実施形態に係る画素ずらし表示の第２態様を示す。この例では、第１のサブフィールド期間ｓｆ１において、図１０に示す第１実施形態の第２のサブフィールド期間ｓｆ２の表示とし、第２のサブフィールド期間ｓｆ２において、第１実施形態の第１のサブフィールド期間ｓｆ１の表示とする。この結果、液晶パネル１０の第２行目第２列目の単位画素Ｐｘには、サブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４において、画素情報Ｃ２２に基づく画像、画素情報Ａ２２に基づく画像、画素情報Ｃ２２に基づく画像、画素情報Ａ３３に基づく画像の順で表示される。
図１８Ｃに、第２実施形態に係る画素ずらし表示の第３態様を示す。この例では、第１のサブフィールド期間ｓｆ１において、図１０に示す第１実施形態の第２のサブフィールド期間ｓｆ２の表示とし、第２のサブフィールド期間ｓｆ２において、第１実施形態の第１のサブフィールド期間ｓｆ１の表示とする。また、第３のサブフィールド期間ｓｆ３において、第１実施形態の第４のサブフィールド期間ｓｆ４の表示とし、第４のサブフィールド期間ｓｆ４において、第１実施形態の第３のサブフィールド期間ｓｆ３の表示とする。この結果、液晶パネル１０の第２行目第２列目の単位画素Ｐｘには、サブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４において、画素情報Ｃ２２に基づく画像、画素情報Ａ２２に基づく画像、画素情報Ａ３３に基づく画像、画素情報Ｃ２２に基づく画像の順で表示される。
第２実施形態のプロジェクター１において、制御部５０の解像度変換部１１Ｂは、第１の単位期間Ｕ１の最後のサブフィールド期間ｓｆである第２のサブフィールド期間ｓｆ２において、例えば、液晶パネル１０の第２行第２列に位置する所定画素に表示させる画像と、第２の単位期間Ｕ２の最初のサブフィールド期間ｓｆである第３のサブフィールド期間ｓｆ３に所定画素に表示させる画像とを異ならせる。
この場合であっても、第１の単位期間Ｕ１と第２の単位期間Ｕ２において、画素情報Ｃ２２に基づく画像がスクリーン８０の表示片には重ねて表示されるため、１ビット表示に対する再現性が良好なものとなる。
[３．第３実施形態]
第３実施形態に係るプロジェクター１の構成は、図１及び図２に示す第１実施形態のプロジェクター１と同じであり、図６に示す解像度変換部１１Ｂの動作のみが相違する。以下相違点について説明する。
図１９は、第３実施形態に係る画素ずらし表示の説明図である。フレーム期間Ｆには第１の単位期間Ｕ１と第２の単位期間Ｕ２が含まれており、それぞれの単位期間Ｕに２個のサブフィールド期間ｓｆが含まれるのは、第１実施形態と同様である。
第３実施形態の解像度変換部１１Ｂは、図１０に示される第１実施形態における第１のサブフィールド期間ｓｆ１の出力画像信号ＶＬと第２のサブフィールド期間ｓｆ２の出力画像信号ＶＬの平均値を、第１のサブフィールド期間ｓｆ１と第２のサブフィールド期間ｓｆ２の各々で生成する。また、解像度変換部１１Ｂは、図１０に示される第１実施形態における第３のサブフィールド期間ｓｆ３の出力画像信号ＶＬと第４のサブフィールド期間ｓｆ４の出力画像信号ＶＬの平均値を、第３のサブフィールド期間ｓｆ３と第４のサブフィールド期間ｓｆ４の各々で生成する。
図１９において液晶パネル１０の第２行第２列の単位画素Ｐｘの階調レベルは、第１の単位期間Ｕ１において「（Ａ２２+Ｃ２２）／２」となる。これは、画素情報Ａ２２の階調レベルと、画素情報Ｃ２２の階調レベルの平均値を表している。液晶パネル１０の第２行第２列の単位画素Ｐｘの階調レベルは、第２の単位期間Ｕ２において「（Ｃ２２+Ａ３３）／２」となる。これは、画素情報Ｃ２２の階調レベルと、画素情報Ａ３３の階調レベルの平均値を表している。
第３実施形態のプロジェクター１は、所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルの一例である液晶パネル１０を備える。プロジェクター１は、所定画素を介して照射される光がα個のサブフィールド期間ｓｆからなる第１の単位期間Ｕ１において表示面に到達する第１領域の一例である第１の単位領域ＵＲＡと、光がα個のサブフィールド期間ｓｆからなる第２の単位期間Ｕ２において表示面に到達する第２領域の一例である第２の単位領域ＵＲＢとが一部重なるように光の光路を変更する光路シフト素子１００を備える。さらに、プロジェクター１は、第１の画素の階調レベルを示す画素情報Ａ２２、第２の画素の階調レベルを示す画素情報Ｃ２２及び第３の画素の階調レベルを示す画素情報Ａ３３に基づいて、第１の単位期間Ｕ１内のあるサブフィールド期間ｓｆと第１の単位期間Ｕ１内の他のサブフィールド期間ｓｆに、画素情報Ａ２２の階調レベルと画素情報Ｃ２２の階調レベルの平均値に対応する画像を所定画素に表示させ、第２の単位期間Ｕ２内のあるサブフィールド期間ｓｆと第２の単位期間Ｕ２内の他のサブフィールド期間に、画素情報Ｃ２２の階調レベルと画素情報Ａ３３の階調レベルの平均値に対応する画像を所定画素に表示させる制御部５０とを備える。
この態様によれば、サブフィールド期間ｓｆ１〜ｓｆ４においては、画素情報Ｃ２２の階調レベルの１／２が毎回表示されるため、１ビット表示に対する再現性が良好なものとなる。また、液晶パネル１０の交流駆動に関しては、各サブフィールド期間ｓｆにおいて極性が反転する。液晶素子ＣＬに印加される電圧のバランスは良好であるため、液晶素子ＣＬの寿命を延ばすことができる。
[４．変形例]
上述した各実施形態は、各種の変形が可能である。上述した各実施形態及び以下に述べる変形例は適宜組み合わせてよい。
（１）上述した各実施形態においては、電気光学パネルの一例として液晶パネル１０を用いたプロジェクター１について説明したが、液晶パネル１０の替わりに、デジタル・マイクロミラー・デバイスを用いてもよい。デジタル・マイクロミラー・デバイスを電気光学パネルとして用いるプロジェクターでは、反射率の高いミラーを敷き詰めたデジタル・マイクロミラー・デバイスのミラーの傾きと光源の制御によって画像をスクリーン８０に投影する。デジタル・マイクロミラー・デバイスは、各ミラーを画素として、それぞれのミラーの傾きをオン状態とオフ状態の二つの状態に切り替える制御を行うことによって、スクリーン８０の表示面に対して光が照射される部分と照射されない部分を作り出す。画素である各ミラーから照射される光の明るさは、フレーム期間Ｆあたりのそれぞれのミラーの傾きをパルス幅変調することによって制御される。
（２）上述した各実施形態において交流駆動の極性反転は、図２０Ａに示すように単位期間Ｕごとに所定画素に含まれる液晶素子ＣＬに印加する電圧の極性を反転するものであってもよい。図１０、図１８Ａ〜図１８Ｃに示すいずれの出力画像信号ＶＬにおいても液晶素子ＣＬに引加する電圧のバランスを良好に保つことができる。また、交流駆動の極性反転は、図２０Ｂに示すようにフレーム期間Ｆごとに所定画素に含まれる液晶素子ＣＬに印加する電圧の極性反転するものであってもよい。この場合も、図１０、図１８Ａ〜図１８Ｃに示すいずれの出力画像信号ＶＬにおいても液晶素子ＣＬに引加する電圧のバランスを良好に保つことができる。
上述した各実施形態では、第１のサブフィールド期間ｓｆ１、第２のサブフィールド期間ｓｆ２、第３のサブフィールド期間ｓｆ３、及び第４のサブフィールド期間ｓｆ４の各々において、液晶パネル１０に出力画像信号ＶＬにも基づく画像を表示させる。この場合、第１のサブフィールド期間ｓｆ１の画像と第２のサブフィールド期間ｓｆ２とは異なり、第３のサブフィールド期間ｓｆ３の画像と第４のサブフィールド期間ｓｆ４とは異なる。従って、第１実施形態のようにサブフィールド期間ｓｆごとに交流駆動の極性反転を実行しても、液晶素子ＣＬに印加される電圧が完全にバランスされるとは限らない。そこで、制御部５０は、図２０Ｃに示すように第１の単位期間Ｕ１において第１のサブフィールド期間ｓｆ１を２回繰り返して同じ画像を液晶パネル１０に表示させ、次に第２のサブフィールド期間ｓｆ２を２回繰り返して同じ画像を液晶パネル１０に表示させる。さらに、制御部５０は、第２の単位期間Ｕ２において、第３のサブフィールド期間ｓｆ３を２回繰り返して同じ画像を液晶パネル１０に表示させ、次に、第４のサブフィールド期間ｓｆ４を２回繰り返して同じ画像を液晶パネル１０に表示させてもよい。この場合、サブフィールド期間ｓｆごとに交流駆動の極性反転を繰り返すことによって、液晶素子ＣＬに印加される電圧を完全にバランスさせることができる。即ち、図２０Ｃに示すように、あるサブフィールド期間ｓｆと次のサブフィールド期間ｓｆとにおいて、所定画素に同じ画像を表示させて、サブフィールド期間ｓｆごとに所定画素に含まれる液晶素子ＣＬに印加する電圧の極性を反転してもよい。この場合も、図１０、図１８Ａ〜図１８Ｃに示すいずれの出力画像信号ＶＬにおいても液晶素子ＣＬに引加する電圧のバランスを良好に保つことができる。
１…プロジェクター、１１…画像処理部、１１Ａ…画質調整部、１１Ｂ…解像度変換部、１２…タイミング信号生成部、１４…光路シフト素子駆動部、４０…画素回路、５０…制御部、８０…スクリーン、１００…光路シフト素子、Ａ２２，Ａ３３，Ｃ２２，Ｃ３３…画素情報、ＣＬ…液晶素子、Ｍｖ…高解像度画像、Ｍｚ…低解像度画像、ＰＬ…極性信号、Ｐｖ…所望画素、Ｐｘ…単位画素、Ｕ１…第１の単位期間、Ｕ２…第２の単位期間、ＵＲＡ…第１の単位領域、ＵＲＢ…第２の単位領域、ｓｆ１〜ｓｆ４…第１〜第４のサブフィールド期間。

Claims (8)

  1. 所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルと、
    前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更する光路シフト素子と、
    第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第１の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間の他のサブフィールド期間に前記第３の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させる制御部と、
    を備える電気光学装置。
  2. 前記制御部は、前記第１の単位期間の最後のサブフィールド期間に前記所定画素に表示させる画像と、前記第２の単位期間の最初のサブフィールド期間に前記所定画素に表示させる画像とを異ならせる、
    請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルと、
    前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更する光路シフト素子と、
    第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第１の画素情報の階調レベルと前記第２の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第２の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第２の画素情報の階調レベルと前記第３の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させる制御部と、
    を備える電気光学装置。
  4. 前記電気光学パネルは液晶パネルであり、
    前記制御部は、前記液晶パネルの前記所定画素に含まれる液晶素子に印加する電圧の極性を、前記サブフィールド期間ごとに反転させる、
    請求項１から３までのうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
  5. 前記制御部は、
    あるフィールド期間と次のサブフィールド期間とにおいて、前記所定画素に同じ画像を表示させる、
    請求項４に記載の電気光学装置。
  6. 前記電気光学パネルは液晶パネルであり、
    前記制御部は、前記液晶パネルの前記所定画素に含まれる液晶素子に印加する電圧の極性を、前記単位期間ごとに反転させる、
    請求項１又は２に記載の電気光学装置。
  7. 所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルを備えた電気光学装置の制御方法であって、
    前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更し、
    第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第１の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、
    前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間に前記第２の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させ、前記第２の単位期間の他のサブフィールド期間に前記第３の画素情報に対応する画像を前記所定画素に表示させる、
    電気光学装置の制御方法。
  8. 所定画素を含む複数の画素が配列された電気光学パネルを備えた電気光学装置の制御方法であって、
    前記所定画素を介して照射される光がα個（αは、２≦αを満たす整数）のサブフィールド期間からなる第１の単位期間において表示面に到達する第１領域と、前記光がα個のサブフィールド期間からなる第２の単位期間において前記表示面に到達する第２領域とが一部重なるように前記光の光路を変更し、
    第１の画素の階調レベルを示す第１の画素情報、第２の画素の階調レベルを示す第２の画素情報及び第３の画素の階調レベルを示す第３の画素情報に基づいて、前記第１の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第１の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第１の画素情報の階調レベルと前記第２の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させ、
    前記第２の単位期間内のあるサブフィールド期間と前記第２の単位期間内の他のサブフィールド期間に、前記第２の画素情報の階調レベルと前記第３の画素情報の階調レベルの平均値に対応する画像を前記所定画素に表示させる、
    電気光学装置の制御方法。
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