JP2020047662A - 記憶装置および記憶装置の製造方法 - Google Patents
記憶装置および記憶装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020047662A JP2020047662A JP2018173091A JP2018173091A JP2020047662A JP 2020047662 A JP2020047662 A JP 2020047662A JP 2018173091 A JP2018173091 A JP 2018173091A JP 2018173091 A JP2018173091 A JP 2018173091A JP 2020047662 A JP2020047662 A JP 2020047662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- axis
- ferromagnetic
- insulator
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 174
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 80
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 79
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 28
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 14
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OQCGPOBCYAOYSD-UHFFFAOYSA-N cobalt palladium Chemical compound [Co].[Co].[Co].[Pd].[Pd] OQCGPOBCYAOYSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100365384 Mus musculus Eefsec gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDZZPLGHBXACDA-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Co] Chemical compound [B].[Fe].[Co] ZDZZPLGHBXACDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N boron;iron Chemical compound [Fe]#B ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0023—Address circuits or decoders
- G11C13/0026—Bit-line or column circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0023—Address circuits or decoders
- G11C13/0028—Word-line or row circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F41/305—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices applying the spacer or adjusting its interface, e.g. in order to enable particular effect different from exchange coupling
- H01F41/307—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices applying the spacer or adjusting its interface, e.g. in order to enable particular effect different from exchange coupling insulating or semiconductive spacer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/10—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having two electrodes, e.g. diodes or MIM elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3272—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn by use of anti-parallel coupled [APC] ferromagnetic layers, e.g. artificial ferrimagnets [AFI], artificial [AAF] or synthetic [SAF] anti-ferromagnets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【課題】 高品質な記憶装置を提供する。【解決手段】 第1導電体は、第1軸に沿って延びる。第1積層体は、第1軸に沿って延び、第1導電体と電気的に接続され、第1軸に沿って延びる第1強磁性体を含む。第1絶縁体は、第1積層体と電気的に接続される。第2強磁性体は、第1絶縁体と電気的に接続される。スイッチ素子は、第1端を第2強磁性体と電気的に接続され第1端と第2端との間に印加される電圧に応答して第1端から第2端への電流を許可または遮断し、第2端と第1端との間に印加される電圧に応答して第2端から第1端への電流を許可または遮断する。第2導電体は、第2軸に沿って延び、第1スイッチ素子の第2端と電気的に接続される。【選択図】 図4
Description
実施形態は、概して記憶装置および記憶装置の製造方法に関する。
素子の切り替わり可能な抵抗を用いてデータを記憶する記憶装置が知られている。
より高性能な記憶装置を提供しようとするものである。
一実施形態による記憶装置は、第1導電体と、第1積層体と、第1絶縁体と、第2強磁性体と、第1スイッチ素子と、第2導電体と、を含む。上記第1導電体は、第1軸に沿って延びる。上記第1積層体は、上記第1軸に沿って延び、上記第1導電体と電気的に接続され、上記第1軸に沿って延びる第1強磁性体を含む。上記第1絶縁体は、上記第1積層体と電気的に接続される。上記第2強磁性体は、上記第1絶縁体と電気的に接続される。上記第1スイッチ素子は、第1端および第2端を有し、上記第1端を上記第2強磁性体と電気的に接続され、上記第1端と上記第2端との間に印加される電圧に応答して上記第1端から上記第2端への電流を許可または遮断し、上記第2端と上記第1端との間に印加される電圧に応答して上記第2端から上記第1端への電流を許可または遮断する。上記第2導電体は、第2軸に沿って延び、上記第1スイッチ素子の上記第2端と電気的に接続される。
以下に実施形態が図面を参照して記述される。以下の記述において、略同一の機能および構成を有する構成要素は同一符号を付され、繰り返しの説明は省略される場合がある。図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なり得る。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。また、ある実施形態についての記述は全て、明示的にまたは自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。
本明細書および特許請求の範囲において、ある第1要素が別の第2要素に「接続されている」とは、第1要素が直接的または常時あるいは選択的に導電性となる要素を介して第2要素に接続されていることを含む。
(第1実施形態)
<構成および構造>
図1は、第1実施形態の記憶装置の機能ブロックを示す。図1に示されるように、記憶装置1は、メモリセルアレイ11、入出力回路12、制御回路13、ロウ選択回路14、カラム選択回路15、書き込み回路16、および読み出し回路17を含む。
<構成および構造>
図1は、第1実施形態の記憶装置の機能ブロックを示す。図1に示されるように、記憶装置1は、メモリセルアレイ11、入出力回路12、制御回路13、ロウ選択回路14、カラム選択回路15、書き込み回路16、および読み出し回路17を含む。
メモリセルアレイ11は、複数のメモリセルMC、複数のワード線WL、および複数のビット線BLを含む。メモリセルMCは、データを不揮発に記憶することができる。各メモリセルMCは、1つのワード線WLと1つのビット線BLと接続されている。ワード線WLは、行(ロウ)と関連付けられている。ビット線BLは列(カラム)と関連付けられている。1つのロウの選択および1つまたは複数のカラムの選択により、1つまたは複数のメモリセルMCが特定される。
入出力回路12は、例えばメモリコントローラから、種々の制御信号CNT、種々のコマンドCMD、アドレス信号ADD、データ(書き込みデータ)DATを受け取り、例えばメモリコントローラにデータ(読み出しデータ)DATを送信する。
ロウ選択回路14は、入出力回路12からアドレス信号ADDを受け取り、受け取られたアドレス信号ADDに基づいた行に対応する1つのワード線WLを選択された状態にする。
カラム選択回路15は、入出力回路12からアドレス信号ADDを受け取り、受け取られたアドレス信号ADDに基づいた列に対応する複数のビット線BLを選択された状態にする。
制御回路13は、入出力回路12から制御信号CNTおよびコマンドCMDを受け取る。制御回路13は、制御信号CNTによって指示される制御およびコマンドCMDに基づいて、書き込み回路16および読み出し回路17を制御する。具体的には、制御回路13は、メモリセルアレイ11へのデータの書き込みの間に、データ書き込みに使用される電圧を書き込み回路16に供給する。また、制御回路13は、メモリセルアレイ11からのデータの読み出しの間に、データ読み出しに使用される電圧を読み出し回路17に供給する。
書き込み回路16は、入出力回路12から書き込みデータDATを受け取り、制御回路13の制御および書き込みデータDATに基づいて、データ書き込みに使用される電圧をカラム選択回路15に供給する。
読み出し回路17は、センスアンプを含み、制御回路13の制御に基づいて、データ読み出しに使用される電圧を使用して、メモリセルMCに保持されているデータを割り出す。割り出されたデータは、読み出しデータDATとして、入出力回路12に供給される。
図2は、第1実施形態のメモリセルアレイ11の回路図である。図2に示されるように、メモリセルアレイ11は、M+1(Mは自然数)本のワード線WLa(WLa<0>、WLa<1>、…、WLa<M>)およびM+1本のワード線WLb(WLb<0>、WLb<1>、…、WLb<M>)を含む。メモリセルアレイ11はまた、N+1(Nは自然数)本のビット線BL(BL<0>、BL<1>、…、BL<N>)を含む。
各メモリセルMC(MCaおよびMCb)は、2つのノードを有し、第1ノードにおいて1本のワード線WLと接続され、第2ノードにおいて1本のビット線BLと接続される。より具体的には、メモリセルMCaは、αが0以上M以下の全てのケース、βが0以上N以下の全てのケースの全ての組合せについて、メモリセルMCa<α,β>を含み、メモリセルMCa<α,β>は、ワード線WLa<α>とビット線BL<β>との間に接続される。同様に、メモリセルMCbは、αが0以上M以下の全てのケース、βが0以上N以下の全てのケースの全ての組合せについて、メモリセルMCb<α,β>を含み、メモリセルMCb<α,β>は、ワード線WLb<α>とビット線BL<β>との間に接続される。
各メモリセルMCは、1つの抵抗変化素子VR(VRaまたはVRb)および1つのスイッチ素子SEL(SELaまたはSELb)を含む。より具体的には、αが0以上M以下の全てのケース、βが0以上N以下の全てのケースの全ての組合せについて、メモリセルMCa<α,β>は、抵抗変化素子VRa<α,β>およびスイッチ素子SELa<α,β>を含む。さらに、αが0以上M以下の全てのケース、βが0以上N以下の全てのケースの全ての組合せについて、メモリセルMCb<α,β>は、抵抗変化素子VRb<α,β>およびスイッチ素子SELb<α,β>を含む。
各メモリセルMCにおいて、抵抗変化素子VRとスイッチ素子SELとは直列に接続されている。抵抗変化素子VRは1本のワード線WLと接続されており、スイッチ素子SELは1本のビット線BLと接続されている。
抵抗変化素子VRは、低抵抗の状態と高抵抗の状態との間を切り替わることができる。抵抗変化素子VRは、この2つの抵抗状態の違いを利用して、1ビットのデータを保持することができる。
スイッチ素子SELは、2つの端子を有し、2端子間に第1閾値未満の電圧が第1方向に印加されている場合、そのスイッチ素子SELは高抵抗状態、例えば電気的に非導通状態である(オフ状態である)。一方、2端子間に第1閾値以上の電圧が第1方向に印加されている場合、そのスイッチ素子SELは低抵抗状態、例えば電気的に導通状態である(オン状態である)。スイッチ素子SELは、さらに、このような第1方向に印加される電圧の大きさに基づく高抵抗状態および低抵抗状態の間の切り替わりの機能と同じ機能を、第1方向と反対の第2方向についても有する。スイッチ素子SELのオンまたはオフにより、当該スイッチ素子SELと接続された抵抗変化素子VRへの電流の供給の有無、すなわち当該抵抗変化素子VRの選択または非選択が制御されることができる。
図3は、第1実施形態のメモリセルアレイ11の一部の概略的な構造の斜視図である。図3では、いくつかの要素が、示されていないか、簡略化されて示されている。図4は、部分(a)において図3のIVA−IVA線に沿った断面の一部の構造を示し、部分(b)において図3のIVB−IVB線に沿った断面の一部の構造を示す。
図3および図4に示されるように、基板(図示せず)のxy面に沿った面の上方に絶縁体20の第1部分20aが設けられている。基板には、トランジスタ(図示せず)が設けられている。
絶縁体20の第1部分20aは、xy面に沿って広がっている。第1部分20a上に複数の導電体21が設けられている。導電体21は、y軸に沿って延び、x軸に沿って間隔を有して並んでいる。各導電体21は、1つのビット線BLとして機能する。
各導電体21の上面上に積層体22が設けられている。積層体22は、y軸に沿って延び、x軸に沿って間隔を有して並んでいる。各積層体22は、例えば、当該積層体22の下方の対応する導電体21に沿って延び、例えば対応する導電体21のxy面に沿った形状(平面形状)と同じ平面形状を有する。ここで、積層体22の間隔をFとする。
各積層体22は、少なくとも1つの強磁性体を含み、積層体22に含まれる強磁性体による磁化を示す。積層体22の中の1つの強磁性体の磁化の向きは記憶装置1でのデータの読み出しおよび書き込みによっても不変であり、積層体22は、いわゆる参照層として機能することができる。
各積層体22の上面上に、複数の絶縁体23が設けられている。絶縁体23のx軸に沿う長さは、例えば、当該絶縁体23の下方の対応する積層体22の幅と同じである。絶縁体23のy軸に沿う長さは、例えば、Fにほぼ等しい。
絶縁体23は、非磁性の絶縁体を含むか、非磁性の絶縁体からなり、例えば、酸化マグネシウム(MgO)を含むか、MgOからなる。絶縁体23は、トンネルバリアとして機能することができる。
各絶縁体23の上面上に1つの強磁性体24が設けられている。強磁性体24のx軸に沿う長さは、例えば、当該強磁性体24の下方の対応する積層体22の幅と同じである。強磁性体24のy軸に沿う長さは、例えば、Fにほぼ等しい。強磁性体24は、例えば、コバルト鉄ボロン(CoFeB)またはホウ化鉄(FeB)を含むか、あるいはCoFeBまたはFeBからなる。強磁性体24は、その磁化の向きがデータ書き込みによって可変であり、いわゆる記憶層として機能することができる。
積層体22、1つの絶縁体23、および1つの強磁性体24の組は、トンネル磁気抵抗効果を示し、1つの抵抗変化素子VRとして機能することができる。トンネル磁気抵抗効果は、絶縁体を挟んだ2つの強磁性体を含む構造において、2つの強磁性体の磁化の向きが平行である場合と反平行である場合とでは抵抗値が異なる現象を指す。平行である場合の抵抗値は反平行である場合の抵抗値より小さい。2つの相違する抵抗値を示す状態が、2値のデータにそれぞれ割り当てられることが可能である。図4に示される抵抗変化素子VRは、MTJ(magnetic tunnel junction)を含む。
各積層体22は、上記のように複数の強磁性体24と接続されており、よって、当該積層体22と接続された複数の強磁性体24のそれぞれを含んだ複数の抵抗変化素子VRの各々の参照層として機能することができる。すなわち、各積層体22は、複数の抵抗変化素子VRによって、ひいては複数のメモリセルMCによって共用される。便宜上、各積層体22のうちの、1つの絶縁体23および1つの強磁性体24の組の下方の部分22aが、当該絶縁体23および当該強磁性体24ともに1つの抵抗変化素子VRとして機能すると考えられることができる。
各強磁性体24の上面上に、導電体25が設けられている。導電体25は、例えば、当該導電体25の下方の対応する強磁性体24の平面形状と同じ平面形状を有する。導電体25は、白金(Pt)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、およびルテニウム(Ru)の少なくとも1つを含むか、Pt、W、Ta、およびRuからなる。
x軸に沿って並ぶ複数の導電体25のそれぞれの上面上に可変抵抗材料26が設けられている。可変抵抗材料26は、x軸に沿って延び、y軸に沿って間隔を有して並んでいる。可変抵抗材料26は、例えば、Fの幅(y軸に沿った長さ)を有する。また、可変抵抗材料26の間隔は、例えばFである。
各可変抵抗材料26は、当該可変抵抗材料26と接続された複数の抵抗変化素子VRのそれぞれと接続された複数のスイッチ素子SELとして機能することができる。すなわち、各可変抵抗材料26は、複数のメモリセルMCによって共用される。
スイッチ素子SELは、例えば2端子間スイッチ素子であり、2端子のうちの第1端子の上面および底面の一方に相当し、2端子のうちの第2端子は可変抵抗材料26の上面および底面の他方である。可変抵抗材料26は、Te、Se、およびSからなる群より選択された少なくとも1種以上のカルコゲン元素を含む。または、可変抵抗材料26は、上記カルコゲン元素を含む化合物であるカルコゲナイドを含んでいてもよい。可変抵抗材料26は、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、As、P、およびSbからなる群より選択された少なくとも1種以上の元素をさらに含んでもよい。
各可変抵抗材料26の上面上に1つの導電体31が設けられている。導電体31は、x軸に沿って延び、y軸に沿って間隔を有して並んでいる。各導電体31は、例えば、下方の対応する可変抵抗材料26の平面形状と同じ平面形状を有する。導電体31は、例えば、Fの幅(y軸に沿った長さ)を有する。また、導電体31の間隔は、例えば、Fである。各導電体31は、1つのワード線WLとして機能する。
各導電体31の上面上に、1つのハードマスク32が設けられている。ハードマスク32は、例えば窒化シリコン(SiN)である。ハードマスク32は、x軸に沿って延び、y軸に沿って間隔を有して並んでいる。各ハードマスク32は、例えば、下方の対応する導電体31の平面形状と同じ平面形状を有する。なお、ハードマスク32は、後述の製造工程において使用されるため、最終的な構造においては無くても構わない。
絶縁体20aの上面から導電体25の層までの層のうちで導電体21、積層体22、絶縁体23、強磁性体24、導電体25、可変抵抗材料26、導電体31、およびハードマスク32が設けられていない部分には、絶縁体20の別の部分20bが設けられている。
図4において接続されている2つの強磁性体または導電体の間にさらなる導電体が設けられていてもよい。
図5は、第1実施形態の抵抗変化素子VRの構造を示す。積層体22は少なくとも1つの強磁性体として強磁性体221を含む。強磁性体221の磁化の向きは記憶装置1でのデータの読み出しおよび書き込みによっても不変である。強磁性体24および221は、強磁性体24、絶縁体23、および強磁性体221の界面を貫く方向に沿った磁化容易軸(矢印により示されている)を有する。強磁性体24および221は、強磁性体24、絶縁体23、および強磁性体221の界面に沿った磁化容易軸を有していてもよい。
強磁性体24の磁化の向きが強磁性体221の磁化の向きと平行であると、抵抗変化素子VRは、P状態にあり、低抵抗状態にある。強磁性体24の磁化の向きが強磁性体221の磁化の向きと反平行であると、抵抗変化素子VRは、AP状態にあり、高抵抗状態にある。
データ読み出しのために、データ読み出し対象のメモリセルMCの抵抗変化素子VRと接続されたワード線WLおよびビット線BLに適切な電圧が印加される。この電圧により、抵抗変化素子VRを読み出し電流Irが流れる。読み出し電流Irは、抵抗変化素子VRがAPおよびP状態であるかに基づいて相違する大きさを有する。抵抗変化素子VRを流れる読み出し電流Irの大きさに基づいて、抵抗変化素子VRの抵抗状態が、読み出し回路17によって判断される。
強磁性体24から強磁性体221に向かって書き込み電流IwPが流れると、強磁性体24の磁化の向きは強磁性体221の磁化の向きと平行になる。一方、強磁性体221から強磁性体24に向かって書き込み電流IwAPが流れると、強磁性体24の磁化の向きは強磁性体221の磁化の向きと反平行になる。上記の、強磁性体221の磁化の向きが「不変」であるとは、強磁性体24の磁化の向きを反転させ得る大きさの電流によって強磁性体221の磁化の向きが変化(反転)しないことを指す。
強磁性体221は、例えば、コバルト白金(CoPt)、コバルトニッケル(CoNi)、またはコバルトパラジウム(CoPd)を含むか、CoPt、CoNi、またはCoPdからなる。強磁性体221は、積層体22の平面形状と同じ平面形状を有する。
積層体22は、SAF(synthetic antiferromagnetic)構造を有することができる。そのために、積層体22は導電体222および強磁性体223をさらに含むことができる。強磁性体223は、1つの導電体21の上面上に位置する。強磁性体223は、強磁性体221により生成されかつ強磁性体24に印加される磁界(漏れ磁界)を抑制する。強磁性体223は、強磁性体221の磁化と反対の方向の磁化を有する。強磁性体223は、CoPt、CoNi、またはCoPdを含むか、CoPt、CoNi、またはCoPdからなる。強磁性体223は、積層体22の平面形状と同じ平面形状を有する。
導電体222は、強磁性体223と強磁性体221とを反強磁性結合させる。導電体222は、例えばRuまたはIrを含むか、RuまたはIrからなる。RuおよびIrは、RuまたはIrの層を挟む2つの磁性体を、RuまたはIrの厚さに基づいて、磁性結合させるかあるいは反強磁性結合させることが知られている。導電体222は、強磁性体223と強磁性体221とを反強磁性結合させる厚さを有する。導電体222は、積層体22の平面形状と同じ平面形状を有する。導電体222は、Ptおよび/またはPdの層をさらに含んでいてもよい。
<動作>
1つの抵抗変化素子VRがデータの書き込みまたはデータの読み出しのために選択される。そのために、被選択抵抗変化素子VRと接続されたスイッチ素子(被選択スイッチ素子)SELのみがオンする必要がある。そのために、被選択スイッチ素子SELと接続されたワード線WLと、被選択抵抗変化素子VRと接続されたビット線BLに、ある電圧Vが印加される。電圧Vは、被選択スイッチ素子SELがオンするとともに、被選択スイッチ素子SELに対する処理に応じた大きさの電流I1(すなわち、書き込み電流IWAPまたはIWP、あるいは読み出し電流Ir)を流す大きさを有する。可変抵抗材料26は、複数の抵抗変化素子VRと接続されているので、電圧Vの印加により、図6に示されるように、可変抵抗材料26の広範囲にわたって、電流が流れ得る。しかし、ワード線WL(導電体31)と非選択のビット線BL(導電体21)との間には、電圧Vが印加されていない。このため、電圧Vによって電流は主に部分26aを流れ、部分26aを電流I1が流れる。一方、可変抵抗材料26の部分26a以外の部分26bでは、電流I2(<I1)しか流れない。よって、可変抵抗材料26の部分26aのみがオンする。こうして、可変抵抗材料26が複数の抵抗変化素子VRと接続されていても、被選択抵抗変化素子VRのみをデータ書き込みまたは読み出しに必要な電流が流れることができる。
1つの抵抗変化素子VRがデータの書き込みまたはデータの読み出しのために選択される。そのために、被選択抵抗変化素子VRと接続されたスイッチ素子(被選択スイッチ素子)SELのみがオンする必要がある。そのために、被選択スイッチ素子SELと接続されたワード線WLと、被選択抵抗変化素子VRと接続されたビット線BLに、ある電圧Vが印加される。電圧Vは、被選択スイッチ素子SELがオンするとともに、被選択スイッチ素子SELに対する処理に応じた大きさの電流I1(すなわち、書き込み電流IWAPまたはIWP、あるいは読み出し電流Ir)を流す大きさを有する。可変抵抗材料26は、複数の抵抗変化素子VRと接続されているので、電圧Vの印加により、図6に示されるように、可変抵抗材料26の広範囲にわたって、電流が流れ得る。しかし、ワード線WL(導電体31)と非選択のビット線BL(導電体21)との間には、電圧Vが印加されていない。このため、電圧Vによって電流は主に部分26aを流れ、部分26aを電流I1が流れる。一方、可変抵抗材料26の部分26a以外の部分26bでは、電流I2(<I1)しか流れない。よって、可変抵抗材料26の部分26aのみがオンする。こうして、可変抵抗材料26が複数の抵抗変化素子VRと接続されていても、被選択抵抗変化素子VRのみをデータ書き込みまたは読み出しに必要な電流が流れることができる。
<製造方法>
図7乃至図15は、第1実施形態の記憶装置1の製造工程の間の状態を順に示す。図7乃至図15の各々は、部分(a)において図3のIVA−IVA線に沿った断面の一部の構造を示し、部分(b)において図3のIVB−IVB線に沿った断面の一部の構造を示す。
図7乃至図15は、第1実施形態の記憶装置1の製造工程の間の状態を順に示す。図7乃至図15の各々は、部分(a)において図3のIVA−IVA線に沿った断面の一部の構造を示し、部分(b)において図3のIVB−IVB線に沿った断面の一部の構造を示す。
図7に示されるように、絶縁体20の部分20aの上面上に、導電体21A、積層体22A、絶縁体23A、強磁性体24A、および導電体25Aがこの順に堆積される。導電体21A、積層体22A、絶縁体23A、強磁性体24A、および導電体25Aは、それぞれ導電体21、積層体22、絶縁体23、強磁性体24、および導電体25と実質的に同じ材料からなる。次いで、導電体25Aの上面上に、ハードマスク41が形成される。ハードマスク41は、導電体21および積層体22が形成される領域の上方において残存するとともにその他の部分で開口するパターンを有する。すなわち、ハードマスク41のパターンは、y軸に沿って延びる線状の形状を有し、x軸に沿って間隔を有する。
図8に示されるように、ハードマスク41をマスクとし用いたエッチングにより、導電体21A、積層体22A、絶縁体23A、強磁性体24A、および導電体25Aが部分的に除去される。エッチングは、RIE(reactive ion etching)またはIBE(ion beam etching)であることができる。エッチングにより、導電体21、積層体22、絶縁体23B、強磁性体24B、および導電体25Bが形成される。絶縁体23B、強磁性体24B、および導電体25Bは、導電体21および積層体22と同様にy軸に沿って延び、x軸に沿って間隔を有して並ぶ。IBEの使用によって、積層体22中の強磁性体221および223、ならびに強磁性体24Bの磁気特性が劣化することが抑制されることができる。
図8のIBEは、シャドーイング効果を抑制するために、yz面に沿って進むイオンビームのみを使用して行われることができる。または、図8のIBEは、xy面に対して垂直に近い角度で進むイオンビームを用いて行われることができる。また、図8のIBEは、同じ条件の1回のエッチングのステップのみを含んでいても良いし、相違する条件の複数のエッチングのステップを含んでいてもよい。
図8のIBEによって例えば導電体21Aおよび(または)積層体22A中の導電体から除去された材料が、絶縁体23Bの側面上に再堆積される場合がある。再堆積された導電体は、絶縁体23Bを迂回する電流経路として機能し得る。再堆積した導電体を除去するために、条件の異なるIBEステップが適用されてもよい。または、再堆積された導電体を酸化させることによっても、迂回経路の機能が抑制されることができる。
図9に示されるように、ここまでの工程によって得られる構造上に、絶縁体20の部分20bが堆積される。絶縁体20の部分20bは、導電体21、積層体22、絶縁体23B、強磁性体24B、導電体25B、およびハードマスク41を含んだ構造の間の領域を埋め込む。
図10に示されるように、絶縁体20の部分20bの上部およびハードマスク41が、例えばCMP(chemical mechanical polishing)により除去される。CMPは、例えば、導電体25Bの上面をストッパーとして、導電体25Bの上面の高さで停止される。
図11に示されるように、導電体25Bの上面上および絶縁体20bの上面上の全面に、可変抵抗材料26Aおよび導電体31Aがこの順に堆積される。可変抵抗材料26Aおよび導電体31Aは、それぞれ可変抵抗材料26および導電体31と実質的に同じ材料からなる。
図12に示されるように、導電体31Aの上面上にハードマスク42が形成される。ハードマスク42は、可変抵抗材料26および導電体31の積層構造が形成される領域の上方において残存するとともにその他の部分で開口43を有するパターンを有する。すなわち、ハードマスク42のパターンは、x軸に沿って延びる線状の形状を有し、y軸に沿って間隔を有する。ハードマスク42は、ハードマスク32と実質的に同じ材料からなる。
図13に示されるように、ハードマスク42をマスクとして用いたエッチングにより、導電体31Aおよび可変抵抗材料26Aが部分的に除去される。エッチングは、RIEまたはIBEであることができる。エッチングは、導電体25Bの上面および絶縁体20の部分20bの上面の高さで停止される。エッチングを導電体25Bの上面および絶縁体20の部分20bの上面の高さで停止させるために、例えば、RIEが使用されることができる。エッチングにより、導電体25Bの上面のうちの開口43の下方の部分が露出するとともに、可変抵抗材料26および導電体31が形成される。また、エッチングによって、ハードマスク42の上面が低下し、ハードマスク42のうちのエッチングの終了の時点で残存する部分がハードマスク32として残存する。IBEが使用される場合、IBEは、例えば、xz面に沿って進むイオンビームのみを使用して行われることができる。
図14に示されるように、導電体25Bのうちの開口43の下方の部分が除去される。除去は、例えば、RIEにより行われることができ、すなわち、露出している部分をO2処理を通じて揮発させることによって行われることができる。導電体25Bの部分的除去の結果、導電体25が形成されるとともに、強磁性体24Bの上面が部分的に露出する。
図15に示されるように、強磁性体24Bおよび絶縁体23Bのうちの開口43の下方の部分がエッチングにより除去される。エッチングは例えば、IBEである。エッチングにより、強磁性体24Bは、ハードマスク32、導電体31、可変抵抗材料26、および導電体25の複数の積層構造のそれぞれの下方の部分へと分離され、結果、強磁性体24が形成される。また、エッチングにより、絶縁体23が形成される。絶縁体23のエッチングは、積層体22の中まで到達しても構わない。
次に、ここまでの工程で得られる構造上の全面に、絶縁体20の部分20bがさらに堆積されることにより図4の構造が得られる。
<利点(効果)>
第1実施形態によれば、以下に記述されるように、高性能な記憶装置および記憶装置のより容易な製造方法が提供されることができる。
第1実施形態によれば、以下に記述されるように、高性能な記憶装置および記憶装置のより容易な製造方法が提供されることができる。
第1実施形態の記憶装置のようにビット線とワード線の交点に位置するメモリセルは、以下のような工程で形成され得る。まず、図16に示されるように、ビット線BLとして機能する導電体121が形成され、導電体121上に、メモリセルを構成する複数の層の材料の積層体150が堆積される。積層体150は、例えば、MTJ素子およびセレクタの材料122A、123A、124A、および125Aを含む。材料122A、123A、124A、および125Aは、それぞれ、積層体22、絶縁体23、強磁性体24、導電体25、および可変抵抗材料26と同様の要素へと加工されるものである。次いで、積層体150が、IBEにより複数の独立した積層体へと分離される。個々の積層体は、1つのメモリセルとして機能する。次いで、x軸に沿って並ぶ複数の積層体上に、ワード線が形成される。
しかしながら、この製造方法では、メモリセルとビット線との位置合わせ、およびメモリセルとワード線との位置合わせが必要である。このような位置合わせは、メモリセル、ビット線、およびワード線が微細であるため、非常に難しく、メモリセル、ビット線、およびワード線との相対的な位置が意図した位置から容易にずれ得る。
また、積層体150のIBEが困難である。すなわち、図16に示されるように、積層体150のIBEのために、積層体150の上面上にマスク141が形成される。マスク141は、積層体150の厚さと同様の厚さを有する。IBEでのイオンビームは、IBEによって積層体150から除去された材料が、積層体150に再堆積されることを抑制するために、z軸に対して角度を有する。しかしながら、マスク141の開口のアスペクト比が高いため、シャドーイング効果が生じ得、すなわち、z軸に対して角度を有するイオンビームが積層体150の下部に届かない場合がある。このことは、積層体150のIBEによる加工を困難または不能にする。マスク141の開口の面積が広ければ、シャドーイング効果が抑制されることができるが、メモリセルMCの集積度が低い。
第1実施形態によれば、各積層体22は、xy面において線状の形状を有し、メモリセルMCによって共用され、また、各可変抵抗材料26は、xy面において線状の形状を有し、複数のメモリセルMCによって共用される。換言すると、積層体22および可変抵抗材料26が1つのメモリセルMCごとに設けられていない。このため、積層体22Aおよび可変抵抗材料26Aを含んだ厚い積層体をそれぞれのメモリセル用の部分へと分割する工程、すなわち図16のような工程が不要である。よって、IBEによる積層体のパターニングは図16の例よりも容易であり、図16の工程でのマスク141のように広い開口を有する必要がない。このことは、記憶装置1のメモリセルMCの集積度を上げることを可能にする。
積層体22および可変抵抗材料26が複数のメモリセルMCで共用されていても、強磁性体24は、メモリセルMCごとに独立している。メモリセルMCにおけるトンネル磁気抵抗効果は、強磁性体24の磁化の方向に依存するので、積層体22および可変抵抗材料26がメモリセルMCごとに独立していなくても、各メモリセルMCはトンネル磁気抵抗効果を発現してデータを保持することができる。
また、積層体22が線状の形状を有する。このため、ある数のメモリセルMCのために必要な積層体22の数は、積層体22がメモリセルごとに設けられている場合よりも少ない。一般に磁性体は、その縁より磁界を生じるため、積層体22の数が少なければ、積層体22の縁の数も少ない。よって、第1実施形態の積層体22からの漏れ磁場の強さは、積層体22がメモリセルごとに設けられている場合よりも弱い。このことは、強磁性体24等の強磁性体の磁化をより安定させ、より安定してデータを保持できる記憶装置1の提供を可能にする。
また、積層体22中の導電体222は、積層体22がメモリセルごとに設けられている場合よりも大きな体積を有する。このため、積層体22は、強磁性体221と強磁性体223を積層体22がメモリセルMCごとに設けられている場合よりも強く反強磁性結像させることができる。このことは、積層体22の磁化をより安定させ、より安定してデータを保持できる記憶装置1の提供を可能にする。
また、線状の形状の積層体22は、導電体21Aをパターニングする工程と共通の工程で形成されることができ、線状の可変抵抗材料26は、導電体31Aをパターニングする工程と共通の工程で形成されることができる。このため、積層体22および可変抵抗材料26が効率よく形成されることができる。
また、強磁性体24は、強磁性体24Aを導電体21の形成と共通の工程でパターニングするとともに導電体31の形成と共通の工程でパターニングすることを通じて形成される。このため、各強磁性体24は、1つの導電体21と1つの導電体31の交点に自己整合的に形成される。したがって、強磁性体24を図16の工程のように導電体21および31のパターニングとは独立した工程で形成する場合と異なり、強磁性体24が導電体21および31の交点からずれることが抑制される。このことは、各強磁性体24と、対応する導電体21および31との電気的な接触の不良を抑制し、より高性能な記憶装置1の提供を可能にする。
また、強磁性体24が導電体21の形成と共通の工程でパターニングされるとともに導電体31の形成と共通の工程でパターニングされることを通じて形成される。このため、例えば図16の工程のように積層体150をメモリセルごとに分離させるための専用のパターニング工程、ひいてはそのためのマスク141の露光の工程は不要である。よって、記憶装置1は、図16の工程を含む製造方法での場合よりも少ない露光工程で形成されることが可能である。
(第2実施形態)
第2実施形態は、メモリセルアレイ11の構造の点で、第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と異なる点が主に記述される。
第2実施形態は、メモリセルアレイ11の構造の点で、第1実施形態と異なる。以下、第1実施形態と異なる点が主に記述される。
図17は、第2実施形態のメモリセルアレイ11の一部の概略的な構造の斜視図である。図17では、いくつかの要素が、示されていないか、簡略化されて示されている。図18は、部分(a)において図17のXVIII−XVIII線に沿った断面の一部の構造を示し、部分(b)において図17のXVIII−XVIII線に沿った断面の一部の構造を示す。
図17および図18に示されるように、メモリセルアレイ11は、第1実施形態(図3および図4)での可変抵抗材料26を含まず、可変抵抗材料51を含んでいる。各可変抵抗材料51は、可変抵抗材料26がx軸に沿って並ぶ複数の導電体25の上面上に設けられているのに対し、1つの導電体25の上面上に設けられている。よって、可変抵抗材料51は、x軸およびy軸に沿って配列している。
各導電体31は、x軸に沿って並ぶ複数の可変抵抗材料51の上面上に設けられている。
図19乃至図27は、第2実施形態の記憶装置1の製造工程の間の状態を順に示す。図19乃至図27の各々は、部分(a)において図18のXVIIIA−XVIIIA線に沿った断面の一部の構造を示し、部分(b)において図18のXVIIIB−XVIIIB線に沿った断面の一部の構造を示す。図19乃至図27の工程は、それぞれ第1実施形態の図7乃至図15の工程に類似する。
図19に示されるように、絶縁体20の部分20aの上面上に、導電体21A、積層体22A、絶縁体23A、強磁性体24A、導電体25A、および可変抵抗材料51Aがこの順に堆積される。可変抵抗材料51Aは、可変抵抗材料51と実質的に同じ材料からなる。次いで、可変抵抗材料51Aの上面上に、ハードマスク52が形成される。ハードマスク52は、導電体21、積層体22、絶縁体23、および強磁性体24の積層構造が形成される領域の上方において残存するとともにその他の部分で開口するパターンを有する。すなわち、ハードマスク52のパターンは、y軸に沿って延びる線状の形状を有し、x軸に沿って間隔を有する。
図20に示されるように、ハードマスク52をマスクとし用いたエッチングにより、導電体21A、積層体22A、絶縁体23A、強磁性体24A、導電体25A、および可変抵抗材料51Aが部分的に除去される。エッチングは、RIEまたはIBEであることができる。エッチングにより、導電体21、積層体22、絶縁体23B、強磁性体24B、導電体25B、および可変抵抗材料51Bが形成される。可変抵抗材料51Bは、y軸に沿って延び、x軸に沿って間隔を有して並ぶ。図20に関する他の特徴については、図8についての記述が当てはまる。
図21に示されるように、ここまでの工程によって得られる構造の全面に、絶縁体20の部分20bが堆積される。絶縁体20の部分20bは、導電体21、積層体22、絶縁体23B、強磁性体24B、導電体25B、および可変抵抗材料51Bを含んだ積層構造の間の領域を埋め込む。
図22に示されるように、絶縁体20の部分20bの上部およびハードマスク52が、例えばCMPにより除去される。CMPは、例えば、可変抵抗材料51Bの上面をストッパーとして、可変抵抗材料51Bの上面の高さで停止される。
図23に示されるように、可変抵抗材料51Bの上面上および絶縁体20bの上面上の全面に、導電体31Aが堆積される。
図24に示されるように、導電体31Aの上面上にハードマスク54が形成される。ハードマスク54は、導電体31が形成される領域の上方において残存するとともにその他の部分で開口55を有する。すなわち、ハードマスク54のパターンは、x軸に沿って延びる線状の形状を有し、y軸に沿って間隔を有する。ハードマスク54は、ハードマスク32と実質的に同じ材料からなる。
図25に示されるように、図13と同様に、ハードマスク54をマスクとして用いたエッチングにより、導電体31Aおよび可変抵抗材料51Bが部分的にエッチングされ、絶縁体20bのうちの開口55の下方かつ導電体25Bよりも上方の部分が除去される。エッチングは、RIEまたはIBEであることができる。エッチングは、導電体25Bの上面の高さで停止される。エッチングの結果、導電体25Bの上面のうちの開口55の下方の部分が露出する。エッチングを導電体25Bの上面で停止させるために、例えば、RIEが使用されることができる。エッチングにより、可変抵抗材料51および導電体31が形成される。図25に関する他の特徴については、図13についての記述が当てはまる。
図26に示されるように、図14と同様にして、導電体25Bのうちの開口55の下方の部分が除去される。除去の結果、導電体25が形成されるとともに、強磁性体24Bの上面が部分的に露出する。図26に関する他の特徴については、図14についての記述が当てはまる。
図27に示されるように、図15と同じく、エッチングにより、強磁性体24Bおよび絶縁体23Bが部分的に除去される。この結果、強磁性体24および絶縁体23が形成される。
次に、ここまでの工程で得られる構造上の全面に、絶縁体20の部分20bがさらに堆積されることにより図18の構造が得られる。
第2実施形態によれば、第1実施形態と同じく、各積層体22は、xy面において線状の形状を有し、複数のメモリセルMCによって共用されており、積層体22が1つのメモリセルMCごとに設けられていない。このため、第1実施形態と同じく、積層体22Aおよび可変抵抗材料26Aを含んだ厚い積層体を、それぞれのメモリセル用の部分へと分割する工程、すなわち図16のような工程が不要である。
また、第1実施形態と同じく、積層体22が線状の形状を有する。このため、第1実施形態と同じく、より安定してデータを保持できる記憶装置1が提供されることができる。
また、線状の形状の積層体22は、導電体21Aをパターニングする工程と共通の工程で形成されることができる。このため、積層体22が効率よく形成されることができる。
また、強磁性体24および可変抵抗材料51は、強磁性体24Aおよび可変抵抗材料51Aを導電体21の形成と共通の工程でパターニングするとともに導電体31の形成と共通の工程でパターニングすることを通じて形成される。このため、各強磁性体24および可変抵抗材料51は、1つの導電体21と1つの導電体31の交点に自己整合的に形成される。したがって、導電体21および31のパターニングとは独立した工程で形成する場合、例えば図16の工程の場合と異なり、強磁性体24および可変抵抗材料51の組が導電体21および31の交点からずれることが抑制される。このことは、強磁性体24および可変抵抗材料51の各組と対応する導電体21および31との電気的な接触の不良を抑制し、より高性能な記憶装置1の提供を可能にする。
また、強磁性体24Aおよび可変抵抗材料51が導電体21の形成と共通の工程でパターニングされるとともに導電体31の形成と共通の工程でパターニングされることを通じて形成される。このため、例えば図16の工程のように積層体150をメモリセルごとに分離させるための専用のパターニング工程、ひいてはそのためのマスク141の露光の工程は不要である。よって、記憶装置1は、図16の工程を含む製造方法での場合よりも少ない露光工程で形成されることが可能である。
<変形例>
図17の構造は、z軸に沿って繰り返し設けられることが可能である。図28は、そのような例を示しており、第1実施形態の変形例のメモリセルアレイ11の一部の概略的な構造の斜視図である。図28は、図3と同様に、いくつかの要素が、示されていないか、簡略化されて示されている。
図17の構造は、z軸に沿って繰り返し設けられることが可能である。図28は、そのような例を示しており、第1実施形態の変形例のメモリセルアレイ11の一部の概略的な構造の斜視図である。図28は、図3と同様に、いくつかの要素が、示されていないか、簡略化されて示されている。
図28での導電体21_1、積層体22_1、強磁性体24_1、可変抵抗材料26_1、および導電体31_1は、図3での導電体21、積層体22、強磁性体24、可変抵抗材料26、および導電体31にそれぞれ相当する。以下の記述において、或る数字とアンダーバーを含んだ参照符号を付される要素は、アンダーバー無しの参照符号を付される要素と、同じまたは同様の特徴を有し、アンダーバー無しの参照符号を付される要素を互いに区別するために用いられる。
導電体21_1、積層体22_1、強磁性体24_1、可変抵抗材料26_1、および導電体31_1の層は、第1メモリ層ML1を構成する。後述の第2メモリ層ML2、第3メモリ層ML3、および第4メモリ層ML4を含め、第1メモリ層ML1〜第4メモリ層ML4の各々は、1つの単位構造を構成する。すなわち、第1メモリ層ML1〜第4メモリ層ML4の各々において、複数のワード線WL、複数のビット線BL、および当該複数のワード線WLの各々と当該複数のビット線BLの1つとの間に1つのメモリセルMCが接続される構造が形成されている。
各導電体31_1の上面上に、積層体61_1が設けられている。積層体61_1は、x軸に沿って延び、y軸に沿って並ぶ。積層体61_1は、積層体22に含まれる層と同じ特性および機能の層を含む。すなわち、積層体61は、強磁性体611(図示せず)、導電体612(図示せず)、および強磁性体613(図示せず)を含む。強磁性体611、導電体612、および強磁性体613は、それぞれ強磁性体221、導電体222、および強磁性体223と同じ材料を含む。
各積層体61_1の上面上に、複数の強磁性体24_2が設けられている。y軸に沿って並ぶ複数の強磁性体24_2の上面上に、可変抵抗材料62_1が設けられている。可変抵抗材料62_1は、y軸に沿って延び、x軸に沿って間隔を有して並んでいる。可変抵抗材料62_1は、可変抵抗材料26と同じ材料を含む。
各可変抵抗材料62_1の上面上に、導電体21_2が設けられている。導電体21_2はy軸に沿って延び、x軸に沿って間隔を有して並んでいる。
導電体31_1、積層体61_1、強磁性体24_2、可変抵抗材料62_1、および導電体21_2は、第2メモリ層ML2を構成する。
導電体21_2を含む第3メモリ層ML3が設けられている。第3メモリ層ML3は、導電体21_2、積層体22_2、強磁性体24_3、可変抵抗材料26_2、および導電体31_2を含む。第3メモリ層ML3は、第1メモリ層ML1と同じ構造を有する。
導電体31_2を含む第4メモリ層ML4が設けられている。第4メモリ層ML4は、導電体31_2、積層体61_2、強磁性体24_4、可変抵抗材料62_2、および導電体21_3を含む。第4メモリ層ML4は、第2メモリ層ML2と同じ構造を有する。
ここまで記述された構造を拡張することによって、さらなるメモリ層が設けられることもできる。例えば、第(2k+1)メモリ層(kは2以上の自然数)は、第(2k)メモリ層と導電体を共有するとともに、第1メモリ層ML1と同じ構造を有する。また、第(2k+2)メモリセルは、第(2k+1)メモリ層と導電体を共有するとともに、第2メモリ層ML2と同じ構造を有する、
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1…記憶装置、11…メモリセルアレイ、12…入出力回路、13…制御回路、14…ロウ選択回路、15…カラム選択回路、16…書き込み回路、17…読み出し回路、MC…メモリセル、VR…抵抗変化素子、SEL…スイッチ素子、WL…ワード線、BL…ビット線、20…絶縁体、21…導電体、22…積層体、23…絶縁体、24…強磁性体、25…導電体、26…可変抵抗材料、31…導電体、32…ハードマスク。
Claims (9)
- 第1軸に沿って延びる第1導電体と、
前記第1軸に沿って延び、前記第1導電体と電気的に接続され、前記第1軸に沿って延びる第1強磁性体を含んだ第1積層体と、
前記第1積層体と電気的に接続された第1絶縁体と、
前記第1絶縁体と電気的に接続された第2強磁性体と、
第1端および第2端を有し、前記第1端を前記第2強磁性体と電気的に接続された第1スイッチ素子であって、前記第1スイッチ素子は、前記第1端と前記第2端との間に印加される電圧に応答して前記第1端から前記第2端への電流を許可または遮断し、前記第2端と前記第1端との間に印加される電圧に応答して前記第2端から前記第1端への電流を許可または遮断する、第1スイッチ素子と、
第2軸に沿って延び、前記第1スイッチ素子の前記第2端と電気的に接続された第2導電体と、
を備える記憶装置。 - 前記第1積層体と電気的に接続された第2絶縁体と、
前記第2絶縁体と電気的に接続された第3強磁性体と、
をさらに備える、
請求項1の記憶装置。 - 前記第1スイッチ素子の前記第1端は、前記第3強磁性体と電気的に接続されている、
請求項2の記憶装置。 - 前記第1積層体は、
前記第1軸に沿って延び、前記第1強磁性体と電気的に接続された第3導電体と、
前記第1軸に沿って延び、前記第3導電体と電気的に接続された第3強磁性体と、
を含む、請求項1の記憶装置。 - 前記第1積層体は、前記第1導電体の上方に位置し、
前記第1絶縁体は、前記第1積層体の上方に位置し、
前記第2強磁性体は、前記第1絶縁体の上方に位置し、
前記第1スイッチ素子は、前記第2強磁性体の上方に位置し、
前記第2導電体は、前記第1スイッチ素子の上方に位置する、
請求項1の記憶装置。 - 前記第1スイッチ素子は、
前記第2軸に沿って延びる可変抵抗材料を含み、
前記第1端から前記第2端に向かって第1閾値未満の電圧を印加されていると、前記第1端から前記第2端へ流れる電流を遮断し、
前記第1端から前記第2端に向かって前記第1閾値以上の電圧を印加されていると、前記第1端から前記第2端へ電流を流し、
前記第2端から前記第1端に向かって第2閾値未満の電圧を印加されていると、前記第2端から前記第1端へ流れる電流を遮断し、
前記第2端から前記第1端に向かって前記第2閾値以上の電圧を印加されていると、前記第2端から前記第1端へ電流を流す、
請求項1の記憶装置。 - 前記第2軸に沿って延び、前記第2導電体と電気的に接続され、前記第2軸に沿って延びる第3強磁性体を含んだ第2積層体と、
前記第2積層体と電気的に接続された第2絶縁体と、
前記第2絶縁体と電気的に接続された第4強磁性体と、
第3端および第4端を有し、前記第3端を前記第4強磁性体と電気的に接続された第2スイッチ素子であって、前記第2スイッチ素子は、前記第3端と前記第4端との間に印加される電圧に応答して前記第3端から前記第4端への電流を許可または遮断し、前記第3端と前記第4端との間に印加される電圧に応答して前記第4端から前記第3端への電流を許可または遮断する、第2スイッチ素子と、
前記第1軸に沿って延び、前記第2スイッチ素子の前記第4端と電気的に接続された第3導電体と、
をさらに備える、請求項1の記憶装置。 - 第1軸に沿って延びる複数の第1導電体と、
前記第1軸に沿って延び、前記複数の第1導電体とそれぞれ電気的に接続された複数の第1積層体であって、前記複数の第1積層体の各々は前記第1軸に沿って延びる第1強磁性体を含む、複数の第1積層体と、
前記複数の第1積層体上で前記第1軸および前記第1軸と交差する第2軸からなる面内で行列状に配置され、前記複数の第1積層体と電気的に接続された複数の第1絶縁体と、
各々が前記複数の第1絶縁体の1つと電気的に接続された、複数の第2強磁性体と、
第1端および第2端を有する複数の第1スイッチ素子であって、前記複数の第1素子の各々は、前記第1端を前記複数の第2強磁性体の1つと接続され、前記第1端と前記第2端との間に印加される電圧に応答して前記第1端から前記第2端への電流を許可または遮断し、前記第2端と前記第1端との間に印加される電圧に応答して前記第2端から前記第1端への電流を許可または遮断する、複数の第1スイッチ素子と、
前記第2軸に沿って延びる複数の第2導電体であって、前記複数の第2導電体の各々は前記複数の第1スイッチ素子のうちの前記第2軸に沿って延びる複数の第1スイッチ素子の各々の前記第2端と電気的に接続されている、複数の第2導電体と、
を備える記憶装置。 - 第1導電体上に、第1強磁性体を含んだ第1積層体を形成することと、
前記第1積層体上に、第1絶縁体および第2強磁性体を順に形成することと、
前記第1導電体、前記第1積層体、前記第1絶縁体、および前記第2強磁性体を第1軸に沿う複数の部分へと分離して、前記第1導電体、前記第1積層体、前記第1絶縁体、および前記第2強磁性体から、それぞれ、第1軸に沿って延びる複数の第2導電体、複数の第2積層体、複数の第2絶縁体、および複数の第3強磁性体を形成することと、
前記複数の第3強磁性体上に前記複数の第3強磁性体に亘って広がる第1可変抵抗材料を形成することと、
前記複数の第2絶縁体、前記複数の第3強磁性体、および前記第1可変抵抗材料を前記第1軸と交わる第2軸に沿う複数の部分へと分離して、前記複数の第2絶縁体、前記複数の第3強磁性体、および前記第1可変抵抗材料から、それぞれ、
複数の第3絶縁体、複数の第4強磁性体、および、複数の第2可変抵抗材料、を形成することと、
を備える記憶装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018173091A JP2020047662A (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 記憶装置および記憶装置の製造方法 |
US16/290,622 US11050015B2 (en) | 2018-09-14 | 2019-03-01 | Storage device and method for manufacturing storage device |
CN201910176594.4A CN110910930B (zh) | 2018-09-14 | 2019-03-08 | 存储装置及其制造方法 |
TW108107981A TWI702597B (zh) | 2018-09-14 | 2019-03-11 | 記憶裝置及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018173091A JP2020047662A (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 記憶装置および記憶装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020047662A true JP2020047662A (ja) | 2020-03-26 |
Family
ID=69773164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018173091A Pending JP2020047662A (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 記憶装置および記憶装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11050015B2 (ja) |
JP (1) | JP2020047662A (ja) |
CN (1) | CN110910930B (ja) |
TW (1) | TWI702597B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11373705B2 (en) * | 2020-11-23 | 2022-06-28 | Micron Technology, Inc. | Dynamically boosting read voltage for a memory device |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4157707B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
US7697313B2 (en) * | 2007-10-16 | 2010-04-13 | Qimonda Ag | Integrated circuit, memory cell, memory module, method of operating an integrated circuit, and method of manufacturing a memory cell |
US7855435B2 (en) * | 2008-03-12 | 2010-12-21 | Qimonda Ag | Integrated circuit, method of manufacturing an integrated circuit, and memory module |
US20100032642A1 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Chanro Park | Method of Manufacturing a Resistivity Changing Memory Cell, Resistivity Changing Memory Cell, Integrated Circuit, and Memory Module |
JP5439147B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-03-12 | 株式会社東芝 | 抵抗変化メモリ |
JP5161911B2 (ja) | 2010-03-25 | 2013-03-13 | 株式会社東芝 | 抵抗変化メモリ |
JP2013041912A (ja) | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリ |
KR20130076459A (ko) | 2011-12-28 | 2013-07-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US8841644B2 (en) | 2012-07-06 | 2014-09-23 | Micron Technology, Inc. | Thermal isolation in memory cells |
US9543515B2 (en) | 2013-11-07 | 2017-01-10 | Intel Corporation | Electrode materials and interface layers to minimize chalcogenide interface resistance |
JP6106118B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-03-29 | 株式会社東芝 | 磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置 |
US20150263068A1 (en) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Variable resistance memory and the method of controlling the same |
CN107799546B (zh) * | 2016-09-07 | 2022-01-04 | 东芝存储器株式会社 | 存储装置及其制造方法 |
US10734443B2 (en) * | 2018-08-27 | 2020-08-04 | Allegro Microsystems, Llc | Dual manetoresistance element with two directions of response to external magnetic fields |
-
2018
- 2018-09-14 JP JP2018173091A patent/JP2020047662A/ja active Pending
-
2019
- 2019-03-01 US US16/290,622 patent/US11050015B2/en active Active
- 2019-03-08 CN CN201910176594.4A patent/CN110910930B/zh active Active
- 2019-03-11 TW TW108107981A patent/TWI702597B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110910930A (zh) | 2020-03-24 |
TW202011396A (zh) | 2020-03-16 |
CN110910930B (zh) | 2023-10-20 |
TWI702597B (zh) | 2020-08-21 |
US20200091409A1 (en) | 2020-03-19 |
US11050015B2 (en) | 2021-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10490601B2 (en) | Bottom pinned SOT-MRAM bit structure and method of fabrication | |
JP6316474B1 (ja) | 磁気メモリ | |
US10515678B2 (en) | Magnetic memory devices | |
CN113129955B (zh) | 磁存储器器件和磁存储器及其制造方法 | |
KR102406722B1 (ko) | 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법 | |
US9608040B2 (en) | Memory device and method of fabricating the same | |
US9461243B2 (en) | STT-MRAM and method of manufacturing the same | |
US8958239B2 (en) | Magnetic memory element, magnetic memory device, spin transistor, and integrated circuit | |
US20200083288A1 (en) | Magnetic memory | |
US10388855B2 (en) | Magnetic memory device | |
US10937947B2 (en) | Magnetic memory device with a nonmagnet between two ferromagnets of a magnetoresistive effect element | |
JP2013232497A (ja) | 磁性体装置及びその製造方法 | |
US20220028441A1 (en) | Magnetoresistive memory device and method of manufacturing magnetoresistive memory device | |
CN110910930B (zh) | 存储装置及其制造方法 | |
US10446230B2 (en) | Memory device | |
CN110911550A (zh) | 磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备 | |
CN107017275B (zh) | 磁存储装置 | |
EP1729339A2 (en) | Magnetic memory and method of manufacturing same | |
US20190221608A1 (en) | Method for manufacturing a magnetic tunnel junction device and device manufactured using such method | |
CN110943158B (zh) | 制造半导体装置的方法 | |
JP2022049876A (ja) | 磁気記憶装置及び磁気記憶装置の製造方法 | |
CN112750855A (zh) | 磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法 | |
CN113394340A (zh) | 磁存储装置以及磁存储装置的制造方法 |