JP2020024809A5 - - Google Patents
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Description
本発明の実施形態の一観点に係る二次電池の劣化判定システムは、二次電池の表面の略矩形状の主面の四隅に取り付けられ、取付位置の電池表面の圧力を検出する4つのひずみゲージと、前記4つのひずみゲージの測定値に基づいて、前記二次電池の劣化を判定する劣化判定部と、を備え、前記劣化判定部は、前記二次電池の表面のうち、前記4つのひずみゲージにより区画される領域の中で、体積膨張が最大となる体積膨張位置を推定する。
同様に、本発明の実施形態の一観点に係る二次電池の劣化判定方法は、二次電池の表面の略矩形状の主面の四隅に取り付けられた4つのひずみゲージにより、取付位置の電池表面の圧力を検出する圧力検出ステップと、前記4つのひずみゲージの測定値に基づいて、前記二次電池の劣化を判定する劣化判定ステップと、を含み、前記劣化判定ステップでは、前記二次電池の表面のうち、前記4つのひずみゲージにより区画される領域の中で、体積膨張が最大となる体積膨張位置が推定される。
Claims (4)
- 二次電池の表面の略矩形状の主面の四隅に取り付けられ、取付位置の電池表面の圧力を検出する4つのひずみゲージと、
前記4つのひずみゲージの測定値に基づいて、前記二次電池の劣化を判定する劣化判定部と、
を備え、
前記劣化判定部は、前記二次電池の表面のうち、前記4つのひずみゲージにより区画される領域の中で、体積膨張が最大となる膨張最大位置を推定する、
二次電池の劣化判定システム。 - 前記二次電池の前記表面のうちの一面に4つの前記ひずみゲージが配置され、
前記劣化判定部は、
前記一面の中央位置を原点とし、前記4つのひずみゲージのそれぞれが各象限に配置されるように二次元座標系を設定し、
前記ひずみゲージのうち、前記二次元座標系のx軸の正側に配置される2つの前記ひずみゲージの測定値の和と、前記二次元座標系のx軸の負側に配置される2つの前記ひずみゲージの測定値の和との差分を計算し、該差分に応じて前記中央位置からのx軸方向のズレ量を算出し、
前記ひずみゲージのうち、前記二次元座標系のy軸の正側に配置される2つの前記ひずみゲージの測定値の和と、前記二次元座標系のy軸の負側に配置される2つの前記ひずみゲージの測定値の和との差分を計算し、該差分に応じて前記中央位置からのy軸方向のズレ量を算出し、
前記x軸方向のズレ量、及び、前記y軸方向のズレ量に基づいて、前記膨張最大位置の座標を算出する、
請求項1に記載の二次電池の劣化判定システム。 - 前記二次電池はリチウムイオン電池である、
請求項1または2に記載の二次電池の劣化判定システム。 - 二次電池の表面の略矩形状の主面の四隅に取り付けられた4つのひずみゲージにより、取付位置の電池表面の圧力を検出する圧力検出ステップと、
前記4つのひずみゲージの測定値に基づいて、前記二次電池の劣化を判定する劣化判定ステップと、を含み、
前記劣化判定ステップでは、前記二次電池の表面のうち、前記4つのひずみゲージにより区画される領域の中で、体積膨張が最大となる膨張最大位置が推定される、
二次電池の劣化判定方法。
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