JP2020013843A - 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】研削精度の低下を抑えつつ、良好なテクスチャー構造を効率よく形成可能な光電変換素子の製造方法、研削精度が高く光電変換効率が高い光電変換素子および光電変換モジュール、ならびに、前記光電変換素子を備える電子機器を提供すること。【解決手段】半導体基板８００Ｗの一方の面８４Ｗを研削する工程と、半導体基板８００Ｗの他方の面８５Ｗの上方の一部に保護膜８９を形成する工程と、半導体基板の一方の面８４Ｗにエッチング処理を施す工程と、を有する光電変換素子の製造方法であって、保護膜８９を形成する工程は、インクジェット法またはスクリーン印刷法を用いる工程であることが好ましい。【選択図】図１４

Description

本発明は、光電変換素子の製造方法、光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器に関するものである。

太陽電池のような光電変換素子は、結晶系シリコンのような半導体材料を備えている。結晶系シリコンの受光面に光が当たると、一部の光が受光面から内部に侵入し、電子・ホール対を生成する。生成された電子およびホールは、ｐｎ接合において互いに引き分けられることにより、電流として取り出される。このため、光電変換素子における光電変換効率を高めるためには、結晶系シリコンの内部に十分な量の光を侵入させる必要がある。

そこで、結晶系シリコンの受光面に凹凸形状（テクスチャー構造）を設けることが提案されている。このようなテクスチャー構造は、表面での多重反射を促して受光面の表面反射率を低下させるとともに、内部全反射を促して内部に光を閉じ込めるように作用する。

このようなテクスチャー構造は、例えばウエットエッチング法により形成される。特許文献１には、アルカリ水溶液によってエッチングし、受光面に凹凸形状（テクスチャー構造）を形成する工程を含む裏面電極型の太陽電池の製造方法が開示されている。具体的には、ｎ型シリコン基板の裏面にテクスチャーマスクを形成する工程と、ｎ型シリコン基板の受光面をアルカリ水溶液によってエッチングし、受光面にテクスチャー構造を形成する工程と、裏面にｎ＋＋層およびｐ＋層を形成する工程と、を有する。

特開２０１３−２４７２８６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、テクスチャー構造を形成した後、裏面にｎ＋＋層やｐ＋層等の不純物拡散層を形成する。このため、不純物拡散層を形成する過程においてテクスチャー構造が傷ついたり、異物が付着したりするおそれがある。このようにしてテクスチャー構造が損傷を受けると、受光面の表面入射率が低下し、光電変換効率の低下を招く。

以上のような課題に鑑みて、研削精度の低下を抑えつつ、良好なテクスチャー構造を効率よく形成する方法が求められている。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。

本発明の適用例に係る光電変換素子の製造方法は、半導体基板の一方の面を研削する工程と、
前記半導体基板の前記一方の面と表裏関係にある他方の面の上方の一部に保護膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方の面にエッチング処理を施す工程と、
を有する。

本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計を示す斜視図である。 本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計を示す斜視図である。 図１、２に示す電子時計の平面図である。 図１、２に示す電子時計の縦断面図である。 図４に示す電子時計のうち光電変換モジュールのみを図示した平面図である。 図５に示す光電変換モジュールの分解斜視図である。 図５に示す光電変換モジュールの分解断面図である。 図６に示す光電変換素子の電極面を示す平面図である。 図８に示す平面図のうちフィンガー電極を選択的に示す図である。 図８に示す平面図のうちバスバー電極および電極パッドを選択的に示す図である。 図８に示す光電変換素子の変形例を示す平面図であって、フィンガー電極の本数を図８とは異ならせた例を示す図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図７に示すセルの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。 図１８に示す製造方法により製造されたセルと配線基板とを、導電接続部を介して接続してなる太陽電池の断面図である。 図１４に示すＳｉウエハーの裏面の平面図であって、セルの１つ分の範囲のみを示した図である。 図２１に示す保護膜の配置の変形例である。 本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計の変形例を示す平面図である。 図２３に示す電子時計の縦断面図である。

以下、本発明の光電変換素子の製造方法、光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜電子時計＞
まず、本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計について説明する。かかる電子時計は、受光面に光が照射されると、内蔵する太陽電池（光電変換モジュール）によって発電（光電変換）し、発電により得られた電力を駆動電力として利用するように構成されている。

図１、２は、それぞれ、本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計を示す斜視図である。このうち、図１は、電子時計の表側から見たときの外観を表す斜視図であり、図２は、電子時計の裏側から見たときの外観を表す斜視図である。また、図３は、図１、２に示す電子時計の平面図であり、図４は、図１、２に示す電子時計の縦断面図である。

電子時計２００は、ケース３１と太陽電池８０（光電変換モジュール）と表示部５０と光センサー部４０を含む機器本体３０と、ケース３１に取り付けられた２つのバンド１０と、を有している。

なお、本明細書では、電子時計２００および太陽電池８０のうち、太陽電池８０に入射する光の光源側を「表（おもて）」とし、その反対側を「裏」とする。また、太陽電池８０の受光面８４（後述する図５、６参照）に直交する方向に延在する方向軸をＺ軸とする。また、電子時計２００の裏側から表側への向きを「＋Ｚ方向」とし、その反対向きを「−Ｚ方向」とする。

一方、Ｚ軸に直交する２つの軸を「Ｘ軸」および「Ｙ軸」とする。このうち、２つのバンド１０同士を結ぶ方向軸をＹ軸とし、Ｙ軸に直交する方向軸をＸ軸とする。また、表示部５０の上向きを「＋Ｙ方向」とし、下向きを「−Ｙ方向」とする。また、図３における右向きを「＋Ｘ方向」とし、左向きを「−Ｘ方向」とする。

以下、電子時計２００の構成について順次説明する。
（機器本体）
機器本体３０は、表側および裏側に開口したケース３１と、表側の開口部３５を塞ぐように設けられた風防板５５と、ケース３１の表面および風防板５５の側面を覆うように設けられたベゼル５７と、裏側の開口部を塞ぐように設けられた透明カバー４４と、を備える筐体を有している。この筐体内には、後述する種々の構成要素が収容される。

筐体のうち、ケース３１は円環状をなしており、表側には風防板５５を嵌め込み可能な開口部３５を備え、裏側には透明カバー４４を嵌め込み可能な開口部である測定窓部４５を備えている。

また、ケース３１の裏側の一部は、突出するように成形された凸状部３２になっている。この凸状部３２の頂部が開口して測定窓部４５になっており、この測定窓部４５に透明カバー４４が嵌め込まれているとともに、透明カバー４４の一部が測定窓部４５から突出している。

ケース３１の構成材料としては、例えばステンレス鋼、チタン合金のような金属材料の他、樹脂材料、セラミックス材料等が挙げられる。また、ケース３１は、複数の部位の組み立て体であってもよく、その場合、部位同士で構成材料が異なっていてもよい。

また、ケース３１の外側面には、複数の操作部５８（操作ボタン）が設けられている。
また、ケース３１の表側に設けられた開口部３５の外縁には、＋Ｚ方向に突出する突起部３４が形成されている。そして、この突起部３４を覆うように、円環状をなすベゼル５７が設けられている。

さらに、ベゼル５７の内側には風防板５５が設けられている。そして、風防板５５の側面とベゼル５７との間が、パッキンや接着剤のような接合部材５６を介して接着されている。

風防板５５および透明カバー４４の構成材料としては、例えばガラス材料、セラミックス材料、樹脂材料等が挙げられる。また、風防板５５は透光性を有し、風防板５５を介して表示部５０の表示内容および太陽電池８０の受光面８４（後述する図５、６参照）を視認することができるようになっている。さらに、透明カバー４４も透光性を有し、光センサー部４０を生体情報測定部として機能させることができる。

また、筐体の内部空間３６は、後述する種々の構成要素を収容可能な閉空間になっている。

機器本体３０は、それぞれ内部空間３６に収容される要素として、回路基板２０と、方位センサー２２（地磁気センサー）と、加速度センサー２３と、ＧＰＳアンテナ２８と、光センサー部４０と、表示部５０を構成する電気光学パネル６０および照明部６１と、二次電池７０と、太陽電池８０と、を備えている。また、機器本体３０は、これらの要素の他にも、標高や水深等を算出するための圧力センサー、温度を測定する温度センサー、角速度センサーのような各種センサー、バイブレーター等を備えていてもよい。

回路基板２０は、前述した要素同士を電気的に接続する配線を含む基板である。また、回路基板２０には、前述した要素の動作を制御する制御回路や駆動回路等を含むＣＰＵ２１（Central Processing Unit）および他の回路素子２４が搭載されている。

また、太陽電池８０、電気光学パネル６０、回路基板２０および光センサー部４０は、風防板５５側からこの順で配置されている。これにより、太陽電池８０は、風防板５５に近接して配置されることになり、多くの外部光が太陽電池８０に効率よく入射する。その結果、太陽電池８０における光電変換効率を最大限に高めることができる。

以下、機器本体３０に収容される要素についてさらに詳述する。
回路基板２０は、その端部が回路ケース７５を介してケース３１に取り付けられている。

また、回路基板２０には、接続配線部６３および接続配線部８１が電気的に接続されている。このうち、接続配線部６３を介して回路基板２０と電気光学パネル６０とが電気的に接続されている。また、接続配線部８１を介して回路基板２０と太陽電池８０とが電気的に接続されている。これらの接続配線部６３、８１は、例えばフレキシブル回路基板で構成され、内部空間３６の隙間に効率よく引き回される。

方位センサー２２および加速度センサー２３は、電子時計２００を装着したユーザーの体の動きに係る情報を検出することができる。方位センサー２２および加速度センサー２３は、ユーザーの体動に応じて変化する信号を出力し、ＣＰＵ２１に送信する。

ＣＰＵ２１は、ＧＰＳアンテナ２８を含むＧＰＳ受信部（図示せず）を制御する回路、光センサー部４０を駆動しユーザーの脈波等を測定する回路、表示部５０を駆動する回路、太陽電池８０の発電を制御する回路等を含む。

ＧＰＳアンテナ２８は、複数の位置情報衛星から電波を受信する。また、機器本体３０は、図示しない信号処理部を備えている。信号処理部は、ＧＰＳアンテナ２８が受信した複数の測位信号に基づいて測位計算を行い、時刻および位置情報を取得する。信号処理部は、これらの情報をＣＰＵ２１に送信する。

光センサー部４０は、ユーザーの脈波等を検出する生体情報測定部である。図４に示す光センサー部４０は、受光部４１と、受光部４１の外側に設けられた複数の発光部４２と、受光部４１および発光部４２が搭載されたセンサー基板４３と、を含む光電センサーである。また、受光部４１および発光部４２は、前述した透明カバー４４を介して、ケース３１の測定窓部４５に臨んでいる。また、機器本体３０が備える接続配線部４６を介して回路基板２０と光センサー部４０とが電気的に接続されている。

このような光センサー部４０は、発光部４２から射出した光を被検体（例えばユーザーの皮膚）に対して照射し、その反射光を受光部４１で受光することにより、脈波を検出する。光センサー部４０は、検出した脈波の情報をＣＰＵ２１に送信する。

なお、光電センサーに代えて、心電計、超音波センサーのような他のセンサーを用いるようにしてもよい。

また、機器本体３０は、図示しない通信部を備えている。この通信部は、機器本体３０が取得した各種の情報や記憶している情報、ＣＰＵ２１による演算結果等を外部に送信する。

表示部５０は、風防板５５を介して、電気光学パネル６０の表示内容をユーザーに視認させる。これにより、例えば前述した要素から取得した情報を、文字や画像として表示部５０に表示し、ユーザーに認識させることができる。

電気光学パネル６０としては、例えば、液晶表示素子、有機ＥＬ（Organic Electro Luminescence）表示素子、電気泳動表示素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）表示素子等が挙げられる。

図４では、一例として、電気光学パネル６０が反射型の表示素子（例えば反射型液晶表示素子、電気泳動表示素子等）である場合を図示している。このため、表示部５０は、電気光学パネル６０が備える導光板（図示せず）の光入射面に設けられた照明部６１を備えている。照明部６１としては、例えばＬＥＤ素子が挙げられる。このような照明部６１および導光板は、反射型表示素子のフロントライトとして機能する。

なお、電気光学パネル６０が透過型の表示素子（例えば透過型液晶表示素子等）である場合には、フロントライトに代えてバックライトを設けるようにすればよい。

また、電気光学パネル６０が自発光型の表示素子（例えば有機ＥＬ表示素子、ＬＥＤ表示素子等）である場合や、自発光型ではないものの外光を利用する表示素子である場合には、フロントライトやバックライトを省略することができる。

二次電池７０は、図示しない配線を介して回路基板２０に接続されている。これにより、二次電池７０から出力される電力を、前述した要素の駆動に用いることができる。また、太陽電池８０で発電した電力によって、二次電池７０を充電することができる。

以上、電子時計２００について説明したが、本発明の電子機器の実施形態は電子時計に限定されず、例えば携帯電話端末、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル端末、カメラ等であってもよい。

（太陽電池）
≪第１実施形態≫
次に、本発明の光電変換モジュールの第１実施形態を適用した太陽電池８０について詳述する。

太陽電池８０は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換モジュールである。

図５は、図４に示す電子時計２００のうち太陽電池８０のみを図示した平面図である。また、図６は、図５に示す太陽電池８０の分解斜視図である。

図５に示す太陽電池８０（光電変換モジュール）は、風防板５５と電気光学パネル６０との間に設けられ、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ（光電変換素子）と、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと電気的に接続された配線基板８２と、を備えている。

セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄは、それぞれ板状をなしており、その主面はＺ軸方向に向いている。また、セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄは、後述するＳｉ基板８００を有しているが、Ｓｉ基板８００の互いに表裏の関係にある２つの主面のうち、風防板５５に臨む主面は、外部光を受光する受光面８４となる。一方、受光面８４と反対側の主面は、後述する電極を配置する電極面８５となる。

図５に示す太陽電池８０の平面視形状は、円環になっている。換言すれば、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄがわずかな隙間を介して並ぶことにより、全体の平面視形状は、内縁形状（内形形状）および外縁形状（外形形状）がそれぞれ円形である円環になっている。

一方、前述したケース３１の開口部３５は、円形をなしていることから、その内縁は曲線を含んでいる。なお、ケース３１の開口部３５（の内縁）は、例えば直線と曲線とを含んでいてもよい。

また、「太陽電池８０の外縁」とは、太陽電池８０の輪郭のうち、開口部３５の外側に臨む部分のことをいい、「太陽電池８０の内縁」とは、太陽電池８０の輪郭のうち、開口部３５の中心側に臨む部分のことをいう。

また、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄにおいて、それぞれの内縁および外縁は、互いに同じ中心を持つ円（同心円）の一部であることが好ましい。換言すれば、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの集合体が円環をなすとき、その円環の内円と外円とが同心円であることが好ましい。これにより、とりわけ意匠性が高い電子時計２００を実現することができる。

なお、本実施形態では、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの集合体によって太陽電池８０が構成されているが、セルの数は、１つであってもよく、２つ以上の任意の数であってもよい。

また、本実施形態では、太陽電池８０の平面視形状が円環になっているが、多重の円環であってもよい。

また、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄのうち、１つ以上が省略されてもよく、セル同士の形状が互いに異なっていてもよい。

各セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ同士の隙間の長さｄ（図３参照）は、特に限定されないが、０．０５ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であるのがより好ましい。隙間の長さｄを前記範囲内に設定することにより、受光面８４側から太陽電池８０を見たとき、後述する図７に示す端面８０８がより見えにくくなる。また、隙間の長さｄが短すぎることによる、太陽電池８０の組み立てにくさやセル同士が接触しやすくなるという問題を回避するという観点からも有用である。

また、太陽電池８０が含む半導体基板は、非晶質性を有していてもよいが、結晶性を有していることが好ましい。この結晶性とは、単結晶性または多結晶性のことをいう。このような結晶性を有する半導体基板を含むことにより、非晶質性を有する半導体基板を含む場合に比べて、より光電変換効率の高い太陽電池８０が得られる。かかる太陽電池８０は、仮に同じ電力を発電する場合、より面積を小さくすることを可能にする。このため、結晶性を有する半導体基板を含むことにより、光電変換効率と意匠性とをより高度に両立させた電子時計２００が得られる。

特に、半導体基板は、単結晶性を有するものが好ましい。これにより、太陽電池８０の光電変換効率が特に高められる。したがって、光電変換効率と意匠性との両立を最大限に図ることができる。また、特に、太陽電池８０の省スペース化が図られることにより、電子時計２００の意匠性をより高めることができる。さらに、室内光のような低照度光においても光電変換効率が低下しにくいという利点もある。

半導体基板には、例えばシリコン基板、化合物半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）等が用いられる。

なお、単結晶性を有するとは、半導体基板全体が単結晶である場合の他、一部が多結晶または非晶質である場合も含む。後者の場合、単結晶の体積が相対的に大きい（例えば全体の９０体積％以上である）ことが好ましい。

また、太陽電池８０は、好ましくは裏面電極型とされる。具体的には、図６に示すように、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの電極面８５上に、それぞれ電極パッド８６、８７（接続部）が設けられている。このうち、電極パッド８６は正極であり、一方、電極パッド８７は負極である。したがって、電極パッド８６および電極パッド８７から配線を介して電力を取り出すことができる。

このように裏面電極型では、全ての電極パッド８６、８７を電極面８５上に配置することができる。このため、受光面８４を最大限に大きくすることができ、受光面積の最大化に伴う発電量の向上を図ることができる。加えて、受光面８４側に電極パッドを設けることによる意匠性の低下を防止することができる。このため、電子時計２００の意匠性をさらに高めることができる。

また、太陽電池８０は、図５に示すように、１つのセルにおいて電極パッド８６および電極パッド８７をそれぞれ複数含んでいるのが好ましい。これにより、セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと配線基板８２との間を、電気的かつ機械的により確実に接続することができる。

図７は、図５に示す太陽電池８０の分解断面図である。
図７に示す太陽電池８０は、セル８０ａと配線基板８２とを備えている。

また、図８は、図６に示すセル８０ａの電極面８５を示す平面図である。なお、図８では、後述するパッシベーション膜８０６やバスバー電極８０５に覆われているフィンガー電極８０４を透視するように図示している。また、図８では、バスバー電極８０５の輪郭のみを一点鎖線で図示している。

また、図９は、図８に示す平面図のうちフィンガー電極８０４を選択的に示す図であり、図１０は、図８に示す平面図のうちバスバー電極８０５および電極パッド８６、８７を選択的に示す図である。なお、フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５は、互いに階層が異なるため、図９および図１０において階層別に分けて図示している。

また、以下の説明では、セル８０ａを代表として説明するが、その説明はセル８０ｂ、８０ｃ、８０ｄについても同様である。

（（配線基板））
配線基板８２は、絶縁基板８２１と、その上に設けられた導電膜８２２と、を備えている。

配線基板８２は、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと重なるように設けられている。このような配線基板８２は、絶縁基板８２１と、その上に設けられた導電膜８２２と、導電膜８２２と重なる部分に開口部８２４を含む絶縁膜８２３と、を備えている。

なお、「配線基板８２が４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと重なる」とは、配線基板８２の平面視において、配線基板８２が少なくとも１つのセルと重なって見える状態をいう。また、その場合、１つのセルの全体と重なっている必要はなく、その少なくとも一部と重なっていればよい。

なお、本実施形態では、配線基板８２が４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと重なっている。

絶縁基板８２１としては、例えばポリイミド基板、ポリエチレンテレフタレート基板のような各種樹脂基板が挙げられる。

導電膜８２２の構成材料としては、例えば銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金等が挙げられる。

絶縁膜８２３の構成材料としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のような各種樹脂材料が挙げられる。

また、絶縁基板８２１と絶縁膜８２３とは、接着層８２５を介して接着されている。
接着層８２５の構成材料としては、例えばエポキシ系接着材、シリコーン系接着材、オレフィン系接着材、アクリル系接着材等が挙げられる。

配線基板８２の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。配線基板８２の厚さを前記範囲内に設定することにより、配線基板８２に適度な可撓性が付与される。このため、配線基板８２に適度な変形能が付与されることとなり、例えばセル８０ａに応力が発生したとしても、配線基板８２の変形によってその応力の集中を緩和することができる。その結果、セル８０ａに反り等の不具合が発生するのを抑制することができる。

（（セル））
一方、セル８０ａは、図７に示すように、Ｓｉ基板８００と、Ｓｉ基板８００に形成されたｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２と、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２に接続されているフィンガー電極８０４と、フィンガー電極８０４に接続されているバスバー電極８０５と、を備えている。なお、図７では、図示の便宜上、ｐ＋不純物領域８０１に接続されているバスバー電極８０５および電極パッド８６（正極）のみを図示し、ｎ＋不純物領域８０２に接続されているバスバー電極および電極パッド（負極）の図示を省略している。また、図７では、ｎ＋不純物領域８０２に接続されているｎ＋コンタクト８１１ｎ、フィンガー電極８０４およびｎ型ビア配線８１４ｎについて破線で示しており、これらのｎ＋コンタクト８１１ｎ、フィンガー電極８０４およびｎ型ビア配線８１４ｎが、電極パッド８６（正極）に接続されたバスバー電極８０５と電気的に接続されていないことを表している。

なお、以下の説明では、セル８０ａを代表として説明するが、その説明はセル８０ｂ、８０ｃ、８０ｄについても同様である。

−Ｓｉ基板−
Ｓｉ基板８００としては、例えばＳｉ（１００）基板等が用いられる。なお、Ｓｉ基板８００の結晶面は、特に限定されず、Ｓｉ（１００）面以外の結晶面であってもよい。また、本実施形態に係るＳｉ基板８００は、一例として、ｎ型のＳｉ基板とする。

Ｓｉ基板８００（半導体基板）の主要構成元素以外の不純物元素濃度は、できるだけ低いことが好ましいが、それぞれ１×１０^１１［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２］以下であるのがより好ましく、１×１０^１０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２］以下であるのがさらに好ましい。不純物元素濃度が前記範囲内であることにより、Ｓｉ基板８００の不純物が光電変換に及ぼす影響を十分に小さく抑えることができる。これにより、小面積であっても十分な電力を発生させ得る太陽電池８０を実現することができる。さらに、室内光のような低照度光においても光電変換効率が低下しにくくなるという利点もある。

なお、Ｓｉ基板８００の不純物元素濃度は、例えばＩＣＰ−ＭＳ（Inductively Coupled Plasma - Mass Spectrometry）法により測定することができる。

また、ｐ＋不純物領域８０１に接続されているバスバー電極８０５（図８参照）の一部が後述するパッシベーション膜８０６から露出し、前述した電極パッド８６を構成している。一方、ｎ＋不純物領域８０２に接続されているバスバー電極８０５（図８参照）の一部が後述するパッシベーション膜８０６から露出し、前述した電極パッド８７を構成している。

また、電極パッド８６は、図７に示すように、導電接続部８３を介して、配線基板８２と接続されている。同様に、電極パッド８７も、図示しない導電接続部を介して、配線基板８２と接続されている。

導電接続部８３としては、例えば導電ペースト、導電シート、金属材料、はんだ、ろう材等が挙げられる。

Ｓｉ基板８００の受光面８４には、図７に示すように、テクスチャー構造が形成されている。このテクスチャー構造は、例えば任意の形状をなす凹凸形状のことをいう。具体的には、例えば受光面８４に形成された多数のピラミッド状突起で構成される。Ｓｉ基板８００が、例えばＳｉ（１００）面を主面とする基板である場合、Ｓｉ（１１１）面を傾斜面とするピラミッド状突起がテクスチャー構造として好適に用いられる。このようなテクスチャー構造を設けることにより、受光面８４における外部光の反射を抑制し、Ｓｉ基板８００に入射する光量の増大を図ることができる。また、受光面８４から入射した外部光をＳｉ基板８００の内部に閉じ込めることができ、光電変換効率を高めることができる。

テクスチャー構造が形成された受光面８４の算術平均粗さＲａは、０．１μｍ以上であるのが好ましく、０．３μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましく、１．０μｍ以上１００μｍ以下であるのがさらに好ましい。受光面８４の算術平均粗さＲａを前記範囲内に設定することにより、十分に有効なテクスチャー構造を設けることができる。すなわち、必要かつ十分な高さの凹凸形状が設けられていることになるため、受光面８４で十分な多重反射を生じさせることができ、反射率を十分に低減させることができる。

なお、算術平均粗さＲａが前記上限値を上回ってもよいが、そのような受光面８４を形成するのに長時間を要することになり、併せて、反射率にムラが生じて見た目（反射光の色）が不均一になるおそれがある。

また、受光面８４の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３に規定された方法に準じて測定される。

なお、テクスチャー構造は、受光面８４の全面に設けられていてもよいが、一部のみに設けられていてもよい。

また、Ｓｉ基板８００の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、太陽電池８０の光電変換効率と機械的特性との両立を図ることができる。また、電子時計２００の薄型化にも貢献することができる。

−パッシベーション膜−
太陽電池８０は、受光面８４上に設けられたパッシベーション膜８０７を備えている。このようなパッシベーション膜８０７を設けることにより、受光によって生成された少数キャリアーが受光面８４において消滅するのを抑制することができる。

また、パッシベーション膜８０７は、光透過性を有する。このため、パッシベーション膜８０７は、その屈折率が適宜調整されることにより、反射防止膜としても機能する。このような反射防止膜としての機能が付加されることにより、受光面８４からＳｉ基板８００に入射する光量を増やし、光電変換効率を高めることができる。

パッシベーション膜８０７の構成材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のようなケイ素化合物、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタンのような金属酸化物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化ランタンのようなフッ化物等の無機材料の他、各種有機材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を含む複合材料が用いられる。

また、パッシベーション膜８０７の膜厚は、特に限定されないが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましく、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であるのがより好ましく、３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であるのがさらに好ましい。膜厚が前記範囲内であれば、可視光についての反射率を十分に下げるとともに、入射率を十分に高めることができる。

一方、セル８０ａは、電極面８５上に設けられたパッシベーション膜８０６を備えている。このようなパッシベーション膜８０６を設けることにより、各部の絶縁を図るとともに、受光によって生成された少数キャリアーが電極面８５において消滅するのを抑制することができる。

すなわち、フィンガー電極８０４とＳｉ基板８００との間、および、バスバー電極８０５とフィンガー電極８０４との間は、それぞれパッシベーション膜８０６を介して絶縁されている。

パッシベーション膜８０６の構成材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム等が挙げられる。

−電極および電極パッド（接続部）−
セル８０ａは、図８〜図１０に示すように、Ｓｉ基板８００を備えている。このＳｉ基板８００は、輪郭に２つの円弧を含んでいる。このうち、図５に示す円環の外縁の一部に相当する円弧が図９、１０に示す基板外縁８００ａであり、円環の内縁の一部に相当する円弧が図９、１０に示す基板内縁８００ｂである。

また、図８〜図１０に示すセル８０ａは、Ｓｉ基板８００に形成されたｐ＋不純物領域８０１（図７参照）を覆うように設けられたｐ型フィンガー電極８０４ｐと、ｐ＋不純物領域８０１とｐ型フィンガー電極８０４ｐとの間を電気的に接続するｐ＋コンタクト８１１ｐと、を備えている。

また、図８〜図１０に示すセル８０ａは、Ｓｉ基板８００に形成されたｎ＋不純物領域８０２（図７参照）を覆うように設けられたｎ型フィンガー電極８０４ｎと、ｎ＋不純物領域８０２とｎ型フィンガー電極８０４ｎとの間を電気的に接続するｎ＋コンタクト８１１ｎと、を備えている。

そして、ｐ＋コンタクト８１１ｐは、１つのｐ型フィンガー電極８０４ｐに対して複数設けられている。したがって、それに応じて、図７に示すｐ＋不純物領域８０１も、１つのｐ型フィンガー電極８０４ｐに対して複数設けられている。これにより、受光によって発生した正孔（少数キャリアー）を効率よく取り出すことができる。

同様に、ｎ＋コンタクト８１１ｎは、１つのｎ型フィンガー電極８０４ｎに対して複数設けられている。したがって、それに応じて、図７に示すｎ＋不純物領域８０２も、１つのｎ型フィンガー電極８０４ｎに対して複数設けられている。これにより、受光によって発生した電子（多数キャリアー）を効率よく取り出すことができる。

ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎの構成材料は、例えば、前述したフィンガー電極８０４の構成材料と同様のものから適宜選択される。

なお、前述したフィンガー電極８０４とは、ｐ型フィンガー電極８０４ｐおよびｎ型フィンガー電極８０４ｎの双方を指している。

また、図８および図９では、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎに対して相対的に密なドットを付し、フィンガー電極８０４に対して相対的に疎なドットを付している。

さらに、図８では、パッシベーション膜８０６で覆われている部位は、破線または鎖線で示し、パッシベーション膜８０６から露出している部位を、実線で示している。

図８に示すように、ｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎは、それぞれパッシベーション膜８０６に覆われている。これにより、外部環境からこれらの電極が保護されている。

・電極パッド（接続部）
一方、パッシベーション膜８０６の一部にはビアホールが設けられ、ｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎの一部が露出している。このうち、ｐ型バスバー電極８０５ｐの露出面が前述した電極パッド８６（正極の接続部）となり、ｎ型バスバー電極８０５ｎの露出面が前述した電極パッド８７（負極の接続部）となる。すなわち、パッシベーション膜８０６のビアホールから露出したｐ型バスバー電極８０５ｐの露出面を電極パッド８６といい、同様に、パッシベーション膜８０６のビアホールから露出したｎ型バスバー電極８０５ｎの露出面を電極パッド８７という。

また、本実施形態に係るセル８０ａは、図１０に示すように、電極パッド８６および電極パッド８７をそれぞれ複数含んでいる。

複数の電極パッド８６は、図８および図１０に示すように、基板外縁８００ａに沿って配列されている。つまり、電極パッド８６の配列軸が基板外縁８００ａとほぼ平行になっている。一方、複数の電極パッド８７は、基板内縁８００ｂに沿って配列されている。つまり、電極パッド８７の配列軸が基板内縁８００ｂとほぼ平行になっている。このような配置をとることにより、セル８０ａの延在方向（基板外縁８００ａに含まれる円弧の周方向）に沿って配線基板８２との接続点を確保することができる。このため、セル８０ａを配線基板８２に対してより確実に固定することができ、かつ、セル８０ａと配線基板８２との間の接続抵抗を十分に低減させることができる。

なお、前述したように、セル８０ａは複数のフィンガー電極８０４を備えているが、その本数は特に限定されず、Ｓｉ基板８００ならびにフィンガー電極８０４の大きさおよびピッチ等に応じて適宜設定される。

ここで、図１１は、図８に示す光電変換素子の変形例を示す平面図であって、フィンガー電極８０４の本数を図８とは異ならせた例を示す図である。なお、図１１では、セル８０ａのうち、Ｓｉ基板８００、フィンガー電極８０４および電極パッド８６、８７以外の部位の図示を省略している。また、図１１では、ｐ型フィンガー電極８０４ｐに密なドットを付し、ｎ型フィンガー電極８０４ｎに疎なドットを付している。

このようにしてフィンガー電極８０４の本数を増やす、つまり、ｐ＋不純物領域８０１やｎ＋不純物領域８０２の配設密度を高めることにより、セル８０ａにおける光電変換効率を高めやすくなる。

また、図１１では、フィンガー電極８０４が並ぶ方向において、ｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが交互に配列されたパターンになっている。

さらに、電極パッド８６、８７を挟む両側については、前述したように、電極パッド８６、８７を挟んでｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが向かい合っている。つまり、図１１では、図８と同様、電極パッド８６、８７の短軸方向における両側に位置する不純物領域は、互いに異なる極性を有する不純物領域になっている。

そして、ｐ＋不純物領域８０１がｐ型フィンガー電極８０４ｐおよびｐ型バスバー電極８０５ｐを介して電極パッド８６に接続され、ｎ＋不純物領域８０２がｎ型フィンガー電極８０４ｎおよびｎ型バスバー電極８０５ｎを介して電極パッド８７に接続されている。

なお、Ｓｉ基板８００の平面視形状は、上記に限定されず、いかなる形状、例えば長方形や正方形のような四角形、六角形、八角形のような多角形、真円、楕円、長円のような円形等であってもよい。

また、本実施形態に係るセル８０ａでは、前述したように、電極パッド８６、８７がそれぞれ複数個ずつ設けられている。このような配置になっていることにより、これらの接続部に接合される導電接続部８３も同様の配置になる。したがって、セル８０ａは、これらの端子の位置を支持点として、配線基板８２に多点支持されることとなる。これにより、接続抵抗の低減および接続強度の向上をより強化することができる。

電極パッド８６、８７の１つの面積は、Ｓｉ基板８００の大きさに応じて若干異なるものの、０．０５ｍｍ^２以上５ｍｍ^２以下であることが好ましく、０．１ｍｍ^２以上３ｍｍ^２以下であることがより好ましい。これにより、接続抵抗の低減および接続強度の向上を十分に図りつつ、電極パッド８６、８７を設けることに伴う少数キャリアーの収集ロスも十分に抑えることができる。

なお、電極パッド８６、８７の配置は、図示のものに限定されず、例えば電極パッド８６の列の位置と電極パッド８７の列の位置とが入れ替わっていてもよい。すなわち、正極の接続部が基板内縁８００ｂ側に配置され、負極の接続部が基板外縁８００ａ側に配置されていてもよい。

また、電極パッド８６、８７の形状も、特に限定されず、いかなる形状であってもよい。一例として、図１２および図１３に示す電極パッド８６、８７の形状は、それぞれ長方形であるが、真円、楕円、長円のような円形であってもよく、三角形、六角形、八角形のような多角形であってもよく、それ以外の形状であってもよい。

さらに、電極パッド８６同士、電極パッド８７同士、および、電極パッド８６と電極パッド８７との間で、互いに形状が同じであるのが好ましいが、互いに異なっていてもよい。

また、基板外縁８００ａおよび基板内縁８００ｂは、互いに同心の円弧を含むことが好ましい。すなわち、基板外縁８００ａは、相対的に大径の円弧を含み、基板内縁８００ｂは、基板外縁８００ａと同心でかつ相対的に小径の円弧を含むことが好ましい。これにより、フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５の設計が容易になるとともに、セル８０ａの構造のバランスが最適化される。その結果、セル８０ａにおいて反り等の変形が発生しにくくなる。

なお、基板外縁８００ａおよび基板内縁８００ｂは、その一部または全部が直線であってもよいし、円弧以外の曲線を含んでいてもよいし、互いに同心ではない円弧を含んでいてもよい。

ただし、本実施形態では、Ｓｉ基板８００の輪郭は、曲線を含んでいる。これにより、セル８０ａは、電子時計２００の意匠性をより高めることに寄与する。

なお、この曲線は、製造技術の制約上、角数の多い多角形の一部として製造される場合もあるが、本明細書における曲線はそのような多角形の一部についても含む概念である。

また、基板外縁８００ａは基板内縁８００ｂよりも長くなる。これを考慮すれば、基板外縁８００ａ側に位置する電極パッド８６の数は、基板内縁８００ｂ側に位置する電極パッド８７の数よりも多いことが好ましい。

また、本実施形態では、電極パッド８６、８７には、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎが、それぞれ平面視で重ならないように配置されている（図８参照）。

すなわち、Ｓｉ基板８００を平面視したとき、電極パッド８６（接続部）は、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２とずれるように配置されている。そして、それにより自ずと、電極パッド８６は、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎとずれるように配置されている。

同様に、Ｓｉ基板８００を平面視したとき、電極パッド８７（接続部）は、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２とずれるように配置されている。そして、それにより自ずと、電極パッド８７は、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎとずれるように配置されている。

これにより、例えば電極パッド８６、８７に導電接続部８３が接合された後、その接合部が破損したとしても、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２に損傷が及んでしまうのを抑制することができる。したがって、より信頼性の高いセル８０ａが得られる。

また、上記のような配置であることにより、電極パッド８６、８７は、その平坦性等の形状においてｐ＋不純物領域８０１やｎ＋不純物領域８０２の影響を受けることがなくなる。このため、平坦性が高く、接触不良を発生させにくい電極パッド８６、８７が得られる。

なお、このような配置は、必ずしも限定されるものではなく、例えば、電極パッド８６、８７は、ｐ＋不純物領域８０１、ｎ＋不純物領域８０２、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎのいずれかと平面視で重なっていてもよい。

・フィンガー電極
フィンガー電極８０４は、図９に示すように、基板外縁８００ａが含む曲線の垂線ＰＬの延伸方向に延在しているのが好ましい。すなわち、フィンガー電極８０４は、基板外縁８００ａが含む曲線の垂線方向に延在しているのが好ましい。これにより、基板外縁８００ａが円弧である場合、フィンガー電極８０４は、その円弧の中心Ｏから放射状に延伸する直線に沿って延在することとなる。

一方、本実施形態に係るセル８０ａでは、前述した垂線ＰＬが基板内縁８００ｂにも直交している。

また、前述した垂線ＰＬは、基板外縁８００ａの円弧の中心Ｏを通過していることが好ましい。すなわち、この円弧が真円またはそれに近い形状の一部であることが好ましい。これにより、フィンガー電極８０４の設計が容易になるとともに、セル８０ａの構造のバランスが最適化される。その結果、セル８０ａにおける反り等の変形がより発生しにくくなる。

また、セル８０ａには、複数のフィンガー電極８０４が設けられている。このため、これらのフィンガー電極８０４は、基板外縁８００ａに沿って配列される（並ぶ）こととなる。換言すれば、配列軸が基板外縁８００ａとほぼ平行であるということができる。このように配列させることで、各フィンガー電極８０４の形状や面積を均一化することができ、セル８０ａの構造の均一化を図ることができる。その結果、セル８０ａにおける反り等の変形が発生しにくくなる。加えて、フィンガー電極８０４を、Ｓｉ基板８００に対してできるだけ隙間なく敷き詰めることができる。これにより、フィンガー電極８０４は、Ｓｉ基板８００の電極面８５側において、受光面８４から入射した光を反射するための反射膜としても機能する。すなわち、フィンガー電極８０４が隙間なく敷き詰められることにより、受光面８４から入射しＳｉ基板８００を透過してしまった光を、フィンガー電極８０４においてより高い確率で反射させることができる。これにより、光電変換に寄与する光量を増やすことでき、光電変換効率の向上を図ることができる。

さらに、少なくとも互いに隣り合うフィンガー電極８０４同士は、互いに同一形状であり、かつ、互いに同一面積であることが好ましい。これにより、セル８０ａの構造のさらなる均一化が図られることとなる。

なお、同一形状、同一面積および平行とは、それぞれ、製造時に発生する誤差を許容する概念である。

また、フィンガー電極８０４が基板外縁８００ａに沿って配列される場合、ｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが交互に並んでいるのが好ましいが、このような配列パターンに限定されるものではなく、一部または全部が異なる配列パターンであってもよい。

また、フィンガー電極８０４の輪郭は、いかなる形状であってもよいが、図９では、基板外縁８００ａに臨むフィンガー電極外縁８１２と、基板内縁８００ｂに臨むフィンガー電極内縁８１３と、を有している。そして、フィンガー電極外縁８１２の長さは、フィンガー電極内縁８１３の長さより長くなっている。つまり、図９に示すフィンガー電極８０４は、基板外縁８００ａの延在方向における長さを「幅」とするとき、フィンガー電極内縁８１３からフィンガー電極外縁８１２に向かうにつれて徐々に幅が広くなっている。

このような輪郭形状を有するフィンガー電極８０４によれば、フィンガー電極８０４同士の隙間を一定にしながら、フィンガー電極８０４をＳｉ基板８００に対してできるだけ隙間なく敷き詰めることが可能になる。このため、フィンガー電極８０４同士の絶縁性を確保しつつ、フィンガー電極８０４による反射膜としての機能をより高めることができる。

なお、本実施形態では、電極パッド８６、８７を通過するように図９に示す垂線ＰＬと同様の垂線を引いたとき、その垂線上には、ｐ＋不純物領域８０１（図７参照）およびｎ＋不純物領域８０２（図７参照）が設けられていない。また、それに伴って、フィンガー電極８０４も設けられていない。

このような本実施形態では、構造を比較的単純にしやすいため、製造容易性が高く、製造歩留まりが高いものとなる。

なお、上記構成は、これに限定されるものではなく、例えば、電極パッド８６、８７を通過する垂線上にも、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が設けられていてもよい。

また、図９に示す２本の垂線ＰＬは、互いに隣り合う２つのフィンガー電極８０４の幅の中心を通過している。また、前述したように各垂線ＰＬは、基板外縁８００ａの円弧の中心Ｏを通過している。したがって、２本の垂線ＰＬ同士がなす角度θは、隣り合うフィンガー電極８０４同士のピッチに相当する。この角度θは、Ｓｉ基板８００におけるキャリアー移動度等に応じて適宜設定されるが、一例として０．０５°以上１°以下であるのが好ましく、０．１°以上０．５°以下であるのがより好ましい。これにより、各フィンガー電極８０４に対応して設けられるコンタクト同士のピッチや不純物領域同士のピッチが最適化されるため、受光により発生したキャリアーの取り出し効率が向上する。その結果、光電変換効率が特に高いセル８０ａが得られる。

また、フィンガー電極８０４の幅は、上記と同様の観点から、５μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であるのがより好ましい。

一方、フィンガー電極８０４同士の間隔は、１μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、３μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、フィンガー電極８０４同士の絶縁を図りつつ、フィンガー電極８０４が占める面積を十分に大きくすることができる。

・バスバー電極
一方、セル８０ａは、図８および図１０に示すように、複数のフィンガー電極８０４を跨ぐように、かつ、これらのフィンガー電極８０４を覆うように設けられたｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎを備えている。そして、ｐ型バスバー電極８０５ｐは、ｐ型ビア配線８１４ｐを介して複数のｐ型フィンガー電極８０４ｐと電気的に接続されており、ｎ型バスバー電極８０５ｎは、ｎ型ビア配線８１４ｎを介して複数のｎ型フィンガー電極８０４ｎと電気的に接続されている。

また、ｐ型ビア配線８１４ｐは、１つのｐ型バスバー電極８０５ｐに対して複数設けられている。同様に、ｎ型ビア配線８１４ｎも、１つのｎ型バスバー電極８０５ｎに対して複数設けられている。

ｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎの構成材料は、例えば、前述したバスバー電極８０５の構成材料と同様のものから適宜選択される。

なお、前述したバスバー電極８０５は、ｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎの双方を指している。

また、図１０では、ｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎに対して相対的に密なドットを付し、バスバー電極８０５に対して相対的に疎なドットを付している。

ここで、バスバー電極８０５の延在方向は、図８および図１０に示すように、フィンガー電極８０４の延在方向と交差している。すなわち、前述したように、フィンガー電極８０４が基板外縁８００ａの垂線方向に延在しているのに対し、バスバー電極８０５は、基板外縁８００ａと平行な方向に延在している。したがって、図８に示すようにＳｉ基板８００を平面視したとき、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とがほぼ直交することとなる。これにより、複数のフィンガー電極８０４を跨ぐようにバスバー電極８０５が配置されることになるので、双方の交差部にｐ型ビア配線８１４ｐまたはｎ型ビア配線８１４ｎが配置された場合、バスバー電極８０５が効果的な集電体となる。

なお、「平行な方向」とは、バスバー電極８０５と基板外縁８００ａとがほぼ一定の距離を保ちながら変位している状態を指す。そして、「一定の距離を保ちながら」とは、バスバー電極８０５の全長にわたって、双方の離間距離の変化幅が、離間距離の最大値の１００％以下（好ましくは離間距離の平均値の１０％以下）である状態を指す。

また、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５との交差角度は、９０°に限定されず、鋭角側の角度が３０°以上９０°未満程度であってもよい。また、バスバー電極８０５は、必ずしも基板外縁８００ａと平行でなくてもよく、直線状に延在するものであってもよい。

また、前述したように、本実施形態に係るバスバー電極８０５は、Ｓｉ基板８００の厚さ方向においてフィンガー電極８０４と重なっている。これにより、バスバー電極８０５の配置に必要なスペースを確保する必要がないため、Ｓｉ基板８００においてフィンガー電極８０４やｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２を配置するスペースをより広く確保することができる。その結果、取り出せるキャリアーの数が増えるとともに、フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５の反射膜としての機能が向上するため、光電変換効率をより高めることができる。

なお、Ｓｉ基板８００の平面視におけるｐ型ビア配線８１４ｐの位置は、ｐ＋コンタクト８１１ｐの位置と重なっていてもよいが、ずれていることが好ましい。同様に、Ｓｉ基板８００の平面視におけるｎ型ビア配線８１４ｎの位置は、ｎ＋コンタクト８１１ｎの位置と重なっていてもよいが、ずれていることが好ましい。これにより、ｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎの下地の平坦性が高くなるため、形成位置のずれや製造不良等が生じにくくなる。このため、セル８０ａの製造歩留まりの低下を抑制することができる。

なお、好ましくは、ｐ型ビア配線８１４ｐの位置は、ｐ＋コンタクト８１１ｐ同士の中間に設けられ、ｎ型ビア配線８１４ｎの位置は、ｎ＋コンタクト８１１ｎ同士の中間に設けられる。

また、バスバー電極８０５の輪郭は、いかなる形状であってもよいが、図１０では、基板外縁８００ａに臨むバスバー電極外縁８１５と、基板内縁８００ｂに臨むバスバー電極内縁８１６と、を有する形状をなしている。そして、バスバー電極外縁８１５の長さは、バスバー電極内縁８１６の長さより長くなっている。

このような輪郭形状を有するバスバー電極８０５によれば、Ｓｉ基板８００と同様の形状、すなわち、円環の一部を切り出したような形状となる。このため、Ｓｉ基板８００の全体に敷き詰められている複数のフィンガー電極８０４に対して、バスバー電極８０５を交差させやすくなるとともに、ｐ型バスバー電極８０５ｐとｎ型バスバー電極８０５ｎの複数本を配置しやすくなる。

また、かかるバスバー電極８０５は、前述したように、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とがほぼ直交することになる。このため、双方の交差部にｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎが配置されやすくなるといった効果を享受することができる。

フィンガー電極８０４やバスバー電極８０５の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、銅のような金属の単体または合金等が挙げられる。

以上、セル８０ａを代表に説明したが、太陽電池８０（光電変換モジュール）は、このようなセル８０ａ（光電変換素子）と、このセル８０ａと重なるように設けられている配線基板８２と、セル８０ａの電極パッド８６、８７と配線基板８２の導電膜８２２とを電気的に接続する導電接続部８３と、を有する。

このような太陽電池８０では、配線基板８２がセル８０ａの電極面８５の少なくとも一部を覆うことになるため、電極面８５が保護される。このため、電極面８５に異物が付着したり、外力が加わったりすることが抑制される。その結果、電極面８５の信頼性を確保することができる。

換言すれば、受光面８４を平面視したとき、導電接続部８３は、セル８０ａの陰に隠れている（セル８０ａと重なっている）ことが好ましい。これにより、上述した信頼性の確保という効果に加え、導電接続部８３が視認されないことによる太陽電池８０の美的外観の向上を図ることができる。

なお、導電接続部８３は、セル８０ａと配線基板８２とを電気的のみならず、機械的にも接続している。このため、導電接続部８３の機械的特性を最適化することにより、前述したセル８０ａにおける応力の集中を緩和することができる。

具体的には、導電接続部８３のヤング率は、０．５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるのが好ましく、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であるのがより好ましく、１．５ＧＰａ以上６．５ＧＰａ以下であるのがさらに好ましい。導電接続部８３のヤング率を前記範囲内に設定することにより、導電接続部８３に求められる接着強度を確保しつつ、導電接続部８３において歪み等を吸収することができる。このため、高い機械的特性に基づく機械的接続の信頼性と、セル８０ａに発生する応力の集中を緩和する特性と、を両立させることができる。

なお、導電接続部８３のヤング率が前記下限値を下回ると、導電接続部８３の機械的特性が低くなるため、セル８０ａの仕様等によっては、求められる接着強度を満たすことができないおそれがある。一方、導電接続部８３のヤング率が前記上限値を上回ると、導電接続部８３の変形能が低下するため、セル８０ａの仕様等によっては、導電接続部８３においてセル８０ａの歪みを十分に吸収することができず、セル８０ａに反り等の不具合を発生させるおそれがある。

また、導電接続部８３のヤング率は、例えば２５℃において動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）により測定される。

また、上述したヤング率の観点からすれば、導電接続部８３としては、特に樹脂材料を含む導電性接着剤が好ましく用いられる。

導電性接着剤に含まれる樹脂材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いられる。

＜光電変換素子の製造方法＞
次に、本発明の光電変換素子の製造方法の実施形態について説明する。

図１２〜図１９は、それぞれ図７に示すセル８０ａの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）を説明するための図である。なお、図１３および図１６は、それ以外の図に対して上下を反転させるように図示している。

セル８０ａの製造方法は、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗ側に電極等を形成する工程と、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗを研削する工程と、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗ側の一部に保護膜８９を形成する工程と、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗにエッチング処理を施す工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。

［１］まず、Ｓｉウエハー８００Ｗ（半導体基板）を用意する。このＳｉウエハー８００Ｗは、最終的に複数の個片を切り出すための母材として用いられる。

次に、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗにｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２を形成する（図１２参照）。ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２は、例えばＳｉウエハー８００Ｗに不純物イオンを注入した後、活性化アニール処理を施すことにより形成される。

続いて、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗ上に、フィンガー電極８０４、バスバー電極８０５およびパッシベーション膜８０６を形成する（図１２参照）。

フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５は、例えば、導電性材料を各種蒸着法等によって成膜した後、得られた被膜をパターニングすることによって形成される。

また、例えば、パッシベーション膜８０６は、絶縁性材料を各種蒸着法等によって成膜した後、得られた被膜をパターニングすることによって形成される。このようにしてパッシベーション膜８０６をパターニングすると、バスバー電極８０５の一部が露出する。このようにして、図１２に示す電極パッド８６および図１２には図示しない電極パッド８７（図７参照）が形成される。
なお、電極パッド８６、８７には、あらかじめ金属バンプ等を形成しておいてもよい。

［２］次に、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗ（一方の面）を研削する。これにより、表面８４Ｗを清浄化するとともに、Ｓｉウエハー８００Ｗを薄くする（図１３参照）。例えば、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗ上に酸化膜８４０Ｗがあった場合（図１２参照）、この酸化膜８４０Ｗを除去することができる。

この研削としては、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４を削りながら、Ｓｉウエハー８００Ｗの厚さを薄くし得る方法であれば、いかなる方法も用いられる。具体的には、機械的研削、化学的研削等が挙げられる。このうち、機械的研削としては、例えば砥石を用いる方法が挙げられる。

［３］次に、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗ（他方の面）側の一部、すなわち図１４のパッシベーション膜８０６の上面の一部に保護膜８９を形成する。具体的には、電極パッド８６、８７を覆うとともに、パッシベーション膜８０６の上面のうち電極パッド８６、８７およびその周囲を覆うように保護膜８９を形成する。この保護膜８９は、後述するエッチング処理においてエッチング液に対する耐性を有する。このため、電極パッド８６、８７をこのような保護膜８９で覆うことにより、後述するエッチング処理において電極パッド８６、８７をエッチング液から保護することができる。

保護膜８９は、例えば液状材料を塗布し、液状被膜を形成した後、液状被膜を硬化または固化させることによって形成される。このときの塗布方法は、特に限定されないが、例えばインクジェット法、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、転写法等が挙げられる。

このうち、保護膜８９を形成する工程は、インクジェット法またはスクリーン印刷法を用いる工程であるのが好ましい。このような方法を用いることにより、目的とする領域に対して適度な量の液状材料を効率よく供給することができる。すなわち、インクジェット法またはスクリーン印刷法によれば、スピンコート法等のような被塗布領域の全面に液状材料を塗布し得る方法に比べて、液状材料の消費量を抑えつつ、目的とする領域に対して必要かつ十分な量の液状材料を短時間に供給することができる。その結果、液状材料の無駄を抑えつつ、保護膜８９を効率よく形成することができる。

保護膜８９の硬化後または固化後の厚さは、その後のエッチング処理において十分な耐性を有する厚さであれば、特に限定されない。ただし、図１４に示すように、電極パッド８６、８７を露出させるために設けられたパッシベーション膜８０６の切欠部８６０を十分に充填するとともに、その切欠部８６０から溢れ出してパッシベーション膜８０６の上面に被さる程度の厚さであるのが好ましい。これにより、後述するエッチング処理において電極パッド８６、８７にエッチング液が接触するのをより確実に抑制することができる。

保護膜８９の硬化後または固化後の厚さは、一例として、０．５μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、１．０μｍ以上２０μｍ以下であるのがより好ましい。

なお、このような保護膜８９の形成は、表面８４Ｗを汚染しないように行う必要がある。表面８４Ｗが汚染されると、光電変換効率が低下するおそれがある。このため、表面８４Ｗの主要部に物体が接触しないように保持することが好ましい。

具体的には、図１４に示すように、表面８４Ｗの外縁部のみを支持する中空チャック８を用いてＳｉウエハー８００Ｗを支持する。中空チャック８は、例えば円環状の支持面を有する部材であって、円環の内側は中空になっている。このため、このような中空チャック８を用いることにより、Ｓｉウエハー８００Ｗの外縁部のみを支持しつつ、外縁部よりも内側、すなわち主要部を空中に浮かすことができる。その結果、最終的にセルが切り出される領域である主要部の汚染を抑制しつつ、Ｓｉウエハー８００Ｗを支持することができる。

また、中空チャック８を用いることにより、Ｓｉウエハー８００Ｗをより安定して支持することができるため、保護膜８９をより正確に形成することができる。

ここで、図１５は、図１４の部分拡大図である。
保護膜８９がパッシベーション膜８０６の上面と重なっている部分の幅Ｗ１（図１５参照）は、特に限定されないが、１．０μｍ以上５００μｍ以下であるのが好ましく、３．０μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、後述するエッチング処理において電極パッド８６、８７にエッチング液が接触するのをより確実に抑制することができる。

［４］次に、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗにエッチング処理を施す。これにより、図１６に示すように、表面８４Ｗが、シリコンの結晶構造に応じて異方的にエッチングされ、凹凸形状が形成される。このようにして、テクスチャー構造を形成することができる。

エッチング処理には、エッチング液を用いたウエットエッチング処理、プラズマ等を利用したドライエッチング処理、ブラスト処理等が用いられる。このうち、ウエットエッチング処理が好ましく用いられる。ウエットエッチング処理では、保護膜８９を付けたＳｉウエハー８００Ｗをエッチング液に浸漬し、一定時間保持することにより、表面８４Ｗに異方性エッチング処理を施すことができる。

ここで、図１７は、図１５に示す部分拡大図の、エッチング処理後の様子を示す図である。

前述したように、エッチング処理では表面８４Ｗにテクスチャー構造が形成される。一方、裏面８５Ｗは、保護膜８９とパッシベーション膜８０６で覆われており、このうち、保護膜８９は、例えば有機材料で構成され、優れたエッチング耐性を有しているため、ほとんど侵されることがない。これに対し、パッシベーション膜８０６は、例えば前述したような無機材料で構成されることが多く、わずかにエッチングされる。したがって、パッシベーション膜８０６の上面のうち、保護膜８９で覆われている部分、すなわち電極パッド８６の周縁部８０６１と、保護膜８９に覆われていない部分、すなわち周縁部８０６１よりも外側に位置する後背部８０６２と、の間では、図１７に示すように、エッチング量に差が生じる。つまり、エッチング処理後における後背部８０６２の厚さは、周縁部８０６１の厚さよりも薄くなる。
その後、溶解液等を用いて保護膜８９を除去する。

図１８は、図１７に示す保護膜８９を除去した後の様子を示す図である。
図１８に示すように、パッシベーション膜８０６には、エッチング量の差に基づく厚さの差が生じている。したがって、周縁部８０６１の膜厚ｔ１は、後背部８０６２の膜厚ｔ２よりも厚くなっている。つまり、ｔ１＞ｔ２が成り立っている、この場合、その膜厚差ｔ１−ｔ２は、特に限定されないが、３ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるのが好ましく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのがより好ましい。膜厚差ｔ１−ｔ２が前記範囲内であることにより、例えば本製造方法により製造されたセル８０ａと配線基板８２とを、導電接続部８３を介して接続するとき、膜厚差ｔ１−ｔ２に相当する隙間が形成されることとなる。

次に、Ｓｉウエハー８００ＷにレーザーＬを照射してレーザー加工を施す。これにより、Ｓｉウエハー８００Ｗから複数のセルを切り出す。すなわち、Ｓｉウエハー８００Ｗが、複数のセルを包含している場合、そこから複数のセルを切り出すことにより、セルの製造効率を高めることができる。

具体的には、図１９に示すように、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗを、ダイシングテープの粘着テープ９９１に貼り付ける。粘着テープ９９１の外周部には、図１９に示すようにしてダイシングリング９９２を貼り付けることにより、粘着テープ９９１を確実に支持することができる。また、表面８４Ｗを粘着テープ９９１に貼り付けることにより、レーザー加工に際し、表面８４Ｗが汚染されないように保護することができる。

続いて、裏面８５Ｗ側からレーザーＬを照射し、Ｓｉウエハー８００Ｗを切断する。これにより、Ｓｉウエハー８００Ｗを個片化して、複数のセルを同時に切り出すことができる。

なお、加工方法は、レーザー加工に限定されず、機械的加工法や電子線加工法のようなその他の加工方法で代替されてもよい。

このようにして製造されたセル８０ａは、導電接続部８３を介して配線基板８２と電気的かつ機械的に接続される。これにより、効率よく太陽電池８０が製造される。

以上のように、セル８０ａの製造方法（本実施形態に係る光電変換素子の製造方法）は、Ｓｉウエハー８００Ｗ（半導体基板）の表面８４Ｗ（一方の面）を研削する工程と、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗ（他方の面）の上方の一部に保護膜８９を形成する工程と、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗにエッチング処理を施す工程と、を有する。

このような製造方法によれば、Ｓｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗを研削した後、保護膜８９を形成する工程順序を採用しているため、テクスチャーマスクである保護膜８９の存在が、研削結果に影響を及ぼすことがない。本実施形態では、研削後にテクスチャーマスクを形成しているため、研削精度の低下を避けることができる。その結果、最終的に、高い研削精度に基づいて、良好な外観と良好なテクスチャー構造を得ることができる。よって、外観および光電変換効率が高いセル８０ａを効率よく製造することができる。

また、Ｓｉウエハー８００Ｗ（半導体基板）の裏面８５Ｗ（他方の面）側にフィンガー電極８０４やバスバー電極８０５のような電極、パッシベーション膜８０６のような絶縁膜等を形成する工程は、研削後に行われてもよいが、好ましくはＳｉウエハー８００Ｗの表面８４Ｗ（一方の面）を研削する工程の前に設けられる。これにより、研削時の衝撃や異物付着が、電極や絶縁膜等に悪影響を及ぼすおそれがなくなる。その結果、より品質の高いセル８０ａを製造することができる。

また、前述したように、バスバー電極８０５の一部である電極パッド８６、８７は、パッシベーション膜８０６から露出するように形成されている。そして、保護膜８９を形成する工程は、パッシベーション膜８０６から露出している電極パッド８６、８７を覆うように形成する工程である。

電極パッド８６、８７をこのような保護膜８９で覆うことにより、後述するエッチング処理において電極パッド８６、８７をエッチング液から保護することができる。その結果、電極パッド８６、８７が劣化するのを防止し、例えば電極パッド８６、８７の接続抵抗が上昇するのを防止することができる。

このようにして製造された図１８に示すセル８０ａは、本発明の光電変換素子の実施形態である。

すなわち、セル８０ａ（本実施形態に係る光電変換素子）は、図１２に示す表面８４Ｗ（一方の面）が受光面であるＳｉウエハー８００Ｗ（半導体基板）と、Ｓｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗ（他方の面）に設けられているフィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５と、裏面８５Ｗ側（電極の半導体基板とは反対側）に設けられ、厚さ方向に貫通する切欠部８６０を備えるパッシベーション膜８０６と、を有する。そして、図１８に示すパッシベーション膜８０６のうち、切欠部８６０を囲む周縁部８０６１（第１部分）の膜厚ｔ１が、周縁部８０６１よりも外側に位置する後背部８０６２（第２部分）の膜厚ｔ２よりも厚くなっている。

このようなセル８０ａは、導電接続部８３を介して配線基板８２と接続されたとき、信頼性の高い太陽電池８０を提供する。

図２０は、図１８に示す製造方法により製造されたセル８０ａと配線基板８２とを、導電接続部８３を介して接続してなる太陽電池８０の断面図である。

図２０に示すように、セル８０ａのパッシベーション膜８０６と、配線基板８２と、の間には、前述した膜厚差ｔ１−ｔ２に相当する隙間８８が形成されている。具体的には、電極パッド８６と導電膜８２２との間に導電接続部８３を充填して接続したとき、周縁部８０６１が配線基板８２に当接するため、後背部８０６２は配線基板８２から離間する。このため、後背部８０６２と配線基板８２との間に隙間８８が形成されることとなる。

このような隙間８８が形成されることにより、セル８０ａと配線基板８２との間では、相互の位置ずれが許容される。このため、例えば熱膨張率の差に基づいてセル８０ａと配線基板８２との間にずれが生じた場合でも、界面に応力が集中しにくくなる。これにより、太陽電池８０において反り等の不具合が発生するのを抑制することができる。

なお、図１８に示すようなセル８０ａは、上記製造方法以外の方法で製造されたものであってもよい。例えばエッチング以外の方法で膜厚差ｔ１−ｔ２を形成するようにしてもよい。

また、太陽電池８０（光電変換モジュール）は、セル８０ａ（光電変換素子）と、このセル８０ａの電極面８５側に設けられている配線基板８２と、セル８０ａの電極パッド８６、８７と配線基板８２の導電膜８２２とを電気的に接続する導電接続部８３と、を有する。

このような太陽電池８０は、高い研削精度に基づく良好なテクスチャー構造を有するセル８０ａを備えている。このため、高い研削精度に基づいて、外観および光電変換効率が高い太陽電池８０が得られる。

また、前述した電子時計２００（電子機器）は、セル８０ａ（光電変換素子）を含む太陽電池８０を備えている。このため、高い研削精度に基づいて、外観および光電変換効率が高い電子時計２００が得られる。

なお、図２１は、図１４に示すＳｉウエハー８００Ｗの裏面８５Ｗの平面図であって、セル８０ａの１つ分の範囲のみを示した図である。

図２１に示すように、本実施形態に係る製造方法では、電極パッド８６、８７を覆い、かつその周縁部（パッシベーション膜８０６の周縁部８０６１）を覆うように、保護膜８９を設けている。このため、図２１に示すセル８０ａは、合計で５つの電極パッド８６、８７を有しているため、図２１では、それに対応するように、５つの保護膜８９を配置している。

一方、図２２は、図２１に示す保護膜８９の配置の変形例である。
図２２に示す変形例では、裏面８５Ｗのセル８０ａの１つ分の範囲のうち、その範囲の外縁部８５０Ｗの内側、すなわち図２２の中央部８５１Ｗを覆うように、保護膜８９を設けている。このような中央部８５１Ｗに保護膜８９を設けることにより、電極パッド８６、８７やその周辺部のみならず、セル８０ａの裏面８５Ｗの大部分（中央部８５１Ｗ）を保護膜８９で保護することができる。このため、汚染や異物の付着等から中央部８５１Ｗを保護し、製造されるセル８０ａの信頼性をより高めることができる。

また、外縁部８５０Ｗを避けるように保護膜８９を設けることで、前述したようなレーザー加工等の加工方法でＳｉウエハー８００Ｗを加工するとき、保護膜８９が加工されてしまうのを防止することができる。これにより、保護膜８９の加工屑が発生するのを防止し、加工屑による裏面８５Ｗの汚染を避けることができる。

なお、外縁部８５０Ｗは、セル８０ａの外縁から内側に向かって、セル８０ａの長軸の長さの１０％の範囲のことをいう。また、セル８０ａの長軸とは、セル８０ａにおいてとり得る最大長さのことをいう。

＜電子時計の変形例＞
次に、本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計の変形例について説明する。かかる変形例は、いわゆるアナログ式の電子時計であるが、文字板の裏側に配置されている太陽電池（光電変換モジュール）によって発電（光電変換）し、発電により得られた電力を駆動電力として利用するように構成されている。

図２３は、本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計の変形例を示す平面図である。また、図２４は、図２３に示す電子時計の縦断面図である。

電子時計９１は、図２３に示すように、外装ケース９３０と、カバーガラス９３３と、裏蓋９３４と、を備えている。外装ケース９３０は、円筒状のケース本体９３１に、ベゼル９３２が嵌合されて構成されている。このベゼル９３２の内周側に、リング状のダイヤルリング９３５を介して、円盤状の文字板９１１が時刻表示部分として配置されている。

また、外装ケース９３０の側面には、文字板９１１の中心より、２時方向の位置にＡボタン９２と、４時方向の位置にＢボタン９３と、３時方向の位置にリューズ９４とが設けられている。

電子時計９１は、図２４に示すように、金属製のケース本体９３１の２つの開口のうち、表面側の開口は、ベゼル９３２を介してカバーガラス９３３で塞がれており、裏面側の開口は、裏蓋９３４で塞がれている。

外装ケース９３０の内側には、ベゼル９３２の内周に取り付けられているダイヤルリング９３５と、光透過性の文字板９１１と、指針９２１〜９２４と、カレンダー車９２０と、各指針９２１〜９２４およびカレンダー車９２０（図２３参照）を駆動する駆動機構９１４０と、が設けられている。

ダイヤルリング９３５は、カバーガラス９３３と並行している平板部分と、文字板９１１側へ傾斜した傾斜部分と、を備えている。ダイヤルリング９３５の平板部分および傾斜部分と、ベゼル９３２の内周面とによりドーナツ形状の収納空間が形成されており、この収納空間内には、リング状のアンテナ体９１１０が収納されている。

文字板９１１は、外装ケース９３０の内側で時刻を表示する円形の板材であり、例えばプラスチック等の光透過性の材料で形成されている。また、文字板９１１とカバーガラス９３３との間には、指針９２１〜９２４等が設けられている。

文字板９１１と、駆動機構９１４０が取り付けられている地板９１２５と、の間には、光発電を行う太陽電池９１３５が備えられている。すなわち、太陽電池９１３５は、文字板９１１の裏側に設けられている。そして、太陽電池９１３５は、文字板９１１を透過してくる光を受けて光発電する。

太陽電池９１３５は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する複数の光発電素子を直列接続した円形の平板であって、前述した太陽電池８０と同様、本発明の光電変換モジュールの実施形態である。

また、文字板９１１、太陽電池９１３５および地板９１２５には、指針９２１〜９２３の指針軸９２９と、指針９２４の図示しない指針軸と、が貫通する穴が形成されている。また、文字板９１１および太陽電池９１３５には、それぞれカレンダー小窓９１９の開口部が形成されている。

駆動機構９１４０は、地板９１２５に取り付けられ、回路基板９１２０で裏面側から覆われている。駆動機構９１４０は、ステップモーターと歯車等の輪列とを有し、ステップモーターが輪列を介して指針軸９２９等を回転させることにより各指針９２１〜９２４およびカレンダー車９２０等を駆動する。

回路基板９１２０は、ＧＰＳ受信回路９４５と、制御装置９５０と、を備えている。また、この回路基板９１２０およびアンテナ体９１１０は、アンテナ接続ピン９１１５を用いて互いに接続されている。ＧＰＳ受信回路９４５および制御装置９５０が設けられた回路基板９１２０の裏蓋９３４側には、これらの回路部品を覆うための回路押さえ９１２２が設けられている。また、リチウムイオン電池等の二次電池９１３０が、地板９１２５と裏蓋９３４との間に設けられている。二次電池９１３０は、太陽電池９１３５が発電した電力で充電される。

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。

例えば、本発明の光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器は、前記実施形態の要素の一部が、同等の機能を有する任意の要素に代替されたものであってもよく、また、前記実施形態に任意の要素が付加されたものであってもよい。

また、本発明の光電変換素子の製造方法は、前記実施形態に任意の工程を付加したものであってもよい。

また、前記実施形態では、フィンガー電極およびバスバー電極が互いに異なる面に設けられているが、本発明はこれに限定されず、互いに同じ面に設けられていてもよい。

８…中空チャック、１０…バンド、２０…回路基板、２１…ＣＰＵ、２２…方位センサー、２３…加速度センサー、２４…回路素子、２８…ＧＰＳアンテナ、３０…機器本体、３１…ケース、３２…凸状部、３４…突起部、３５…開口部、３６…内部空間、４０…光センサー部、４１…受光部、４２…発光部、４３…センサー基板、４４…透明カバー、４５…測定窓部、４６…接続配線部、５０…表示部、５５…風防板、５６…接合部材、５７…ベゼル、５８…操作部、６０…電気光学パネル、６１…照明部、６３…接続配線部、７０…二次電池、７５…回路ケース、８０…太陽電池、８０ａ…セル、８０ｂ…セル、８０ｃ…セル、８０ｄ…セル、８１…接続配線部、８２…配線基板、８３…導電接続部、８４…受光面、８４Ｗ…表面、８５…電極面、８５Ｗ…裏面、８６…電極パッド、８７…電極パッド、８８…隙間、８９…保護膜、９１…電子時計、９２…Ａボタン、９３…Ｂボタン、９４…リューズ、２００…電子時計、８００…Ｓｉ基板、８００Ｗ…Ｓｉウエハー、８００ａ…基板外縁、８００ｂ…基板内縁、８０１…ｐ＋不純物領域、８０２…ｎ＋不純物領域、８０４…フィンガー電極、８０４ｎ…ｎ型フィンガー電極、８０４ｐ…ｐ型フィンガー電極、８０５…バスバー電極、８０５ｎ…ｎ型バスバー電極、８０５ｐ…ｐ型バスバー電極、８０６…パッシベーション膜、８０７…パッシベーション膜、８０８…端面、８１１ｎ…ｎ＋コンタクト、８１１ｐ…ｐ＋コンタクト、８１２…フィンガー電極外縁、８１３…フィンガー電極内縁、８１４ｎ…ｎ型ビア配線、８１４ｐ…ｐ型ビア配線、８１５…バスバー電極外縁、８１６…バスバー電極内縁、８２１…絶縁基板、８２２…導電膜、８２３…絶縁膜、８２４…開口部、８２５…接着層、８４０Ｗ…酸化膜、８５０Ｗ…外縁部、８５１Ｗ…中央部、８６０…切欠部、９１１…文字板、９１９…カレンダー小窓、９２０…カレンダー車、９２１…指針、９２２…指針、９２３…指針、９２４…指針、９２９…指針軸、９３０…外装ケース、９３１…ケース本体、９３２…ベゼル、９３３…カバーガラス、９３４…裏蓋、９３５…ダイヤルリング、９４５…ＧＰＳ受信回路、９５０…制御装置、９９１…粘着テープ、９９２…ダイシングリング、８０６１…周縁部、８０６２…後背部、９１１０…アンテナ体、９１１５…アンテナ接続ピン、９１２０…回路基板、９１２２…回路押さえ、９１２５…地板、９１３０…二次電池、９１３５…太陽電池、９１４０…駆動機構、Ｌ…レーザー、Ｏ…中心、ＰＬ…垂線、ｔ１…膜厚、ｔ２…膜厚、θ…角度

Claims (8)

1. 半導体基板の一方の面を研削する工程と、
   前記半導体基板の前記一方の面と表裏関係にある他方の面の上方の一部に保護膜を形成する工程と、
   前記半導体基板の前記一方の面にエッチング処理を施す工程と、
   を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
2. 前記保護膜を形成する工程は、インクジェット法またはスクリーン印刷法を用いる工程である請求項１に記載の光電変換素子の製造方法。
3. 前記半導体基板の前記一方の面を研削する工程の前に設けられ、前記半導体基板の前記他方の面側に電極およびパッシベーション膜を形成する工程を有する請求項１または２に記載の光電変換素子の製造方法。
4. 前記電極は、前記パッシベーション膜から露出するように形成されており、
   前記パッシベーション膜から露出している前記電極を覆う前記保護膜を形成する請求項３に記載の光電変換素子の製造方法。
5. 一方の面が受光面である半導体基板と、
   前記半導体基板の他方の面側に設けられている電極と、
   前記電極の前記半導体基板とは反対側に設けられ、厚さ方向に貫通する切欠部を備えるパッシベーション膜と、
   を有し、
   前記パッシベーション膜の前記切欠部を囲む第１部分の膜厚が、前記第１部分よりも外側に位置する第２部分の膜厚よりも厚いことを特徴とする光電変換素子。
6. 前記半導体基板は、単結晶性を有する請求項５に記載の光電変換素子。
7. 請求項５または６に記載の光電変換素子と、
   前記光電変換素子の前記他方の面側に設けられている配線基板と、
   を有することを特徴とする光電変換モジュール。
8. 請求項５または６に記載の光電変換素子を備えることを特徴とする電子機器。

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