JP2020009856A - 治具、及び治具を用いた設置方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B08B1/50—
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
【課題】真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを容易に設置することを可能にする治具、及びこうした治具を用いた弾性パッドの真空吸着ステージへの設置方法を提案する。【解決手段】真空吸着ステージのステージ面には、処理対象物を真空により吸着するための真空孔が形成されており、弾性パッドには、真空孔に対応した孔が形成されている。治具は、真空吸着ステージの真空孔に挿入可能な第１凸部と、第１凸部が真空孔に挿入された状態でステージ面に接触する支持部と、支持部に対して第１凸部と反対側に突出し、弾性パッドの孔に挿入可能な第２凸部と、を備える。【選択図】図１１
Description
本発明は、治具、及び治具を用いた設置方法に関し、詳しくは、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置するのに用いられる治具、及び当該治具を用いた弾性パッドの設置方法に関する。
近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。
ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。洗浄ユニットとしては、半導体基板に洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄し、洗浄後の洗浄部材を表面が粗い修正部材１５の平面に擦り付けて自己洗浄するものが開示されている（特許文献１参照）。
また、基板処理装置は、バフ処理装置を備える場合がある。このバフ処理装置は、基板に対してバフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を施すものである。バフ研磨処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間にスラリーを介在させることによりウェハの処理面を研磨除去する処理である。一方、バフ洗浄処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。
バフ処理装置では、基板は真空吸着によってバフステージに支持される。吸着力を向上させるためバフステージには弾性パッドが貼られており、この弾性パッドは消耗品として取り扱われて定期的に貼り替えが行われる。弾性パッドをバフステージへ貼り付ける際には、裏面が粘着面になっている弾性パッドを作業員が人手でバフステージへ貼り付けるのが一般的である。
真空吸着によって基板を支持する真空吸着ステージでは、真空源に接続される真空孔がステージ面に形成されている。また、弾性パッドには、真空孔に対応するように孔が形成されている。そして、弾性パッドを真空吸着ステージに貼り付ける際には、真空吸着ステージの真空孔と弾性パッドの孔との位置が一致しないと、基板に真空を作用させることができず、基板を吸着することができない。しかし、弾性パッドと真空吸着ステージとの位置がずれた場合に真空吸着ステージから弾性パッドを剥がすと、再度位置合わせをして設
置をしても弾性パッドと真空吸着ステージとの接着力が低下する。このため、真空吸着ステージへ弾性パッドを設置する際には、可能な限り一度で複数の真空孔と弾性パッドの複数の孔との位置を一致させることが求められるが、こうした位置合わせは作業員ごとにバラツキが生じる。
置をしても弾性パッドと真空吸着ステージとの接着力が低下する。このため、真空吸着ステージへ弾性パッドを設置する際には、可能な限り一度で複数の真空孔と弾性パッドの複数の孔との位置を一致させることが求められるが、こうした位置合わせは作業員ごとにバラツキが生じる。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを容易に設置することを可能にする治具、及びこうした治具を用いた弾性パッドの真空吸着ステージへの設置方法を提案することを目的の１つとする。
本発明の一実施形態によれば、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置するのに用いられる治具が提案される。ここで、前記ステージ面には、真空源に接続可能に構成される真空孔が形成されており、前記弾性パッドには、前記真空孔に対応した孔が形成されている。そして、前記治具は、前記真空吸着ステージの前記真空孔に挿入可能な第１凸部と、前記第１凸部が前記真空孔に挿入された状態で前記ステージ面に接触する支持部と、前記支持部に対して前記第１凸部と反対側に突出し、前記弾性パッドの前記孔に挿入可能な第２凸部と、を備える。
こうした治具によれば、真空吸着ステージの真空孔に第１凸部を挿入すると共に、弾性パッドの孔に第２凸部を挿入することができ、これにより、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを容易に行うことができる。
こうした治具によれば、真空吸着ステージの真空孔に第１凸部を挿入すると共に、弾性パッドの孔に第２凸部を挿入することができ、これにより、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを容易に行うことができる。
本発明の一実施形態によれば、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置する設置方法が提案される。前記方法は、上記した一実施形態による治具を用意するステップと、前記真空吸着ステージのステージ面に形成されている真空孔に前記治具の前記第１凸部を挿入するステップと、前記弾性パッドにおける前記真空孔に対応する孔に前記治具の前記第２凸部を挿入するステップと、を含む。
こうした設置方法によれば、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを行うことができ、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを容易に設置することが可能となる。
こうした設置方法によれば、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを行うことができ、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを容易に設置することが可能となる。
以下に、本発明に係る治具、及び当該治具を用いた設置方法の実施形態を添付図面とともに説明する。以下では説明の都合上、まず真空吸着ステージの一例として
のバフステージを備えたバフ処理装置について説明し、続いて、バフステージに弾性パッドを設置するための治具、および当該治具を用いた設置方法について説明をする。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
のバフステージを備えたバフ処理装置について説明し、続いて、バフステージに弾性パッドを設置するための治具、および当該治具を用いた設置方法について説明をする。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
図１は、一実施形態によるバフ処理装置の概略構成を示す図である。図１に示すバフ処理装置は、半導体ウェハなどの基板（処理対象物）の研磨処理を行うＣＭＰ装置の一部またはＣＭＰ装置内の１ユニットとして構成することができる。一例として、バフ処理装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、基板の搬送機構、を有するＣＭＰ装置、たとえば特開２０１０−５０４３６５号公報に開示されているＣＭＰ装置に組み込むことができる。バフ処理装置は、ＣＭＰ装置内でのメイン研磨の後に仕上げ処理に用いることができる。
本明細書において、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。
バフ研磨処理とは、基板に対してバフパッドを接触させながら、基板とバフパッドを相対運動させ、基板とバフパッドとの間にスラリーを介在させることにより基板の処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、スポンジ材（たとえばＰＶＡスポンジ材）などを用いて基板を物理的作用により洗浄する場合に基板に加えられる物理的作用力よりも強い物理的作用力を基板に対して加えることができる処理である。そのため、バフパッドとしては、たとえば発泡ポリウレタンと不織布を積層したパッド、具体的には市場で入手できるＩＣ１０００（商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系や、スウェード状の多孔性ポリウレタン非繊維質パッド、具体的には、市場で入手できるＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標）などを用いることができる。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、メイン研磨ユニットにおける主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又はメイン研磨後の、微小領域の凹凸や基板全体に渡る膜厚分布といったモフォロジーの改善、を実現することができる。
バフ研磨処理とは、基板に対してバフパッドを接触させながら、基板とバフパッドを相対運動させ、基板とバフパッドとの間にスラリーを介在させることにより基板の処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、スポンジ材（たとえばＰＶＡスポンジ材）などを用いて基板を物理的作用により洗浄する場合に基板に加えられる物理的作用力よりも強い物理的作用力を基板に対して加えることができる処理である。そのため、バフパッドとしては、たとえば発泡ポリウレタンと不織布を積層したパッド、具体的には市場で入手できるＩＣ１０００（商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系や、スウェード状の多孔性ポリウレタン非繊維質パッド、具体的には、市場で入手できるＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標）などを用いることができる。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、メイン研磨ユニットにおける主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又はメイン研磨後の、微小領域の凹凸や基板全体に渡る膜厚分布といったモフォロジーの改善、を実現することができる。
バフ洗浄処理とは、基板に対してバフパッドを接触させながら、基板とバフパッドを相対運動させ、基板とバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることにより基板表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、スポンジ材などを用いて基板を物理的作用により洗浄する場合に基板に加えられる物理的作用力よりも強い物理的作用力を基板に対して加えることができる処理である。そのため、バフパッドとしては、上述のＩＣ１０００（商標）／ＳＵＢＡ（登録商標）系やＰＯＬＩＴＥＸ（登録商標）などが用いられる。さらに、本発明におけるバフ処理装置において、バフパッドとしてＰＶＡスポンジを用いることも可能である。
図１は、一実施形態による、ウェハＷｆ（基板）が取り付けられた状態のバフ処理装置３００の構成を概略的に示す図である。バフ処理装置３００は、上述したバフ研磨処理および／またはバフ洗浄処理を行うことができる。図１に示すように、一実施形態によるバフ処理装置３００は、バフステージ（真空吸着ステージ）４００、バフヘッド５００、バフアーム６００、液供給系統７００、及びコンディショニング部８００を備える。
バフステージ（真空吸着ステージ）４００は、ウェハＷｆを真空吸着して支持するために設けられている。バフステージ４００は、図示しない駆動機構によって回転軸ＡＡの周りに回転できるようになっている。本実施形態では、バフステージ４００は、ウェハＷｆの処理面が水平上向きとなるようにウェハＷｆを支持する。なお、詳しくは後述するが、バフステージ４００のステージ面４０２には、弾性パッド４５０が取り付けられており、バフステージ４００は、弾性パッド４５０を介してウェハＷｆを支持する。ただし、説明
を簡単にするため、本明細書では、弾性パッド４５０におけるウェハＷｆを支持する支持面４５２を、バフステージ４００の「支持面」とも言う。
を簡単にするため、本明細書では、弾性パッド４５０におけるウェハＷｆを支持する支持面４５２を、バフステージ４００の「支持面」とも言う。
バフヘッド５００は、バフステージ４００に設置されたウェハＷｆにバフ処理を行うために設けられている。バフヘッド５００は、バフステージ４００に対して上昇下降できるように構成されている。バフヘッド５００のウェハＷｆに対向する面には、バフパッド５０２が取り付けられる。バフパッド５０２は、バフヘッド５００の下降により、バフステージ４００のステージ面４０２に保持されたウェハＷｆに押し付けられる。
図示の実施形態において、バフパッド５０２は、バフステージ４００およびバフ処理されるウェハＷｆの直径よりも小さなサイズである。バフ処理されるウェハＷｆよりも小さなサイズのバフパッドを使用してバフ処理することで、ウェハＷｆに局所的に生じた凹凸を平坦化したり、ウェハＷｆの特定の部分だけをバフ研磨したり、ウェハＷｆの位置に応じて研磨量を調整したりしやすくなる。ただし、バフヘッド５００は、こうした例に限定されず、洗浄用のブラシまたはスポンジ材が用いられてもよい。
バフアーム６００は、バフヘッド５００を保持する。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸ＢＢ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００を矢印ＣＣに示すようにウェハＷｆの径方向に揺動できるようになっている。また、バフアーム６００は、図２に示すように、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を移動させることができるようになっている。
液供給系統７００は、ウェハＷｆの処理面、又はバフステージ４００（弾性パッド４５０）に各種処理液を供給するために設けられている。本実施形態では、液供給系統７００は、純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０と、薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル７２０とを備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。
図１の実施形態によるバフ処理装置３００は、バフアーム６００、バフヘッド５００、及びバフパッド５０２を介してウェハＷｆの処理面またはバフステージ４００の支持面に純水、薬液、又はスラリーを選択的に供給できるようになっている。
すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー供給源７３４に接続されたスラリー配管７３２は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。
液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー配管７３２、の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５０２の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷｆの処理面またはバフステージ４００のウェハＷｆを支持するための支持面に向けて開口する。図示しない制御装置は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び、開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミン
グで、ウェハＷｆの被処理面またはバフステージ４００のウェハＷｆを支持するための支持面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。
グで、ウェハＷｆの被処理面またはバフステージ４００のウェハＷｆを支持するための支持面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。
図示の実施形態によるバフ処理装置３００は、液供給配管７４０を介してウェハＷｆに処理液を供給するとともにバフステージ４００を回転軸ＡＡ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷｆの処理面に押圧し、バフパッド５０２を回転軸ＢＢ周りに回転させながら矢印ＣＣ方向に揺動することによって、ウェハＷｆにバフ処理を行うことができる。
こうしたバフ処理装置３００では、ウェハＷｆがバフステージ４００に支持された状態で、液供給系統７００によってウェハＷｆに処理液を供給するとともにバフステージ４００を回転軸ＡＡ周りに回転させる。また、バフ処理装置３００は、バフパッド５０２をウェハＷｆの処理面に押圧し、バフパッド５０２を回転軸ＢＢ周りに回転させながら矢印ＣＣ方向に揺動することによって、ウェハＷｆにバフ処理を行うことができる。
コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするために設けられている。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸ＤＤ周りに回転できるようになっている。ドレッサ８２０は、ダイヤモンドドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。
バフ処理装置３００は、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる（図２参照）。バフ処理装置３００は、ドレステーブル８１０を回転軸ＤＤ周りに回転させるとともにバフヘッド５００を回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。
また、バフステージ４００上にウェハＷｆがないときには、バフステージ４００の洗浄が行われてもよい。バフステージ４００を洗浄は、支持面４５２に対して、薬液ノズル７２０から薬液を吹き付けて支持面４５２を洗浄する。薬液を使用することにより、支持面４５２に付着した砥粒や研磨生成物をより効果的に洗浄することができる。その後、純水ノズル７１０から純水を支持面４５２に供給して、さらに支持面４５２を洗浄する。
続いて、ウェハＷｆを真空吸着するために設けられているバフステージ４００について更に詳細に説明する。図２は、バフ処理装置の概略断面図の一例を示す図であり、図３は、バフステージを拡大して示す斜視図である。図２及び図３に示すように、バフステージ４００のステージ面４０２には、ウェハＷｆをステージ面４０２に真空吸着させるための複数の第１開口部（真空孔）４０４が形成されている。また、バフステージ４００は、バフステージ４００の内部に、第１開口部４０４まで延びる第１流体通路４１０を備える。第１流体通路４１０は真空源７４６に接続される。さらに、第１流体通路４１０は、ウェハＷｆをステージ面４０２から脱着させるときに使用することができる純水供給源７１４および窒素源７４４に接続される。また、第１流体通路４１０は、第１流体通路４１０内を大気開放する大気開放弁（図示せず）を備えてもよい。たとえば、ウェハＷｆを脱着するときは、第１流体通路４１０の真空を解放し、所定時間だけ第１流体通路４１０に純水を供給し、その後、所定時間だけ窒素を供給するようにすることができる。バフステージ４００の第１流体通路４１０に純水、窒素ガスを供給する配管、および第１流体通路４１０を真空引きする配管には、それぞれ開閉弁７５０、７５４、７５６が設けられる。図示しない制御装置を用いて開閉弁７５０、７５４、７５６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでバフステージ４００の第１流体通路４１０を通じて支持面に純水、およ
び窒素ガスを供給でき、また任意のタイミングで第１流体通路４１０を真空引きすることができる。
び窒素ガスを供給でき、また任意のタイミングで第１流体通路４１０を真空引きすることができる。
また、図２に示すように、バフステージ４００は、搬送機構として、図示しない搬送ロボットにより搬送されるウェハＷｆを受け取り、バフステージ４００のウェハＷｆを載置するためのリフトピン４８０を有する。リフトピン４８０は、バフステージ４００の外周に沿って複数（例えば４つ）配置され、図示しない機構によりリフトピン４８０が伸縮するようになっている。リフトピン４８０は、リフトピン４８０が突出した状態でウェハＷｆの外周部を支持して受け取り、その後、リフトピン４８０が後退してウェハＷｆをバフステージ４００の支持面に載置する。バフ処理が終わった後、リフトピン４８０が突出してウェハＷｆの外周部を支持して持ち上げ、搬送ロボットがウェハＷｆを下から掬い上げるようになっている。
図３に示すように、バフステージ４００の周縁部には、凹部４２６が形成されている。凹部４２６は、リフトピン４８０に対応して設けられており、この凹部４２６に沿ってリフトピン４８０が伸縮する。また、バフステージ４００の周縁部には、ステージ面４０２の周縁に沿った溝４２４が形成されている。換言すれば、溝４２４は、第１開口部４０４が配置される領域を少なくとも部分的に囲っている。本実施形態では、溝４２４は、凹部４２６付近を除いてステージ面４０２の周縁に沿って形成されている。
図４は、図２中の一点鎖線で囲んだ領域を拡大して示す図である。上記したように、本実施形態では、バフステージ４００の複数の第１開口部４０４に第１流体通路４１０が接続されている。この第１流体通路４１０は、基本的にステージ面４０２に対して垂直に延びて第１開口部４０４に接続される（図２参照）。一方、本実施形態では、図４に示すように、複数の第１開口部４０４のうち最も外周側に位置する第１開口部４０４（４０４ａ）の下方には、締結具４１２が位置している。このため、最も外周側に位置する第１開口部４０４ａに接続される第１流体通路４１０はステージ面４０２に対して傾斜している（図２では省略されている）。また、図４に示すように、バフステージ４００の外周付近には、第２開口部４２５（図２、図３では省略されている）が形成されている。第２開口部４２５は、溝４２４内に形成されており、第２流体通路４２０を介してバフステージ４００の外部に開放される。つまり、溝４２４は、複数の第２開口部４２５をステージ面４０２において接続する。こうした溝４２４及び第２開口部４２５によって、ウェハＷｆとバフステージ４００の支持面との間に処理液が吸い込まれることを抑制することができる。
また、特に図３に示すように、バフステージ４００のステージ面４０２には弾性パッド４５０が取り付けられており、バフステージ４００は、弾性パッド４５０を介してウェハＷｆを支持する。バフステージ４００に取り付けられる弾性パッド４５０は、たとえば弾性を有する発泡ポリウレタンから形成することができる。弾性パッド４５０は、バフステージ４００とウェハＷｆとの間の緩衝材として、ウェハＷｆに傷がつくことを防いだり、バフステージ４００の表面の凹凸のバフ処理への影響を緩和したりすることができる。弾性パッド４５０は、一方の面に設けられた粘着層４５８（図４、図６参照）によりバフステージ４００のステージ面４０２に取り付けられる。弾性パッド４５０は、バフステージ４００の第１開口部４０４に対応する位置に孔（貫通孔）４５４が設けられているものを使用することができる（図３参照）。
図５は、弾性パッドの一例を示す図である。弾性パッド４５０は、バフステージ４００のステージ面４０２に形成されている複数の第１開口部４０４に応じた複数の孔４５４を有する。また、弾性パッド４５０には、バフステージ４００に形成されている凹部４２６に対応した切り欠き４７６が形成されていると共に、バフステージ４００に形成されている溝４２４に対応した溝４７４が形成されている。ここで、弾性パッド４５０に形成され
ている複数の孔４５４、切り欠き４７６、及び溝４７４のそれぞれは、バフステージ４００に形成されている複数の第１開口部４０４、凹部４２６、及び溝４２４のそれぞれよりも若干大きい寸法とされることが好ましい。こうすることにより、弾性パッド４５０とバフステージ４００との位置合わせに余裕を持たせることができる。これにより、弾性パッド４５０がバフステージ４００に貼られたときに、弾性パッド４５０によってバフステージ４００に形成されている開口が塞がれてしまうことを防止することができる。
ている複数の孔４５４、切り欠き４７６、及び溝４７４のそれぞれは、バフステージ４００に形成されている複数の第１開口部４０４、凹部４２６、及び溝４２４のそれぞれよりも若干大きい寸法とされることが好ましい。こうすることにより、弾性パッド４５０とバフステージ４００との位置合わせに余裕を持たせることができる。これにより、弾性パッド４５０がバフステージ４００に貼られたときに、弾性パッド４５０によってバフステージ４００に形成されている開口が塞がれてしまうことを防止することができる。
図６は、バフステージに貼られる前の弾性パッドの一例を示す断面図である。本実施形態では、弾性パッド４５０の一方の面に粘着層４５８が設けられており、当該一方の面には持ち運びの容易等のためにセパレートフィルム４６０が取り付けられている。セパレートフィルム４６０は、粘着層４５８から剥離することができ、弾性パッド４５０をバフステージ４００に設置する際には弾性パッド４５０から剥離される。また、弾性パッド４５０における粘着層４５８が設けられた面とは反対側の面には、弾性パッド４５０よりも伸縮性が低い材料（例えば、ＰＥＴ等）で形成された保護シート４７０が貼られている。保護シート４７０は、弾性パッド４５０の持ち運び及び設置等の際に弾性パッド４５０を保護し、バフステージ４００に設置された後は弾性パッド４５０から剥離される。なお、本実施形態では、セパレートフィルム４６０及び保護シート４７０には、弾性パッド４５０の複数の開口（孔４５４、切り欠き４７６、及び溝４７４）と同じように開口が形成されている（不図示）。こうした保護シート４７０によって、後述するように弾性パッド４５０をバフステージ４００に設置するときに弾性パッド４５０が伸縮するのを抑制することができ、弾性パッド４５０とバフステージ４００との位置合わせを容易にすることができる。ただし、こうした例に限定されず、セパレートフィルム４６０と保護シート４７０との少なくとも一方には、開口が形成されなくてもよい。また、弾性パッド４５０には、保護シート４７０が貼られていなくてもよい。
次に、弾性パッド４５０をバフステージ４００に設置するのに用いる治具について説明する。図７は、本実施形態における治具の下面の一例を示す斜視図であり、図８は、本実施形態における治具の上面の一例を示す斜視図である。図示するように、本実施形態の治具４０は、下面４２（図７参照）と上面４５（図８参照）とを有する板状部４１を備え、この板状部４１に複数の凸部が設けられた形状となっている。こうした治具４０は、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等の合成樹脂を射出成形することによって形成することができる。ただし、こうした例に限定されず、治具４０は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されてもよい。
治具４０の下面４２は、少なくとも１つ（図７の例では２つ）の第１凸部４３と、第３凸部４４とを有する。第１凸部４３は、バフステージ４００の複数の第１開口部４０４の径よりも若干小さい寸法である。また、第１凸部４３が複数ある場合には、複数の第１凸部４３の位置が、複数の第１開口部４０４の位置に対応するように設けられる。つまり、治具４０の第１凸部４３は、バフステージ４００の第１開口部４０４に挿入可能である。また、第３凸部４４は、バフステージ４００の周縁部に形成されている凹部４２６に対応するように構成されている。そして、第３凸部４４をバフステージ４００の凹部４２６に位置合わせすると共に、第１凸部４３をバフステージ４００の第１開口部４０４に挿入することによって、治具４０の下面４２がバフステージ４００のステージ面４０２に接触し、治具４０がバフステージ４００に設置される。ここで、本実施形態では、第１凸部４３が第１開口部４０４に挿入された状態でステージ面４０２に接触する下面４２が「支持部」を構成する。
なお、本実施形態では、第１凸部４３は、第３凸部４４がバフステージ４００の凹部４２６に位置合わせされたときに、バフステージ４００における外周側から２番目の第１開口部４０４（４０４ｂ）に対応するように設けられている。上記したように、本実施形態
ではバフステージ４００における最も外周側の第１開口部４０４ａは第１流体通路４１０が傾斜しており（図４参照）、治具４０を嵌めることが難しい。このため、本実施形態では、治具４０は、外周側から２番目の第１開口部４０４ｂを利用するように構成されている。ただし、こうした例に限定されるものではなく、治具４０の第１凸部４３は、最も外周側の第１開口部４０４に対応するように設けられてもよい。
ではバフステージ４００における最も外周側の第１開口部４０４ａは第１流体通路４１０が傾斜しており（図４参照）、治具４０を嵌めることが難しい。このため、本実施形態では、治具４０は、外周側から２番目の第１開口部４０４ｂを利用するように構成されている。ただし、こうした例に限定されるものではなく、治具４０の第１凸部４３は、最も外周側の第１開口部４０４に対応するように設けられてもよい。
治具４０の上面４５は、少なくとも１つ（図８の例では２つ）の第２凸部４６と、第４凸部４７とを有する。第２凸部４６は、第１凸部４３とは反対側に突出し、好ましくは板状部４１における第１凸部４３に対応する位置に設けられる。ただし、こうした例に限定されず、第２凸部４６は、第１凸部４３と異なる数が設けられてもよいし、第１凸部４３に対応しない第１凸部４３とは異なる位置に設けられてもよい。第２凸部４６は、先端部４６ａが弾性パッド４５０の孔４５４よりも小さい寸法であると共に、先端部４６ａから離れるほど拡径するテーパ状となっている。また、本実施形態では、第２凸部４６は、基部４６ｂが弾性パッド４５０の孔４５４よりも大きい寸法となっている。さらに、第２凸部４６が複数ある場合には、複数の第２凸部４６の位置が、弾性パッド４５０の複数の孔４５４の位置に対応するように設けられている。こうした治具４０の第２凸部４６は、弾性パッド４５０の孔４５４に少なくとも一部が挿入可能である。また、第４凸部４７は、弾性パッド４５０の周縁部に形成されている切り欠き４７６に対応するように構成されている。そして、第４凸部４７を弾性パッド４５０の切り欠き４７６に位置合わせすると共に、第２凸部４６を弾性パッド４５０の孔４５４に挿入することによって、治具４０と弾性パッド４５０との取り付けがなされる。
次に、こうした治具４０を用いた弾性パッド４５０の設置方法について説明する。図９は、本実施形態の弾性パッドの設置方法の一例を示すフローチャートである。弾性パッド４５０をバフステージ４００に設置する際には、まず弾性パッド４５０を用意すると共に治具４０を用意する（Ｓ１０）。いまは、弾性パッド４５０として、粘着層４５８を有する面にセパレートフィルム４６０が取り付けられると共に反対側の面に保護シート４７０が取り付けられている、上記した図６に示すような弾性パッドが用意されるものとする。また、セパレートフィルム４６０及び保護シート４７０には、弾性パッド４５０の開口（孔４５４、切り欠き４７６、及び溝４７４）と同じように開口が形成されているものとする。さらに、治具４０としては、上記した図７及び図８に示すような治具４０が用意されるものとする。なお、本実施形態では、２つの治具４０を用いるものとするが、こうした例には限定されない。
続いて、用意した治具４０をバフステージ４００に配置する（Ｓ１２）。図１０は、治具４０をバフステージ４００に配置する工程の一例を示す図である。図１０に示すように、治具４０の第１凸部４３をバフステージ４００の第１開口部４０４（外周側から２番目の第１開口部４０４ｂ）に挿入して治具４０の下面４２（支持部）をステージ面４０２に接触させることにより、治具４０をバフステージ４００に設置することができる。また、本実施形態では、治具４０には、バフステージ４００の周縁部の凹部４２６に対応した第３凸部４４が形成されている。このため、作業者は、治具４０の第３凸部４４をバフステージ４００の凹部４２６に位置合わせして治具４０をバフステージ４００に配置することとなり、作業者ごとの設置方法のバラツキを抑制できる。なお、図１０に示す例では、バフステージ４００における９０°離れた周縁部に２つの治具４０が配置されているが、こうした例に限定されず、任意の場所に任意の数の治具４０が配置されればよい。
次に、弾性パッド４５０から一部のセパレートフィルム４６０を取り外すと共に（Ｓ１４）、バフステージ４００上の治具４０を用いて弾性パッド４５０の位置合わせを行う（Ｓ１６）。図１１は、治具４０を用いて弾性パッド４５０の位置合わせを行う工程の一例を示す図である。図１１では、弾性パッド４５０におけるセパレートフィルム４６０が取
り外されている領域にハッチングを付している。図１１に示す例では、弾性パッド４５０における一部の領域（第１領域）として、全体の半分の領域のセパレートフィルム４６０が取り外されている。そして、セパレートフィルム４６０が取り外されていない領域において、弾性パッド４５０の孔４５４（本実施形態では、外周側から２番目の孔４５４ｂ）及び切り欠き４７６に、治具４０の第２凸部４６及び第４凸部４７が挿入されるように、弾性パッド４５０を位置合わせする。本実施形態では、弾性パッド４５０に取り付けられているセパレートフィルム４６０及び保護シート４７０に弾性パッド４５０と同様に開口が形成されている。このため、セパレートフィルム４６０及び保護シート４７０を取り付けたままの状態で、治具４０を使用して弾性パッド４５０をバフステージ４００上に位置合わせすることができる。
り外されている領域にハッチングを付している。図１１に示す例では、弾性パッド４５０における一部の領域（第１領域）として、全体の半分の領域のセパレートフィルム４６０が取り外されている。そして、セパレートフィルム４６０が取り外されていない領域において、弾性パッド４５０の孔４５４（本実施形態では、外周側から２番目の孔４５４ｂ）及び切り欠き４７６に、治具４０の第２凸部４６及び第４凸部４７が挿入されるように、弾性パッド４５０を位置合わせする。本実施形態では、弾性パッド４５０に取り付けられているセパレートフィルム４６０及び保護シート４７０に弾性パッド４５０と同様に開口が形成されている。このため、セパレートフィルム４６０及び保護シート４７０を取り付けたままの状態で、治具４０を使用して弾性パッド４５０をバフステージ４００上に位置合わせすることができる。
図１２は、本実施形態における治具４０によって弾性パッド４５０がバフステージ４００上に位置合わせされている状態の断面図を示す。本実施形態の治具４０の第２凸部４６は、先端部４６ａが細いテーパ状となっているので、第２凸部４６が弾性パッド４５０の孔４５４に挿入させる作業を容易に行うことができる。また、本実施形態では、第２凸部４６の基部４６ｂが、弾性パッド４５０の孔４５４よりも大きくなっているので、治具４０の上面４５と弾性パッド４５０を接触させないで、弾性パッド４５０を支持することができる。これにより、治具４０及びバフステージ４００から弾性パッド４５０を持ち上げる作業を容易に行うことができる。なお、本実施形態では、セパレートフィルム４６０を弾性パッド４５０に取り付けたままで位置合わせをするものとしたが、セパレートフィルム４６０を取り外した状態で、治具４０を使用して弾性パッド４５０の位置合わせをしてもよい。こうした場合においても、本実施形態の治具４０によれば、治具４０の上面４５と弾性パッド４５０の粘着層４５８とを接触させないで弾性パッド４５０の位置合わせをおこなうことができる。なお、図９に示すフローチャートでは、弾性パッド４５０の第１領域からセパレートフィルム４６０を取り外した後に、治具４０を用いて弾性パッド４５０の位置合わせを行うものとしたが、こうした例に限定されず、治具４０を用いて弾性パッド４５０の位置合わせをした後に、弾性パッド４５０の少なくとも一部の領域からセパレートフィルム４６０を取り外すものとしてもよい。
続いて、弾性パッド４５０の一部の領域をバフステージ４００に貼り付ける（Ｓ１８）。図１３は、弾性パッド４５０の貼り付け工程の一例を示す図である。いまは、治具４０によって弾性パッド４５０とバフステージ４００との位置合わせがなされているため、弾性パッド４５０とバフステージ４００とを位置合わせした状態で貼り付けることができる。本実施形態では、セパレートフィルム４６０が取り外されている領域（図中、斜線によるハッチングを付した領域）のうちの一部の領域（図中、網掛けによるハッチングを付した領域）において、弾性パッド４５０をバフステージ４００に貼り付けるものとしている。一例として、セパレートフィルム４６０が残されている領域から所定距離未満の領域についてはバフステージ４００に貼り付けられないように、例えば全体の３分の１の領域について弾性パッド４５０とステージ面４０２との貼り付けを行うことが好ましい。こうすれば、残されているセパレートフィルム４６０を弾性パッド４５０から剥離するのを容易にすることができる。また、図１３に示す例では、平坦な底面を有する第２の治具５０を用いて弾性パッド４５０を押圧することにより、弾性パッド４５０とステージ面４０２との間の空気を抜いている。なお、治具５０による空気の排除は、図１３中の太線矢印に示すように弾性パッド４５０の端部から中央に向けて弾性パッド４５０を押圧することが好ましい。ここで、上記したように本実施形態の弾性パッド４５０には、弾性パッド４５０よりも伸縮性の低い保護シート４７０が弾性パッド４５０に取り付けられている。このため、弾性パッド４５０をバフステージ４００に貼り付ける際に、弾性パッド４５０が伸縮して孔４５４とバフステージ４００の第１開口部４０４との位置がずれてしまうことを抑制できる。
弾性パッド４５０の一部の領域をバフステージ４００に貼り付けたら、治具４０をバフステージ４００及び弾性パッド４５０から取外し（Ｓ２２）、弾性パッド４５０の残りをバフステージ４００に貼り付ける（Ｓ２４）。図１４は、治具を取り除いて弾性パッドを貼り付ける工程の一例を示す図である。治具４０の取外しは、弾性パッド４５０を撓ませながら行うとよい。既に弾性パッド４５０とバフステージ４００とが位置合わせされた状態で弾性パッド４５０の一部がバフステージ４００に既に貼り付けられているため、治具４０を取り除いても、弾性パッド４５０とバフステージ４００とは位置合わせされた状態を維持する。そして、弾性パッド４５０の残りの領域をバフステージ４００に貼り付けることにより、弾性パッド４５０を容易にバフステージ４００に貼り付けることができる。このときには、図１４に示すように、平坦な底面を有する第２の治具５０を用いて弾性パッド４５０を押圧することにより、弾性パッド４５０とステージ面４０２との間の空気を抜くことが好ましい。弾性パッド４５０には保護シート４７０が取り付けられているため、Ｓ１８と同様に、空気抜きの工程において弾性パッド４５０の孔４５４とバフステージ４００の第１開口部４０４との位置がずれてしまうことを抑制できる。そして、保護シート４７０を弾性パッド４５０から取り外すことにより（Ｓ２６）、治具４０を用いた弾性パッド４５０の設置が完了する。
以上説明した本実施形態の治具４０は、バフステージ４００の第１開口部４０４に挿入可能な第１凸部４３と、第１凸部４３が第１開口部４０４に挿入された状態でステージ面４０２に接触する下面４２と、第１凸部４３と反対側に突出し、弾性パッド４５０の孔４５４に挿入可能な第２凸部４６とを有する。こうした治具４０によれば、治具４０の第１凸部４３をバフステージ４００の第１開口部４０４に挿入すると共に、第２凸部４６を弾性パッド４５０の孔４５４に挿入することにより、バフステージ４００と弾性パッド４５０との位置合わせを容易に行うことができる。
上記した実施形態の治具４０は、２つの第１凸部４３を有するものとしたが、こうした例に限定されず、１つ、又は３つ以上の第１凸部４３を有してもよい。また、治具４０は、バフステージ４００の凹部４２６に対応した第３凸部４４を有するものとしたが、こうした例に限定されず、例えば第３凸部４４を有さなくてもよい。また、治具４０は、２つの第２凸部４６を有するものとしたが、こうした例に限定されず１つ、又は３つ以上の第２凸部４６を有してもよい。また、第２凸部４６は、基部４６ｂが弾性パッド４５０の孔４５４より大きいテーパ状であるものとしたが、こうした例に限定されず、基部４６ｂにおいて弾性パッド４５０の孔以下であるテーパ状であってもよいし、テーパ状でなくてもよい。さらに、治具４０は、弾性パッド４５０の切り欠き４７６に対応する第４凸部４７を有するものとしたが、こうした例に限定されず、例えば第４凸部４７を有さなくてもよい。
本発明は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置するのに用いられる治具が提案され、前記ステージ面には、真空源に接続可能に構成される真空孔が形成されており、前記弾性パッドには、前記真空孔に対応した孔が形成されており、前記治具は、前記真空吸着ステージの前記真空孔に挿入可能な第１凸部と、前記第１凸部が前記真空孔に挿入された状態で前記ステージ面に接触する支持部と、前記支持部に対して前記第１凸部と反対側に突出し、前記弾性パッドの前記孔に挿入可能な第２凸部と、を備える。形態１によれば、真空吸着ステージの真空孔に第１凸部を挿入すると共に、弾性パッドの孔に第２凸部を挿入することができ、これにより、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを容易に行うことができる。
［形態１］形態１によれば、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置するのに用いられる治具が提案され、前記ステージ面には、真空源に接続可能に構成される真空孔が形成されており、前記弾性パッドには、前記真空孔に対応した孔が形成されており、前記治具は、前記真空吸着ステージの前記真空孔に挿入可能な第１凸部と、前記第１凸部が前記真空孔に挿入された状態で前記ステージ面に接触する支持部と、前記支持部に対して前記第１凸部と反対側に突出し、前記弾性パッドの前記孔に挿入可能な第２凸部と、を備える。形態１によれば、真空吸着ステージの真空孔に第１凸部を挿入すると共に、弾性パッドの孔に第２凸部を挿入することができ、これにより、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを容易に行うことができる。
［形態２］形態２によれば、形態１の治具において、前記真空吸着ステージの周縁部には、凹部が形成されており、前記治具は、前記凹部に対応する第３凸部を更に備える。形態
２によれば、治具の第３凸部を真空吸着ステージの周縁部に嵌合させることができ、作業者による真空吸着ステージと弾性パッドとの取り付けのバラツキを抑制することができる。
２によれば、治具の第３凸部を真空吸着ステージの周縁部に嵌合させることができ、作業者による真空吸着ステージと弾性パッドとの取り付けのバラツキを抑制することができる。
［形態３］形態３によれば、形態１又は２の治具において、前記治具は、前記第１凸部および前記第２凸部を２つ以上有する。形態３によれば、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせをより正確に行うことができる。
［形態４］形態４によれば、形態１から３の治具において、前記第２凸部は、先端部から離れるほど大きくなるテーパ形状である。形態４によれば、治具の第２凸部を弾性パッドの孔に容易に挿入することができる。
［形態５］形態５によれば、形態４の治具において、前記第２凸部は、前記弾性パッドの孔より大きい寸法まで大きくなる前記テーパ状である。形態４によれば、治具によって弾性パッドと真空吸着ステージとの間に隙間ができ、弾性パッドの接着面が真空吸着ステージの接着面に接触しない状態で、弾性パッドと真空吸着ステージとの位置合わせを行うことができる。
［形態６］形態６によれば、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置する設置方法が提案される。前記設置方法は、形態１から５の治具を用意するステップと、前記真空吸着ステージのステージ面に形成されている真空孔に前記治具の前記第１凸部を挿入するステップと、前記弾性パッドにおける前記真空孔に対応する孔に前記治具の前記第２凸部を挿入するステップと、を含む。形態６によれば、真空吸着ステージと弾性パッドとの位置合わせを行うことができ、真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを容易に設置することが可能となる。
［形態７］形態７によれば、形態６の設置方法において、前記弾性パッドの一方の面が接着面となっていると共に、当該接着面にはセパレートフィルムが取り付けられており、前記設置方法は、前記接着面における一部の領域であって前記治具の前記第２凸部が挿入された孔を含まない領域である第１領域から前記セパレートフィルムを取り外すステップと、前記接着面における前記第１領域の少なくとも一部を前記真空吸着ステージの前記ステージ面に接着させるステップと、を更に含む。形態７によれば、治具によって弾性パッドと真空吸着ステージとを位置合わせした状態で、弾性パッドの第１領域の少なくとも一部を真空吸着ステージに接着させることができる。
［形態８］形態８によれば、形態６又は７の設置方法において、前記弾性パッドを押圧して前記弾性パッドと前記真空吸着ステージとの間の空気を抜くステップを更に含む。形態８によれば、真空吸着ステージと弾性パッドとの間に空気が残ることを抑制できる。
［形態９］形態９によれば、形態６から８の設置方法において、少なくとも一方の面に前記弾性パッドよりも伸縮性が低い保護シートが取り付けられている前記弾性パッドを用意するステップを更に含む。形態９によれば、弾性パッドを設置するときに弾性パッドが伸縮してしまうことを抑制できる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組
み合わせ、または、省略が可能である。
み合わせ、または、省略が可能である。
４０…治具
４１…板状部
４２…下面
４３…第１凸部
４４…第３凸部
４５…上面
４６…第２凸部
４６ａ…先端部
４６ｂ…基部
４７…第４凸部
５０…第２の治具
３００…バフ処理装置
４００…バフステージ
４０２…ステージ面
４０４…第１開口部
４２４…溝
４２６…凹部
４５０…弾性パッド
４５２…支持面
４５４…孔
４５８…粘着層
４６０…セパレートフィルム
４７０…保護シート
４７４…溝
４７６…切り欠き
５００…バフヘッド
６００…バフアーム
７００…液供給系統
８００…コンディショニング部
４１…板状部
４２…下面
４３…第１凸部
４４…第３凸部
４５…上面
４６…第２凸部
４６ａ…先端部
４６ｂ…基部
４７…第４凸部
５０…第２の治具
３００…バフ処理装置
４００…バフステージ
４０２…ステージ面
４０４…第１開口部
４２４…溝
４２６…凹部
４５０…弾性パッド
４５２…支持面
４５４…孔
４５８…粘着層
４６０…セパレートフィルム
４７０…保護シート
４７４…溝
４７６…切り欠き
５００…バフヘッド
６００…バフアーム
７００…液供給系統
８００…コンディショニング部
Claims (9)
- 真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置するのに用いられる治具であって、
前記ステージ面には、真空源に接続可能に構成される真空孔が形成されており、
前記弾性パッドには、前記真空孔に対応した孔が形成されており、
前記治具は、
前記真空吸着ステージの前記真空孔に挿入可能な第１凸部と、
前記第１凸部が前記真空孔に挿入された状態で前記ステージ面に接触する支持部と、
前記支持部に対して前記第１凸部と反対側に突出し、前記弾性パッドの前記孔に挿入可能な第２凸部と、
を備える、治具。 - 前記真空吸着ステージの周縁部には、凹部が形成されており、
前記治具は、前記凹部に対応する第３凸部を更に備える、請求項１に記載の治具。 - 前記治具は、前記第１凸部および前記第２凸部を２つ以上有する、請求項１又は２に記載の治具。
- 前記第２凸部は、先端部から離れるほど大きくなるテーパ形状である、請求項１から３の何れか１項に記載の治具。
- 前記第２凸部は、前記弾性パッドの孔より大きい寸法まで大きくなる前記テーパ状である、請求項４に記載の治具。
- 真空吸着ステージのステージ面に弾性パッドを設置する設置方法であって、
請求項１から５の何れか１項に記載の治具を用意するステップと、
前記真空吸着ステージのステージ面に形成されている真空孔に前記治具の前記第１凸部を挿入するステップと、
前記弾性パッドにおける前記真空孔に対応する孔に前記治具の前記第２凸部を挿入するステップと、
を含む設置方法。 - 前記弾性パッドの一方の面が接着面となっていると共に、当該接着面にはセパレートフィルムが取り付けられており、
前記設置方法は、
前記接着面における一部の領域であって前記治具の前記第２凸部が挿入された孔を含まない領域である第１領域から前記セパレートフィルムを取り外すステップと、
前記接着面における前記第１領域の少なくとも一部を前記真空吸着ステージの前記ステージ面に接着させるステップと、
を更に含む請求項６に記載の設置方法。 - 前記弾性パッドを押圧して前記弾性パッドと前記真空吸着ステージとの間の空気を抜くステップを更に含む請求項６又は７に記載の設置方法。
- 少なくとも一方の面に前記弾性パッドよりも伸縮性が低い保護シートが取り付けられている前記弾性パッドを用意するステップを更に含む、請求項６から８の何れか１項に記載の設置方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018128355A JP7144218B2 (ja) | 2018-07-05 | 2018-07-05 | 治具、及び治具を用いた設置方法 |
| US16/454,719 US20200009702A1 (en) | 2018-07-05 | 2019-06-27 | Jig and installation method using same jig |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020009856A true JP2020009856A (ja) | 2020-01-16 |
| JP7144218B2 JP7144218B2 (ja) | 2022-09-29 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2018128355A Active JP7144218B2 (ja) | 2018-07-05 | 2018-07-05 | 治具、及び治具を用いた設置方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200009702A1 (ja) |
| JP (1) | JP7144218B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6979935B2 (ja) * | 2018-10-24 | 2021-12-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US11679468B2 (en) * | 2019-05-16 | 2023-06-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical-mechanical polishing system and method |
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-
2018
- 2018-07-05 JP JP2018128355A patent/JP7144218B2/ja active Active
-
2019
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| JP2016221668A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 株式会社荏原製作所 | 処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200009702A1 (en) | 2020-01-09 |
| JP7144218B2 (ja) | 2022-09-29 |
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