JP2020009835A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、基板処理装置1が、基板としてのウェハWにCOR処理、PHT処理、及びCST処理を行うための各種処理モジュールを備える場合について説明する。なお、本開示の基板処理装置のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
本実施形態にかかる基板処理装置1は以上のように構成されており、次に、基板処理装置1におけるウェハ処理について、ウェハWの搬送レシピに沿って説明する。図2は、第1の実施形態にかかるウェハWの搬送レシピを模式的に示した説明図である。なお、本実施形態においてウェハ処理は、フープ31に収容された1ロット(25枚)のウェハWに対して、連続的に2枚葉で処理を行う。ここで、図2におけるW1〜W25は、かかる1ロット(25枚)のウェハWに対して、ウェハ処理が行われる順番に1〜25の番号を付したものである。また、図2におけるWDは、2枚葉で行われるウェハ処理においてウェハW25と対になって処理されるダミーウェハである。また更に、図中の太枠線は、連続的に行われるウェハ処理の処理単位を囲んで示したものである。以下の説明においては、このウェハ処理の処理単位を処理グループといい、本実施形態ではウェハW1〜W25及びダミーウェハWDが1つの処理グループを構成している。
上記第1の実施形態においては、1ロット内の最後のウェハWのCOR処理が終了した際に、1ロット内の最初のウェハWの次の処理サイクルを開始するように制御した。一方で、図1に示すように基板処理装置1が、同一のウェハ処理を実行可能な減圧モジュール群を複数備えている場合、既に処理サイクルを実行している一の減圧モジュール群と、他の減圧モジュール群を並行稼働するように制御してもよい。例えば図2に示す第1の実施形態においては、減圧モジュール群Cはステップ53から、減圧モジュール群Bの動作の終了後に稼働するように制御されたが、当該ステップ53よりも前に減圧モジュール群Bと並行して稼働させることができる。
上記第1の実施形態及び第2の実施形態によれば、一の処理サイクルが完了したウェハWは、大気圧雰囲気下に設けられたフープ31おいて、他のウェハWの処理サイクルが終了し次の処理サイクルが開始されるまで待機状態となっていた。この点、ウェハWの表面の酸化を抑制するためには、当該ウェハWの表面が大気圧雰囲気に曝露される時間をできるだけ短くするのが好ましい。
(1)基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、前記基板処理装置は、基板にCOR処理を行うCORモジュールと、基板に加熱処理を行う加熱モジュールと、基板に冷却処理を行う冷却モジュールと、を有し、前記基板処理方法は、前記CORモジュールにおいて減圧雰囲気下で基板にCOR処理を行うCOR処理工程と、その後、前記加熱モジュールに基板を搬送し、当該加熱モジュールにおいて減圧雰囲気下で基板を加熱処理する加熱処理工程と、その後、前記冷却モジュールに基板を搬送し、当該冷却モジュールにおいて大気雰囲気下で基板を冷却処理する冷却処理工程と、を有し、前記COR処理工程、前記加熱処理工程及び前記冷却処理工程を含む処理サイクルを繰り返し行う、基板処理方法。
このように、一の基板に対して複数回の処理サイクルを繰り返し行うので、必要な基板の処理性能を適切、効率的に満たすことができる。
このように、複数の減圧モジュール群を含み、かかる減圧モジュール群を並行して稼働させることにより、基板処理を効率的に行い、スループットを向上させることができる。
このように、適切なグループ化を行うことにより、基板処理を効率的に行うことが可能になる。
かかるグルーピングを行うことにより、装置内における処理待ち基板の発生を抑制することができ、基板処理の効率を高めることができる。
かかるグルーピングを行うことにより、基板処理にかかる冷却処理を適切に行うことができ、基板処理の効率を高めることができる。
これにより、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
33 CSTモジュール(冷却モジュール)
41 CORモジュール
42 PHTモジュール(加熱モジュール)
W ウェハ
Claims (7)
- 基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
基板にCOR処理を行うCORモジュールと、
基板に加熱処理を行う加熱モジュールと、
基板に冷却処理を行う冷却モジュールと、を有し、
前記基板処理方法は、
前記CORモジュールにおいて減圧雰囲気下で基板にCOR処理を行うCOR処理工程と、
その後、前記加熱モジュールに基板を搬送し、当該加熱モジュールにおいて減圧雰囲気下で基板を加熱処理する加熱処理工程と、
その後、前記冷却モジュールに基板を搬送し、当該冷却モジュールにおいて大気雰囲気下で基板を冷却処理する冷却処理工程と、を有し、
同一の基板に対して前記COR処理工程、前記加熱処理工程及び前記冷却処理工程を含む処理サイクルを繰り返し行う、基板処理方法。 - 前記基板処理装置は、一の前記CORモジュールと一の前記加熱モジュールを含む減圧モジュール群を複数有し、
一の減圧モジュール群における処理と他の減圧モジュール群における処理とを並行して行う、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記処理サイクルは、所定枚数の基板で構成されたグループ毎に行われる、請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- 前記グループにおける基板の所定枚数は、前記処理サイクルの工程数と、前記CORモジュール又は前記加熱モジュールで処理される基板の枚数とに応じて決定される、請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記グループにおける基板の所定枚数は、1ロットに含まれる基板の枚数である、請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記処理サイクルは、前記COR処理工程の前に、基板を回転させて水平方向の向きを調節する位置調節工程を有し、
前記処理サイクル毎に、前記位置調節工程において基準位置からの基板の向きを所定角度変動させ、
前記所定角度は、360度を前記処理サイクルの繰り返し数で除して決定される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
減圧雰囲気下で基板にCOR処理を行うCORモジュールと、
減圧雰囲気下で基板に加熱処理を行う加熱モジュールと、
大気雰囲気下で基板に冷却処理を行う冷却モジュールと、
同一の基板に対して前記COR処理、前記加熱処理及び前記冷却処理を順に行う処理サイクルを繰り返し行うように、前記CORモジュール、前記加熱モジュール及び前記冷却モジュールを制御する制御部と、を有する、基板処理装置。
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