JP2020004957A - 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
また初期状態のバルブCv値が同じであっても装置環境の差でCv値が変動してしまい複数装置の膜厚や均一性のマッチングが問題になることがある。
前記補正レシピを実行する工程は、前記処理炉の排気側に設けられた処理炉内の圧力を調整する調整バルブを全開にした状態で、前記処理ガス供給ラインに一定時間不活性ガスを供給する工程と、前記調整バルブを全開にした状態で、前記処理ガス供給ラインに前記不活性ガスを供給しつつ前記供給バルブが設けられる供給菅内の圧力値を検出する工程と、検出された前記圧力値に基づいて前記供給バルブの特性値を算出する工程と、を少なくとも有する技術が提供される。
本実施形態の説明においては、第1ガス供給管47のうち、貯留部51よりも上流であって、原料ユニット71との間に設けられた配管を供給管47aとする。また、第1ガス供給管47のうち、貯留部51の下流側を供給管47bとする。
なお、図3は、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)ガスを供給するための供給管47aの要部を拡大した図である。DCSガスを供給するための供給管47aは、図3に示すように、DCSガスを貯めるタンクとしての貯留部51とその上流側及び下流側にバルブ52、82、84が有り、圧力計80が取り付けられている。貯留部51内のDCSガスを処理炉29内に流す時は、余計な配管があるとDCSガスがスムーズに流れないため、図3のように貯留部51上流に圧力センサ80が取り付けられている。これら圧力計80およびバルブ84の部品については後述する。
ステップ1では、ヒータ42を稼働させた状態で、DCSガスとキャリアガスを流す。まずバルブ55、バルブ67、バルブ81、バルブ82を開ける。DCSガスは供給管47aからMFC49により流量調整され、配管を介して貯留部51に供給される。DCSガスは貯留部51のタンクに貯留されると共に、図示しないヒータによって気化される。気化されたガス状のDCSガスは、バルブ52を開にしてバルブ81、バルブ82を閉にして供給管47bに供給される。供給管47bでは、第1キャリアガス供給管53から第2MFC54により流量調整されたキャリアガスが混合される。この混合ガスを第1ノズル56の第1ガス供給孔57から処理室2内に供給しつつガス排気管66から排気する。これによりウエハ31上にSiを含む膜が形成される。
ステップ2では、第1ガス供給管47のバルブ52及び第1キャリアガス供給管53のバルブ55を閉めて、DCSガスとキャリアガスの供給を止める。ガス排気管66のバルブ67は開いたままにし、真空ポンプ68により、処理炉29を20Pa以下に排気し、残留DCSガスを処理室2内から排除する。又、この時には不活性ガス、例えばキャリアガスとして使ったN2ガスを処理炉29に供給すると、更に残留DCSガスを排除する効果が高まる。
ステップ3では、NH3ガスとキャリアガスを流す。まず第2ガス供給管48に設けたバルブ59、第2キャリアガス供給管61に設けたバルブ63を共に開けて、第2ガス供給管48から第3MFC58により流量調整されたNH3ガスと、第2キャリアガス供給管61から第3MFC62により流量調整されたキャリアガスとを混合し、第2ノズル64の第2ガス供給孔65から処理室2内に供給しつつガス排気管66から排気する。NH3ガスの供給により、ウエハ31の下地膜上のSiを含む膜とNH3ガスとが反応して、ウエハ31上にSiN膜が形成される。
ステップ4では、膜を形成後、バルブ59及びバルブ63を閉じ、真空ポンプ68により処理室2内を真空排気し、成膜に寄与した後に残留するNH3ガスを排除する。又、この時には不活性ガス、例えばキャリアガスとして使ったN2ガスを処理室2内に供給すると、更に残留するNH3ガスを処理室2から排除する効果が高まる。
このとき、バルブ52の特性値としてのCv値(いわゆる容量係数)がDCSガスの噴き出し流量、速度に影響するため、結果的に膜厚に影響がある。
なお、上記第3ステップ、第4ステップ及び第6ステップは、処理室2を真空引きするために必要となるステップである。
図7は、バルブヒータの加熱領域を二点鎖線で示し、同一のバルブ52に対し、バルブヒータの温度センサによる温度測定位置TDを、(A)と(B)とで異なる位置としたことを示す図である。すなわち、図7(A)は、バルブヒータの温度センサによる温度測定位置TDがバルブ52から離れた位置であることを示し、図7(B)は、バルブ52の温度を直接測定したことを示す。そして、バルブ52の温度を直接測定した図7(B)においては、バルブ52の温度を、100℃と120℃の2種として、それぞれCv値を確認している。なお、図7(A)においては、バルブの温度を120℃に固定している。図6(A)の棒グラフが、図7(A)に対応し、図6(B)の2つの棒グラフが、図7(B)におけるバルブ52の2種の温度にそれぞれ対応している。
また、本実施の形態により、長期運用や外的要因によるCv値のズレに起因する製品ロットアウトを防止することが可能となる。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
さらに、本開示は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。また、本開示は、これらの装置が混在していてもよい。
31 ウエハ
32 ボート
41 コントローラ
47、48 ガス供給管
49、54、62、58 MFC
51 貯留部
52、55、59、63、67、81、82、84 バルブ
80 圧力計
このとき、バルブ52の特性値としてのCv値(いわゆる容量係数)がDCSガスの噴き出し流量、速度に影響するため、結果的に膜厚に影響がある。
Claims (14)
- 処理ガスを処理炉内に供給して基板を処理するプロセスレシピを実行する工程と、前記処理ガスを前記処理炉に供給する処理ガス供給ラインに設けられる供給バルブの特性値を確認する補正レシピを実行する工程とを有し、
前記補正レシピを実行する工程は、
前記処理炉の排気側に設けられた処理炉内の圧力を調整する調整バルブを全開にした状態で、前記処理ガス供給ラインに一定時間不活性ガスを供給する工程と、
前記調整バルブを全開にした状態で、前記処理ガス供給ラインに前記不活性ガスを供給しつつ前記供給バルブが設けられる供給菅内の圧力値を検出する工程と、
検出された前記圧力値に基づいて前記供給バルブの特性値を算出する工程と、
を少なくとも有する半導体装置の製造方法。 - 更に、反応ガスを前記処理炉内に供給する反応ガス供給ラインを前記処理ガス供給ラインとは別に設け、
前記調整バルブを全開にした状態で、前記処理ガス供給ラインと前記反応ガス供給ラインの各々に前記不活性ガスを供給するパージ工程と、を更に有し、
前記不活性ガスを供給する工程と、前記圧力値を検出する工程と、前記特性値を算出する工程では、前記反応ガス供給ラインに設けられ、前記反応ガスを供給するバルブを閉にするよう構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記補正レシピは、前記プロセスレシピを1回または複数回実行する毎に実施するよう構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正レシピは、ボートロード工程と、パージ工程と、ボートアンロード工程とを少なくとも含み、
前記パージ工程は、前記プロセスレシピを実行する工程と同じ条件を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記パージ工程は、前記プロセスレシピを実行する工程の圧力、温度及び処理時間よりなる群から選択される少なくとも一つと同じである請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正レシピは、前記供給バルブの交換後に実行されるように構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正レシピは、前記プロセスレシピの処理条件が変更された後に実行されるように構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正レシピは、前記供給バルブを加熱する加熱部材の保守作業後に実行されるように構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正レシピは、前記供給バルブに設けられる加熱部材により、前記不活性ガスを加熱する工程を有するように構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記不活性ガスを加熱する工程は、前記特性値を算出する工程と並行して実行されるように構成されている請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記不活性ガスを加熱する工程では、過去に前記供給バルブの特性値を算出したときの前記供給バルブの温度に維持するように構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 処理炉の排気側に設けられた処理炉内の圧力を調整する調整バルブを全開にした状態で、処理ガスを前記処理炉に供給する供給バルブが設けられる処理ガス供給ラインに一定時間不活性ガスを供給する工程と、
前記調整バルブを全開にした状態で前記処理ガス供給ラインに前記不活性ガスを供給しつつ前記供給バルブが設けられる供給菅内の圧力値を検出する工程と、
検出された前記圧力値に基づいて前記供給バルブの特性値を算出する工程と、
を有する部品の管理方法。 - 処理ガスを処理炉に供給する供給バルブの特性値を算出する補正レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置において、
前記制御部は、
前記処理炉の排気側に設けられた前記処理炉内の圧力を調整する調整バルブを全開にした状態で、前記供給バルブが設けられる処理ガス供給ラインに一定時間不活性ガスを供給する手順と、
前記調整バルブを全開にした状態で前記不活性ガスを供給しつつ前記処理ガス供給ラインに設けられた前記供給バルブが設けられる供給菅内の圧力値を検出する手順と、
検出された前記圧力値に基づいて前記供給バルブの特性値を算出する手順と、
を有する前記補正レシピを実行するように構成されている基板処理装置。 - 処理ガスを処理炉に供給する供給バルブの特性値を確認する補正レシピを実行させる手順を有し、
該補正レシピを実行させる手順は、
前記処理炉の排気側に設けられた処理炉内の圧力を調整する調整バルブを全開にした状態で、前記供給バルブが設けられる処理ガス供給ラインに一定時間不活性ガスを供給する手順と、
前記調整バルブを全開にした状態で前記処理ガス供給ラインに前記不活性ガスを供給しつつ前記供給バルブが設けられる供給菅内の圧力値を検出する手順と、
検出された前記圧力値に基づいて前記供給バルブの特性値を算出する手順と、
をコンピュータに実行させる基板処理プログラム。
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