JP2020002432A - 金属の充填状態を管理する方法、金属粉体の製造方法、および金属粉体の製造装置 - Google Patents
金属の充填状態を管理する方法、金属粉体の製造方法、および金属粉体の製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1に製造装置100の構成の概要を示す。製造装置100は主な構成として、金属塩化物生成装置110と還元装置150を備える。金属塩化物生成装置110と還元装置150はそれぞれ塩化炉112と還元炉152を有する。図示しないが、製造装置100はさらに、還元炉152に接続される分離装置や、還元炉152または分離装置に接続されるバグフィルターなどの回収装置を備えてもよい。塩化炉112と還元炉152は第1の輸送管120によって連結され、還元炉152と分離装置またはバグフィルターは第2の輸送管156によって連結される。
金属塩化物生成装置110の断面模式図を図2に示す。金属塩化物生成装置110は主な構成として、塩化炉112、塩化炉112を加熱するためのヒータ114、塩化炉112に塩素を導入するためのガス導入管(第1のガス導入管)122、ガス状の塩化物を第1の輸送管120を介して還元装置150へ輸送するためのキャリアガスとして用いられる不活性ガスを塩化炉112へ導入するためのガス導入管(第2のガス導入管)126を有する。塩化炉112にはさらに、原料金属を投入するための開口116が設けられる。第1のガス導入管122と第2のガス導入管126にはそれぞれバルブ124、128が設けられ、このバルブ124、128を用いることで塩素や不活性ガスの供給量が調整される。
以下に述べるように、第1のセンサ140と第2のセンサ144を用いることで、充填状態を把握、管理することが可能となる。
以下、上述した原料金属102の充填構造を管理する方法を適用した、金属粉体の製造方法を説明する。
Claims (7)
- 炉内の原料金属の重量を測定すること、および
前記炉内で前記原料金属が形成する層の減厚方向における厚さを算出することを含む、原料金属の充填状態を管理する方法。 - 前記厚さの前記算出は、第1のセンサを用い、前記層の前記減厚方向における端面と前記第1のセンサの間の距離を測定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記炉内で塩素と前記原料金属を接触させて前記原料金属に含まれる金属の塩化を行うこと、および
以下の二つの関係の少なくとも一方を満足する場合に、前記原料金属を前記炉に追加すること、塩素の供給速度を低下させること、前記塩化を停止することの少なくとも一つの操作を行うことをさらに含み、
dは前記重量を前記厚さで除して得られる前記層の前記炉内におけるかさ密度であり、
D0は前記塩化の開始時における前記かさ密度であり、
aは0.05から0.3の範囲から選択される定数である、請求項1に記載の方法。 - 炉内の原料金属の重量を測定すること、
前記炉内で前記原料金属が形成する層の減厚方向における厚さを算出すること、
前記炉内で塩素と前記原料金属を接触させて前記原料金属に含まれる金属の塩化により塩化物を生成すること、および
前記塩化物のガスを還元して金属粉体を生成することを含む、金属粉体を製造する方法。 - 前記厚さの前記算出は、第1のセンサを用い、前記層の前記減厚方向における端面と前記第1のセンサの間の距離を測定することを含む、請求項4に記載の方法。
- 以下の二つの関係の少なくとも一方を満足する場合に、前記原料金属を前記炉に追加すること、塩素の供給速度を低下させること、前記塩化を停止することの少なくとも一つの操作を行うことをさらに含み、
dは前記重量を前記厚さで除して得られる前記層の前記炉内におけるかさ密度であり、
D0は前記塩化の開始時における前記かさ密度であり、
aは0.05から0.3の範囲から選択される定数である、請求項4に記載の方法。 - 内部に原料金属が充填されるように構成される炉、
前記炉内の原料金属の厚さを測定する第1のセンサ、
前記炉内の前記原料金属の重量を測定する第2のセンサを有し、
前記第1のセンサは、前記炉内で前記原料金属が形成する層の減厚方向における端面と前記第1のセンサ間の距離を測定するセンサである、金属粉体を製造するための装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020189518A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | デンカ株式会社 | 硫黄変性クロロプレンゴム及びその製造方法、硫黄変性クロロプレンゴム組成物、加硫物、並びに、成形品 |
WO2020230746A1 (ja) * | 2019-05-13 | 2020-11-19 | デンカ株式会社 | 硫黄変性クロロプレンゴム及びその製造方法、硫黄変性クロロプレンゴム組成物、加硫物、並びに、成形品 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07260364A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 金属溶解加熱装置及び方法 |
JP2000335905A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Toho Titanium Co Ltd | 金属の塩化装置および金属塩化物製造方法 |
JP2000351621A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Toho Titanium Co Ltd | 金属塩化物ガスの製造方法およびその製造装置 |
JP2001172023A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-26 | Toho Titanium Co Ltd | 無水塩化ニッケルの製造方法 |
JP2004027242A (ja) * | 2002-05-29 | 2004-01-29 | Toho Titanium Co Ltd | 金属粉末の製造方法及び製造装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07260364A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 金属溶解加熱装置及び方法 |
JP2000335905A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Toho Titanium Co Ltd | 金属の塩化装置および金属塩化物製造方法 |
JP2000351621A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Toho Titanium Co Ltd | 金属塩化物ガスの製造方法およびその製造装置 |
JP2001172023A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-26 | Toho Titanium Co Ltd | 無水塩化ニッケルの製造方法 |
JP2004027242A (ja) * | 2002-05-29 | 2004-01-29 | Toho Titanium Co Ltd | 金属粉末の製造方法及び製造装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020189518A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | デンカ株式会社 | 硫黄変性クロロプレンゴム及びその製造方法、硫黄変性クロロプレンゴム組成物、加硫物、並びに、成形品 |
WO2020230746A1 (ja) * | 2019-05-13 | 2020-11-19 | デンカ株式会社 | 硫黄変性クロロプレンゴム及びその製造方法、硫黄変性クロロプレンゴム組成物、加硫物、並びに、成形品 |
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