JP2019535909A - 伝導性高分子構造体の外部にコーティングされた金属薄膜層を含む耐酸化性ハイブリッド構造体及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

本願は、伝導性高分子構造体の外部にコーティングされた金属層(薄膜層)を含む耐酸化性及び耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体に関し、伝導性高分子構造体、金属塩前駆体、還元剤、及び分散溶媒を含有する溶液を用いて金属塩前駆体を還元させることで無電解めっき法により伝導性高分子構造体の表面に金属をコーティングすることによって、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含むハイブリッド構造体を収得する製造方法を含む。【選択図】図8

Description

本願は、伝導性高分子構造体の外部にコーティングされた金属層(薄膜層)を含む耐酸化性及び/又は耐腐食性ハイブリッド構造体、及び前記ハイブリッド構造体の製造方法に関する。
近年、電子情報化時代に入り、導電性インク、3Dプリント、バイオメディカルインプラント(biomedical implant)、透明電極、燃料電池、及びMEMS分野などにおいて小型化、軽量化、ウェアラブル化などを達成できる素材として、化学的な安定性がさらに裏付けられるナノ金属素材が浮び上がってきている。一般的に、電気が通る伝導性高分子及びICPは、一般の有機溶媒に溶解され難く、熱的にも溶融されない共役二重結合を主鎖として有する高分子である。前記高分子は、開発初期から導電性の他にも金属の腐食を抑制する役割として電気化学的特性が注目されてきた。特に、ポリアニリンは、金属に比べて軽く安価で、空気中で安定するので大きく注目されており、伝導性高分子の中でも腐食防止機能を最も効果的に表すものとして知られている。前記伝導性高分子は、高分子で被膜を形成して金属の腐食を抑制する単なるバリア(barrier)効果の他に、金属と高分子との間で電荷移動が伴われ、陽極保護(anodic protection)が起こると知られている。金属は酸化し、伝導性高分子は還元しながら腐食電位が移動して、陽極保護が行われることになる。しかし、現在まで報告されている研究結果は、金属表面を伝導性高分子でコーティングすることにより酸素との物理的接触を遮断し、それと同時に電気化学的メカニズムによって腐食を抑制する方式を採用してきた。前記方式に従う場合、腐食防止には有効であるが、金属上に高分子がコーティングされることで金属の特性である熱及び電気伝導度が低くなり、焼結の際に前記高分子層を除去するために加工温度が高くなるという短所がある。
例えば、最近公開されたPCT/KR2012/009189、US2015/0344715では、銅粒子を高分子でコーティングし、耐酸化性銅粒子を用いてインクを製造することによって、空気中に3ヶ月以上安全に保管することができるという内容を開示しているが、腐食防止効果が大きくないという点、耐酸化性を高めるために多くの高分子を使用しなければならないので、焼結の際にそれを除去するための高温工程が必須という点、及びインクなどを製造する際に導電性が低下するといった問題が生じることになる。
また、US2012/0153239A1は、金属でコーティングされた導電性フィラーを開発したが、伝導性高分子ではなく多孔性無機粒子を対象にコーティングするので、表面にコーティングされた金属の酸化が問題となる。
その他の殆どの従来技術は、金属−伝導性高分子のような典型的な複合材料を製造するものである。中国特許(CN101745646B)は、アニリン金属塩とアニリンを共に溶かした溶液においてアニリン重合反応を施し、金属−ポリアニリンのナノシルバーソル(nano silver sol)を作る方法を公開している。これらの発明は、多くの金属粒子又はレイヤーが単に混ざっているか、層をなしており、その断面を見ると内外の区分がつかずに金属と伝導性高分子とが接触しているだけであり、本発明のように金属が伝導性高分子粒子を覆うことで金属層が空気中に露出し、単独粒子として製造される場合とは本質的に異なる。
A.Yabuki(synth.met.46巻pp:2323−2327、2011)によると、銅ナノ粒子は、150℃でも酸化(CuO)が始まり、300℃では瞬時に酸化が起こり、酸化銅(CuO)に切り換えられる。銅のようにバルク上ではある程度耐食性を有するものの、ナノサイズになると金属が腐食し易い特性を表すため、ナノサイズの金属は使用が難しい。
また、殆どのナノサイズ金属は、大きさと共に融点が下がり、加工温度がプラスチック加工温度のレベルまで低くなるため、その用途が多様に形成され得るものの、上記に言及した腐食の問題が伴われ、特に焼結時の高温酸化が致命的に伴われるので、深刻な問題を抱いている。また、分散製造の際に安定剤を使用して粒子表面を安定化する必要があり、この場合は表面にコーティングされた高分子のため焼結温度が高くなり、用途が制限されてしまうという問題点がある。本発明は、ナノ素材のこのような諸問題を解決する技術を提供する。
本願は、伝導性高分子構造体にコーティングされた金属層(薄膜)を含む耐酸化性及び/又は耐腐食性ハイブリッド構造体、及び前記ハイブリッド構造体の製造方法に関する。
具体的に、本発明の金属薄膜が表面にコーティングされた伝導性高分子構造体[以下、『MC−ICP』(metal−coated inherently conducting polymer particle)ともいう]は、縦横比が異なる構造体、例えば球形、針状、あるいは繊維型の伝導性高分子の表面に銅のような金属膜を覆わせたものであり、腐食や酸化に脆弱な金属の耐食性、耐酸化性を向上させるように製造したものである。従って、構造体形態の大きさには全く制限がなく、球形の粒子又は繊維の場合、その直径は数ナノメートル〜数百マイクロメートルあるいはそれ以上も可能であり、前記繊維の縦横比にも制限がない。
本願は、金属表面を保護するために前記金属表面に伝導性高分子をコーティングする従来の方式ではなく、金属を表面層にして外部にコーティングし、粒子の形態を決定する内部の高分子は伝導性高分子を用いたものである。このとき、前記金属の外部とは、表面にコーティングされた金属層が空気又は水などのような外部の周囲環境に露出しているという意味である。従って、伝導性高分子が金属表面の内部にコーティングされている形態のハイブリッド粒子も前記金属の腐食抑制効果を達成できるということを記述しようとする。
しかし、本発明が解決しようとする課題は、上記に言及した課題に限定されるものではなく、言及されていない他の課題は、以下の記載から当業者にとって明確に理解できるはずである。
本願の第1の側面は、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体を提供する。
本願の第2の側面は、本願の第1の側面に係る前記ハイブリッド構造体を含む導電性インク充填剤、電磁波遮蔽材、燃料電池分離膜、電極、あるいはフレキシブル電極などを提供する。
本願の第3の側面は、下記を含む、本願の第1の側面に係る前記ハイブリッド構造体の製造方法を提供する:
(a)伝導性高分子構造体を形成し、
(b)前記伝導性高分子構造体、金属塩前駆体、還元剤、及び分散溶媒を含有する溶液を用いて前記金属塩前駆体を還元させることで無電解めっき法により前記伝導性高分子構造体の表面に金属をコーティングすることによって、前記伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含むハイブリッド構造体を収得する。
本願の具現例により、前記ハイブリッド構造体は、伝導性高分子に金属をナノサイズ(厚さ)のフィルムとしてコーティングしても、高温での前記金属の腐食、酸化などが抑制される。また、比較的低温での前記高分子及び金属間の熱融着が可能で、前記ハイブリッド構造体を製造することが容易である。前記伝導性高分子は、軽くて有機溶媒に溶け難く、熱安定性が高くて前記金属コーティング過程中に形態を維持できるため、熱又は電気伝導性フィラーとしての機能を有し得る。前記ハイブリッド構造体は、密度が高いものではなく、金属層のコーティング程度に応じて前記伝導性高分子の表面作用基が露出しており、分散が容易であるので、導電性インク又はプラスチック複合材などを製造する際に有利である。また、前記ハイブリッド構造体は、金属層により導電性が与えられ、伝導性高分子コア(core)によって近赤外線電磁波を吸収することができるので、電磁波遮蔽効果も有し得る。
本願の具現例により、前記ハイブリッド構造体は、金属層又は薄膜が表面にコーティングされた伝導性高分子構造体又は粒子は、縦横比が異なる構造体、例えば球形、針状、繊維型の伝導性高分子の表面に銅のような金属膜を覆わせたものであり、腐食に脆弱な金属の耐食性を向上させるように製造したものである。これらの粒子は、たとえ金属の表面層ではなく金属の内部にポリアニリンのような伝導性高分子があるとしても耐酸化性に優れた特性を表す。先ず様々な形状の伝導性高分子粒子を作り、これらの表面に真空蒸着、スパッタリング(sputtering)、並びに無電解めっき法などを用いて金属薄膜をコーティングすることができる。このように伝導性高分子粒子の表面に部分的又は全体的にコーティングされたナノサイズの金属薄膜は、腐食に脆弱な銅のような金属も厚さ(1nm〜100nm)に関係なく空気中で安定し、電子製品の軽量化と小型化を達成することができる。これらは伝導性インクやACF(anisotropic conductive films)、燃料電池分離膜などに使われ、300℃以下の低温でも融着が可能で、RFID、ディスプレイなど有機系電子製品の電極又はフレキシブル電極、並びに電磁波遮蔽材としても使用されることができる。
本願の一具現例により、前記伝導性高分子は、表面作用基が前記金属フィルムをコーティングするにおいて種(seed)として働き、前記金属粒子が前記伝導性高分子の表面に万遍なくコーティングされることができる。
本願の一実施例において、合成されたEB(Emeraldine Base)のUV−vis−NIRスペクトルである。 本願の一実施例において、合成されたEBのFT−IRスペクトルである。 本願の一実施例において、棒状のES(Emeraldine Salt)構造のFE−SEM写真である。 本願の一実施例において、ES状溶液のUVスペクトルである。 本願の一実施例において、球形のES構造のFE−SEM写真である。 本願の一実施例において、製造されたEB−Cuハイブリッド粒子のTEM写真である。 本願の一実施例において、製造されたEB−CuのX−ray回折図である。 本願の一実施例において、製造されたEB−Cuハイブリッド粒子のTGAグラフである。 本願の一実施例において、製造されたESでコーティングされたCu粒子のX−ray回折図である。 本願の一実施例において、製造されたEB−Cuの焼結後の試験片の写真である。 本願の一実施例において、製造されたEB−Cuの焼結後の試験片のFE−SEM写真である。
以下では、添付した図面を参照しながら、本願の属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように本願の実施例を詳しく説明する。ところが、本願は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施例に限定されるものではない。そして、図面において、本願を明確に説明するために、説明とは関係ない部分は省略しており、明細書全体に亘って類似した部分に対しては類似した図面符号を付けている。
本願の明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているという場合、これは「直接的に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで「電気的に連結」されている場合も含む。
本願の明細書全体において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているという場合、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけでなく、両部材の間にまた他の部材が存在する場合も含む。
本願の明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」といる場合、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。本願の明細書全体において使用される程度の用語「約」、「実質的に」などは、言及された意味に固有の製造及び物質許容誤差が提示される場合、その数値で、又はその数値に近接した意味として使用され、本願の理解を助けるために、適確であるか絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に用いることを防止するために使用される。本願の明細書全体において使用される程度の用語「〜(する)ステップ」又は「〜のステップ」は、「〜のためのステップ」を意味していない。
本願の明細書全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ」という用語は、マーカッシュ形式の表現に記載された構成要素からなる群より選択される1つ以上の混合又は組み合わせを意味し、前記構成要素からなる群より選択される1つ以上を含むことを意味する。
本願の第1の側面は、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体を提供する。
本願の一具現例において、前記ハイブリッド構造体は、様々な大きさと形状を有する伝導性高分子構造体又は粒子の表面に金属をコーティングすることによって、表面層の金属薄膜が100℃以上又は150℃以上の高温でも酸化が抑制され、200℃又は300℃以下の低温で融着(necking)、焼結(sintering)が可能に製造されるハイブリッド構造体又は粒子である。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層が表面にコーティングされた伝導性高分子構造体[以下、『MC−ICP』(metal−coated inherently conducting polymer particle)ともいう]は、縦横比が異なる構造体、例えば球形、針状、繊維型の伝導性高分子の表面に銅のような金属膜を覆わせたものであり、腐食や酸化に脆弱な金属の耐食性、耐酸化性を向上させるように製造したものである。従って、構造体形態の大きさには全く制限がない。例えば、構造体の特徴的な大きさとして、球形の粒子又は繊維の場合、その直径は数nmから数百マイクロメートル以上も可能であり、繊維の縦横比にも制限がない。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子は、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリアセチレン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む。例えば、前記伝導性高分子は、特定の酸化状態に限定されるものではなく、ドーピングされたり、ドーピングされない状態を何れも含む。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子は、ポリアニリンを含み、例えば、ポリアニリンエメラルジン塩基(Emeraldine Base、EB)、エメラルジン塩(Emeraldine Salts、ES)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む。例えば、前記伝導性高分子は、ドーピング状態によってポリアニリンエメラルジン塩基(EB)又は様々な酸を用いてドーピングされたポリアニリンエメラルジン塩(ES)、あるいはこれらを全て含むが、これに限定されるものではない。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子構造体は、縦横比が約1〜約1,000である構造を有する。例えば、前記伝導性高分子構造体は、縦横比が約1〜約1,000、約10〜約1,000、約50〜約1,000、約100〜約1,000、約200〜約1,000、約300〜約1,000、約400〜約1,000、約500〜約1,000、約600〜約1,000、約700〜約1,000、約800〜約1,000、約900〜約1,000、約1〜約900、約1〜約800、約1〜約700、約1〜約600、約1〜約500、約1〜約400、約1〜約300、約1〜約200、約1〜約100、約1〜約50、あるいは約1〜約10である構造を有する。また、前記伝導性高分子構造体は、球形、楕円形、棒状、ナノロッド、ナノニードル、ナノ繊維(ファイバ)など全ての可能な形態を有し得る。
本願の一具現例において、前記金属は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、スズ、鉛、鉄、ステンレス鋼、金、銀、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含むが、これに限定されるものではない。例えば、前記金属は銅を主成分として含むが、これに限定されるものではない。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層の厚さは、約1nm〜約300nmであり得る。例えば、前記金属薄膜層の厚さは、約1nm〜約300nm、約10nm〜約300nm、約20nm〜約300nm、約40nm〜約300nm、約60nm〜約300nm、約80nm〜約300nm、約100nm〜約300nm、約120nm〜約300nm、約140nm〜約300nm、約160nm〜約300nm、約180nm〜約300nm、約200nm〜約300nm、約220nm〜約300nm、約240nm〜約300nm、約260nm〜約300nm、約280nm〜約300nm、約1nm〜約280nm、約1nm〜約260nm、約1nm〜約240nm、約1nm〜約220nm、約1nm〜約200nm、約1nm〜約180nm、約1nm〜約160nm、約1nm〜約140nm、約1nm〜約120nm、約1nm〜約100nm、約1nm〜約80nm、約1nm〜約60nm、約1nm〜約40nm、約1nm〜約20nm、あるいは約1nm〜約10nmである。また、前記ハイブリッド構造体の総個数を基準に70%以上が約1nm〜約300nmの厚さの前記金属層でコーティングされ得る。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層は、前記伝導性高分子構造体の表面の一部分又は全体にコーティングされたものである。例えば、前記ハイブリッド構造体の表面の約30%〜約100%が前記金属薄膜層でコーティングされる。例えば、前記ハイブリッド構造体の表面の約30%〜約100%、約35%〜約100%、約40%〜約100%、約45%〜約100%、約50%〜約100%、約55%〜約100%、約60%〜約100%、約65%〜約100%、約70%〜約100%、約75%〜約100%、約80%〜約100%、約85%〜約100%、約90%〜約100%、約95%〜約100%、約30%〜約95%、約30%〜約90%、約30%〜約85%、約30%〜約80%、約30%〜約75%、約30%〜約70%、約30%〜約65%、約30%〜約60%、約30%〜約55%、約30%〜約50%、約30%〜約45%、約30%〜約40%、あるいは約30%〜約35%が前記金属薄膜層でコーティングされる。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層は、100℃以上、150℃以上、200℃以上、250℃以上、あるいは300℃以上の高温でも耐酸化性及び/又は耐腐食性を有する。
本願の第2の側面は、本願の第1の側面に係る前記ハイブリッド構造体を含む導電性インク充填剤、電磁波遮蔽材、燃料電池分離膜、電極、あるいはフレキシブル電極、導電性プラスチック複合材用の導電性フィラーなどを提供する。
本願の第2の側面に係る導電性インク充填剤、電磁波遮蔽材、燃料電池分離膜、電極、あるいはフレキシブル電極、導電性プラスチック複合材用の導電性フィラーに関し、本願の第1の側面と重複する部分については詳細な説明を省略するが、その説明が省略されているとしても、本願の第1の側面に記載された内容は本願の第2の側面に同様に適用され得る。
本願の具現例において、前記燃料電池分離膜は、前記ハイブリッド構造体を導電性フィラーとしてプラスチック基材に添加することで形成された導電性プラスチック複合材であり、前記プラスチックは、燃料電池分野において分離膜の材料として使用されるプラスチックを特別な制限なしに使用することができる。
本願の具現例において、前記伝導性高分子粒子の表面に部分的又は全体的にコーティングされたナノサイズの金属薄膜は、腐食に脆弱な銅のような金属も厚さ(1nm〜100nm)に関係なく空気中で安定し、電子製品の軽量化と小型化を達成することができる。これらは金属の一般的な特性である高い熱及び電気伝導性とプラスチックの軽さを融合し、伝導性インクやACF(anisotropic conductive films)、燃料電池分離膜などに使用され、300℃以下の低温でも融着が可能で、RFID、ディスプレイなど有機系電子製品の電極又はフレキシブル電極、3Dプリント用熱電素材、放熱素材、各種導電性回路具現素材、並びに電磁波遮蔽材としても使用されることができる。
本願の第3の側面は、下記を含む、本願の第1の側面に係る前記ハイブリッド構造体の製造方法を提供する:
(a)伝導性高分子構造体を形成し、
(b)前記伝導性高分子構造体、金属塩前駆体、還元剤、及び分散溶媒を含有する溶液を用いて前記金属塩前駆体を還元させることで無電解めっき法により前記伝導性高分子構造体の表面に金属をコーティングすることによって、前記伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含むハイブリッド構造体を収得する。
本願の第3の側面に係るハイブリッド構造体の製造方法に関し、本願の第1の側面と重複する部分については詳細な説明を省略するが、その説明が省略されているとしても、本願の第1の側面に記載された内容は本願の第3の側面に同様に適用され得る。
本願の一具現例において、前記製造方法は、前記ステップ(b)の前に、前記伝導性高分子構造体を前処理することをさらに含み得る。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子構造体の前処理のために使用される物質は、ポリエチレングリコール(polyethylene glycol)、ポリアクリル酸ナトリウム(sodium polyacrylate)、ポリビニルピロリドン(polyvinylpyrrolidone)、ポリ(ビニルカプロラクタム)(poly(vinyl caprolactam))、ポリ(4−スチレンスルホン酸ナトリウム)(poly(sodium 4−styrenesulfonate))、SnCl、PdCl、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む。前記前処理物質は、前記ハイブリッド構造体の金属薄膜層のコーティング範囲を調整し、前記分散溶媒を安定するように維持させる。
本願の一具現例において、前記ステップ(b)で使用される還元剤は、弱い還元剤であって均一な金属薄膜層の形成を助ける、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオールを含む多価アルコール、アスコルビン酸、グリシン(glycine)、ジマル酸(di−malic acid)、酒石酸ナトリウム(sodium tartrate)、酢酸アンモニウム(ammonium acetate)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む。
本願の一具現例において、前記ステップ(b)で使用される還元剤は、強い還元剤であって前記伝導性高分子の脱ドーパント(dedoping agents)として用いられるアンモニア水、水酸化ナトリウム、ホスフィン酸ナトリウム(NaHPO)、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む。
本願の一具現例において、前記ステップ(b)において、超音波処理が間欠的に行われ得る。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子は、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリアセチレン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子は、ポリアニリンを含み、例えば、ポリアニリンエメラルジン塩基(Emeraldine Base、EB)、エメラルジン塩(Emeraldine Salts,ES)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む。例えば、前記伝導性高分子は、ドーピング状態によってポリアニリンエメラルジン塩基(EB)又はポリアニリンエメラルジン塩(ES)、あるいはこれらを全て含むが、これに限定されるものではない。本願の一具現例において、前記金属は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、スズ、鉛、鉄、ステンレス鋼、金、銀、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含む。例えば、前記金属は銅を主成分として含むが、これに限定されるものではない。
本願の一具現例において、前記金属塩前駆体は、銅、ニッケル、スズ、鉛、あるいは鉄の硫酸塩、塩化塩、硝酸塩、酢酸塩、シアン化塩、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む。
本願の一具現例において、前記金属塩前駆体として銅塩前駆体は、硫酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、硝酸銅、酢酸銅、炭酸銅、シアン化銅(II)、ヨウ化銅、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含み得る。
本願の一具現例において、前記伝導性高分子構造体は、縦横比が約1〜約1,000である構造を有する。例えば、前記伝導性高分子構造体の縦横比は、個別伝導性高分子粒子などの構造体を製造する際に使用される溶媒系、モノマーと重合開始剤の当量比などに応じて調整される。例えば、前記伝導性高分子構造体は、縦横比が約1〜約1,000、約10〜約1,000、約50〜約1,000、約100〜約1,000、約200〜約1,000、約300〜約1,000、約400〜約1,000、約500〜約1,000、約600〜約1,000、約700〜約1,000、約800〜約1,000、約900〜約1,000、約1〜約900、約1〜約800、約1〜約700、約1〜約600、約1〜約500、約1〜約400、約1〜約300、約1〜約200、約1〜約100、約1〜約50、あるいは約1〜約10である構造を有する。また、前記伝導性高分子構造体は、球形、楕円形、棒状、ナノロッド、ナノニードル、ナノ繊維(ファイバ)など全ての可能な形態を有し得る。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層の厚さは、約1nm〜約300nmである。例えば、前記金属薄膜層の厚さは、約1nm〜約300nm、約10nm〜約300nm、約20nm〜約300nm、約40nm〜約300nm、約60nm〜約300nm、約80nm〜約300nm、約100nm〜約300nm、約120nm〜約300nm、約140nm〜約300nm、約160nm〜約300nm、約180nm〜約300nm、約200nm〜約300nm、約220nm〜約300nm、約240nm〜約300nm、約260nm〜約300nm、約280nm〜約300nm、約1nm〜約280nm、約1nm〜約260nm、約1nm〜約240nm、約1nm〜約220nm、約1nm〜約200nm、約1nm〜約180nm、約1nm〜約160nm、約1nm〜約140nm、約1nm〜約120nm、約1nm〜約100nm、約1nm〜約80nm、約1nm〜約60nm、約1nm〜約40nm、約1nm〜約20nm、あるいは約1nm〜約10nmである。また、前記ハイブリッド構造体の総個数を基準に70%以上が約1nm〜約300nmの厚さの前記金属層でコーティングされ得る。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層は、前記伝導性高分子構造体の表面の一部分又は全体にコーティングされたものである。例えば、前記ハイブリッド構造体の表面の約30%〜約100%が前記金属薄膜層でコーティングされる。例えば、前記ハイブリッド構造体の表面の約30%〜約100%、約35%〜約100%、約40%〜約100%、約45%〜約100%、約50%〜約100%、約55%〜約100%、約60%〜約100%、約65%〜約100%、約70%〜約100%、約75%〜約100%、約80%〜約100%、約85%〜約100%、約90%〜約100%、約95%〜約100%、約30%〜約95%、約30%〜約90%、約30%〜約85%、約30%〜約80%、約30%〜約75%、約30%〜約70%、約30%〜約65%、約30%〜約60%、約30%〜約55%、約30%〜約50%、約30%〜約45%、約30%〜約40%、あるいは約30%〜約35%が前記金属薄膜層でコーティングされる。
本願の一具現例において、前記金属薄膜層は、100℃以上、150℃以上、200℃以上、250℃以上、あるいは300℃以上の高温でも耐酸化性及び/又は耐腐食性を有する。
本願の一具現例において、電気が通る伝導性高分子(ICP、Inherently Conducting Polymers)粒子は、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、PEDOT、ポリアセチレンなどが良く知られている。ここでは、最も安価で且つ大気中で安定しているポリアニリンを選び、その製造方法を開示するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本願の一具現例において、これらの伝導性高分子粒子は、高分子を重合した後、それを適切な溶媒に溶かして電界紡糸のような工程で製造しても良く、重合と同時に形態が決定するin−situ方法を選んで製造しても良い。ここでは、後者のin−situ方法を紹介するが、これに限定されるものではない。
本願の一具現例において、先ず水−有機で構成される界面を作ってこれらの界面で重合を誘導し、粒子の形状、即ち縦横比は、水と有機層との相対的な体積比、開始剤と単位体との相対的な割合、媒質の酸性度(pH)、重合温度、反応時間などによって決定する。また、塩酸のような無機酸又はDBSAのような機能性有機酸を用いて様々な方法で重合が起こっても、全て酸性媒質で反応が進行されるためエメラルジン塩(ES、Emeraldine Salt)が得られ、それをアンモニア水などにより脱ドーピング(dedoping)することでエメラルジン塩基(EB、Emeraldine Base)に切り換える。本発明は、ESやEBなど特定の酸化状態の伝導性高分子に限定されるものではない。
このとき、重合反応器は、重合反応槽と重合反応誘導槽とにより構成し、アニリン単位体とその誘導体、並びにドーパントの類型に応じて1)機能性有機酸をドーパントとして使用する場合と、2)無機酸を使用する場合とに区分し、反応媒質と条件を選定する。これらの反応物と反応器の構成は本発明の効果を高めるためのものであり、これを詳しく記述すると下記の通りである。
有機酸をドーパントとして使用する場合
クロロホルム、トルエン、キシレン、核酸などの疎水性有機溶媒を重合反応槽に入れ、アニリンとその誘導体単位体とドーパントをこれらの溶媒に溶かし、反応誘導槽には開始剤とドーパントを含む新水性の酸性水溶液を入れることで反応媒質を構成する。滴下漏斗(dropping funnel)を用いて反応誘導槽の溶液を重合反応槽に滴下し、反応終了後、濾過洗浄して伝導性高分子を得る。
無機酸をドーパントとして使用する場合
重合反応槽には、有機溶媒にアニリンとその誘導体単位体を溶かした溶液とドーパントを溶かした酸性水溶液とを適当な割合で混合し、不均一相を作る。反応誘導槽には、開始剤とドーパントを含む水溶液で反応媒質を構成する。漏斗(dropping funnel)を用いて重合反応槽に反応誘導槽の溶液を滴下し、反応終了後、濾過洗浄して伝導性高分子を得る。反応槽に生成されたポリアニリン粒子の形態と大きさには、界面を構成する親水性層−疎水性層の相対的な体積比が影響を与える。先ず、球形(何れか1つの相の体積比が15%未満)、棒状(何れか1つの相の体積比が25%〜40%)、並びに板状(何れか1つの相の体積比が40%〜60%)を形成するように界面の形状を作り、これらの界面で重合反応が起こるようにする。このとき、単位体と開始剤との相対的なモル比とpH、撹拌速度とインペラの形状、並びに反応温度が粒子の縦横比に影響を与える。単位体の濃度比が高いほど、そしてpHが低いほど形態の調整が容易であり、撹拌速度を調整して二次成長(secondary growth)を阻むことが好ましい。
これらの伝導性高分子は、電気的方法や酸塩基反応によってドーピング及び脱ドーピングされ得る。特に、ポリアニリンは、かかる酸塩基反応を用いて伝導性を調整できるため、広く活用されている。ポリアニリンは、骨格に含まれた2つの窒素原子グループのpKa値が−NH −と−NH=それぞれ2.5と5.5であり、よって、pKa<2.5である強酸はこれらの2つのグループに陽性子を与えることができ、ドーピングが可能である。後者のイミン窒素原子(imine nitrogen atom)は、プロトン酸(protonic acid)水溶液によって全体的又は部分的に陽性子を添加することが可能であり、これによってドーピングレベル(doping level)を調整し、当量比が1:1になればエメラルジン塩(Emeraldine Salts、ES)が得られる。ESの電気伝導度は、ドーピング程度に応じて10−8S/cmから1S/cm〜1,000S/cmまで急激に増加する。
このとき、伝導性を与えるドーパントとして、プロトン(proton)酸は、塩酸(hydrochloric acid)、硫酸(sulfuric acid)、硝酸(nitric acid)、ホウフッ化水素酸(borohydrofluoric acid)、過塩素酸(perchloric acid)、アミド硫酸(amidosulfuric acid)、有機酸、ベンゼンスルホン酸(benzenesulfonic acid)、p−トルエンスルホン酸(p−toluenesulfonic acid)、m−ニトロベンゼン酸(m−nitrobenzoic acid)、トリクロロ酢酸(trichloroacetic acid)、酢酸(acetic acid)、プロピオン酸(propionic acid)、ヘキサンスルホン酸(hexanesulfonic acid)、オクタンスルホン酸(octanesulfonic acid)、4−ドデシルベンゼンスルホン酸(4−dodecylbenzenesulfonic acid)、10−カンファスルホン酸(10−camphorsulfonic acid)、エチルベンゼンスルホン酸(ethylbenzenesulfonic acid)、p−トルエンスルホン酸(p−toluenesulfonic acid)、o−アニシジン−5−スルホン酸(o−anisidine−5−sulfonic acid)、p−コロロベンゼンスルホン酸(p−chlorobenzenesulfonic acid)、ヒドロキシベンゼンスルホン酸(hydroxybenzenesulfonic acid)、卜リクロロベンゼンスルホン酸(trichlorobenzenesulfonic acid)、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンスルホン酸(2−hydroxy−4−methoxybenzophenonesulfonic acid)、4−ニトロトルエン−2−スルホン酸(4−nitrotoluene−2−sulfonic acid)、ジノニルナフタレンスルホン酸(dinonylnaphthalenesulfonic acid)、4−モルホリンエタンスルホン酸(4−morpholineethanesulfonic acid)、メタンスルホン酸(methanesulfonic acid)、エタンスルホン酸(ethanesulfonic acid)、トリフルオロメタンスルホン酸(trifluoromethanesulfonic acid)、C17−スルホン酸(C17−sulfonic acid)、3−ヒドロキシプロパンスルホン酸(3−hydroxypropanesulfonic acid)、ジオクチルスルホサクシネート(dioctylsulfosuccinate)、3−ピリジンスルホン酸(3−pyridinesulfonic acid)、p−ポリスチレンスルホン酸(p−polystyrenesulfonic acid)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるプロトン酸を含み得るが、これに限定されるものではない。
高分子酸として、ポリスチレンスルホン酸(polystyrenesulfonic acid)、ポリビニルスルホン酸(polyvinylsulfonic acid)、ポリビニル硫酸(polyvinylsulfuric acid)、ポリアミック酸(polyamic acid)、ポリアクリル酸(polyacrylic acid)、セルローススルホン酸(cellulose sulfonic acid)、ポリリン酸(polyphosphoric acid)などが用いられ得るが、これに限定されるものではない。かかる酸は、単独であるいは2つ以上の混合物としても用いられ得る。
伝導性高分子の表面に金属薄膜を全体的又は部分的にコーティングする方法は、スパッタリング(sputtering)を含む物理気相蒸着法、並びに電解及び無電解めっき法などを用いることができる。これらのうち上記したどの方法を選んでも前記金属薄膜層の厚さを適切な大きさに調整する必要があり得る。無電解めっき法には、常温で強い還元剤又は溶媒でありながら弱い還元剤などを用い、その表面に部分的又は全体的に金属薄膜を形成する化学的方法があり、ここでは化学的方法のみを記述するが、これに限定されるものではない。かかる化学的方法は、原子と分子のレベルで制御し易く、工程の規模化をなす大量生産に効果的である。
Kuriharaなど(Nanostructured Materials,vol.5,No6,pp607−613,1995及びUS5759230)によると、微細な金属粒子を弱い還元剤であるエチレングリコールのようなポリオールを使用し、140℃〜190℃において様々な基板に金属をコーティングできる無触媒化学的方法を報告した。かかる水熱合成と呼ばれるポリオール法は、アルコール基を2つ以上有する化合物を用い、金属イオンを還元させながら表面金属薄膜を形成する方法であり、溶媒兼弱い還元剤としてエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオールを含む多価アルコールが適合である。
前駆体である金属塩の種類に応じて、還元剤の他に造核剤、並びに表面濡れ性と接着性を向上させるために着火剤のような補助添加剤が用いられ得る。これらの添加剤は、焼結工程では妨害物となり、除去しなければならない。焼結温度が高くなるという短所があるためである。特に、1nm〜100nm範囲のナノサイズの金属粒子を製造するには、金属の凝集(agglomeration)を防ぎ、前駆体の溶解度を高めるために、界面活性剤のような立体安定化剤が用いられ得る。これらの安定化剤は、pHの変化にも敏感であるため、還元が進行される間、反応系のpH調整が必要である。本発明では、コロイド粒子の表面を安定化し、界面活性剤の役割をして表面の調整が可能なポリビニルピロリドン(PVP)を金属イオン対比0.05M〜10M(w/w)の濃度で用いることができる。このとき生成される粒子は50nm以下と微細であり、導電性微細パターン(conductive pattern)を具現するインクとして製造されても良く、ディスプレイベゼルの電極や高性能RFID、太陽電池などにも用いられ得る。
前記立体安定剤の他に、金属薄膜コーティングには、金属塩前駆体を還元して膜を覆わせる第3のステップにおいて、弱い還元剤であって均一な金属薄膜層の形成を助ける、アスコルビン酸、グリシン(glycine)、ジマル酸(di−malic acid)、酒石酸ナトリウム(sodium tartrate)、酢酸アンモニウム(ammonium acetate)を用いることができる。
本発明において、表面金属薄膜金属としては、銅が適合である。銅は、安価で電導度が高く、非常に有用であるが、ナノサイズと微細になるにつれて空気中で酸化され易いため、用途が極めて制限されており、本発明の効果を極大化することができる。銅前駆体として使用される金属塩は、硫酸銅、塩化第一銅、塩化第二銅、硝酸銅、酢酸銅、炭酸銅、シアン化銅(II)、ヨウ化銅、及びこれらの組み合わせから選択され得る。金属塩の濃度に応じて部分的又は全体的にコーティングされるため、金属塩の濃度は、粒子細孔表面積(particle pore surface)が比較的広い伝導性高分子は粒子対比0.01M〜1Mの濃度が適合であり、エチレングリコールの濃度は1M〜10Mの濃度であるが、時には金属塩の濃度をエチレングリコールの濃度の100倍まで上げることもできる。
本発明において、コーティングは二段階で進行される。先ず、金属前駆体を溶媒に溶かし、ここに伝導性高分子粒子を入れて超音波撹拌することで良くウェッティング(wetting)が起こるようにし、次の段階は、還元剤を投入して10分〜5時間反応させる。典型的な反応条件は以下の実施例で詳細に取り扱うこととする。比較的大きいマイクロメートルの大きさの粒子を製造し、プラスチック圧出・射出加工で複合材を生産するか、焼結により導電性を具現する方式で用い、ナノメートルの大きさの粒子を製造し、インクのような分散方式で用いることができ、用途に応じて添加する化合物の構成と組成を異なるように選択することができる。
以下、本願について実施例を用いてより具体的に説明するが、下記実施例は本願の理解を助けるための例示であるだけで、本願の内容が下記実施例に限定されるものではない。
[実施例]
実施例1:ポリアニリンEBとESの製造
1Lのダブルジャケット反応器に冷却循環器を設け、ここに1Mの塩酸溶液60mLを反応器に入れてアニリンモノマー0.025モル(4mL)を加えた後、10℃で1時間良くかき混ぜる。ここにクロロホルム300mLを添加し、分散させる。このとき、アニリンモノマー‐塩酸塩が界面活性剤の役割をし、安定した第1の溶液が製造される。第2の溶液は、1Mの塩酸溶液125mLに開始剤として過硫酸アンモニウム(ammonium persulfate、APS)5.7g(0.025モル)を溶かし、1時間かき混ぜる。これを第1の溶液に1時間滴下しながら300rpmでかき混ぜる。第2の溶液を全て入れてからさらに1時間反応を進行させた後、反応を終了し、2μmの濾紙で濾過する。生成されたES状のポリアニリン粒子を1Mの塩酸溶液で3回洗浄した後、メタノールと水で色が出なくなるまで洗浄し、これを1Mのアンモニア水150mL水溶液に24時間撹拌してEB状に切り換える。濾過して50℃の真空オーブンに24時間以上乾燥させることでアニリンポリマーEBを得る。
合成されたEBを1−N−メチル−2ピロリドン(1−N−methyl−2−pyrrolidinone、NMP)に溶かして2%溶液を製造した後、UV−vis−NIR分光分析を実施した。図1に示された2つの特徴的な吸収ピーク328nm及び635nmは、それぞれEBのπ−πと励起子遷移(exciton transition)に起因するものであり、EB構造を確認することができる。
図2は、合成されたEBの赤外分光分析のスペクトルである。吸収ピーク827cm−1、1150cm−1、1320cm−1、1501cm−1、及び1591cm−1はEBの特徴的なピークであり、芳香族C−H面内曲げ(aromatic C−H in−plane bending)(1,170cm−1〜1,000cm−1)とC−H面外曲げ(C−H out−of−plane bending)(830cm−1)ピーク並びに強い吸収を示す2つのピーク、1,501cm−1と1,592cm−1はC=C、C=N振動モードであって、それぞれベンゼノイドとキノイドの環を構成している。これらのピークの割合が略0.9と示され、塩基状態のエメラルジンEBが合成されたことが分かる。
実施例2:棒状のES/AMPSAの合成
実施例1と同じ手法で実施しながら、塩酸溶液60mLの代わりにAMPSA水溶液150mLを使用して重合する。反応初期段階で重合体の二次成長を抑制するために、控え目に反応速度を調整しながら界面重合を誘導する。合成された沈殿物を濾過し、数回にわたってメタノールと水で洗浄した後、濾過して直接ES粒子を得る。図3に示す走査型電子顕微鏡写真(SEM)を見ると、アスペクト比(aspect ratio)5〜10の棒状粒子が合成されたことが分かる。図4は、ES状の粒子をトリフルオロエタノール(trifluoroethanol)に溶かした後、分光分析を実施することで得たUv−visスペクトルである。ピーク420nm付近と近赤外線(near IR)領域での吸収は、それぞれポーラロン(polaron)ピークと自由キャリアテール(free−carrier tail)に起因したものと知られている。合成されたポリアニリンエメラルジン塩は、バンドギャップ(band gap)が4.0eVで、イオン化エネルギーは5.1eVと相対的に低く、酸によってドーピングされれば、電子が離脱して伝導帯へ移動しながら電気が通るようになる。図4において近赤外線分野の吸収度が波長によって増加し続けるのは、ドーピングが上手くできて電子の移動性が活発な微細構造が形成されたことを意味する。従って、本発明で製造したESは、腐食防止の効果も高いだけでなく、もしこれらの粒子の表面に金属膜が部分的にコーティングされれば、金属による電磁波の反射と共に電磁波の吸収も同時に起こり、効果的な電磁波の遮断も可能になる。
実施例3:ポリアニリン粒子形状の観察
エチレングリコール(ethylene glycol)溶媒にジルコニアボール(1mm、1kg)とEBパウダー10gを入れて24時間回転させる。ジルコニアボールをフィルタリングした後、遠心分離機を用いて7000rpmで10分間分離してから沈殿物を集め、50℃の真空オーブンに24時間以上乾燥させることでEBパウダーを得た。これをSEMで測定して粒子の形状と大きさを確認した。図5には、30nm〜70nmのサイズの球形ナノ粒子が示されている。
実施例4:EB及びES粒子の前処理
めっき前の伝導性高分子粒子の前処理が重要である。クロム酸、ポリエチレングリコール(polyethylene glycol)、SnCl、PdCl、グリシンのような着火剤(complexing agent)で前処理すれば、より均一で、且つ厚さの調整が容易なめっきが可能である。めっき反応前の超音波撹拌(100Wセッティングで40KHz〜60KHz)によって粒子の表面に金属塩溶液が万遍なく濡らされるように誘導し、内部の気孔に空気が残らないよう十分にかき混ぜる。分散媒質として蒸溜水を選んでポリエチレングリコール(PEG−1000)0.1g/mlを溶かし、ここにEB又はES粒子を入れて5分間超音波で洗浄し、撹拌しながら遠心分離により回収し、これを3回繰り返した後、伝導性高分子1g当たりにSnClを0.1g/100mlの濃度で3分間、そしてPdClを30分間前処理を実施する。
実施例5:金属膜コーティング、ポリオール法
実施例4で製造されたEB粒子0.50gをエチレングリコール(ethylene glycol)200gに投入した後、超音波を用いて1時間分散させる。金属塩として二酢酸銅(copper diacetate)5mmolをエチレングリコール(ethylene glycol)200gに10分間溶解させ、この溶液をエチレングリコール(ethylene glycol)に分散されたEB溶液に滴下した後、160℃で1時間撹拌する。反応終了後、2μmの濾紙でフィルタリングし、濾過物を50℃の真空オーブンに24時間以上乾燥して銅−PANI(copper−PANI)ハイブリッド複合体を得た。これらの粒子の透過型電子顕微鏡(TEM)形状(図6)とX−ray回折図を示す(図7)。大きさが500nm未満の銅でコーティングされた球形粒子がぶどうの房のように示されている。X−ray回折図からもこれらの複合ピークの存在を確認することができる。2シータ(two theta)の20度付近の無定形の広いピークはEB、そして43度付近の強いピークは銅原子の結晶面(111)反射を示す。
製造された粒子の表面銅薄膜の熱安定性を熱重量分析(TGA)で調べた。図8を見ると、伝導性高分子で処理していない銅ナノ粒子は、150℃から重さが増加し、300℃付近で再び増加して、少なくとも2段階で酸化が起こっていることが分かるが、本発明のハイブリッド粒子は300℃でも重さの増加が見られなかった。耐酸化性が300℃までも維持されているのである。
実施例6:強い還元剤法
強い還元剤は、アンモニア水、水酸化ナトリウム、ホスフィン酸ナトリウム(NaHPO)、水素化ホウ素ナトリウム(NaBH)、ヒドラジン(hydrazine(NO))、ブローム化カリウム(potassium bromide)、NaCl、及びこれらの組み合わせから選択する。これらの還元剤は、伝導性高分子粒子の脱ドーピングを誘発しながら水溶液における混和性(compatibility)を上げ、分散性を良好にすると同時に粒子の耐熱性を向上させる。先ず、実施例1で合成したES粒子0.30gをアンモニア水100mLと共にビーカに入れて良く濡らす。この溶液と硝酸銅(copper nitrate)0.56gを水100mLに溶かした溶液を反応器に入れて1時間撹拌した後、ここに水素化ホウ素ナトリウム0.91gをさらに入れて1時間撹拌する。反応溶液の色が暗褐色から黒に変化し、反応が終了すると、これを濾過して乾燥することでハイブリッド複合体を得る。
実施例7:比較実験
腐食防止のために、従来の方式として知られている伝導性高分子で金属粒子を覆う比較実験を実施した。ポリアニリンを溶解することのできる有機溶媒は、N−メチルピロリドン(NMP、N−methylpyrrolidone)、クロロホルム(cnloroform)、トリフルオロエタノール、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF、N,N−dimethylformamide)などを使用することができる。実施例2で合成された試料をトリフルオロエタノール(trifluoroethanol)溶媒に溶かし、直径20nmの銅粒子を入れて撹拌した後、これを遠心分離、濾過して乾燥した後、X−ray回折テストを実施した。図9に示すX−ray回折図を見ると、酸化されていない銅原子(2シータ、43.2度)よりも酸化された銅(CuO、36.4度と38度)のピークの方が遥かに強く示されている。重合過程においてin−situで又は伝導性高分子合成の後、溶液状態に製造してからナノサイズ金属粒子をコーティングすることで腐食を抑制する方法は有効ではないことが分かる。
実施例8:焼結実験
実施例5で製造された本発明のハイブリッド粒子は、300℃でも安定しているため、ホットプレス(hot press)を用いて300℃で1時間焼結を実施した。図10及び図11は、これらの試験片の形状及びFE−SEMを示している。銅色が見える焼結された部分の試験片の形状の写真は、表面層の銅が酸化されず純粋な銅として存在していることを示し、電子顕微鏡の写真を見ると、表面銅層の融着(necking)が起こり、金属粒子薄膜が互いに連結されて繋がっていることが分かる。
上述した本願の説明は例示のためのものであり、本願の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本願の技術的思想や必須の特徴を変更せずに他の具体的な形態に容易に変形可能であるということを理解できるはずである。それゆえ、上記した実施例は全ての面において例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。例えば、単一型で説明されている各構成要素は分散して実施されることもでき、同様に、分散したものと説明されている構成要素も結合された形態で実施されることができる。
本願の範囲は、上記詳細な説明よりは後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、並びにその均等概念から導出される全ての変更又は変形された形態が本願の範囲に含まれることと解釈されなければならない。

Claims (26)

  1. 伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるための、ハイブリッド構造体。
  2. 前記伝導性高分子は、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリアセチレン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  3. 前記伝導性高分子構造体は、縦横比が1〜1,000である構造を有する、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  4. 前記伝導性高分子は、ポリアニリンエメラルジン塩基(Emeraldine Base、EB)、エメラルジン塩(Emeraldine Salts、ES)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  5. 前記金属は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、スズ、鉛、鉄、ステンレス鋼、金、銀、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含む、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  6. 前記金属は、銅を含む、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  7. 前記金属薄膜層の厚さは、1nm〜300nmである、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  8. 前記金属薄膜層は、前記伝導性高分子構造体の表面の一部分又は全体にコーティングされたものである、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  9. 前記金属薄膜層は、100℃以上の高温でも耐酸化性を有する、請求項1に記載のハイブリッド構造体。
  10. 請求項1乃至9のいずれか一項による、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体を含む、導電性インク充填剤。
  11. 請求項1乃至9のいずれか一項による、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体を導電性フィラーとして含むプラスチック基材を含む、導電性プラスチック複合材。
  12. 請求項11による前記導電性プラスチック複合材を含む、燃料電池分離膜。
  13. 請求項1乃至9のいずれか一項による、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体を含む、電極。
  14. 請求項1乃至9のいずれか一項による、伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含み、金属の耐酸化性及び/又は耐腐食性を向上させるためのハイブリッド構造体を含む、電磁波遮蔽材。
  15. (a)伝導性高分子構造体を形成し、
    (b)前記伝導性高分子構造体、金属塩前駆体、還元剤、及び分散溶媒を含有する溶液を用いて前記金属塩前駆体を還元させることで無電解めっき法により前記伝導性高分子構造体の表面に金属をコーティングすることによって、前記伝導性高分子構造体の表面にコーティングされた金属薄膜層を含むハイブリッド構造体を収得することを含む、ハイブリッド構造体の製造方法。
  16. 前記ステップ(b)の前に、前記伝導性高分子構造体を前処理することをさらに含む、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  17. 前記伝導性高分子構造体の前処理のために使用される物質は、ポリエチレングリコール(polyethylene glycol)、ポリアクリル酸ナトリウム(sodium polyacrylate)、ポリビニルピロリドン(polyvinylpyrrolidone)、ポリ(ビニルカプロラクタム)(poly(vinyl caprolactam))、ポリ(4−スチレンスルホン酸ナトリウム)(poly(sodium 4−styrenesulfonate))、SnCl、PdCl、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む、請求項16に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  18. 前記ステップ(b)で使用される還元剤は、弱い還元剤であって均一な金属薄膜層の形成を助ける、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオールを含む多価アルコール、アスコルビン酸、グリシン(glycine)、ジマル酸(di−malic acid)、酒石酸ナトリウム(sodium tartrate)、酢酸アンモニウム(ammonium acetate)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  19. 前記ステップ(b)で使用される還元剤は、強い還元剤であって前記伝導性高分子の脱ドーパント(dedoping agents)として用いられるアンモニア水、水酸化ナトリウム、ホスフィン酸ナトリウム(NaHPO)、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  20. 前記ステップ(b)において、超音波処理が間欠的に行われる、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  21. 前記伝導性高分子は、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリアセチレン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される伝導性高分子を含む、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  22. 前記金属は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、スズ、鉛、鉄、ステンレス鋼、金、銀、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される金属を含む、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  23. 前記金属塩前駆体は、銅、ニッケル、スズ、鉛、あるいは鉄の硫酸塩、塩化塩、硝酸塩、酢酸塩、シアン化塩、ヨウ化銅、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを含む、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  24. 前記金属薄膜層の厚さは、1nm〜300nmである、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  25. 前記金属薄膜層は、前記伝導性高分子構造体の表面の一部分又は全体にコーティングされたものである、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
  26. 前記伝導性高分子構造体は、縦横比が1〜1,000である構造を有する、請求項15に記載のハイブリッド構造体の製造方法。
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