JP2019523718A - タッチセンサのための基板 - Google Patents

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Abstract

タッチセンサにおける使用に適した基板が説明される。いくつかの場合には、基板は、内部層と、第１及び第２のヒートセットされたポリマー外部層とを含む。第１及び第２の外部層は各々、０．１未満の面内複屈折性を有する。内部層は実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する。いくつかの場合には、基板は、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含む。第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有する。ブロックコポリマーは第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含む。基板は実質的に一軸複屈折性であり、０．００１〜０．１の面内複屈折性を有する。

Description

タッチセンサは通例、基板の表面上に配置された電極を含む。従来の基板は環状オレフィンポリマー（cyclic olefin polymer、ＣＯＰ）を含む。しかし、ＣＯＰは高価であり、加工が困難になり得る。
本説明のいくつかの態様では、第１及び第２の外部層と、第１及び第２の外部層の間に配置されており、これらと直接接触しているポリマー内部層とを含む基板が提供される。第１及び第２の外部層の各々は、ヒートセットされたポリマー層である。内部層は、第１の外部層のものとは異なり、かつ第２の外部層のものとは異なる組成を有する。第１及び第２の外部層は各々、０．１未満の面内複屈折性を有し、内部層は実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する。
本説明のいくつかの態様では、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含む基板が提供される。第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有する。ブロックコポリマーは第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含む。基板は実質的に一軸複屈折性であり、０．００１〜０．１の面内複屈折性を有する。
基板の概略断面図である。 別の基板の概略断面図である。 タッチセンサの概略断面図である。 ディスプレイの概略断面図である。 基板を製造するためのシステムの概略図である。
以下の説明では、本明細書の一部を構成し、様々な実施形態が実例として示される、添付図面が参照される。図面は、必ずしも一定の比率の縮尺ではない。本開示の範囲又は趣旨から逸脱することなく、他の実施形態が想定され、実施され得ることを理解されたい。したがって、以下の発明を実施するための形態は、限定的な意味で解釈されないものとする。
タッチセンサにおいて一般的に用いられる基板は環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）である。ＣＯＰは、多くの場合、その低い応力複屈折性などのその光学特性のゆえに選定される。しかし、ＣＯＰは高価であり、その低い破断伸度のゆえに加工が困難になり得る。本説明によれば、低い応力複屈折性を有し、押出し成形及び従来のウェブハンドリング技法を介して容易に加工され、タッチセンサ及びその他の適用物における使用に適した基板が開発された。いくつかの実施形態では、基板は、交差した偏光子の下で観察されたときに可視の応力複屈折を実質的に与えない、制御された均一な複屈折度を有する。いくつかの実施形態では、基板は、光学的に滑らかである外側主面を有し、そのため、電極を表面上に容易に配置することができる。いくつかの実施形態では、基板は、押出し成形若しくは共押出し成形、並びにそれに続く延伸及びヒートセットによって製造することができる。いくつかの実施形態では、基板は、ＣＯＰよりも大幅に安価であるポリエステルから製造される。いくつかの実施形態では、基板は、ＣＯＰ基板と比べて破断伸度の実質的な改善をもたらし、これは、従来のウェブ製造プロセスにおけるウェブ破断の低減をもたらすことができる。
図１は基板１００の概略断面図である。基板１００は、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含む。第１のポリエステルは、２００℃より高い、又は２２０℃より高い、又は２４０℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは、２００℃未満、又は１９０℃未満、又は１８０℃未満の融点を有する。ブロックコポリマーは、第２のポリエステルを、ブロックコポリマーの４０重量パーセント、又は５０重量パーセント、又は５５重量パーセント〜８０重量パーセント、又は〜重量７５パーセント、又は〜７０重量パーセント含む。例えば、ブロックコポリマーは、第２のポリエステルを、４０〜８０重量パーセント、又は５０〜８０重量パーセント、又は５５〜７５重量パーセント含み得る。いくつかの実施形態では、第１のポリエステルはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であり、第２のポリエステルはグリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）である。いくつかの実施形態では、第１のポリエステルはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）であり、いくつかの実施形態では、第２のポリエステルはグリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）である。ＰＥＮｇは、ＰＥＴｇと類似して、ＰＥＮのエチレングリコールサブユニットを、米国特許第８，２６３，７３１号（Ｌｉｕら）に記載されているとおりの複屈折低減ジオールサブユニット（例えば、枝状又は環状Ｃ４〜Ｃ１０アルキルジオールサブユニット）などの、代替のジオールサブユニットと置換することによって製造することができる。いくつかの実施形態では、ＰＥＮｇは、４０〜５０モルパーセントのナフタレートサブユニット、２５〜５０モルパーセントのエチレングリコールサブユニット、並びに１０〜２５モルパーセントの枝状若しくは環状Ｃ４〜Ｃ１０アルキルジオールサブユニットを含む。いくつかの実施形態では、第１のポリエステルは、テレフタレートに基づく第１のコポリエステルであり、いくつかの実施形態では、第２のポリエステルは、テレフタレートに基づく異なる第２のコポリエステルである。ブロックコポリマーは、少なくとも２０重量パーセント、又は少なくとも４０重量パーセント、又は少なくとも６０重量パーセントのＰＥＴを含み得る。
基板１００は実質的に一軸複屈折性であり、０．００１より大きい、若しくは０．００２より大きい、若しくは０．００５より大きい、並びに０．１未満の面内複屈折性を有する。面内複屈折性は、屈折率が最も高い第１の面内方向に沿って偏光した光に対する屈折率と、直交する第２の面内方向に沿って偏光した光に対する屈折率との差を指す。例えば、図１におけるｘ−ｙ−ｚ座標系を参照すると、基板がｘ軸に沿って配向された場合には、屈折率は、ｘ軸に沿って偏光した光については、他の面内方向に沿って偏光した光よりも高くなることになり、面内複屈折性はｎｘ−ｎｙである。ここで、ｎｘは、ｘ方向に沿って偏光した光に対する屈折率であり、ｎｙは、ｙ方向に沿って偏光した光に対する屈折率である。面外複屈折性は、第１及び第２の面内方向に沿った屈折率の平均と、面外方向に沿った屈折率との差を指す。図１の座標系を参照すると、面外複屈折性は、（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚによって与えられる。ここで、ｎｚはｚ方向に沿った屈折率である。いくつかの実施形態では、基板１００は、０．０１より大きい、若しくは０．０３より大きい、若しくは０．０５より大きい、並びに０．２未満、若しくは０．１５未満、若しくは０．１未満の面外複屈折性を有する。別途特記がない限り、屈折率は、６３３ｎｍの波長において測定された屈折率を指す。屈折率は、例えば、Ｍｅｔｒｉｃｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ，ＮＪ）から入手可能なＭｅｔｒｉｃｏｎ Ｍｏｄｅｌ ２０１０／Ｍプリズム結合器などのプリズム結合器を用いて測定することができる。多層積層体内の層についての屈折率値及び複屈折値は、単一の層に対する屈折率測定から決定することができる。ここで、単一の層は多層積層体内の層と同じ組成を有し、同じ配向度を有する（例えば、同じ延伸比を通じて延伸されている）。基板１００は、最も外側の第１主面１２５と、反対側の主面１２７とを有する。第１主面１２５は光学的に滑らかであり得る。即ち、存在する任意の表面粗さは、可視光の波長と比べて小さい（例えば、５５０ｎｍと比べて小さい）山谷間の高さを有し得る。いくつかの実施形態では、第１主面１２５は、１００ｎｍ未満、又は５０ｎｍ未満、又は２０ｎｍ未満、又は更に１０ｎｍ未満の表面粗さＲａを有し得る。Ｒａは、表面高さと平均表面位置との差の絶対値の算術平均を指す。Ｒａは、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ（ＡＳＭＥ）Ｂ４６．１−２００９試験基準に従って決定され得る。
当技術分野において知られているように、フィルムのロールの形成を支援するために、スリップコーティングをフィルムに適用することができる。任意選択的なスリップコーティング１２９がその基板１００の第２主面１２７上に配置されていてもよい。いくつかの実施形態では、基板１００のロールが提供される。
ブロックコポリマーは、化学的に異なるブロック又は配列が高分子鎖内で互いに結合しているポリマー材料を指す。ブロックコポリマーは線状ブロックコポリマー又は枝状ブロックコポリマーであることができる。線状ブロックコポリマーの例としては、ジブロック（（Ａ−Ｂ）構造）、トリブロック（（Ａ−Ｂ−Ａ）構造）、及びマルチブロック（−（Ａ−Ｂ）ｎ−構造）コポリマーが挙げられ、その一方で、枝状ブロックコポリマーの一例は星形ブロックコポリマー（（Ａ−Ｂ）ｎ−構造）である。ここで、「Ａ」は第１のポリエステルのブロックを指し（例えば、「Ａ」はＰＥＴブロックを指してもよい）、「Ｂ」は第２のポリエステルのブロックを指す（例えば、「Ｂ」はＰＥＴｇブロックを指してもよい）。星形ブロックコポリマーはまた、分枝が延びる中心点を有することから、放射状又は椰子の木形コポリマーとも呼ばれる。他の種類のブロックコポリマーとしては、くし形ポリマー構造及びその他の枝状コポリマーが挙げられる。ブロックコポリエステル構造は、例えば、ＬｉｕらによるＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｔ Ｂ−Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ ４１，２００３，２８９〜３０７に記載されているものなどの周知の技法を利用して決定することができる。
図２は、ポリマー内部層２０１と第１及び第２の外部層２２１及び２２２とを含む基板２００の概略断面図である。第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、ヒートセットされたポリマー層である。本明細書で使用するとき、「ヒートセットされたポリマー層」とは、層の融点を上回る温度でヒートセットされたことに関連付けられる物理特性を有するポリマー層である。例えば、ヒートセットされたポリマー層はアモルファスであり、層が自由表面を有するときには、表面は光学的に滑らかである。本説明では、用語「ヒートセット」は、多層積層体内の層のうちの少なくとも１つが、層の融点を上回る温度に加熱されるプロセス、又は、層が、第１及び第２のポリマーを含むブロックコポリマーを含む場合には、層が第１及び第２のポリマーのうちの少なくとも一方の融点より高く加熱されるプロセスに、より広義に適用され得る。伝統的なヒートセットプロセスでは、層は通例、層の融点より高く加熱されず、得られる層は通例、アモルファスでなく、通例、光学的に滑らかな表面を有しないことになり、本説明によれば、「ヒートセットされたポリマー層」として特徴付けられはしないであろう。ポリマー内部層２０１は、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の間に、これらと直接接触して配置されている。内部層は、第１の外部層２２１のものとは異なり、かつ第２の外部層２２２のものとは異なる組成を有する。第１及び第２の外部層２２１及び２２２は各々、０．１未満の面内複屈折性を有する。内部層２０１は実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、基板１００に対応し得る内部層２０１は、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含む。第１のポリエステルは、２００℃より高い、又は２２０℃より高い、又は２４０℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは、２００℃未満、又は１９０℃未満、又は１８０℃未満の融点を有する。ブロックコポリマーは、第２のポリエステルを、４０重量パーセント、又は５０重量パーセント、又は５５重量パーセント〜８０重量パーセント、又は〜重量７５パーセント、又は〜７０重量パーセント含む。例えば、ブロックコポリマーは、第２のポリエステルを、４０〜８０重量パーセント、又は５０〜８０重量パーセント、又は５５〜７５重量パーセント含み得る。いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層は、第２のポリエステルと同じであるか、又は異なり得る、第３のポリエステルを含む。第３のポリエステルは、２００℃未満、又は１９０℃未満、又は１８０℃未満の融点を有する。いくつかの実施形態では、第１のポリエステルはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であり、第２のポリエステルはグリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）である。いくつかの実施形態では、第１のポリエステルはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）であり、第２のポリエステルはグリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）である。第１及び第２のポリエステルとしての使用に適した他の好適な材料としては、基板１００のための第１及び第２のポリエステルにそれぞれ適するものとして特定された材料が挙げられる。いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、グリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）、グリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）、又は第２のポリエステルとしての使用に適した他の材料のうちの１つを含む。いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、２００℃未満、又は１９０℃未満、又は１８０℃未満の融点を有するポリエステルを含む。
いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、０．０５未満、又は０．０３未満、又は０．０１未満の面内複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、０．１未満、又は０．０５未満、又は０．０３未満、又は０．０１未満の面外複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、内部層２０１は、０．０２より大きい、又は０．０３より大きい、又は０．０５より大きい面内複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、内部層２０１は、０．０１より大きい、又は０．０３より大きい、又は０．０５より大きい面外複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、内部層２０１は、０．２未満、又は０．１５未満、又は０．１未満の面内複屈折性及び／又は面外複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、内部層２０１よりも低い面内複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、第１及び第２の外部層２２１及び２２２の各々は、０．０３未満、又は０．０２未満、又は０．０１未満の面内複屈折性を有し、内部層２０１は０．０５〜０．２の範囲内の面内複屈折性を有する。
いくつかの実施形態では、第１の外部層は基板２００の最外面２２５を含む。最外面２２５は、１００ｎｍ未満、又は５０ｎｍ未満、又は２０ｎｍ未満、又は更に１０ｎｍ未満の表面粗さＲａを有し得る。いくつかの実施形態では、基板２００は、内部層２０１と反対側の第２の外部層２２２の主面２２７上に配置されたスリップコーティングを含み得る。いくつかの実施形態では、基板２００のロールが提供される。
いくつかの実施形態では、本説明の基板は、２つの直交方向（例えば、ＭＤ方向及びＴＤ方向）の各々において、少なくとも４０パーセント、若しくは少なくとも５０パーセント、並びにいくつかの場合には、最大３５０パーセントの破断伸度を有する。いくつかの実施形態では、本説明の基板は、２つの直交方向（例えば、ＭＤ方向及びＴＤ方向）の各々において、ＣＯＰのものの少なくとも５倍、又は少なくとも７倍の破断伸度を有する。
いくつかの実施形態では、本記載の基板は３つを超える層を有する。例えば、図２における内部層２０１は、それ自体、複数の下位層で構成されていてもよい。下位層の各々は、本明細書の他の箇所で説明されているとおりのブロックコポリマーを含み得る。いくつかの実施形態では、下位層のうちの少なくとも１つは実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する。いくつかの実施形態では、下位層の各々は実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する。各下位層が実質的に一軸複屈折性である場合には、内部層２０１は、実質的に一軸複屈折性であると記述され得る。少なくとも１つの下位層が０．０１より大きい面内複屈折性を有する場合には、内部層２０１は、０．０１より大きい面内複屈折性を有すると記述され得る。いくつかの実施形態では、下位層のうちの少なくとも１つは、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含み、第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有し、ブロックコポリマーは第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含む。いくつかの実施形態では、第１の下位層と、異なる第２の下位層との融点の差は、少なくとも２０℃、又は少なくとも４０℃、又は少なくとも６０℃である。いくつかの実施形態では、第１の下位層と第２の下位層との融点の差は１００℃未満である。いくつかの実施形態では、内部層２０１は複数の下位層を含まず、その代わりに、単一のモノリシック層である。
図３は、第１の基板３００ａの第１主面３２５ａ上に配置された第１の複数の電極３３０ａを有する第１の基板３００ａを含むタッチセンサ３１０の概略断面図である。タッチセンサ３１０はまた、第２の基板３００ｂの第１主面３２５ｂ上に配置された第２の複数の電極３３０ｂを有する第２の基板３００ｂ（図３の断面内では電極３３０ｂのうちの１つのみが見える）を含む。第１の複数の電極３３０ａは第１の方向（例えば、図３に示されるｘ−ｙ−ｚ座標系を参照すると、ｚ方向）に沿って延びてもよく、第２の複数の電極３３０ｂは、直交する第２の方向（例えば、ｘ方向）に沿って延びてもよく、それにより、第１及び第２の複数の電極３３０ａ及び３３０ｂは、タッチセンサにおいて従来用いられているとおりの電極の交差した格子を形成する。代替的な諸実施形態では、第２の基板３００ｂは省略されており、第２の複数の電極３３０ｂは第１の基板３００ａの第２主面３２７ａ上に配置されている。第１の基板３００ａは、例えば、基板１００又は基板２００に対応し得る。同様に、第２の基板３００ｂは、例えば、基板１００又は基板２００に対応し得る。いくつかの実施形態では、第１及び第２の基板３００ａ及び３００ｂの両方が基板１００又は２００のうちの一方に対応し、それに対して、他の実施形態では、第１及び第２の基板３００ａ及び３００ｂのうちの一方のみが基板１００又は２００のうちの一方に対応する。
第１及び／又は第２の複数の電極は、タッチセンサにおける使用に適した任意の種類の電極であり得る。例としては、米国特許第８，９３３，９０６号（Ｆｒｅｙ）に記載されているものなどの透明導体電極（例えば、インジウムスズ酸化物（indium tin oxide、ＩＴＯ））及び金属メッシュ電極が挙げられる。以上の文献は、本説明と矛盾しない範囲で本明細書において参照により組み込まれている。電極は、当技術分野において知られているとおりのスパッタリング又はエッチングプロセスを利用することによって基板上に堆積させることができる。本説明の基板を利用することができる、他の有用なタッチセンサ、及びタッチセンサを製造する方法が、米国特許第８，３８４，９６１号（Ｆｒｅｙら）、同第８，８６５，０２７号（Ａｌｄｅｎら）、及び同第９，０２３，２２９号（Ｓｅｂａｓｔｉａｎら）、並びに米国特許出願第２０１５／３１６９５５号（Ｄｏｄｄｓら）に記載されている。以上の文献の各々は、本説明と矛盾しない範囲で本明細書において参照により組み込まれている。
図４は、タッチセンサ４１０と、第１及び第２の偏光子４６２及び４６４の間の、例えば、液晶層であり得る、活性層４６０を含むディスプレイパネル４６７とを含むディスプレイ４５０の概略断面図である。ディスプレイパネル４６７は、タッチセンサ４１０を通り抜けて観察者へｙ方向に伝搬する画像光を作り出す。タッチセンサ４１０はタッチセンサ３１０に対応し得、本明細書の他の箇所において説明されている基板のうちの任意のものを含み得る。第１の偏光子は第１の通過軸（例えば、ｘ軸）を有し、第２の偏光子は第２の通過軸（例えば、ｙ軸）を有する。タッチセンサ４１０は、第１の方向に沿って実質的に一軸配向されているか、又は第１の方向に沿って実質的に一軸配向されている内部層を含む基板を含む。第１の方向は第１の通過軸と実質的に平行であるか、又はそれと実質的に垂直であり得る。例えば、第１の通過軸はｘ軸に沿うものであり得、第１の方向はｘ軸と平行であるか、又はｙ軸と平行であり得る。第１の通過軸と実質的に平行又は実質的に垂直な第１の方向を有することは、偏光眼鏡（例えば、偏光サングラス）を着用しているディスプレイ４５０のビューによって観察される疑似色パターンを最小限に抑えるか、又は解消することができるため、有利になり得る。
図５は、本説明の基板を製造するシステム及び方法を概略的に示す。押出し成形又は共押出し成形されるべき材料５７１が、押出し成形又は共押出し成形された層（単数又は複数）５７３を作り出す押出機５７２内に供給される。押出し成形又は共押出し成形された層（単数又は複数）５７３は、基板１００に対応する単一の層であり得るか、又は基板２００に対応する内部層並びに第１及び第２の外部層を含み得る。押出し成形又は共押出し成形された層（単数又は複数）５７３は延伸機５７４内で実質的に一軸延伸され、次に、基板５００を形成するためにオーブン５７８内でヒートセットされる。延伸機５７４は、押出し成形又は共押出し成形された層（単数又は複数）５７３を実質的に一軸延伸させるように構成されている。フィルム又は層を実質的に一軸延伸させるとは、フィルム又は層が主に一方向に（例えば、横断方向（transverse direction、ＴＤ）に）延伸されるが、直交方向における（例えば、長手方向（machine direction、ＭＤ）における）小さな延伸が許容可能であり得ることを意味する。実質的に一軸延伸させることを介して複屈折性にされたフィルム又は層は、実質的に一軸複屈折性である、又は実質的に一軸配向されていると記述され得る。延伸機５７４は、押出し成形又は共押出し成形された層（単数又は複数）５７３を、第１の方向に第１の延伸比で、及び直交する第２の方向に第２の延伸比で延伸させ得る。いくつかの実施形態では、延伸機５７４はまず、第１の方向に第１の延伸比で延伸させ、次に、第２の方向に第２の延伸比で延伸させる。いくつかの実施形態では、第２の延伸比は第１の延伸比よりもはるかに高く、いくつかの実施形態では、第１の方向における延伸は省略される。第１の延伸比が第２の延伸比よりも実質的に小さいときには、押出し成形又は共押出し成形された層（単数又は複数）５７３は、第２の延伸比と等しい延伸比で実質的に一軸配向されていると記述され得る。第２の延伸比によって生み出された延伸（第２の延伸比マイナス１掛ける１００パーセント）が、第１の延伸比によって生み出された延伸（第１の延伸比マイナス１掛ける１００パーセント）の少なくとも４倍、又は少なくとも５倍、又は少なくとも７倍、又は少なくとも１０倍である場合には、第１の延伸比は、第２の延伸比よりも実質的に小さいと記述され得る。例えば、第２の延伸比は約４．５であり得、これは約３５０パーセントの延伸を生み出し、その一方で、第１の延伸比は約１．２であり得、これは約２０パーセントの延伸を生み出すのみである。第２の延伸比は、少なくとも２、又は少なくとも２．５、又は少なくとも３、又は少なくとも３．５、又は少なくとも４であり得、７未満、又は６．５未満、又は６未満、又は６．５未満、又は５未満、又は４．８未満であり得る。例えば、第２の延伸比は、３〜６の範囲内、又は３．５〜５の範囲内、又は４〜４．８の範囲内であり得る。第１の延伸比は１以上であり、２未満、若しくは１．５未満、若しくは１．３未満、若しくは１．２未満、若しくは１．１未満、若しくは１．０５未満であり得るか、又は１と実質的に等しくなり得る。例えば、いくつかの実施形態では、第１の延伸比は、１．０〜１．５の範囲内、又は１．０〜１．３の範囲内、又は１．１〜１．３の範囲内である。本説明によれば、実質的一軸配向を利用することは、二軸配向を利用することと比べて、応力複屈折の均一性を改善することが見出された。
延伸機５７４は、延伸されたフィルム５７７を作り出し、オーブン５７８は、延伸されたフィルム５７７をヒートセットし、基板５００を作り出す。内部層と第１及び第２の外部層とを有する実施形態では、延伸されたフィルム５７７は、内部層の融点よりも低く、第１の外部層の融点よりも高く、第２の外部層の融点よりも高い温度でヒートセットされ得る。第１及び第２のポリエステルブロックを有するブロックコポリマーを含む実施形態では、ヒートセット温度は、第１のポリエステルの融点よりも低く、第２のポリエステルの融点よりも高いものであり得る。後続の加工ステップは、基板５００の最外面上にスリップコーティングを適用することを含み得る。
材料
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）は、Ｎａｎ Ｙａ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔａｉｐｅｉ，Ｔａｉｗａｎ）からペレットの形態で入手され、製品グレード１Ｎ５０２によって指定された。
グリコール修飾ポリエチレンテレフタレートポリエステル（ＰＥＴｇ）はＥａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｋｉｎｇｓｐｏｒｔ，ＴＮ）から入手され、製品グレードＥＡＳＴＡＲ ＧＮ０７１コポリエステルによって指定された。
環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）はＺｅｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）からフィルムの形態で入手され、ＺＥＯＮＯＲＦＩＬＭ ＺＦ−１６の製品グレードによって指定された。
試験方法
融点（Ｔｍ）の決定
ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ（Ｎｅｗ Ｃａｓｔｌｅ，ＤＥ）から市販されている、Ｑ１０００示差走査熱量計（Differential Scanning Calorimeter、ＤＳＣ）によって融点を決定した。走査速度は２３℃から３００℃まで２０℃／ｍｉｎであった。
応力複屈折均一性試験
通過方向軸を互いに直角にして配置された２つの吸収型偏光子との間にフィルムを配置することによって（しばしば「交差極性（crossed polars）」と呼ばれる）、延伸されたフィルムをそれらの応力複屈折均一性について試験した。延伸されたフィルムを、その主光軸が偏光子軸のうちの１つと整列するように整列させた。偏光子−フィルム−偏光子積層体全体を、空間的に均一な光出力のライトテーブル上に配置した。積層体を透過された光を任意の不均一な色パターンについて目視検査した。２つの評定：不可又は良のうちの１つが作業者によって付与された。「不可」は、目立つ量の応力パターン及び変化する色の度合いが観察されたことを指示した。「良」は、透過された光が良好な均一性を有し、観察可能な応力パターンの量が無視できるほどであったことを指示した。
表面粗さ試験
ＷＹＫＯ（Ｔｕｃｓｏｎ，Ａｒｉｚ．）、Ｖｅｅｃｏの一部門、からのＷＹＫＯ顕微干渉計を用いてフィルムの表面粗さを評価した。粗さ平均、Ｒａ、（中心線の算術平均偏差の測度）を記録した。
複屈折性の決定
Ｍｅｔｒｉｃｏｎ Ｃｏｒｐ．（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ，ＮＪ）からのプリズム結合器を用いて、６３３ｎｍの波長の光を用いて横断（ｘ）方向、長手（ｙ）方向、及び厚さ（ｚ）方向における屈折率又はフィルムを測定した。３つの方向の屈折率を、ｎｘ、ｎｙ、及びｎｚとしてそれぞれ記録した。面内複屈折性、ｄｅｌｔａ（ｎｘｙ）を、ｎｘ−ｎｙとして算出した。面外複屈折性を、平均面内屈折率と、平面と直交する屈折率との差として、即ち、換言すれば、［（ｎｘ＋ｎｙ）／２］−ｎｚとして算出した。ポリマーの単層延伸フィルムの面内複屈折性及び面外複屈折性は、同様に延伸された多層フィルムの、同じポリマーで製造された、個々の内部層の面内複屈折性及び面外複屈折性に対する良い近似になることが知られている。それゆえ、多層構造の個々の内部層についての複屈折値の直接測定の代わりに、全く同様に延伸された単層フィルムについての複屈折値を決定した。
比較例Ｃ１
溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を２８ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）もまた、ＰＥＴを１５８ｋｇ／ｈｒでコア層内へ繰り出す１つの樹脂供給機を有した。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を、コア押出機については１３０ｒｐｍ、及びスキン押出機については５０ｒｐｍに設定した。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。流延フィルムは長さオリエンター（ｌｅｎｇｔｈ ｏｒｉｅｎｔｅｒ）及びテンターを通過し、制御された逐次延伸を受けた。延伸比は、長さオリエンター内においては長手方向に１．２、及びテンター内においては横断方向に４．７である。延伸温度を９５Ｃに設定した。テンターのヒートセット温度を２００Ｃに設定した。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
比較例Ｃ２
パイロット溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を１．５ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）もまた、ＰＥＴを８．５ｋｇ／ｈｒでコア層内へ繰り出す１つの樹脂供給機を有した。両方の押出機に対して、溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を１００ｒｐｍに設定した。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について３．５であり、横断方向について３．５であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
比較例Ｃ３
パイロット溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を１．５ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）は、各々４．２５ｋｇ／ｈｒの速度、合計８．５ｋｇ／ｈｒの速度で、コア層内へ、一方はＰＥＴを繰り出し、他方はＰＥＴｇを繰り出す、２つの樹脂供給機を有した。両方の押出機に対して、溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を１００ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状（blocky）コポリマーを形成することが知られている。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について３．５であり、横断方向について３．５であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
実施例１
パイロット溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を１．５ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）は、それぞれ、６．８ｋｇ／ｈｒ及び１．７ｋｇ／ｈｒ、合計８．５ｋｇ／ｈｒの速度で、コア層内へ、一方はＰＥＴを繰り出し、他方はＰＥＴｇを繰り出す、２つの樹脂供給機を有した。両方の押出機に対して、溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を１００ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について１．２であり、横断方向について４．７であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
実施例２
パイロット溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を１．５ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）は、各々４．２５ｋｇ／ｈｒの速度、合計８．５ｋｇ／ｈｒの速度で、コア層内へ、一方はＰＥＴを繰り出し、他方はＰＥＴｇを繰り出す、２つの樹脂供給機を有した。両方の押出機に対して、溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を１００ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について１．２であり、横断方向について４．７であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
実施例３
溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を２８ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）は、それぞれ、３１．６ｋｇ／ｈｒ及び１２６．４ｋｇ／ｈｒ、合計１５８ｋｇ／ｈｒの速度で、コア層内へ、一方はＰＥＴを繰り出し、他方はＰＥＴｇを繰り出す、２つの樹脂供給機を有した。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を、コア押出機については１３０ｒｐｍ、及びスキン押出機については５０ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。流延フィルムは長さオリエンター及びテンターを通過し、制御された逐次延伸を受けた。延伸比は、長さオリエンター内においては長手方向に１．２、及びテンター内においては横断方向に４．７である。延伸温度を９５Ｃに設定した。テンターのヒートセット温度を２００Ｃに設定した。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
比較例Ｃ４
溶融押出し成形ライン上において、２つの二軸押出機を用いた。２つの押出機はＡＢＡ構成の３層フィードブロックを供給した。２つのスキン層を供給する押出機（Ａ）は、ＰＥＴｇ樹脂を２８ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有した。他方の押出機（Ｂ）もまた、同様にＰＥＴｇを、ただし１５８ｋｇ／ｈｒでコア層内へ繰り出す１つの樹脂供給機を有した。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、スクリュー速度を、コア押出機については１３０ｒｐｍ、及びスキン押出機については５０ｒｐｍに設定した。フィードブロックからの３層溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。流延フィルムは長さオリエンター及びテンターを通過し、制御された逐次延伸を受けた。延伸比は、長さオリエンター内においては長手方向に１．２、及びテンター内においては横断方向に４．７である。延伸温度を９５Ｃに設定した。テンターのヒートセット温度を２００Ｃに設定した。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
上述の実施例及び比較例の構造を表１にまとめている。各フィルムを、応力複屈折均一性、表面粗さ、並びに（コア層及びスキン層の両方の）面内及び面外複屈折性について試験し、全体的なフィルム平坦性を定性的に評価した。結果を表２に示す。
Figure 2019523718
Figure 2019523718
比較例Ｃ５
溶融押出し成形ライン上において、ＰＥＴ樹脂を１５０ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有する二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を１３０ｒｐｍに設定した。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。流延フィルムは長さオリエンター及びテンターを通過し、制御された逐次延伸を受けた。延伸比は、長さオリエンター内においては長手方向に１．２、及びテンター内においては横断方向に４．７である。延伸温度を９５Ｃに設定した。テンターのヒートセット温度を２００Ｃに設定した。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
比較例Ｃ６
溶融押出し成形ライン上において、ＰＥＴ樹脂を１５０ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有する二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を１３０ｒｐｍに設定した。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。流延フィルムは長さオリエンター及びテンターを通過し、制御された逐次延伸を受けた。延伸比は、長さオリエンター内においては長手方向に３．５、及びテンター内においては横断方向に３．５である。延伸温度を９５Ｃに設定した。テンターのヒートセット温度を２００Ｃに設定した。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
比較例Ｃ７
パイロット溶融押出し成形ライン上において、一方はＰＥＴ樹脂を５ｋｇ／ｈｒで繰り出し、他方はＰＥＴｇ樹脂を５ｋｇ／ｈｒで繰り出す、２つの樹脂供給機を有する、二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を５０ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について３．５であり、横断方向について３．５であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
実施例４
パイロット溶融押出し成形ライン上において、一方はＰＥＴ樹脂を８ｋｇ／ｈｒで繰り出し、他方はＰＥＴｇ樹脂を２ｋｇ／ｈｒで繰り出す、２つの樹脂供給機を有する、二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を５０ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について１．２であり、横断方向について４．７であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
実施例５
パイロット溶融押出し成形ライン上において、一方はＰＥＴ樹脂を５ｋｇ／ｈｒで繰り出し、他方はＰＥＴｇ樹脂を５ｋｇ／ｈｒで繰り出す、２つの樹脂供給機を有する、二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を５０ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について１．２であり、横断方向について４．７であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
実施例６
溶融押出し成形ライン上において、一方はＰＥＴ樹脂を３０ｋｇ／ｈｒで繰り出し、他方はＰＥＴｇ樹脂を１２０ｋｇ／ｈｒで繰り出す、２つの樹脂供給機を有する、二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を１３０ｒｐｍに設定した。ＰＥＴ及びＰＥＴｇは、このように一緒に押出し成形されると、反応してブロック状コポリマーを形成することが知られている。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。流延フィルムは長さオリエンター及びテンターを通過し、制御された逐次延伸を受けた。延伸比は、長さオリエンター内においては長手方向に１．２、及びテンター内においては横断方向に４．７である。延伸温度を９５Ｃに設定した。テンターのヒートセット温度を２００Ｃに設定した。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
比較例Ｃ８
パイロット溶融押出し成形ライン上において、ＰＥＴｇ樹脂を８ｋｇ／ｈｒで繰り出す１つの樹脂供給機を有する二軸押出機を用いた。溶融ライン温度を２７４Ｃに設定し、押出機スクリュー速度を５０ｒｐｍに設定した。押出機からの溶融体をフィルムダイへ供給し、チルロール上へ流し込み、流延厚さを制御するためにライン速度を調整した。制御された逐次延伸を受けるために実験用オリエンターを用いて流延フィルム片を延伸した。延伸比は長手方向について１．２であり、横断方向について４．７であった。延伸温度は９５Ｃに設定され、延伸速度は５０パーセント／秒であった。温度を２００Ｃに設定して３０秒間ヒートセットを行った。最終的なフィルム厚さが１００マイクロメートルになるように全体的流延速度を調整した。
直前の実施例及び比較例のフィルムを、応力複屈折均一性、表面粗さ、並びに面内及び面外複屈折性について試験し、全体的なフィルム平坦性を定性的に評価した。フィルム構造及び試験結果を表３に示す。
Figure 2019523718
実施例７
実施例３のフィルムに、その後、タッチセンサ製造のために通例用いられる電極層をコーティングした。
比較例Ｃ９
比較例Ｃ９は、タッチセンサ製造における使用のために意図された、Ｚｅｏｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎからの、ＣＯＰフィルム、ＺＥＯＮＯＲフィルムＺＦ−１６であり、受け取り時の状態で試験した。
比較例Ｃ１０
比較例Ｃ９のＣＯＰフィルムに、実施例７における実施例３のフィルムのように、同じ仕方で、タッチセンサ製造のために通例用いられる同じ電極層をコーティングした。
実施例Ｃ９、３、Ｃ１０、及び７のフィルムの各々の試験片をＭＤ方向及びＴＤ方向に切断し、当技術分野においてよく知られた標準技法によって全く同様に引張試験した。破断点伸度を記録し、表４に結果を示している。
Figure 2019523718
以下は、本明細書の例示的な実施形態の列挙である。
実施形態１は、基板であって、
第１及び第２の外部層であって、これらの第１及び第２の外部層の各々は、ヒートセットされたポリマー層である、第１及び第２の外部層と、
第１及び第２の外部層の間に配置されており、第１及び第２の外部層と直接接触しているポリマー内部層であって、第１の外部層のものとは異なり、かつ第２の外部層のものとは異なる組成を有する、ポリマー内部層と、
を含み、
第１及び第２の外部層は各々、０．１未満の面内複屈折性を有し、内部層は実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する、
基板である。
実施形態２は、内部層が、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含み、第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有し、ブロックコポリマーは第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含む、実施形態１の基板である。
実施形態３は、第１のポリエステルの融点が２２０℃より高く、第２のポリエステルの融点が１９０℃未満である、実施形態２の基板である。
実施形態４は、第１のポリエステルの融点が２４０℃より高く、第２のポリエステルの融点が１８０℃未満である、実施形態２の基板である。
実施形態５は、第１及び第２の外部層の各々が、２００℃未満の融点を有する第３のポリエステルを含む、実施形態２の基板である。
実施形態６は、第３のポリエステルが第２のポリエステルと同じである、実施形態５の基板である。
実施形態７は、第３のポリエステルの融点が１９０℃未満である、実施形態５の基板である。
実施形態８は、第３のポリエステルの融点が１８０℃未満である、実施形態５の基板である。
実施形態９は、第１のポリエステルがポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であり、第２のポリエステルがグリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）である、実施形態２の基板である。
実施形態１０は、第１及び第２の外部層の各々がグリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）を含む、実施形態９の基板である。
実施形態１１は、第１のポリエステルがポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）であり、第２のポリエステルがグリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）である、実施形態２の基板である。
実施形態１２は、第１及び第２の外部層の各々がグリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）を含む、実施形態１１の基板である。
実施形態１３は、第１及び第２の外部層の各々が、２００℃未満の融点を有するポリエステルを含む、実施形態１の基板である。
実施形態１４は、第１及び第２の外部層の各々が０．０５未満の面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態１５は、第１及び第２の外部層の各々が０．０３未満の面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態１６は、第１及び第２の外部層の各々が０．０１未満の面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態１７は、第１及び第２の外部層の各々が０．１未満の面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態１８は、第１及び第２の外部層の各々が０．０５未満の面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態１９は、第１及び第２の外部層の各々が０．０３未満の面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２０は、第１及び第２の外部層の各々が０．０１未満の面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２１は、内部層が０．０２より大きい面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２２は、内部層が０．０３より大きい面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２３は、内部層が０．０５より大きい面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２４は、内部層が０．０１より大きい面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２５は、内部層が０．０３より大きい面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２６は、内部層が０．０５より大きい面外複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２７は、内部層が０．２未満の面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２８は、第１及び第２の外部層の各々が、内部層よりも低い面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態２９は、第１及び第２の外部層の各々が０．０３未満の面内複屈折性を有し、内部層が０．０５〜０．２の範囲内の面内複屈折性を有する、実施形態１の基板である。
実施形態３０は、第１の外部層が基板の最外面を含み、この最外面は１００ｎｍ未満の表面粗さＲａを有する、実施形態１の基板である。
実施形態３１は、表面粗さＲａが５０ｎｍ未満である、実施形態３０の基板である。
実施形態３２は、表面粗さＲａが２０ｎｍ未満である、実施形態３０の基板である。
実施形態３３は、内部層と反対側の第２の外部層上に配置されたスリップコーティングを更に含む、実施形態１の基板である。
実施形態３４は、内部層が複数の下位層を含む、実施形態１の基板である。
実施形態３５は、複数の下位層内の第１の下位層が、複数の下位層内の第２の下位層のものとは少なくとも２０℃異なる融点を有する、実施形態３４の基板である。
実施形態３６は、ディスプレイであって、
通過軸を有する偏光子と、
実施形態１の基板を含むタッチセンサであって、このタッチセンサは偏光子に近接配置されている、タッチセンサと、
を備え、
内部ポリマー層が、通過軸と実質的に平行、又はそれと実質的に垂直な方向に沿って実質的に一軸配向されている、
ディスプレイである。
実施形態３７は、液晶ディスプレイパネルが偏光子を含む、実施形態３６のディスプレイである。
実施形態３８は、タッチセンサが、基板の表面上に配置された複数の電極を含む、実施形態３６のディスプレイである。
実施形態３９は、
実施形態１の基板と、
基板の表面上に配置された複数の電極と、
を備える、タッチセンサである。
実施形態４０は、実施形態１の基板を製造する方法であって、本方法は、
第１及び第２の外部層並びに内部層を共押出し成形し、共押出し成形された層を形成することと、
共押出し成形された層を実質的に一軸延伸させることと、
共押出し成形された層をヒートセットし、基板を形成することと、
を含む、方法である。
実施形態４１は、共押出し成形された層を実質的に一軸延伸させるステップが、共押出し成形された層を３〜６の範囲内の延伸比で延伸させることを含む、実施形態４０の方法である。
実施形態４２は、延伸比が３．５〜５．０の範囲内である、実施形態４１の方法である。
実施形態４３は、延伸比が４．０〜４．８の範囲内である、実施形態４２の方法である。
実施形態４４は、ヒートセットするステップが、共押出し成形された層を、内部層の融点よりも低く、第１の外部層の融点よりも高く、第２の外部層の融点よりも高い温度に加熱することを含む、実施形態４０の方法である。
実施形態４５は、第２の外部層の最外面上にスリップコーティングを適用するステップを更に含む、実施形態４０の方法である。
実施形態４６は、基板であって、
第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含み、第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有し、ブロックコポリマーは第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含み、
基板は実質的に一軸複屈折性であり、０．００１〜０．１の面内複屈折性を有する、
基板である。
実施形態４７は、第１のポリエステルの融点が２２０℃より高く、第２のポリエステルの融点が１９０℃未満である、実施形態４６の基板である。
実施形態４８は、第１のポリエステルの融点が２４０℃より高く、第２のポリエステルの融点が１８０℃未満である、実施形態４６の基板である。
実施形態４９は、面内複屈折性が０．００５より大きい、実施形態４６の基板である。
実施形態５０は、面内複屈折性が０．０１より大きい、実施形態４６の基板である。
実施形態５１は、面内複屈折性が０．０５未満である、実施形態４６の基板である。
実施形態５２は、基板が、反対側の最も外側の第１主面及び第２主面を有し、第１主面は１００ｎｍ未満の表面粗さＲａを有する、実施形態４６の基板である。
実施形態５３は、表面粗さＲａが５０ｎｍ未満である、実施形態５２の基板である。
実施形態５４は、表面粗さＲａが２０ｎｍ未満である、実施形態５２の基板である。
実施形態５５は、第２主面上に配置されたスリップコーティングを更に含む、実施形態５２の基板である。
実施形態５６は、ディスプレイであって、
通過軸を有する偏光子と、
実施形態４６の基板を含むタッチセンサであって、このタッチセンサは偏光子に近接配置されている、タッチセンサと、
を備え、
基板が、通過軸と実質的に平行、又はそれと実質的に垂直な方向に沿って実質的に一軸配向されている、
ディスプレイである。
実施形態５７は、液晶ディスプレイパネルが偏光子を含む、実施形態５６のディスプレイである。
実施形態５８は、タッチセンサが、基板の表面上に配置された複数の電極と、を備える、実施形態５６のディスプレイである。
実施形態５９は、
実施形態４６の基板と、
基板の表面上に配置された複数の電極と、
を備える、タッチセンサである。
実施形態６０は、実施形態４６の基板を製造する方法であって、本方法は、
層を押出し成形することと、
押出し成形された層を実質的に一軸延伸させることと、
押出し成形された層をヒートセットし、基板を形成することと、
を含む、方法である。
実施形態６１は、押出し成形された層を実質的に一軸延伸させるステップが、押出し成形された層を３〜６の範囲内の延伸比で延伸させることを含む、実施形態６０の方法である。
実施形態６２は、延伸比が３．５〜５．０の範囲内である、実施形態６１の方法である。
実施形態６３は、延伸比が４．０〜４．８の範囲内である、実施形態６２の方法である。
実施形態６４は、ヒートセットするステップが、押出し成形された層を、第１のポリエステルの融点よりも低く、第２のポリエステルの融点よりも高い温度に加熱することを含む、実施形態６０の方法である。
図中の要素の説明は、別途指示がない限り、他の図中の対応する要素に等しく適用されるものと理解されたい。具体的な実施形態を本明細書において例示し記述したが、様々な代替及び／又は等価な実施により、図示及び記載した具体的な実施形態を、本開示の範囲を逸脱することなく置き換え可能であることが、当業者により理解されるであろう。本出願は、本明細書において論じた具体的な実施形態のいかなる適合例又は変形例であっても包含することを意図する。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその等価物によってのみ限定されるものとする。

Claims (20)

  1. 第１及び第２の外部層であって、前記第１及び前記第２の外部層の各々は、ヒートセットされたポリマー層である、第１及び第２の外部層と、
    前記第１及び前記第２の外部層の間に配置されており、前記第１及び前記第２の外部層と直接接触しているポリマー内部層であって、前記第１の外部層の組成とは異なり、かつ前記第２の外部層の組成とは異なる組成を有する、ポリマー内部層と、
    を含み、
    前記第１及び前記第２の外部層は各々、０．１未満の面内複屈折性を有し、前記内部層は実質的に一軸複屈折性であり、０．０１より大きい面内複屈折性を有する、基板。
  2. 前記内部層が、第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含み、前記第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、前記第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有し、前記ブロックコポリマーは前記第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含む、請求項１に記載の基板。
  3. 前記第１及び前記第２の外部層の各々が、２００℃未満の融点を有する第３のポリエステルを含む、請求項２に記載の基板。
  4. 前記第１のポリエステルがポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であり、前記第２のポリエステルがグリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）であり、前記第１及び前記第２の外部層の各々がグリコール修飾ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴｇ）を含む、請求項２に記載の基板。
  5. 前記第１のポリエステルがポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）であり、前記第２のポリエステルがグリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）であり、前記第１及び前記第２の外部層の各々がグリコール修飾ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮｇ）を含む、請求項２に記載の基板。
  6. 前記第１及び前記第２の外部層の各々が０．０１未満の面内複屈折性を有する、請求項１に記載の基板。
  7. 前記第１及び前記第２の外部層の各々が０．０１未満の面外複屈折性を有する、請求項１に記載の基板。
  8. 前記内部層が０．０５より大きい面内複屈折性を有する、請求項１に記載の基板。
  9. 前記内部層が０．０５より大きい面外複屈折性を有する、請求項１に記載の基板。
  10. 前記第１の外部層が前記基板の最外面を含み、前記最外面は１００ｎｍ未満の表面粗さＲａを有する、請求項１に記載の基板。
  11. 通過軸を有する偏光子と、
    請求項１に記載の基板を含むタッチセンサであって、前記偏光子に近接配置されている、タッチセンサと、
    を備え、
    前記内部ポリマー層が、前記通過軸と実質的に平行な方向に沿って、又は前記通過軸と実質的に垂直な方向に沿って実質的に一軸配向されている、
    ディスプレイ。
  12. 請求項１に記載の基板と、
    前記基板の表面上に配置された複数の電極と、
    を備えるタッチセンサ。
  13. 請求項１に記載の基板を製造する方法であって、
    前記第１及び前記第２の外部層並びに前記内部層を共押出し成形し、共押出し成形された層を形成することと、
    前記共押出し成形された層を実質的に一軸延伸させることと、
    前記共押出し成形された層をヒートセットし、前記基板を形成することと、
    を含む、方法。
  14. 前記共押出し成形された層を前記実質的に一軸延伸させるステップが、前記共押出し成形された層を３〜６の範囲内の延伸比で延伸させることを含む、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記ヒートセットするステップが、前記共押出し成形された層を、前記内部層の融点よりも低く、前記第１の外部層の融点よりも高く、前記第２の外部層の融点よりも高い温度に加熱することを含む、請求項１３に記載の方法。
  16. 第１のポリエステル及び第２のポリエステルを含むブロックコポリマーを含む基板であって、前記第１のポリエステルは２００℃より高い融点を有し、前記第２のポリエステルは２００℃未満の融点を有し、前記ブロックコポリマーは前記第２のポリエステルを５０〜８０重量パーセント含み、
    前記基板が実質的に一軸複屈折性であり、０．００１〜０．１の面内複屈折性を有する、
    基板。
  17. 通過軸を有する偏光子と、
    請求項１６に記載の基板を含むタッチセンサであって、前記タッチセンサは前記偏光子に近接配置されている、タッチセンサと、
    を備え、
    前記基板が、前記通過軸と実質的に平行な方向に沿って、又は前記通過軸と実質的に垂直な方向に沿って実質的に一軸配向されている、
    ディスプレイ。
  18. 請求項１６に記載の基板と、
    前記基板の表面上に配置された複数の電極と、
    を備えるタッチセンサ。
  19. 請求項１６に記載の基板を製造する方法であって、
    層を押出し成形することと、
    前記押出し成形された層を実質的に一軸延伸させることと、
    前記押出し成形された層をヒートセットし、前記基板を形成することと、
    を含む、方法。
  20. 前記ヒートセットするステップが、前記押出し成形された層を、前記第１のポリエステルの前記融点よりも低く、前記第２のポリエステルの前記融点よりも高い温度に加熱することを含む、請求項１９に記載の方法。
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