JP2019512880A - リードフレーム構造体、リードフレーム、表面実装電子部品、およびこれらの製造方法 - Google Patents

リードフレーム構造体、リードフレーム、表面実装電子部品、およびこれらの製造方法 Download PDF

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Abstract

処理された銀表面を露出するリードフレームまたはリードフレーム構造体の信頼性かつ費用対効果がより高い製造方法を実現するため、また、かかるリードフレームまたはリードフレーム構造体を用いた表面実装電子部品を実現するため、（ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、前記主面の各々において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体構造体を調達するステップと、（ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、（ｃ）前記リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、前記ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することにより、２つの面をそれぞれ有する少なくとも２つのリードフレームエンティティであって、前記処理された銀表面を少なくとも一部において露出させる少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えた前記リードフレーム構造体を製造するステップと、を有し、前記ステップはこの順序で実施され、前記リードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記リードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい方法を開示する。

Description

本発明は、表面実装電子部品の製造において使用されるリードフレーム構造体、リードフレーム、表面実装電子部品、ならびにリードフレーム構造体、リードフレームおよび表面実装電子部品の製造方法に関する。
リードフレーム構造体（リードフレームエンティティのマルチパネル）は、プリント回路板に実装される表面実装電子部品（ＳＭＤ）の製造において使用される。ＳＭＤの製造の１ステップとして、保護のため、すなわちパッケージを形成するため、リードフレーム構造体の上部に樹脂材料（モールド材料）を施すステップがある。リードフレーム本体構造体（リードフレーム本体エンティティのマルチパネル）は一般的に、銅または銅合金（例えば銅／錫、銅／鉄／リンまたは銅／クロム／錫／亜鉛合金）から製造される。リードフレームエンティティは、銅表面および銀表面を露出することが非常に多い。よってモールド材料は、リードフレームエンティティに存在する銅表面および銀表面と接触する。ＳＭＤ製品ライフタイムの間は、金属とモールド材料との間に剥離が生じないことを保証しなければならない。そうしないと、ＳＭＤが不具合を生じてしまう。
パッケージのライフタイム中は、モールド材料とリードフレームエンティティとの間の界面において周囲の水分が吸収され得る。水分吸収と、その水分がパッケージ内部に保持されることとによって、パッケージ内に水分が取り込まれ、その後、パッケージに急激な温度上昇が生じるとこの水分は蒸発する。この急激な温度上昇は例えば、パッケージがプリント回路板に実装されるときの当該パッケージのソルダリング中に生じる。その結果、この蒸発した水分は著しいパッケージ内部応力を生じさせ、このパッケージ内部応力は、モールド材料／リードフレームエンティティ界面において剥離を引き起こし得る。剥離を回避するためには、ソルダリング前に水分の吸収を回避するため、実装前にパッケージを無湿度条件下で保管しなければならない。しかし、かかる手法によって製造コストが上昇し、品質管理がより困難になる。鉛フリーのソルダリング材を使用する場合には特に高いソルダリング温度を使用するので、剥離が生じる可能性はより高くなり、これによって、パッケージの不具合の程度が一層高くなる。
所与のパッケージの剥離に関する傾向を認識するため、ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣはリード付ＩＣパッケージの吸湿管理レベル（ＭＳＬ）の標準的な分類を定義した。この標準規格（Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ）によれば、ＭＳＬは、パッケージの剥離の生じやすさと共に増加する数によって表される。よって、ＭＳＬ１は、湿度を受けても耐剥離性を示すパッケージに該当し、それに対してＭＳＬ５およびＭＳＬ６の部品は、湿度により誘発される破壊を最も生じやすい。実際の条件下において十分な付着性を保証するためには、リード付ＩＣパッケージをＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格に従って試験する。付着強度の他の１つの実際的な試験はタブプル試験である。これは、産業界において検定目的で一般的に使用されているものである。金属表面とモールド材料との間の付着強度の指標は、簡単なピーリング試験によっても得ることができる。タブプル試験およびピーリング試験は双方とも、開発段階および検定段階中に、金属表面と樹脂材料との間の付着性の改善を特定するための良好なツールとして使用される。タブプル試験およびピーリング試験は典型的には、実際のパッケージではなく供試品で行われる。実際のパッケージでＭＳＬ試験を行うためには、通常はＣモード走査型超音波顕微視法（Ｃ‐ＳＡＭ）を用いて銀とモールド材料との間の界面における剥離を検出する。
典型的には、現在製造されている大半のリードフレーム構造体の表面は２つの金属から、すなわち、リードフレーム本体構造体を製造する元となる銅または銅合金と、リードフレーム本体構造体の表面上に設けられる銀とから成る。異なるリードフレーム構造体の間では、銅と銀との相対的な面積比が異なってくる。 基材がリードフレーム構造体の熱的および機械的安定性に影響を及ぼす。リードフレーム構造体表面の銀は、リードフレーム構造体と、当該リードフレーム構造体に搭載された半導体部品との間に導電接続部を製造するために必要なものである。この電気的接続部は、通常はサーモソニックボンディング（ＴＳＢ）を用いて製造され、このサーモソニックボンディング（ＴＳＢ）は、リードフレーム構造体上の半導体部品および銀の双方に細いワイヤを接触させるものである。
ＴＳＢ（以下「ワイヤボンディング」ともいう）は、ボンディングワイヤ（通常は、金または銅またはこれらの変性物から成る）と、リードフレーム構造体基板上の銀との間に安定的な接合部を形成するように、（基板およびワイヤの）２つの清浄な金属表面を接触させる表面溶接法である。よって、この手法は金属表面上の異物に影響を受けやすい。
リードフレーム構造体の銅および銅合金表面に関しては、リードフレーム構造体製造において現在、銅表面または銅合金表面と、ＳＭＤの製造において後でリードフレーム構造体に施されるモールド材料との間の付着性を改善するため、当該表面を粗面化することが一般的となっている。この粗面化は通常、化学エッチングプロセスによって達成されるが、銅表面を電気化学的に処理することにより、すなわち、銅材料に陽極電流を印加することにより達成することもできる。化学エッチングプロセスの中には、銅表面上に酸化物層を生成するものもあり、その金属酸化物層は一般的に、樹脂との間に、酸化物不含の金属表面よりも良好な付着性を示すので、かかるプロセスは付着性に好都合な作用を有する。
銅とポリマー材料との接合を改善するための１つの可能な銅処理手段が、欧州特許出願公開第１８２０８８４号明細書（EP 1 820 884 A1）に記載されている。かかる改善を達成するため、例えば過酸化水素等のオキシダントと、例えば硫酸等の少なくとも１つの酸と、例えばトリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾール、テトラゾールまたはプリン等の少なくとも１つの付着性増加性の化合物と、さらに、少なくとも１００ｍｇ／ｌの量のフッ化物イオンと、５〜４０ｍｇ／ｌの量の塩化物イオンと、を含む溶液を使用する。しかし、銀表面を有するリードフレーム構造体をこの溶液によって処理することは、銀表面に作用しないので、樹脂と銀表面との付着性に影響を及ぼさないことが証明されている。
このような銅の粗面化では、リードフレーム本体構造体上に存在する銀表面と樹脂との付着性は改善しないので、銀と樹脂材料との間の接触は、リードフレーム構造体と樹脂材料との間の最も弱い結合であると考えられてきた。それゆえ、リードフレーム本体構造体にて露出される銀の、銅面積に対する相対面積は、従来は最小限にされてきた。
銀と樹脂との間の付着性不足の問題を解決するため、他にも試行がなされてきた：
Cui at al.: “Adhesion Enhancement of Pd Plated Leadframes”（Electronic Components and Technology Conference, 1999, 837）に、鉄を含むアルカリ性溶液中でリードフレームに陰極電流を印加することにより、粒界に沿って鉄を成膜することができることが開示されている。当該著者によれば、事前めっきされたフレーム（ＰＰＦ；金属の層、この場合にはパラジウムの層がめっきされたリードフレーム）の表面に鉄を成膜することにより、樹脂材料との付着性が改善される。しかし、それと同時にワイヤボンディング性が低下する。ワイヤボンディング性は、表面上に成膜される鉄が多くなるにつれて劣化していく。Cui et al. による方法が工業上使用されていないのは、おそらくこのことと、鉄が空気により酸化しやすいこととが理由であると考えられる。
米国特許第５３４３０７３号明細書（US 5,343,073 A）および同第５４４９９５１号明細書（US 5,449,951 A）に、クロムおよび亜鉛を電解堆積することによって樹脂材料との付着性を改善できるリードフレームが記載されている。これらの特許に記載されている方法はクロム（VI）を使用するので、環境保護要求に関して不利である。亜鉛を使用することも、鉄と同様に、これら特許の記載事項に反して、金ワイヤと亜鉛とのボンディング性が不足するので不利となる。
米国特許第５３００１５８号明細書（US 5,300,158 A）では、腐食を防止するため、かつ銅または銅合金から成る基板との付着性を改善するために、クロム（VI）を使用することが教示されている。
米国特許第６８５２４２７号明細書（US 6,852,427 A）には、銅の腐食を防止するために、少なくとも１つの金属（例えば亜鉛）を含む溶液を使用することができ、それと同時に、かかる溶液が付着性の改善を達成する旨が開示されている。同文献は主に、クロム（VI）の使用を回避することに関するものである。
米国特許出願公開第２００５／０１２１３３０号明細書（US 2005/0121330 A1）も、銅表面にのみ関するものである。銀および金ワイヤと銀表面とのボンディング性については、検討がなされていない。
銀と樹脂との間の付着性不足の問題を解決するため、国際公開第２０１０／０４３２９１号（WO 2010/043291 A1）は、銀表面と樹脂材料との間の付着性を改善する方法であって、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された水酸化物を含む溶液を用いて銀表面を電解処理するステップを有する方法を記載している。当該方法では、リードフレームの銀表面とアノードとをこの溶液に接触させて、銀表面がカソードとして作用する間、銀表面を処理するために溶液に電流を通す。このようにして処理された銀表面は、樹脂材料との間に改善された付着性を示す。この溶液は、例えばメタケイ酸ナトリウムまたはメタケイ酸カリウムまたはメタケイ酸アンモニウム等のケイ酸塩を含むこともできる。
上述の国際公開第２０１０／０４３２９１号の方法を適用できるにもかかわらず、銀とモールド材料との間の付着は、銅と樹脂との界面と比較すると、弱い境界面を示すとの一般的な認識が残る。
定義
本願において使用されている「リードフレーム」との用語は、１つまたは複数の半導体部品用の金属性の支持体であって、１つの半導体部品を搭載するように構成されたダイパッドを有するコアを備えた金属性の支持体をいい、当該リードフレームはさらに、回路板等に接続またはソルダリングされるように構成された外部リードも備えている。
本願において使用されている「リードフレーム構造体」との用語は、複数の（少なくとも２つの）リードフレームエンティティ（以下参照）を備えたマルチパネルであって、当該複数のリードフレームエンティティは当該マルチパネルの一部を構成し、各リードフレームエンティティはリードフレームの外側輪郭を有するマルチパネルをいう。数百個ものリードフレームエンティティを有するロールの形態で上述のマルチパネルを調達するのが通常である。かかるロールは、リール・トゥ・リール機で用いることができる。リードフレームは、このマルチパネルからリードフレームエンティティを個片化することによって得ることができる。しかし一般的には、半導体部品をリードフレーム構造体に搭載してこれを樹脂によって封止するためにリードフレーム構造体をさらに処理し、その後にのみ、得られたマルチパネルから個片化することによって表面実装電子部品が得られる。
本願において使用されている「リードフレームエンティティ」との用語は、リードフレーム構造体の一部、すなわち、リードフレーム構造体から外されたときにリードフレームを成す一部をいう。よって、リードフレームエンティティはリードフレームと同一の外側輪郭を有する。
本願において使用されている「リードフレーム本体」との用語は、リードフレームを製造するために使用される単独の金属性ブランクであって、リードフレームの外側輪郭を有する金属性ブランクをいう。本願において、当該用語は、リードフレームを成す前、すなわち処理層形成の完了後までに得られる全ての中間製品をいう。
本願において使用されている「リードフレーム本体構造体」との用語は、複数の（少なくとも２つの）リードフレーム本体エンティティ（以下参照）を備えたマルチパネルであって、当該複数のリードフレーム本体エンティティは当該マルチパネルの一部を構成し、各リードフレーム本体エンティティはリードフレームの外側輪郭を有するマルチパネルをいう。リードフレーム本体構造体は、本発明の方法を使用することによってリードフレーム構造体を成すように構成されている。本特許出願においては当該用語は、リードフレーム構造体を成す前、すなわち処理層形成の完了後までに得られる全ての中間製品をいう。
本願において使用されている「リードフレーム本体エンティティ」との用語は、リードフレーム本体構造体の一部、すなわち、リードフレーム本体構造体から外されたときにリードフレーム本体を成す一部をいう。よって、リードフレーム本体エンティティはリードフレーム本体と同一の外側輪郭を有する。本特許出願においては当該用語は、リードフレームエンティティを成す前、すなわち処理層形成の完了後までに得られる全ての中間製品をいう。
本願において使用されている「表面実装電子部品構造体」との用語は、複数の（少なくとも２つの）表面実装電子部品エンティティ（以下参照）を有するマルチパネルであって、当該複数の表面実装電子部品エンティティが当該マルチパネルの一部を構成するマルチパネルをいう。本発明の表面実装電子部品は、マルチパネルから表面実装電子部品エンティティを個片化することによって得られる。
本願において使用されている「表面実装電子部品エンティティ」との用語は、表面実装電子部品構造体の一部、すなわち、表面実装電子部品構造体から外されたときに表面実装電子部品を成す一部をいう。
本願において使用されている（銀、銅）「表面」との用語は、１つの表面または２つの表面をいい、１つの表面とは、リードフレーム本体（構造体）の片側の主面にあるもの、またはリードフレーム（構造体）もしくはリードフレームエンティティの片面にあるものをいい、２つの表面とは、リードフレーム本体（構造体）の２つの主面にあるもの、またはリードフレーム（構造体）もしくはリードフレームエンティティの２つの面にあるものをいい、リードフレーム本体（構造体）またはリードフレーム（構造体）またはリードフレームエンティティの各１つに１つの表面が存在する。
本願において使用されている「銀コーティング」との用語は、１つのコーティングまたは２つのコーティングをいい、１つのコーティングとは、リードフレーム本体（構造体）の片側の主面に施されるもの、またはリードフレーム（構造体）もしくはリードフレームエンティティの片面にあるものをいい、２つのコーティングとは、リードフレーム本体（構造体）の２つの主面に施されるもの、またはリードフレーム（構造体）もしくはリードフレームエンティティの２つの面にあるものをいい、リードフレーム本体（構造体）またはリードフレーム（構造体）またはリードフレームエンティティの各１つに１つの銀コーティングが存在する。
本願において使用されている「銅」（表面）との用語は、純銅および銅合金の双方をいう。
本願において使用されている「銀」（表面）との用語は、純銀および銀合金の双方をいう。
本願において使用されている「封止」および「封止されている」との用語は、リードフレーム（構造体）の両面にモールド材料を施すこと、またはリードフレーム（構造体）もしくはリードフレームエンティティの、少なくとも１つの半導体部品が搭載されている面に、モールド材料を施すことのいずれかをいう。リードフレーム（構造体）の２つの面のコーティングを含む封止は、好適には、リードフレーム（エンティティ）のリードを未コーティング状態に維持しながら、当該リードフレーム（エンティティ）のコア領域（およびその上のダイパッド領域）をモールド材料によって完全に包囲することを含む。
本発明の課題
よって本発明の一課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面においてワイヤボンディングに供される処理された銀表面を露出させるリードフレーム構造体を製造する方法であって、樹脂が施された後に、例えばＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格等の厳しい試験条件下でも当該モールド材料の間に優れた付着性を有する表面が得られる方法を実現することである。
よって本発明の他の一課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面においてワイヤボンディングに供される処理された銀表面を露出させるリードフレーム構造体であって、樹脂が施された後に、例えばＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格等の厳しい試験条件下でも当該モールド材料との間に優れた付着性を有する表面を有するリードフレーム構造体を実現することである。
よって本発明のさらに他の一課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面においてワイヤボンディングに供される処理された銀表面を露出させるリードフレームを製造する方法であって、樹脂が施された後に、例えばＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格等の厳しい試験条件下でも当該モールド材料との間に優れた付着性を有する表面が得られる方法を実現することである。
よって本発明のさらに他の一課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面においてワイヤボンディングに供される処理された銀表面を露出させるリードフレームであって、樹脂が施された後に、例えばＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格等の厳しい試験条件下でも当該モールド材料との間に優れた付着性を有する表面を有するリードフレームを実現することである。
よって本発明のさらに他の一課題は、上記２つの面のうち少なくとも１つの面においてワイヤボンディングに供される処理された銀表面を露出させるリードフレームまたはリードフレームエンティティと、当該リードフレームまたはリードフレームエンティティに搭載された少なくとも１つの半導体部品と、を備えた表面実装電子部品を製造する方法であって、リードフレームまたはリードフレームエンティティに樹脂を施し、例えばＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格等の厳しい試験条件下でも当該リードフレームまたはリードフレームエンティティの表面と当該モールド材料との間に優れた付着性が得られる方法を実現することである。
よって本発明のさらに他の一課題は、２つの面のうち少なくとも１つの面においてワイヤボンディングに供される処理された銀表面を露出させるリードフレームまたはリードフレームエンティティと、当該リードフレームまたはリードフレームエンティティに搭載された少なくとも１つの半導体部品と、を備えた表面実装電子部品であって、リードフレームまたはリードフレームエンティティに樹脂が施されており、例えばＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ‐ＳＴＤ‐２０ ＭＳＬ標準規格等の厳しい試験条件下でも当該リードフレームまたはリードフレームエンティティの表面と当該モールド材料との間に優れた付着性を有する表面実装電子部品を実現することである。
よって、本発明の他の一課題は、短時間で簡単に実施できる方法であって、投資コストが低く、生じる廃棄材料が少量であり、かつ有害な材料の使用を回避できる方法を実現することである。
本発明の第１の側面では、前記課題は、２つの面を有し、かつ当該２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出するリードフレーム構造体を製造する方法であって、
（ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、当該各主面において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体構造体を調達するステップと、
（ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が未処理の銀表面を露出させるように、当該主面のうち当該少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、
（ｃ）リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することにより、２つの面をそれぞれ有する少なくとも２つのリードフレームエンティティであって、前記処理された銀表面を少なくとも一部において露出させる少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えた前記リードフレーム構造体を製造するステップと
を有し、
前記ステップはこの順序で実施される方法によって解決される。
上記ステップは、直接連続して実施することができ、またはより好適には、上記ステップの間に他のステップを実施しつつ上記ステップを実施することができる。この他のステップは、例えばリンジングステップとすることができる。さらに、ステップ（ａ）の前および／またはステップ（ｃ）の後に追加のステップを実施することもできる。
前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
本発明の第２の側面では前記課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレーム構造体であって、当該リードフレーム構造体は、それぞれ２つの面を有する少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えており、当該リードフレーム構造体は、
（ｉ）２つの主面を有する銅製のリードフレーム本体構造体を備えており、
（ii）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち当該少なくとも１つの主面に銀コーティングがコーティングされており、
（iii）前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面にはさらに、リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて前記リードフレーム本体構造体の前記主面のうち当該少なくとも１つの主面の当該未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層が設けられている
ことにより製造されたリードフレーム構造体によっても解決される。
前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部分は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記少なくとも１つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
本発明の第３の側面では、前記課題は、２つの面を有し、かつ当該２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレームを製造する方法であって、
（ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体であって、当該各主面において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体を調達するステップと、
（ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が未処理の銀表面を露出させるように、当該主面のうち当該少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、
（ｃ）リードフレーム本体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理するステップと
を有し、
前記ステップはこの順序で実施される方法によっても解決される。
上記ステップは、直接連続して実施することができ、またはより好適には、上記ステップの間に他のステップを実施しつつ上記ステップを実施することができる。この他のステップは、例えばリンジングステップとすることができる。さらに、ステップ（ａ）の前および／またはステップ（ｃ）の後に追加のステップを実施することもできる。
前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記リードフレームの前記２つの面の各々において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
本発明の第４の側面では前記課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレームであって、当該リードフレームは、
（ｉ）２つの主面を有する銅製のリードフレーム本体を備えており、
（ii）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち当該少なくとも１つの主面に銀コーティングがコーティングされており、
（iii）前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面にはさらに、リードフレーム本体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて前記リードフレーム本体の前記主面のうち当該少なくとも１つの主面の当該未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層が設けられている
ことにより製造されたリードフレームによっても解決される。
前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記リードフレームの前記２つの面の各々において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
本発明の第５の側面では、前記課題は、表面実装電子部品を製造する方法であって、
（ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、当該各主面において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体構造体を調達するステップと、
（ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が未処理の銀表面を露出させるように、当該主面のうち当該少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、
（ｃ）リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することにより、２つの面をそれぞれ有する少なくとも２つのリードフレームエンティティであって、少なくとも一部が前記処理された銀表面を露出させる少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えたリードフレーム構造体を製造するステップと、
（ｄ）少なくとも１つの半導体部品を前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つに搭載して、前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち当該少なくとも１つと前記少なくとも１つの半導体部品との間に電気的接続部を形成できる、当該少なくとも１つの半導体部品と前記処理された銀表面とのボンディングを行うステップと、
（ｅ）樹脂材料を用いて前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち前記少なくとも１つを前記少なくとも１つの半導体部品と共に封止することにより、少なくとも１つの表面実装電子部品構造体を構成するステップと、
（ｆ）前記表面実装電子部品構造体から前記表面実装電子部品を個片化するステップと
を有し、
前記ステップはこの順序で実施される方法によっても解決される。
上記ステップは、直接連続して実施することができ、またはより好適には、上記ステップの間に他のステップを実施しつつ上記ステップを実施することができる。この他のステップは、例えばリンジングステップとすることができる。さらに、ステップ（ａ）の前および／またはステップ（ｆ）の後に追加のステップを実施することもできる。
前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
本発明の第６の側面では、前記課題は、
（Ａ）２つの面を有するリードフレームであって、当該リードフレームは、当該リードフレームの前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させ、当該リードフレームは、
（ｉ）２つの主面を有する銅製のリードフレーム本体を備えており、
（ii）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち当該少なくとも１つの主面に銀コーティングがコーティングされており、
（iii）前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面にはさらに、リードフレーム本体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて前記未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層が設けられていることにより製造されたリードフレームと、
（Ｂ）前記リードフレームの前記２つの面のうち前記処理された銀表面を露出させる前記少なくとも１つの面に搭載された少なくとも１つの半導体部品であって、前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面において前記処理された銀表面にボンディングされており、前記ボンディングは、前記リードフレームと前記少なくとも１つの半導体部品との間に電気的接続部を形成することができる半導体部品と
を備えた表面実装電子部品であって、
前記少なくとも１つの半導体部品と前記リードフレームとは共に樹脂材料によって封止されている
表面実装電子部品によっても解決される。
前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記リードフレームの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
本発明の第７の側面では前記課題は、２つの面を有し、当該２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレーム構造体であって、それぞれ２つの面を有する少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えたリードフレーム構造体を製造する方法によっても解決される。当該方法は、
・２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、前記主面のうち前記なくとも１つの主面に前記未処理の銀表面が設けられたリードフレーム本体構造体を電解処理するステップ
を有する。
前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、当該処理された銀表面の面積より小さい。
リードフレームは、マルチパネル（リードフレーム構造体）から製造することができる。かかるマルチパネルは最初は、本発明のリードフレーム本体構造体の形態で調達される。このマルチパネルは、本発明の方法を使用してリードフレーム構造体が得られるように処理される。このマルチパネルは、少なくとも２つのリードフレームエンティティ、すなわち、当該マルチパネルから個片化することができる要素であって、当該個片化の結果としてリードフレームを成す少なくとも２つの要素を含む。
リードフレームは、それぞれ１つのリードフレーム表面を露出する２つの面を有する。
銀表面は、リードフレームまたはリードフレーム構造体の前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面を少なくとも部分的に覆い、銀コーティングは完全に、リードフレームもしくはリードフレーム構造体エンティティの一方もしくは双方の面に存在し、または１つのリードフレームもしくはリードフレーム構造体上の複数の個別のリードフレームエンティティに相当する全ての領域（追加された領域）にある処理された銀表面の面積は、当該リードフレームまたはリードフレーム構造体エンティティの当該面の当該領域にある銅表面の面積より大きい（またはリードフレームもしくはリードフレーム構造体エンティティの両方の各面にそれぞれ対応する条件が適用される）。当該２つの面のうち少なくとも１つの面の全部がこの領域において銀表面を露出していない場合には、当該面にありかつ当該領域にある銀表面の面積は、対応する銅表面の面積より大きい。より好適な一実施形態では、リードフレームまたはリードフレーム構造体エンティティの前記２つの面の各々は、当該リードフレーム領域または当該リードフレームエンティティ領域（追加された領域）の全部を基準として銀表面面積が９０％である銀表面を露出し、かつ当該領域の全部（追加された領域）を基準として銅表面面積が１０％である銅表面を露出する。さらに好適な一実施形態では、リードフレームまたはリードフレーム構造体エンティティの前記２つの面の各々は、当該リードフレームまたは当該リードフレームエンティティ領域（追加された領域）の全部を基準として銀表面面積が９５％である銀表面を露出し、かつ当該領域の全部（追加された領域）を基準として銅表面面積が５％である銅表面を露出する。したがって、リードフレームまたはリードフレーム構造体エンティティの２つの面のうち前記少なくとも１つの面の少なくとも一部は銀を露出し、（一方または双方の）当該面の他の残りの領域は銅を露出する。よって、本発明の方法のいずれか１つの方法を使用することにより、リードフレーム本体もしくはリードフレーム本体構造体の一方または両方の主面の部分表面領域に銀コーティングが生成され、またはリードフレーム本体もしくはリードフレーム本体構造体の一方または両方の主面の全部に銀コーティングが生成される。しかし本発明の方法は、例えばエッチング等によって銀コーティングの一部を除去するステップを含まない。後者のステップは、従来のプロセスにおいて銀表面面積を最小限にするために慣用されているものである。
産業界の予想に反して、上記の方法を用いて、リードフレームまたはリードフレーム本体構造体をカソードとして、少なくとも１つの水酸化化合物、例えば水酸化塩等を含む前記処理溶液を用いて未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層を当該未処理の銀表面上に生成する場合、リードフレーム表面とモールド材料との間の優れた付着性は、当該リードフレームエンティティの銅表面の面積が前記処理された銀表面の面積より小さくなるように、その表面上の処理された銀の面積より小さい程度の面積で銅を露出させることによって達成される。（銅表面面積が無い、または僅かしかない状態での）処理された銀表面に施されたモールド材料を含めた表面実装電子部品の湿度条件下での経時変化によって、銀表面面積が最小限にされ銅表面面積が最大限にされている表面実装電子部品より、良好な付着性が得られることが判明した。
この結果は、銅酸化物が限られた厚さでのみ生成された場合にのみ、湿度により生じる銅酸化物生成が有利となることができ、それに対して、銅酸化物生成が過剰になると付着性が低減することになることに起因する、と考えられる。理論に拘束されるものではないが、付着性のこの低減は、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の銅表面を銀コーティングによって覆うことにより防止されると考えられている。さらに、水分吸収により銀が酸化物層により覆われる程度は銅よりも小さいので、酸化物層の過剰形成の不利な現象は銅表面によってのみ深刻となるのであって、処理された銀表面によっては深刻にならないとも考えられている。さらに、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体をカソードとして、少なくとも１つの水酸化化合物を含む前記処理溶液を用いて前記未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層を生成することにより、処理された銀表面と樹脂材料との間の優れた付着性が可能になる。
理論に拘束されないが、さらに、処理溶液を用いて処理を行うと、未処理の銀表面上に生成される酸化物層（処理層）が増加するが、この層は非常に薄くコンパクトであるから、当該層内における破壊は容易に生じることができないとも考えられている。
本発明の方法はさらに、従来の方法より実施が格段に容易であるという利点も奏する。これは例えば、本方法が、リードフレームとモールド材料との間の良好な付着性を保証するために銀表面を可能な限り小さくするため、成膜された銀の一部を除去することを含まないことに拠るものである。その理由は、現在に至るまで産業が、良好な付着性を保証するためにモールド材料に対して銅表面を可能な限り大きくすることを目標としてきたからである。さらに、従来実施されていたような厚い銀形成を達成するための追加のスポットめっきは、もはや必要でなくなったことも証明されている。よって、本方法は格段に短時間となる。すなわち、従来の方法よりも方法のステップ数が少なくなる。このことによってラインも短くなり、投入される投資も少なくなり、また化学物質の消費量も減少し、とりわけ貴金属が減少し、環境問題にも対応するために処理すべき廃棄物も少なくなる。本発明は、モールド材料が処理された銀表面にのみ直接接触する場合であっても、リードフレームとモールド材料との間に（平坦または粗面の銅表面と比較しても）良好かつ大幅に改善された付着性を実現することが証明されている。
さらに、本発明の表面実装電子部品は従来の部品よりも高い信頼性および品質を示す。
さらに、従来の方法、リードフレーム構造体、リードフレームおよび表面実装電子部品と比較して、銀コーティングの厚さを非常に薄くすることができる利点も奏することが証明されている。このことによって、銀コーティングを製造する際の製造速度を格段に速くすることが可能になり、またはより好適には、電気化学的銀成膜を行うときの電流密度を銀めっきのために低い値に設定できるように、また、これによってシアン化銀めっき溶液が不要となるように、より遅い銀めっき速度を使用することができる。よって、本発明の方法において有害物質を使用することを防止することができる。
本発明の好適な一実施形態では、上記銀コーティングがリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の前記主面のうち少なくとも１つの主面、より好適には、ワイヤボンディング部と結合される前記１つの主面を完全に覆うように、当該リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体に前記銀コーティングを設ける。かかる場合には、前記主面のうち少なくとも１つの主面は、処理された銀表面のみを露出させる。
他方、リードフレームまたはリードフレーム構造体エンティティのうち銀表面を露出する部分をモールド材料に接触させ、なおかつ表面の他の部分が、処理された銀表面を露出する必要がないように、リードフレームまたはリードフレーム構造体エンティティの一部のみをモールド材料に接触させる場合、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の一部を銀によってコーティングすることが有利となり得る。また製造上の理由により、例えば、銀をリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体に塗布するために、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体を把持具によって把持してこれを電気めっき槽中に通し、把持具が、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体のうち把持具により把持される部分と共に、槽液と接触するのが阻害されて、当該部分に銀が堆積しない場合にも、一部の銀コーティングが有利となり得る。さらに、モールド材料との間に強い付着性を可能にするために、上記リードフレームまたはリードフレーム構造体のうち合成樹脂（モールド材料）と接触し得ない領域で、不要になるものもある。このような領域は、後続の錫めっき処理の前に除去しなければならないモールドフラッシュ（流出）が見られることが多い、リードフレームまたはリードフレームエンティティの外部リード領域であり得る。かかる領域ではもちろん、モールド材料との間に良好な付着性を保証する銀表面は、好ましくない。
リードフレームまたはリードフレーム構造体の前記２つの面のうち少なくとも１つの面の一部が、処理された銀表面を露出し、一部が銅表面を露出する場合、当該２つの面のうち当該少なくとも１つの面の処理された銀表面を１つのコヒーレントな表面領域に形成することができ、または代替的に、互いに分離された複数の表面領域に分布させることができる。
本発明の他の好適な一実施形態では、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体は銅から成り、または例えば銅／錫合金、銅／鉄／リン合金または銅／クロム／錫／亜鉛合金等の銅合金から成る。
本発明の好適な一実施形態では、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の少なくとも１つの表面が、銀を施すために、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体を処理する前に洗浄される。洗浄は好適には、脱脂処理および酸洗いを含めた従来の手法により行われる。
本発明の好適な一実施形態では、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体のうち前記少なくとも１つが、銀を施すためにリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体を処理する前に活性化される。この活性化は、銅表面を酸処理することによって行うことができる。
本発明の他の有利な一実施形態では、銀コーティングは、銀めっき溶液を用いて銀を成膜する方法を用いて生成される。この銀表面は、実質的に純粋な（９９重量％超）銀から成ることができ、または十分に高い銀含有率（９０重量％超、より有利には９５重量％超）を有する銀合金から成ることができる。一般的に銀めっき処理は、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体を銀めっき溶液と接触させることによって行われる。電気化学的手法を用いることもできるが、上記手法は、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体と対向電極とを銀めっき溶液に接触させて両者間に外部電流を流す電気化学的手法であることを要しない。よって一実施形態では、銀めっき溶液と接触する、カソードとなるリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体と、アノードとの間に電流を通さない化学（浸漬または無電解）めっき法によって、銀めっきを行うことができる。銀めっき溶液は、銀錯化合物を含む（かつ成膜しようとする他の金属をオプションとして含む）水系溶液とすることができ、銀錯化合物は好適には、シアン化銀または他の銀錯化合物とすることができる。銀めっき溶液は、電解銀下地めっき組成、または銀浸漬めっき組成、または無電解銀めっき組成とすることができる。下地めっき組成は、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体に電流を流すことによって銀を成膜する電気化学めっき法において使用される。浸漬めっきでは、銅をこの溶液中に溶解させて銅イオンにしながらリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の銅表面上に銀を成膜させる。銀下地めっき溶液、銀浸漬めっき溶液、および無電解めっき溶液の典型的な組成は、当業者に周知である。
上記のようにして生成された銀表面は、実質的に純粋な（９９重量％超）銀から成ることができ、または十分に高い銀含有率（９５重量％超）を有する銀合金から成ることができる。０．１μｍの厚さの銀コーティングを生成するためには、シアン化物を含む銀めっき溶液中での電気化学めっき処理を５〜１２０ｓにわたって、より好適には５〜６０ｓにわたって、さらに好適には７〜３０ｓにわたって、最も好適には８〜２０ｓにわたって、例えば１０ｓにわたって行う。非シアン化物銀めっきを行うめっき時間は、これらの値（数値範囲）の１．５〜２．５倍、好適には２倍である。電気化学めっきは好適には、０．２５〜３．０Ａ／ｄｍ２で、好適には０．５〜１Ａ／ｄｍ２で行われる。銀めっき溶液の種類に依存して、好適には、例えば１０〜６０℃の範囲の温度で動作する。
本発明の他の好適な一実施形態では、生成された銀コーティングは最大２μｍの厚さである。さらに好適な一実施形態では、銀コーティングは最大１．５μｍの厚さ、さらに好適には最大１μｍ、さらに好適には最大０．５μｍ、さらに好適には最大０．２５μｍ、さらに好適には最大０．１５μｍ、最も好適には約（±０．０２μｍ）０．１μｍの厚さである。銀コーティングの最小厚さは少なくとも０．００５μｍ、さらに好適には少なくとも０．０１μｍ、さらに好適には少なくとも０．０２５μｍ、さらに好適には少なくとも０．０４μｍ、最も好適には約（±０．０２μｍ）０．０７μｍと小さくすることができる。
本発明の好適な一実施形態では、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体に生成された未処理の銀表面は、前記少なくとも１つの水酸化化合物を含む前記処理溶液を用いて処理される。本ステップは好適には、少なくとも１つの表面実装部品をリードフレームまたはリードフレーム構造体に搭載してボンディングする（ステップ（ｄ））前に行われるが、原則的に、ボンディングが行われた後に行うこともできる。
本ステップを行うためには、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体と少なくとも１つのアノードとを処理溶液に接触させ、当該溶液に電流を通すため、カソードとして働く当該リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の未処理の銀表面と、当該少なくとも１つのアノードとの間に電圧を印加する。このようにして処理された銀表面は、樹脂材料との間に改善された付着性を示し、とりわけ、例えばＳＭＤ等の電子部品の製造用のモールド材料として使用される樹脂材料との間に改善された付着性を示す。
かかる処理によって、銀コーティングの表面に非常に薄い酸化銀層（処理層）が生成されることが証明されており、これはＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって検出することができる。この処理層の厚さは、０．５〜２ｎｍ（０．０００５〜０．００２μｍ）になることが確認されている。
本発明の他の好適な一実施形態では、処理溶液を用いたリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の未処理の銀表面の処理は、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体をカソードに分極することによって行われる。本ステップにおいて適用される電流密度は、特に限定されない。一般的に、カソード密度は２〜４０Ａ／ｄｍ２とすることができ、好適には４〜３２Ａ／ｄｍ２とすることができる。処理溶液が少なくとも１つの水酸化化合物のみを含み、他の成分を含まない場合（例えば、水中に水酸化ナトリウムのみを含む場合）、カソード密度は一般的に８〜２４Ａ／ｄｍ２となり、好適には１２〜１６Ａ／ｄｍ２となる。処理溶液がさらにケイ酸塩を含む場合、一般的にカソード密度は４〜１６Ａ／ｄｍ２となり、好適には８〜１２Ａ／ｄｍ２となる。一般的に、電流密度が高くなると付着性の改善が大きくなる。原則的に、電流密度はカソードと（１つまたは複数の）アノードとの間に印加される電圧によってのみ制限を受ける。
処理溶液の温度は好適には１５〜７５℃の範囲、より好適には２０〜５０℃の範囲、最も好適には３５〜４５℃の範囲である。
本発明の他の好適な一実施形態では、処理溶液を用いた未処理の銀表面の処理時間は特に限定されない。一般的に、当該時間は５〜３００ｓの範囲となり、好適には２５〜６０ｓの範囲となる。一般的には、処理時間を長くしても、銀表面と樹脂材料との間の付着力の改善の増大にはならない。しかし、特にリードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体を処理槽中にくぐらせる連続モードで処理を行う場合、時間を長くすることが不利となり得ることがあり、処理時間が長いと、槽の一端から他端までの距離を過度に長くする必要が生じ得る。よって、カソード電流密度を増大することによって処理時間を短くすることができる。これは、過度の電圧を回避するために（１つまたは複数の）アノードのサイズの適切な増大を要することがあり得る。
本発明の他の好適な一実施形態では、アルカリ金属水酸化化合物は水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）および水酸化カリウム（ＫＯＨ）である。適切なアンモニウム水酸化化合物は、一般化学式ＮＲ４−ｎＨｎＯＨを有する水酸化アンモニウムであり、ここで各Ｒは、１〜１２個の炭素原子、好適には１〜６個の炭素原子を有するアルキル基の中から独立して選択されるものである。好適な水酸化化合物は、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。
処理溶液中の少なくとも１つの水酸化化合物の濃度は、一般的には１０〜５００ｇ／ｌ、好適には１００〜２００ｇ／ｌ、例えば約１５０ｇ／ｌである。一般的に、処理溶液が以下説明する伝導率増加性の塩のうちいずれか１つを含む場合、より少ない濃度の水酸化物で足りる。
本発明の他の好適な一実施形態では、処理溶液はさらに、例えばメタケイ酸ナトリウムまたはメタケイ酸カリウムまたはメタケイ酸アンモニウム等の少なくとも１つのケイ酸塩を含む。例えばＮａ３ＨＳｉＯ４・５Ｈ２Ｏ等のセスキケイ酸塩またはこれに相当するアルカリ塩およびアンモニウム塩を使用することもできる。好適なケイ酸塩はポリケイ酸塩、好適には、化学式Ｍ２Ｏ・ｎＳｉＯ２によって記述できる可溶性のアルカリ金属またはアンモニウムポリシリケートであり、ここで、ｎは約１〜４であり、Ｍは、一般化学式ＮＲ４−ｎＨｎ ＋を有するアルカリ金属またはアンモニウムイオンであり、同式中、各Ｒは独立して、１〜１２個の炭素原子、好適には１〜６個の炭素原子を有するアルキル基である。
かかるケイ酸塩が処理溶液中に存在することにより、処理された銀表面と樹脂との間の付着性の改善がさらに大きくなることが発見された。ケイ酸塩が使用される場合、処理溶液中のその濃度は、一般的には１〜１００ｇ／ｌ、好適には１０〜５０ｇ／ｌとなる。
オプションとして、処理溶液は１つまたは複数の伝導率増加性の塩を含むことができる。好適な伝導率増加性の塩は、硫酸塩およびポリリン酸塩、好適にはアルカリカチオン、アンモニウムカチオンまたはアルカリ土類カチオンを有するもの、例えば硫酸ナトリウムまたは硫酸カリウムまたはトリポリリン酸ナトリウムまたはトリポリリン酸カリウム（Ｎａ５Ｐ３Ｏ１０またはＫ５Ｐ３Ｏ１０）等である。これに相当するアンモニウム塩を使用することもできる。かかる伝導率増加性の塩は、カソード（リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体）と（１つまたは複数の）アノードとの間の電圧を低下させるため、かつ電流密度を増加させるために使用することができる。伝導率増加性の塩が使用される場合、処理溶液中のその濃度は、一般的には１〜１００ｇ／ｌ、好適には１０〜５０ｇ／ｌとなる。かかる塩は、単独で使用される場合、付着性増加作用を有しないことが発見された。
処理溶液のｐＨは７超、好適には１０超である。
さらに、処理溶液は複数の界面活性剤のうち１つを含むことができ、これはイオン性または非イオン性とすることができる。処理溶液を用いて未処理の銀表面を処理するステップは、当該銀表面にいずれかの金属を成膜することによって省略することができる。
本発明の他の好適な一実施形態では、銅防錆溶液を用いて、リードフレームまたはリードフレーム構造体の表面に存在する任意の銅表面を処理する。この溶液は、ベンゾトリアゾールの水溶液とすることができる。当該溶液中の防錆処理は、５〜１２０ｓにわたって、より好適には５〜６０ｓにわたって、さらに好適には７〜３０ｓにわたって、最も好適には８〜２０ｓにわたって、例えば１０ｓにわたって行われる。この銅防錆溶液は好適には、例えば３０〜５０℃で動作する。リードフレーム（エンティティ）の前記２つの面のうち少なくとも１つの面が、処理された銀表面を露出するのみである場合には、防錆処理は不要となるので、本ステップを省略することができる。
本発明の他の好適な一実施形態では、銀コーティング表面に処理層を施されたリードフレームまたはリードフレーム構造体にさらに、モールド材料からのエポキシ樹脂流出を防止する有機保護コーティングが施されている。
その後、上述のようにして製造されたリードフレームまたはリードフレーム構造体に（１つまたは複数の）半導体部品等を搭載する。次に、例えば金ワイヤを用いて公知のプロセスを使用して、とりわけＴＳＢによって、当該（１つまたは複数の）半導体部品をリードフレームまたはリードフレーム構造体にボンディングする。金ワイヤは、リードフレームまたはリードフレーム構造体の処理された銀表面に溶接される。
その後、モールド材料を用いて、少なくとも１つの半導体部品が搭載されたリードフレームもしくはリードフレームエンティティのコア（ダイパッド）と、当該少なくとも１つの半導体部品とを封止し、または少なくとも、リードフレームもしくはリードフレーム構造体の、少なくとも１つの半導体部品が搭載された面に、モールド材料を施す。
最後に、個片化手法を用いて、モールド材料を用いて封止された半導体部品を備えている表面実装電子部品構造体を処理することにより、個別の表面実装電子部品を得る。かかる個片化は、本発明の一実施形態では打抜き手法、カット手法、またはソーイング手法を用いて行うことができる。
本発明の他の好適な一実施形態では、モールド材料を構成するために使用される樹脂材料は、エポキシ樹脂、または例えば７５〜９５重量％のフェノール樹脂と０．１〜０．５重量％のカーボンブラックとから成る商業的に入手可能な製品Ｓｕｍｉｔｏｍｏ ＥＭＥ‐Ｇ６００（商標）、もしくは約８６重量％のシリカ粉末と約１．０重量％の三酸化アンチモンと約１１重量％のエポキシ樹脂と約１．０重量％の臭素化樹脂と約１．０重量％の触媒、軟化剤、離型材、顔料およびプライマーとから成るモールド材料Ｓｕｍｉｔｏｍｏ ＥＭＥ ７３５１ ＴＱ（商標）等のエポキシモールド材料とすることができる。モールド材料は、約８０重量％の溶融シリカと、フレキシブルなエポキシ樹脂と、硬化剤と、遷移金属酸化物／窒素難燃剤と、ゴムまたは熱可塑性軟化剤と、シランとから成る臭素不含の（「グリーン」）モールド材料とすることもできる。
以下に示す、実施例を示した図面は、本発明をより詳細に説明するものである。この説明は、本発明の範囲を限定するものとみなすべきものではなく、その説明に供されるのみである。
第１の実施形態のリードフレーム構造体（リードフレームエンティティのマルチパネル）の平面図である。 リードフレーム構造体（マルチパネル；第２の実施形態）を備えた表面実装電子部品エンティティのマルチパネル（表面実装電子部品構造体）の平面図である。 モールド材料とリードフレーム材料との付着性を、そのまま調べられた供試品であるリードフレーム材料に被着されたボタンを剪断するために使用された力Ｆｓｈｅａｒで示すグラフ（試験フロー１）である。 モールド材料とリードフレーム材料との付着性を、極度の熱負荷後に調べられた供試品であるリードフレーム材料に被着されたボタンを剪断するために使用された力Ｆｓｈｅａｒで示すグラフ（試験フロー２）である。 モールド材料とリードフレーム材料との付着性を、湿度ストレス後に調べられた供試品であるリードフレーム材料に被着されたボタンを剪断するために使用された力Ｆｓｈｅａｒで示すグラフ（試験フロー３）である。 モールド材料とリードフレーム材料との付着性を、試験フロー１，２，３によって得られた平均値である、リードフレーム材料に被着されたボタンを剪断するために使用された力Ｆｓｈｅａｒで示す、グラフである。
図１および図２は、複数のリードフレームエンティティ１１０を有するリードフレーム構造体１００（それぞれ複数のリードフレームまたは表面実装電子部品２００を得るために個片化される）の実施形態を示している。両図は、リードフレーム構造体の上面１７０を示している。
図１は、第１の実施形態のリードフレームエンティティ１１０のマルチパネル１００を示している。このマルチパネル（リードフレーム構造体）は、１４個のリードフレームエンティティと、当該マルチパネルのうちエンティティに属さず個片化ステップにより除去される部分３００と、を有する。各リードフレームエンティティは、半導体部品（例えばＩＣチップ、図示されていない）を搭載できる、ダイパッドを有するコア１２０と、回路板等との外部接続に供される複数の脚部１３０と、を備えている。コアに搭載された半導体部品から個別の脚部へワイヤボンディングが行われる。リードフレームの個片化（または半導体部品がリードフレームエンティティに搭載およびボンディングされてリードフレームエンティティと半導体部品とが封止された後は、表面実装電子部品の個片化）は、破線１４０に沿って行われる。
図２は、リードフレームエンティティ１１０のマルチパネル１００を示しており、これらのリードフレームエンティティ１１０は、当該リードフレームエンティティ１１０に搭載されてボンディングされた半導体部品（図示されていない）を備えており、リードフレームエンティティ１１０は半導体部品と共に、モールド材料１６０を用いて封止されている。よって、この１つのマルチパネルに表面実装電子部品２００の複数のエンティティが含まれており、これらエンティティは、破線１４０に沿って示されているようにパネルから個片化することができる。パネルのその他の残りの部分３００は廃棄される。
図１，図２に示されている両実施形態には、銀がコーティングされている。図１に示されているマルチパネル１００には完全に銀がコーティングされているので、当該マルチパネル１００は、図示されている面において処理された銀表面のみを露出しており（銀表面占有率１００％）、それに対して図２に示されているパネル１００には、略完全に銀がコーティングされている。後者の場合、パネルの上縁部領域４００は銀を有しない状態に維持されているので、その下の銅表面を露出する。この領域に銀がコーティングされていないのは、パネルに銀をコーティングするために、この上縁部領域を除いて、パネル（リードフレーム本体構造体）が銀めっき槽中に浸漬されて、この領域には銀めっきが施されなかったからである。しかし、この領域はリードフレームエンティティ１１０の領域の一部に含まれないので、この銅表面は、本発明の処理された銀表面の部分的な露出を条件として、銅表面領域としてみなされない。よって、本実施例では、リードフレームエンティティには（例えば破線１４０によって囲まれた領域によって示されているように）完全に銀がコーティングされているので、本事例における銀表面占有率は１００％であり、銅表面占有率は０％である。
供試品準備：
表１に示されている方法を用いて、長さ３０ｃｍおよび幅５ｃｍのＣ１９４銅の条片（９７重量％の銅と、３重量％の鉄、リンおよび錫と、を含む銅合金）を処理した。これらの条片は、連続する複数のプロセスステップ間においてリンジングされた。この銅条片上に銀コーティングが成膜され、最後に、少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、カソード処理を用いて処理された。銀コーティングは銅条片を完全に覆い、指定された厚さを有していた。
銀めっきのみが施されており（厚さ３μｍの銀コーティング）他の処理は全くなされていない第１の供試品（「コントロール＃１」：「Ａｇ未処理」）と、銀めっきが施されており（厚さ３μｍの銀コーティング）、その後に少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて処理された第２の供試品（「コントロール＃２」：「Ａｇ‐ＡｇＰｒｅｐ」）と、銀めっきも他のいかなる処理剤を用いた処理も施されていない第３の供試品（「コントロール＃３」：「Ｃｕ Ｃ１９４未処理」）と、の３つのコントロール供試品を準備した。銀めっき処理は、条片の両面の全表面で行われた。
さらに、銀めっき処理と少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いた処理（「ＡｇＰｒｅｐ」）とを含む本発明の方法を使用して、６つの供試品（「供試品＃０」、「供試品＃１」、「供試品＃２」、「供試品＃３」、「供試品＃４」、「供試品＃５」）を準備した。これらの供試品の相違点は、銀コーティングの厚さであった。これらの供試品と関連するパラメータとを、表２に掲げている。
条片に処理を行った後、８つのプラスチックボタン（直径３ｍｍおよび高さ３ｍｍの樹脂材料（エポキシ樹脂）を含む円柱形のボタン）を、条片の１つの主面上に成形した。ボタンを被着した後、全ての条片にポストモールド硬化を施した（ポストモールド硬化：１７５℃で２時間）。その後、条片からボタンを剪断することによって当該ボタンと条片との付着性を試験し、剪断力Ｆｓｈｅａｒ［ＭＰａ］を測定した。
その後、第１の試験フロー（試験フロー１）で、条片を準備したときの状態のままで、すなわち他のいかなる処理も行わずに、剪断力Ｆｓｈｅａｒの測定によって調べた。
第２の試験フロー（試験フロー２）で、ボタンを銀コーティング表面に成形する前に、条片に熱負荷をかける（「熱負荷Ａ」、「極度の熱負荷」）。熱負荷Ａは、ピーク温度Ｔ２＝３００℃である１つの熱処理サイクル（最初に、温度を線形にＴ１＝２８０℃まで上昇させ、その後、温度をＴ１に維持し、その後、温度をＴ２まで線形に上昇させ、その後、温度をＴ３＝２８０℃まで線形に低下させ、その後、温度をＴ３に維持し、最後に温度を周囲温度まで線形に低下させる）から構成されたものであった。熱負荷Ａの総時間は、約６分であった。その後、剪断力Ｆｓｈｅａｒを測定した。
第３の試験フロー（試験フロー３）で、ポストモールド硬化後、条片にスチームエイジングを施し、その後、熱負荷をかけた（「熱負荷Ｂ」、「湿度ストレス」）。熱処理は、成形前には行われなかった。熱負荷Ｂは、９３℃かつ相対湿度９３％（９３％ＲＨ）で１８時間にわたる前処理から構成されたものであった。熱負荷Ｂは、それぞれピーク温度が２６０℃である３つの熱処理サイクル（最初に、温度を線形にＴ１＝１５０℃まで上昇させ、その後、温度をＴ１に維持し、その後、温度をＴ２＝２００℃まで線形に上昇させ、その後、温度をＴ２に維持し、その後、温度をさらにＴ３＝２６０℃まで線形に上昇させ、最後に温度を周囲温度まで線形に低下させる）から構成されたものであった。熱負荷Ｂの総時間は、約６分であった。熱負荷Ｂの後、剪断力Ｆｓｈｅａｒを測定した。
試験手法：
条片からボタンを剪断するために必要な力を測定することによって、剪断力Ｆｓｈｅａｒを評価した。この評価を行うため、デイジ（Dage）社によって製造された測定装置（４０００Ｐｌｕｓ）を使用した。１００ｍｍの距離から角度９０°で５０ｍｍ／ｍの速度で剪断力を印加した。各ボタンを剪断するために必要とされた力は、剪断力Ｆｓｈｅａｒ（単位ＭＰａ）として定めた。
結果：
試験フロー１（準備されたときのままの状態の供試品）によって得られた剪断力の結果を表３に示し、図３においてグラフィック表示している（箱のプロットは、測定された剪断力値の平均値および標準偏差を示している）。各供試品あたり、８つのボタンから得られた８つの測定結果が求められた。
試験フロー２（極度の熱負荷）によって得られた剪断力の結果を表４に示し、図４においてグラフィック表示している（箱のプロットは、測定された剪断力値の平均値および標準偏差を示している）。各供試品あたり、８つのボタンから得られた８つの測定結果が求められた。
試験フロー３（湿度ストレス）によって得られた剪断力の結果を表５に示し、図５においてグラフィック表示している（箱のプロットは、測定された剪断力値の平均値および標準偏差を示している）。各供試品あたり、８つのボタンから得られた８つの測定結果が求められた。
図６に、全ての供試品について行われた全ての試験の結果をまとめたグラフを示す。図に示されている結果は、表３〜表５から得られた平均値である。同図により、以下のことが認められる：
・本方法を実施した全ての事例において、すなわち、供試品の全表面にわたって銀コーティングを成膜してモールド材料ボタンと条片との間の界面の一部のみを覆うのではなく界面全部を覆うことにより（供試品＃０〜＃５）、優れた付着性（高い剪断力）が達成され、界面全部が銅から成るコントロール＃３によって得られた比較結果から明らかであるように、当該界面の一部のみが銀コーティングによって覆われる場合、コントロール＃１（全表面に銀がコーティングされている）より良好な付着性は達成できない。
・０．０８μｍの非常に薄い銀コーティングにおいて（供試品＃２〜＃５）剪断力は高いレベル（約２０ＭＰａ）に達し、供試品に０．０２μｍの厚さで銀がコーティングされた場合であっても、約１５〜約２０ＭＰａの間の高い剪断力が達成された（供試品＃０）。これは、厚さ３μｍの銀コーティングを有する対応する供試品（コントロール＃２）と略同程度の高さである。
・少なくとも極度の熱負荷をかけた場合（試験フロー２）、銅よりも銀の方が高い剪断力を達成することができる（コントロール＃１対コントロール＃３）。
・少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて処理を行うことにより、かかる処理を行わない場合より著しく高い剪断力が得られる（コントロール＃１対コントロール＃２）。
以上のことから、リードフレーム本体またはリードフレーム本体構造体の表面全部に銀コーティングを設けることにより、リードフレーム表面とモールド材料との間に優れた付着性を達成できることが明らかとなった。さらに、モールド材料との間に良好な付着性を達成するために銀の厚さを厚くする必要がないことも分かった。さらに、ＴＳＢを使用する場合、ＳＭＤと銀表面との良好な電気的ボンディングを保証するためには、銀の薄い厚さでも足りることが確認された。
Figure 2019512880
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１００ リードフレーム構造体、リードフレーム（エンティティ）のマルチパネル
１１０ リードフレームエンティティ
１２０ コア
１３０ 脚部
１４０ 個片化経路、破線
１５０ 銅表面
１６０ モールド材料（樹脂）
１７０ 上面
２００ 表面実装電子部品
３００ リードフレームエンティティに属しない部分
４００ 銀がコーティングされない面領域

Claims (14)

  1. リードフレーム構造体を製造する方法であって、
    前記リードフレーム構造体は、２つの面を有し、前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出し、
    （ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、前記主面の各々において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体構造体を調達するステップと、
    （ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、
    （ｃ）前記リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、前記ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することにより、２つの面をそれぞれ有する少なくとも２つのリードフレームエンティティであって、前記処理された銀表面を少なくとも一部において露出させる少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えた前記リードフレーム構造体を製造するステップと、
    を有し、
    前記ステップはこの順序で実施される方法において、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい、
    ことを特徴とする方法。
  2. 表面実装電子部品を製造する方法であって、
    （ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、前記主面の各々において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体構造体を調達するステップと、
    （ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、
    （ｃ）前記リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、前記ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することにより、２つの面をそれぞれ有する少なくとも２つのリードフレームエンティティであって、少なくとも一部が前記処理された銀表面を露出させる少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えたリードフレーム構造体を製造するステップと、
    （ｄ）少なくとも１つの半導体部品を前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つに搭載して、前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち前記少なくとも１つと前記少なくとも１つの半導体部品との間に電気的接続部を形成できる、前記少なくとも１つの半導体部品と前記処理された銀表面とのボンディングを行うステップと、
    （ｅ）樹脂材料を用いて前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち前記少なくとも１つを前記少なくとも１つの半導体部品と共に封止することにより、少なくとも１つの表面実装電子部品構造体を構成するステップと、
    （ｆ）前記表面実装電子部品構造体から前記表面実装電子部品を個片化するステップと、
    を有し、
    前記ステップはこの順序で実施される方法において、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい
    ことを特徴とする方法。
  3. 前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出させ、銅表面を露出させない、
    請求項１または２記載の方法。
  4. 前記銀コーティングは、最大２μｍの厚さである、
    請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  5. 前記処理溶液はさらに、少なくとも１つのケイ酸塩を含む、
    請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
  6. リードフレームを製造する方法であって、
    前記リードフレームは、２つの面を有し、前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出し、
    （ａ）２つの主面を有するリードフレーム本体であって、前記主面の各々において銅表面のみを露出させるリードフレーム本体を調達するステップと、
    （ｂ）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングを成膜するステップと、
    （ｃ）前記リードフレーム本体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、前記ステップ（ｂ）において生成された前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することにより、前記リードフレームを製造するステップと、
    を有し、
    前記ステップはこの順序で実施される方法において、
    前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は前記銅表面を露出させ、前記リードフレームの前記２つの面の各々において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい、
    ことを特徴とする方法。
  7. ２つの面を有し、前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレーム構造体であって、
    前記リードフレーム構造体は、それぞれ２つの面を有する少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えており、
    前記リードフレーム構造体は、
    （ｉ）２つの主面を有する銅製のリードフレーム本体構造体を備えており、
    （ii）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングがコーティングされており、
    （iii）前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面にはさらに、前記リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて前記リードフレーム本体構造体の前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層が設けられている、
    ことにより製造された、リードフレーム構造体において、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい、
    ことを特徴とするリードフレーム構造体。
  8. 前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出させ、銅表面を露出させない、
    請求項７記載のリードフレーム構造体。
  9. 前記銀コーティングは、最大２μｍの厚さである、
    請求項７または８記載のリードフレーム構造体。
  10. ２つの面を有し、前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレームであって、
    前記リードフレームは、
    （ｉ）２つの主面を有する銅製のリードフレーム本体を備えており、
    （ii）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングがコーティングされており、
    （iii）前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面にはさらに、前記リードフレーム本体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて前記リードフレーム本体の前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層が設けられている、
    ことにより製造されたリードフレームにおいて、
    前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は銅表面を露出させ、前記リードフレームの前記２つの面の各々において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい、
    ことを特徴とするリードフレーム。
  11. 表面実装電子部品であって、
    （Ａ）２つの面を有するリードフレームであって、前記リードフレームは、前記リードフレームの前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させ、前記リードフレームは、
    （ｉ）２つの主面を有する銅製のリードフレーム本体を備えており、
    （ii）前記主面のうち少なくとも１つの主面の少なくとも一部が、未処理の銀表面を露出させるように、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に銀コーティングがコーティングされており、
    （iii）前記主面のうち前記少なくとも１つの主面の前記未処理の銀表面にはさらに、前記リードフレーム本体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて前記未処理の銀表面を電解処理することによって得られる処理層が設けられていることにより製造されたリードフレームと、
    （Ｂ）前記リードフレームの前記２つの面のうち前記処理された銀表面を露出させる前記少なくとも１つの面に搭載された少なくとも１つの半導体部品であって、前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面において前記処理された銀表面にボンディングされており、前記ボンディングは、前記リードフレームと前記少なくとも１つの半導体部品との間に電気的接続部を形成することができる半導体部品と、
    を備えており、
    前記少なくとも１つの半導体部品と前記リードフレームとは、共に樹脂材料によって封止されている、表面実装電子部品において、
    前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は銅表面を露出させ、前記リードフレームの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい、
    ことを特徴とする表面実装電子部品。
  12. 前記リードフレームの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は前記処理された銀表面のみを露出させ、銅表面を露出させない、
    請求項１１記載の表面実装電子部品。
  13. 前記銀コーティングは、最大２μｍの厚さである、
    請求項１１または１２記載の表面実装電子部品。
  14. ２つの面を有し、前記２つの面のうち少なくとも１つの面において処理された銀表面を露出させるリードフレーム構造体であって、それぞれ２つの面を有する少なくとも２つのリードフレームエンティティを備えたリードフレーム構造体を製造する方法であって、
    ・２つの主面を有するリードフレーム本体構造体であって、前記リードフレーム本体構造体をカソードとして、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよびこれらの混合物から選択された少なくとも１つの水酸化化合物を含む処理溶液を用いて、前記主面のうち前記少なくとも１つの主面に未処理の銀表面が設けられたリードフレーム本体構造体を電解処理するステップ
    を有する、方法において、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面は、前記処理された銀表面のみを露出し、または、
    前記少なくとも２つのリードフレームエンティティのうち少なくとも１つのリードフレームエンティティの前記２つの面のうち前記少なくとも１つの面の一部は、前記処理された銀表面を露出させ、かつ一部は銅表面を露出させ、前記少なくとも２つの各リードフレームエンティティの前記２つの面のうち、一部が前記処理された銀表面を露出させる各面において、前記銅表面の面積は、前記処理された銀表面の面積より小さい、
    ことを特徴とする方法。
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