JPH11274177A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

リードフレームおよびその製造方法

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JPH11274177A JP10077737A JP7773798A JPH11274177A JP H11274177 A JPH11274177 A JP H11274177A JP 10077737 A JP10077737 A JP 10077737A JP 7773798 A JP7773798 A JP 7773798A JP H11274177 A JPH11274177 A JP H11274177A
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Akihiko Furuya
明彦 古屋
Masahiro Naka
政博 仲
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Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームとなる金属素材の粗面化、およ
び銅ストライクメッキ前後での粗面化処理工程を必要と
せず、物理的な樹脂密着性の不良（アンカリング効果の
不良）に起因したデラミネーションの発生を防止でき、
かつ、ワイヤーボンディング性を損なわない銅合金製の
樹脂封止型リードフレームを提供する。 【解決手段】銅合金材からなり、外部回路との結線を行
うアウターリードと、アウターリードに延在し、搭載す
る半導体素子上の接続用パッドと結線するためのインナ
ーリードとを少なくとも備え、銅ストライクメッキを介
し、所定の部位に部分銀メッキを施した樹脂封止型の半
導体装置用リードフレームであって、電解銅メッキによ
り形成した前記銅ストライクメッキが均一で粗大な結晶
粒を有することを特徴とするリードフレーム。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置等に用いる樹脂封止型のリードフレームに係わり、特
に、銅合金を素材とし、封止用樹脂との接合強度を向上
させたリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置に組み込まれるリ
ードフレームとして、銅合金を素材とし、金型を用いた
プレス法、もしくはフォトエッチング法等により形成さ
れたものが広く用いられている。
【０００３】また、リードフレームの種類の一つに、樹
脂封止（プラスチックパケージ）型のリードフレームが
知られている。樹脂封止（プラスチックパケージ）型リ
ードフレームの形態として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａ
ｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ
Ｃｈｉｐ）タイプ、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａ
ｄ）タイプ等があげられるが、ここでは、ＱＦＰ（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプを例にとり、
樹脂封止（プラスチックパケージ）型のリードフレーム
の一例の説明を簡単に行う。
【０００４】図６は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）タイプのリードフレームを模式的に示す
図である。ＱＦＰタイプのリードフレーム１２０は、図
６に示すように、半導体素子（ＩＣチップ）を搭載する
部位であるダイパッド１２１と、ダイパッド１２１上に
搭載する半導体素子に形成された接続用パッドと結線さ
れる、ダイパッド１２１の周囲に設けられた複数のイン
ナーリード１２３と、外部回路との結線を行う、インナ
ーリード１２３から連続するアウターリード１２２と、
リードフレーム１２０を樹脂封止する際に封止樹脂をせ
き止めるダムとなるダムバー１２４と、リードフレーム
１２０全体を保持するフレーム（枠）部１２５等を備え
ている。なお、ダムバー１２４および、フレーム（枠）
部１２５は、最終的に切断除去される部位である。
【０００５】半導体装置の断面を模式的に表す図５に示
すように、ダイパッド１２１上に半導体素子１１０を搭
載した後、半導体素子１１０に形成された端子（接続用
パッド１１１）とインナーリード１２３の先端部とを、
金（Ａｕ）等の細線（ワイヤー１３０）で結線（ワイヤ
ーボンディング）を行う。次いで、樹脂１３５にて半導
体素子１１０を覆うようダムバー１２４より内側を樹脂
封止した後、ダムバー１２４部の切断、アウターリード
１２２部を所定の形状に成形する等の工程を経て半導体
装置１００を得るものである。
【０００６】上述した例に示すリードフレーム１２０
は、ワイヤーボンディング時、および、ダイパッド１２
１に半導体素子１１０を搭載する際に、リードフレーム
との強い結合力と導電性を得るため、図４に示すよう
に、ワイヤーボンディングを行うインナーリード１２３
の先端部位、および半導体素子を搭載する面側のダイパ
ッド１２１面に少なくとも貴金属メッキを施しているも
のである。貴金属メッキとしては、銀メッキが一般的に
行われており、図４の例では、銀メッキ１４０部位を斜
線にて示している。なお、インナーリード１２３の先端
部位、および半導体素子を搭載する面側のダイパッド１
２１面等、リードフレーム１２０の所定の部位に選択的
に行う銀メッキを、以下、部分銀メッキと記す。
【０００７】従来、図４の例に示すような、銅合金を素
材とするリードフレーム１２０に部分銀メッキ処理を行
うにあたり、リードフレーム１２０上に銅ストライクメ
ッキを施した後、半導体素子搭載部であるダイパッド１
２１とインナーリード１２３の先端部とに部分銀メッキ
１４０を形成していたものである。その部分銀メッキ工
程の一例を以下に記す。
【０００８】まず、図３の工程図に示すように、プレス
法、もしくはフォトエッチング法等の公知の手段により
所定の形状に外形加工されたリードフレーム１２０に対
し、脱脂、酸洗浄等の前処理工程を行う。
【０００９】次いで、部分銀メッキの下地となる下地メ
ッキをリードフレーム１２０に施す。下地メッキは銅メ
ッキが通常的に用いられ、０．１〜０．２μｍ厚程度の
銅（Ｃｕ）ストライクメッキとすることが一般的となっ
ている。
【００１０】次いで、所定の領域（例えば、インナーリ
ード１２３の先端部位、および半導体素子を搭載する面
側のダイパッド１２１面等）に１．５〜１０μｍ厚程度
の部分銀メッキを施す。なお、部分銀メッキの手段とし
ては、所定の開口部を有するマスキング治具をリードフ
レームに密着させ、または、所定の開口部を有する電着
レジストをリードフレームに形成し、しかる後、リード
フレームに銀メッキを行うことで、開口部より露出した
部位に選択的に銀メッキを行う方法等が知られている。
【００１１】次いで、メッキ液がモレる等で、部分銀メ
ッキが施されてはならないリードフレーム部位に付着し
た銀を除去する、電解剥離処理を行う。次いで、酸化、
水酸化による銀メッキの変色を防止するため変色防止処
理を行う。なお、変色防止処理の手段としては、例え
ば、銀メッキ表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜を形成する
ことが一般的となっている。
【００１２】銅合金を素材とし、下地メッキ（銅ストラ
イクメッキ）を介して部分銀メッキを施したリードフレ
ームにあっては、リードフレーム製造後に行われる、半
導体素子の搭載、ワイヤーボンディング、樹脂封止等の
半導体装置の製造工程や、半導体装置の実装工程におい
て、下地メッキ（銅ストライクメッキ）が剥離すること
がなく、また、半導体装置を使用する際にも下地メッキ
（銅ストライクメッキ）が剥離しないことが要求される
ものである。
【００１３】また、封止樹脂にてリードフレームを封止
後、リードフレームからの封止樹脂のデラミネーション
（剥離）が生じないことが要求される。すなわち、デラ
ミネーションが生じた場合、リードフレームと封止樹脂
の隙間より湿気が進入し、半導体装置の耐久性、信頼性
を低下させる等の問題が生じるためである。
【００１４】樹脂封止時、リードフレームは所定の形状
の空間を有する金型内に載置され、金型内の空間に封止
樹脂が充填される。樹脂封止後に金型からの離反を容易
にするため、封止樹脂には金型離形剤が添加されている
ことが多く、銅ストライクメッキとの密着性が悪いとい
える。このため、上述した銅ストライクメッキを施した
リードフレームであっても、半導体装置の製造工程や半
導体装置の実装工程で、リードフレームに起因するリー
ドフレームからの封止樹脂のデラミネーション（剥離）
が生じていたものである。
【００１５】従来より、デラミネーションを防止するた
め、封止樹脂とリードフレームとの密着性を向上させる
方法が種々提案されているものであり、例えば、表面の
粗度が高い素材を用いてリードフレームを作成する方法
等が提案されている。
【００１６】しかし、素材の表面粗度を高くした場合、
エッチング加工時にエッチングパターンが所望する直線
性や寸法精度を出せず、さらに、メッキの粒子やイオン
コンタミについては表面粗度が高いことは好ましいもの
ではなかった。このため、金属材料の表面粗度を調整し
ても、リードフレームの製造工程の途中で表面粗度が乱
れ、リードフレームの各部位で樹脂密着性にバラツキが
生じていたものであり、さらには、金属素材の表面粗度
に起因する銀ブツ（銀メッキの異常析出）等の不良を起
こす要因ともなっていたものである。
【００１７】また、リードフレーム素材の表面粗度を高
くするため、粗面化処理を行う方法も提案されている。
粗面化処理として、例えば、素材表面の腐蝕、コイニン
グ、スパッタリング等が提案されているが、予め粗面化
処理を行うことは、リードフレームの製造工程を増し、
製造コストを上げる等好ましいとはいえない。
【００１８】次いで、銅ストライクメッキの際、遊離シ
アン化カリウムを用いたシアン化銅ストライク浴を使用
する場合が多い。このため、シアン化銅ストライク浴の
シアン化銅濃度、遊離シアン化カリウム濃度等を調整す
ることで、形成される銅ストライクメッキの表面粗度を
調整し、デラミネーションの防止を行おうとする方法も
提案され、現在実用化されてはいる。しかし、この方法
においても、使用する金属素材毎の表面粗度や結晶配向
性の相違、および金属素材毎の添加物や添加物の量の相
違（例えば組成の相違）、さらには、リードフレーム形
状の相違等に、形成される銅ストライクメッキの表面形
状が依存しやすく、使用する金属素材毎および、製造ロ
ットが変わった際の製造仕様の変更毎に銅ストライクメ
ッキ表面粗度のバラツキが大きく、生産性の悪いもので
あった。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みなされたもので、リードフレームとなる金属
素材の粗面化、および銅ストライクメッキ前後での粗面
化処理工程を必要とせず、物理的な樹脂密着性の不良
（アンカリング効果の不良）に起因したデラミネーショ
ンの発生を防止でき、かつ、ワイヤーボンディング性を
損なわない銅合金製の樹脂封止型リードフレームを提供
しようとするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、銅合金材
からなり、外部回路との結線を行うアウターリードと、
アウターリードに延在し、搭載する半導体素子上の接続
用パッドと結線するためのインナーリードとを少なくと
も備え、銅ストライクメッキを介し、所定の部位に部分
銀メッキを施した樹脂封止型の半導体装置用リードフレ
ームであって、電解銅メッキにより形成した前記銅スト
ライクメッキが均一で粗大な結晶粒を有することを特徴
とするリードフレームとしたものである。
【００２１】また、請求項２においては、銅ストライク
メッキの表面粗さＲａが０．０５〜０．１μｍの範囲で
あり、かつ凹凸の大きさが均一であることを特徴とする
請求項１に記載のリードフレームとしたものである。
【００２２】すなわち、前述したように、リードフレー
ム表面と封止樹脂との界面におけるデラミネーション
（剥離）は、封止樹脂とリードフレームとの物理的なメ
カニズムによる密着性が大きく関与している。そこで、
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結
果、図１に示すように、リードフレーム２２０表面に形
成する銅ストライクメッキが均一で粗大な結晶粒を有す
るよう銅ストライクメッキ２３０の表面粗さを調整する
ことで、リードフレーム表面（すなわち、銅ストライク
メッキ表面）と封止樹脂との界面でのデラミネーション
（剥離）を防止でき、かつ、部分銀メッキの平坦性も損
なわれず（銀ブツ不良が発生しない）、かつ、ワイヤー
ボンディング性も損なわれないことを見いだしたもので
あり、これを提案するものである。
【００２３】次いで、本発明者らは、デラミネーション
（剥離）の防止効果が得られる銅ストライクメッキ２３
０の表面の適切な粗さとして、表面粗さＲａ（ＪＩＳ規
格Ｂ０６０１）が、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以下
とすることを提案するものである。
【００２４】すなわち、銅ストライクメッキ表面の粗さ
が０．０５μｍより小さい場合、銅ストライクメッキ表
面の凹凸によるアンカリング効果（密着効果）が小さく
封止樹脂との密着性が不十分となり、デラミネーション
（剥離）の発生を防止できないことになる。また、銅ス
トライクメッキの表面粗さＲａが０．１μｍより大きく
なると、リードフレームの外観が変色し、かつ、銅スト
ライクメッキ上に形成される部分銀メッキの平坦性が悪
くなり、銀ブツ（銀結晶の異常成長）不良が生じ、ワイ
ヤーボンディング性を損なう結果となる。このことよ
り、銅ストライクメッキの表面粗さＲａを０．０５μｍ
以上、０．１μｍ以下とするものである。これにより、
半導体製造工程にてリードフレームと封止樹脂との物理
的な密着不良に起因する封止樹脂のデラミネーション
（剥離）の発生を防止できるものである。
【００２５】また、銅ストライクメッキの手段として、
従来より、次亜リン酸等を還元剤とする無電解銅メッキ
を用いることが一般的に行われているといえる。しか
し、これにはパラジウム（Ｐｄ）等の高価な金属を触媒
として使用するものであり、製造コストが高くなり、さ
らには、銅の析出速度が遅く、生産効率も低いものとな
らざるを得なかった。そこで、本発明者らは、処理速度
（銅メッキの析出速度）が速く、高価な触媒や薬品を使
用せず安価にメッキが出来、製造コストの安くなる、電
解銅メッキにて銅ストライクメッキを形成することを提
案するものである。
【００２６】ここで、表面粗さＲａを０．０５〜０．１
μｍに調整した銅ストライクメッキを形成する手段とし
て、シアン化銅ストライクメッキ等があげられる。銅ス
トライクメッキの表面粗さを調整するには、メッキ条件
を変えるようにすればよい。メッキ条件の変更として、
例えば、メッキ浴組成の異なる浴を使用する、メッキ時
の電流密度を変える等があげられる。また、遊離シアン
化ナトリウムを使用した場合、従来使用していた遊離シ
アン化カリウムと比べて遊離シアン化ナトリウムは陰極
電流効率が低いため、下地となる銅合金の種類に依存せ
ず、安定して表面粗さＲａを０．０５〜０．１μｍに調
整できる。すなわち、遊離シアン化カリウム浴のシアン
化銅メッキ浴では、表面粗さの大きな銅メッキを得る条
件が狭く所望する表面粗さの銅メッキを得ることが難し
かったが、遊離シアン化ナトリウム浴のシアン化銅メッ
キ浴とすることで、容易に所望する表面粗さの銅メッキ
を得ることが可能となる。これにより、ダイパッド表面
を含めたリードフレーム表面（すなわち銅ストライクメ
ッキ表面）と封止樹脂との全ての界面で、物理的な樹脂
密着性（アンカリング効果）不良に起因するデラミネー
ション（剥離）を防止できる。すなわち、請求項３、４
および５に関する発明である。
【００２７】また、本発明のリードフレームにおいて
は、銅ストライクメッキの表面粗さＲａを０．０５〜
０．１μｍに調整しただけなので、ワイヤーボンディン
グ性は従来のリードフレームと同等のものが得られる。
また、銅ストライクメッキの形成方法（条件）を変更し
たことを除けば、本発明のリードフレームは従来のリー
ドフレームと同様の工程で製造が可能であり、かつ、リ
ードフレーム製造後に行われる各種の後工程も従来のリ
ードフレームと同様の処理で構わず、特殊な製造工程や
処理を必要とせず、従来の銅ストライクメッキ品の製造
工程がそのまま使用できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームの実施例
を示す以下の図面に基づき、さらに説明を行う。
【００２９】＜実施例１＞本実施例１のリードフレーム
２２０は、厚さ 0.125mmの銅合金材（古河電工（株）
製、商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ材」）を素材とし、公知
のフォトエッチング法を用い、図６に示す従来のリード
フレームと同様に、ダイパッド、インナーリード、アウ
ターリード、ダムバー、フレーム（枠）部、および、吊
りバー等で構成されているものである。また、銅ストラ
イクメッキ２３０をリードフレーム２２０全面に施して
おり、ワイヤーボンディングが行われるインナーリード
の先端部位および、半導体素子が搭載される面側のダイ
パッド面には銅ストライクメッキ２３０を介し部分銀メ
ッキ２４０を施している。
【００３０】ここで、本発明のリードフレーム２２０の
特徴として、表面粗さＲａが０．０５〜０．１μｍとな
るよう銅ストライクメッキ２３０を形成しているもので
ある。
【００３１】上述したように、本実施例１のリードフレ
ーム２２０は、公知のフォトエッチング法により図６に
示すような所定の外形形状を有する図２（ａ）にした
後、図２（ｂ）に示すように銅ストライクメッキ２３０
をリードフレーム２２０の表面全体に施し、しかる後、
図２（ｃ）に示すよう所定の部位に部分銀メッキ２４０
を施したものである。銅ストライクメッキ２３０の形成
条件は、液温５０℃の、シアン化銅とシアン化ナトリウ
ムを適量混合したメッキ液にて約２０秒間電解銅メッキ
を行い、０．２μｍの厚さの銅ストライクメッキ２３０
を形成した。
【００３２】次いで、銅ストライクメッキ２３０が形成
されたリードフレーム２２０表面を水洗洗浄した後、部
分銀メッキを行う際にリードフレーム２２０の不要な部
分に銀が析出しないよう、リードフレーム２２０全面に
置換防止処理を行った。置換防止処理は、薄い銀（Ａ
ｇ）有機被膜をリードフレーム２２０表面に形成したも
のである。
【００３３】次いで、半導体素子を搭載する面側のダイ
パッド１２１面、およびインナーリード１２３の先端領
域が露出するよう、所定の開口部を有するマスキング治
具でリードフレーム２２０を覆った後、リードフレーム
を陰極として、メッキ液をノズルよりリードフレームに
噴射する方式のメッキ法により、厚さ３μｍの部分銀メ
ッキをリードフレームの所定領域に施した。
【００３４】次いで、リードフレーム２２０を水洗洗浄
した後、ダイパッド１２１面および、インナーリード１
２３の先端部以外の、銀が付着してはならない部位に付
着した銀メッキ（例えば、マスキンング治具よりモレた
銀メッキ）を電解剥離により除去した後、リードフレー
ムを水洗洗浄し、しかる後、温風でリードフレームを乾
燥した。これにより、図２（ｃ）に示す、部分銀メッキ
２４０部位を含む銅ストライクメッキ２３０の表面粗さ
Ｒａが０．０５〜０．１μｍである本実施例１のリード
フレーム２２０を得た。
【００３５】次いで、本発明の他の実施例につき説明す
る。
【００３６】＜実施例２＞本実施例２においては、銅合
金材の種類を変えた以外は、上記実施例１と同様の工程
にてリードフレーム２２０を得たものである。すなわ
ち、本実施例２のリードフレーム２２０は、素材として
厚さ0.15mmの銅合金材（三菱メテックス（株）製、商品
名「ＭＦ２０２材」）を用い、上記実施例１と同様の製
造工程にてリードフレーム２２０を得た後、上記実施例
１と同様のメッキ処理工程を施したものである。
【００３７】＜実施例３＞本実施例３においては、銅合
金材の種類を変えた以外は、上記実施例１と同様の工程
にてリードフレーム２２０を得たものである。すなわ
ち、本実施例３のリードフレーム２２０は、素材として
厚さ 0.125mmの銅合金材（ヤマハ オーリン（株）製、
商品名「Ｃ７０２５材」）を用い、上記実施例１と同様
の製造工程にてリードフレーム２２０を得た後、上記実
施例１と同様のメッキ処理工程を施したものである。
【００３８】＜実施例４＞本実施例４においては、銅合
金材の種類を変えた以外は、上記実施例１と同様の工程
にてリードフレーム２２０を得たものである。すなわ
ち、本実施例４のリードフレーム２２０は、素材として
厚さ 0.127mmの銅合金材（神戸製鋼（株）製、商品名
「ＫＬＦ−１２５材」）を用い、上記実施例１と同様の
製造工程にてリードフレーム２２０を得た後、上記実施
例１と同様のメッキ処理工程を施したものである。
【００３９】次いで、本発明のリードフレームとの比較
のため、以下の各比較例に記すリードフレームを各々得
た。
【００４０】＜比較例１＞本比較例１においては、厚さ
0.125mmの銅合金材（古河電工（株）製、商品名「ＥＦ
ＴＥＣ６４Ｔ材」）を素材とし、公知のフォトエッチン
グ法にて図６に示す形状を得た後、従来の銅ストライク
メッキ処理方法と同様のメッキ処理を施し、０．２μｍ
厚の銅ストライクメッキ１３０および３μｍ厚の部分銀
メッキ１４０を有するリードフレーム１２０を得た。
【００４１】銅ストライクメッキ１３０の形成条件は、
液温５０℃の、シアン化銅とシアン化カリウムを適量混
合したメッキ液にて約２０秒間銅メッキを行い、厚さ
０．２μｍの銅ストライクメッキを得た。
【００４２】＜比較例２＞本比較例２においては、素材
として、厚さ0.15mmの銅合金材（三菱メルテックス
（株）製、商品名「ＭＦ２０２材」）を用い、公知のフ
ォトエッチング法にて図６に示す形状を得た後、上記比
較例１と同様のメッキ処理工程を施した。
【００４３】＜比較例３＞本比較例３においては、素材
として、厚さ 0.125mmの銅合金材（ヤマハ オーリン
（株）製、商品名「Ｃ７０２５材」）を用いた以外は、
上記比較例１と同様のメッキ工程を行った。
【００４４】＜比較例４＞本比較例４においては、素材
として、厚さ 0.127mmの銅合金材（神戸製鋼（株）製、
商品名「ＫＬＦ−１２５材」）を用いた以外は、上記比
較例１と同様のメッキ処理を行った。
【００４５】次いで、上述した実施例１〜４および比較
例１〜４で得られたリードフレームの評価を、銅ストラ
イクメッキ表面の状態、封止樹脂との密着度、および銀
ブツ不良の有無につき、行った。
【００４６】まず、上記実施例１〜４および比較例１〜
４で得られた各リードフレームの銅ストライクメッキの
表面粗さ（Ｒａ）を各々測定した。その測定結果を以下
の（表１）に示す。なお、表面粗さの測定は、原子間力
電子顕微鏡（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｅ、オリンパス光学工業（株）社製、商品名「ＮＶ
３０００ Ｎａｎｏｖｉｓｉｏｎ」）により行った。
【００４７】次いで、上記実施例１〜４および比較例１
〜４で得られたリードフレームに、通常のワイヤーボン
ディング処理で行われる加熱温度（例えば、 240℃）よ
り60℃高い、 300℃の温度にて５分間加熱した後、各リ
ードフレームのダイパッド１２１裏面に一定面積の封止
樹脂を形成した。しかる後、シェア法を用い、各リード
フレームに形成した封止樹脂の密着強度を測定した。な
お、シェア法による密着強度の判定は、 3.0Ｎ／mm2 以
上を「良」、 2.0Ｎ／mm2 以上 3.0Ｎ／mm2 未満を
「可」、 2.0Ｎ／mm2 未満を「不可」としたものであ
る。
【００４８】次いで、上記実施例１〜４および比較例１
〜４のリードフレームに形成した銀（Ａｇ）メッキ表面
を光学顕微鏡にて観察し、銀ブツ不良の有無を確認し
た。なお、銀ブツ不良は、銀メッキ表面に 0.5μｍ以上
の突起が存在するときに、不良と判断した。
【００４９】
【表１】
【００５０】上記の（表１）に示すように、銅ストライ
クメッキ２３０の表面粗さＲａが0.05μｍ以上ある実施
例１〜４のリードフレームの方が、従来と同様の方法で
銀メッキが施された比較例１〜４のリードフレームよ
り、樹脂密着強度の点で優れていることが分かる。
【００５１】次いで、銀ブツ不良について、実施例１〜
４の観察を行ったが、銀ブツ不良は認められなかった。
また、比較例１〜２のリードフレームでは、銀ブツ不良
が無いが、比較例３および比較例４では、表面粗さ（Ｒ
ａ）が０．１以下であるにもかかわらず銀ブツ不良が認
められたが、これは、素材の偏析の影響の為といえる。
一方、同一の素材を用いた実施例３〜４では、銀ブツ不
良が認められないことから、本発明のリードフレームで
は、素材となる銅合金の種類に影響を受けにくいことが
分かる。
【００５２】このことより、本発明の実施例である上記
実施例１〜４のリードフレームを半導体装置に用いれ
ば、従来と同様のメッキ処理で得られた比較例１〜４の
リードフレームを半導体装置に用いた場合に比べて、樹
脂密着性に起因するＩＣパッケージのデラミネーション
の発生を効果的に抑えることができると判断される。
【００５３】以上、本発明の実施例につき説明したが、
本発明の実施の形態は上述した説明に限定されることな
く、本発明の趣旨に基づき種々の変形を行っても構わな
い。例えば、上述した説明では、ＱＦＰタイプのリード
フレームに部分銀メッキを行った例を示したが、ＬＯＣ
タイプやＣＯＬタイプ等の樹脂封止型リードフレームに
本発明を適用しても構わないことはいうまでもない。
【００５４】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、リードフレ
ームの表面形状に起因する封止樹脂のデラミネーション
の発生を防止しており、また、ワイヤーボンディング性
も損なわれていない。また、本発明のリードフレームの
製造方法とすることで、半導体装置製造時にリードフレ
ームへの加熱温度を高くする等の半導体装置の製造条件
に影響を受けず、また、素材の種類に影響を受けること
なく、リードフレームの表面形状に起因する封止樹脂の
デラミネーションの発生を防止し、かつ、ワイヤーボン
ディング性を損なわない銅合金製リードフレームを得る
ことができる。
【００５５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のリードフレームの一実施例の要部を示
す断面説明図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明のリードフレームの製
造工程の一例の要部を工程順に示す断面説明図。
【図３】リードフレームへのメッキ工程の一例を示す工
程図。
【図４】リードフレームに施した部分銀メッキの一例を
示す平面説明図。
【図５】半導体装置の一例の要部を示す断面説明図。
【図６】リードフレームの一例を示す平面説明図。
【符号の説明】
１００ 半導体装置 １１０ 半導体素子 １１１ 接続用パッド １２０、２２０ リードフレーム １２１ ダイパッド １２２ アウターリード １２３ インナーリード １２４ ダムバー １２５ フレーム部 １３０ ワイヤー １３５ 樹脂 １３０、２３０ 銅ストライクメッキ １４０、２４０ 銀メッキ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】銅合金材からなり、外部回路との結線を行
    うアウターリードと、アウターリードに延在し、搭載す
    る半導体素子上の接続用パッドと結線するためのインナ
    ーリードとを少なくとも備え、銅ストライクメッキを介
    し、所定の部位に部分銀メッキを施した樹脂封止型の半
    導体装置用リードフレームであって、電解銅メッキによ
    り形成した前記銅ストライクメッキが均一で粗大な結晶
    粒を有することを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】銅ストライクメッキの表面粗さＲａが０．
    ０５〜０．１μｍの範囲であり、かつ凹凸の大きさが均
    一であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレ
    ーム。
  3. 【請求項３】銅合金素材自体の表面の粗面化を必要とせ
    ず、銅合金素材中の添加物種および、添加量に影響を受
    けず均一で粗大な結晶粒を有する銅ストライクメッキと
    したことを特徴とする請求項１または２に記載のリード
    フレームの製造方法。
  4. 【請求項４】リードフレーム表裏面への粗面形成工程の
    追加を必要としない請求項３に記載のリードフレームの
    製造方法。
  5. 【請求項５】銅ストライクメッキを遊離シアン化ナトリ
    ウムとシアン化銅を適量混合した銅ストライクメッキ浴
    にて形成することを特徴とする請求項３または４に記載
    のリードフレームの製造方法。
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