JP2019501080A - 容器をプラズマ処理するための方法および装置 - Google Patents

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Abstract

本発明は、容器をプラズマ処理するための方法および装置に関する。本発明の方法の本質的な面は、プラズマステーションでプラズマ処理を行った後、かつ容器を充填する前に、少なくとも容器の容器内部に滅菌媒体を少なくとも部分的に通気すること、即ち滅菌媒体を詰めることである。

Description

本発明は、請求項1のプリアンブルに記載の容器をプラズマ処理するための方法に関する。さらに、本発明は、請求項16のプリアンブルに記載の容器をプラズマ処理するための装置に関する。
そのような方法および装置は、例えば、プラスチックに表面コーティングを施すために使用される。特に、液体を詰めるための容器の内表面または外表面をコーティングするためのそのような装置も既に知られている。さらに、プラズマ滅菌するための装置も知られている。
公開された文献WO95/22413 A1には、PETから作られる容器の内側をコーティングするためのプラズマチャンバーが記載されている。コーティングされる容器は可動底によってプラズマチャンバー内に持ち上げられ、容器口部の領域でアダプタに結合する。アダプタを通じて容器内部を排気できる。さらに、プロセスガスを供給するためにアダプタを通じて容器内部に中空のガスランスが挿入される。マイクロ波を用いてプラズマ点火がなされる。
この公開物から、複数のプラズマチャンバーを回転ホイール上に配置することも既知である。これにより、単位時間当たりの容器の高生産率が支えられる。
公開された文献EP 10 10 773 A1には、瓶内部を排気し、それにプロセスガスを供給するための供給装置が説明されている。WO 01/31680 A1には、瓶口部の領域と予め結合されている可動カバーによって、瓶が挿入されるプラズマチャンバーが記載されている。
公開された文献WO 00/58631 A1にも、回転ホイール上にプラズマステーションを配置することが既に示され、チャンバーおよび瓶内部の好適な排気を支えるために、そのような配置に対して真空ポンプおよびプラズマステーションをグループに分けて割り当てることが記載されている。さらに、共通のプラズマステーションまたは共通のキャビティで幾つかの容器をコーティングすることが記載されている。
公開された文献WO99/17334 A1には、瓶の内側をコーティングするためのさらに別の配置が記載されている。ここには、特に、プラズマチャンバー上方にマイクロ波発生器を配置し、プラズマチャンバーの底部を通る真空ラインおよび作動流体供給ラインを配置することが記載されている。
DE 10 2004 020 185 A1には、コーティングされるプリフォームの内部に移動でき、プロセスガスを供給する役目を果たすガスランスが既に記載されている。容器の長手方向においてガスランスを位置決めできる。
知られている殆どの装置で、プラズマで生成される酸化ケイ素(一般式SiOx)の容器層を用いて、熱可塑性プラスチック材料のバリア性を改善する。特に容器の内壁上のそのようなバリア層は、詰められた液体に酸素が侵入することを防止すると共に、CO2を含んだ液体の場合に二酸化炭素が漏れることを防止するので、容器に注がれた液体および/または容器に詰められた液体の貯蔵性または継続的安定性を改善する。
本発明の目的は、容器内部の貯蔵性が従来技術と比較してさらに改善された、容器をプラズマ処理するための方法および装置を規定することにある。
この目的を達成するために、請求項1に対応する製品をプラズマ処理するための方法が提供される。容器をプラズマ処理するための装置は請求項16の主題を形成する。
本発明の方法の本質的な面は、プラズマ処理後、かつプラズマチャンバー内の容器の充填前に、少なくとも1つの容器の少なくとも容器内部に、気体、蒸気または霧の形態の滅菌媒体を詰めること、即ち好適には、通気ステップにおいて、少なくとも容器内部に、気体、蒸気または霧の形態の滅菌媒体を少なくとも部分的に通気することである。上記滅菌媒体の凝集状態は、対応する供給ライン内における流体の凝集状態または気圧に関係する。
特に有利には、従来技術と異なり、容器が配置され、排気されたプラズマチャンバーは、従来技術で以前に通例だったように、雰囲気圧で通気されることはない。むしろ、プラズマ処理を既に実施した後で、そして特にまだプラズマモジュール上で、後の充填工程のために容器内部に無菌雰囲気を生成する目的で、滅菌媒体が意図的にその通気によって導入される。例えば高温の無菌空気と共に使用され、そのため、より低温の容器内部でH2O2凝集膜として凝集する過酸化水素(H2O2)を含む滅菌媒体が、特に滅菌媒体として適している。
特に有利に、通気ステップにおいて容器内部に滅菌媒体が少なくとも一度導入されるように、容器内部に滅菌媒体を通気できる。このため、特に有利に通気ステップを介して、少なくとも容器の容器内部に滅菌媒体を導入できる。通気または通気ステップは、容器内部および/または排気されたチャンバーの圧力を真空または負圧から上昇させるために、特に気体または気体混合物を備える(またはからなる)流体を導入することを意味する。
有利に、プラズマホイールのプラズマステーションで滅菌媒体による通気を行うことができる。搬出ホイールの領域または次の処理装置までの搬送部の領域において、プラズマステーションで、少なくとも1つの後続の処理を行うことができる。さらに有利に、少なくとも大気圧まで、またはそれ以上に、即ち正圧まで、容器の容器内部に滅菌媒体を詰めることができる。好適には、過酸化水素および/またはオゾンを含む滅菌媒体を少なくとも容器の容器内部に詰めることができる。
有利な変形例において、容器の容器内部に加えて、プラズマチャンバーにも、従って容器の外面にも、滅菌媒体を少なくとも部分的に通気することができる。
また特に好適に、後続の滅菌媒体の活性化および/または乾燥を行うことができる。これに適した活性化装置および/または乾燥装置は、同様に当業者に知られている。有利に、搬出ホイールの領域で少なくとも各容器のための滅菌媒体の活性化を行うことができる。あるいは、有利に、プラズマモジュールの下流の容器処理装置に容器を搬送する間に各容器の活性化を行うこともできる。好適な変形例では、プラズマモジュールの下流の容器処理装置に容器を搬送する間に各容器の乾燥を行うこともできる。
好適な変形例では、プラズマ処理を反復する前に、少なくとも第1から第3プロセスガスラインおよび中央プロセスガスラインを、吸引によって排気し、および/または洗浄することができる。
有利に、少なくとも第2通気ラインを介して滅菌媒体による通気を行うことができ、第2通気ラインは、中央プロセスガスラインに流体気密に開口し、弁装置を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されている。
有利に、さらに付加された第1通気ラインを介して滅菌媒体による通気も行うことができ、第1通気ラインは、真空チャネルの第2側に流体気密に開口し、弁装置(76.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されている。
再び有利に、さらに別の第3通気ラインを介して滅菌媒体による通気を行うことができ、第3通気ラインは、プラズマチャンバーに流体気密に開口し、弁装置を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されている。
有利な実施形態において、中央真空装置との間の流体接続部に、追加の遮断弁装置、理想的には三方弁が設けられる。この遮断弁装置は、必要に応じて閉じられることで、滅菌剤を用いた通気中に少なくとも時々ラインの空間的範囲を定めることを可能にする。このため、真空ラインの少なくとも1つ、真空ライン群、または1つ以上の真空ラインの一部分が滅菌媒体によって汚染されることが、確かに防止されるか、または可能な限り制限される。
「容器」は、本発明の枠内で、特に、金属製、ガラス製および/またはプラスチック製の缶、瓶、樽、さらに子樽、管、小袋を意味するが、他の包装手段、特に、粉末状製品、顆粒状製品、液状製品、または、粘性を有する製品で満たされるのに適したものも意味する。
本発明の意味における「実質的に」または「約」という表現は、正確な値からの±10%以内のずれ、好適には±5%以内のずれ、および/または、機能に関して重要ではない変化の形をとったずれを意味する。
本発明の内容、利点、および可能な適用は、下記の実施例の記載および図面によっても明らかにされる。原則的に、記載されたおよび/または視覚的に表された全ての特徴は、請求項またはその関連箇所内の該特徴の要約と無関係に、独立でまたは任意の組合せで、本発明の主題である。請求項の内容も明細書の構成要素である。
本発明は、図面を参照して実施例を用いて以下でより詳細に説明される。
回転プラズマホイール上に配置され、該プラズマホイールが装入ホイールおよび搬出ホイールと連結されている複数のプラズマチャンバーの概要図である。 プラズマステーションがそれぞれ2つのプラズマチャンバーを備える、図1に対応する配置図である。 複数のプラズマチャンバーを有するプラズマホイールの斜視図である。 キャビティを有するプラズマステーションの斜視図である。 プラズマチャンバーを密閉した図4の装置の正面図である。 図5の切断線VI−VIによる横断面図である。 本発明に従って形成されたプラズマステーションの概略ブロック図である。
図1において、符号1は、回転プラズマホイール2を備えるプラズマモジュールを一般的に示す。プラズマホイール2の周に沿って複数のプラズマステーション3が配置されている。プラズマステーション3は、処理される容器5を収容するためのキャビティ4またはプラズマチャンバー17を備える。容器5はそれぞれ少なくとも1つの容器内部5.1を有する。
処理される容器5は、装入部6の領域でプラズマモジュール1に供給され、個別化ホイール7を介してデリバリホイール8に送られる。デリバリホイール8は位置決め可能な担持アーム9を備えている。担持アーム9はデリバリホイール8の台座10に対して相対的に回動可能に配置されており、その結果、容器5相互の相対間隔を変化させることができる。これにより、デリバリホイール8は、個別化ホイール7と比較して容器5相互の相対間隔を広くして、容器5を装入ホイール11に渡す。装入ホイール11は、処理される容器5をプラズマホイール2に渡す。処理が実施された後、処理された容器5は、搬出ホイール12によりプラズマホイール2の領域から除去されて、搬出部13の領域に送られる。
図2の実施形態において、各プラズマステーション3は2つのキャビティ4またはプラズマチャンバー17を備えている。これにより、それぞれ2つの容器5を同時に処理することができる。ここで、原則的に、キャビティ4を互いに完全に分離して形成することが可能であるが、原則的に、全ての容器5の最適なコーティングを保証するように、共通のキャビティ空間内で複数の部分領域の境界をただ定めることも可能である。ここで、少なくとも別々のマイクロ波カップリングによって、複数の部分キャビティの境界を互いに対して定めることが特に考えられる。
図3は、プラズマホイール2を部分的に組み立てたプラズマモジュール1の斜視図である。プラズマステーション3は担持リング14上に配置され、担持リング14は、ロータリージョイントの一部として形成され、機械台座15の領域に取りつけられている。各プラズマステーション3は、プラズマチャンバー17を保持するステーションフレーム16を有している。プラズマチャンバー17は筒形状のチャンバー壁18およびマイクロ波発生器19を有することができる。
プラズマホイール2の中央に回転分配器20を設けることができる。回転分配器20を介してプラズマステーション3に作動流体およびエネルギーが供給される。特に、作動流体を分配するためにリングライン21を使用できる。
処理される容器5は筒形状のチャンバー壁18の下方に図示されている。ここで、簡略化のために、各プラズマチャンバー17の下部は図示されていない。
図4はプラズマステーション3の斜視図である。これから理解できるように、ステーションフレーム16はガイドロッド23を備え、筒形状のチャンバー壁18を保持するためのキャリッジ24はガイドロッド23上でガイドされている。図4に示すように、チャンバー壁18が設けられたキャリッジ24は持ち上げ状態にあり、その結果、容器5は開放されている。
マイクロ波発生器19はプラズマステーション3の上部領域に配置されている。マイクロ波発生器19は、エルボ25およびアダプタ26を介して、プラズマチャンバー17に開口している連結チャネル27に接続されている。原則的に、チャンバーカバー31の領域に直接的にマイクロ波発生器19を配置できるだけではなく、チャンバーカバー31に連結されたスペーサ要素を介して、チャンバーカバー31から所定距離離れた位置に、従ってチャンバーカバー31の周囲により広範囲にマイクロ波発生器19を配置できる。アダプタ26は遷移要素として機能し、連結チャネル27は同軸導体として形成されている。連結チャネル27のチャンバーカバー31への開口領域には、石英ガラス窓が配置されている。エルボ25は導波管として形成されている。
容器5は、チャンバー底面29の領域に配置された保持要素28によって位置決めされる。チャンバー底面29はチャンバー台座30の一部として形成されている。調整を容易にするため、チャンバー台座30をガイドロッド23の領域に固定することが可能である。別の変形例では、チャンバー台座30がステーションフレーム16に直接固定される。そのような配置では、例えば、ガイドロッド23を鉛直方向において2つの部分に分けて設計することも可能である。
図5は、プラズマチャンバー17を密閉した状態における図3のプラズマステーション3の正面図である。ここで、筒形状のチャンバー壁18が設けられたキャリッジ24は、図4の位置決めと比較して下げられており、その結果、チャンバー壁18はチャンバー底面29の方へ移動している。この位置決め状態でプラズマコーティングを実施できる。
図6は図5の配置の鉛直断面図である。これから特に理解できるように、連結チャネル27はチャンバーカバー31に開口し、チャンバーカバー31は側方(横方向)に突出するフランジ32を有する。フランジ32の領域にはシール33が配置され、シール33はチャンバー壁18の内側フランジ34の作用を受ける。これによって、チャンバー壁18が下げられた状態で、チャンバーカバー31に対するチャンバー壁18の密封がなされる。チャンバー壁18の下部領域には、ここでもチャンバー底面29に対する密封を保証するために、さらに別のシール35が配置されている。
図6に示す位置決めにおいて、チャンバー壁18はキャビティ4を取り囲んでおり、その結果、キャビティ4の内部空間および容器5の容器内部5.1の両方を排気できる。プロセスガスの供給を支えるため、チャンバー台座30の領域には、容器5の容器内部5.1へ移動可能な中空のガスランス36が配置されている。ガスランス36の位置決めを実施するため、ガスランス36は、ガイドロッド23に沿って位置決め可能なランスキャリッジ37によって保持される。ランスキャリッジ37の内部には、図6に示す持ち上げ位置でチャンバー台座30のガス接続部39と連結されるプロセスガスチャネル38が延在している。この配置により、ランスキャリッジ37に管状結合要素を設ける必要がなくなる。ガスランス36が容器内部5.1に移動した状態において、容器5の容器内部5.1はキャビティ4の内部に対して分離される(即ち密封される)。一方、ガスランス36が下げられた状態において、容器5の容器内部5.1とキャビティ4の内部との間に、気体を通すことができる接続が形成される。
図7は、例として、プラズマモジュール1のプラズマステーション3の例を用いた概略ブロック図である。プラズマモジュール3は少なくともプラズマチャンバー17およびチャンバー台座30を備える。容器5は、プラズマチャンバー17のキャビティ4の内部に気密に挿入され、配置される。チャンバー台座30は少なくとも1つの真空チャネル70を有する。真空チャネル70は、その第1側70.1でプラズマチャンバー17に開口し、さらに、ガスランス36の位置次第で、容器5の容器内部5.1に気体を通すことができる接続を形成する。特に、ガスランス36が容器内部5.1に移動した状態で、キャビティ4の内部に対して容器内部5.1が分離される(即ち密封される)一方、ガスランス36が下げられた状態で、容器5の容器内部5.1とキャビティ4の内部との間に気体を通すことができる接続が形成されることを提供できる。
さらに、少なくとも1つの第1から第5真空ライン71〜75および滅菌媒体用の少なくとも1つの第1通気ライン76を真空チャネル70の第2側70.2に接続できる。特に、第1通気ライン76は、調整可能および/または制御可能な弁装置76.1を介して第1通気ライン76を連通および遮断できるように形成されている。さらに、第1から第5真空ライン71〜75のそれぞれも、少なくとも1つの調整可能および/または制御可能な弁装置71.1〜75.5を備えることができる。弁装置71.1〜76.1は、詳細に説明しないプラズマモジュール1の装置制御器を介して作動可能に形成される。
第1から第5真空ライン71〜75は、真空チャネル70の第2側70.2とは反対側の端で、全ての真空ライン71〜75に共通の真空装置77に流体気密に接続されることが好ましい。真空装置77は、特にプラズマ処理中にプラズマチャンバー17および容器内部5.1に必要な真空を生成するように設定される。さらに、真空装置77は、第1から第5真空ライン71〜75に異なる負圧、従って、各真空ライン71〜75に対して異なる負圧ステージを生成するように設定される。しかし、代わりに、個々の真空ライン71〜75をそれぞれ別々の真空装置77に接続することもできる。
特に、第1から第5真空ライン71〜75を介して異なる負圧ステージまでプラズマチャンバー17内および/または容器内部5.1の圧力を低下させることができる。例えば、このために、弁装置71.1を開く場合、容器内部5.1を含めてプラズマチャンバー17内の圧力を、第1真空ライン71を介して第1負圧ステージまで低下させる一方、例えば第2真空ライン72の弁装置72.1を開く場合、第1負圧ステージより低い負圧ステージをプラズマチャンバー17および容器内部5.1の両方に生成することが考えられる。さらに、例えば、プラズマ処理中にプロセスガスを供給するために同期して真空(真空度)を維持するように設置されるプロセス真空ラインとして、第5真空ライン75を形成することもできる。このため、プロセス真空ラインは、吸引により排気されたプロセスガスが、さらに別の真空ライン、例えば第1から第4真空ライン71〜74の供給周回路を通ることを防止する。
第1から第5真空ライン71〜75に、例えば管圧力計として形成される圧力測定装置78を割り当てることもできる。圧力測定装置78は、第1から第5真空ライン71〜75を介して生成される負圧を検出するように設置される。特に、圧力測定装置78に上流弁装置78.1を割り当てることができ、第2真空ライン72と真空チャネル70の第2側70.2との流体接続部に圧力測定装置78を配置できる。
さらに、例えば少なくとも第1から第3真空ライン71〜73の供給周回路が滅菌媒体で汚染されることを防止する(即ち遮断する)ために、真空チャネル70の第2側70.2にそれぞれ接続された第3真空ライン73と第4真空ライン74との間の流体接続部に、好適に遮断弁装置79をさらに設けることができる。遮断弁装置79は、同様に調整可能および/または制御可能に形成され、特に少なくとも容器内部5.1に滅菌媒体が通気されている間、閉じられる。さらに、少なくとも容器内部5.1の通気の完了後、遮断弁装置79を介して供給周回路に洗浄媒体を導入することもでき、それにより滅菌媒体で汚染された供給周回路を清掃できる。
さらに、ガスランス36は、例えば中央プロセスガスライン80を介して、例えば第1から第3プロセスガスライン81〜83に結合できる。第1から第3プロセスガスライン81〜83のそれぞれを介して、ガスランス36によって、異なるプロセスガス組成物を特に容器内部5.1に供給できる。さらに、第1から第3プロセスガスライン81〜83のそれぞれは、例えばプラズマモジュール1の中央装置制御器を介して調整可能および/または制御可能な少なくとも1つの弁装置81.1〜83.1を有する。従って、中央プロセスガスライン80も、同様の制御可能および/または調整可能な弁装置80.1を備えることができる。さらに、例えば中央プロセスガスライン80に滅菌媒体用の第2通気ライン84を接続することもできる。第2通気ライン84は、調整可能および/または制御可能な弁装置84.1を介して第2通気ライン84を連通および遮断できるように形成される。第2通気ライン84によって、少なくとも容器内部5.1に滅菌媒体を詰めることができ、従って、容器内部5.1に滅菌媒体を供給できる。例えば、第2通気ライン84は、第3プロセスガスライン83の流体接続部を介して、中央プロセスガスライン80に流体気密に開口できる。
さらに、第6真空ライン85は、第5真空ライン75を介して、調整可能および/または制御可能な弁装置85.3の相互連結によって、第1側85.1で、プラズマチャンバー17に直接そして特に流体気密に接続でき、またはプラズマチャンバー17に開口でき、第2側85.2で、中央真空装置77と流体気密に相互作用できる。特にプラズマチャンバー17内の負圧を測定するため、例えば管圧力計として形成される圧力測定装置86を第6真空ライン85に割り当てることもできる。最後に、プラズマチャンバー17またはキャビティ4の内部に滅菌媒体を詰めるために、好適には、第6真空ライン85の第1側85.1とその弁装置85.3との間に第3通気ライン87を設けることができる。第3通気ライン87は第6真空ライン85から流体気密に分岐する。第3通気ライン87は、それに割り当てられた調整可能および/または制御可能な弁装置87.1を介して第3通気ライン87を連通および遮断できるように形成される。換言すると、第6真空ライン85を介して、キャビティ4内に負圧を生成することも、分岐した第3通気ライン87を介して滅菌媒体を導入することも可能である。
作動流体を供給するために、特に第1、第2および第3通気ライン76,84,87は、図2に示す回転分配器20のリングライン21と相互作用でき、またはそれに接続できる。第1、第2および第3通気ライン76,84,87におけるプラズマチャンバー17側とは反対側の端は、3つの通気ライン76,84,87の全てに共通な、または、それぞれに別々の滅菌装置(詳細には説明しない)と相互作用できる。滅菌媒体を生産もしくは製造するように、または滅菌媒体用の受容タンクとしてもしくは準備ステーションとして、滅菌装置を形成できる。特に、滅菌媒体(特にH2O2またはO3)による化学浸食または該滅菌媒体との反応に耐性を有するように形成された材料から、少なくとも第1、第2および第3通気ライン76,84,87を生産または製造できる。
さらに、少なくとも容器内部5.1に滅菌媒体を詰めることを完了した後、かつプラズマチャンバー17内でさらに別の容器5のプラズマ処理を反復する前に、特に第1から第3および中央プロセスガスライン80〜83から、吸引により、まだ残っている任意の滅菌媒体を排気するために、プラズマチャンバー17に開口する吸引ライン88(ただ図式的に示している)を設けることができる。調整可能および/または制御可能な弁装置88.1、および容積式流量計88.2を吸引ライン88に割り当てることができる。従って、吸引装置(詳細には説明しない)を介して吸引ライン88内に吸引流を生成できる。特に、容器口部を持ち上げているとき、またはランスキャリッジ37を下げているとき、吸引ライン88を介して吸引によって排気できる。この付加された吸引ライン88およびそれに関連した構成要素の特別な特徴は、それらが、コーティング工程に必要ないため、設計に関して高真空の達成に適する必要がないことである。これらは、吸引によって残りの滅菌媒体を排気する役目を果たすだけなので、例えば、吸引ライン88は、耐食性を最も重要なこととして設計されなければならない。このために、例えば、プラスチック(例えばテフロン(登録商標))、ステンレス鋼、または耐食被膜を有する別の材料から吸引ライン88を作ることができる。この付加された吸引ライン88が設けられることで、中央真空装置77ならびにそれに対応する供給ラインおよび構成要素と、時には非常に腐食性が高い滅菌媒体との接触が低減または完全に防止される。さらに、処理ステップの分離を通じて、中央真空装置77の処理時間を、殆ど減少していないレベルに維持できる。
以下で、コーティング工程の例を用いて典型的な処理工程を説明する。まず、装入ホイールを使用して容器5をプラズマホイール2に搬送し、スリーブ状のチャンバー壁18を押し上げた状態のプラズマステーション3内に容器5を挿入する。挿入工程の完了後、チャンバー壁18を密封位置まで下げ、まずキャビティ4および容器5の容器内部5.1の両方を同時に排気する。
キャビティ4の内部を十分に排気した後、容器5の容器内部5.1にガスランス36を移動させ、シール要素28の変位によってキャビティ4の内部に対して内部5.1を密封する。同様に場合によって、キャビティ4の内部の排気開始に同期して容器5内にガスランス36をもう移動させてもよい。その後、容器内部5.1の圧力をさらに低下させることができる。さらに、チャンバー壁18の位置決めに少なくとも部分的に並行してガスランス36の位置決め移動を実行することも考えられる。十分に低い負圧が達成されると、容器5の容器内部5.1にプロセスガスを導入し、マイクロ波発生器19を用いてプラズマ点火を行う。特に、プラズマを用いて、酸化ケイ素から作られる実際のバリア層および接着促進剤の両方を容器5の内面に付着させることができる。
コーティング工程(即ちプラズマ処理)の完了後、容器内部5.1からガスランス36を再び除去する(即ち下げる)。ガスランス36を下げることと同期してまたはその前に、少なくとも容器5の容器内部5.1に、選択的にプラズマチャンバー17にも、少なくとも部分的に滅菌媒体を通気する(即ち詰める)。このため、容器5の容器内部5.1の通気、および選択的にプラズマチャンバー17の通気を介して滅菌媒体を導入できる。特に好適には、このプラズマステーション3が搬出ホイール12に達せずに搬出ホイール12の領域内に位置するときに、特にまだプラズマモジュール1のプラズマステーション3で、滅菌媒体による少なくとも容器内部5.1の通気が行われる。
滅菌媒体として、過酸化水素(H2O2)および/またはオゾン(O3)を含む滅菌媒体が特に適している。該滅菌媒体は、例えば高温の無菌空気と共に使用され、従って、例えばH2O2凝縮フィルムのようなより低温の容器内部5.1で凝縮する。滅菌媒体は、特に、気体、蒸気または霧の形態の凝集状態で存在できる。
例えば気体または蒸気の形態の高温活性化媒体を容器内部5.1に導入することで、上記のように容器内部5.1に導入された滅菌媒体を後で活性化および/または乾燥させ、H2O2の分解により酸素フリーラジカルが発生するようにすることもできる。酸素フリーラジカルは、存在する細菌および汚染物と反応して容器5を滅菌する。例えば、130℃から150℃の温度を有する高温の無菌空気として活性化媒体を形成できる。
例えば搬出ホイール12上で容器内部5.1の活性化および/または乾燥を実施できる。あるいは、滅菌媒体を詰めた容器5を後続の容器処理装置(例えば充填装置)に搬送する間、各容器5の活性化および/または乾燥を実施することもできる。また、ここで、少なくともプラズマモジュール1の搬出ホイール12の領域を、無菌環境を確保するように収容できる。例えば、無菌空気を用いて前記収容を実施できる。さらに、後続の容器処理装置への搬送部を収容するように形成することもでき、および/または、後続の容器処理装置への搬送開始時または搬送中に、滅菌媒体を詰めた容器5を活性化および/または乾燥させることができる。そのような無菌収容(無菌収容部)については、当業者に知られているので、詳細に説明する必要はない。
異なる駆動装置を使用して、チャンバー壁18、シール要素28および/またはガスランス36の位置決めを実施できる。原則的に、空気圧駆動部および/または電気駆動部(一実施形態において特にリニアモータ)の使用が考えられる。しかし、特に、プラズマホイール2の回転との正確な運動協調性を支援するカム制御を実現することが考えられる。例えば、プラズマホイール2の周に沿って複数のカムが配置されるようにカム制御を設計できる。カムに沿って複数のカムローラがガイドされる。各カムローラは、位置決めされる構成要素と連結されている。
第1に、プラズマチャンバー17が閉じられた後、例えば第1および第6弁装置71.1および85.1がそれぞれ開かれ、従って、容器内部5.1およびプラズマチャンバー17の内部の両方がそれぞれ第1および第6真空ライン71および85を介して排気される。この際、付加された遮断ライン79の弁装置79.1は開かれている。この間、中央プロセスガスライン80の弁装置80.1および吸引ライン88の弁装置88.1は閉じられていることが好ましい。特に、容器内部5.1およびプラズマチャンバー17の排気中、第1から第3通気ライン76,84,87に対応する弁装置76.1,84.1,87.1も閉じられている。第1弁装置71.1を閉じた後、例えば第2弁装置72.1を開くことができるため、第2真空ライン72を介して容器内部5.1の圧力をより低い圧力レベルまで低下させることができる。必要ならば、第3または第4真空ライン73,74を介して、容器内部5.1および/またはプラズマチャンバー17の圧力を一層より低い負圧ステージまでまだ低下させることもできる。容器内部5.1および/またはプラズマチャンバー17内で十分に低い圧力レベルを達成した後、対応する弁装置71.1〜75.1を閉じることができる。あるいは、後続の処理ステップで容器内部5.1およびプラズマチャンバー17内にさらに十分に低い圧力レベルを供給するために、特に第5弁装置75.1および第6弁装置85.1を開いたままにすることもできる。
容器内部5.1へのガスランス36の位置決めと同時またはその前に、第1から第3プロセスガスライン81〜83の第1から第3弁装置81.1〜83.1の1つ以上、および中央プロセスガスライン80の弁装置80.1をもう開くことができ、特に、ガスランス36を介して、特定の組成を有するプロセスガスを容器内部5.1に供給できる。この前またはこれと同時に、遮断ライン79の弁装置79.1は閉じられる。
十分なプロセスガスが供給された後、マイクロ波発生器19は容器5の容器内部5.1内でプラズマ点火を行う。これに関連して、例えば、所定の時点で第1プロセスガスライン81の弁装置80.1を閉じるが、第2プロセスガスライン82の弁装置82.1を開いて、第2の組成を有するプロセスガスを供給することができる。特に容器内部5.1および/またはプロセスチャンバー17内で十分に低い負圧を保つために、少なくとも時折、第5弁装置76.1および/または第6弁装置85.3を開くこともできる。ここで、約0.3ミリバールの圧力レベルが適切であるとわかっている。
プラズマ処理の完了後、この時点でまだ開いている、第1から第3プロセスガスライン81〜83の弁装置81.1〜83.1、および第1から第6真空ライン71〜75,85の弁装置71.1〜75.1,85.3の全てを閉じる。一方、プラズマステーション3でのプラズマ処理後、少なくとも第2通気ライン84の弁装置84.1を開き、少なくとも容器5の容器内部5.1に少なくとも部分的に滅菌媒体を通気する(即ち詰める)。好適には、滅菌媒体はガスランス36を介して容器内部5.1に導入される。これに同期して、プラズマステーション3でのプラズマ処理後、少なくとも容器5の容器内部5.1に滅菌媒体を少なくとも部分的に通気する(即ち詰める)ために、容器内部5.1からガスランス36を下げることができ、および/または第2通気ライン76の弁装置76.1を開くことができる。このため、さらに、プラズマチャンバー17または容器5の容器外壁に滅菌媒体を通気することまたは当てることもできる。さらに、第3通気ライン87の弁装置87.1を後で開くことで、プラズマチャンバー17または容器5の容器外壁に滅菌媒体を通気することもできる。
好適には少なくとも大気圧または雰囲気圧まで、容器内部5.1およびプラズマチャンバー17に滅菌媒体を十分に通気したまたは詰めた後、第1から第3通気ライン76,84,87の開いている弁装置76.1,84.1,87.1を閉じる。容器5毎の通気時間は0.1秒から0.4秒までの間であり、好適には約0.2秒である。さらに、通気後に滅菌媒体が詰められた各容器5の滞留時間は、対応する容器5が搬出ホイール12を介して後続の搬送部に渡されるまでにおいて、プラズマモジュール1上で約2.5秒である。
続いて、通気後に第1から第3および中央プロセスガスライン80〜83およびプラズマチャンバー17にまだ存在する滅菌媒体を除去するために、例えば第4および/または第5真空ライン74,75および/または吸引ライン88を介して、洗浄、および/または残留滅菌媒体の吸引による排気を行うことができる。さらに、少なくとも容器内部5.1の通気の完了後、遮断弁装置79を介して供給周回路に洗浄媒体を導入することもでき、それによって滅菌媒体で汚染された供給周回路を清掃できる。
雰囲気圧がキャビティ4内で達成された後、チャンバー壁18は再び持ち上げられる。続いて、滅菌媒体が詰められたコーティングされた容器5の移動または引渡しが搬出ホイール12上で行われる。
本発明は、実施例を用いて上記のように説明された。本発明の基礎を形成する発明概念から外れることなく、多くの変更および修正が可能であることがわかる。
1 プラズマモジュール
2 プラズマホイール
3 プラズマステーション
4 キャビティ
5 容器
5.1 容器内部
6 装入部
7 個別化ホイール
8 デリバリホイール
9 担持アーム
10 台座
11 装入ホイール
12 搬出ホイール
13 搬出部
14 担持リング
15 機械台座
16 ステーションフレーム
17 プラズマチャンバー
18 チャンバー壁
19 マイクロ波発生器
20 回転分配器
21 リングライン
23 ガイドロッド
24 キャリッジ
25 エルボ
26 アダプタ
27 連結チャネル
28 保持要素
29 チャンバー底面
30 チャンバー台座
31 チャンバーカバー
32 フランジ
33 シール
34 内側フランジ
35 シール
36 ガスランス
37 ランスキャリッジ
38 プロセスガスチャネル
39 ガス接続部
70 真空チャネル
70.1 第1側
70.2 第2側
71 第1真空ライン
71.1 弁装置
72 第2真空ライン
72.1 弁装置
73 第3真空ライン
73.1 弁装置
74 第4真空ライン
74.1 弁装置
75 第5真空ライン
75.1 弁装置
76 第1通気ライン
76.1 弁装置
77 真空装置
78 圧力測定装置
78.1 弁装置
79 遮断弁装置
80 中央プロセスガスライン
80.1 弁装置
81 第1プロセスガスライン
81.1 弁装置
82 第2プロセスガスライン
82.2 弁装置
83 第3プロセスガスライン
83.1 弁装置
84 第2通気ライン
84.1 弁装置
85 第6真空ライン
85.1 第1側
85.2 第2側
85.3 弁装置
86 圧力測定装置
87 通気ライン
87.1 弁装置
88 吸引ライン
88.1 弁装置
88.2 容積式流量計

Claims (23)

  1. 容器(5)をプラズマ処理するための方法であって、
    容器内部(5.1)を有する少なくとも1つの容器(5)をプラズマステーション(3)のプラズマチャンバー(17)内に挿入して位置決めを行い、
    前記プラズマチャンバー(17)および前記少なくとも1つの容器内部(5.1)を少なくとも部分的に排気し、
    プラズマ処理によって、前記少なくとも部分的に排気したプラズマチャンバー(17)内の前記容器(5)の前記少なくとも1つの容器内部(5.1)に内部コーティングを施し、
    前記プラズマ処理後に、前記プラズマチャンバー(17)、および前記容器(5)の前記少なくとも1つの容器内部(5.1)の両方を少なくとも部分的に通気する通気ステップを実行し、
    前記プラズマ処理後、かつ前記プラズマチャンバー(17)内の前記容器(5)の充填前に、前記少なくとも1つの容器(5)の少なくとも前記容器内部(5.1)に蒸気の形態の滅菌媒体を詰め、前記通気ステップにおいて、少なくとも前記容器内部(5.1)に、気体、蒸気または霧の形態の前記滅菌媒体を少なくとも部分的に通気することを特徴とする、方法。
  2. 前記通気ステップにおいて前記容器内部(5.1)で滅菌媒体が少なくとも一度使用されるように、前記容器内部(5.1)に滅菌媒体を通気することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 搬出ホイール(12)の領域内において、まだプラズマホイール(2)の前記プラズマステーション(3)で、前記滅菌媒体による通気を行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
  4. 少なくとも大気圧まで前記容器(5)の前記容器内部(5.1)に前記滅菌媒体を詰めることを特徴とする、請求項1から3の何れかに記載の方法。
  5. 過酸化水素および/またはオゾンを含む滅菌媒体を少なくとも前記容器(5)の前記容器内部(5.1)に詰めることを特徴とする、請求項1から4の何れかに記載の方法。
  6. 前記容器(5)の前記容器内部(5.1)に加えて、前記プラズマチャンバー(17)にも前記滅菌媒体を少なくとも部分的に通気することを特徴とする、請求項1から5の何れかに記載の方法。
  7. 後続の前記滅菌媒体の活性化および/または乾燥を行うことを特徴とする、請求項1から6の何れかに記載の方法。
  8. 搬出ホイール(12)の領域で少なくとも前記各容器(5)のための前記滅菌媒体の活性化を行うことを特徴とする、請求項7に記載の方法。
  9. プラズマモジュール(1)の下流の容器処理装置に前記容器(5)を搬送する間に前記各容器(5)の活性化を行うことを特徴とする、請求項7に記載の方法。
  10. プラズマモジュール(1)の下流の容器処理装置に前記容器(5)を搬送する間に前記各容器(5)の乾燥を行うことを特徴とする、請求項7から9の何れかに記載の方法。
  11. プラズマ処理を反復する前に、少なくとも第1から第3プロセスガスライン(81〜83)および中央プロセスガスライン(80)を、吸引によって排気し、および/または洗浄することを特徴とする、請求項1から10の何れかに記載の方法。
  12. 少なくとも第2通気ライン(84)を介して滅菌媒体による前記通気を行い、前記第2通気ライン(84)は、中央プロセスガスライン(80)に流体気密に開口し、弁装置(84.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されていることを特徴とする、請求項1から11の何れかに記載の方法。
  13. さらに付加された第1通気ライン(76)を介して滅菌媒体による前記通気を行い、前記第1通気ライン(76)は、真空チャネル(70)の第2側(70.2)に流体気密に開口し、弁装置(76.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されていることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
  14. さらに別の第3通気ライン(87)を介して滅菌媒体による前記通気を行い、前記第3通気ライン(87)は、前記プラズマチャンバー(17)に流体気密に開口し、弁装置(87.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されていることを特徴とする、請求項12または13に記載の方法。
  15. 真空装置(77)とキャビティ(4)との間の流体接続部に、真空ライン(71〜75)の少なくとも1つ、真空ライン(71〜75)群、または1つ以上の真空ライン(71〜75)の一部分が滅菌媒体によって汚染されることを防止するように、前記通気中に少なくとも時々閉じられる追加の遮断弁装置(79)が設けられることを特徴とする、請求項1から14の何れかに記載の方法。
  16. 容器(5)をプラズマ処理するための装置であって、少なくとも1つのプラズマステーション(3)を備え、前記プラズマステーション(3)は、プラズマホイール(2)に配置され、それぞれ少なくとも1つのプラズマチャンバー(17)を有し、容器内部(5.1)を有する少なくとも1つの容器(5)が前記プラズマチャンバー(17)内に挿入されて位置決めされることが可能であり、前記各プラズマチャンバー(17)は、少なくとも部分的に排気され得るように形成され、前記プラズマステーション(3)は、前記少なくとも部分的に排気されたプラズマチャンバー(17)内で、プラズマ処理によって、前記容器(5)の前記少なくとも1つの容器内部(5.1)をコーティングするように設けられ、前記プラズマステーション(3)は、前記プラズマ処理後に前記プラズマチャンバー(17)および前記少なくとも1つの容器内部(5.1)の両方を少なくとも部分的に通気するための少なくとも1つの通気ライン(76,84,87)を有し、
    前記少なくとも1つの容器(5)の少なくとも前記容器内部(5.1)に、気体、蒸気または霧の形態の滅菌媒体を詰めるための少なくとも1つの通気ライン(76,84,87)が設けられ、前記少なくとも1つの通気ライン(76,84,87)は、気体、蒸気または霧の形態の前記滅菌媒体の供給ユニットに接続されていることを特徴とする装置。
  17. 前記少なくとも1つの通気ライン(76,84,87)は、前記通気ライン(76,84,87)における前記プラズマチャンバー(17)側とは反対側の端で、滅菌装置に接続されていることを特徴とする、請求項16に記載の装置。
  18. 少なくとも、滅菌媒体による通気のための第2通気ライン(84)が設けられ、前記第2通気ライン(84)は、中央プロセスガスライン(80)に流体気密に開口し、弁装置(84.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るよう形成されていることを特徴とする、請求項16または17に記載の装置。
  19. 滅菌媒体による通気のための第1通気ライン(76)が設けられ、前記第1通気ライン(76)は、真空チャネル(70)の第2側(70.2)に流体気密に開口し、弁装置(76.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されていることを特徴とする、請求項18に記載の装置。
  20. 滅菌媒体による通気のための第3通気ライン(76)が設けられ、前記第3通気ライン(76)は、前記プラズマチャンバー(17)に流体気密に開口し、弁装置(87.1)を介して、連通および/または遮断、制御、および/または調整され得るように形成されていることを特徴とする、請求項18または19に記載の装置。
  21. 前記滅菌媒体の吸引による排気のために、前記プラズマチャンバー(17)に開口する吸引ライン(88)が設けられていることを特徴とする、請求項16から20の何れかに記載の装置。
  22. 搬出ホイール(12)の領域に活性化装置および/または乾燥装置が設けられていることを特徴とする、請求項16から21の何れかに記載の装置。
  23. 少なくとも搬出ホイール(12)の領域に無菌収容部が設けられていることを特徴とする、請求項16から22の何れかに記載の装置。
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