JP2019220536A - 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 126
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 58
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 43
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 21
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 7
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- -1 oxygen radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
第1の実施の形態においては、エピタキシャル膜のその下地である基板との界面近傍の領域におけるSiを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制された結晶積層構造体、及びその結晶積層構造体の作製の過程で得られる半導体基板を作製する。
第1の実施の形態によれば、エピタキシャル膜12とその下地である基板10との界面13の近傍におけるエピタキシャル膜12中のSiの濃度が低い結晶積層構造体2が得られる。結晶積層構造体2においては、エピタキシャル膜12中の界面13の近傍におけるSiの濃度が低いため、界面13の近傍における高濃度のキャリアを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制されている。
第2の実施の形態においては、第1の実施の形態に係る結晶積層構造体を用いて製造される半導体デバイスの1つである横型MOSFETを製造する。なお、第1の実施の形態に含まれるものと同様の部材については、同じ符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
第2の実施の形態によれば、基板10とエピタキシャル膜12との界面13の近傍におけるエピタキシャル膜12中のSi濃度が低い横型MOSFET3が得られる。横型MOSFET3においては、エピタキシャル膜12中の界面13の近傍におけるSi濃度が低いため、界面13の近傍における高濃度のキャリアを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制されている。このため、ソース電極31とドレイン電極32の間に電流が流れるときにエピタキシャル膜12中の界面13の近傍を流れる寄生伝導電流の発生を抑えることができる。
第3の実施の形態においては、第1の実施の形態に係るエピタキシャル膜とその下地部材との界面のSi濃度を低減する方法を用いて縦型MOSFETを製造する。なお、第1、第2の実施の形態に含まれるものと同様の部材については、同じ符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
第3の実施の形態によれば、電流遮断領域42とエピタキシャル膜43の界面44の近傍におけるエピタキシャル膜43中のSi濃度が低い縦型MOSFET4が得られる。縦型MOSFET4においては、エピタキシャル膜43中の界面44の近傍におけるSi濃度が低いため、界面44の近傍における高濃度のキャリアを含む高伝導度層の形成が効果的に抑制されている。このため、ゲート電極47に閾値以下の電圧を印加してチャネルの一部を閉じたときに、エピタキシャル膜43中の界面44の近傍における寄生伝導電流の発生を抑えることができる。
前記反応性イオンエッチングが、上部電極と下部電極との間の全ての装置部品がSiを含まない材料からなる反応性イオンエッチング装置を用いて実施される、
半導体基板の製造方法。
上記[1]に記載の半導体基板の製造方法。
加熱処理により、前記アモルファスキャップ層を、その表面に付着した大気中のSiに由来するSi化合物とともに除去する工程と、
前記アモルファスキャップ層を除去した後、Siを含まない第2の材料を母材とするエピタキシャル膜を前記下地部材の表面上にエピタキシャル成長させる工程と、
を含み、
前記反応性イオンエッチングが、上部電極と下部電極との間の全ての部材がSiを含まない材料からなる反応性イオンエッチング装置を用いて実施される、
結晶積層構造体の製造方法。
上記[3]に記載の結晶積層構造体の製造方法。
上記[3]又は[4]に記載の結晶積層構造体の製造方法。
Siと反応するエッチングガスに含まれる元素を含むアモルファスキャップ層が表面に形成された、
半導体基板。
上記[6]に記載の半導体基板。
Siを含まない第2の材料を母材とする、前記下地部材上のエピタキシャル膜と、
を含み、
前記下地部材と前記エピタキシャル膜との界面のSi濃度が5×1018cm−3未満である、
結晶積層構造体。
上記[8]に記載の結晶積層構造体。
上記[9]に記載の結晶積層構造体。
Siを含まない第2の材料を母材とする、前記下地部材上のエピタキシャル膜と、
前記下地部材と前記エピタキシャル膜との界面と電気的に接続された電極と、
を含み、
前記界面のSi濃度が5×1018cm−3未満である、
半導体デバイス。
上記[11]に記載の半導体デバイス。
上記[12]に記載の半導体デバイス。
Claims (5)
- Siを含まない第1の材料を母材とする基板に、Siと反応するエッチングガスを用いる反応性イオンエッチングを施し、前記エッチングガスに含まれる元素を含むアモルファスキャップ層を前記基板の表面に形成する工程、を含み、
前記反応性イオンエッチングが、上部電極と下部電極との間の全ての装置部品がSiを含まない材料からなる反応性イオンエッチング装置を用いて実施される、
半導体基板の製造方法。 - Siを含まない第1の材料を母材とする下地部材に、前記Siと反応するエッチングガスを用いる反応性イオンエッチングを施し、前記エッチングガスに含まれる元素を含むアモルファスキャップ層を前記下地部材の表面に形成する工程と、
加熱処理により、前記アモルファスキャップ層を、その表面に付着した大気中のSiに由来するSi化合物とともに除去する工程と、
前記アモルファスキャップ層を除去した後、Siを含まない第2の材料を母材とするエピタキシャル膜を前記下地部材の表面上にエピタキシャル成長させる工程と、
を含み、
前記反応性イオンエッチングが、上部電極と下部電極との間の全ての部材がSiを含まない材料からなる反応性イオンエッチング装置を用いて実施される、
結晶積層構造体の製造方法。 - Siを含まない第1の材料を母材とし、
Siと反応するエッチングガスに含まれる元素を含むアモルファスキャップ層が表面に形成された、
半導体基板。 - Siを含まない第1の材料を母材とする下地部材と、
Siを含まない第2の材料を母材とする、前記下地部材上のエピタキシャル膜と、
を含み、
前記下地部材と前記エピタキシャル膜との界面のSi濃度が5×1018cm−3未満である、
結晶積層構造体。 - Siを含まない第1の材料を母材とする下地部材と、
Siを含まない第2の材料を母材とする、前記下地部材上のエピタキシャル膜と、
前記下地部材と前記エピタキシャル膜との界面と電気的に接続された電極と、
を含み、
前記界面のSi濃度が5×1018cm−3未満である、
半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018115608A JP7325073B2 (ja) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2018115608A JP7325073B2 (ja) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2018115608A Active JP7325073B2 (ja) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス |
Country Status (1)
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JP (1) | JP7325073B2 (ja) |
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