JP2019211786A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつき及び移動度のばらつきの影響を低減できる半導体装置の駆動方法を提供することを課題とする。【解決手段】ｎチャネル型の導電型を有するトランジスタと、トランジスタのゲートと第１の端子との電気的な接続を制御するためのスイッチと、トランジスタのゲートと第２の端子との間に電気的に接続された容量素子と、表示素子と、を有する半導体装置の駆動方法であって、容量素子に、トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧及び映像信号電圧の和を保持する第１の期間と、スイッチを導通状態とすることにより、映像信号電圧及びしきい値電圧の和に応じて容量素子に保持された電荷を、トランジスタを介して放電する第２の期間と、第２の期間の後に、トランジスタを介して、表示素子に電流を供給する第３の期間と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、表示装置、若しくは発光装置、又はそれらの駆動方法に関する。
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などのフラットパネルディスプレイが広く普及してき
ている。しかしながら、ＬＣＤには、視野角が狭い、色度範囲が狭い、応答速度が遅い、
などの様々な欠点を有している。そこで、それらの欠点を克服したディスプレイとして、
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス、有機発光ダイオード、オーレッドなどとも言う）
ディスプレイの研究が活発に行われている（特許文献１）。
しかしながら、有機ＥＬディスプレイには、有機ＥＬ素子に流れる電流を制御するための
トランジスタの電流特性が、画素毎にばらついてしまう、という問題点があった。有機Ｅ
Ｌ素子に流れる電流（すなわち、トランジスタを流れる電流）がばらつけば、有機ＥＬ素
子の輝度もばらつき、ムラのある表示画面となってしまう。そこで、トランジスタのしき
い値電圧のバラツキを補正する方法が検討されている（特許文献２乃至６）。
しかし、トランジスタのしきい値電圧のバラツキを補正しても、トランジスタの移動度が
ばらつけば、有機ＥＬ素子に流れる電流もばらついてしまい、画像ムラを生じてしまう。
そこで、トランジスタのしきい値電圧だけでなく、移動度のバラツキも補正する方法が検
討されている（特許文献７乃至８）。
特開２００３−２１６１１０号公報 特開２００３−２０２８３３号公報 特開２００５−３１６３０号公報 特開２００５−３４５７２２号公報 特開２００７−１４８１２９号公報 国際公開第２００６／０６０９０２号パンフレット 特開２００７−１４８１２８号公報（［００９８］段落） 特開２００７−３１０３１１号公報（［００２６］段落）
特許文献７乃至８で開示された技術においては、映像信号（ビデオ信号）を画素に入力し
ながら、トランジスタの移動度のばらつきの補正を行っており、問題が生じる。
例えば、映像信号を入力しながら移動度のばらつきの補正を行うため、その間は、別の画
素に映像信号を入力することが出来ない。通常、画素数、フレーム周波数または画面サイ
ズなどが決まれば、各画素に映像信号を入力する期間（いわゆる、１ゲート選択期間また
は１水平期間）の最大値も決まる。よって、１ゲート選択期間中に、移動度のバラツキの
補正を行う期間が増えることにより、他の処理（映像信号の入力やしきい値電圧の取得な
ど）の期間が減ってしまう。そのため画素では、１ゲート選択期間中に、様々な処理を行
わなければならないこととなる。結果として、処理期間が足りず、正確な処理を行えない
、または、移動度のバラツキの補正の期間を十分に確保することができないために移動度
の補正が不十分となってしまう。
さらに、画素数やフレーム周波数が高くなる、または画面サイズが大きくなると、１画素
当たりの１ゲート選択期間がますます短くなる。そのため、画素への映像信号の入力のた
めの時間や、移動度のばらつきの補正のための時間などが十分に確保できなくなってしま
う。
あるいは、映像信号を入力しながら移動度のばらつきの補正を行う場合、移動度のばらつ
きの補正は、映像信号の波形のなまりの影響を受けやすい。そのため、映像信号の波形の
なまりが大きい場合と小さい場合とでは、移動度の補正の程度にばらつきが生じてしまい
、正確な補正が出来ない。
あるいは、画素に映像信号を入力しながら移動度のばらつきの補正を行う場合、点順次駆
動を行うことが困難である場合が多い。点順次駆動では、ある行の画素に映像信号を入力
する場合、その行の全ての画素に同時に映像信号を入力するのではなく、１画素ずつ順に
映像信号を入力していく。したがって、映像信号を入力している期間の長さは、画素毎に
異なってくる。よって、映像信号を入力しながら移動度のばらつきの補正を行う場合、画
素毎に移動度のばらつきの補正期間が異なってきてしまうため、補正量も画素毎に異なっ
てしまい、正常に補正を行うことが出来ない。したがって、映像信号を入力しながら移動
度のばらつきの補正を行う場合は、点順次駆動ではなく、その行の全ての画素に同時に信
号を入力する線順次駆動を行う必要がある。
さらに、線順次駆動を行う場合、点順次駆動を行う場合と比べて、ソース信号線駆動回路
（ビデオ信号線駆動回路、ソースドライバー、データドライバーとも言う）の構成が複雑
になる。例えば、線順次駆動でのソース信号線駆動回路は、ＤＡコンバータ、アナログバ
ッファ、ラッチ回路などの回路が必要となる場合が多い。しかし、アナログバッファは、
オペアンプやソースフォロワ回路などで構成される場合が多く、トランジスタの電流特性
のばらつきの影響を受けやすい。したがって、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いて回路
を構成する場合、トランジスタの電流特性のばらつきを補正する回路が必要となり、回路
の規模が大きくなってしまったり、消費電力が大きくなってしまったりする。そのため、
画素部分のトランジスタとしてＴＦＴが用いられている場合には、画素部分と信号線駆動
回路とを同一基板上に形成することが困難となる可能性がある。そのため、信号線駆動回
路を画素部分とは別の手段を用いて作成する必要があり、コストが高くなってしまう可能
性がある。さらに、画素部分と信号線駆動回路とを、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）ま
たはＴＡＢ（テープ・オートメイテド・ボンディング）などを用いて接続する必要があり
、接触不良などを起こしてしまったり、信頼性を損ねてしまったりする。
そこで、本発明の一態様は、トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を低減するこ
とを課題とする。または、本発明の一態様は、トランジスタの移動度のばらつきの影響を
低減することを課題とする。または、本発明の一態様は、トランジスタの電流特性のばら
つきの影響を低減することを課題とする。または、本発明の一態様は、映像信号の入力期
間を長く確保することを課題とする。または、本発明の一態様は、しきい値電圧のばらつ
きの影響を低減するための補正期間を長く確保することを課題とする。または、本発明の
一態様は、移動度のばらつきの影響を低減するための補正期間を長く確保することを課題
とする。または、本発明の一態様は、映像信号の波形のなまりの影響を受けにくくするこ
とを課題とする。または、本発明の一態様は、線順次駆動だけでなく、点順次駆動を用い
ることも出来ることを課題とする。または、本発明の一態様は、画素と駆動回路とを同じ
基板上に形成することを課題とする。または、本発明の一態様は、消費電力を低くするこ
とを課題とする。または、本発明の一態様は、製造コストを低くすることを課題とする。
または、本発明の一態様は、配線の接続部分の接触不良を起こす可能性を低減することを
課題とする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお
、本発明の一態様は、上記の課題の全てを解決する必要はないものとする。
本発明の一態様は、ｎチャネル型の導電型を有するトランジスタと、トランジスタのゲー
トとトランジスタの第１の端子との導通状態を制御するためのスイッチと、トランジスタ
のゲートとトランジスタの第２の端子との間に電気的に接続された容量素子と、表示素子
と、を有する半導体装置の駆動方法であって、容量素子に、トランジスタのしきい値電圧
に応じた電圧及び映像信号電圧の和を保持する第１の期間と、スイッチを導通状態とする
ことにより、映像信号電圧及びしきい値電圧の和に応じて容量素子に保持された電荷を、
トランジスタを介して放電する第２の期間と、第２の期間の後に、トランジスタを介して
、表示素子に電流を供給する第３の期間と、を有する半導体装置の駆動方法である。
本発明の一態様は、ｎチャネル型の導電型を有するトランジスタと、トランジスタのゲー
トとトランジスタの第１の端子との導通状態を制御するためのスイッチと、トランジスタ
のゲートとトランジスタの第２の端子との間に電気的に接続された容量素子と、表示素子
と、を有する半導体装置の駆動方法であって、容量素子に、トランジスタのしきい値電圧
に応じた電圧を保持する第１の期間と、容量素子に、トランジスタのしきい値電圧に応じ
た電圧及び映像信号電圧の和を保持する第２の期間と、スイッチを導通状態とすることに
より、映像信号電圧及びしきい値電圧の和に応じて容量素子に保持された電荷を、トラン
ジスタを介して放電する第３の期間と、第３の期間の後に、トランジスタを介して、表示
素子に電流を供給する第４の期間と、を有する半導体装置の駆動方法である。
本発明の一態様は、ｎチャネル型の導電型を有するトランジスタと、トランジスタのゲー
トとトランジスタの第１の端子との導通状態を制御するためのスイッチと、トランジスタ
のゲートとトランジスタの第２の端子との間に電気的に接続された容量素子と、表示素子
と、を有する半導体装置の駆動方法であって、容量素子に保持された電圧を初期化するた
めの第１の期間と、容量素子に、トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧を保持する第
２の期間と、容量素子に、トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧及び映像信号電圧の
和を保持する第３の期間と、スイッチを導通状態とすることにより、映像信号電圧及びし
きい値電圧の和に応じて容量素子に保持された電荷を、トランジスタを介して放電する第
４の期間と、第４の期間の後に、トランジスタを介して、表示素子に電流を供給する第４
の期間と、を有する半導体装置の駆動方法である。
なお、スイッチは、様々な形態のものを用いることができる。例としては、電気的スイッ
チや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、
特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ（例えば、バイポー
ラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、Ｐ
ＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）などを用いることが出来
る。または、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることが出来る。
機械的なスイッチの例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のように、
ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチがある
。そのスイッチは、機械的に動かすことが出来る電極を有し、その電極が動くことによっ
て、導通と非導通とを制御して動作する。
なお、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタの両方を用いて、ＣＭＯＳ
型のスイッチをスイッチとして用いてもよい。
なお、ＡとＢとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気的に接続
されている場合と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合と、ＡとＢとが直接接続され
ている場合とを含むものとする。ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路
、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。したがって、所定の接続関係、
例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関
係以外のものも含むものとする。
例えば、ＡとＢとが電気的に接続されている場合として、ＡとＢとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オードなど）が、ＡとＢとの間に１個以上接続されていてもよい。あるいは、ＡとＢとが
機能的に接続されている場合として、ＡとＢとの機能的な接続を可能とする回路（例えば
、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回
路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、
降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、
切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、
差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制
御回路など）が、ＡとＢとの間に１個以上接続されていてもよい。例えば、ＡとＢとの間
に別の回路を挟んでいても、Ａから出力された信号がＢへ伝達される場合は、ＡとＢとは
機能的に接続されているものとする。
なお、ＡとＢとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＡとＢとが電気
的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟んで接続され
ている場合）と、ＡとＢとが機能的に接続されている場合（つまり、ＡとＢとの間に別の
回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＡとＢとが直接接続されている場合（つ
まり、ＡとＢとの間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むもの
とする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続され
ている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
なお、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、発光素子を有する装
置である発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子を有することが出来る。例えば
、表示素子、表示装置、発光素子または発光装置は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）
素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色
ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光
するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティ
ングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、デジタルマイク
ロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、な
ど、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒
体を有することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、
電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）
やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた表示装置とし
ては液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液
晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）、電子インクや電
気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
なお、液晶素子とは、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素
子であり、一対の電極、及び液晶により構成される。なお、液晶の光学的変調作用は、液
晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御
される。なお、液晶素子としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック
液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、
高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、
側鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ）、バナナ型液晶などを挙げること
ができる。また、液晶の駆動方式としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モ
ード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−
Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉ
ｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍ
ｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モード、ＡＳＭ（
Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード
、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ
）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉ
ｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）モー
ドなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方法と
して様々なものを用いることができる。
なお、トランジスタとして、様々な形態のトランジスタを用いることが出来る。よって、
用いるトランジスタの種類に限定はない。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微
結晶（マイクロクリスタル、ナノクリスタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなど
に代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが
出来る。
なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結
晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。なお
、微結晶シリコンを製造するときに、触媒（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性
をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。ただし、
触媒（ニッケルなど）を用いずに、多結晶シリコンや微結晶シリコンを製造することは可
能である。
なお、シリコンの結晶性を、多結晶または微結晶などへと向上させることは、パネル全
体で行うことが望ましいが、それに限定されない。パネルの一部の領域のみにおいて、シ
リコンの結晶性を向上させてもよい。
または、半導体基板やＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを形成することが出来る。
または、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ
、ＴｉＯ、ＡｌＺｎＳｎＯ（ＡＺＴＯ）などの化合物半導体または酸化物半導体を有する
トランジスタや、さらに、これらの化合物半導体または酸化物半導体を薄膜化した薄膜ト
ランジスタなどを用いることが出来る。なお、これらの化合物半導体または酸化物半導体
を、トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることも出
来る。例えば、これらの化合物半導体または酸化物半導体を抵抗素子、画素電極、透光性
を有する電極として用いることができる。さらに、それらをトランジスタと同時に成膜又
は形成できるため、コストを低減できる。
または、インクジェットや印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることが出
来る。
または、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることがで
きる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る
。このような基板を用いた半導体装置は、衝撃に強くすることができる。
さらに、様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、ＭＯＳ型トランジ
スタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどをトランジスタとして用いるこ
とが出来る。
なお、ＭＯＳ型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを１つの基板に混在させて
形成してもよい。
その他、様々なトランジスタを用いることができる。
なお、トランジスタは、様々な基板を用いて形成することが出来る。基板の種類は、特
定のものに限定されることはない。その基板としては、例えば、単結晶基板（例えばシリ
コン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステン
レス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タン
グステン・ホイルを有する基板、可撓性基板などを用いることが出来る。ガラス基板の一
例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどがある。可撓性
基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、又はアク
リル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。他にも、貼り合わせフィルム（ポリプロピ
レン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなど）、繊維状な材料を含
む紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着フィルム、紙類
等）などがある。または、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板に
トランジスタを転置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転
置される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック
基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）
、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、
キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレ
ス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。
あるいは、人などの動物の皮膚（表皮、真皮）又は皮下組織を基板として用いてもよい。
または、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その基板を研磨して薄くしてもよい。
研磨される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチッ
ク基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用い
ることができる。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消
費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又
は薄型化を図ることができる。
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができ、特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極が２個以上のマルチゲート構造を適用することができる。
別の例として、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造を適用することができ
る。なお、チャネルの上下にゲート電極が配置される構成にすることにより、複数のトラ
ンジスタが並列に接続されたような構成となる。
チャネル領域の上にゲート電極が配置されている構造、チャネル領域の下にゲート電極
が配置されている構造、正スタガ構造、逆スタガ構造、チャネル領域を複数の領域に分け
た構造、チャネル領域を並列に接続した構造、またはチャネル領域が直列に接続する構成
も適用できる。さらに、チャネル領域（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極
が重なっている構造も適用できる。
なお、トランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板を用いて形成さ
せることができる。したがって、所定の機能を実現させるために必要な回路の全てが、同
一の基板に形成することも可能である。例えば、所定の機能を実現させるために必要な回
路の全てが、ガラス基板、プラスチック基板、単結晶基板、またはＳＯＩ基板などの様々
な基板を用いて形成することも可能である。あるいは、所定の機能を実現させるために必
要な回路の一部が、ある基板に形成され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別
の一部が、別の基板に形成されていることも可能である。つまり、所定の機能を実現させ
るために必要な回路の全てが同じ基板を用いて形成されていなくてもよい。例えば、所定
の機能を実現させるために必要な回路の一部は、ガラス基板上にトランジスタにより形成
され、所定の機能を実現させるために必要な回路の別の一部は、単結晶基板に形成され、
単結晶基板を用いて形成されたトランジスタで構成されたＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）でガラス基板に接続して、ガラス基板上にそのＩＣチップを配置す
ることも可能である。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続することも可能である。
なお、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端
子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ド
レイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。ここで、ソ
ースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソ
ースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソース及びドレイン
として機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない場合がある。その場合、一例
としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合がある。あるいは、それぞれを
第１電極、第２電極と表記する場合がある。あるいは、第１領域、第２領域と表記する場
合がある。
なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を
有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子、第
２端子などと表記する場合がある。
なお、Ａの上にＢが形成されている、あるいは、Ａ上にＢが形成されている、と明示的
に記載する場合は、Ａの上にＢが直接接して形成されていることに限定されない。直接接
してはいない場合、つまり、ＡとＢと間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。
ここで、Ａ、Ｂは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、と明示的に
記載されている場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に
直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂ
が形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、
単層でもよいし、複層でもよい。
さらに、Ａの上方にＢが形成されている、と明示的に記載されている場合についても同
様であり、Ａの上にＢが直接接していることに限定されず、ＡとＢとの間に別の対象物が
介在する場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、
という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接し
て別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成さ
れている場合とを含むものとする。なお、別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）は、単層でも
よいし、複層でもよい。
なお、Ａの上にＢが形成されている、Ａ上にＢが形成されている、又はＡの上方にＢが形
成されている、と明示的に記載する場合、斜め上にＢが形成される場合も含むこととする
。
なお、Ａの下にＢが、あるいは、Ａの下方にＢが、の場合についても、同様である。
なお、明示的に単数として記載されているものについては、単数であることが望ましい
。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に、明示的に複数とし
て記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただし、これに限定され
ず、単数であることも可能である。
なお、図において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合
がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
なお、図は、理想的な例を模式的に示したものであり、図に示す形状又は値などに限定さ
れない。例えば、製造技術による形状のばらつき、誤差による形状のばらつき、ノイズに
よる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、
若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
なお、専門用語は、特定の実施の形態、又は実施例などを述べる目的で用いられる場合が
多い。ただし、発明の一態様は、専門用語によって、限定して解釈されるものではない。
なお、定義されていない文言（専門用語又は学術用語などの科学技術文言を含む）は、通
常の当業者が理解する一般的な意味と同等の意味として用いることが可能である。辞書等
により定義されている文言は、関連技術の背景と矛盾がないような意味に解釈されること
が好ましい。
なお、第１、第２、第３などの語句は、様々な要素、部材、領域、層、区域を他のものと
区別して記述するために用いられる。よって、第１、第２、第３などの語句は、要素、部
材、領域、層、区域などの数を限定するものではない。さらに、例えば、「第１の」を「
第２の」又は「第３の」などと置き換えることが可能である。
なお、「上に」、「上方に」、「下に」、「下方に」、「横に」、「右に」、「左に」、
「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、「外に」、又は「中に」などの空間的配
置を示す語句は、ある要素又は特徴と、他の要素又は特徴との関連を、図によって簡単に
示すために用いられる場合が多い。ただし、これに限定されず、これらの空間的配置を示
す語句は、図に描く方向に加えて、他の方向を含むことが可能である。例えば、Ａの上に
Ｂ、と明示的に示される場合は、ＢがＡの上にあることに限定されない。図中のデバイス
は反転、又は１８０°回転することが可能なので、ＢがＡの下にあることを含むことが可
能である。このように、「上に」という語句は、「上に」の方向に加え、「下に」の方向
を含むことが可能である。ただし、これに限定されず、図中のデバイスは様々な方向に回
転することが可能なので、「上に」という語句は、「上に」、及び「下に」の方向に加え
、「横に」、「右に」、「左に」、「斜めに」、「奥に」、「手前に」、「内に」、「外
に」、又は「中に」などの他の方向を含むことが可能である。つまり、状況に応じて適切
に解釈することが可能である。
本発明の一態様は、トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を低減することが出来
る。または、本発明の一態様は、トランジスタの移動度のばらつきの影響を低減すること
が出来る。または、本発明の一態様は、トランジスタの電流特性のばらつきの影響を低減
することが出来る。または、本発明の一態様は、映像信号の入力期間を長く確保すること
が出来る。または、本発明の一態様は、しきい値電圧のばらつきの影響を低減するための
補正期間を長く確保することが出来る。または、本発明の一態様は、移動度のばらつきの
影響を低減するための補正期間を長く確保することが出来る。または、本発明の一態様は
、映像信号の波形のなまりの影響を受けにくくすることが出来る。または、本発明の一態
様は、線順次駆動だけでなく、点順次駆動を用いることが出来る。または、本発明の一態
様は、画素と駆動回路とを同じ基板上に形成することが出来る。または、本発明の一態様
は、消費電力を低くすることが出来る。または、本発明の一態様は、コストを低くするこ
とが出来る。または、本発明の一態様は、配線の接続部分の接触不良を低減することが出
来る。
実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す動作を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す駆動方法を説明する断面図。 実施の形態で示すブロック図を説明する断面図。 実施の形態で示すブロック図を説明する断面図。 実施の形態で示すトランジスタを説明する断面図。 実施の形態で示すトランジスタを説明する断面図。 実施の形態で示す回路または駆動方法を説明する図。 実施の形態で示す電子機器を説明する図。 実施の形態で示す電子機器を説明する図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多
くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくそ
の形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って本実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成にお
いて、同様のものを指す符号は異なる図面間で共通の符号を用いて示し、同一部分又は同
様な機能を有する部分の詳細な説明は省略する。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図または文章において、その一部分を取り出
して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、ある部分を述べる図また
は文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り出した内容も、発明の一
態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能であるものと
する。そのため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子
（容量素子、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、
基板、モジュール、装置、固体、液体、気体、動作方法、製造方法などが単数又は複数記
載された図面（断面図、平面図、回路図、ブロック図、フローチャート、工程図、斜視図
、立面図、配置図、タイミングチャート、構造図、模式図、グラフ、表、光路図、ベクト
ル図、状態図、波形図、写真、化学式など）または文章において、その一部分を取り出し
て、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。一例としては、Ｎ個（Ｎは整
数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（Ｍ
は整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。別の一例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。別の一例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成される
フローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態様を
構成することは可能である。
（実施の形態１）
図１に、トランジスタの移動度などの電流特性のばらつきを補正する場合の駆動方法、駆
動タイミングおよび、その時の回路構成について、その一例を示す。なお、本実施の形態
においては、トランジスタの導電型がｎチャネル型の例について説明を行う。
図１（Ａ）に、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期
間における回路構成を示す。なお図１（Ａ）に示す回路構成は、トランジスタ１０１の移
動度などの電流特性のばらつきを補正するために、トランジスタのゲートに保持されてい
る電荷を放電するための回路構成であり、実際には配線間に設けられる複数のスイッチの
オンまたはオフを制御することで当該回路構成の接続関係を実現するものである。なお図
中、実線は素子間の導通状態をあらわし、点線は、素子間の非導通状態をあらわすものと
する。
図１（Ａ）において、トランジスタ１０１のソースまたはドレインの一方（以下、第１の
端子という）は、容量素子１０２の第１の端子（または第１の電極ともいう）及びトラン
ジスタ１０１のゲートと導通状態にある。トランジスタ１０１のソースまたはドレインの
他方（以下、第２の端子という）は、容量素子１０２の第２の端子（または第２の電極と
もいう）及びトランジスタ１０１のゲートと導通状態にある。容量素子１０２の第１の端
子（または第１の電極）は、トランジスタ１０１のゲート及びトランジスタ１０１の第１
の端子と導通状態にある。
表示素子１０５の第１の端子（または第１の電極）は、トランジスタ１０１の第２の端子
及び容量素子１０２の第２の端子と、非導通状態にある。トランジスタ１０１の第２の端
子及び容量素子１０２の第２の端子以外の端子、配線または電極と、表示素子１０５の第
１の端子（または第１の電極）とは、非導通状態にあることが望ましい。表示素子１０５
の第２の端子（または第２の電極）は、配線１０６と導通状態にあることが望ましい。
なお、表示素子１０５の第１端子とトランジスタ１０１の第２端子とが非導通状態となら
ずに、その代わりとして、配線１０６の電位が高くなっており、表示素子１０５が逆バイ
アス状態になっていることにより、表示素子１０５に電流がほとんど流れない状態として
もよい。
配線１０４は、トランジスタ１０１の第１の端子と、非導通状態にある。さらに、配線１
０４は、容量素子１０２の第１の端子（または第１の電極）と、非導通状態にある。なお
、配線１０４は、図１（Ａ）に示すように、トランジスタ１０１の第１の端子と容量素子
１０２の第１の端子（または第１の電極）以外の端子、配線または電極とも、非導通状態
にあることが望ましい。
なお、配線１０４を介して、トランジスタ１０１または容量素子１０２に、映像信号また
は所定の電圧などを供給される場合がある。よって、配線１０４は、ソース信号線、映像
信号線、または、ビデオ信号線などと呼ばれる場合がある。
なお、図１（Ａ）の様な接続構成になる前に、つまり、トランジスタ１０１の移動度など
の電流特性のばらつきの補正を行う前に、容量素子１０２には、トランジスタ１０１のし
きい値電圧に応じた電圧が保持されていることが望ましい。そして、映像信号（ビデオ信
号）が配線１０４を介して容量素子１０２に入力されていることが望ましい。したがって
、容量素子１０２には、トランジスタ１０１のしきい値電圧に応じた電圧および映像信号
電圧の和の電圧が保持されていることが望ましい。よって、図１（Ａ）の前の状態におい
ては、つまり、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきの補正を行う前に
は、配線１０４は、トランジスタ１０１のドレイン、ソース、ゲート、容量素子１０２の
第１の端子、第２の端子などのうちの少なくとも一つと導通状態にあり、既に映像信号の
入力動作が行われていることが望ましい。
なお、容量素子１０２によって、トランジスタ１０１のしきい値電圧に応じた電圧および
映像信号電圧の和の電圧が保持されていることが望ましい。容量素子１０２には、トラン
ジスタ１０１のしきい値電圧に応じた電圧は保持されておらず、映像信号電圧のみが保持
されていることも可能である。
なお、容量素子１０２によって電圧が保持されている場合、スイッチングノイズなどによ
り、わずかに電圧が変動する可能性がある。ただし、実動作に影響を与えない範囲であれ
ば、多少ずれていても問題はない。したがって、例えば、トランジスタ１０１のしきい値
電圧に応じた電圧および映像信号電圧の和の電圧が容量素子１０２に入力された場合、実
際に容量素子１０２に保持されている電圧は、その入力された電圧とは、完全には一致せ
ず、ノイズなどの影響により、わずかに、異なっている場合がある。ただし、実動作に影
響を与えない範囲であれば、多少ずれていても問題はない。
次に、図１（Ｂ）に、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流が供給されて
いる期間における回路構成について示す。なお図１（Ｂ）に示す回路構成は、トランジス
タ１０１より表示素子１０５に電流を供給するための回路構成であり、実際には配線間に
設けられる複数のスイッチのオンまたはオフを制御することで当該回路構成の接続関係を
実現するものである。
トランジスタ１０１の第１の端子は、配線１０３と導通状態にある。トランジスタ１０１
の第２の端子は、表示素子１０５の第１の端子及び容量素子１０２の第２の端子と導通状
態にある。トランジスタ１０１の第１の端子は、トランジスタ１０１のゲートと非導通状
態にある。容量素子１０２の第１の端子は、トランジスタ１０１のゲートと導通状態にあ
る。容量素子１０２の第２の端子は、トランジスタ１０１の第２の端子及び表示素子１０
５の第１の端子と導通状態にある。表示素子１０５の第２の端子は、配線１０６と導通状
態にある。
配線１０４は、トランジスタ１０１の第１の端子と、非導通状態にある。さらに、配線１
０４は、容量素子１０２の第１の端子と、非導通状態にある。なお、配線１０４は、図１
（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１の第１の端子と容量素子１０２の第１の端子以
外の端子、配線または電極とも、非導通状態にあることが望ましい。
つまり、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図
１（Ａ））から、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流が供給されている
期間（図１（Ｂ））へ移行するときには、少なくとも、トランジスタ１０１の第１の端子
とトランジスタ１０１のゲートとの導通状態と、トランジスタ１０１の第２の端子と表示
素子１０５の第１の端子との導通状態とが変化することとなるが、これに限定されず、他
の部分の導通状態が変化することもできる。そして、上述のように導通状態を制御できる
ように、スイッチ、トランジスタまたはダイオードなど素子を配置することが望ましい。
そして、当該素子を用いて導通状態を制御し、図１（Ａ）、図１（Ｂ）の接続状況を実現
するような回路構成を実現することが出来る。よって、図１（Ａ）、図１（Ｂ）のような
接続状況を実現できるならば、スイッチ、トランジスタまたはダイオードなどの素子を自
由に配置することができ、その個数または接続構造も限定されない。
一例としては、図２（Ａ）に示すように、スイッチ２０１の第１の端子をトランジスタ１
０１のゲート及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し、スイッチ２０１の第２
の端子をトランジスタ１０１の第１の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ２０２
の第１の端子をトランジスタ１０１の第２の端子及び容量素子１０２の第２の端子と電気
的に接続し、スイッチ２０２の第２の端子を表示素子１０５の第１の端子と電気的に接続
する。そして、スイッチ２０３の第１の端子を配線１０３と電気的に接続し、スイッチ２
０３の第２の端子をスイッチ２０１の第２の端子及びトランジスタ１０１の第１の端子と
電気的に接続する。そして、スイッチ２０４の第１の端子をスイッチ２０１の第１の端子
、トランジスタ１０１のゲート、及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し、ス
イッチ２０４の第２の端子を配線１０４と電気的に接続する。このように、４つのスイッ
チを配置することにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）の接続状況を実現するような回路構成
を実現することが出来る。
図２（Ａ）とは別の例を、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）に示す。図２（Ｂ）では
、図２（Ａ）に新たにスイッチ２０５を設け、配線２０６との接続を制御することで、ト
ランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する構成について示している。図２（Ｃ）で
は、図２（Ａ）に新たにスイッチ２０７を設け、配線２０８との接続を制御することで、
トランジスタ１０１のゲートの電位を制御する構成について示している。図２（Ｄ）では
、図２（Ｂ）に新たにスイッチ２０７を設け、配線２０８との接続を制御することで、ト
ランジスタ１０１のゲートの電位及びトランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する
構成について示している。そして例えば、配線２０６または配線２０８の電位を変化させ
ることにより、図１（Ａ）または図１（Ｂ）と同様な動作を実現することが出来る。そし
て、さらにスイッチやトランジスタなどが必要な場合は、適宜、配置される。
なお、ＡはＢと導通状態にある、と記載しているが、その場合、ＡとＢとの間には、様々
な素子が接続されていることは可能である。例えば、抵抗素子、容量素子、トランジスタ
、ダイオードなどがＡとＢとの間に、直列接続、または並列接続で接続されていることは
可能である。同様に、ＡはＢと非導通状態にある、と記載しているが、その場合、ＡとＢ
との間には、様々な素子が接続されていることは可能である。ＡとＢとが、非導通になっ
てさえすればよいため、それ以外の部分では、様々な素子が接続されていることは可能で
ある。例えば、抵抗素子、容量素子、トランジスタ、ダイオードなどの素子が直列接続、
または並列接続で接続されていることは可能である。
次に、動作方法について述べる。ここでは、図２（Ａ）の回路を用いて述べるが、それ以
外の回路についても、同様な動作方法を用いることが出来る。
まず、図６（Ａ）に示すように、初期化を行う。これは、トランジスタ１０１のゲート、
または、ドレイン（またはソース）の電位を、所定の電位に設定する動作である。これに
より、トランジスタ１０１がオンするような状態にすることが出来る。または、容量素子
１０２に、所定の電圧が供給される。そのため、容量素子１０２には、電荷が保持される
こととなる。スイッチ２０１、スイッチ２０２、及びスイッチ２０３は導通状態にあり、
オンになっている。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっているこ
とが望ましい。ただし、これに限定されない。ただし、表示素子１０５に電流が流れない
ことが望ましいため、それを実現できるような状態にあることが望ましい。したがって、
少なくとも、スイッチ２０１、スイッチ２０２、スイッチ２０３の少なくともいずれか一
つが非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。
なお図６（Ａ）乃至（Ｅ）中、点線矢印は、電荷の動きについてわかりやすくするために
可視化して示したものである。ただしこれに限定されず、所定の駆動を行うような、電位
関係等であれば問題ない。
次に、図６（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１のしきい値電圧の取得を行う。スイ
ッチ２０１、スイッチ２０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０２、
スイッチ２０４は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このとき、容
量素子１０２には、図６（Ａ）の期間において蓄積された電荷があるため、その電荷が放
電されていく。そのため、トランジスタ１０１のゲートの電位は、図６（Ａ）の期間にお
いて蓄積された電荷による電位から、トランジスタ１０１のしきい値電圧（正の値）を足
し合わせた電位に近づいていく。つまり、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の
分だけ高い電位に近づいていく。このとき、トランジスタ１０１のゲートとソースの間の
電圧は、トランジスタ１０１のしきい値電圧に近づいていく。これらの動作により、容量
素子１０２の両端の電極間で、しきい値電圧の取得を行うことが出来る。
なお、この期間において、容量素子１０２の電荷を放電する場合、その期間に違いがでて
も、大きな問題はない。なぜなら、ある程度の時間が経過すれば、ほぼ完全に放電されて
しまうため、期間に長さが違っても、動作に与える影響は小さいからである。したがって
、この動作は、線順次ではなく、点順次を用いて駆動させることが出来る。したがって、
駆動回路の構成が簡単な構成で実現できる。そのため、図２（Ａ）に示すような回路を１
つの画素としたとき、その画素がマトリクス状に配置された画素部と、画素部に信号を供
給する駆動回路部とについて、両者を同じ種類のトランジスタを用いて構成すること、ま
たは同じ基板上に形成することが可能となる。ただしこれに限定されず、線順次駆動を用
いたり、画素部と駆動回路部とを別々の基板上に形成することも可能である。
次に、図６（Ｃ）に示すように、映像信号の入力を行う。スイッチ２０２、スイッチ２０
４は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０１、スイッチ２０３は、非導通
状態であり、オフになっていることが望ましい。そして、配線１０４より、映像信号が供
給される。このとき、容量素子１０２には、図６（Ｂ）の期間において蓄積された電荷が
あるため、その電荷に更に蓄積されていく。そのため、トランジスタ１０１のゲートの電
位は、配線１０４より供給される映像信号から、トランジスタ１０１のしきい値電圧（正
の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、配線１０４より供給される映像信号
よりも、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だけ高い電位に近づいていく。
図６（Ｂ）、図６（Ｃ）の動作により、映像信号の入力と、しきい値電圧の取得とを行う
ことが出来る。
また図２５（Ａ）、（Ｂ）に示すように表示素子１０５と電気的に並列に容量素子２５０
１を配置する構成としてもよい。すなわち、図２５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、容量素
子２５０１の第１端子を表示素子１０５の第１端子に接続し、容量素子２５０１の第２端
子を表示素子１０５の第２端子に接続する。なお、図２５（Ａ）は、トランジスタ１０１
の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間での、各配線及び各素子間の導通
状態、非導通状態について、図１（Ａ）と同様に示した図であり、図２５（Ｂ）は、トラ
ンジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流が供給されている期間での、各配線及び
各素子間の導通状態、非導通状態について、図１（Ｂ）と同様に示した図である。図２５
（Ａ）、（Ｂ）の回路構成とすることにより、しきい値電圧と映像信号電圧を足した電圧
に近くすることができる。
次に、図６（Ｄ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつき
を補正する。これは、図１（Ａ）などの期間に相当する。そして、スイッチ２０１は、導
通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０２、スイッチ２０３、スイッチ２０４は
、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このような状態にすることによ
り、容量素子１０２に蓄積された電荷が、トランジスタ１０１を介して放電されていく。
このようにして、トランジスタ１０１を介してわずかに放電させることにより、トランジ
スタ１０１の電流のばらつきの影響を低減することが出来る。
次に、図６（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流を
供給する。これは、図１（Ｂ）などの期間に相当する。そして、スイッチ２０２、スイッ
チ２０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０１、スイッチ２０４は、
非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このとき、トランジスタ１０１の
ゲートとソースの間の電圧は、しきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧か
ら、トランジスタ１０１の電流特性に応じた電圧が差し引かれた電圧となっている。した
がって、トランジスタ１０１の電流特性のばらつきの影響を低減することができ、表示素
子１０５には、適切な大きさの電流を供給することが出来る。
図６（Ａ）乃至（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばら
つきを補正している期間（図１（Ａ））において、トランジスタ１０１の移動度などの電
流特性のばらつきが低減されるため、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図１
（Ｂ））において、表示素子１０５に供給される電流のばらつきも低減される。その結果
、表示素子１０５の表示状態のばらつきも低減され、表示品位の高い表示を行うことが出
来る。
なお、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図１（Ｂ））は、トランジスタ１０
１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））の直後に出現さ
せることが望ましい。なぜなら、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図１（Ｂ
））において取得したトランジスタ１０１のゲート電位（容量素子１０２に保持された電
荷）を利用して、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図１（Ｂ））において、
処理を行うからである。しかしながら、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のば
らつきを補正している期間（図１（Ａ））の直後に表示素子１０５に電流が供給されてい
る期間（図１（Ｂ））を出現させることに限定されない。トランジスタ１０１の移動度な
どの電流特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））において、容量素子１０２の
電荷量が変化し、そして、期間終了時に決定した容量素子１０２の電荷量が、表示素子１
０５に電流が供給されている期間（図１（Ｂ））において、大きく変化していない場合な
どは、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１
（Ａ））と、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図１（Ｂ））との間に、別の
処理が行われる期間が設けられていても良い。
したがって、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間
が終了した時点での容量素子１０２に保持された電荷と、表示素子１０５に電流が供給さ
れている期間が開始した時点での容量素子１０２に保持された電荷とは、概ね同じ量であ
ることが望ましい。ただし、ノイズなどの影響により、わずかに双方の電荷量が異なって
いる場合もある。具体的は、双方の電荷量の差は、１０％以内が望ましく、より望ましく
は、３％以内が望ましい。電荷量の差が３％以内であれば、その差が反映される表示素子
を人間の眼で見たときに、その差を視認できないため、より望ましい。
そこで、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図
１（Ａ））において、電圧電流特性がどのような状態に変化するかを図３（Ａ）に示す。
容量素子１０２に保存されていた電荷が、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性の
ばらつきを補正している期間（図１（Ａ））において、トランジスタ１０１のソースとド
レインの間を介して、放電されていく。その結果、容量素子１０２に保持されていた電荷
量が減少していき、容量素子１０２に保持された電圧も減少していく。したがって、トラ
ンジスタ１０１のゲートとソースの間の電圧の絶対値も減少していく。容量素子１０２に
保存されている電荷は、トランジスタ１０１を介して放電されていくため、電荷の放電量
は、トランジスタ１０１の電流特性に依存する。つまり、トランジスタ１０１の移動度が
高ければ、より多くの電荷が放電される。または、トランジスタ１０１のチャネル幅Ｗと
チャネル長Ｌの比（Ｗ／Ｌ）が大きければ、より多くの電荷が放電される。または、トラ
ンジスタ１０１のゲートとソースの間の電圧の絶対値が大きければ（つまり、容量素子１
０２で保持される電圧の絶対値が大きければ）、より多くの電荷が放電される。または、
トランジスタ１０１のソース領域、ドレイン領域での寄生抵抗が小さければ、より多くの
電荷が放電される。または、トランジスタ１０１のＬＤＤ領域での抵抗が小さければ、よ
り多くの電荷が放電される。または、トランジスタ１０１と電気的に接続されているコン
タクトホールでのコンタクト抵抗が小さければ、より多くの電荷が放電される。
そのため、放電前、つまり、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補
正している期間（図１（Ａ））に入る前の期間における電圧電流特性のグラフは、トラン
ジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））にお
いて、容量素子１０２に保存されている電荷の一部が放電された結果、傾きが小さな曲線
のグラフに変化する。そして、例えば、放電前と放電後の電圧電流特性のグラフの差は、
トランジスタ１０１の移動度が大きい方が大きくなる。したがって、トランジスタ１０１
の移動度が高い場合（つまり、グラフの傾きが大きい場合）は、放電後には、傾きの変化
量が大きくなり、トランジスタ１０１の移動度が低い場合（つまり、グラフの傾きが小さ
い場合）は、放電後には、傾きの変化量が小さくなる。その結果、放電後では、トランジ
スタ１０１の移動度が高い場合と低い場合とで、電圧電流特性のグラフの差が小さくなり
、移動度のばらつきの影響が低減することができる。さらに、トランジスタ１０１のゲー
トとソースの間の電圧の絶対値が大きければ（つまり、容量素子１０２で保持される電圧
の絶対値が大きければ）、より多くの電荷が放電され、トランジスタ１０１のゲートとソ
ースの間の電圧の絶対値が小さければ（つまり、容量素子１０２で保持される電圧の絶対
値が小さければ）、放電される電荷量が少なくなるため、より適切に、移動度のばらつき
を低減することが出来る。
なお、図３（Ａ）のグラフは、すでにしきい値電圧のばらつきの影響を低減した後の場合
のグラフである。したがって、図３（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度の
ばらつきを補正している期間（図１（Ａ））に入る前には、しきい値電圧のばらつきの影
響が低減されている。しきい値電圧のばらつきを低減するために、電圧電流特性のグラフ
をしきい値電圧の分だけ平行移動させる。つまり、トランジスタのゲートとソースの間の
電圧には、映像信号電圧としきい値電圧との和が供給される。その結果、しきい値電圧の
ばらつきの影響は低減される。しきい値電圧のばらつきを低減したあと、図３（Ａ）のグ
ラフに示すように、移動度のばらつきを低減することにより、トランジスタ１０１の電流
特性のばらつきを大幅に低減させることが出来る。
なお、ばらつきを補正できるトランジスタ１０１の電流特性は、トランジスタ１０１の移
動度だけでなく、しきい値電圧、ソースまたはドレイン部分での寄生抵抗、ＬＤＤ領域で
の抵抗、トランジスタ１０１と電気的に接続されているコンタクトホールでのコンタクト
抵抗などもあげられる。これらの電流特性も、トランジスタ１０１を介して電荷が放電さ
れることから、移動度の場合と同様、ばらつきを低減することが出来る。
従って、放電前、つまり、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正
している期間（図１（Ａ））に入る前の期間における容量素子１０２の電荷量は、トラン
ジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））の終
了時点における容量素子１０２の電荷量よりも多い。なぜなら、トランジスタ１０１の移
動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））では、容量素子１０２
の電荷が放電されるため、容量素子１０２に保存されている電荷が少なくなっていくから
である。
なお、容量素子１０２に保持されている電荷は、一部が放電されれば、すぐに放電を停止
することが望ましい。仮に、完全に放電してしまったら、つまり、電流が流れなくなるま
で放電させてしまうと、映像信号の情報がほとんど無くなってしまう。したがって、完全
に放電される前に、放電を停止することが望ましい。つまり、トランジスタ１０１に電流
が流れている間に、放電を停止することが望ましい。
したがって、１ゲート選択期間（または１水平期間、１フレーム期間を画素の行数で割り
算した値など）と、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正してい
る期間（図１（Ａ））との長さを比較すると、１ゲート選択期間（または１水平期間、１
フレーム期間を画素の行数で割り算した値など）の方が長いことが望ましい。なぜなら、
１ゲート選択期間よりも長く放電を行うと、放電しすぎてしまう可能性があるからである
。ただし、これに限定されない。
または、画素に映像信号を入力している期間と、トランジスタ１０１の移動度などの電流
特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））との長さを比較すると、画素に映像信
号を入力している期間の方が長いことが望ましい。なぜなら、画素に映像信号を入力して
いる期間よりも長く放電を行うと、放電しすぎてしまう可能性があるからである。ただし
、これに限定されない。
または、トランジスタのしきい値電圧を取得している期間と、トランジスタ１０１の移動
度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１（Ａ））との長さを比較すると、
トランジスタのしきい値電圧を取得している期間の方が長いことが望ましい。なぜなら、
トランジスタのしきい値電圧を取得している期間よりも長く放電を行うと、放電しすぎて
しまう可能性があるからである。ただし、これに限定されない。
なお、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間（図１
（Ａ））において、容量素子１０２に保持されている電荷を放電する期間の長さは、例え
ば、トランジスタ１０１の移動度のばらつき量、容量素子１０２の大きさ、トランジスタ
１０１のＷ／Ｌなどに応じて、決定することが望ましい。
例えば、図１、図２に示す回路が複数ある場合について考える。例としては、第１の色を
表示するための第１の画素と、第２の色を表示するための第２の画素とを有しており、各
々の画素はトランジスタ１０１に相当するトランジスタとして、第１の画素は、トランジ
スタ１０１Ａを、第２の画素はトランジスタ１０１Ｂとを有しているとする。同様に、容
量素子１０２に相当する容量素子として、第１の画素は、容量素子１０２Ａを、第２の画
素は容量素子１０２Ｂとを有しているとする。
そして、トランジスタ１０１ＡのＷ／Ｌが、トランジスタ１０１ＢのＷ／Ｌよりも大きい
場合は、容量素子１０２Ａの容量値の方が、容量素子１０２Ｂの容量値よりも大きいこと
が望ましい。なぜなら、トランジスタ１０１Ａの方が多くの電荷を放電するため、容量素
子１０２Ａの電圧も、より大きく変化してしまう。そこで、それを調整するために、容量
素子１０２Ａの容量値が大きいことが望ましい。または、トランジスタ１０１Ａのチャネ
ル幅Ｗが、トランジスタ１０１Ｂのチャネル幅Ｗよりも大きい場合は、容量素子１０２Ａ
の容量値の方が、容量素子１０２Ｂの容量値よりも大きいことが望ましい。または、トラ
ンジスタ１０１Ａのチャネル長Ｌが、トランジスタ１０１Ｂのチャネル長Ｌよりも小さい
場合は、容量素子１０２Ａの容量値の方が、容量素子１０２Ｂの容量値よりも大きいこと
が望ましい。ただし、これに限定されない。
なお、容量素子１０２に保持されている電荷の放電量を制御するために、追加して容量素
子を配置することが可能である。例えば、図２５（Ａ）、（Ｂ）にて説明したように表示
素子１０５と電気的に並列に容量素子２５０１を追加する構成としてもよい。またはトラ
ンジスタ１０１の第１端子と第２端子との間に電気的に並列に容量素子２５０２を追加す
る構成としてもよい。図２５（Ｃ）、（Ｄ）にトランジスタ１０１の第１端子と第２端子
との間に電気的に並列に容量素子２５０２を追加した回路構成について示す。なお、図２
５（Ｃ）は、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間
での、各配線及び各素子間の導通状態、非導通状態について、図１（Ａ）と同様に示した
図であり、図２５（Ｄ）は、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流が供給
されている期間での、各配線及び各素子間の導通状態、非導通状態について、図１（Ｂ）
と同様に示した図である。なお、図２５（Ａ）乃至（Ｄ）における追加した容量素子の容
量値の大きさは画素毎に異なっていてもよい。
なお、回路の接続構造は、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に限定されない。一例として、図１（
Ａ）では、トランジスタ１０１の第１の端子及び容量素子１０２の第１の端子が配線１０
３と非導通状態、トランジスタ１０１の第２の端子と表示素子１０５の第１の端子が非導
通状態、としたがこれに限定されない。また一例として、図１（Ｂ）では、一定の電位を
供給する機能を有している配線１０３がトランジスタ１０１の第１の端子と導通状態、ト
ランジスタ１０１の第２の端子と表示素子の第１の端子が導通状態、にあればよい。そこ
で他の回路の接続構成としては、例えば、トランジスタ１０１の第１の端子が配線１０３
に接続されている場合の例を、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）に示す。また、トランジスタ１０
１の第１の端子が、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正してい
る期間に、回路素子１０７を介して配線１０３に接続されている場合の例を、図１（Ｅ）
、図１（Ｆ）に示す。また、トランジスタ１０１の第１の端子が、トランジスタ１０１の
移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間及び表示素子１０５に電流が供給さ
れている期間に、回路素子１０７を介して配線１０３に接続されている場合の例を、図４
（Ａ）、図４（Ｂ）に示す。また、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつ
きを補正している期間に、一定の電位を供給する機能を有している配線１０８がトランジ
スタ１０１の第２の端子と導通状態となるように接続されている場合の例を、図４（Ｃ）
、図４（Ｄ）に示す。また、トランジスタ１０１の第２の端子が、トランジスタ１０１の
移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間及び表示素子１０５に電流が供給さ
れている期間に、回路素子１０９を介して配線１０８に接続されている場合の例を、図４
（Ｅ）、図４（Ｆ）に示す。また、トランジスタ１０１の第２の端子が、トランジスタ１
０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間に、表示素子１０５を介して
配線１０６に接続されている場合の例を、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す。また、トラン
ジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間に、トランジスタ１
０１の第１の端子が配線１０３に接続され、トランジスタ１０１の第２の端子が表示素子
１０５を介して配線１０６に接続されている場合の例を、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）に示す
。
なお、図１（Ｃ）乃至図１（Ｆ）においても、図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）と同様に、スイ
ッチを配置することができる。
なお、回路素子１０７及び回路素子１０９としては、容量素子、抵抗素子、ダイオード素
子、スイッチ等の電気素子を組み合わせて所望の電気的な接続状態とすることのできる素
子を用いることが可能である。
なお、図１（Ｃ）図１（Ｄ）の動作について、具体的には、図６（Ａ）乃至図６（Ｅ）と
同様に、初期化等の動作を経て実現することができる。
なお、図１（Ｃ）図１（Ｄ）の動作について、図９（Ａ）乃至図９（Ｅ）に示している。
具体的な動作については、図６（Ａ）乃至図６（Ｅ）と同様に、初期化等の動作を経て実
現することができる。
なお図４（Ｃ）、図４（Ｄ）に示す構成は、上記図２（Ｂ）の回路構成により実現するこ
とができる。
なお、図１（Ａ）乃至図１（Ｆ）、図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）、図４（Ａ）乃至図４（Ｆ
）などにおいて、容量素子１０２を単独での表記によって説明している。なお、直列接続
、または、並列接続によって、複数の容量素子が配置されることができる。
なお、図１乃至図５などにおいて、トランジスタ１０１がｎチャネル型の場合について述
べている。なおｐチャネル型を用いることが可能である。一例として、トランジスタ１０
１がｐチャネル型の場合について、図２５（Ｅ）、（Ｆ）に示す。なお、図２５（Ｅ）は
、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつきを補正している期間での、各配
線及び各素子間の導通状態、非導通状態について、図１（Ａ）と同様に示した図であり、
図２５（Ｆ）は、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流が供給されている
期間での、各配線及び各素子間の導通状態、非導通状態について、図１（Ｂ）と同様に示
した図である。図２５（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、トランジスタ１０１としてｐチャネ
ル型を用いる際には、表示素子１０５としてＥＬ素子を用いる場合、ｎチャネル型のトラ
ンジスタを用いた場合とは逆向きに接続をすることが望ましい。
なお、トランジスタ１０１は、表示素子１０５に流れる電流の大きさを制御し、表示素子
１０５を駆動する能力を有している場合が多い。
なお、配線１０３は、表示素子１０５に電力を供給する能力を有している場合が多い。あ
るいは、配線１０３は、トランジスタ１０１に流れる電流を供給する能力を有している場
合が多い。
なお、トランジスタ１０１のしきい値電圧に応じた電圧とは、トランジスタ１０１のしき
い値電圧と同じ大きさの電圧、または、トランジスタ１０１のしきい値電圧に近い大きさ
を有する電圧のことを言う。例えば、トランジスタ１０１のしきい値電圧が大きい場合は
、しきい値電圧に応じた電圧も大きく、トランジスタ１０１のしきい値電圧が小さい場合
は、しきい値電圧に応じた電圧も小さい。このように、しきい値電圧に応じて大きさが決
まっているような電圧のことを、しきい値電圧に応じた電圧と呼ぶ。したがって、ノイズ
などの影響により、僅かに異なっているような電圧も、しきい値電圧に応じた電圧と呼ぶ
事が出来る。
なお、表示素子１０５は、輝度、明るさ、反射率、透過率などを変化させるような機能を
有する素子のことを言う。したがって、表示素子１０５の例としては、液晶素子、発光素
子、有機ＥＬ素子、電気泳動素子などを用いることが出来る。なお本実施の形態における
説明、及び付随する図面においては、有機ＥＬ素子等の発光素子を想定して説明を行うも
のとする。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態２）
次に、本実施の形態では、実施の形態１で述べた回路および駆動方法の応用例について示
す。
図７（Ａ）に、図１（Ａ）、図１（Ｂ）の具体例について示す。スイッチ２０１の第１の
端子をトランジスタ１０１のゲート及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し、
スイッチ２０１の第２の端子をトランジスタ１０１の第１の端子と電気的に接続する。そ
して、スイッチ２０２の第１の端子をトランジスタ１０１の第２の端子及び容量素子１０
２の第２の端子と電気的に接続し、スイッチ２０２の第２の端子を表示素子１０５の第１
の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ２０３の第１の端子を配線１０３と電気的
に接続し、スイッチ２０３の第２の端子をスイッチ２０１の第１の端子、トランジスタ１
０１のゲート、及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ
２０４の第１の端子をスイッチ２０１の第１の端子、スイッチ２０３の第２の端子、トラ
ンジスタ１０１のゲート、及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し、スイッチ
２０４の第２の端子を配線１０４と電気的に接続する。このように、４つのスイッチを配
置することにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）（または、図４（Ｃ）、図４（Ｄ））の接続
状況を実現するような回路構成を実現することが出来る。
図７（Ａ）とは別の例を、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、図７（Ｄ）に示す。図７（Ｂ）では
、図７（Ａ）に新たにスイッチ２０５を設け、配線２０６との接続を制御することで、ト
ランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する構成について示している。図７（Ｃ）で
は、図７（Ａ）に新たにスイッチ２０７を設け、配線２０８との接続を制御することで、
トランジスタ１０１のゲートの電位を制御する構成について示している。図７（Ｄ）では
、図７（Ｂ）に新たにスイッチ２０７を設け、配線２０８との接続を制御することで、ト
ランジスタ１０１のゲートの電位及びトランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する
構成について示している。そして例えば、配線２０６または配線２０８の電位を変化させ
ることにより、図１（Ａ）または図１（Ｂ）（若しくは、図４（Ｃ）または図４（Ｄ））
と同様な動作を実現することが出来る。そして、さらにスイッチやトランジスタなどが必
要な場合は、適宜、配置される。
なお、図７（Ａ）乃至図７（Ｄ）では、実施の形態１で述べた構成についての例の一部を
示したが、それ以外の例についても、同様に構成することが出来る。
次に、動作方法について述べる。ここでは、図７（Ａ）の回路を用いて述べるが、それ以
外の回路についても、同様な動作方法を用いることが出来る。
まず、図８（Ａ）に示すように、初期化を行う。これは、トランジスタ１０１のゲート、
または、ドレイン（またはソース）の電位を、所定の電位に設定する動作である。これに
より、トランジスタ１０１がオンするような状態にすることが出来る。または、容量素子
１０２に、所定の電圧が供給される。そのため、容量素子１０２には、電荷が保持される
こととなる。スイッチ２０１、スイッチ２０２、及びスイッチ２０３は導通状態にあり、
オンになっている。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっているこ
とが望ましい。ただし、これに限定されない。ただし、表示素子１０５に電流が流れない
ことが望ましいため、それを実現できるような状態にあることが望ましい。したがって、
少なくとも、スイッチ２０１、スイッチ２０２、スイッチ２０３の少なくともいずれか一
つが非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。
なお図８（Ａ）乃至（Ｅ）中、点線矢印は、電荷の動きについてわかりやすくするために
可視化して示したものである。ただしこれに限定されず、所定の駆動を行うような、電位
関係等であれば問題ない。
次に、図８（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１のしきい値電圧の取得を行う。スイ
ッチ２０１、スイッチ２０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０２、
スイッチ２０４は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このとき、容
量素子１０２には、図８（Ａ）の期間において蓄積された電荷があるため、その電荷が放
電されていく。そのため、トランジスタ１０１のゲートの電位は、図８（Ａ）の期間にお
いて蓄積された電荷による電位から、トランジスタ１０１のしきい値電圧（正の値）を足
し合わせた電位に近づいていく。つまり、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の
分だけ高い電位に近づいていく。このとき、トランジスタ１０１のゲートとソースの間の
電圧は、トランジスタ１０１のしきい値電圧に近づいていく。これらの動作により、容量
素子１０２の両端の電極間で、しきい値電圧の取得を行うことが出来る。
なお、この期間において、容量素子１０２の電荷を放電する場合、その期間に違いがでて
も、大きな問題はない。なぜなら、ある程度の時間が経過すれば、ほぼ完全に放電されて
しまうため、期間に長さが違っても、動作に与える影響は小さいからである。したがって
、この動作は、線順次ではなく、点順次を用いて駆動させることが出来る。したがって、
駆動回路の構成が簡単な構成で実現できる。そのため、図７（Ａ）に示すような回路を１
つの画素としたとき、その画素がマトリクス状に配置された画素部と、画素部に信号を供
給する駆動回路部とについて、両者を同じ種類のトランジスタを用いて構成すること、ま
たは同じ基板上に形成することが可能となる。ただしこれに限定されず、線順次駆動を用
いたり、画素部と駆動回路部とを別々の基板上に形成することも可能である。
次に、図８（Ｃ）に示すように、映像信号の入力を行う。スイッチ２０２、スイッチ２０
４は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０１、スイッチ２０３は、非導通
状態であり、オフになっていることが望ましい。そして、配線１０４より、映像信号が供
給される。このとき、容量素子１０２には、図８（Ｂ）の期間において蓄積された電荷が
あるため、その電荷に更に蓄積されていく。そのため、トランジスタ１０１のゲートの電
位は、配線１０４より供給される映像信号から、トランジスタ１０１のしきい値電圧（正
の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、配線１０４より供給される映像信号
よりも、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だけ高い電位に近づいていく。
図８（Ｂ）、図８（Ｃ）の動作により、映像信号の入力と、しきい値電圧の取得とを行う
ことが出来る。
次に、図８（Ｄ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつき
を補正する。これは、図１（Ａ）、図４（Ｃ）などの期間に相当する。そして、スイッチ
２０１は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０２、スイッチ２０３、スイ
ッチ２０４は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このような状態に
することにより、容量素子１０２に蓄積された電荷が、トランジスタ１０１を介して放電
されていく。このようにして、トランジスタ１０１を介してわずかに放電させることによ
り、トランジスタ１０１の電流のばらつきの影響を低減することが出来る。
次に、図８（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流を
供給する。これは、図１（Ｂ）、図４（Ｄ）などの期間に相当する。そして、スイッチ２
０２、スイッチ２０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０１、スイッ
チ２０４は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このとき、トランジ
スタ１０１のゲートとソースの間の電圧は、しきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧と
の和の電圧から、トランジスタ１０１の電流特性に応じた電圧が差し引かれた電圧となっ
ている。したがって、トランジスタ１０１の電流特性のばらつきの影響を低減することが
でき、表示素子１０５には、適切な大きさの電流を供給することが出来る。
図８（Ａ）乃至（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばら
つきを補正している期間（図１（Ａ））において、トランジスタ１０１の移動度などの電
流特性のばらつきが低減されるため、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図１
（Ｂ）、図４（Ｄ））において、表示素子１０５に供給される電流のばらつきも低減され
る。その結果、表示素子１０５の表示状態のばらつきも低減され、表示品位の高い表示を
行うことが出来る。
なお、図７（Ｂ）の回路構成の場合は、図８（Ａ）に示す初期化の期間において、トラン
ジスタ１０１の第２の端子の電位を制御することが可能である。そして、スイッチ２０１
、スイッチ２０３、及びスイッチ２０５は、導通状態であり、オンになっていることが望
ましい。スイッチ２０２及びスイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっ
ていることが望ましい。なお、図８（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図７（Ｃ）の回路構成の場合は、図８（Ａ）に示す初期化の期間において、トラン
ジスタ１０１のゲートの電位を制御することが可能である。そして、スイッチ２０１、ス
イッチ２０２、及びスイッチ２０７は、導通状態であり、オンになっていることが望まし
い。スイッチ２０３及びスイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになってい
ることが望ましい。なお、図８（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図７（Ｄ）の回路構成の場合は、図８（Ａ）に示す初期化の期間において、トラン
ジスタ１０１のゲート及び／または第２の端子の電位を制御することが可能である。そし
て、スイッチ２０１、スイッチ２０５、及びスイッチ２０７は、導通状態であり、オンに
なっていることが望ましい。スイッチ２０２、スイッチ２０３、及びスイッチ２０４につ
いては、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。なお、図８（Ｂ）以降に
ついては、同様に動作させればよい。
なお、図８（Ａ）乃至図８（Ｅ）において、各動作への切り替わり時において、その動作
の間に、別の動作や別の期間が設けられていることも可能である。例えば、図８（Ｃ）に
示すような状態を、図８（Ａ）と図８（Ｂ）の間に設けても良い。このような期間を設け
ても、支障がないため、問題はない。
なお、図１（Ｃ）図１（Ｄ）の動作について、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｅ）に示してい
る。具体的な動作については、図８（Ａ）乃至図８（Ｅ）と同様に、初期化等の動作を経
て実現することができる。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態３）
次に、本実施の形態では、実施の形態１で述べた回路および駆動方法の応用例について示
す。
図１１（Ａ）に、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）の具体例について示す。スイッチ３０１の第１
の端子を配線１０３と電気的に接続し、スイッチ３０１の第２の端子をトランジスタ１０
１のゲート及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ２０
２の第１の端子をトランジスタ１０１の第２の端子及び容量素子１０２の第２の端子と電
気的に接続し、スイッチ２０２の第２の端子を表示素子１０５の第１の端子と電気的に接
続する。そして、スイッチ３０３の第１の端子を配線１０３と電気的に接続し、スイッチ
３０３の第２の端子をトランジスタ１０１の第１の端子と電気的に接続する。そして、ス
イッチ２０４の第１の端子をスイッチ３０１の第２の端子、トランジスタ１０１のゲート
、及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し、スイッチ２０４の第２の端子を配
線１０４と電気的に接続する。このように、４つのスイッチを配置することにより、図１
（Ｃ）、図１（Ｄ）の接続状況を実現するような回路構成を実現することが出来る。
図１１（Ａ）とは別の例を、図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）、図１１（Ｄ）に示す。図１１
（Ｂ）では、図１１（Ａ）に新たにスイッチ３０５を設け、配線３０６との接続を制御す
ることで、トランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する構成について示している。
図１１（Ｃ）では、図１１（Ａ）に新たにスイッチ３０７を設け、配線３０８との接続を
制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位を制御する構成について示している
。図１１（Ｄ）では、図１１（Ｂ）に新たにスイッチ３０７を設け、配線３０８との接続
を制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位及びトランジスタ１０１の第２の
端子の電位を制御する構成について示している。そして例えば、配線３０６または配線３
０８の電位を変化させることにより、図１（Ｃ）または図１（Ｄ）と同様な動作を実現す
ることが出来る。そして、さらにスイッチやトランジスタなどが必要な場合は、適宜、配
置される。
なお、図１１（Ａ）乃至図１１（Ｄ）では、実施の形態１で述べた構成についての例の一
部を示したが、それ以外の例についても、同様に構成することが出来る。
次に、動作方法について述べる。ここでは、図１１（Ａ）の回路を用いて述べるが、それ
以外の回路についても、同様な動作方法を用いることが出来る。
まず、図１２（Ａ）に示すように、初期化を行う。これは、トランジスタ１０１のゲート
、または、ドレイン（またはソース）の電位を、所定の電位に設定する動作である。これ
により、トランジスタ１０１がオンするような状態にすることが出来る。または、容量素
子１０２に、所定の電圧が供給される。そのため、容量素子１０２には、電荷が保持され
ることとなる。スイッチ３０１、スイッチ２０２、及びスイッチ３０３は導通状態にあり
、オンになっている。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっている
ことが望ましい。ただし、これに限定されない。ただし、表示素子１０５に電流が流れな
いことが望ましいため、それを実現できるような状態にあることが望ましい。したがって
、少なくとも、スイッチ３０１、スイッチ２０２、スイッチ３０３の少なくともいずれか
一つが非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。
なお図１２（Ａ）乃至（Ｅ）中、点線矢印は、電荷の動きについてわかりやすくするため
に可視化して示したものである。ただしこれに限定されず、所定の駆動を行うような、電
位関係等であれば問題ない。
次に、図１２（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１のしきい値電圧の取得を行う。ス
イッチ３０１、スイッチ３０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０２
、スイッチ２０４は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このとき、
容量素子１０２には、図１２（Ａ）の期間において蓄積された電荷があるため、その電荷
が放電されていく。そのため、トランジスタ１０１のゲートの電位は、図１２（Ａ）の期
間において蓄積された電荷による電位から、トランジスタ１０１のしきい値電圧（正の値
）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶
対値の分だけ高い電位に近づいていく。このとき、トランジスタ１０１のゲートとソース
の間の電圧は、トランジスタ１０１のしきい値電圧に近づいていく。これらの動作により
、容量素子１０２の両端の電極間で、しきい値電圧の取得を行うことが出来る。
なお、この期間において、容量素子１０２の電荷を放電する場合、その期間に違いがでて
も、大きな問題はない。なぜなら、ある程度の時間が経過すれば、ほぼ完全に放電されて
しまうため、期間に長さが違っても、動作に与える影響は小さいからである。したがって
、この動作は、線順次ではなく、点順次を用いて駆動させることが出来る。したがって、
駆動回路の構成が簡単な構成で実現できる。そのため、図１１（Ａ）に示すような回路を
１つの画素としたとき、その画素がマトリクス状に配置された画素部と、画素部に信号を
供給する駆動回路部とについて、両者を同じ種類のトランジスタを用いて構成すること、
または同じ基板上に形成することが可能となる。ただしこれに限定されず、線順次駆動を
用いたり、画素部と駆動回路部とを別々の基板上に形成することも可能である。
次に、図１２（Ｃ）に示すように、映像信号の入力を行う。スイッチ２０２、スイッチ２
０４は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ３０１、スイッチ３０３は、非導
通状態であり、オフになっていることが望ましい。そして、配線１０４より、映像信号が
供給される。このとき、容量素子１０２には、図１２（Ｂ）の期間において蓄積された電
荷があるため、その電荷に更に蓄積されていく。そのため、トランジスタ１０１のゲート
の電位は、配線１０４より供給される映像信号から、トランジスタ１０１のしきい値電圧
（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、配線１０４より供給される映像
信号よりも、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だけ高い電位に近づいてい
く。図１２（Ｂ）、図１２（Ｃ）の動作により、映像信号の入力と、しきい値電圧の取得
とを行うことが出来る。
次に、図１２（Ｄ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつ
きを補正する。これは、図１（Ｃ）などの期間に相当する。そして、スイッチ３０１、ス
イッチ３０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０２、スイッチ２０４
は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このような状態にすることに
より、容量素子１０２に蓄積された電荷が、トランジスタ１０１を介して放電されていく
。このようにして、トランジスタ１０１を介してわずかに放電させることにより、トラン
ジスタ１０１の電流のばらつきの影響を低減することが出来る。
次に、図１２（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流
を供給する。これは、図１（Ｄ）などの期間に相当する。そして、スイッチ２０２、スイ
ッチ３０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ３０１、スイッチ２０４は
、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。このとき、トランジスタ１０１
のゲートとソースの間の電圧は、しきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧
から、トランジスタ１０１の電流特性に応じた電圧が差し引かれた電圧となっている。し
たがって、トランジスタ１０１の電流特性のばらつきの影響を低減することができ、表示
素子１０５には、適切な大きさの電流を供給することが出来る。
図１２（Ａ）乃至（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のば
らつきを補正している期間（図１（Ｃ））において、トランジスタ１０１の移動度などの
電流特性のばらつきが低減されるため、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図
１（Ｄ））において、表示素子１０５に供給される電流のばらつきも低減される。その結
果、表示素子１０５の表示状態のばらつきも低減され、表示品位の高い表示を行うことが
出来る。
なお、図１１（Ｂ）の回路構成の場合は、図１２（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御することが可能である。そして、スイッチ３
０１、スイッチ３０３、及びスイッチ３０５は、導通状態であり、オンになっていること
が望ましい。スイッチ２０２及びスイッチ２０４については、非導通状態であり、オフに
なっていることが望ましい。なお、図１２（Ｂ）以降については、同様に動作させればよ
い。
なお、図１１（Ｃ）の回路構成の場合は、図１２（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲートの電位を制御することが可能である。そして、スイッチ２０２
、スイッチ３０３、及びスイッチ３０７は、導通状態であり、オンになっていることが望
ましい。スイッチ３０１及びスイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっ
ていることが望ましい。なお、図１２（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１１（Ｄ）の回路構成の場合は、図１２（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲート及び／または第２の端子の電位を制御することが可能である。
そして、スイッチ３０３、スイッチ３０５、及びスイッチ３０７は、導通状態であり、オ
ンになっていることが望ましい。スイッチ２０２、スイッチ２０３、及びスイッチ２０４
については、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。なお、図１２（Ｂ）
以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１２（Ａ）乃至図１２（Ｅ）において、各動作への切り替わり時において、その
動作の間に、別の動作や別の期間が設けられていることも可能である。例えば、図１２（
Ｃ）に示すような状態を、図１２（Ａ）と図１２（Ｂ）の間に設けても良い。このような
期間を設けても、支障がないため、問題はない。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態４）
次に、本実施の形態では、実施の形態１で述べた回路および駆動方法の応用例について示
す。
図１３（Ａ）に、図５（Ａ）、図５（Ｂ）の具体例について示す。スイッチ４０１の第１
の端子をトランジスタ１０１のゲート及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し
、スイッチ４０１の第２の端子をトランジスタ１０１の第１の端子及びスイッチ４０３の
第２の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ４０３の第１の端子を配線１０３と電
気的に接続し、スイッチ４０３の第２の端子をトランジスタ１０１の第１の端子、及びス
イッチ４０１の第２の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ２０４の第１の端子を
スイッチ４０１の第１の端子、トランジスタ１０１のゲート、及び容量素子１０２の第１
の端子と電気的に接続し、スイッチ２０４の第２の端子を配線１０４と電気的に接続する
。このように、４つのスイッチを配置することにより、図５（Ａ）、図５（Ｂ）の接続状
況を実現するような回路構成を実現することが出来る。
図１３（Ａ）とは別の例を、図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ）、図１３（Ｄ）に示す。図１３
（Ｂ）では、図１３（Ａ）に新たにスイッチ４０５を設け、配線４０６との接続を制御す
ることで、トランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する構成について示している。
図１３（Ｃ）では、図１３（Ａ）に新たにスイッチ４０７を設け、配線４０８との接続を
制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位を制御する構成について示している
。図１３（Ｄ）では、図１３（Ｂ）に新たにスイッチ４０７を設け、配線４０８との接続
を制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位及びトランジスタ１０１の第２の
端子の電位を制御する構成について示している。そして例えば、配線４０６または配線４
０８の電位を変化させることにより、図５（Ａ）または図５（Ｂ）と同様な動作を実現す
ることが出来る。そして、さらにスイッチやトランジスタなどが必要な場合は、適宜、配
置される。
なお、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｄ）では、実施の形態１で述べた構成についての例の一
部を示したが、それ以外の例についても、同様に構成することが出来る。
次に、動作方法について述べる。ここでは、図１３（Ａ）の回路を用いて述べるが、それ
以外の回路についても、同様な動作方法を用いることが出来る。
まず、図１４（Ａ）に示すように、初期化を行う。これは、トランジスタ１０１のゲート
、または、ドレイン（またはソース）の電位を、所定の電位に設定する動作である。これ
により、トランジスタ１０１がオンするような状態にすることが出来る。または、容量素
子１０２に、所定の電圧が供給される。そのため、容量素子１０２には、電荷が保持され
ることとなる。スイッチ４０１、及びスイッチ４０３は導通状態にあり、オンになってい
る。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。
また図１４（Ａ）の初期化の期間において、配線１０３の電位は他の配線より低い電位と
することが望ましい。ただし、これに限定されない。ただし、表示素子１０５に電流が流
れないことが望ましいため、それを実現できるような状態にあることが望ましい。したが
って、少なくとも、発光素子に印加される電圧が逆バイアスになっていることが望ましい
。
なお図１４（Ａ）乃至（Ｅ）中、点線矢印は、電荷の動きについてわかりやすくするため
に可視化して示したものである。ただしこれに限定されず、所定の駆動を行うような、電
位関係等であれば問題ない。
次に、図１４（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１のしきい値電圧の取得を行う。ス
イッチ４０１、スイッチ４０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４
は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。また図１４（Ｂ）のトランジ
スタ１０１のしきい値電圧取得の期間において、配線１０３の電位は初期化の期間の電位
よりも高くすることが望ましい。このとき、容量素子１０２には、図１４（Ａ）の期間に
おいて蓄積された電荷があるため、その電荷が放電されていく。そのため、トランジスタ
１０１のゲートの電位は、図１４（Ａ）の期間において蓄積された電荷による電位から、
トランジスタ１０１のしきい値電圧（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つま
り、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だけ高い電位に近づいていく。この
とき、トランジスタ１０１のゲートとソースの間の電圧は、トランジスタ１０１のしきい
値電圧に近づいていく。これらの動作により、容量素子１０２の両端の電極間で、しきい
値電圧の取得を行うことが出来る。
なお、この期間において、容量素子１０２の電荷を放電する場合、その期間に違いがでて
も、大きな問題はない。なぜなら、ある程度の時間が経過すれば、ほぼ完全に放電されて
しまうため、期間に長さが違っても、動作に与える影響は小さいからである。したがって
、この動作は、線順次ではなく、点順次を用いて駆動させることが出来る。したがって、
駆動回路の構成が簡単な構成で実現できる。そのため、図１３（Ａ）に示すような回路を
１つの画素としたとき、その画素がマトリクス状に配置された画素部と、画素部に信号を
供給する駆動回路部とについて、両者を同じ種類のトランジスタを用いて構成すること、
または同じ基板上に形成することが可能となる。ただしこれに限定されず、線順次駆動を
用いたり、画素部と駆動回路部とを別々の基板上に形成することも可能である。
次に、図１４（Ｃ）に示すように、映像信号の入力を行う。スイッチ２０４は、導通状態
にあり、オンになっている。スイッチ４０１、スイッチ４０３は、非導通状態であり、オ
フになっていることが望ましい。また図１４（Ｃ）の映像信号入力の期間において、配線
１０３の電位は他の配線に入力される電位よりも高くすることが望ましい。そして、配線
１０４より、映像信号が供給される。このとき、容量素子１０２には、図１４（Ｂ）の期
間において蓄積された電荷があるため、その電荷に更に蓄積されていく。そのため、トラ
ンジスタ１０１のゲートの電位は、配線１０４より供給される映像信号から、トランジス
タ１０１のしきい値電圧（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、配線１
０４より供給される映像信号よりも、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だ
け高い電位に近づいていく。図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）の動作により、映像信号の入力
と、しきい値電圧の取得とを行うことが出来る。
次に、図１４（Ｄ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつ
きを補正する。これは、図５（Ａ）などの期間に相当する。そして、スイッチ４０１、ス
イッチ４０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４は、非導通状態で
あり、オフになっていることが望ましい。また図１４（Ｄ）のトランジスタ１０１の移動
度などの電流特性のばらつきを補正する期間において、配線１０３の電位は他の配線に入
力される電位よりも高くすることが望ましい。このような状態にすることにより、容量素
子１０２に蓄積された電荷が、トランジスタ１０１を介して放電されていく。このように
して、トランジスタ１０１を介してわずかに放電させることにより、トランジスタ１０１
の電流のばらつきの影響を低減することが出来る。
次に、図１４（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流
を供給する。これは、図５（Ｂ）などの期間に相当する。そして、スイッチ４０３は、導
通状態にあり、オンになっている。スイッチ４０１、スイッチ２０４は、非導通状態であ
り、オフになっていることが望ましい。また図１４（Ｅ）のトランジスタ１０１を介して
、表示素子１０５に電流を供給する期間において、配線１０３の電位は他の配線に入力さ
れる電位よりも高くすることが望ましい。このとき、トランジスタ１０１のゲートとソー
スの間の電圧は、しきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧から、トランジ
スタ１０１の電流特性に応じた電圧が差し引かれた電圧となっている。したがって、トラ
ンジスタ１０１の電流特性のばらつきの影響を低減することができ、表示素子１０５には
、適切な大きさの電流を供給することが出来る。
図１４（Ａ）乃至（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のば
らつきを補正している期間（図５（Ａ））において、トランジスタ１０１の移動度などの
電流特性のばらつきが低減されるため、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図
５（Ｂ））において、表示素子１０５に供給される電流のばらつきも低減される。その結
果、表示素子１０５の表示状態のばらつきも低減され、表示品位の高い表示を行うことが
出来る。
なお、図１３（Ｂ）の回路構成の場合は、図１４（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御することが可能である。そして、スイッチ４
０１、スイッチ４０３、及びスイッチ４０５は、導通状態であり、オンになっていること
が望ましい。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望
ましい。なお、図１４（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１３（Ｃ）の回路構成の場合は、図１４（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲートの電位を制御することが可能である。そして、スイッチ４０３
及びスイッチ４０７は、導通状態であり、オンになっていることが望ましい。スイッチ４
０１及びスイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望まし
い。なお、図１４（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１３（Ｄ）の回路構成の場合は、図１４（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲート及び／または第２の端子の電位を制御することが可能である。
そして、スイッチ４０３、スイッチ４０５、及びスイッチ４０７は、導通状態であり、オ
ンになっていることが望ましい。スイッチ４０１、及びスイッチ２０４については、非導
通状態であり、オフになっていることが望ましい。なお、図１４（Ｂ）以降については、
同様に動作させればよい。
なお、図１４（Ａ）乃至図１４（Ｅ）において、各動作への切り替わり時において、その
動作の間に、別の動作や別の期間が設けられていることも可能である。例えば、図１４（
Ｃ）に示すような状態を、図１４（Ａ）と図１４（Ｂ）の間に設けても良い。このような
期間を設けても、支障がないため、問題はない。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態５）
次に、本実施の形態では、実施の形態１で述べた回路および駆動方法の応用例について示
す。
図１５（Ａ）に、図５（Ａ）、図５（Ｂ）の、実施の形態４とは別の具体例について示す
。スイッチ５０１の第１の端子をトランジスタ１０１のゲート、容量素子１０２の第１の
端子、及びスイッチ５０３の第２の端子と電気的に接続し、スイッチ５０１の第２の端子
をトランジスタ１０１の第１の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ５０３の第１
の端子を配線１０３と電気的に接続し、スイッチ５０３の第２の端子をトランジスタ１０
１のゲート、容量素子１０２の第１の端子、及びスイッチ５０１の第１の端子と電気的に
接続する。そして、スイッチ２０４の第１の端子をスイッチ５０１の第１の端子、トラン
ジスタ１０１のゲート、及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続し、スイッチ２
０４の第２の端子を配線１０４と電気的に接続する。このように、４つのスイッチを配置
することにより、図５（Ａ）、図５（Ｂ）の接続状況を実現するような回路構成を実現す
ることが出来る。
図１５（Ａ）とは別の例を、図１５（Ｂ）、図１５（Ｃ）、図１５（Ｄ）に示す。図１５
（Ｂ）では、図１５（Ａ）に新たにスイッチ５０５を設け、配線５０６との接続を制御す
ることで、トランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する構成について示している。
図１５（Ｃ）では、図１５（Ａ）に新たにスイッチ５０７を設け、配線５０８との接続を
制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位を制御する構成について示している
。図１５（Ｄ）では、図１５（Ｂ）に新たにスイッチ５０７を設け、配線５０８との接続
を制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位及びトランジスタ１０１の第２の
端子の電位を制御する構成について示している。そして例えば、配線５０６または配線５
０８の電位を変化させることにより、図５（Ａ）または図５（Ｂ）と同様な動作を実現す
ることが出来る。そして、さらにスイッチやトランジスタなどが必要な場合は、適宜、配
置される。
なお、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｄ）では、実施の形態１で述べた構成についての例の一
部を示したが、それ以外の例についても、同様に構成することが出来る。
次に、動作方法について述べる。ここでは、図１５（Ａ）の回路を用いて述べるが、それ
以外の回路についても、同様な動作方法を用いることが出来る。
まず、図１６（Ａ）に示すように、初期化を行う。これは、トランジスタ１０１のゲート
、または、ドレイン（またはソース）の電位を、所定の電位に設定する動作である。これ
により、トランジスタ１０１がオンするような状態にすることが出来る。または、容量素
子１０２に、所定の電圧が供給される。そのため、容量素子１０２には、電荷が保持され
ることとなる。スイッチ５０１、及びスイッチ５０３は導通状態にあり、オンになってい
る。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。
また図１６（Ａ）の初期化の期間において、配線１０３の電位は他の配線より低い電位と
することが望ましい。ただし、これに限定されない。ただし、表示素子１０５に電流が流
れないことが望ましいため、それを実現できるような状態にあることが望ましい。したが
って、少なくとも、発光素子に印加される電圧が逆バイアスになっていることが望ましい
。
なお図１６（Ａ）乃至（Ｅ）中、点線矢印は、電荷の動きについてわかりやすくするため
に可視化して示したものである。ただしこれに限定されず、所定の駆動を行うような、電
位関係等であれば問題ない。
次に、図１６（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１のしきい値電圧の取得を行う。ス
イッチ５０１、スイッチ５０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４
は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。また図１６（Ｂ）のトランジ
スタ１０１のしきい値電圧取得の期間において、配線１０３の電位は初期化の期間の電位
よりも高くすることが望ましい。このとき、容量素子１０２には、図１６（Ａ）の期間に
おいて蓄積された電荷があるため、その電荷が放電されていく。そのため、トランジスタ
１０１のゲートの電位は、図１６（Ａ）の期間において蓄積された電荷による電位から、
トランジスタ１０１のしきい値電圧（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つま
り、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だけ高い電位に近づいていく。この
とき、トランジスタ１０１のゲートとソースの間の電圧は、トランジスタ１０１のしきい
値電圧に近づいていく。これらの動作により、容量素子１０２の両端の電極間で、しきい
値電圧の取得を行うことが出来る。
なお、この期間において、容量素子１０２の電荷を放電する場合、その期間に違いがでて
も、大きな問題はない。なぜなら、ある程度の時間が経過すれば、ほぼ完全に放電されて
しまうため、期間に長さが違っても、動作に与える影響は小さいからである。したがって
、この動作は、線順次ではなく、点順次を用いて駆動させることが出来る。したがって、
駆動回路の構成が簡単な構成で実現できる。そのため、図１５（Ａ）に示すような回路を
１つの画素としたとき、その画素がマトリクス状に配置された画素部と、画素部に信号を
供給する駆動回路部とについて、両者を同じ種類のトランジスタを用いて構成すること、
または同じ基板上に形成することが可能となる。ただしこれに限定されず、線順次駆動を
用いたり、画素部と駆動回路部とを別々の基板上に形成することも可能である。
次に、図１６（Ｃ）に示すように、映像信号の入力を行う。スイッチ２０４は、導通状態
にあり、オンになっている。スイッチ５０１、スイッチ５０３は、非導通状態であり、オ
フになっていることが望ましい。また図１６（Ｃ）の映像信号入力の期間において、配線
１０３の電位は他の配線に入力される電位よりも高くすることが望ましい。そして、配線
１０４より、映像信号が供給される。このとき、容量素子１０２には、図１６（Ｂ）の期
間において蓄積された電荷があるため、その電荷に更に蓄積されていく。そのため、トラ
ンジスタ１０１のゲートの電位は、配線１０４より供給される映像信号から、トランジス
タ１０１のしきい値電圧（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、配線１
０４より供給される映像信号よりも、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だ
け高い電位に近づいていく。図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）の動作により、映像信号の入力
と、しきい値電圧の取得とを行うことが出来る。
次に、図１６（Ｄ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつ
きを補正する。これは、図５（Ａ）などの期間に相当する。そして、スイッチ５０１、ス
イッチ５０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４は、非導通状態で
あり、オフになっていることが望ましい。また図１６（Ｄ）のトランジスタ１０１の移動
度などの電流特性のばらつきを補正する期間において、配線１０３の電位は他の配線に入
力される電位よりも高くすることが望ましい。このような状態にすることにより、容量素
子１０２に蓄積された電荷が、トランジスタ１０１を介して放電されていく。このように
して、トランジスタ１０１を介してわずかに放電させることにより、トランジスタ１０１
の電流のばらつきの影響を低減することが出来る。
次に、図１６（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流
を供給する。これは、図５（Ｂ）などの期間に相当する。そして、スイッチ５０１、スイ
ッチ５０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４は、非導通状態であ
り、オフになっていることが望ましい。また図１６（Ｅ）のトランジスタ１０１を介して
、表示素子１０５に電流を供給する期間において、配線１０３の電位は他の配線に入力さ
れる電位よりも高くすることが望ましい。このとき、トランジスタ１０１のゲートとソー
スの間の電圧は、しきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧から、トランジ
スタ１０１の電流特性に応じた電圧が差し引かれた電圧となっている。したがって、トラ
ンジスタ１０１の電流特性のばらつきの影響を低減することができ、表示素子１０５には
、適切な大きさの電流を供給することが出来る。
図１６（Ａ）乃至（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のば
らつきを補正している期間（図５（Ａ））において、トランジスタ１０１の移動度などの
電流特性のばらつきが低減されるため、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図
５（Ｂ））において、表示素子１０５に供給される電流のばらつきも低減される。その結
果、表示素子１０５の表示状態のばらつきも低減され、表示品位の高い表示を行うことが
出来る。
なお、図１５（Ｂ）の回路構成の場合は、図１６（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御することが可能である。そして、スイッチ５
０１、スイッチ５０３、及びスイッチ５０５は、導通状態であり、オンになっていること
が望ましい。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望
ましい。なお、図１６（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１５（Ｃ）の回路構成の場合は、図１６（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲートの電位を制御することが可能である。そして、スイッチ５０１
、スイッチ５０３、及びスイッチ５０７は、導通状態であり、オンになっていることが望
ましい。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望まし
い。なお、図１６（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１５（Ｄ）の回路構成の場合は、図１６（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲート及び／または第２の端子の電位を制御することが可能である。
そして、スイッチ５０１、スイッチ５０３、スイッチ５０５、及びスイッチ４０７は、導
通状態であり、オンになっていることが望ましい。スイッチ２０４については、非導通状
態であり、オフになっていることが望ましい。なお、図１６（Ｂ）以降については、同様
に動作させればよい。
なお、図１６（Ａ）乃至図１６（Ｅ）において、各動作への切り替わり時において、その
動作の間に、別の動作や別の期間が設けられていることも可能である。例えば、図１６（
Ｃ）に示すような状態を、図１６（Ａ）と図１６（Ｂ）の間に設けても良い。このような
期間を設けても、支障がないため、問題はない。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態６）
次に、本実施の形態では、実施の形態１で述べた回路および駆動方法の応用例について示
す。
図１７（Ａ）に、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）の具体例について示す。スイッチ６０１の第１
の端子を配線１０３と電気的に接続し、スイッチ６０１の第２の端子をトランジスタ１０
１のゲート及び容量素子１０２の第１の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ６０
３の第１の端子を配線１０３と電気的に接続し、スイッチ６０３の第２の端子をトランジ
スタ１０１の第１の端子と電気的に接続する。そして、スイッチ２０４の第１の端子をス
イッチ６０１の第１の端子、トランジスタ１０１のゲート、及び容量素子１０２の第１の
端子と電気的に接続し、スイッチ２０４の第２の端子を配線１０４と電気的に接続する。
このように、４つのスイッチを配置することにより、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）の接続状況
を実現するような回路構成を実現することが出来る。
図１７（Ａ）とは別の例を、図１７（Ｂ）、図１７（Ｃ）、図１７（Ｄ）に示す。図１７
（Ｂ）では、図１７（Ａ）に新たにスイッチ６０５を設け、配線６０６との接続を制御す
ることで、トランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御する構成について示している。
図１７（Ｃ）では、図１７（Ａ）に新たにスイッチ６０７を設け、配線６０８との接続を
制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位を制御する構成について示している
。図１７（Ｄ）では、図１７（Ｂ）に新たにスイッチ６０７を設け、配線６０８との接続
を制御することで、トランジスタ１０１のゲートの電位及びトランジスタ１０１の第２の
端子の電位を制御する構成について示している。そして例えば、配線６０６または配線６
０８の電位を変化させることにより、図５（Ｃ）または図５（Ｄ）と同様な動作を実現す
ることが出来る。そして、さらにスイッチやトランジスタなどが必要な場合は、適宜、配
置される。
なお、図１７（Ａ）乃至図１７（Ｄ）では、実施の形態１で述べた構成についての例の一
部を示したが、それ以外の例についても、同様に構成することが出来る。
次に、動作方法について述べる。ここでは、図１７（Ａ）の回路を用いて述べるが、それ
以外の回路についても、同様な動作方法を用いることが出来る。
まず、図１８（Ａ）に示すように、初期化を行う。これは、トランジスタ１０１のゲート
、または、ドレイン（またはソース）の電位を、所定の電位に設定する動作である。これ
により、トランジスタ１０１がオンするような状態にすることが出来る。または、容量素
子１０２に、所定の電圧が供給される。そのため、容量素子１０２には、電荷が保持され
ることとなる。スイッチ６０１、及びスイッチ６０３は導通状態にあり、オンになってい
る。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。
また図１８（Ａ）の初期化の期間において、配線１０３の電位は他の配線より低い電位と
することが望ましい。ただし、これに限定されない。ただし、表示素子１０５に電流が流
れないことが望ましいため、それを実現できるような状態にあることが望ましい。したが
って、少なくとも、発光素子に印加される電圧が逆バイアスになっていることが望ましい
。
なお図１８（Ａ）乃至（Ｅ）中、点線矢印は、電荷の動きについてわかりやすくするため
に可視化して示したものである。ただしこれに限定されず、所定の駆動を行うような、電
位関係等であれば問題ない。
次に、図１８（Ｂ）に示すように、トランジスタ１０１のしきい値電圧の取得を行う。ス
イッチ６０１、スイッチ６０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４
は、非導通状態であり、オフになっていることが望ましい。また図１８（Ｂ）のトランジ
スタ１０１のしきい値電圧取得の期間において、配線１０３の電位は初期化の期間の電位
よりも高くすることが望ましい。このとき、容量素子１０２には、図１８（Ａ）の期間に
おいて蓄積された電荷があるため、その電荷が放電されていく。そのため、トランジスタ
１０１のゲートの電位は、図１８（Ａ）の期間において蓄積された電荷による電位から、
トランジスタ１０１のしきい値電圧（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つま
り、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だけ高い電位に近づいていく。この
とき、トランジスタ１０１のゲートとソースの間の電圧は、トランジスタ１０１のしきい
値電圧に近づいていく。これらの動作により、容量素子１０２の両端の電極間で、しきい
値電圧の取得を行うことが出来る。
なお、この期間において、容量素子１０２の電荷を放電する場合、その期間に違いがでて
も、大きな問題はない。なぜなら、ある程度の時間が経過すれば、ほぼ完全に放電されて
しまうため、期間に長さが違っても、動作に与える影響は小さいからである。したがって
、この動作は、線順次ではなく、点順次を用いて駆動させることが出来る。したがって、
駆動回路の構成が簡単な構成で実現できる。そのため、図１７（Ａ）に示すような回路を
１つの画素としたとき、その画素がマトリクス状に配置された画素部と、画素部に信号を
供給する駆動回路部とについて、両者を同じ種類のトランジスタを用いて構成すること、
または同じ基板上に形成することが可能となる。ただしこれに限定されず、線順次駆動を
用いたり、画素部と駆動回路部とを別々の基板上に形成することも可能である。
次に、図１８（Ｃ）に示すように、映像信号の入力を行う。スイッチ２０４は、導通状態
にあり、オンになっている。スイッチ６０１、スイッチ６０３は、非導通状態であり、オ
フになっていることが望ましい。また図１８（Ｃ）の映像信号入力の期間において、配線
１０３の電位は他の配線に入力される電位よりも高くすることが望ましい。そして、配線
１０４より、映像信号が供給される。このとき、容量素子１０２には、図１８（Ｂ）の期
間において蓄積された電荷があるため、その電荷に更に蓄積されていく。そのため、トラ
ンジスタ１０１のゲートの電位は、配線１０４より供給される映像信号から、トランジス
タ１０１のしきい値電圧（正の値）を足し合わせた電位に近づいていく。つまり、配線１
０４より供給される映像信号よりも、トランジスタ１０１のしきい値電圧の絶対値の分だ
け高い電位に近づいていく。図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）の動作により、映像信号の入力
と、しきい値電圧の取得とを行うことが出来る。
次に、図１８（Ｄ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のばらつ
きを補正する。これは、図５（Ｃ）などの期間に相当する。そして、スイッチ６０１、ス
イッチ６０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４は、非導通状態で
あり、オフになっていることが望ましい。また図１８（Ｄ）のトランジスタ１０１の移動
度などの電流特性のばらつきを補正する期間において、配線１０３の電位は他の配線に入
力される電位よりも高くすることが望ましい。このような状態にすることにより、容量素
子１０２に蓄積された電荷が、トランジスタ１０１を介して放電されていく。このように
して、トランジスタ１０１を介してわずかに放電させることにより、トランジスタ１０１
の電流のばらつきの影響を低減することが出来る。
次に、図１８（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１を介して、表示素子１０５に電流
を供給する。これは、図５（Ｄ）などの期間に相当する。そして、スイッチ６０１、スイ
ッチ６０３は、導通状態にあり、オンになっている。スイッチ２０４は、非導通状態であ
り、オフになっていることが望ましい。また図１８（Ｅ）のトランジスタ１０１を介して
、表示素子１０５に電流を供給する期間において、配線１０３の電位は他の配線に入力さ
れる電位よりも高くすることが望ましい。このとき、トランジスタ１０１のゲートとソー
スの間の電圧は、しきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧から、トランジ
スタ１０１の電流特性に応じた電圧が差し引かれた電圧となっている。したがって、トラ
ンジスタ１０１の電流特性のばらつきの影響を低減することができ、表示素子１０５には
、適切な大きさの電流を供給することが出来る。
図１８（Ａ）乃至（Ｅ）に示すように、トランジスタ１０１の移動度などの電流特性のば
らつきを補正している期間（図５（Ｃ））において、トランジスタ１０１の移動度などの
電流特性のばらつきが低減されるため、表示素子１０５に電流が供給されている期間（図
５（Ｄ））において、表示素子１０５に供給される電流のばらつきも低減される。その結
果、表示素子１０５の表示状態のばらつきも低減され、表示品位の高い表示を行うことが
出来る。
なお、図１７（Ｂ）の回路構成の場合は、図１８（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１の第２の端子の電位を制御することが可能である。そして、スイッチ６
０１、スイッチ６０３、及びスイッチ６０５は、導通状態であり、オンになっていること
が望ましい。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望
ましい。なお、図１８（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１７（Ｃ）の回路構成の場合は、図１８（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲートの電位を制御することが可能である。そして、スイッチ６０１
、スイッチ６０３、及びスイッチ６０７は、導通状態であり、オンになっていることが望
ましい。スイッチ２０４については、非導通状態であり、オフになっていることが望まし
い。なお、図１８（Ｂ）以降については、同様に動作させればよい。
なお、図１７（Ｄ）の回路構成の場合は、図１８（Ａ）に示す初期化の期間において、ト
ランジスタ１０１のゲート及び／または第２の端子の電位を制御することが可能である。
そして、スイッチ６０１、スイッチ６０３、スイッチ６０５、及びスイッチ６０７は、導
通状態であり、オンになっていることが望ましい。スイッチ２０４については、非導通状
態であり、オフになっていることが望ましい。なお、図１８（Ｂ）以降については、同様
に動作させればよい。
なお、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｅ）において、各動作への切り替わり時において、その
動作の間に、別の動作や別の期間が設けられていることも可能である。例えば、図１８（
Ｃ）に示すような状態を、図１８（Ａ）と図１８（Ｂ）の間に設けても良い。このような
期間を設けても、支障がないため、問題はない。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態６で述べた回路について、具体例を示す
。
例として、図２（Ａ）に示す回路が１つの画素を構成し、その画素がマトリクス状に配置
されている場合の例について、図１９に示す。なお、図１９では、スイッチは、ｎチャネ
ル型のトランジスタを用いて実現している。ただし、これに限定されず、別の極性のトラ
ンジスタを用いたり、両方の極性のトランジスタを用いたり、ダイオードまたはダイオー
ド接続されたトランジスタなどを用いたりすることも可能である。
図２（Ａ）に示す回路は、１つ分の画素である画素１２００Ｍを構成している。画素１２
００Ｍと同様な構成の画素が、画素１２００Ｎ、画素１２００Ｐ、画素１２００Ｑとして
、マトリクス状に配置されている。各画素では、上下、左右の配置に応じて、同じ配線に
接続されている場合がある。
次に、図２（Ａ）の各要素と、画素１２００Ｍにおける各要素との対応を、以下に示す。
配線１０４は、配線１０４Ｍに対応し、配線１０３は、配線１０３Ｍに対応し、スイッチ
２０１は、トランジスタ２０１Ｍに対応し、スイッチ２０２は、トランジスタ２０２Ｍに
対応し、トランジスタ１０１は、トランジスタ１０１Ｍに対応し、スイッチ２０３は、ト
ランジスタ２０３Ｍに対応し、スイッチ２０４は、トランジスタ２０４Ｍに対応し、容量
素子１０２は容量素子１０２Ｍに対応し、表示素子１０５は、発光素子１０５Ｍに対応し
、配線１０６は、配線１０６Ｍに対応する。
トランジスタ２０１Ｍのゲートは、配線１２０４Ｍと接続されている。トランジスタ２０
２Ｍのゲートは、配線１２０３Ｍと接続されている。トランジスタ２０３Ｍのゲートは、
配線１２０２Ｍと接続されている。トランジスタ２０４Ｍのゲートは、配線１２０１Ｍと
接続されている。
なお、各々のトランジスタのゲートに接続されている配線は、別の画素の配線または同じ
画素の別の配線に接続されていることが可能である。
なお、配線１０６Ｍは、配線１０６Ｐ、配線１０６Ｎ、配線１０６Ｑと接続されることが
可能である。
図１９と同様に、様々な回路を構成することが可能である。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態８）
次に、表示装置の別の構成例およびその駆動方法について説明する。本実施の形態におい
ては、表示装置の外部から入力される画像（入力画像）の動きを補間する画像を、複数の
入力画像を基にして表示装置の内部で生成し、当該生成された画像（生成画像）と、入力
画像とを順次表示させる方法について説明する。なお、生成画像を、入力画像の動きを補
間するような画像とすることで、動画の動きを滑らかにすることができ、さらに、ホール
ド駆動による残像等によって動画の品質が低下する問題を改善できる。ここで、動画の補
間について、以下に説明する。動画の表示は、理想的には、個々の画素の輝度をリアルタ
イムに制御することで実現されるものであるが、画素のリアルタイム個別制御は、制御回
路の数が膨大なものとなる問題、配線スペースの問題、および入力画像のデータ量が膨大
なものとなる問題等が存在し、実現が困難である。したがって、表示装置による動画の表
示は、複数の静止画を一定の周期で順次表示することで、表示が動画に見えるようにして
行なわれている。この周期（本実施の形態においては入力画像信号周期と呼び、Ｔｉｎと
表す）は規格化されており、例として、ＮＴＳＣ規格では１／６０秒、ＰＡＬ規格では１
／５０秒である。この程度の周期でも、インパルス型表示装置であるＣＲＴにおいては動
画表示に問題は起こらなかった。しかし、ホールド型表示装置においては、これらの規格
に準じた動画をそのまま表示すると、ホールド型であることに起因する残像等により表示
が不鮮明となる不具合（ホールドぼけ：ｈｏｌｄ ｂｌｕｒ）が発生してしまう。ホール
ドぼけは、人間の目の追従による無意識的な動きの補間と、ホールド型の表示との不一致
（ｄｉｓｃｒｅｐａｎｃｙ）で認識されるものであるので、従来の規格よりも入力画像信
号周期を短くする（画素のリアルタイム個別制御に近づける）ことで低減させることがで
きるが、入力画像信号周期を短くすることは規格の変更を伴い、さらに、データ量も増大
することになるので、困難である。しかしながら、規格化された入力画像信号を基にして
、入力画像の動きを補間するような画像を表示装置内部で生成し、当該生成画像によって
入力画像を補間して表示することで、規格の変更またはデータ量の増大なしに、ホールド
ぼけを低減できる。このように、入力画像信号を基にして表示装置内部で画像信号を生成
し、入力画像の動きを補間することを、動画の補間と呼ぶこととする。
本実施の形態における動画の補間方法によって、動画ぼけを低減させることができる。本
実施の形態における動画の補間方法は、画像生成方法と画像表示方法に分けることができ
る。そして、特定のパターンの動きについては別の画像生成方法および／または画像表示
方法を用いることで、効果的に動画ぼけを低減させることができる。図２０（Ａ）および
（Ｂ）は、本実施の形態における動画の補間方法の一例を説明するための模式図である。
図２０（Ａ）および（Ｂ）において、横軸は時間であり、横方向の位置によって、それぞ
れの画像が扱われるタイミングを表している。「入力」と記された部分は、入力画像信号
が入力されるタイミングを表している。ここでは、時間的に隣接する２つの画像として、
画像５１２１および画像５１２２に着目している。入力画像は、周期Ｔｉｎの間隔で入力
される。なお、周期Ｔｉｎ１つ分の長さを、１フレームもしくは１フレーム期間と記すこ
とがある。「生成」と記された部分は、入力画像信号から新しく画像が生成されるタイミ
ングを表している。ここでは、画像５１２１および画像５１２２を基にして生成される生
成画像である、画像５１２３に着目している。「表示」と記された部分は、表示装置に画
像が表示されるタイミングを表している。なお、着目している画像以外の画像については
破線で記しているのみであるが、着目している画像と同様に扱うことによって、本実施の
形態における動画の補間方法の一例を実現できる。
本実施の形態における動画の補間方法の一例は、図２０（Ａ）に示されるように、時間的
に隣接した２つの入力画像を基にして生成された生成画像を、当該２つの入力画像が表示
されるタイミングの間隙に表示させることで、動画の補間を行うことができる。このとき
、表示画像の表示周期は、入力画像の入力周期の１／２とされることが好ましい。ただし
、これに限定されず、様々な表示周期とすることができる。例えば、表示周期を入力周期
の１／２より短くすることで、動画をより滑らかに表示できる。または、表示周期を入力
周期の１／２より長くすることで、消費電力を低減できる。なお、ここでは、時間的に隣
接した２つの入力画像を基にして画像を生成しているが、基にする入力画像は２つに限定
されず、様々な数を用いることができる。例えば、時間的に隣接した３つ（３つ以上でも
良い）の入力画像を基にして画像を生成すれば、２つの入力画像を基にする場合よりも、
精度の良い生成画像を得ることができる。なお、画像５１２１の表示タイミングを、画像
５１２２の入力タイミングと同時刻、すなわち入力タイミングに対する表示タイミングを
１フレーム遅れとしているが、本実施の形態における動画の補間方法における表示タイミ
ングはこれに限定されず、様々な表示タイミングを用いることができる。例えば、入力タ
イミングに対する表示タイミングを１フレーム以上遅らせることができる。こうすること
で、生成画像である画像５１２３の表示タイミングを遅くすることができるので、画像５
１２３の生成にかかる時間に余裕を持たせることができ、消費電力および製造コストの低
減につながる。なお、入力タイミングに対する表示タイミングをあまりに遅くすると、入
力画像を保持しておく期間が長くなり、保持にかかるメモリ容量が増大してしまうので、
入力タイミングに対する表示タイミングは、１フレーム遅れから２フレーム遅れ程度が好
ましい。
ここで、画像５１２１および画像５１２２を基にして生成される画像５１２３の、具体的
な生成方法の一例について説明する。動画を補間するためには入力画像の動きを検出する
必要があるが、本実施の形態においては、入力画像の動きの検出のために、ブロックマッ
チング法と呼ばれる方法を用いることができる。ただし、これに限定されず、様々な方法
（画像データの差分をとる方法、フーリエ変換を利用する方法等）を用いることができる
。ブロックマッチング法においては、まず、入力画像１枚分の画像データ（ここでは画像
５１２１の画像データ）を、データ記憶手段（半導体メモリ、ＲＡＭ等の記憶回路等）に
記憶させる。そして、次のフレームにおける画像（ここでは画像５１２２）を、複数の領
域に分割する。なお、分割された領域は、図２０（Ａ）のように、同じ形状の矩形とする
ことができるが、これに限定されず、様々なもの（画像によって形状または大きさを変え
る等）とすることができる。その後、分割された領域毎に、データ記憶手段に記憶させた
前のフレームの画像データ（ここでは画像５１２１の画像データ）とデータの比較を行い
、画像データが似ている領域を探索する。図２０（Ａ）の例においては、画像５１２２に
おける領域５１２４とデータが似ている領域を画像５１２１の中から探索し、領域５１２
６が探索されたものとしている。なお、画像５１２１の中を探索するとき、探索範囲は限
定されることが好ましい。図２０（Ａ）の例においては、探索範囲として、領域５１２４
の面積の４倍程度の大きさである、領域５１２５を設定している。なお、探索範囲をこれ
より大きくすることで、動きの速い動画においても検出精度を高くすることができる。た
だし、あまりに広く探索を行なうと探索時間が膨大なものとなってしまい、動きの検出の
実現が困難となるため、領域５１２５は、領域５１２４の面積の２倍から６倍程度の大き
さであることが好ましい。その後、探索された領域５１２６と、画像５１２２における領
域５１２４との位置の違いを、動きベクトル５１２７として求める。動きベクトル５１２
７は領域５１２４における画像データの１フレーム期間の動きを表すものである。そして
、動きの中間状態を表す画像を生成するため、動きベクトルの向きはそのままで大きさを
変えた画像生成用ベクトル５１２８を作り、画像５１２１における領域５１２６に含まれ
る画像データを、画像生成用ベクトル５１２８に従って移動させることで、画像５１２３
における領域５１２９内の画像データを形成させる。これらの一連の処理を、画像５１２
２における全ての領域について行なうことで、画像５１２３が生成されることができる。
そして、入力画像５１２１、生成画像５１２３、入力画像５１２２を順次表示することで
、動画を補間することができる。なお、画像中の物体５１３０は、画像５１２１および画
像５１２３において位置が異なっている（つまり動いている）が、生成された画像５１２
３は、画像５１２１および画像５１２２における物体の中間点となっている。このような
画像を表示することで、動画の動きを滑らかにすることができ、残像等による動画の不鮮
明さを改善できる。
なお、画像生成用ベクトル５１２８の大きさは、画像５１２３の表示タイミングに従って
決められることができる。図２０（Ａ）の例においては、画像５１２３の表示タイミング
は画像５１２１および画像５１２２の表示タイミングの中間点（１／２）としているため
、画像生成用ベクトル５１２８の大きさは動きベクトル５１２７の１／２としているが、
他にも、例えば、表示タイミングが１／３の時点であれば、大きさを１／３とし、表示タ
イミングが２／３の時点であれば、大きさを２／３とすることができる。
なお、このように、様々な動きベクトルを持った複数の領域をそれぞれ動かして新しい画
像を作る場合は、移動先の領域内に他の領域が既に移動している部分（重複）や、どこの
領域からも移動されてこない部分（空白）が生じることもある。これらの部分については
、データを補正することができる。重複部分の補正方法としては、例えば、重複データの
平均をとる方法、動きベクトルの方向等で優先度をつけておき、優先度の高いデータを生
成画像内のデータとする方法、色（または明るさ）はどちらかを優先させるが明るさ（ま
たは色）は平均をとる方法、等を用いることができる。空白部分の補正方法としては、画
像５１２１または画像５１２２の当該位置における画像データをそのまま生成画像内のデ
ータとする方法、画像５１２１または画像５１２２の当該位置における画像データの平均
をとる方法、等を用いることができる。そして、生成された画像５１２３を、画像生成用
ベクトル５１２８の大きさに従ったタイミングで表示させることで、動画の動きを滑らか
にすることができ、さらに、ホールド駆動による残像等によって動画の品質が低下する問
題を改善できる。
本実施の形態における動画の補間方法の他の例は、図２０（Ｂ）に示されるように、時間
的に隣接した２つの入力画像を基にして生成された生成画像を、当該２つの入力画像が表
示されるタイミングの間隙に表示させる際に、それぞれの表示画像をさらに複数のサブ画
像に分割して表示することで、動画の補間を行うことができる。この場合、画像表示周期
が短くなることによる利点だけでなく、暗い画像が定期的に表示される（表示方法がイン
パルス型に近づく）ことによる利点も得ることができる。つまり、画像表示周期が画像入
力周期に比べて１／２の長さにするだけの場合よりも、残像等による動画の不鮮明さをさ
らに改善できる。図２０（Ｂ）の例においては、「入力」および「生成」については図２
０（Ａ）の例と同様な処理を行なうことができるので、説明を省略する。図２０（Ｂ）の
例における「表示」は、１つの入力画像または／および生成画像を複数のサブ画像に分割
して表示を行うことができる。具体的には、図２０（Ｂ）に示すように、画像５１２１を
サブ画像５１２１ａおよび５１２１ｂに分割して順次表示することで、人間の目には画像
５１２１が表示されたように知覚させ、画像５１２３をサブ画像５１２３ａおよび５１２
３ｂに分割して順次表示することで、人間の目には画像５１２３が表示されたように知覚
させ、画像５１２２をサブ画像５１２２ａおよび５１２２ｂに分割して順次表示すること
で、人間の目には画像５１２２が表示されたように知覚させる。すなわち、人間の目に知
覚される画像としては図２０（Ａ）の例と同様なものとしつつ、表示方法をインパルス型
に近づけることができるので、残像等による動画の不鮮明さをさらに改善できる。なお、
サブ画像の分割数は、図２０（Ｂ）においては２つとしているが、これに限定されず様々
な分割数を用いることができる。なお、サブ画像が表示されるタイミングは、図２０（Ｂ
）においては等間隔（１／２）としているが、これに限定されず様々な表示タイミングを
用いることができる。例えば、暗いサブ画像（５１２１ｂ、５１２２ｂ、５１２３ｂ）の
表示タイミングを早くする（具体的には、１／４から１／２のタイミング）ことで、表示
方法をよりインパルス型に近づけることができるため、残像等による動画の不鮮明さをさ
らに改善できる。または、暗いサブ画像の表示タイミングを遅くする（具体的には、１／
２から３／４のタイミング）ことで、明るい画像の表示期間を長くすることができるので
、表示効率を高めることができ、消費電力を低減できる。
本実施の形態における動画の補間方法の他の例は、画像内で動いている物体の形状を検出
し、動いている物体の形状によって異なる処理を行なう例である。図２０（Ｃ）に示す例
は、図２０（Ｂ）の例と同様に表示のタイミングを表しているが、表示されている内容が
、動く文字（スクロールテキスト、字幕、テロップ等とも呼ばれる）である場合を示して
いる。なお、「入力」および「生成」については、図２０（Ｂ）と同様としても良いため
、図示していない。ホールド駆動における動画の不鮮明さは、動いているものの性質によ
って程度が異なることがある。特に、文字が動いている場合に顕著に認識されることが多
い。なぜならば、動く文字を読む際にはどうしても視線を文字に追従させてしまうので、
ホールドぼけが発生しやすくなるためである。さらに、文字は輪郭がはっきりしているこ
とが多いため、ホールドぼけによる不鮮明さがさらに強調されてしまうこともある。すな
わち、画像内を動く物体が文字かどうかを判別し、文字である場合はさらに特別な処理を
行なうことは、ホールドぼけの低減のためには有効である。具体的には、画像内を動いて
いる物体に対し、輪郭検出または／およびパターン検出等を行なって、当該物体が文字で
あると判断された場合は、同じ画像から分割されたサブ画像同士であっても動き補間を行
い、動きの中間状態を表示するようにして、動きを滑らかにすることができる。当該物体
が文字ではないと判断された場合は、図２０（Ｂ）に示すように、同じ画像から分割され
たサブ画像であれば動いている物体の位置は変えずに表示することができる。図２０（Ｃ
）の例では、文字であると判断された領域５１３１が、上方向に動いている場合を示して
いるが、画像５１２１ａと画像５１２１ｂとで、領域５１３１の位置を異ならせている。
画像５１２３ａと画像５１２３ｂ、画像５１２２ａと画像５１２２ｂについても同様であ
る。こうすることで、ホールドぼけが特に認識されやすい動く文字については、通常の動
き補償倍速駆動よりもさらに動きを滑らかにすることができるので、残像等による動画の
不鮮明さをさらに改善できる。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、表示装置の一例について説明する。
まず、図２１（Ａ）を参照して、液晶表示装置のシステムブロックの一例について説明す
る。液晶表示装置は、回路５３６１、回路５３６２、回路５３６３＿１、回路５３６３＿
２、画素部５３６４、回路５３６５、及び照明装置５３６６を有する。画素部５３６４に
は、複数の配線５３７１が回路５３６２から延伸して配置され、複数の配線５３７２が回
路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２から延伸して配置されている。そして、複数の配
線５３７１と複数の配線５３７２との交差領域には、各々、液晶素子などの表示素子を有
する画素５３６７がマトリクス状に配置されている。
回路５３６１は、映像信号５３６０に応じて、回路５３６２、回路５３６３＿１、回路５
３６３＿２、及び回路５３６５に、信号、電圧、又は電流などを供給する機能を有し、コ
ントローラ、制御回路、タイミングジェネレータ、電源回路、又はレギュレータなどとし
て機能することが可能である。本実施の形態では、一例として、回路５３６１は、回路５
３６２に、信号線駆動回路用スタート信号（ＳＳＰ）、信号線駆動回路用クロック信号（
ＳＣＫ）、信号線駆動回路用反転クロック信号（ＳＣＫＢ）、ビデオ信号用データ（ＤＡ
ＴＡ）、ラッチ信号（ＬＡＴ）を供給するものとする。または、回路５３６１は、一例と
して、回路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２に、走査線駆動回路用スタート信号（Ｇ
ＳＰ）、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ）、及び走査線駆動回路用反転クロック
信号（ＧＣＫＢ）を供給するものとする。または、回路５３６１は、回路５３６５に、バ
ックライト制御信号（ＢＬＣ）を供給するものとする。ただし、これに限定されず、回路
５３６１は、他にも様々な信号、様々な電圧、又は様々な電流などを、回路５３６２、回
路５３６３＿１、回路５３６３＿２、及び回路５３６５に供給することが可能である。
回路５３６２は、回路５３６１から供給される信号（例えば、ＳＳＰ、ＳＣＫ、ＳＣＫＢ
、ＤＡＴＡ、ＬＡＴ）に応じて、ビデオ信号を複数の配線５３７１に出力する機能を有し
、信号線駆動回路として機能することが可能である。回路５３６３＿１、及び回路５３６
３＿２は、回路５３６１から供給される信号（ＧＳＰ、ＧＣＫ、ＧＣＫＢ）に応じて、走
査信号を複数の配線５３７２に出力する機能を有し、走査線駆動回路として機能すること
が可能である。回路５３６５は、回路５３６１から供給される信号（ＢＬＣ）に応じて、
照明装置５３６６に供給する電力の量、又は時間などを制御することによって、照明装置
５３６６の輝度（又は平均輝度）を制御する機能を有し、電源回路として機能することが
可能である。
なお、複数の配線５３７１にビデオ信号が入力される場合、複数の配線５３７１は、信号
線、ビデオ信号線、又はソース線などとして機能することが可能である。複数の配線５３
７２に走査信号が入力される場合、複数の配線５３７２は、信号線、走査線、又はゲート
線などとして機能することが可能である。ただし、これに限定されない。
なお、回路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２に、同じ信号が回路５３６１から入力さ
れる場合、回路５３６３＿１が複数の配線５３７２に出力する走査信号と、回路５３６３
＿２が複数の配線５３７２に出力する走査信号とは、おおむね等しいタイミングとなる場
合が多い。したがって、回路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２が駆動する負荷を小さ
くすることができる。よって、表示装置を大きくすることができる。または、表示装置を
高精細にすることができる。または、回路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２が有する
トランジスタのチャネル幅を小さくすることができるので、狭額縁な表示装置を得ること
ができる。ただし、これに限定されず、回路５３６１は、回路５３６３＿１と回路５３６
３＿２とに別々の信号を供給することが可能である。
なお、回路５３６３＿１と回路５３６３＿２との一方を省略することが可能である。
なお、画素部５３６４には、容量線、電源線、走査線などの配線を新たに配置することが
可能である。そして、回路５３６１は、これらの配線に信号又は電圧などを出力すること
が可能である。または、回路５３６３＿１又は回路５３６３＿２と同様の回路を新たに追
加し、この新たに追加した回路は、新たに追加した配線に走査信号などの信号を出力する
ことが可能である。
なお、画素５３６７が表示素子としてＥＬ素子などの発光素子を有することが可能である
。この場合、図２１（Ｂ）に示すように、表示素子が発光することが可能なので、回路５
３６５、及び照明装置５３６６は省略されることが可能である。そして、表示素子に電力
を供給するために、電源線として機能することが可能な複数の配線５３７３を画素部５３
６４に配置することが可能である。回路５３６１は、電圧（ＡＮＯ）という電源電圧を配
線５３７３に供給することが可能である。この配線５３７３は、画素の色要素別に接続さ
れることが可能であるし、全ての画素に共通して接続されることが可能である。
なお、図２１（Ｂ）では、一例として、回路５３６１は、回路５３６３＿１と回路５３６
３＿２とに別々の信号を供給する場合の一例を示す。回路５３６１は、走査線駆動回路用
スタート信号（ＧＳＰ１）、走査線駆動回路用クロック信号（ＧＣＫ１）、及び走査線駆
動回路用反転クロック信号（ＧＣＫＢ１）などの信号を回路５３６３＿１に供給する。そ
して、回路５３６１は、走査線駆動回路用スタート信号（ＧＳＰ２）、走査線駆動回路用
クロック信号（ＧＣＫ２）、及び走査線駆動回路用反転クロック信号（ＧＣＫＢ２）など
の信号を回路５３６３＿２に供給する。この場合、回路５３６３＿１は、複数の配線５３
７２のうち奇数行目の配線のみを走査し、回路５３６３＿２は、複数の配線５３７２のう
ち偶数行目の配線のみを走査することが可能になる。よって、回路５３６３＿１、及び回
路５３６３＿２の駆動周波数を小さくできるので、消費電力の低減を図ることができる。
または、１段分のフリップフロップをレイアウトすることが可能な面積を大きくすること
ができる。よって、表示装置を高精細にすることができる。または、表示装置を大型にす
ることができる。ただし、これに限定されず、図２１（Ａ）と同様に、回路５３６１は、
回路５３６３＿１と回路５３６３＿２とに同じ信号を出力することが可能である。
なお、図２１（Ｂ）と同様に、図２１（Ａ）においても、回路５３６１は、回路５３６３
＿１と回路５３６３＿２とに別々の信号を供給することが可能である。
以上、表示装置のシステムブロックの一例について説明した。
次に、表示装置の構成の一例について、図２２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、及び（
Ｅ）を参照して説明する。
図２２（Ａ）では、画素部５３６４に信号を出力する機能を有する回路（例えば、回路５
３６２、回路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２など）は、画素部５３６４と同じ基板
５３８０に形成される。そして、回路５３６１は、画素部５３６４とは別の基板に形成さ
れる。こうして、外部部品の数が減るので、コストの低減を図ることができる。または、
基板５３８０に入力される信号又は電圧の数が減るので、基板５３８０と、外部部品との
接続数を減らすことができる。よって、信頼性の向上、又は歩留まりの向上を図ることが
できる。
なお、回路が画素部５３６４とは別の基板に形成される場合、当該基板は、ＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式によってＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ
Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に実装されることが可能である。または、当該基板は
、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によって画素部５３６４と同じ基板５３８
０に実装することが可能である。
なお、回路が画素部５３６４とは別の基板に形成される場合、当該基板には、単結晶半導
体を用いたトランジスタを形成することが可能である。したがって、当該基板に形成され
る回路は、駆動周波数の向上、駆動電圧の向上、出力信号のばらつきの低減などのメリッ
トを得ることができる。
なお、外部回路からは、入力端子５３８１を介して信号、電圧、又は電流などが入力され
る場合が多い。
図２２（Ｂ）では、駆動周波数が低い回路（例えば、回路５３６３＿１、回路５３６３＿
２）は、画素部５３６４と同じ基板５３８０に形成される。そして、回路５３６１、及び
回路５３６２は、画素部５３６４とは別の基板に形成される。こうして、移動度が小さい
トランジスタによって、基板５３８０に形成される回路を構成することが可能になる。よ
って、トランジスタの半導体層として、非単結晶半導体、微結晶半導体、有機半導体、又
は酸化物半導体などを用いることが可能になる。したがって、表示装置の大型化、工程数
の削減、コストの低減、又は歩留まりの向上などを図ることができる。
なお、図２２（Ｃ）に示すように、回路５３６２の一部（回路５３６２ａ）が画素部５３
６４と同じ基板５３８０に形成され、残りの回路５３６２（回路５３６２ｂ）が画素部５
３６４とは別の基板に形成されることが可能である。回路５３６２ａは、移動度が低いト
ランジスタによって構成することが可能な回路（例えば、シフトレジスタ、セレクタ、ス
イッチなど）を有する場合が多い。そして、回路５３６２ｂは、移動度が高く、特性ばら
つきが小さいトランジスタによって構成することが好ましい回路（例えば、シフトレジス
タ、ラッチ回路、バッファ回路、ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路など）を有する場合が多い
。こうすることによって、図２２（Ｂ）と同様に、トランジスタの半導体層として、非単
結晶半導体、微結晶半導体、有機半導体、又は酸化物半導体などを用いることが可能とな
り、さらに外部部品の削減を図ることができる。
図２２（Ｄ）では、画素部５３６４に信号を出力する機能を有する回路（例えば、回路５
３６２、回路５３６３＿１、及び回路５３６３＿２など）、及びこれらの回路を制御する
機能を有する回路（例えば、回路５３６１）は、画素部５３６４とは別の基板に形成され
る。こうして、画素部と、その周辺回路とを別々の基板に形成することが可能になるので
、歩留まりの向上を図ることができる。
なお、図２２（Ｄ）と同様に、図２２（Ａ）〜（Ｃ）においても、回路５３６３＿１、及
び回路５３６３＿２を画素部５３６４とは別の基板に形成することが可能である。
図２２（Ｅ）では、回路５３６１の一部（回路５３６１ａ）が画素部５３６４と同じ基板
５３８０に形成され、残りの回路５３６１（回路５３６１ｂ）が画素部５３６４とは別の
基板に形成される。回路５３６１ａは、移動度が小さいトランジスタによって構成するこ
とが可能な回路（例えば、スイッチ、セレクタ、レベルシフト回路など）を有する場合が
多い。そして、回路５３６１ｂは、移動度が高く、特性のばらつきが小さいトランジスタ
を用いて構成することが好ましい回路（例えば、シフトレジスタ、タイミングジェネレー
タ、オシレータ、レギュレータ、又はアナログバッファなど）を有する場合が多い。
なお、図２２（Ａ）〜（Ｄ）においても、回路５３６１ａを画素部５３６４と同じ基板に
形成し、回路５３６１ｂを画素部５３６４とは別の基板に形成することが可能である。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、トランジスタ、及び容量素子の作製工程の一例を示す。特に、半導体
層として、酸化物半導体を用いる場合の作製工程について説明する。酸化物半導体層とし
ては、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される層を用いることが可能である。な
お、Ｍとしては、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素又は複数の
金属元素などがある。例えば、Ｍとして、Ｇａの場合があることの他、ＧａとＮｉ又はＧ
ａとＦｅなど、Ｇａ以外の上記金属元素が含まれる場合がある。なお、酸化物半導体にお
いて、Ｍとして含まれる金属元素の他に、不純物元素としてＦｅ、Ｎｉその他の遷移金属
元素、又は該遷移金属の酸化物が含まれているものがある。このような薄膜をＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜と示すことが可能である。なお、酸化物半導体としては、ＺｎＯ
を用いることが可能である。なお、酸化物半導体層の可動イオン、代表的にはナトリウム
の濃度は、５×１０１８／ｃｍ３以下、更には１×１０１８／ｃｍ３以下であると、トラ
ンジスタの電気特性が変化することを抑制することができるため好ましい。ただし、これ
に限定されず、半導体層としては、他に様々な材料の酸化物半導体を用いることが可能で
ある。または、半導体層としては、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶（マイクロクリ
スタル、又はナノクリスタル）半導体、非晶質（アモルファス）半導体、又は、様々な非
単結晶半導体などを用いることが可能である。
図２３（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、トランジスタ、及び容量素子の作製工程の一例につい
て説明する。図２３（Ａ）〜（Ｃ）は、トランジスタ５４４１、及び容量素子５４４２の
作製工程の一例である。トランジスタ５４４１は、逆スタガ型薄膜トランジスタの一例で
あり、酸化物半導体層上にソース電極またはドレイン電極を介して配線が設けられている
トランジスタの例である。
まず、基板５４２０上に、スパッタリング法により第１導電層を全面に形成する。次に、
第１フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用い
て、選択的に第１導電層のエッチングを行い、導電層５４２１、及び導電層５４２２を形
成する。導電層５４２１は、ゲート電極として機能することが可能であり、導電層５４２
２は、容量素子の一方の電極として機能することが可能である。ただし、これに限定され
ず、導電層５４２１、及び導電層５４２２は、配線、ゲート電極、又は容量素子の電極と
して機能する部分を有することが可能である。この後、レジストマスクを除去する。
次に、絶縁層５４２３をプラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて全面に形成す
る。絶縁層５４２３は、ゲート絶縁層として機能することが可能であり、導電層５４２１
、及び導電層５４２２を覆うように形成される。なお、絶縁層５４２３の膜厚は、５０ｎ
ｍ〜２５０ｎｍである場合が多い。
なお、絶縁層５４２３として、酸化シリコン層が用いられる場合、有機シランガスを用い
たＣＶＤ法により、酸化シリコン層を形成することが可能である。有機シランガスとして
は、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭ
Ｓ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、
オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（
ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物、又は、酸化イットリウム（Ｙ２
Ｏ３）を用いることが可能である。
次に、第２フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスク
を用いて、絶縁層５４２３を選択的にエッチングして導電層５４２１に達するコンタクト
ホール５４２４を形成する。この後、レジストマスクを除去する。ただし、これに限定さ
れず、コンタクトホール５４２４を省略することが可能である。または、酸化物半導体層
の形成後に、コンタクトホール５４２４を形成することが可能である。ここまでの段階で
の断面図が図２３（Ａ）に相当する。
次に、酸化物半導体層をスパッタリング法により全面に形成する。ただし、これに限定さ
れず、酸化物半導体層をスパッタリング法により形成し、さらにその上にｎ＋層を形成す
ることが可能である。なお、酸化物半導体層の膜厚は、５ｎｍ〜２００ｎｍである場合が
多い。
なお、酸化物半導体層をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガスを導入して
プラズマを発生させる逆スパッタリングを行うことが好ましい。この逆スパッタリングに
より、絶縁層５４２３の表面及びコンタクトホール５４２４の底面に付着しているゴミを
除去することができる。逆スパッタリングとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アル
ゴン雰囲気下で基板側にＲＦ電源を用いて電圧を印加して基板にプラズマを形成して表面
を改質する方法である。ただし、これに限定されず、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリ
ウムなどを用いることが可能である。または、アルゴン雰囲気に酸素、Ｎ２Ｏなどを加え
た雰囲気で行うことが可能である。または、アルゴン雰囲気にＣｌ２、ＣＦ４などを加え
た雰囲気で行うことが可能である。なお、逆スパッタリングを行うと、絶縁層５４２３の
表面が好ましくは２〜１０ｎｍ程度削られる。このようなプラズマ処理後に、大気に曝す
ことなく酸化物半導体層を形成することによって、ゲート絶縁層と半導体層との界面にゴ
ミ又は水分を付着させない点で有用である。
次に、第３フォトマスクを用いて選択的に、酸化物半導体層のエッチングを行う。この後
、レジストマスクを除去する。
次に、スパッタリング法により第２導電層を全面に形成する。次に、第４フォトマスクを
用いたフォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用いて選択的に第２導電
層のエッチングを行い、導電層５４２９、導電層５４３０、及び導電層５４３１を形成す
る。導電層５４２９は、コンタクトホール５４２４を介して導電層５４２１と接続される
。導電層５４２９、及び導電層５４３０は、ソース電極又はドレイン電極として機能する
ことが可能であり、導電層５４３１は、容量素子の他方の電極として機能することが可能
である。ただし、これに限定されず、導電層５４２９、導電層５４３０、及び導電層５４
３１は、配線、ソース若しくはドレイン電極、又は容量素子の電極として機能する部分を
含むことが可能である。
なお、この後、熱処理（例えば２００℃〜６００℃の）を行う場合、この熱処理に耐える
耐熱性を第２導電層に持たせることが好ましい。よって、第２導電層としては、Ａｌと、
耐熱性導電性材料（例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｓｃ、Ｚｒ、Ｃｅなど
の元素、これらの元素を組み合わせた合金、又は、これらの元素を成分とする窒化物など
）とを組み合わせた材料であることが好ましい。ただし、これに限定されず、第２導電膜
を積層構造にすることによって、第２導電膜に耐熱性を持たせることができる。例えば、
Ａｌの上下に、Ｔｉ、又はＭｏなどの耐熱性導電性材料を設けることが可能である。
なお、第２導電層をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガスを導入してプラ
ズマを発生させる逆スパッタリングを行い、絶縁層５４２３の表面、酸化物半導体層の表
面、及びコンタクトホール５４２４の底面に付着しているゴミを除去することが好ましい
。ただし、これに限定されず、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いること
が可能である。または、アルゴン雰囲気に酸素、水素、Ｎ２Ｏなどを加えた雰囲気で行う
ことが可能である。または、アルゴン雰囲気にＣｌ２、ＣＦ４などを加えた雰囲気で行う
ことが可能である。
なお、第２導電層のエッチングの際に、さらに、酸化物半導体層の一部をエッチングして
、酸化物半導体層５４２５を形成する。このエッチングによって、導電層５４２１と重な
る部分の酸化物半導体層５４２５、又は、上方に第２の導電層が形成されていない部分の
酸化物半導体層５４２５は、削られるので、薄くなる場合が多い。ただし、これに限定さ
れず、酸化物半導体層は、エッチングされないことが可能である。ただし、酸化物半導体
層の上にｎ＋層が形成される場合は、酸化物半導体層はエッチングされる場合が多い。こ
の後、レジストマスクを除去する。このエッチングが終了した段階でトランジスタ５４４
１と容量素子５４４２とが完成する。ここまでの段階での断面図が図２３（Ｂ）に相当す
る。
ここで、第２導電層をスパッタリング法により形成する前に逆スパッタリングを行うと、
絶縁層５４２３の露出部が好ましくは２〜１０ｎｍ程度削られることがある。よって、絶
縁層５４２３に凹部が形成される場合がある。または、第２導電層のエッチングを行い、
導電層５４２９、導電層５４３０、及び導電層５４３１を形成した後、逆スパッタリング
することによって、図２３（Ｂ）に示すように、導電層５４２９、導電層５４３０、及び
導電層５４３１の端部が湾曲する場合がある。
次に、大気雰囲気下または窒素雰囲気下で２００℃〜６００℃の加熱処理を行う。この熱
処理によりＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶層の原子レベルの再配列が行われる。この熱
処理によりキャリアの移動を阻害する歪が解放されるため、ここでの熱処理（光アニール
も含む）は重要である。なお、この加熱処理を行うタイミングは限定されず、酸化物半導
体の形成後であれば、様々なタイミングで行うことが可能である。
次に、絶縁層５４３２を全面に形成する。絶縁層５４３２としては、単層構造であること
が可能であるし、積層構造であることが可能である。例えば、絶縁層５４３２として有機
絶縁層を用いる場合、有機絶縁層の材料である組成物を塗布し、大気雰囲気下または窒素
雰囲気下で２００℃〜６００℃の加熱処理を行って、有機絶縁層を形成する。このように
、酸化物半導体層に接する有機絶縁層を形成することにより、電気特性の信頼性の高い薄
膜トランジスタを作製することができる。なお、絶縁層５４３２として有機絶縁層を用い
る場合、有機絶縁層の下に、窒化珪素膜、又は酸化珪素膜を設けることが可能である。
なお、図２３（Ｃ）においては、非感光性樹脂を用いて絶縁層５４３２を形成した形態を
示すため、コンタクトホールが形成される領域の断面において、絶縁層５４３２の端部が
角張っている。しかしながら、感光性樹脂を用いて絶縁層５４３２を形成すると、コンタ
クトホールが形成される領域の断面において、絶縁層５４３２の端部を湾曲させることが
可能になる。この結果、後に形成される第３導電層又は画素電極の被覆率が向上する。
なお、組成物を塗布する代わりに、その材料に応じて、ディップ、スプレー塗布、インク
ジェット法、印刷法、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコー
ター等を用いることが可能である。
なお、酸化物半導体層を形成した後の加熱処理をせず、有機絶縁層の材料である組成物の
加熱処理時に、酸化物半導体層の加熱処理を兼ねることが可能である。
なお、絶縁層５４３２は、２００ｎｍ〜５μｍ、好ましくは３００ｎｍ〜１μｍで形成す
ることが可能である。
次に、第３導電層を全面に形成する。次に、第５フォトマスクを用いたフォトリソグラフ
ィ工程により形成したレジストマスクを用いて第３導電層を選択的にエッチングして、導
電層５４３３、及び導電層５４３４を形成する。ここまでの段階での断面図が図２３（Ｃ
）に相当する。導電層５４３３、及び導電層５４３４は、配線、画素電極、反射電極、透
明電極、又は容量素子の電極として機能することが可能である。特に、導電層５４３４は
、導電層５４２２と接続されるので、容量素子５４４２の電極として機能することが可能
である。ただし、これに限定されず、第１導電層と第２導電層とを接続する機能を有する
ことが可能である。例えば、導電層５４３３と導電層５４３４とを接続することによって
、導電層５４２２と導電層５４３０とを第３導電層（導電層５４３３及び導電層５４３４
）を介して接続されることが可能になる。
なお、容量素子５４４２は、導電層５４２２と導電層５４３４とによって、導電層５４３
１が挟まれる構造になるので、容量素子５４４２の容量値を大きくすることができる。た
だし、これに限定されず、導電層５４２２と導電層５４３４との一方を省略することが可
能である。
なお、レジストマスクをウェットエッチングで除去した後、大気雰囲気下または窒素雰囲
気下で２００℃〜６００℃の加熱処理を行うことが可能である。
以上の工程により、トランジスタ５４４１と容量素子５４４２とを作製することができる
。
なお、図２３（Ｄ）に示すように、酸化物半導体層５４２５の上に絶縁層５４３５を形成
することが可能である。絶縁層５４３５は、第２導電層がパターニングされる場合に、酸
化物半導体層が削られることを防止する機能を有し、チャネルストップ膜として機能する
。よって、酸化物半導体層の膜厚を薄くすることができるので、トランジスタの駆動電圧
の低減、オフ電流の低減、ドレイン電流のオンオフ比の向上、又はＳ値の改善などを図る
ことができる。なお、絶縁層５４３５は、酸化物半導体層と絶縁層とを連続して全面に形
成し、その後、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により形成したレジストマ
スクを用いて選択的に当該絶縁層をパターニングすることによって、形成されることがで
きる。その後、第２導電層を全面に形成し、第２導電層と同時に酸化物半導体層をパター
ニングする。つまり、同じマスク（レチクル）を用いて、酸化物半導体層と第２導電層と
をパターニングすることが可能になる。この場合、第２導電層の下には、必ず酸化物半導
体層が形成されることになる。こうして、工程数を増やすことなく、絶縁層５４３５を形
成することができる。このような製造プロセスでは、第２導電層の下に酸化物半導体層が
形成される場合が多い。ただし、これに限定されず、酸化物半導体層をパターニングした
後に、絶縁層を全面に形成し、当該絶縁層をパターニングすることによって、絶縁層５４
３５を形成することが可能である。
なお、図２３（Ｄ）において、容量素子５４４２は、導電層５４２２と導電層５４３１と
によって、絶縁層５４２３と酸化物半導体層５４３６とが挟まれる構造である。ただし、
酸化物半導体層５４３６を省略することが可能である。そして、導電層５４３０と導電層
５４３１とは、第３導電層をパターニングして形成される導電層５４３７を介して接続さ
れている。このような構造は、一例として、液晶表示装置の画素に用いられることが可能
である。例えば、トランジスタ５４４１はスイッチングトランジスタとして機能し、容量
素子５４４２は保持容量として機能することが可能である。そして、導電層５４２１、導
電層５４２２、導電層５４２９、導電層５４３７は、各々、ゲート線、容量線、ソース線
、画素電極として機能することが可能である。ただし、これに限定されない。なお、図２
３（Ｄ）と同様に、図２３（Ｃ）においても、導電層５４３０と導電層５４３１とを第３
導電層を介して接続することが可能である。
なお、図２３（Ｅ）に示すように、第２導電層をパターニングした後に、酸化物半導体層
５４２５を形成することが可能である。こうすることによって、第２導電層がパターニン
グされる場合、酸化物半導体層は形成されていないので、酸化物半導体層が削られること
がない。よって、酸化物半導体層の膜厚を薄くすることができるので、トランジスタの駆
動電圧の低減、オフ電流の低減、ドレイン電流のオンオフ比の向上、又はＳ値の改善など
を図ることができる。なお、酸化物半導体層５４２５は、第２導電層がパターニングされ
る後に、酸化物半導体層が全面に形成され、その後フォトマスクを用いたフォトリソグラ
フィ工程により形成したレジストマスクを用いて選択的に酸化物半導体層をパターニング
することによって形成されることができる。
なお、図２３（Ｅ）において、容量素子は、導電層５４２２と、第３導電層をパターニン
グして形成される導電層５４３９とによって、絶縁層５４２３と絶縁層５４３２とが挟ま
れる構造である。そして、導電層５４２２と導電層５４３０とは、第３導電層をパターニ
ングして形成される導電層５４３８を介して接続される。さらに、導電層５４３９は、第
２導電層をパターニングして形成される導電層５４４０と接続される。なお、図２３（Ｅ
）と同様に、図２３（Ｃ）及び（Ｄ）においても、導電層５４３０と導電層５４２２とは
、導電層５４３８を介して接続されることが可能である。
なお、酸化物半導体層（又はチャネル層）の膜厚を、トランジスタがオフの場合の空乏層
よりも薄くすることによって、完全空乏化状態を作り出すことが可能になる。こうして、
オフ電流を低減することができる。これを実現するために、酸化物半導体層の膜厚は、２
０ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１０ｎｍ以下である。さらに好ましく
は６ｎｍ以下であることが好ましい。
なお、トランジスタの動作電圧の低減、オフ電流の低減、ドレイン電流のオンオフ比の向
上、Ｓ値の改善などを図るために、酸化物半導体層の膜厚は、トランジスタを構成する層
の中で、一番薄いことが好ましい。例えば、酸化物半導体層の膜厚は、絶縁層５４２３よ
りも薄いことが好ましい。より好ましくは、酸化物半導体層の膜厚は、絶縁層５４２３の
１／２以下であることが好ましい。より好ましくは、１／５以下であることが好ましい。
さらに好ましくは、１／１０以下であることが好ましい。ただし、これに限定されず、信
頼性を向上させるために、酸化物半導体層の膜厚は、絶縁層５４２３よりも厚いことが可
能である。特に、図２３（Ｃ）のように、酸化物半導体層が削られる場合には、酸化物半
導体層の膜厚は厚いほうが好ましいので、酸化物半導体層の膜厚は、絶縁層５４２３より
も厚いことが可能である。
なお、トランジスタの耐圧を高くするために、絶縁層５４２３の膜厚は、第１導電層より
も厚いことが好ましい。より好ましくは、絶縁層５４２３の膜厚は、第１導電層の５／４
以上であることが好ましい。さらに好ましくは、４／３以上であることが好ましい。ただ
し、これに限定されず、トランジスタの移動度を高くするために、絶縁層５４２３の膜厚
は、第１導電層よりも薄いことが可能である。
なお、本実施の形態の基板、絶縁膜、導電膜、及び半導体層としては、他の実施の形態に
述べる材料、又は本明細書において述べる材料と同様なものを用いることが可能である。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態１１）
本実施の形態では、トランジスタの構造の一例について図２４（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ
）を参照して説明する。
図２４（Ａ）は、トップゲート型のトランジスタの構成の一例である。図２４（Ｂ）は、
ボトムゲート型のトランジスタの構成の一例である。図２４（Ｃ）は、半導体基板を用い
て作製されるトランジスタの構造の一例である。
図２４（Ａ）には、基板５２６０と、基板５２６０の上に形成される絶縁層５２６１と、
絶縁層５２６１の上に形成され、領域５２６２ａ、領域５２６２ｂ、領域５２６２ｃ、領
域５２６２ｄ、及び５２６２ｅを有する半導体層５２６２と、半導体層５２６２を覆うよ
うに形成される絶縁層５２６３と、半導体層５２６２及び絶縁層５２６３の上に形成され
る導電層５２６４と、絶縁層５２６３及び導電層５２６４の上に形成され、開口部を有す
る絶縁層５２６５と、絶縁層５２６５の上及び絶縁層５２６５の開口部に形成される導電
層５２６６と、導電層５２６６の上及び絶縁層５２６５の上に形成され、開口部を有する
絶縁層５２６７と、絶縁層５２６７の上及び絶縁層５２６７の開口部に形成される導電層
５２６８と、絶縁層５２６７の上及び導電層５２６８の上に形成され、開口部を有する絶
縁層５２６９と、絶縁層５２６９の上及び絶縁層５２６９の開口部に形成される発光層５
２７０と、絶縁層５２６９の上及び発光層５２７０の上に形成される導電層５２７１とを
示す。
図２４（Ｂ）には、基板５３００と、基板５３００の上に形成される導電層５３０１と、
導電層５３０１を覆うように形成される絶縁層５３０２と、導電層５３０１及び絶縁層５
３０２の上に形成される半導体層５３０３ａと、半導体層５３０３ａの上に形成される半
導体層５３０３ｂと、半導体層５３０３ｂの上及び絶縁層５３０２の上に形成される導電
層５３０４と、絶縁層５３０２の上及び導電層５３０４の上に形成され、開口部を有する
絶縁層５３０５と、絶縁層５３０５の上及び絶縁層５３０５の開口部に形成される導電層
５３０６と、絶縁層５３０５の上及び導電層５３０６の上に配置される液晶層５３０７と
、液晶層５３０７の上に形成される導電層５３０８とを示す。
図２４（Ｃ）には、領域５３５３及び領域５３５５を有する半導体基板５３５２と、半導
体基板５３５２の上に形成される絶縁層５３５６と、半導体基板５３５２の上に形成され
る絶縁層５３５４と、絶縁層５３５６の上に形成される導電層５３５７と、絶縁層５３５
４、絶縁層５３５６、及び導電層５３５７の上に形成され、開口部を有する絶縁層５３５
８と、絶縁層５３５８の上及び絶縁層５３５８の開口部に形成される導電層５３５９とを
示す。こうして、領域５３５０と領域５３５１とに、各々、トランジスタが作製される。
絶縁層５２６１は、下地膜として機能することが可能である。絶縁層５３５４は、素子間
分離層（例えばフィールド酸化膜）として機能する。絶縁層５２６３、絶縁層５３０２、
絶縁層５３５６は、ゲート絶縁膜として機能することが可能である。導電層５２６４、導
電層５３０１、導電層５３５７は、ゲート電極として機能することが可能である。絶縁層
５２６５、絶縁層５２６７、絶縁層５３０５、及び絶縁層５３５８は、層間膜、又は平坦
化膜として機能することが可能である。導電層５２６６、導電層５３０４、及び導電層５
３５９は、配線、トランジスタの電極、又は容量素子の電極などとして機能することが可
能である。導電層５２６８、及び導電層５３０６は、画素電極、又は反射電極などとして
機能することが可能である。絶縁層５２６９は、隔壁として機能することが可能である。
導電層５２７１、及び導電層５３０８は、対向電極、又は共通電極などとして機能するこ
とが可能である。
基板５２６０、及び基板５３００の一例としては、ガラス基板、石英基板、単結晶基板（
例えばシリコン基板）、ＳＯＩ基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス基板、ス
テンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有
する基板又は可撓性基板などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガ
ラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフ
ォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂な
どがある。他にも、貼り合わせフィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリ
フッ化ビニル、塩化ビニルなど）、繊維状な材料を含む紙、基材フィルム（ポリエステル
、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着フィルム、紙類等）などがある。
半導体基板５３５２としては、一例として、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基
板を用いることが可能である。ただし、これに限定されず、基板５２６０と同様なものを
用いることが可能である。領域５３５３は、一例として、半導体基板５３５２に不純物が
添加された領域であり、ウェルとして機能する。例えば、半導体基板５３５２がｐ型の導
電型を有する場合、領域５３５３は、ｎ型の導電型を有し、ｎウェルとして機能する。一
方で、半導体基板５３５２がｎ型の導電型を有する場合、領域５３５３は、ｐ型の導電型
を有し、ｐウェルとして機能する。領域５３５５は、一例として、不純物が半導体基板５
３５２に添加された領域であり、ソース領域又はドレイン領域として機能する。なお、半
導体基板５３５２に、ＬＤＤ領域を形成することが可能である。
絶縁層５２６１の一例としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸
化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜
などの酸素若しくは窒素を有する膜、又はこれらの積層構造などがある。絶縁層５２６１
が２層構造で設けられる場合の一例としては、１層目の絶縁層として窒化珪素膜を設け、
２層目の絶縁層として酸化珪素膜を設けることが可能である。絶縁層５２６１が３層構造
で設けられる場合の一例としては、１層目の絶縁層として酸化珪素膜を設け、２層目の絶
縁層として窒化珪素膜を設け、３層目の絶縁層として酸化珪素膜を設けることが可能であ
る。
半導体層５２６２、半導体層５３０３ａ、及び半導体層５３０３ｂの一例としては、非単
結晶半導体（非晶質（アモルファス）シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコンなど）
、単結晶半導体、化合物半導体若しくは酸化物半導体（ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧ
ｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ、ＴｉＯ、ＡｌＺｎＳｎＯ（ＡＺＴＯ））、有機
半導体、又はカーボンナノチューブなどがある。
なお、例えば、領域５２６２ａは、不純物が半導体層５２６２に添加されていない真性の
状態であり、チャネル領域として機能する。ただし、領域５２６２ａに微少な不純物を添
加することが可能であり、領域５２６２ａに添加される不純物は、領域５２６２ｂ、領域
５２６２ｃ、領域５２６２ｄ、又は領域５２６２ｅに添加される不純物の濃度よりも低い
ことが好ましい。領域５２６２ｂ、及び領域５２６２ｄは、低濃度に不純物が添加された
領域であり、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ：ＬＤＤ）領域として機
能する。ただし、領域５２６２ｂ、及び領域５２６２ｄを省略することが可能である。領
域５２６２ｃ、及び領域５２６２ｅは、高濃度に不純物が半導体層５２６２に添加された
領域であり、ソース領域又はドレイン領域として機能する。
なお、半導体層５３０３ｂは、不純物元素としてリンなどが添加された半導体層であり、
ｎ型の導電型を有する。
なお、半導体層５３０３ａとして、酸化物半導体、又は化合物半導体が用いられる場合、
半導体層５３０３ｂを省略することが可能である。
絶縁層５２６３、絶縁層５３０２、及び絶縁層５３５６の一例としては、酸化珪素（Ｓｉ
Ｏｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化
酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜などの酸素若しくは窒素を有する膜、又はこれら
の積層構造などがある。
導電層５２６４、導電層５２６６、導電層５２６８、導電層５２７１、導電層５３０１、
導電層５３０４、導電層５３０６、導電層５３０８、導電層５３５７、及び導電層５３５
９の一例としては、単層構造の導電膜、又はこれらの積層構造などがある。当該導電膜の
一例としては、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン
（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）
、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（
Ｃｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、炭素（
Ｃ）、スカンジウム（Ｓｃ）、亜鉛（Ｚｎ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）
、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、セリウム（Ｃｅ）によって構成される群から選ばれた一つの元素の単体膜、又は、
前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を含む化合物などがある。当該化合物の一例とし
ては、前記群から選ばれた一つ若しくは複数の元素を含む合金（インジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳ
Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化錫カドミウム（ＣＴＯ）、アルミネ
オジム（Ａｌ−Ｎｄ）、アルミタングステン（Ａｌ−Ｗ）、アルミジルコニウム（Ａｌ−
Ｚｒ）、アルミチタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミセリウム（Ａｌ−Ｃｅ）、マグネシウム銀
（Ｍｇ−Ａｇ）、モリブデンニオブ（Ｍｏ−Ｎｂ）、モリブデンタングステン（Ｍｏ−Ｗ
）、モリブデンタンタル（Ｍｏ−Ｔａ）などの合金材料）、前記群から選ばれた一つ若し
くは複数の元素と窒素との化合物（窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデンなどの窒
化膜）、又は、前記群から選ばれた一つ若しくは複数の元素とシリコンとの化合物（タン
グステンシリサイド、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、アルミシリコン、モリブ
デンシリコンなどのシリサイド膜）などがある。他にも、カーボンナノチューブ、有機ナ
ノチューブ、無機ナノチューブ、又は金属ナノチューブなどのナノチューブ材料がある。
なお、シリコン（Ｓｉ）は、ｎ型不純物（リンなど）、又はｐ型不純物（ボロンなど）を
含むことが可能である。シリコンが不純物を含むことにより、導電率の向上や、通常の導
体と同様な振る舞いをすることが可能になったりするので、配線、又は電極などとして利
用しやすくなる。
なお、シリコンとして、単結晶、多結晶（ポリシリコン）、微結晶（マイクロクリスタル
シリコン）など、様々な結晶性を有するシリコン、又は非晶質（アモルファスシリコン）
などの結晶性を有さないシリコンなどを用いることが可能である。シリコンとして、単結
晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることにより、配線、電極、導電層、導電膜、端
子などの抵抗を小さくすることができる。シリコンとして、非晶質シリコンまたは微結晶
シリコンを用いることにより、簡単な工程で配線などを形成することができる。
なお、導電層として、シリコンなどの半導体材料を用いる場合、シリコンなどの半導体材
料をトランジスタが有する半導体層と同時に形成することが可能である。
なお、アルミニウム、又は銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができる。
さらに、アルミニウム、又は銀は、エッチングしやすいので、パターニングしやすく、微
細加工を行うことができる。
なお、銅は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができる。銅が導電層として用
いられる場合、密着性を向上させるために積層構造にすることが好ましい。
なお、モリブデンまたはチタンは、酸化物半導体（ＩＴＯ、ＩＺＯなど）、又はシリコン
と接触しても、不良を起こしにくい、エッチングしやすい、耐熱性が高いなどの利点を有
するので、望ましい。よって、酸化物半導体、又はシリコンと接触する導電層としては、
モリブデン又はチタンを用いることが好ましい。
なお、タングステンは、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。
なお、ネオジムは、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。特に、導電層とし
てネオジムとアルミニウムとの合金材料を用いることによって、アルミニウムがヒロック
を起こしにくくなる。ただし、これに限定されず、アルミニウムと、タンタル、ジルコニ
ウム、チタン、又はセリウムとの合金材料を用いることによっても、アルミニウムがヒロ
ックを起こしにくくなる。特に、アルミニウムとセリウムとの合金材料は、アーキングを
大幅に低減することができる。
なお、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＳＯ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、又はカーボンナノチ
ューブなどは、透光性を有しているので、これらの材料を画素電極、対向電極、又は共通
電極などの光を透過させる部分に用いることが可能である。特に、ＩＺＯは、エッチング
しやすく、加工しやすいため、望ましい。ＩＺＯは、エッチングしたときに、残渣が残っ
てしまう、ということが起こりにくい。したがって、画素電極としてＩＺＯを用いると、
液晶素子や発光素子に不具合（ショート、配向乱れなど）をもたらすことを低減すること
ができる。
なお、導電層は、単層構造とすることが可能であるし、多層構造とすることが可能である
。単層構造にすることにより、配線、電極、導電層、導電膜、端子などの製造工程を簡略
化することができ、工程日数を少なくでき、コストを低減することができる。一方で、多
層構造にすることにより、それぞれの材料のメリットを生かしつつ、デメリットを低減さ
せ、性能の良い配線、電極などを形成することができる。例えば、低抵抗材料（アルミニ
ウムなど）を多層構造の中に含むことにより、配線の低抵抗化を図ることができる。別の
例として、低耐熱性の材料を、高耐熱性の材料で挟む積層構造にすることにより、低耐熱
性の材料の持つメリットを生かしつつ、配線、電極などの耐熱性を高くすることができる
。このような積層構造の一例としては、アルミニウムを含む層を、モリブデン、チタン、
ネオジムなどを含む層で挟む積層構造にすると望ましい。
なお、配線、電極など同士が直接接する場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例え
ば、一方の配線、電極などが他方の配線、電極など材料の中に入っていって、性質を変え
てしまい、本来の目的を果たせなくなる場合がある。別の例として、高抵抗な部分を形成
又は製造するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなる場合がある。このような場
合、他の材料に反応して性質が変わってしまう材料を、当該他の材料に反応しにくい材料
によって挟んだり、覆ったりすることが可能である。例えば、ＩＴＯとアルミニウムとを
接続させる場合は、ＩＴＯとアルミニウムとの間に、チタン、モリブデン、ネオジム合金
などを挟むことが可能である。例えば、シリコンとアルミニウムとを接続させる場合は、
シリコンとアルミニウムとの間に、チタン、モリブデン、ネオジム合金を挟むことが可能
である。
なお、これらの材料は、配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどにも用い
ることが可能である。
絶縁層５２６５、絶縁層５２６７、絶縁層５２６９、絶縁層５３０５、及び絶縁層５３５
８の一例としては、単層構造の絶縁層、又はこれらの積層構造などがある。当該絶縁層の
一例としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、若しくは酸化窒化珪
素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素
若しくは窒素を含む膜、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等の炭素を含む膜、又
は、シロキサン樹脂、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベン
ゾシクロブテン、若しくはアクリル等の有機材料などがある。
発光層５２７０の一例としては、有機ＥＬ素子、又は無機ＥＬ素子などがある。有機ＥＬ
素子の一例としては、正孔注入材料からなる正孔注入層、正孔輸送材料からなる正孔輸送
層、発光材料からなる発光層、電子輸送材料からなる電子輸送層、電子注入材料からなる
電子注入層など、若しくはこれらの材料のうち複数の材料を混合した層の単層構造、若し
くはこれらの積層構造などがある。
液晶層５３０７の一例としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液
晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高
分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側
鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ）、バナナ型液晶などを挙げることが
できる。また、液晶の駆動方式としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モー
ド、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐ
ｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅ
ｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モード、ＡＳＭ（Ａ
ｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、
ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）
モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎ
ｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙ
ｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）モード
などがある。
なお、絶縁層５３０５の上及び導電層５３０６の上には、配向膜として機能する絶縁層、
突起部として機能する絶縁層などを形成することが可能である。
なお、導電層５３０８の上には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、又は突起部とし
て機能する絶縁層などを形成することが可能である。導電層５３０８の下には、配向膜と
して機能する絶縁層を形成することが可能である。
なお、図２４（Ａ）の断面構造において、絶縁層５２６９、発光層５２７０、及び導電層
５２７１を省略し、図２４（Ｂ）に示す液晶層５３０７、導電層５３０８を絶縁層５２６
７の上及び導電層５２６８の上に形成することが可能である。
なお、図２４（Ｂ）の断面構造において、液晶層５３０７、導電層５３０８を省略し、図
２４（Ａ）に示す絶縁層５２６９、発光層５２７０、及び導電層５２７１を絶縁層５３０
５の上及び導電層５３０６の上に形成することが可能である。
なお、図２４（Ｃ）の断面構造において、絶縁層５３５８及び導電層５３５９の上に、図
２４（Ａ）に示す絶縁層５２６９、発光層５２７０、及び導電層５２７１を形成すること
が可能である。あるいは、図２４（Ｂ）に示す液晶層５３０７、導電層５３０８を絶縁層
５２６７の上及び導電層５２６８の上に形成することが可能である。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
（実施の形態１２）
本実施の形態においては、電子機器の例について説明する。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｈ）、図２７（Ａ）乃至図２７（Ｄ）は、電子機器を示す図で
ある。これらの電子機器は、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３、ＬＥＤ
ランプ９６３４、操作キー９６３５、接続端子９６３６、センサ９６３７（力、変位、位
置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間
、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線
を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９６３８、等を有することができる。
図２６（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ９６７０、
赤外線ポート９６７１、等を有することができる。図２６（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯
型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示
部９６３２、記録媒体読込部９６７２、等を有することができる。図２６（Ｃ）はゴーグ
ル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部９６３２、支持部９６７３、
イヤホン９６７４、等を有することができる。図２６（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述
したものの他に、記録媒体読込部９６７２、等を有することができる。図２６（Ｅ）はテ
レビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ９６７５、シャ
ッターボタン９６７６、受像部９６７７、等を有することができる。図２６（Ｆ）は携帯
型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部９６３２、記録媒体読込部９６７２、
等を有することができる。図２６（Ｇ）はテレビ受像器であり、上述したものの他に、チ
ューナ、画像処理部、等を有することができる。図２６（Ｈ）は持ち運び型テレビ受像器
であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器９６７８、等を有することが
できる。図２７（Ａ）はディスプレイであり、上述したものの他に、支持台９６７９、等
を有することができる。図２７（Ｂ）はカメラであり、上述したものの他に、外部接続ポ
ート９６８０、シャッターボタン９６７６、受像部９６７７、等を有することができる。
図２７（Ｃ）はコンピュータであり、上述したものの他に、ポインティングデバイス９６
８１、外部接続ポート９６８０、リーダ／ライタ９６８２、等を有することができる。図
２７（Ｄ）は携帯電話機であり、上述したものの他に、送信部、受信部、携帯電話・移動
端末向けの１セグメント部分受信サービス用チューナ、等を有することができる。
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｈ）、図２７（Ａ）乃至図２７（Ｄ）に示す電子機器は、様々
な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）
を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する
機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、
無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を
用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又
はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の
表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一
つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した
画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、
受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影
した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに
内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる
。なお、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｈ）、図２７（Ａ）乃至図２７（Ｄ）に示す電子機器
が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有する
ことを特徴とする。電子機器は、表示部において、トランジスタの特性バラツキの影響が
低減されているため、非常に均一な画像を表示させることが出来る。
次に、半導体装置の応用例を説明する。
図２７（Ｅ）に、半導体装置を、建造物と一体にして設けた例について示す。図２７（Ｅ
）は、筐体９７３０、表示部９７３１、操作部であるリモコン装置９７３２、スピーカ９
７３３等を含む。半導体装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペ
ースを広く必要とすることなく設置可能である。
図２７（Ｆ）に、建造物内に半導体装置を、建造物と一体にして設けた別の例について示
す。表示パネル９７４１は、ユニットバス９７４２と一体に取り付けられており、入浴者
は表示パネル９７４１の視聴が可能になる。
なお、本実施の形態において、建造物として壁、ユニットバスを例としたが、本実施の形
態はこれに限定されず、様々な建造物に半導体装置を設置することができる。
次に、半導体装置を、移動体と一体にして設けた例について示す。
図２７（Ｇ）は、半導体装置を、自動車に設けた例について示した図である。表示パネル
９７６１は、自動車の車体９７６２に取り付けられており、車体の動作又は車体内外から
入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナビゲーション機能を有
していてもよい。
図２７（Ｈ）は、半導体装置を、旅客用飛行機と一体にして設けた例について示した図で
ある。図２７（Ｈ）は、旅客用飛行機の座席上部の天井９７８１に表示パネル９７８２を
設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示パネル９７８２は、天井９７
８１とヒンジ部９７８３を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部９７８３の伸縮に
より乗客は表示パネル９７８２の視聴が可能になる。表示パネル９７８２は乗客が操作す
ることで情報を表示する機能を有する。
なお、本実施の形態において、移動体としては自動車車体、飛行機車体について例示した
がこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電車（モノレ
ール、鉄道等を含む）、船舶等、様々なものに設置することができる。
なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。
１０１ トランジスタ
１０２ 容量素子
１０３ 配線
１０４ 配線
１０５ 表示素子
１０６ 配線
１０７ 回路素子
１０８ 配線
２０１ スイッチ
２０２ スイッチ
２０３ スイッチ
２０４ スイッチ
２０５ スイッチ
２０６ 配線
２０７ スイッチ
２０８ 配線
３０１ スイッチ
３０３ スイッチ
３０５ スイッチ
３０６ 配線
３０７ スイッチ
３０８ 配線
４０１ スイッチ
４０３ スイッチ
４０５ スイッチ
４０６ 配線
４０７ スイッチ
４０８ 配線
５０１ スイッチ
５０３ スイッチ
５０５ スイッチ
５０６ 配線
５０７ スイッチ
５０８ 配線
６０１ スイッチ
６０３ スイッチ
６０５ スイッチ
６０６ 配線
６０７ スイッチ
６０８ 配線
１０１Ａ トランジスタ
１０１Ｂ トランジスタ
１０１Ｍ トランジスタ
１０２Ａ 容量素子
１０２Ｂ 容量素子
１０２Ｍ 容量素子
１０３Ｍ 配線
１０４Ｍ 配線
１０５Ｍ 発光素子
１０６Ｍ 配線
１０６Ｎ 配線
１０６Ｐ 配線
１０６Ｑ 配線
２０１Ｍ トランジスタ
２０２Ｍ トランジスタ
２０３Ｍ トランジスタ
２０４Ｍ トランジスタ
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３２ 表示部
９６３３ スピーカ
９６３４ ＬＥＤランプ
９６３５ 操作キー
９６３６ 接続端子
９６３７ センサ
９６３８ マイクロフォン
９６７０ スイッチ
９６７１ 赤外線ポート
９６７２ 記録媒体読込部
９６７３ 支持部
９６７４ イヤホン
９６７５ アンテナ
９６７６ シャッターボタン
９６７７ 受像部
９６７８ 充電器
９６７９ 支持台
９６８０ 外部接続ポート
９６８１ ポインティングデバイス
９６８２ リーダ／ライタ
９７３０ 筐体
９７３１ 表示部
９７３２ リモコン装置
９７３３ スピーカ
９７４１ 表示パネル
９７４２ ユニットバス
９７６１ 表示パネル
９７６２ 車体
９７８１ 天井
９７８２ 表示パネル
９７８３ ヒンジ部
１２００Ｍ 画素
１２００Ｎ 画素
１２００Ｐ 画素
１２００Ｑ 画素
１２０１Ｍ 配線
１２０２Ｍ 配線
１２０３Ｍ 配線
１２０４Ｍ 配線
５１２１ 画像
５１２２ 画像
５１２３ 画像
５１２４ 領域
５１２５ 領域
５１２６ 領域
５１２７ ベクトル
５１２８ 画像生成用ベクトル
５１２９ 領域
５１３０ 物体
５１３１ 領域
５２６０ 基板
５２６１ 絶縁層
５２６２ 半導体層
５２６３ 絶縁層
５２６４ 導電層
５２６５ 絶縁層
５２６６ 導電層
５２６７ 絶縁層
５２６８ 導電層
５２６９ 絶縁層
５２７０ 発光層
５２７１ 導電層
５３００ 基板
５３０１ 導電層
５３０２ 絶縁層
５３０４ 導電層
５３０５ 絶縁層
５３０６ 導電層
５３０７ 液晶層
５３０８ 導電層
５３５０ 領域
５３５１ 領域
５３５２ 半導体基板
５３５３ 領域
５３５４ 絶縁層
５３５５ 領域
５３５６ 絶縁層
５３５７ 導電層
５３５８ 絶縁層
５３５９ 導電層
５３６０ 映像信号
５３６１ 回路
５３６２ 回路
５３６３ 回路
５３６４ 画素部
５３６５ 回路
５３６６ 照明装置
５３６７ 画素
５３７１ 配線
５３７２ 配線
５３７３ 配線
５３８０ 基板
５３８１ 入力端子
５４２０ 基板
５４２１ 導電層
５４２２ 導電層
５４２３ 絶縁層
５４２４ コンタクトホール
５４２５ 酸化物半導体層
５４２９ 導電層
５４３０ 導電層
５４３１ 導電層
５４３２ 絶縁層
５４３３ 導電層
５４３４ 導電層
５４３５ 絶縁層
５４３６ 酸化物半導体層
５４３７ 導電層
５４３８ 導電層
５４３９ 導電層
５４４０ 導電層
５４４１ トランジスタ
５４４２ 容量素子
５１２１ａ 画像
５１２１ｂ 画像
５１２２ａ 画像
５１２２ｂ 画像
５１２３ａ 画像
５１２３ｂ 画像
５２６２ａ 領域
５２６２ｂ 領域
５２６２ｃ 領域
５２６２ｄ 領域
５２６２ｅ 領域
５３０３ａ 半導体層
５３０３ｂ 半導体層
５３６１ａ 回路
５３６１ｂ 回路
５３６２ａ 回路
５３６２ｂ 回路
２５０１ 容量素子
２５０２ 容量素子

Claims (4)

  1. トランジスタと、
    第１のスイッチと、
    第２のスイッチと、
    容量素子と、
    表示素子と、を有し、
    前記第１のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第２の端子は、ソース信号線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記容量素子の第２の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタは、第１の領域乃至第４の領域、及びチャネル領域を有する半導体層を有し、
    前記第１の領域と前記第２の領域との間に前記チャネル領域が配置され、
    前記第３の領域と前記チャネル領域との間に前記第１の領域が配置され、
    前記第４の領域と前記チャネル領域との間に前記第２の領域が配置され、
    前記半導体層上に、第１の絶縁膜を有し、
    前記第１の絶縁膜上の、前記チャネル領域と重なる領域に設けられた第１の導電層を有し、
    前記第１の導電層上に、第２の絶縁膜を有し、
    前記第２の絶縁膜上に、第２の導電層を有し、
    前記第２の導電層は、前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記第３の領域又は前記第４の領域と接する領域を有し、
    前記第２の導電層上に、有機材料を有する第３の絶縁膜を有し、
    前記第３の絶縁膜上に、第３の導電層を有し、
    前記第３の導電層は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電層と接する領域を有し、
    前記第２の開口部は、前記第１の開口部と重ならない領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜乃至第２の絶縁膜の各々は、酸化珪素を有し、
    前記半導体層は、酸化物半導体を有し、
    前記第１の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第１の層と、前記第１の層上に配置された、銅を含む第２の層と有し、
    前記第２の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第３の層と、前記第３の層上に配置された、銅を含む第４の層とを有し、
    前記第３の導電層は、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物を有する、
    半導体装置。
  2. トランジスタと、
    第１のスイッチと、
    第２のスイッチと、
    容量素子と、
    表示素子と、を有し、
    前記第１のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第２の端子は、ソース信号線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記容量素子の第２の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタは、第１の領域乃至第４の領域、及びチャネル領域を有する半導体層を有し、
    前記第１の領域と前記第２の領域との間に前記チャネル領域が配置され、
    前記第３の領域と前記チャネル領域との間に前記第１の領域が配置され、
    前記第４の領域と前記チャネル領域との間に前記第２の領域が配置され、
    前記半導体層上に、第１の絶縁膜を有し、
    前記第１の絶縁膜上の、前記チャネル領域と重なる領域に設けられた第１の導電層を有し、
    前記第１の導電層上に、第２の絶縁膜を有し、
    前記第２の絶縁膜上に、第２の導電層を有し、
    前記第２の導電層は、前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記第３の領域又は前記第４の領域と接する領域を有し、
    前記第２の導電層上に、有機材料を有する第３の絶縁膜を有し、
    前記第３の絶縁膜上に、第３の導電層を有し、
    前記第３の導電層は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電層と接する領域を有し、
    前記第２の開口部は、前記第１の開口部と重ならない領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜乃至第２の絶縁膜の各々は、酸化珪素を有し、
    前記半導体層は、ナノクリスタルを有し、
    前記第１の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第１の層と、前記第１の層上に配置された、銅を含む第２の層と有し、
    前記第２の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第３の層と、前記第３の層上に配置された、銅を含む第４の層とを有し、
    前記第３の導電層は、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物を有する、
    半導体装置。
  3. トランジスタと、
    第１のスイッチと、
    第２のスイッチと、
    容量素子と、
    表示素子と、を有し、
    前記第１のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第２の端子は、ソース信号線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記容量素子の第２の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタは、第１の領域乃至第４の領域、及びチャネル領域を有する半導体層を有し、
    前記第１の領域と前記第２の領域との間に前記チャネル領域が配置され、
    前記第３の領域と前記チャネル領域との間に前記第１の領域が配置され、
    前記第４の領域と前記チャネル領域との間に前記第２の領域が配置され、
    前記半導体層上に、第１の絶縁膜を有し、
    前記第１の絶縁膜上の、前記チャネル領域と重なる領域に設けられた第１の導電層を有し、
    前記第１の導電層上に、第２の絶縁膜を有し、
    前記第２の絶縁膜上に、第２の導電層を有し、
    前記第２の導電層は、前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記第３の領域又は前記第４の領域と接する領域を有し、
    前記第２の導電層上に、有機材料を有する第３の絶縁膜を有し、
    前記第３の絶縁膜上に、第３の導電層を有し、
    前記第３の導電層は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電層と接する領域を有し、
    前記第２の開口部は、前記第１の開口部と重ならない領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜乃至第２の絶縁膜の各々は、酸化珪素を有し、
    前記半導体層は、酸化物半導体を有し、
    前記第１の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第１の層と、前記第１の層上に配置された、銅を含む第２の層と有し、
    前記第２の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第３の層と、前記第３の層上に配置された、銅を含む第４の層とを有し、
    前記第３の導電層は、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物を有し、
    前記容量素子は、第４の導電層乃至第６の導電層を有し、
    前記第５の導電層は前記第６の導電層と重なる領域を有し、
    前記第４の導電層は前記第６の導電層と重なる領域を有する、
    半導体装置。
  4. トランジスタと、
    第１のスイッチと、
    第２のスイッチと、
    容量素子と、
    表示素子と、を有し、
    前記第１のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１のスイッチの第２の端子は、ソース信号線と電気的に接続され、
    前記第２のスイッチの第１の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記容量素子の第２の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
    前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
    前記トランジスタは、第１の領域乃至第４の領域、及びチャネル領域を有する半導体層を有し、
    前記第１の領域と前記第２の領域との間に前記チャネル領域が配置され、
    前記第３の領域と前記チャネル領域との間に前記第１の領域が配置され、
    前記第４の領域と前記チャネル領域との間に前記第２の領域が配置され、
    前記半導体層上に、第１の絶縁膜を有し、
    前記第１の絶縁膜上の、前記チャネル領域と重なる領域に設けられた第１の導電層を有し、
    前記第１の導電層上に、第２の絶縁膜を有し、
    前記第２の絶縁膜上に、第２の導電層を有し、
    前記第２の導電層は、前記第２の絶縁膜の第１の開口部を介して前記第３の領域又は前記第４の領域と接する領域を有し、
    前記第２の導電層上に、有機材料を有する第３の絶縁膜を有し、
    前記第３の絶縁膜上に、第３の導電層を有し、
    前記第３の導電層は、前記第３の絶縁膜の第２の開口部を介して、前記第２の導電層と接する領域を有し、
    前記第２の開口部は、前記第１の開口部と重ならない領域を有し、
    前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
    前記第１の絶縁膜乃至第２の絶縁膜の各々は、酸化珪素を有し、
    前記半導体層は、ナノクリスタルを有し、
    前記第１の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第１の層と、前記第１の層上に配置された、銅を含む第２の層と有し、
    前記第２の導電層は、モリブデン又はチタンを含む第３の層と、前記第３の層上に配置された、銅を含む第４の層とを有し、
    前記第３の導電層は、インジウム錫酸化物又はインジウム亜鉛酸化物を有し、
    前記容量素子は、第４の導電層乃至第６の導電層を有し、
    前記第５の導電層は前記第６の導電層と重なる領域を有し、
    前記第４の導電層は前記第６の導電層と重なる領域を有する、
    半導体装置。
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