JP2019201027A - 固体電解コンデンサ、および、固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】分散体液の浸透不足を抑制できる固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】固体電解コンデンサにおいて、弁作用金属からなる多孔質焼結体１と、多孔質焼結体に一部が進入し、かつ、多孔質焼結体から突出する陽極ワイヤ１１と、多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された固体電解質層とを備えた。多孔質焼結体１は、その表面に開口端１２１ａ、１２２ａを有し、且つ、当該表面から凹む凹部１２１、１２２を備える。【選択図】図５

Description

本開示は、固体電解コンデンサ、および、固体電解コンデンサの製造方法に関する。

特許文献１には、従来の固体電解コンデンサの一例が開示されている。固体電解コンデンサは、多孔質焼結体、多孔質焼結体の外表面および細孔の内表面に積層される誘電体層、および、誘電体層を覆うように積層される固体電解質層を備える。固体電解質層は、内部層および外部層を備える。内部層は、多孔質焼結体の細孔の内表面を覆う誘電体層を覆って、多孔質焼結体の細孔を埋めている。内部層は、誘電体層が形成された多孔質焼結体をポリマーの分散体液に浸漬し、乾燥させて形成される。

分散体の粒子は比較的大きいので、多孔質焼結体を分散体液に浸漬しても、多孔質焼結体に浸透不足の部分が生じる場合がある。浸透不足の部分は誘電体層が内部層に覆われていないので、形成されるコンデンサの静電容量が小さくなる。また、浸透不足の部分では誘電体層が内部層によって保護されないので、リフローによる熱応力などで誘電体層に傷がつく場合がある。

特開２０１５−２２０２４７号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、分散体液の浸透不足を抑制できる固体電解コンデンサを提供することをその課題とする。

本開示によって提供される固体電解コンデンサは、弁作用金属からなる多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体に一部が進入し、かつ、前記多孔質焼結体から突出する陽極ワイヤと、前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された固体電解質層とを備え、前記多孔質焼結体は、その表面に開口端を有し且つ当該表面から凹む凹部を備えることを特徴とする。

本開示の固体電解コンデンサによれば、多孔質焼結体は、凹部を備える。固体電解質層形成工程において、分散体液が凹部に浸入するので、多孔質焼結体の表面から離れた内部まで、分散体液が浸透しやすい。したがって、多孔質焼結体への分散体液の浸透不足を抑制できる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本開示の第１実施形態に係る固体電解コンデンサを示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１の固体電解コンデンサを示す要部拡大断面図である。 図１の固体電解コンデンサの多孔質焼結体および陽極ワイヤを示す斜視図である。 図１の固体電解コンデンサの製造方法の一例を示すフロー図である。 図１の固体電解コンデンサの多孔質体を形成するための金型を示す概略斜視図である。 図１の固体電解コンデンサの製造工程の一工程を示す概略断面図である。 図１の固体電解コンデンサの製造工程の一工程を示す概略断面図である。 図１の固体電解コンデンサの製造工程の一工程を示す概略断面図である。 図１の固体電解コンデンサの製造工程の一工程を示す概略断面図である。 本開示の第２実施形態に係る固体電解コンデンサを示す平面図である。 本開示の第３実施形態に係る固体電解コンデンサを示す平面図である。 本開示の第４実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図である。 本開示の第５実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図である。 本開示の第６実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図である。 本開示の第７実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図である。 本開示の第８実施形態に係る固体電解コンデンサを示す側面図である。 本開示の第９実施形態に係る固体電解コンデンサを示す側面図である。 本開示の第１０実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図である。 図２０の固体電解コンデンサの多孔質体を形成するための金型を示す概略斜視図である。 本開示の第１１実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図である。 図２２の固体電解コンデンサの多孔質体を形成するための金型を示す概略斜視図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図５は、本開示に係る固体電解コンデンサの一例を示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ１は、多孔質焼結体１、陽極ワイヤ１１、誘電体層２、固体電解質層３、陰極層４、封止樹脂５、陽極導通部材６、および陰極導通部材７を備えている。各図においては、平面視における固体電解コンデンサＡ１の一方の辺に沿う方向（図１における左から右への方向）をｘ方向とし、他方の辺に沿う方向（図１における下から上への方向）をｙ方向とし、固体電解コンデンサＡ１の厚さ方向（図２および図３における下から上への方向）をｚ方向として説明する。ｙ方向が本発明の「第１方向」に相当し、ｚ方向が本発明の「第２方向」に相当する。固体電解コンデンサＡ１のサイズの一例を挙げると、ｘ方向寸法が３．２ｍｍ程度、ｙ方向寸法が１．６ｍｍ程度、ｚ方向寸法が１．２ｍｍ程度である。なお、各サイズは限定されない。

図１は、固体電解コンデンサＡ１示す平面図である。なお、図１は、理解の便宜上、封止樹脂５を透過して、封止樹脂５の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、固体電解コンデンサＡ１を示す要部拡大断面図である。図５は、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１を示す斜視図である。

多孔質焼結体１は、誘電体層２に対して陽極をなすものであり、弁作用金属であるたとえばＴａまたはＮｂなどからなる。本実施形態においては、多孔質焼結体１は、直方体形状である。図４に示すように、多孔質焼結体１は、その内部に微小な多数の細孔１５を有している。多孔質焼結体１は、ｘ方向を向く面１ａと、ｘ方向の反対側を向く面１ｃと、面１ａおよび面１ｃとつながる４つの面１ｂとを有する。面１ａ，１ｂ，１ｃはそれぞれ、矩形状である。面１ｃが本発明の「第１面」に相当し、面１ａが本発明の「第２面」に相当し、面１ｂが本発明の「第３面」に相当する。

陽極ワイヤ１１は、多孔質焼結体１の内部にその一部がｘ方向に進入している。陽極ワイヤ１１は、たとえば弁作用金属であるたとえばＴａまたはＮｂなどからなる。なお、陽極ワイヤ１１の材質は限定されないが、多孔質焼結体１を形成する弁作用金属と同じ弁作用金属によって形成されることが好ましい。陽極ワイヤ１１は、多孔質焼結体１の面１ｃの中心から、ｘ方向に向かって多孔質焼結体１に進入し、ｘ方向の反対側に向かって突出している。つまり、陽極ワイヤ１１は、多孔質焼結体１の４つの面１ｂに対して平行になるように配置され、ｚ方向において多孔質焼結体１の中央に位置し、ｙ方向において多孔質焼結体１の中央に位置している。陽極ワイヤ１１の面１ｃに平行な断面は円形状である。

多孔質焼結体１は、凹部１２１，１２２を備える。凹部１２１，１２２は、後述する固体電解質層形成工程において、分散体液の多孔質焼結体１への含浸を促進し、浸透不足を抑制する。凹部１２１は、面１ｃに開口端１２１ａを有し、面１ｃから凹むように形成される。凹部１２２は、面１ｃに開口端１２２ａを有し、面１ｃから凹むように形成される。凹部１２１，１２２は、陽極ワイヤ１１に平行に、ｘ方向に延びる。凹部１２１の開口端１２１ａおよび凹部１２２の開口端１２２ａの形状は円形状であり（図５参照）、凹部１２１および凹部１２２の面１ｃに平行な断面も円形状である（図３参照）。また、図３に示すように、凹部１２１は、ｙ方向において、ｙ方向の反対側を向く面１ｂと陽極ワイヤ１１とのほぼ中間の位置に配置され、凹部１２２は、ｙ方向において、ｙ方向を向く面１ｂと陽極ワイヤ１１とのほぼ中間の位置に配置されている。すなわち、ｙ方向において、２個の凹部１２１，１２２が、陽極ワイヤ１１を挟んで互いに反対側に形成されている。また、凹部１２１，１２２は、ｚ方向において、面１ｃの中心に配置されている。すなわち、凹部１２１、陽極ワイヤ１１、凹部１２２は、ｙ方向に沿ってこの順で一列に並んでいる。なお、凹部１２１，１２２の配置位置は限定されない。

図５は、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１を示す斜視図である。多孔質焼結体１のサイズの一例を挙げると、ｘ方向寸法が２．３ｍｍ程度、ｙ方向寸法が１．４ｍｍ程度、ｚ方向寸法が０．７ｍｍ程度である。陽極ワイヤ１１の直径Ｄ１は、０．１〜０．４ｍｍ程度である。また、陽極ワイヤ１１が多孔質焼結体１に進入している進入長さＬ１は、多孔質焼結体１のｘ方向寸法Ｌの７５％程度であり、１．７ｍｍ程度である。なお、各寸法は限定されない。凹部１２１，１２２の直径Ｄ２は、１〜数１０μｍ程度である。本実施形態での固体電解質層形成工程において用いる分散体の粒子の直径は１０〜８０ｎｍ程度なので、凹部１２１，１２２は、当該粒子を問題なく通過させることができる。凹部１２１，１２２の直径Ｄ２は、陽極ワイヤ１１の直径Ｄ１の０．２５〜５０％であるのが望ましい。つまり、凹部１２１，１２２の面１ｃに平行な断面積（開口端１２１ａ、１２２ａの断面積）は、陽極ワイヤ１１の面１ｃに平行な断面積の０．０００６２５〜２５％であるのが望ましい。また、凹部１２１，１２２の面１ｃに平行な断面積は、面１ｃの面積の１％以下であるのが望ましい。また、凹部１２１，１２２の深さ（ｘ方向寸法）Ｌ２は、多孔質焼結体１のｘ方向寸法Ｌの６０％程度であり、１．４ｍｍ程度である。深さＬ２は、大きいほど分散体液の多孔質焼結体１への含浸を促進でき、寸法Ｌの５０〜７５％であるのが望ましい。なお、凹部１２１と凹部１２２とで、直径Ｄ２または深さＬ２が異なっていてもよい。

誘電体層２は、多孔質焼結体１の表面に積層されている。また、誘電体層２は、陽極ワイヤ１１の一部の表面に積層され得る。図４に示すように、多孔質焼結体１は、多数の細孔１５を有する構造であり、誘電体層２が覆う表面は、多孔質焼結体１の外観に表れる表面（面１ａ，１ｂ，１ｃ）だけでなく、それぞれの細孔１５の内表面を含んでいる。図２および図３においては、誘電体層２は、理解の便宜上多孔質焼結体１を外側から覆う層として記載されているが、実際には、多孔質焼結体１の外表面および細孔１５内にわたって形成されている。誘電体層２は、一般的に弁作用金属の酸化物からなり、たとえばＴａ₂Ｏ₅（五酸化タンタル）またはＮｂ₂Ｏ₅（五酸化ニオブ）などからなる。

固体電解質層３は、誘電体層２を覆っている。固体電解質層３は、誘電体層２を挟んで多孔質焼結体１と電気的にコンデンサを構成しうるものであればよい。固体電解質層３の具体例を挙げると、図４によく表れているように、固体電解質層３は、内部層３１および外部層３２からなる。内部層３１は、誘電体層２のうち、多孔質焼結体１の細孔１５の内表面を覆っている部分を覆っており、多孔質焼結体１の細孔１５を埋める形態となっている。内部層３１は、たとえば導電性ポリマーからなる。外部層３２は、内部層３１上に積層されており、多孔質焼結体１の外部において内部層３１を覆う形態となっている。本実施形態においては、外部層３２は、導電性ポリマーからなる。なお、固体電解質層３は、導電性ポリマーの単一層によって構成されていてもよい。

陰極層４は、固体電解質層３の外部層３２上に積層されており、固体電解質層３と陰極導通部材７との導通を図る層である。陰極層４は、適切な導電性を有するものであればその構成は特に限定されない。陰極層４の具体例を挙げると、図４に示すように、陰極層４は、下地層４１および上層４２からなる。下地層４１は、たとえばグラファイトからなり、固体電解質層３を直接覆っている。上層４２は、下地層４１上に積層されており、たとえばＡｇからなる。

封止樹脂５は、多孔質焼結体１、陽極ワイヤ１１、誘電体層２、固体電解質層３、および陰極層４を覆っており、たとえばエポキシ樹脂からなる。封止樹脂５は、凹部１２１，１２２の内部にも充填されている。

陽極導通部材６は、陽極ワイヤ１１に接合されており、その一部が封止樹脂５から露出している。陽極導通部材６は、たとえばＣｕメッキが施された、４２アロイなどのＮｉ−Ｆｅ合金からなる。陽極導通部材６のうち封止樹脂５から露出した部位は、固体電解コンデンサＡ１を面実装するための外部陽極端子６ａとして用いられる。本実施形態においては、陽極導通部材６は、中間部６１および露出部６２によって構成されている。中間部６１は、そのすべてが封止樹脂５に覆われており、陽極ワイヤ１１にと接合されている。露出部６２は、その一部が封止樹脂５から露出することにより外部陽極端子６ａを構成しており、中間部６１と接合されている。

陰極導通部材７は、たとえばＡｇなどからなる導電性接合材７１を介して陰極層４に接合されており、その一部が封止樹脂５から露出している。陰極導通部材７は、たとえばＣｕメッキが施された、４２アロイなどのＮｉ−Ｆｅ合金からなり、本実施形態においては、板状部材である。陰極導通部材７のうち封止樹脂５から露出した面は、固体電解コンデンサＡ１を面実装するための外部陰極端子７ａとして用いられる。

次に、固体電解コンデンサＡ１の製造方法の一例について、以下に説明する。

図６は、固体電解コンデンサＡ１の製造方法のフローを示している。まず、多孔質焼結体１を形成する（多孔質焼結体形成工程）。この工程においては、まず、多孔質体を形成する（多孔質体形成工程）。

図７は、多孔質体を形成するための金型を示す概略斜視図である。金型８は、固定ブロック８４、１対の押圧ブロック８１，８２、および昇降ブロック８３を備える。１対の押圧ブロック８１，８２は、水平方向に移動可能に固定ブロック８４に形成された溝部８４ａに嵌入している。固定ブロック８４の１対の内向きの側面８４ｂ，８４ｃおよび内向きの底面８４ｄと、１対の押圧ブロック８１，８２の互いに対向する内向きの側面８１ａ，８２ａとにより、空間部８５が形成されている。固定ブロック８４および１対の押圧ブロック８１，８２が、本発明の「下金型」に相当する。

昇降ブロック８３は、空間部８５の上方に備えられている。昇降ブロック８３は、たとえばその上方に設けられた油圧シリンダなどの駆動源（図示略）により、昇降自在とされている。昇降ブロック８３には、ワイヤ材料９２を上下方向に貫通させるための孔が形成されている。ワイヤ材料９２は、たとえばＴａまたはＮｂなどの弁作用を有する金属製であり、後に陽極ワイヤ１１になるものである。ワイヤ材料９２は、孔を通って上方から下方へと延出する。なお、昇降ブロック８３の上方には、ワイヤ材料９２を送り出すための送り出し装置（図示略）が備えられており、ワイヤ材料９２を昇降ブロック８３を通して所望の長さだけ送り出し、保持することが可能となっている。また、昇降ブロック８３の下面８３ａには、２本の突出部８３１，８３２が設けられている。昇降ブロック８３が、本発明の「上金型」に相当する。

図８〜図１１は、金型８による多孔質体形成工程を説明するための図であり、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図に相当する図である。なお、図８〜図１１においては、断面を示すハッチングを省略している。

多孔質体形成工程では、まず、図８に示すように、１対の押圧ブロック８１，８２を所定の位置に固定し、空間部８５を形成する。そして、たとえばＴａまたはＮｂなどの弁作用金属の微粉末９１を、空間部８５に充填する（微粉末充填）。なお、たとえば上記充填の後にスキージを利用して、微粉末９１のうち空間部８５から余分に盛り上がっている部分を取り除けば、所定の量の微粉末９１を空間部８５に均一に充填することができる。

次いで、図９に示すように、昇降ブロック８３を下降させて、空間部８５の上方を覆いつつ、ワイヤ材料９２の先端部分９２ａを、空間部８５に充填された微粉末９１内に進入させる（ワイヤ配置）。このとき、突出部８３１，８３２も、空間部８５に充填された微粉末９１内に進入する。

次いで、図１０に示すように、１対の押圧ブロック８１，８２を水平方向において空間部８５の中央寄りに移動させることで、空間部８５に充填された微粉末９１に圧力を加える（加圧処理）。これにより、微粉末９１が圧縮されて、多孔質体９３が加圧成形される。次いで、ワイヤ材料９２を、多孔質体９３から離間した所定の位置で切断する（ワイヤ切断）。

次いで、図１１に示すように、昇降ブロック８３を上昇させる。昇降ブロック８３の上昇に応じて、多孔質体９３に進入していた突出部８３１，８３２も上昇し、多孔質体９３から抜き取られる。突出部８３１，８３２が抜き取られた部分が、それぞれ凹部１２１，１２２になる。そして、１対の押圧ブロック８１，８２を水平方向において離間するように移動させて、多孔質体９３を取り出す。以上により、ワイヤ材料９２が進入し、凹部１２１，１２２が形成された多孔質体９３が得られる。

次いで、この多孔質体９３およびワイヤ材料９２に焼結処理を施す。この焼結処理により、弁作用金属の微粉末９１どうしが焼結し、多数の細孔１５を有する多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１が形成される（焼結処理）。この際、焼結処理に伴う収縮によって、多孔質体９３の外形よりも多孔質焼結体１の外形は小となる。この収縮を考慮して、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１が所定の寸法となるように、多孔質体９３の成形を行う。

次いで、誘電体層２を形成する（誘電体層形成工程）。たとえば、陽極ワイヤ１１によって多孔質焼結体１を支持しながら、リン酸水溶液の化成液に多孔質焼結体１を漬ける。そして、この化成液中において、多孔質焼結体１に対して陽極酸化処理を施す。これにより、多孔質焼結体１の外表面および内表面を覆うようにたとえばＴａ₂Ｏ₅またはＮｂ₂Ｏ₅などからなる誘電体層２が形成される。

次いで、固体電解質層３を形成する（固体電解質層形成工程）。固体電解質層３を形成する工程においては、まず、内部層３１を形成する（内部層形成）。まず、ポリマー分散体と溶媒とを混合する。前記ポリマー分散体は、あらかじめ重合反応させた導電性ポリマー粒子であり、たとえばポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）から選ばれる１種または２種からなる重合体または共重合体が導電率の観点から好適に用いられる。さらには、ポリピリロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）は、導電性をより向上させるとともに、耐熱性を高めることが可能である点から、より好ましい。前記溶媒は、前記ポリマー分散体を均一に分散させうるものであり、たとえば水、エタノール、有機溶剤などが適宜採用できる。これにより、分散体液が得られる。

次いで、誘電体層２が形成された多孔質焼結体１を前記分散体液に浸漬し、引き上げる。多孔質焼結体１を分散体液に浸漬する際、凹部１２１，１２２を介して、多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで、分散体液が浸透する。次いで、前記分散体液をたとえば乾燥させることにより、前記溶媒を除去する。これにより、導電性ポリマーからなる内部層３１が形成される。

次に、外部層３２を形成する（外部層形成）。内部層３１が形成された多孔質焼結体１を既知の酸化剤およびモノマー溶液にそれぞれ浸漬し、引き上げた後に乾燥させる。これにより、化学重合反応を起こさせる。そして、必要に応じて洗浄や再化成処理を行う。これにより、導電性ポリマーからなる外部層３２が形成される。または、モノマーおよびドーパントを含む電解質液を塗布し、電流を流すことにより導電性ポリマーからなる外部層３２を形成する電解重合法を用いてもよい。外部層３２は、凹部１２１，１２２の内部にも積層される。

次いで、陰極層４を形成する（陰極層形成工程）。まず、下地層４１を形成する（下地層形成）。下地層４１の形成は、たとえば、グラファイトと有機溶剤との溶液に多孔質焼結体１を浸漬させ、引き上げた後に乾燥あるいは焼成する。次いで、上層４２を形成する（上層形成）。上層４２の形成は、たとえばＡｇフィラーと有機溶剤との溶液に多孔質焼結体１を浸漬させ、引き上げた後に、乾燥あるいは焼成する。これにより、上層４２が形成され、陰極層４が得られる。陰極層４は、凹部１２１，１２２の内部にも積層される。

次いで、陽極導通部材６を陽極ワイヤ１１に接合する（陽極導通部材接合工程）。たとえば、中間部６１となる母材と陽極ワイヤ１１とを溶接する。そして、この母材を所定の大きさに切断した後に、露出部６２に中間部６１を接合する。これにより、陽極導通部材６が得られる。次いで、陰極導通部材７を接合する（陰極導通部材接合工程）。たとえば、板状の金属部材を銀ペーストなどの導電性接合材７１によって陰極層４に接合する。そして、金型成形などにより、封止樹脂５を形成する（封止樹脂形成工程）。このとき、封止樹脂５は、凹部１２１，１２２の内部にも充填される。以上の工程を経ることにより、図１〜図５に示す固体電解コンデンサＡ１が得られる。

次に、固体電解コンデンサＡ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、多孔質焼結体１は、凹部１２１，１２２を備える。凹部１２１，１２２の直径Ｄ２は分散体の粒子と比較して十分大きいので、固体電解質層形成工程において、分散体液は、凹部１２１，１２２に浸入する。これにより、多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで、分散体液が浸透しやすい。よって、多孔質焼結体１への分散体液の含浸を促進し、浸透不足を抑制できる。

また、本実施形態によれば、凹部１２１，１２２は、ｙ方向において、陽極ワイヤ１１を挟んで互いに反対側に形成されている。また、凹部１２１，１２２は、ｚ方向において、面１ｃの中心に配置されている。よって、ｙ方向の寸法がｚ方向の寸法より大きい多孔質焼結体１において、表面から離れた内部まで効率よく、分散体液の含浸を促進できる。

また、本実施形態によれば、凹部１２１，１２２の深さＬ２は、多孔質焼結体１のｘ方向寸法Ｌの５０％以上である。したがって、多孔質焼結体１において、表面から離れた内部まで効率よく分散体液の含浸を促進できる。

また、本実施形態によれば、凹部１２１，１２２の内部には、封止樹脂５が充填されている。したがって、封止樹脂５が充填されない場合と比較して、多孔質焼結体１の強度を増加させることができる。

また、本実施形態によれば、凹部１２１，１２２は、多孔質体形成工程において形成される。したがって、形成された多孔質体９３に対して、別工程で凹部１２１，１２２の形成を行う場合と比較して、固体電解コンデンサＡ１の製造工程を簡略化できる。また、形成された多孔質体９３に対して、別工程で凹部１２１，１２２の形成を行う場合、多孔質体９３を損傷したり、凹部１２１，１２２が適切に形成されない場合がある。一方、本実施形態によれば、突出部８３１，８３２を進入させた微粉末９１に対して加圧処理を行うことで凹部１２１，１２２の形成を行うので、凹部１２１，１２２の形成において多孔質体９３を損傷することなく、凹部１２１，１２２を適切に形成することができる。したがって、製造時の歩留まりが向上する。また、昇降ブロック８３の下面８３ａに突出部８３１，８３２を設けるだけであり、昇降ブロック８３を上昇させることで突出部８３１，８３２を抜き取ることができるので、複雑な金型８を作成する必要がない。

図１２〜図２３は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

＜第２実施形態＞
図１２は、本開示の第２実施形態に係る固体電解コンデンサを示す平面図である。なお、図１２は、理解の便宜上、封止樹脂５を透過して、封止樹脂５の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ２は、凹部１２１，１２２がテーパ形状である点で上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２１（１２２）は、いわゆる先細りのテーパ形状であって、開口端１２１ａ（１２２ａ）に平行な（面１ｃに平行な）断面の面積が、開口端１２１ａ（１２２ａ）から多孔質焼結体１の内部に進む（ｘ方向に進む）に従って小さくなる形状である。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によれば、多孔質体形成工程において、昇降ブロック８３を上昇させて、多孔質体９３から突出部８３１，８３２を抜き取るとき（図１１参照）に、多孔質体９３に形成された凹部１２１，１２２の内壁と突出部８３１，８３２の外壁との摩擦を抑制できる。したがって、凹部１２１，１２２の内壁に形成された微小な細孔１５を、摩擦によって閉塞してしまうことを抑制できる。これにより、凹部１２１，１２２に浸入した分散体液の多孔質焼結体１への含浸をさらに促進できる。

＜第３実施形態＞
図１３は、本開示の第３実施形態に係る固体電解コンデンサを示す平面図である。なお、図１３は、理解の便宜上、封止樹脂５を透過して、封止樹脂５の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ３は、凹部１２１，１２２の延びる方向が上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２１（１２２）は、陽極ワイヤ１１に平行に延びるのではなく、開口端１２１ａ（１２２ａ）から多孔質焼結体１の内部に進む（ｘ方向に進む）に従って陽極ワイヤ１１に近づくように延びる。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によれば、多孔質焼結体１の表面から離れた内部の陽極ワイヤ１１の近くに、分散体液を浸透させることができる。なお、開口端１２１ａ（１２２ａ）が陽極ワイヤ１１の近くに配置され、開口端１２１ａ（１２２ａ）から多孔質焼結体１の内部に進む（ｘ方向に進む）に従って、凹部１２１（１２２）が陽極ワイヤ１１から離れるように延びてもよい。また、凹部１２１，１２２は、まっすぐ延びるものに限定されない。凹部１２１，１２２は、湾曲して延びてもよい。また、たとえば螺旋状に延びてもよい。

＜第４実施形態＞
図１４は、本開示の第４実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図であり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ４は、凹部１２１，１２２の配置位置および延びる方向が上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２１は、開口端１２１ａが陽極ワイヤ１１よりｚ方向側に配置されて、陽極ワイヤ１１に対して、ねじれの位置の関係になるように延びる。また、凹部１２２は、開口端１２２ａが陽極ワイヤ１１よりｚ方向の反対側に配置されて、陽極ワイヤ１１に対して、ねじれの位置の関係になるように延びる。ねじれの位置の関係とは、平行でなく、かつ、交差しない関係である。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によれば、多孔質焼結体１のｚ方向の寸法が大きい場合に、多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで、効率よく分散体液を含浸させることができる。

＜第５実施形態＞
図１５は、本開示の第５実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図であり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ５は、凹部１２１，１２２の断面形状が上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、開口端１２１ａ（１２２ａ）の形状、および、凹部１２１（１２２）の開口端１２１ａ（１２２ａ）に平行な（面１ｃに平行な）断面の形状が、円形状ではなく、四角形状である。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

＜第６実施形態＞
図１６は、本開示の第６実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図であり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ６は、凹部１２１，１２２の断面形状が上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、開口端１２１ａ（１２２ａ）の形状、および、凹部１２１（１２２）の開口端１２１ａ（１２２ａ）に平行な（面１ｃに平行な）断面の形状が、円形状ではなく、十字形状である。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、開口端１２１ａ（１２２ａ）の形状は、円形状、四角形状および十字形状に限定されず、その他の形状であってもよい。また、開口端１２１ａと開口端１２２ａとで形状が異なっていてもよい。

＜第７実施形態＞
図１７は、本開示の第７実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図であり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ７は、４つの凹部１２１〜１２４が形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２２，１２４は、陽極ワイヤ１１のｙ方向側に配置され、凹部１２１，１２３は、陽極ワイヤ１１のｙ方向の反対側に配置される。また、凹部１２３，１２４は、陽極ワイヤ１１のｚ方向側に配置され、凹部１２１，１２２は、陽極ワイヤ１１のｚ方向の反対側に配置される。つまり、ｙ方向において、凹部１２２，１２４と、凹部１２１，１２３とが、陽極ワイヤ１１を挟んで互いに反対側に形成されている。また、ｚ方向において、凹部１２３，１２４と、凹部１２１，１２２とが、陽極ワイヤ１１を挟んで互いに反対側に形成されている。本実施形態では、凹部１２１、陽極ワイヤ１１および凹部１２４が、面１ｃの一方の対角線に沿ってこの順で一列に並んでいる。また、凹部１２２、陽極ワイヤ１１および凹部１２３が、面１ｃの他方の対角線に沿ってこの順で一列に並んでいる。なお、凹部１２１〜１２４の配置位置は限定されない。また、凹部１２１〜１２４の深さ（ｘ方向の寸法）は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によれば、多孔質焼結体１のｙ方向およびｚ方向の寸法が大きい場合（面１ｃの面積が大きい場合）に、多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで、効率よく分散体液を含浸させることができる。なお、凹部の数は限定されず、面１ｃの面積に応じて、より多くの凹部が設けられてもよい。

＜第８実施形態＞
図１８は、本開示の第８実施形態に係る固体電解コンデンサを示す側面図であり、ｘ方向視で見たものである。図１８においては、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ８は、多孔質焼結体１の面１ｃが正方形状であり、４つの凹部１２１〜１２４が形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２１〜１２４は、第７実施形態に係る固体電解コンデンサＡ７の凹部１２１〜１２４と同様に配置されている。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によれば、多孔質焼結体１の面１ｃが正方形状である場合に、多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで、効率よく分散体液を含浸させることができる。なお、凹部の数は限定されず、面１ｃの面積に応じて、より多くの凹部が設けられてもよい。

＜第９実施形態＞
図１９は、本開示の第９実施形態に係る固体電解コンデンサを示す側面図であり、ｘ方向視で見たものである。図１９においては、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ９は、４つの凹部１２１〜１２４の配置が、上述した第８実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２２は、ｙ方向において、ｙ方向を向く面１ｂと陽極ワイヤ１１とのほぼ中間の位置に配置され、凹部１２４は、ｙ方向において、ｙ方向の反対側を向く面１ｂと陽極ワイヤ１１とのほぼ中間の位置に配置されている。すなわち、ｙ方向において、２個の凹部１２２，１２４が、陽極ワイヤ１１を挟んで互いに反対側に形成されている。また、凹部１２３は、ｚ方向において、ｚ方向を向く面１ｂと陽極ワイヤ１１とのほぼ中間の位置に配置され、凹部１２１は、ｚ方向において、ｚ方向の反対側を向く面１ｂと陽極ワイヤ１１とのほぼ中間の位置に配置されている。すなわち、ｚ方向において、２個の凹部１２１，１２４が、陽極ワイヤ１１を挟んで互いに反対側に形成されている。また、凹部１２２，１２４は、ｚ方向において、面１ｃの中心に配置されている。すなわち、凹部１２２、陽極ワイヤ１１および凹部１２４は、ｙ方向に沿ってこの順で一列に並んでいる。また、凹部１２１，１２３は、ｙ方向において、面１ｃの中心に配置されている。すなわち、凹部１２１、陽極ワイヤ１１および凹部１２３は、ｚ方向に沿ってこの順で一列に並んでいる。なお、凹部１２１〜１２４の配置位置は限定されない。

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によれば、多孔質焼結体１の面１ｃが正方形状である場合に、多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで、効率よく分散体液を含浸させることができる。なお、凹部の数は限定されず、面１ｃの面積に応じて、より多くの凹部が設けられてもよい。

＜第１０実施形態＞
図２０は、本開示の第１０実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図であり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ１０は、陽極ワイヤ１１が突出する面１ｃとは反対側を向く面１ａに凹部１２１，１２２が形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２１は、面１ａに開口端１２１ａを有し、面１ａから凹むように形成される。凹部１２２は、面１ａに開口端１２２ａを有し、面１ａから凹むように形成される。凹部１２１，１２２は、陽極ワイヤ１１に平行に、ｘ方向の反対側に延びる。なお、凹部１２１，１２２の配置位置は限定されない。

図２１は、第１０実施形態に係る多孔質体を形成するための金型８を示す概略斜視図である。当該金型８は、突出部８３１，８３２が、昇降ブロック８３の下面８３ａではなく、固定ブロック８４の内向きの底面８４ｄに設けられている点で、第１実施形態に係る金型８と異なる。図２１に示す金型８を用いて、空間部８５に充填された微粉末９１を加圧処理することで多孔質体９３が加圧成形され、当該多孔質体９３に焼結処理を施すことで多孔質焼結体１が形成される。当該多孔質焼結体１を用いて、面１ａに凹部１２１，１２２が形成された固体電解コンデンサＡ１０（図２０参照）が製造される。

本実施形態においても、多孔質焼結体１は、凹部１２１，１２２を備える。多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで分散体液が浸透しやすいので、多孔質焼結体１への分散体液の含浸を促進し、浸透不足を抑制できる。また、本実施形態によれば、凹部１２１，１２２は、内向きの底面８４ｄに突出部８３１，８３２が設けられた固定ブロック８４を用いて、多孔質体形成工程において形成される。したがって、固体電解コンデンサＡ１０の製造工程を簡略化でき、歩留まりが向上する。

＜第１１実施形態＞
図２２は、本開示の第１１実施形態に係る固体電解コンデンサを示す斜視図であり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１だけを示している。本実施形態の固体電解コンデンサＡ１１は、面１ｂに凹部１２１，１２２が形成されている点で、上述した実施形態と異なっている。

本実施形態において、凹部１２１は、ｙ方向の反対側を向く面１ｂに開口端１２１ａを有し、当該面１ｂから凹むように形成される。凹部１２１は、ｙ方向側に延びる。凹部１２１は、陽極ワイヤ１１のｚ方向の反対側に配置される。凹部１２２は、ｙ方向を向く面１ｂに開口端１２２ａを有し、当該面１ｂから凹むように形成される。凹部１２２は、ｙ方向の反対側に延びる。凹部１２２は、陽極ワイヤ１１のｚ方向側に配置される。なお、凹部１２１，１２２の配置位置は限定されない。

図２３は、第１１実施形態に係る多孔質体を形成するための金型８を示す概略斜視図である。当該金型８は、突出部８３１，８３２が、昇降ブロック８３の下面８３ａではなく、１対の押圧ブロック８１，８２の互いに対向する内向きの側面８１ａ，８２ａに設けられている点で、第１実施形態に係る金型８と異なる。具体的には、突出部８３１は押圧ブロック８１の内向きの側面８１ａに設けられており、突出部８３２は押圧ブロック８２の内向きの側面８２ａに設けられている。図２３に示す金型８を用いて、空間部８５に充填された微粉末９１を加圧処理することで多孔質体９３が加圧成形され、当該多孔質体９３に焼結処理を施すことで多孔質焼結体１が形成される。当該多孔質焼結体１を用いて、面１ｂに凹部１２１，１２２が形成された固体電解コンデンサＡ１１（図２２参照）が製造される。

本実施形態においても、多孔質焼結体１は、凹部１２１，１２２を備える。多孔質焼結体１の表面から離れた内部まで分散体液が浸透しやすいので、多孔質焼結体１への分散体液の含浸を促進し、浸透不足を抑制できる。また、本実施形態によれば、凹部１２１，１２２は、内向きの側面８１ａに突出部８３１が設けられた押圧ブロック８１と、内向きの側面８２ａに突出部８３２が設けられた押圧ブロック８２とを用いて、多孔質体形成工程において形成される。したがって、固体電解コンデンサＡ１１の製造工程を簡略化でき、歩留まりが向上する。

なお、凹部１２１，１２２が形成される面は限定されない。たとえば、凹部１２１，１２２は、同じ面１ｂに形成されてもよい。また、凹部１２１と凹部１２２とが、互いに直交する２個の面１ｂにそれぞれ形成されてもよい。また、一方の凹部が面１ａに形成され他方の凹部が面１ｂに形成されてもよいし、一方の凹部が面１ｃに形成され他方の凹部が面１ｂに形成されてもよいし、一方の凹部が面１ａに形成され他方の凹部が面１ｃに形成されてもよい。

本開示に係る固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

〔付記１〕
弁作用金属からなる多孔質焼結体と、
前記多孔質焼結体に一部が進入し、かつ、前記多孔質焼結体から突出する陽極ワイヤと、
前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、
を備え、
前記多孔質焼結体は、その表面に開口端を有し且つ当該表面から凹む凹部を備える、
ことを特徴とする固体電解コンデンサ。
〔付記２〕
前記多孔質焼結体の形状は直方体形状であり、
前記多孔質焼結体は、前記陽極ワイヤが突出する第１面を備える、
付記１に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記３〕
前記凹部は、前記第１面から凹む、
付記２に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記４〕
前記第１面の一辺に平行である第１方向において、２個の前記凹部が、前記陽極ワイヤを挟んで互いに反対側に形成されている、
付記３に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記５〕
前記第１面の一辺に平行である第１方向において、４個の前記凹部が、前記陽極ワイヤを挟んで、２個ずつ互いに反対側に形成されており、
前記４個の凹部は、前記第１面上で前記第１方向に直交する第２方向において、前記陽極ワイヤを挟んで、２個ずつ互いに反対側に配置されている、
付記３に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記６〕
前記第１面は正方形状である、
付記２ないし５のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記７〕
前記多孔質焼結体は、前記第１面とは反対側を向く第２面を備え、
前記凹部は、前記第２面から凹む、
付記２に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記８〕
前記多孔質焼結体は、前記第１面に直交する第３面を備え、
前記凹部は、前記第３面から凹む、
付記２に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記９〕
前記凹部は、前記陽極ワイヤに平行に延びる、
付記１ないし７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１０〕
前記凹部は、前記陽極ワイヤに対してねじれの位置の関係になるように延びる、
付記１ないし８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１１〕
前記凹部の深さは、当該凹部が形成された面に直交する方向における前記多孔質焼結体の寸法の５０〜７５％である、
付記１ないし１０のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１２〕
前記凹部の前記開口端の断面積は、前記凹部の形成面の面積の１％以下である、
付記１ないし１１のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１３〕
前記凹部の前記開口端の断面積は、前記陽極ワイヤの断面積の２５％以下である、
付記１ないし１２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１４〕
前記凹部の前記開口端の形状は円形状である、
付記１ないし１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１５〕
前記凹部の前記開口端の直径は、１〜数１０μｍである、
付記１４に記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１６〕
前記凹部の前記開口端の形状は四角形状である、
付記１ないし１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１７〕
前記凹部の前記開口端の形状は十字形状である、
付記１ないし１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１８〕
前記凹部は、前記開口端に平行な断面の面積が、前記開口端から内部に進むに従って小さくなる形状である、
付記１ないし１７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記１９〕
前記多孔質焼結体を覆う封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記凹部内に充填されている、
付記１ないし１８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
〔付記２０〕
弁作用を有する金属の粉末を、下金型の上向きの底面と内向きの側面とによって囲まれた空間部内に充填する充填工程と、
金属製のワイヤとともに上金型を前記空間部の上方から降下させることで、前記ワイヤの一部を当該空間部に進入させるワイヤ配置工程と、
前記空間部内に充填された粉末を加圧成形することにより、多孔質体を形成する加圧工程と、
前記多孔質体に対して焼結処理を施すことで多孔質焼結体を形成する焼結工程と、
を備え、
前記上金型の下面には突出部が設けられており、
前記ワイヤ配置工程で前記突出部を前記空間部に進入させて、前記加圧工程で加圧成形を行うことで、前記多孔質体に凹部を形成する、
ことを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。

Ａ１〜Ａ１１：固体電解コンデンサ
１ ：多孔質焼結体
１ａ，１ｂ，１ｃ：面
１１ ：陽極ワイヤ
１２１，１２２，１２３，１２４：凹部
１２１ａ，１２２ａ，１２３ａ，１２４ａ：開口端
１５ ：細孔
２ ：誘電体層
３ ：固体電解質層
３１ ：内部層
３２ ：外部層
４ ：陰極層
４１ ：下地層
４２ ：上層
５ ：封止樹脂
６ ：陽極導通部材
６ａ ：外部陽極端子
６１ ：中間部
６２ ：露出部
７ ：陰極導通部材
７ａ ：外部陰極端子
７１ ：導電性接合材
８ ：金型
８１，８２：押圧ブロック
８１ａ，８２ａ：側面
８３ ：昇降ブロック
８３ａ ：下面
８３１，８３２：突出部
８４ ：固定ブロック
８４ａ ：溝部
８４ｂ，８４ｃ：側面
８４ｄ ：底面
８５ ：空間部
９１ ：微粉末
９２ ：ワイヤ材料
９２ａ ：先端部分
９３ ：多孔質体

Claims (20)

1. 弁作用金属からなる多孔質焼結体と、
   前記多孔質焼結体に一部が進入し、かつ、前記多孔質焼結体から突出する陽極ワイヤと、
   前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、
   前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、
   を備え、
   前記多孔質焼結体は、その表面に開口端を有し且つ当該表面から凹む凹部を備える、
   ことを特徴とする固体電解コンデンサ。
2. 前記多孔質焼結体の形状は直方体形状であり、
   前記多孔質焼結体は、前記陽極ワイヤが突出する第１面を備える、
   請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
3. 前記凹部は、前記第１面から凹む、
   請求項２に記載の固体電解コンデンサ。
4. 前記第１面の一辺に平行である第１方向において、２個の前記凹部が、前記陽極ワイヤを挟んで互いに反対側に形成されている、
   請求項３に記載の固体電解コンデンサ。
5. 前記第１面の一辺に平行である第１方向において、４個の前記凹部が、前記陽極ワイヤを挟んで、２個ずつ互いに反対側に形成されており、
   前記４個の凹部は、前記第１面上で前記第１方向に直交する第２方向において、前記陽極ワイヤを挟んで、２個ずつ互いに反対側に配置されている、
   請求項３に記載の固体電解コンデンサ。
6. 前記第１面は正方形状である、
   請求項２ないし５のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
7. 前記多孔質焼結体は、前記第１面とは反対側を向く第２面を備え、
   前記凹部は、前記第２面から凹む、
   請求項２に記載の固体電解コンデンサ。
8. 前記多孔質焼結体は、前記第１面に直交する第３面を備え、
   前記凹部は、前記第３面から凹む、
   請求項２に記載の固体電解コンデンサ。
9. 前記凹部は、前記陽極ワイヤに平行に延びる、
   請求項１ないし７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
10. 前記凹部は、前記陽極ワイヤに対してねじれの位置の関係になるように延びる、
    請求項１ないし８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
11. 前記凹部の深さは、当該凹部が形成された面に直交する方向における前記多孔質焼結体の寸法の５０〜７５％である、
    請求項１ないし１０のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
12. 前記凹部の前記開口端の断面積は、前記凹部の形成面の面積の１％以下である、
    請求項１ないし１１のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
13. 前記凹部の前記開口端の断面積は、前記陽極ワイヤの断面積の２５％以下である、
    請求項１ないし１２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
14. 前記凹部の前記開口端の形状は円形状である、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
15. 前記凹部の前記開口端の直径は、１〜数１０μｍである、
    請求項１４に記載の固体電解コンデンサ。
16. 前記凹部の前記開口端の形状は四角形状である、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
17. 前記凹部の前記開口端の形状は十字形状である、
    請求項１ないし１３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
18. 前記凹部は、前記開口端に平行な断面の面積が、前記開口端から内部に進むに従って小さくなる形状である、
    請求項１ないし１７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
19. 前記多孔質焼結体を覆う封止樹脂をさらに備え、
    前記封止樹脂は、前記凹部内に充填されている、
    請求項１ないし１８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
20. 弁作用を有する金属の粉末を、下金型の上向きの底面と内向きの側面とによって囲まれた空間部内に充填する充填工程と、
    金属製のワイヤとともに上金型を前記空間部の上方から降下させることで、前記ワイヤの一部を当該空間部に進入させるワイヤ配置工程と、
    前記空間部内に充填された粉末を加圧成形することにより、多孔質体を形成する加圧工程と、
    前記多孔質体に対して焼結処理を施すことで多孔質焼結体を形成する焼結工程と、
    を備え、
    前記上金型の下面には突出部が設けられており、
    前記ワイヤ配置工程で前記突出部を前記空間部に進入させて、前記加圧工程で加圧成形を行うことで、前記多孔質体に凹部を形成する、
    ことを特徴とする、固体電解コンデンサの製造方法。

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