JP2019200831A - データストレージシステム、および、不揮発性メモリの操作方法 - Google Patents

データストレージシステム、および、不揮発性メモリの操作方法 Download PDF

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Abstract

【課題】データストレージシステム、および、不揮発性メモリの操作方法を提供する。【解決手段】臨界値より高い環境温度差がある環境に用いられる不揮発性メモリの予熱操作方法であって、不揮発性メモリのコントローラは、不揮発性メモリを操作して、予熱目標に到達させる。予熱目標に到達する前、コントローラは、不揮発性メモリに有効データを書き込まないようにする。予熱目標に到達する前、コントローラは、不揮発性メモリにダミーデータを書き込んだり、不揮発性メモリからダミーデータを読み取ったりする。【選択図】図１

Description

本発明は、データストレージシステム、および、不揮発性メモリの操作方法に関するものである。
不揮発性メモリには、多種の形式があり、たとえば、フラッシュメモリ（flash memory）、磁気抵抗ＲＡＭ（Magnetoresistive RAM）、強誘電体ＲＡＭ（Ferroelectric RAM）、抵抗性ＲＡＭ（Resistive RAM）、スピン注入メモリ（Spin Transfer Torque-RAM， STT-RAM）等で、長時間のデータ保存に用いる。
不揮発性メモリのデータ信頼性は、環境温度の影響を受ける。車用電子機器を例とすると、その環境温度変化は極めて大きい。空調をつけていない時、温度はマイナス４０度まで低くなることも、８５度まで達する可能性もある。このような巨大な温度差は、データ保存の信頼性に大きく影響する。たとえば、低温時に書き込まれたデータは、正確に読み出すことができない （高温読み取りは特にエラーが起きやすい）。
車用電子機器のほか、不揮発性メモリは、更に、その他の応用も、環境の巨大な温度差に対抗して、データ信頼度を確保する必要がある。
本発明は、不揮発性メモリの予熱技術を提供し、臨界値より高い環境温度差に適応させることを目的とする。
本発明の一実施形態によるデータストレージシステムは、不揮発性メモリ、および、コントローラを有する。コントローラは不揮発性メモリを操作して、不揮発性メモリを予熱目標に到達させる。不揮発性メモリが予熱目標に到達する前、コントローラは、不揮発性メモリに、有効データを書き込まないようにする。
一実施形態において、不揮発性メモリが予熱目標に到達する前、コントローラは、不揮発性メモリにダミーデータを書き込む。一実施形態において、不揮発性メモリが予熱目標に到達する前、コントローラは不揮発性メモリを読み取るが、不揮発性メモリから読み取ったデータをダミーデータとみなす。
一実施形態において、コントローラ自身がオーバークロックで、不揮発性メモリが予熱目標に到達するのを加速させる。一実施形態において、コントローラは、不揮発性メモリデータレートを向上させて、不揮発性メモリが予熱目標に到達するのを加速させる。一実施形態において、データストレージシステムは、さらに、オンダイ終端を有する。コントローラはオンダイ終端を導通させて、不揮発性メモリが予熱目標に到達するのを加速させる。
一実施形態において、データストレージシステムは、更に、アクティブ放熱装置を有する。コントローラはアクティブ放熱装置を閉じて、不揮発性メモリが予熱目標に到達するのを加速させる。
一実施形態において、データストレージシステムは、さらに、温度計を有する。温度計に基づいて、コントローラは、現在の温度値を取得し、且つ、更に、履歴プログラミング温度値を記録する。履歴プログラミング温度値は、不揮発性メモリ上の目的ブロックの平均プログラミング温度、または、目的ブロックの最後にプログラミングされた温度である。コントローラは、データストレージシステムがオンになった後、更に、現在の温度値と履歴プログラミング温度値の差が臨界値を超えているか否か判断する。コントローラは、不揮発性メモリを操作することにより、不揮発性メモリを予熱目標に到達させるもので、差が臨界値を超越する状況に適応させる。
別の実施形態において、コントローラは、温度計に基づいて、現在の温度値を取得する。コントローラはデータストレージシステムがオンになった後、更に、現在の温度値が操作温度範囲にあるか否か判断する。コントローラは不揮発性メモリを操作することにより、不揮発性メモリを予熱目標に到達させるものであり、現在の温度値が操作温度範囲にない状況に適応させる。
一実施形態において、コントローラ、および、不揮発性メモリは、マルチチップパッケージを採用し、コントローラが不揮発性メモリを操作して達成する予熱技術の実現に有益である。
本発明は、さらに、不揮発性メモリ操作方法を開示し、不揮発性メモリを操作して、不揮発性メモリを予熱目標に到達させ、且つ、不揮発性メモリが予熱目標に到達する前、不揮発性メモリに有効データを書き込まないようにする工程、を有する。
データ保存の信頼性が大幅に向上する。
本発明は次の説明を添付図面と引き合わせながら読むとよく理解できる。
本発明の一実施形態によるホスト１０２、および、データストレージデバイス１０４を有する電子制御装置１００を示す図である。 本発明の一実施形態によるデータストレージ媒体の予熱方法のフローチャートであり、コントローラ１０８は、本発明のデータストレージ媒体の予熱方法により、フラッシュメモリ１０６に、予熱（Pre-Heating）操作を実行する。 本発明のもう一つの実施形態によるデータストレージ媒体の予熱方法のフローチャートである。 マルチチップパッケージのデータストレージデバイス１０４の素子温度変化を示す図である。 異なる温度（摂氏２５度、摂氏マイナス４０度、摂氏マイナス３０度、および、摂氏マイナス２０度を有する）に対応する、トリプルレベルセル（ＴＬＣ）の各種保存内容の識別電圧（Ｖｔｈ）の分布確率を示す図である。
本発明の他の目的及び利点は、以下の本発明の好ましい実施形態の詳細な説明及び添付図面及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
不揮発性メモリは、フラッシュメモリ（Flash memory）、磁気抵抗ＲＡＭ（Magnetoresistive RAM）、強誘電体ＲＡＭ（Ferroelectric RAM）、抵抗変化型メモリ（Resistive RAM，RRAM）、スピン注入メモリ（Spin Transfer Torque-RAM， STT-RAM）等の、長時間のデータ保存を提供するストレージ媒体であり、データストレージデバイスの実現に用いたり、データセンターに応用したりする。以下では、フラッシュメモリ（Flash memory）を例として説明する。
現在、データストレージデバイスは、通常、フラッシュメモリをストレージ媒体として、メモリカード（Memory Card）、ＵＳＢフラッシュドライブ（USB Flash Device）、半導体ドライブ（SSD）等の製品を実現している。ある応用は、マルチチップパッケージ（Multi-chip Packaging）を採用して、フラッシュメモリとそのコントローラをパッケージしている。
フラッシュメモリをストレージ媒体とするデータストレージデバイスは、多くの電子装置に応用されている。電子装置は、スマートフォン、ウェアラブル装置、タブレット、バーチャルリアリティ設備、電子制御装置等である。電子装置の演算ブロックはホスト（Host）とみなされ、操作電子装置が使用するデータストレージデバイスは、データストレージデバイス中のコントローラにより、データストレージデバイス中のフラッシュメモリにアクセスする。
フラッシュメモリが実現するデータストレージデバイスは、データセンター（Data Center）の構築に用いることもできる。たとえば、半導体ドライブ（SSD）アレイはデータセンターを形成する。サーバはホスト（Host）とみなされ、リンクする半導体ドライブを操作して、フラッシュメモリにアクセスする。
以下で、電子制御装置が直面する環境温度差問題を説明するが、これに限定されない。現在の極端な気候下で、応用される各種データストレージデバイスは、どれも、かなりの環境温度差に直面し、本発明の設計が必要である。
図１に示す本発明の一実施形態による電子制御装置１００は、ホスト１０２、および、データストレージデバイス１０４を有する。データストレージデバイス１０４は、フラッシュメモリ１０６を不揮発性ストレージ媒体とするとともに、コントローラ１０８を提供して、ホスト１０２の命令に基づいて、フラッシュメモリ１０６を操作する。図示されるデータストレージデバイス１０４は、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）１１０を有し、コントローラ１０８に運用される。その他の実施形態において、ダイナミックＲＡＭ１１０は、その他の揮発性ストレージ媒体、たとえば、スタティックＲＡＭ（SRAM）により代替してもよい。一実施形態において、データストレージデバイス１０４は、マルチチップパッケージ（MCP，Multi-Chip Package）で、フラッシュメモリ１０６、コントローラ１０８、および、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）１１０をパッケージする。ダイナミックＲＡＭ１１０は、データストレージデバイス１０４のマルチチップパッケージ内部での製作に制限されず、外接式でもよい。
本発明のコントローラ１０８は、フラッシュメモリ１０６に予熱（Pre-Heating）操作を実行して、フラッシュメモリ１０６の不揮発性保存データの信頼性を確保するとともに、低すぎる温度で、データをフラッシュメモリ１０６に書き込まないようにする。
図示される実施形態によると、フラッシュメモリ１０６上の温度計１１２、および、コントローラ１０８上の温度計１１４は応用されて、本発明の予熱操作を実現する。温度計１１２／１１４により検出される温度値を取得することにより、コントローラ１０８は、本発明データストレージ媒体の予熱方法を起動するか、または、本発明データストレージ媒体予熱方法を終了するか否かを決定する。
本発明は、多種のダミー操作を使用して、予熱の目的を達成し、ダミーデータ（（Dummy Data）、有効データと異なる）をフラッシュメモリ１０６に書き込む、あるいは、フラッシュメモリ１０６を無意味に読み取る（たとえば、読み取ったデータをダミーデータとみなす、あるいは、直接、遺棄する）工程を有する。予熱を加速するため、コントローラ１０８は、比較的高い操作周波数で作動する。このほか、コントローラ１０８自身のほか、コントローラ１０８は、フラッシュメモリ１０６を、比較的高い操作周波数モードに切り換え（たとえば、ＤＤＲモードからＤＤＲ２モードへの切り換え、あるいは、ＳＤＲモードからＤＤＲモードへの切り換え）てもよい。データストレージデバイス１０４が、図に示されるように、アクティブ放熱装置１１８、たとえば、ファンを設置する場合、アクティブ放熱装置１１８の作動を有効化せずに、予熱の効果を達成させることができる。図１で示されるフラッシュメモリ１０６は、オンダイ終端（On-Die Termination）１１６を有し、通常、フラッシュメモリ１０６が、ＤＤＲモードからＤＤＲ２モードへの切り換え時に対応して導通し、グリッチ（Glitch）に対処する。オンダイ終端１１６の導通は、熱エネルギーの消耗を生じる。コントローラ１０８は、オンダイ終端１１６を導通させることにより、快速な予熱を達成することもできる。
図２Ａは、本発明の一実施形態によるデータストレージ媒体の予熱方法のフローチャートであり、コントローラ１０８は、本発明のデータストレージ媒体の予熱方法により、フラッシュメモリ１０６に予熱（Pre-Heating）操作を実行する。
電子制御装置１００がオンになった後、データストレージデバイス１０４は初期化を開始し（工程２０２）、初期化の過程は、コントローラ１０８、フラッシュメモリ１０６、および、温度計１１２／１１４の有効化、更に、ＤＲＡＭ１１０の有効化を含む。
工程２０４において、コントローラ１０８は、履歴プログラミング温度値（historical programming temperature）、および、現在の温度値を取得する。履歴プログラミング温度値は、フラッシュメモリ１０６中の目的ブロックの平均プログラミング温度、あるいは、最後に実行されたデータプログラミング時に記録される温度値であり、平均、あるいは、最後に実行されたデータプログラミング時の温度値は、好ましくは、ブロック終結（End of Block，EOB）である目的ブロック末端に記録される、あるいは、目的ブロックのスペアエリア（Spare Area）中に記録される。このほか、現在の温度値、および、履歴プログラミング温度値は、好ましくは、温度計１１２／１１４が感知した温度値で、目的ブロックはコントローラ１０８が現在アクセスしたいブロックで、目的ブロックは、好ましくは、ストレージシステム情報のブロック、あるいは、ＳＬＣモードでデータプログラミングを実行するブロック、あるいは、ブロック終結（EOB）をすでに書き込んだブロックである。
工程２０６において、コントローラ１０８は、履歴プログラミング温度値と現在の温度値の差が臨界値より大きいか否かを判断する。履歴プログラミング温度値が摂氏８０度、現在の温度値が摂氏マイナス４０度、臨界値が１００であると仮定すると、コントローラ１０８は、履歴プログラミング温度値と現在の温度値の差が１２０で、その差が臨界値より大きいと判断し、よって、工程２０８を実行する。コントローラ１０８が、履歴プログラミング温度値と現在の温度値の差が臨界値より大きくないと判断する場合、本発明のデータストレージ媒体の予熱方法を終了する。
工程２０８において、コントローラ１０８は、データストレージ媒体のジョブパラメータを調整する。コントローラ１０８は、フラッシュメモリ１０６のジョブパラメータを調整し、たとえば、操作周波数モードは、ＤＤＲ２００からＤＤＲ４００に増加する。このほか、コントローラ１０８は、自身のジョブパラメータを調整することもでき、たとえば、操作周波数は、３７５Ｍヘルツから５２５Ｍヘルツ操作に調整される、または、ＤＲＡＭ１１０のジョブパラメータを調整し、たとえば、操作周波数モードは、ＤＤＲ２００からＤＤＲ４００に増加する。フラッシュメモリ１０６、および、周辺素子は、比較的高いジョブパラメータ下で操作し、理論上、多くのエネルギーを消耗するとともに、高温を生成する。このほか、コントローラ１０８は、更に、アクティブ放熱装置１１８の作動を有効化／無効化して、本発明の予熱の目的を達成する。
工程２１０において、コントローラ１０８は、調整後のジョブパラメータで、データストレージ媒体に、ダミー操作を実行する。コントローラ１０８は、フラッシュメモリ１０６に対し、ダミーデータ（Dummy Data）書き込み、あるいは、大量のデータ読み取り（無意味な読み取り）、あるいは、目的ブロックが保存するデータの読み取りの繰り返しを実行する。ダミー操作実行後、フラッシュメモリ１０６自身の温度が上昇し、同時に、コントローラ１０８、または、ＤＲＡＭ１１０を含む周辺素子の温度も増加し、温度計１１２／１１４が測定した温度も増加する。温度計１１２／１１４により検出される温度値が、摂氏マイナス４０度から摂氏マイナス２０度に上昇した後、工程２０６は満たされず、コントローラ１０８は、本発明のデータストレージ媒体予熱方法を終了するとともに、フラッシュメモリ１０６、コントローラ１０８、あるいは、ＤＲＡＭ１１０のジョブパラメータを回復させ、その後、コントローラ１０８は、正常な（予設の）操作方式で、フラッシュメモリ１０６に操作を実行する。
このほか、コントローラ１０８が、正常な操作方式で、フラッシュメモリ１０６に操作を実行する時、コントローラ１０８が使用するジョブパラメータは、フラッシュメモリ１０６を比較的低いアクセス能力（たとえば、ＳＤＲ）下で作動させて、コントローラ１０８の作動に必要なファームウェア（Firmware）を取得する。ファームウェア取得後、コントローラ１０８は、異なるジョブパラメータを使用して、フラッシュメモリ１０６を、比較的高いアクセス能力（たとえば、ＤＤＲ）下で作動させ、この時、コントローラ１０８が使用するジョブパラメータは、工程２０８で使用されるジョブパラメータと同じ（たとえば、ＤＤＲ２）、あるいは、工程２０８で使用されるジョブパラメータより低い（たとえば、ＤＤＲ、ＤＤＲ２より遅い）。
図２Ｂは、本発明のもう一つの実施形態によるデータストレージ媒体の予熱方法のフローチャートであり、この実施方式は、前述の実施方式と一部の工程（工程２０２、工程２０８、および、工程２１０）が同じであるので、同じ工程番号を使用し、以下では、異なる工程２１２、および、工程２１４を説明する。
工程２１２において、コントローラ１０８は現在の温度値を取得し、現在の温度値は、好ましくは、温度計１１２／１１４が感知した温度値である。
工程２１４において、コントローラ１０８は、現在の温度値が操作温度範囲にあるか否か判断する。現在の温度値が摂氏マイナス４０度、操作温度範囲が摂氏マイナス２０度〜摂氏８０度（中間値は摂氏２５度）であると仮定すると、現在の温度値は操作温度範囲にないので、工程２０８、および、工程２１０を実行して、温度計１１２／１１４が感知した温度値（現在の温度値）を増加させる。
本発明の予熱技術は、マルチチップパッケージ（ＭＣＰ、Multi-Chip Package）の応用において、特に、効果が顕著である。図３は、マルチチップパッケージのデータストレージデバイス１０４の素子温度変化を示す図である。オンであるとき、フラッシュメモリ１０６、コントローラ１０８、および、ダイナミックＲＡＭ１１０の温度は極めて低く、摂氏マイナス４０度である。たとえば、雪地環境において、車輛が発動していないとき、車内温度はこのような低温である。本発明のデータストレージ媒体の予熱方法の作用下で、フラッシュメモリ１０６、コントローラ１０８、および、ダイナミックＲＡＭ１１０は、どれも、熱エネルギーの生成があり、予熱効果を達成する。マルチチップパッケージは、この予熱操作の時間を短縮することができる。熱エネルギーは、マルチチップパッケージ中で、予熱作用を快速に達成する。予熱完成後、データストレージデバイス１０４の素子温度はどれも上昇し、図示されるように、フラッシュメモリ１０６は、摂氏マイナス４０度から摂氏マイナス２０度に上昇し、コントローラ１０８は、摂氏マイナス４０度から摂氏マイナス１０度に上昇し、且つ、ダイナミックＲＡＭ１１０は、摂氏マイナス４０度から摂氏マイナス２０度に上昇する。雪地環境にある電子制御装置を例とすると、車輛の空調が完全には作用していなくても、電子制御装置１００のデータストレージデバイス１０４は、本発明のデータストレージ媒体の予熱方法にしたがって、正常に作動する。本発明の予熱設計は、データストレージデバイス１０４の作動を空調の外に制限しない。
このほか、異なる温度（摂氏２５度、摂氏マイナス４０度、摂氏マイナス３０度、および、摂氏マイナス２０度を含む）に対応し、図４は、トリプルレベルセル（ＴＬＣ）の各種保存内容の識別電圧（Ｖｔｈ）の分布確率を示す図である。図３に対応させて説明する。オンのとき、フラッシュメモリ１０６は、摂氏マイナス４０度にある。摂氏２５度の分布確率図と比較すると、摂氏マイナス４０度のトリプルレベルセル（ＴＬＣ）識別電圧（Ｖｔｈ）は左にシフトし、識別不可領域に落ちやすい。予熱操作に伴い、フラッシュメモリ１０６は摂氏マイナス３０度に上昇する。摂氏マイナス４０度の分布確率図と比較して、摂氏マイナス３０度のトリプルレベルセル（ＴＬＣ）識別電圧（Ｖｔｈ）は少しの修正を受け、右にシフトして、識別不可領域に落ちにくい。予熱目標が摂氏マイナス２０度に到達した後、トリプルレベルセル（ＴＬＣ）識別電圧（Ｖｔｈ）は、またさらに右にシフトして、識別不可領域を回避する。本発明の予熱技術は、フラッシュメモリ１０６のデータ保存の信頼性を大幅に向上させる。
コントローラ１０８で、フラッシュメモリ１０６に対し、ダミー操作を実行して、予熱目的を達成する技術は、どれも、本発明の保護範囲に属する。本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の思想を脱しない範囲内で各種の変形を加えることができる。
１００ 電子制御装置
１０２ ホスト
１０４ データストレージデバイス
１０６ フラッシュメモリ
１０８ コントローラ
１１０ ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）
１１２、１１４ 温度計
１１６ オンダイ終端
１１８ アクティブ放熱装置。

Claims (20)

  1. データストレージシステムであって、
    不揮発性メモリ、および、
    前記不揮発性メモリを操作して、前記不揮発性メモリを予熱目標に到達させるコントローラ、を有し、
    前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達する前、前記コントローラは、前記不揮発性メモリが有効データを書き込まないようにすることを特徴とするデータストレージシステム。
  2. 前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達する前、前記コントローラは、前記不揮発性メモリにダミーデータを書き込むことを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  3. 前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達する前、前記コントローラは、前記不揮発性メモリを読み取るが、前記不揮発性メモリから読み取ったデータをダミーデータとみなすことを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  4. 前記コントローラ自身がオーバークロックで、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させることを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  5. 前記コントローラは、前記不揮発性メモリのデータレートを向上させ、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させることを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  6. 更に、
    オンダイ終端を有し、
    前記コントローラは前記オンダイ終端を導通させ、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させることを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  7. 更に、
    アクティブ放熱装置を有し、
    前記コントローラは前記アクティブ放熱装置を閉じて、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させることを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  8. 更に、
    温度計を有し、
    前記温度計に基づいて、前記コントローラは、現在の温度値を取得し、且つ、さらに、履歴プログラミング温度値を記録し、前記履歴プログラミング温度値は前記不揮発性メモリ上の目的ブロックの平均プログラミング温度、あるいは、前記目的ブロックの最後にプログラミングされた温度であり、
    前記コントローラは、前記データストレージシステムがオンになった後、更に、前記現在の温度値と前記履歴プログラミング温度値の差が臨界値を超越したか否かを判断し、且つ、
    前記コントローラは、前記不揮発性メモリを操作することにより、前記不揮発性メモリを前記予熱目標に到達させ、前記差が前記臨界値を超越する状況に適応させることを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  9. 更に、
    温度計を有し、
    前記温度計に基づいて、前記コントローラは、現在の温度値を取得し、
    前記コントローラは、前記データストレージシステムがオンになった後、さらに、前記現在の温度値が操作温度範囲にあるか否かを判断し、且つ、
    前記コントローラは、前記不揮発性メモリを操作することにより、前記不揮発性メモリを前記予熱目標に到達させ、前記現在の温度値が前記操作温度範囲にない状況に適応させることを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  10. 前記コントローラ、および、前記不揮発性メモリは、マルチチップパッケージを採用することを特徴とする請求項１に記載のデータストレージシステム。
  11. 不揮発性メモリの操作方法であって、
    不揮発性メモリを操作して、前記不揮発性メモリを予熱目標に到達させる工程と、
    前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達する前、前記不揮発性メモリが有効データを書き込まないようにする工程と、
    を有することを特徴とする不揮発性メモリの操作方法。
  12. 更に、
    前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達する前、前記不揮発性メモリにダミーデータを書き込む工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  13. 更に、
    前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達する前、前記不揮発性メモリを読み取るが、前記不揮発性メモリから読み取ったデータをダミーデータとみなす工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  14. 更に、
    前記不揮発性メモリを操作するコントローラ自身をオーバークロックにして、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  15. 更に、
    前記不揮発性メモリのデータレートを向上させ、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  16. 更に、
    前記不揮発性メモリをオンダイ終端に結合し、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  17. 更に、
    アクティブ放熱装置を閉じて、前記不揮発性メモリが前記予熱目標に到達するのを加速させる工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  18. 更に、
    温度計に基づいて、現在の温度値を取得し、且つ、さらに、履歴プログラミング温度値を記録し、前記履歴プログラミング温度値は、前記不揮発性メモリ上の目的ブロックの平均プログラミング温度、あるいは、前記目的ブロックの最後にプログラミングされた温度である工程と、
    前記不揮発性メモリが属するデータストレージシステムがオンになった後、更に、前記現在の温度値と前記履歴プログラミング温度値の差が臨界値を超越しているか否か判断する工程と、
    前記不揮発性メモリを操作することにより、前記不揮発性メモリを前記予熱目標に到達させて、前記差が前記臨界値を超越する状況に適応させる工程と、
    を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  19. 更に、
    温度計に基づいて、現在の温度値を取得する工程と、
    前記不揮発性メモリが属するデータストレージシステムがオンになった後、さらに、前記現在の温度値が操作温度範囲にあるか否かを判断する工程と、
    前記不揮発性メモリを操作することにより、前記不揮発性メモリを前記予熱目標に到達させて、前記現在の温度値が前記操作温度範囲にない状況に適応させる工程と、
    を有することを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
  20. マルチチップパッケージを採用して、前記不揮発性メモリと前記不揮発性メモリを操作するコントローラをパッケージすることを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリの操作方法。
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