KR101386868B1 - 동작 조건들에 따른 임계치들의 동적 갱신 - Google Patents

Abstract

일부 실시예들에서, 메모리 제어 장치는 메모리 장치로부터 원격 배치된 센서; 센서의 온도 판독치와 메모리 장치의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 오프셋 값을 저장하기 위한 레지스터; 및 메모리 장치의 동작을 제어하기 위한 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 레지스터로부터 오프셋 값을 판독하고, 오프셋 값에 따라 메모리 장치의 동작을 제어하도록 구성된다. 제어기는 메모리 장치의 동작 동안에 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예들이 개시되고 청구된다.

Description

동작 조건들에 따른 임계치들의 동적 갱신{DYNAMIC UPDATING OF THRESHOLDS IN ACCORDANCE WITH OPERATING CONDITIONS}

본 발명은 열 관리에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명의 일부 실시예들은 동작 조건들에 따른 열 임계치들의 동적 갱신에 관한 것이다.

다수의 전자 장치들은 메모리 서브시스템들을 포함할 수 있다. 더 높은 밀도 또는 더 높은 성능에서, 메모리 서브시스템의 열 관리가 이로울 수 있다.

본 발명의 다양한 특징들은 첨부 도면들에 도시된 바와 같은 바람직한 실시예들에 대한 아래의 설명으로부터 명확할 것이며, 이들 도면 전반에서 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일한 요소들을 지칭한다. 도면들은 반드시 축척으로 도시하지는 않으며, 그 대신에 본 발명의 원리들을 도시할 때에는 강조가 주어진다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 메모리 제어 장치의 블록도.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 다른 메모리 제어 장치의 블록도.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 흐름도.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 다른 흐름도.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 프로세서 기반 전자 장치의 블록도.
도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 메모리 모듈의 블록도.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예들을 비교하는 메모리 대역폭 대 팬 속도의 차트.
도 8은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상태도.

아래의 설명에서는, 한정이 아니라 설명의 목적으로, 본 발명의 다양한 양태들의 충분한 이해를 제공하기 위해, 구체적인 구조들, 아키텍처들, 인터페이스들, 기술들과 같은 특정 상세들이 설명된다. 그러나, 본 발명의 이익을 갖는 이 분야의 기술자들에게는, 본 발명의 다양한 양태들이 그러한 특정 상세들로부터 벗어나는 다른 예들에서도 실시될 수 있다는 것이 명확할 것이다. 소정의 예들에서는, 불필요한 상세로 본 발명의 설명을 불명확하게 하지 않기 위해, 잘 알려진 장치들, 회로들 및 방법들의 설명은 생략된다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 메모리 제어 장치(10)는 메모리 장치(12)로부터 원격 배치된 센서(11), 오프셋 값을 저장하기 위한 레지스터(13), 및 메모리 장치(12)의 동작을 제어하기 위한 제어기(14)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 오프셋 값은 센서(11)의 온도 판독치와 메모리 장치(12)의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응할 수 있다. 예컨대, 제어기(14)는 레지스터(13)로부터 오프셋 값을 판독하고, 오프셋 값에 따라 메모리 장치(12)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어기(14)는 메모리 장치(12)의 동작 동안에 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성될 수 있다.

본 발명의 일부 실시예들에서, 메모리 장치(12)의 추정 현재 온도는 동작 동안에 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 의존할 수 있으며, 제어기(14)는 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 오프셋 값을 갱신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시예들에서, 제어기(14)는 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 메모리 장치(12)와 관련된 임계치를 동적으로 갱신하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함할 수 있으며, 제어기(14)는 다중 속도 팬의 속도에 따라 오프셋 값을 갱신하도록 구성될 수 있다. 대안으로서, 가변 냉각 장치는 가변 펌프 속도를 갖는 액체 냉각 시스템을 포함할 수 있다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 메모리 제어 장치(20)는 제1 메모리 장치(22)로부터 원격 배치된 제1 센서(21) 및 제1 오프셋 값을 저장하기 위한 제1 레지스터(23)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 오프셋 값은 제1 센서(21)의 온도 판독치와 제1 메모리 장치(22)의 추정 현재 온도 사이의 차이에 대응할 수 있다. 메모리 제어 장치(20)는 제2 메모리 장치(26)로부터 원격 배치된 제2 센서(25) 및 제2 오프셋 값을 저장하기 위한 제2 레지스터(27)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 오프셋 값은 제2 센서(25)의 온도 판독치와 제2 메모리 장치(26)의 추정 현재 온도 사이의 차이에 대응할 수 있다. 메모리 제어 장치(20)는 제1 메모리 장치(22) 및 제2 메모리 장치(26)의 동작을 제어하기 위한 제어기(24)를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 제어기(24)는 제1 레지스터(23)로부터 제1 오프셋 값을 판독하고, 제1 오프셋 값에 따라 제1 메모리 장치(22)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어기(24)는 제1 메모리 장치(22)의 동작 동안에 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어기(24)는 제2 레지스터(27)로부터 제2 오프셋 값을 판독하고, 제2 오프셋 값에 따라 제2 메모리 장치(26)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어기(24)는 제2 메모리 장치(26)의 동작 동안에 제2 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성될 수 있다.

예를 들어, 메모리 제어 장치(20)의 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 메모리 장치들의 각각의 추정 현재 온도들은 동작 동안에 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 의존할 수 있으며, 제어기는 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 예를 들어, 제어기는 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 메모리 장치와 관련된 제1 임계치 및 제2 메모리 장치와 관련된 제2 임계치를 동적으로 갱신하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함할 수 있으며, 제어기(24)는 다중 속도 팬의 속도에 따라 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 오프셋 값은 제2 오프셋 값과 다를 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들은 (예를 들어, 블록 30에서) 제1 메모리 장치로부터 원격적으로 제1 센서를 배치하는 단계; (예를 들어, 블록 31에서) 제1 센서의 온도 판독치와 제1 메모리 장치의 추정 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제1 오프셋 값을 저장하는 단계; (예를 들어, 블록 32에서) 제1 오프셋 값을 판독하는 단계; (예를 들어, 블록 33에서) 제1 오프셋 값에 따라 제1 메모리 장치의 동작을 제어하는 단계; 및 (예를 들어, 블록 34에서) 제1 메모리 장치의 동작 동안에 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계를 포함할 수 있다.

예를 들어, 제1 메모리 장치의 동작 동안에 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계는 (예를 들어, 블록 35에서) 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 오프셋 값을 갱신하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시예들은 (예를 들어, 블록 36에서) 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 메모리 장치와 관련된 제1 임계치를 동적으로 갱신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함할 수 있으며, 제1 메모리 장치의 동작 동안에 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계는 (예를 들어, 블록 37에서) 다중 속도 팬의 속도에 따라 제1 오프셋 값을 갱신하는 단계를 포함할 수 있다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들은 (예를 들어, 블록 40에서) 제2 메모리 장치로부터 원격적으로 제2 센서를 배치하는 단계; (예를 들어, 블록 41에서) 제2 센서의 온도 판독치와 제2 메모리 장치의 추정 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제2 오프셋 값을 저장하는 단계; (예를 들어, 블록 42에서) 제2 오프셋 값을 판독하는 단계; (예를 들어, 블록 43에서) 제2 오프셋 값에 따라 제2 메모리 장치의 동작을 제어하는 단계; 및 (예를 들어, 블록 44에서) 제2 메모리 장치의 동작 동안에 제2 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계를 더 포함할 수 있다.

예를 들어, 제1 및 제2 오프셋 값들을 동적으로 갱신하는 단계는 (예를 들어, 블록 45에서) 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들은 (예를 들어, 블록 46에서) 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 메모리 장치와 관련된 제1 임계치 및 제2 메모리 장치와 관련된 제2 임계치를 동적으로 갱신하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 오프셋 값들을 동적으로 갱신하는 단계는 (예를 들어, 블록 47에서) 다중 속도 팬의 속도에 따라 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, (예를 들어, 블록 48에서) 제1 오프셋 값은 제2 오프셋 값과 다를 수 있다. 대안으로서, 가변 냉각 장치는 가변 펌프 속도를 갖는 액체 냉각 시스템을 포함할 수 있다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 프로세서 기반 전자 시스템(50)은 프로세서(51) 및 프로세서(51)에 결합된 메모리 서브시스템(52)을 포함할 수 있으며, 메모리 서브시스템(52)은 제1 메모리 장치(53) 및 제2 메모리 장치(54)를 포함할 수 있다. 시스템(50)은 제1 메모리 장치(53)로부터 원격 배치된 제1 센서(55) 및 제2 메모리 장치(54)로부터 원격 배치된 제2 센서(56)를 더 포함할 수 있다. 가변 냉각 장치(57)가 메모리 서브시스템(52)에 냉각을 제공하도록 구성될 수 있다. 메모리 제어기(58)가 메모리 서브시스템(52) 및 가변 냉각 장치(57)에 결합될 수 있다.

예를 들어, 메모리 제어기(58)는 제1 센서(55)의 온도 판독치와 제1 메모리 장치(53)의 추정 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제1 오프셋 값을 저장하기 위한 제1 레지스터(61), 제2 센서(56)의 온도 판독치와 제2 메모리 장치(54)의 추정 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제2 오프셋 값을 저장하기 위한 제2 레지스터(62), 및 메모리 서브시스템(52)의 동작을 제어하기 위한 제어기(64)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기(64)는 제1 레지스터(61)로부터 제1 오프셋 값을 판독하고, 제1 오프셋 값에 따라 제1 메모리 장치(53)의 동작을 제어하며, 제2 레지스터(62)로부터 제2 오프셋 값을 판독하고, 제2 오프셋 값에 따라 제2 메모리 장치(54)의 동작을 제어하며, 제1 메모리 장치(53)의 동작 동안에 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하고, 제2 메모리 장치(54)의 동작 동안에 제2 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성될 수 있다.

프로세서 기반 전자 시스템(50)의 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 메모리 장치들(53, 54)의 각각의 추정 현재 온도들은 동작 동안에 가변 냉각 장치(57)에 의해 제공되는 냉각의 양에 의존할 수 있으며, 제어기(64)는 가변 냉각 장치(57)에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 시스템(50)의 일부 실시예들에서, 제어기(64)는 가변 냉각 장치(57)에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 제1 메모리 장치(53)와 관련된 제1 임계치 및 제2 메모리 장치(54)와 관련된 제2 임계치를 동적으로 갱신하도록 더 구성될 수 있다. 예를 들어, 가변 냉각 장치(57)는 다중 속도 팬을 포함할 수 있으며, 제어기(64)는 다중 속도 팬의 속도에 따라 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 오프셋 값은 제2 오프셋 값과 다를 수 있다.

프로세서 기반 시스템(50)은 대용량 저장 장치(65) 및 메모리 서브시스템(52)과 대용량 저장 장치(65) 사이에 배치된 캐시 메모리(66)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(51)는 중앙 처리 유닛(CPU)일 수 있다. 예를 들어, 캐시 메모리(66)는 비휘발성 캐시 메모리(NVM)일 수 있다. 예를 들어, 메모리 서브시스템(22)은 하나 이상의 DIMM 모듈 내의 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)를 제공하는 메인 시스템 메모리일 수 있다. 예를 들어, 센서들(55, 56)은 DIMM 모듈들 상에 각각 배치되지만, DRAM 칩들로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기(58)는 메모리 제어기 허브(MCH)일 수 있다. 예를 들어, 대용량 메모리 장치(65)는 하드 디스크 드라이브 또는 광 디스크 드라이브와 같은 회전 매체들일 수 있다. 예를 들어, 대용량 저장 장치(65)는 반도체 드라이브와 같은 비회전 매체들일 수 있다. 예를 들어, 캐시(66) 및 대용량 메모리 장치(65) 양자는 입출력 제어기 허브(ICH)(67)를 통해 MCH에 결합될 수 있다.

예를 들어, 레지스터들(61, 62)은 MCH(58), 대용량 저장 장치(65), 시스템 메모리(52), 또는 프로세서 기반 시스템(50)에 결합된 다른 메모리 또는 저장 장치 상에 존재할 수 있다. 예를 들어, 레지스터들은 ICH(67)에 결합된 기본 입출력 시스템(BIOS)(68)의 일부로서 구현될 수 있다.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 다양한 특징들이 다양한 컴포넌트들을 통해 분산될 수 있다. 예를 들어, 메모리 DIMM 장치는 DIMM 상의 온도 센서(TSOD)를 구비할 수 있다. TSOD는 DIMM에 열 데이터를 제공할 수 있다. 예를 들어, 시스템 상에는 다수의 DIMM이 존재할 수 있지만, DIMM당 하나의 TSOD만이 존재할 수 있다. 메모리 제어기는 메모리 열 오프셋 레지스터들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 레지스터들은 팬 회전 속도에 기초하여 조작 또는 갱신될 수 있는 열 오프셋 레지스터들일 수 있다. 예를 들어, DIMM 온도 센서들은 MCH 상에 존재하는 SMBUS 제어기를 통해 폴링될 수 있다. 시스템은 관리 에이전트를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 관리 에이전트는 2개의 주요 기능을 수행하는 베이스보드 관리 제어기의 일부일 수 있다. 첫째, 관리 제어기는 시스템 팬 속도를 제어할 수 있다. 둘째, 관리 제어기는 팬 회전 속도에 대한 정보를 수신하고, 메모리 제어기 상에 존재하는 열 오프셋 레지스터들을 갱신할 수 있다.

예를 들어, 메모리 서브시스템은 서버 섀시 내에서 냉각하기 어려울 수 있다. 이롭게도, 본 발명의 일부 실시예들은 열 제어를 위한 스로틀링(throttling) 전에 메모리 성능을 향상시킬 수 있다.

도 6을 참조하면, 메모리 모듈(70)은 인쇄 회로 보드(72)의 양면에 복수의 메모리 장치(71)를 갖는 더블 데이터 레이트(DDR) 듀얼-인라인 메모리 모듈(DIMM)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치들(71)은 직접 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 집적 회로들일 수 있다. 예를 들어, 메모리 모듈(70)은 DDR3 RDIMM을 포함할 수 있다. 메모리 모듈(70)은 인쇄 회로 보드(72) 상에 메모리 장치들(71)로부터 원격적으로 실장된 열 센서(73)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 센서(73)는 메모리 장치들(71)의 온도를 직접 측정하지는 못하지만, 메모리 장치들(71)의 온도와 센서(73)의 온도 판독치 사이의 타당한 상관성을 제공하기에 충분한 근접도를 갖는다. 이롭게도, 본 발명의 일부 실시예들은 다양한 동작 조건들에 따른 상이한 오프셋 값들을 저장함으로써 메모리 장치들(71)의 온도와 센서(73)의 온도 판독치 사이에 더 정확한 상관성을 제공할 수 있다.

이롭게도, 본 발명의 일부 실시예들은 센서(73)에 의해 측정된 온도와 메모리 장치들(73)의 추정된 현재 동작 온도 사이의 차이에 대응하는 오프셋 값을 저장하기 위한 오프셋 레지스터를 제공할 수 있다. 예를 들어, 오프셋 값은 열 모델링 소프트웨어를 이용하여 계산될 수 있거나, 시스템의 실제 동작하에 경험적으로 결정될 수 있다. 이롭게도, 본 발명의 일부 실시예들은 다양한 동작 부하들 및 파라미터들 하에서의 시스템 열 조건들에 기초하여 DRAM 대 센서 오프셋을 갱신하기 위한 복수의 오프셋 값들의 저장을 제공할 수 있다.

예를 들어, 가변 냉각 시스템은 서버 시스템 내의 메모리 모듈들에 냉각을 제공하는 데 사용될 수 있다. 다중 속도 팬은 가변 냉각 시스템의 일례이다. 다중 속도 팬은 다중 속도 팬의 속도 제어에 대한 많은 가능성 중에서 다양한 이산적인 속도 설정들을 갖거나, 연속적으로 변할 수 있다. 일부 시스템들에서는, 낮은 팬 속도들에서, 센서와 DRAM들 사이의 오프셋이 클 수 있고, 따라서 큰 오프셋 값은 열 한계들을 초과하지 않는 것을 보장하는 데 사용되어야 한다. 이와 달리, 팬 속도들이 높을 때에는, 센서와 DRAM들 사이의 정적 오프셋이 더 작을 수 있고, 보호 대역이 줄거나 없어질 수 있다.

예를 들어, 다양한 전력 관리 스킴들은 동작 중에 팬 속도를 변경할 수 있다. 더 낮은 팬 속도에서는, 컴포넌트 열 조건들의 정확한 감지가 더 중요할 수 있다. 도 7을 참조하면, 이 팬 속도 대 메모리 대역폭의 차트는 1U 시스템에서 메모리 냉각을 위해 팬 전력에 대한 임계 보호 대역을 줄이는 일례를 보여준다. 이 그래프는 팬 속도 대 메모리 대역폭을 나타낸다. 3개의 사례가 도시되며, 0℃, 5℃ 및 10℃로 식별된다. 수평선으로 표시되는 바와 같은 8GB/s의 주어진 타겟 대역폭에서, 온도 보호 대역에 따라 상이한 팬 속도가 요구될 수 있다. 예컨대, 센서가 0℃ 곡선으로 표시되는 바와 같이 완벽한 경우, 8GB/s에서의 팬 전력 소비는 7 와트일 것이다. 5℃ 및 10℃ 곡선들로 표시되는 바와 같이 보호 대역이 증가하면, 팬 전력은 동일한 8GB/s에 대해 각각 12 와트 및 21 와트로 높아진다. 위로부터, 컴퓨터 시스템은 시스템 냉각 조건들에 기초하여 오프셋을 조정함으로써 동일 성능을 제공하면서도 상당한 팬 전력을 줄이는 것이 가능한 것으로 결론지을 수 있다.

통상의 시스템에서, DRAM들에 대한 액세스의 스로틀링은 최악의 온도 시나리오를 가정하여 수행될 수 있으며, 따라서 다양한 덜 극단적인 동작 조건들에서 메모리 성능을 제한할 수 있다. 이롭게도, 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 시스템의 이전 열 특성을 이용하여, DRAM 대 센서 오프셋 값이 팬 속도에 기초하여 선택될 수 있으며, 메모리 제어기는 팬 속도에 따라 동작 중에 오프셋 값들을 갱신하여, 다양한 동작 조건들에서 향상된 메모리 대역폭을 제공할 수 있다.

예를 들어, 오프셋 레지스터는 시스템 내의 각각의 DIMM에 대해 이용될 수 있으며, 이들 각각은 그의 열 특성에 기초하여 개별적으로 재기입될 수 있다. 예를 들어, 통상의 혼합 DIMM 환경에서, 최악의 열 성능을 갖는 DIMM은 모든 DIMM들의 스로틀링 또는 팬 속도의 증가를 유발할 수 있다. 유리하게도, 본 발명의 일부 실시예들은 각각의 DIMM에 대한 보호 대역을 개별적으로 제어하여, 전체 성능을 향상시킬 수 있다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예들은 BIOS 및/또는 펌웨어의 초기 셋업을 포함한다. 예를 들어, 다양한 동작 조건들 하에서 다양한 임계치들(예를 들어, 스로틀링 및 온도)이 결정될 수 있다. 이어서, 임계치들 및 오프셋들이 메모리 제어기 내에 프로그래밍될 수 있다. 동작 동안, DIMM 상의 온도 센서(TSOD)를 이용하여 DIMM 온도들이 판독될 수 있다. DIMM 상태 머신은 (오프셋 값들의 현재 상태를 이용하여) 온도 판독치를 메모리 제어기 내에 프로그래밍된 임계치들과 비교하고, 비교에 따라 적절할 수 있는 바와 같은 이벤트를 개시할 수 있다.

예를 들어, 이벤트의 개시는 개시되는 이벤트들에 대한 많은 가능성들 중에서 더블 리프레시를 활성화하는 단계, 스로틀링을 활성화하는 단계, 및/또는 하드웨어 핀들을 활성화하는 단계 등을 포함할 수 있다. 메모리 또는 관리 제어기는 개시되는 이벤트(들)에 따라 팬 속도를 관리할 수 있으며, 그리고/또는 다른 사용자 정의 액션들을 수행할 수 있다. 갱신된 동작 환경에 기초하여, 메모리 제어기는 (예컨대, 팬 속도에 기초하여) 온도 오프셋들 및/또는 다른 임계치들을 다시 프로그래밍할 수 있다. 이롭게도, 본 발명의 일부 실시예들은 스로틀링이 사용되기 전에 동적 갱신을 이용하여 메모리 액세스 성능을 향상시키고, 그리고/또는 팬 속도(및 전력) 증가를 지연시켜, 스로틀링이 발생하지 않을 가능성을 증가시킬 수 있다.

이 분야의 기술자들은 도 3-4의 흐름도 및 도 8의 상태도가 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어의 임의의 다양한 배열에서 구현될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 흐름도는 특수 목적 하드웨어 회로들에 의해 완전하게 구현될 수 있다. 대안으로서, 흐름도는 범용 프로세서 상에서 실행되는 소프트웨어에 의해 완전하게 구현될 수 있다. 대안으로서, 흐름도는 특수 목적 하드웨어와 범용 프로세서 상에서 실행되는 소프트웨어 사이에 선택적으로 분배될 수 있다.

본 발명의 상기 및 다른 양태들은 개별적으로 그리고 결합하여 달성된다. 본 발명은 특정 청구항에 의해 명시적으로 요구되지 않는 한은 그러한 양태들 중 둘 이상을 필요로 하는 것으로서 해석되지 않아야 한다. 더욱이, 본 발명은 현재 바람직한 예들로서 간주되는 것과 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 개시되는 예들로 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 사상 및 범위 내에 포함되는 다양한 변경들 및 균등한 배열들을 커버하는 것을 의도한다는 것을 이해해야 한다.

Claims (23)

1. 제1 반도체 메모리 장치로부터 원격 배치된 제1 센서;
   상기 제1 센서의 온도 판독치와 상기 제1 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도(estimated actual temperature) 사이의 차이에 대응하는 제1 오프셋 값을 저장하기 위한 제1 레지스터; 및
   상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하기 위한 제어기
   를 포함하고,
   상기 제어기는 상기 제1 레지스터로부터 상기 제1 오프셋 값을 판독하고, 상기 제1 오프셋 값에 따라 상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하도록 구성되고,
   상기 제어기는 상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성되고, 상기 제1 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도는 상기 제어기에 의해 생성되고 동작 동안에 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 의존하며, 상기 제어기는 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 오프셋 값을 갱신하도록 구성되고,
   상기 고정형 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함하고, 상기 제어기는 상기 다중 속도 팬의 속도에 따라 상기 제1 오프셋 값을 갱신하도록 구성되고,
   상기 제어기는 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 반도체 메모리 장치와 관련된 제1 임계치를 동적으로 갱신하도록 더 구성되고, 상기 제어기는 온도 제어 이벤트를 개시할지를 결정하기 위해 상기 제1 임계치를 사용하도록 더 구성되는, 메모리 제어 장치.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,
   제2 반도체 메모리 장치로부터 원격 배치된 제2 센서; 및
   상기 제2 센서의 온도 판독치와 상기 제2 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제2 오프셋 값을 저장하기 위한 제2 레지스터
   를 더 포함하고,
   상기 제어기는 상기 제2 레지스터로부터 상기 제2 오프셋 값을 판독하고, 상기 제2 오프셋 값에 따라 상기 제2 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하도록 구성되고,
   상기 제어기는 상기 제2 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제2 오프셋 값을 동적으로 갱신하도록 구성되고, 상기 제1 및 제2 반도체 메모리 장치들의 각각의 추정된 현재 온도는 상기 제어기에 의해 생성되고 동작 동안에 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 의존하며, 상기 제어기는 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성되는 메모리 제어 장치.
6. 삭제
7. 제5항에 있어서, 상기 제어기는 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제2 반도체 메모리 장치와 관련된 제2 임계치를 동적으로 갱신하도록 더 구성되고, 상기 제어기는 온도 제어 이벤트를 개시할지를 결정하기 위해 상기 제2 임계치를 사용하도록 더 구성되는 메모리 제어 장치.
8. 제5항에 있어서, 상기 제어기는 상기 다중 속도 팬의 상기 속도에 따라 상기 제2 오프셋 값을 갱신하도록 구성되는 메모리 제어 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 제1 오프셋 값은 상기 제2 오프셋 값과 다른 메모리 제어 장치.
10. 메모리를 제어하는 방법으로서,
    제1 반도체 메모리 장치로부터 원격적으로 제1 센서를 배치하는 단계;
    상기 제1 센서의 온도 판독치와 상기 제1 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제1 오프셋 값을 저장하는 단계;
    상기 제1 오프셋 값을 판독하는 단계;
    상기 제1 오프셋 값에 따라 상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하는 단계;
    고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 오프셋 값을 갱신함으로써 상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계; 및
    상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 반도체 메모리 장치와 관련된 제1 임계치 및 제2 반도체 메모리 장치와 관련된 제2 임계치를 동적으로 갱신하는 단계
    를 포함하고,
    상기 고정형 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함하고,
    상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계는 상기 다중 속도 팬의 속도에 따라 상기 제1 오프셋 값을 갱신하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 임계치들은 온도 제어 이벤트를 개시할지를 결정하기 위해 사용되는, 방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 삭제
14. 제10항에 있어서,
    제2 반도체 메모리 장치로부터 원격적으로 제2 센서를 배치하는 단계;
    상기 제2 센서의 온도 판독치와 상기 제2 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제2 오프셋 값을 저장하는 단계;
    상기 제2 오프셋 값을 판독하는 단계;
    상기 제2 오프셋 값에 따라 상기 제2 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하는 단계; 및
    상기 제2 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제2 오프셋 값을 동적으로 갱신하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
15. 제14항에 있어서, 상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 동적으로 갱신하는 단계는 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하는 단계를 포함하는 방법.
16. 삭제
17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 동적으로 갱신하는 단계는 상기 다중 속도 팬의 상기 속도에 따라 상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하는 단계를 포함하는 방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 제1 오프셋 값은 상기 제2 오프셋 값과 다른 방법.
19. 프로세서;
    상기 프로세서에 결합되고, 제1 반도체 메모리 장치 및 제2 반도체 메모리 장치를 포함하는 메모리 서브시스템;
    상기 제1 반도체 메모리 장치로부터 원격 배치된 제1 센서;
    상기 제2 반도체 메모리 장치로부터 원격 배치된 제2 센서;
    상기 메모리 서브시스템에 냉각을 제공하도록 구성되는 고정형 가변 냉각 장치; 및
    상기 메모리 서브시스템 및 상기 고정형 가변 냉각 장치에 결합되는 메모리 제어기
    를 포함하고,
    상기 메모리 제어기는,
    상기 제1 센서의 온도 판독치와 상기 제1 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제1 오프셋 값을 저장하기 위한 제1 레지스터;
    상기 제2 센서의 온도 판독치와 상기 제2 반도체 메모리 장치의 추정된 현재 온도 사이의 차이에 대응하는 제2 오프셋 값을 저장하기 위한 제2 레지스터; 및
    상기 메모리 서브시스템의 동작을 제어하기 위한 제어기
    를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 제1 레지스터로부터 상기 제1 오프셋 값을 판독하고, 상기 제1 오프셋 값에 따라 상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하며,
    상기 제2 레지스터로부터 상기 제2 오프셋 값을 판독하고, 상기 제2 오프셋 값에 따라 상기 제2 반도체 메모리 장치의 동작을 제어하며,
    상기 제1 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제1 오프셋 값을 동적으로 갱신하고,
    상기 제2 반도체 메모리 장치의 동작 동안에 상기 제2 오프셋 값을 동적으로 갱신하고,
    상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 반도체 메모리 장치와 관련된 제1 임계치 및 상기 제2 반도체 메모리 장치와 관련된 제2 임계치를 동적으로 갱신하도록 구성되고,
    상기 제1 및 제2 반도체 메모리 장치들의 각각의 추정된 현재 온도는 상기 제어기에 의해 생성되고 동작 동안에 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 의존하며, 상기 제어기는 상기 고정형 가변 냉각 장치에 의해 제공되는 냉각의 양에 따라 상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성되고,
    상기 고정형 가변 냉각 장치는 다중 속도 팬을 포함하고, 상기 제어기는 상기 다중 속도 팬의 속도에 따라 상기 제1 및 제2 오프셋 값들을 갱신하도록 구성되고,
    상기 제어기는 온도 제어 이벤트를 개시할지를 결정하기 위해 상기 제1 및 제2 임계치들을 사용하도록 더 구성되는, 프로세서 기반 전자 시스템.
20. 삭제
21. 삭제
22. 삭제
23. 제19항에 있어서, 상기 제1 오프셋 값은 상기 제2 오프셋 값과 다른 프로세서 기반 전자 시스템.

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