JP2019199638A - フレキシブルプリント基板用銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブルプリント基板、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
FPCは銅箔と樹脂とを積層したCopper Clad Laminate(銅張積層体、以下CCLと称する)をエッチングすることで配線を形成し、その上をカバーレイと呼ばれる樹脂層によって被覆したものである。
そこで、銅箔の表面に、銅箔よりエッチング速度が遅く、かつ銅箔と同じエッチング液でエッチング可能な被膜を設けることで、微細な配線を精度よくエッチング加工する方法が開発されている(特許文献1)。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、エッチング速度を向上させたフレキシブルプリント基板用銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブルプリント基板、及び電子機器の提供を目的とする。
本発明の銅張積層体は、前記フレキシブルプリント基板用銅箔と、樹脂層とを積層してなる。
本発明に係る銅箔は、99.9質量%以上のCuと、添加元素として0.0005〜0.0300質量%のP、0.0005〜0.2500質量%のMgのいずれか又は両方とを含有し、残部不可避的不純物からなる。Cuが99.96質量%以上であると好ましい。
添加元素としてP、Mgのいずれか又は両方を含有すると、圧延銅箔を樹脂と積層する際(CCL製造時)の熱処理により、後述する結晶粒界長さの合計値(合計長さ)を大きくすることができる。これは、銅箔中にP、Mgのいずれか又は両方を含有すると、上述の熱処理により再結晶核が生成する際の駆動力であるひずみを蓄積しやすくなるからである。
Mgの含有量が0.0005質量%(5質量ppm)未満であると、結晶粒界の合計長さを大きくすることが困難になる。Mgの含有量が0.2500質量%(2500質量ppm)を超えると、導電率が低下し、フレキシブルプリント基板に適さない。
銅箔表面を25μm×25μmの視野で観察した際に、結晶粒界の合計長さが600μm以上である。
銅箔のエッチング速度は、エッチング反応速度を大きくすることで向上し、エッチング反応速度は、エッチング反応が優先的に起こりやすい粒界が多いほど向上する。
この粒界の多少を評価する方法として、方位差に基づいて結晶粒同士が接している長さである結晶粒界の合計長さを規定する。
又、EBSD測定条件は、測定電圧15kV、ワーキングディスタンス18mm、試料傾斜角度70°、測定間距離d=0.2μmとする。
本発明に係る銅箔はフレキシブルプリント基板に用いられ、その際、銅箔と樹脂とを積層したCCLは、200〜400℃で樹脂を硬化させるための熱処理を行うため、この熱処理によって圧延加工によるひずみが解放されて再結晶が生じる。
従って、本発明の請求項1に係るフレキシブルプリント基板用銅箔は、樹脂と積層後の銅張積層体になった後の、樹脂の硬化熱処理を受けた状態の銅箔を規定している。つまり、既に熱処理を受けているから、新たな熱処理を行わない状態の銅箔(の結晶粒界の合計長さ)を表す。
なお、熱処理による銅箔表面の酸化を防止するため、熱処理の雰囲気は、還元性又は非酸化性の雰囲気が好ましく、例えば、真空雰囲気、又は、アルゴン、窒素、水素、一酸化炭素等若しくはこれらの混合ガスからなる雰囲気などとすればよい。昇温速度は100〜300℃/minの間であればよい。
ここで、(1)最終再結晶焼鈍の材料到達温度及び到達時間、(2)最終冷間圧延の加工度ηを制御することで、結晶粒界の合計長さを600μm以上に確実に制御できる。
最終再結晶焼鈍の材料到達温度及び到達時間は銅箔の製造条件によっても変わり、限定されないが、例えば図2に示すように、第一の材料到達温度T1=350〜450℃、最終再結晶焼鈍開始(室温)からT1までの到達時間ta=3時間以下、T1から冷却(放冷)し、第二の材料到達温度T2=250〜350℃とするとよい。
ここで、T1≧T2であることにより、T1にて再結晶核を多数生成させ、T2では再結晶のみにひずみを使用し、再結晶粒成長を起こさせない(T2では再結晶粒成長でひずみを使わせない))。
又、taは短いほど再結晶核が多数生成するので良いが、あまり時間が短いと、材料の部位によっては温度が均一にならないので、均一になる範囲(例えば1時間以上)とすればよい。
Taが長時間になり過ぎると、他の方位よりも早く再結晶する方位の粒の優先核生成が起き、その後に、優先核生成が起きた再結晶粒と他の加工粒とのひずみ差を駆動力とした粒成長が起き、ひずみが残らない。
T1,T2が上記下限値未満であると再結晶せず、粗大な鋳造組織が残存し、その後の圧延でひずみが十分に蓄積されないため、CCL製造時において再結晶核の生成が少なくなり、結晶粒界の合計長さが短くなる場合がある。
T1,T2が上記上限値を超えると、再結晶粒径が粗大になり、その後の圧延でひずみが十分に蓄積されず、結晶粒界の合計長さを長くすることが困難な場合がある。
最終冷間圧延の加工度ηは銅箔の製造条件によっても変わり、限定されないが、例えばηを5.82以上とするとよい。
加工度ηは、最終焼鈍前の冷間圧延直前の材料の厚みをA0、最終焼鈍前の冷間圧延直後の材料の厚みをA1とし、η=ln(A0/A1)で表す。
最終冷間圧延の加工度ηが低過ぎると、CCL製造時に再結晶核が生成する際の駆動力であるひずみを最終冷間圧延中に十分に導入することが難しい。加工度ηの上限は特に制限されないが、実用上、7.45程度である。
又、本発明の銅箔に(1)樹脂前駆体(例えばワニスと呼ばれるポリイミド前駆体)をキャスティングして熱をかけて重合させること、(2)ベースフィルムと同種の熱可塑性接着剤を用いてベースフィルムを本発明の銅箔にラミネートすること、により、銅箔と樹脂基材の2層からなる銅張積層体(CCL)が得られる。又、本発明の銅箔に接着剤を塗着したベースフィルムをラミネートすることにより、銅箔と樹脂基材とその間の接着層の3層からなる銅張積層体(CCL)が得られる。これらのCCL製造時に銅箔が熱処理されて再結晶化する。
これらにフォトリソグラフィー技術を用いて回路を形成し、必要に応じて回路にめっきを施し、カバーレイフィルムをラミネートすることでフレキシブルプリント基板(フレキシブル配線板)が得られる。
樹脂層としては、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PI(ポリイミド)、LCP(液晶ポリマー)、PEN(ポリエチレンナフタレート)が挙げられるがこれに限定されない。また、樹脂層として、これらの樹脂フィルムを用いてもよい。
樹脂層と銅箔との積層方法としては、銅箔の表面に樹脂層となる材料を塗布して加熱成膜してもよい。又、樹脂層として樹脂フィルムを用い、樹脂フィルムと銅箔との間に以下の接着剤を用いてもよく、接着剤を用いずに樹脂フィルムを銅箔に熱圧着してもよい。但し、樹脂フィルムに余分な熱を加えないという点からは、接着剤を用いることが好ましい。
例えば、銅箔の表面に、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、またはこれらの組み合わせによる表面処理を施してもよい。
その後、表面に発生した酸化スケールを除去して、表1に示す加工度ηで最終冷間圧延をして目的とする最終厚さの箔を得た。得られた箔に対し、Ar雰囲気において、昇温速度150℃/minで300℃×30分の熱処理を加え、銅箔サンプルを得た。熱処理後の銅箔は、CCLの積層時に熱処理を受けた状態を模している。
1.導電率
上記熱処理後の各銅箔サンプルについて、JIS H 0505に基づいて4端子法により、25℃の導電率(%IACS)を測定した。
導電率が80%IACSより大きければ導電性が良好である。
2.結晶粒界の合計長さ
上記熱処理後の各銅箔サンプルについて、上述のようにして結晶粒界の合計長さを測定した。
上記熱処理後の寸法100mm×100mmの各銅箔サンプルを、カネカ社製のテックCL-8(過酸化水素系の20vol%水溶液)に浸漬させ、銅箔が全てエッチングされる(銅箔が全て溶ける)までの時間を測定した。
4.微細回路形成性(生産性)
上記評価3にて、エッチング時間が500s未満のものを評価○(微細回路形成性(生産性)が良い)、500s以上のものを評価×(微細回路形成性(生産性)に劣る)とみなした。
なお、図1に示すように、エッチング時間と結晶粒界の合計長さとの間にほぼ線形の相関がみられた。
T1が350℃を超えた比較例2の場合、結晶粒界の合計長さが600μm未満となり、エッチング速度が低下し、微細回路形成性(生産性)に劣った。これは、T2が高過ぎ、銅箔製造中に導入されたひずみが最終再結晶焼鈍中に消失し、その後のCCL製造を模した熱処理で再結晶核が十分に生成しなかったためと考えられる。
最終冷間圧延の加工度ηが各実施例よりも低い比較例5の場合も、結晶粒界の合計長さが600μm未満となり、エッチング速度が低下し、微細回路形成性(生産性)に劣った。これは、最終冷間圧延の加工度ηが低過ぎ、最終冷間圧延中に銅箔にひずみが十分に導入されず、その後のCCL製造を模した熱処理で再結晶核が十分に生成しなかったためと考えられる。
銅箔中のMgの含有量が0.2500を超えた比較例9の場合、導電率が80%未満となり導電性が劣った。
Claims (6)
- 99.9質量%以上のCuと、添加元素として0.0005〜0.0300質量%のP、0.0005〜0.2500質量%のMgのいずれか又は両方とを含有し、残部不可避的不純物からなる圧延銅箔であって、
導電率が80%以上、かつ
銅箔表面を25μm×25μmの視野で観察した際に、結晶粒界の合計長さが600μm以上であるフレキシブルプリント基板用銅箔。 - 昇温速度100〜300℃/minで300℃で30分間の熱処理したとき、前記導電率が80%以上、かつ
前記結晶粒界の合計長さが600μm以上である請求項1記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。 - JIS−H3100(C1100)に規格するタフピッチ銅又はJIS−H3100(C1020)の無酸素銅からなる請求項1又は2に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔と、樹脂層とを積層してなる銅張積層体。
- 請求項4に記載の銅張積層体における前記銅箔に回路を形成してなるフレキシブルプリント基板。
- 請求項5に記載のフレキシブルプリント基板を用いた電子機器。
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