JP2019198228A - 電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐振性に優れると共に構成部品の冷却を行うことができる電力変換装置を提供すること。【解決手段】電力変換装置１は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール２を冷却する冷却部４０と、冷却部４０から外部へ冷媒を排出する冷媒排出路が内部に形成された金属製の冷媒排出部４１と、を備える。冷媒排出路と半導体モジュール２との並び方向Ｘに投影したときに、冷媒排出部４１の外形は、半導体モジュール２の外形よりも大面積である。並び方向Ｘにおける冷媒排出部４１の投影範囲内に、半導体モジュール２と電気的に接続された第１電気部品３１の少なくとも一部が配置されている。第１電気部品３１は、冷却部４０に隣接して配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、電力変換装置に関する。

例えば、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置として、半導体モジュールと冷却プレートとを積層した構造を有するものがある。そして、特許文献１には、半導体モジュールに電気的に接続される構成部品であるコンデンサをも、半導体モジュール及び冷却プレートと共に積層したものが開示されている。かかる構成とすることにより、半導体モジュールのみならずコンデンサをも冷却プレートによって冷却することができる。

特開２０１０−１６４０２号公報

しかしながら、半導体モジュールと共にコンデンサ等の構成部品をも冷却プレートと共に積層して積層体を構成した場合において、積層体の積層方向の体格が大きくなると、耐振性において不利となることが考えられる。その一方、構成部品を積層体から外して配置すると、冷却プレートによる構成部品の冷却を行うことができない。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、耐振性に優れると共に構成部品の冷却を行うことができる電力変換装置を提供しようとするものである。

本発明の一態様は、スイッチング素子（２ｕ、２ｄ）を内蔵した半導体モジュール（２）を冷却する冷却部（４０）と、
前記冷却部から外部へ冷媒を排出する冷媒排出路が内部に形成された金属製の冷媒排出部（４１）と、を備え、
前記冷媒排出路と前記半導体モジュールとの並び方向（Ｘ）に投影したときに、前記冷媒排出部の外形は、前記半導体モジュールの外形よりも大面積であり、
前記並び方向における前記冷媒排出部の投影範囲内に、前記半導体モジュールと電気的に接続された第１電気部品（３１）の少なくとも一部が配置されており、
前記第１電気部品は、前記冷却部に隣接して配置されている、電力変換装置（１）にある。
本発明の参考態様として、スイッチング素子（２ｕ、２ｄ）を内蔵した半導体モジュール（２）と、
上記半導体モジュールに電気的に接続された構成部品（３１、３２、３３）と、
複数の冷却プレート（４０）を備えた積層冷却器（４）と、を有し、
上記複数の冷却プレートと上記半導体モジュールとが少なくとも積層されて、積層体（１０）を構成しており、
上記積層体を構成する上記複数の冷却プレートのうちの少なくとも一つは、積層方向（Ｘ）への投影面積が、他の上記冷却プレートよりも大きい大面積冷却プレート（４１）であり、
上記構成部品の少なくとも一つは、上記積層方向から見たとき上記大面積冷却プレートと重なり、かつ、上記積層方向と直交する一つの方向から見たとき上記積層体と重なる特定位置に配置された、特定配置部品（３０）である、電力変換装置（１）がある。

上記電力変換装置において、上記構成部品の少なくとも一つは、上記特定配置部品である。そのため、積層体の積層方向の体格を抑制することができると共に、大面積冷却プレートによる上記構成部品の冷却が可能となる。
すなわち、構成部品の少なくとも一つは、積層体の一部ではない特定配置部品であるため、当該構成部品を積層体の一部とした場合に比べ、積層体の積層方向の寸法を小さくすることができる。その結果、積層体の耐振性を向上させることができる。
また、特定配置部品は、上記特定位置に配されているため、大面積冷却プレートによって、直接または間接的に冷却することが可能となる。そのため、構成部品の少なくとも一つを、積層体の一部に組み込むことなく冷却することができる。

以上のごとく、上記態様によれば、耐振性に優れると共に構成部品の冷却を行うことができる電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

実施形態１における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態１における、電力変換装置の平面説明図。 実施形態１における、電力変換装置の正面説明図。 実施形態１における、電力変換装置の回路説明図。 コンデンサ及びリアクトルを積層体の一部に組み込んだ、電力変換装置の側面説明図。 実施形態２における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態３における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態４における、電力変換装置の側面説明図。 図８のIX−IX線矢視断断面説明図。 実施形態５における、電力変換装置の回路説明図。 実施形態５における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態５における、電力変換装置の平面説明図。 実施形態６における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態７における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態７における、電力変換装置の平面説明図。 実施形態８における、電力変換装置の側面説明図。 実施形態９における、電力変換装置の側面説明図。

（実施形態１）
電力変換装置の実施形態につき、図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態の電力変換装置１は、図１、図２に示すごとく、半導体モジュール２と、半導体モジュール２に電気的に接続された構成部品であるコンデンサ３１、リアクトル３２、及び回路基板３３と、積層冷却器４と、を有する。

半導体モジュール２は、スイッチング素子を内蔵している。
積層冷却器４は、複数の冷却プレート４０を備えている。
複数の冷却プレート４０と半導体モジュール２とが少なくとも積層されて、積層体１０を構成している。
積層体１０を構成する複数の冷却プレート４０のうちの少なくとも一つは、積層方向Ｘへの投影面積が、他の冷却プレート４０よりも大きい大面積冷却プレート４１である。

本実施形態においては、コンデンサ３１が、特定位置に配置された特定配置部品３０である。ここで、特定位置とは、積層方向Ｘから見たとき大面積冷却プレート４１と重なり、かつ、積層方向Ｘと直交する一つの方向から見たとき積層体１０と重なる位置をいう。また、特定位置に配されているとは、特定位置に該当する空間に、少なくとも一部が配置されていることを意味する。したがって、特定配置部品３０の少なくとも一部が、積層方向Ｘから見たとき大面積冷却プレート４１と重なり、かつ、積層方向Ｘと直交する一つの方向から見たとき積層体１０と重なる。

本明細書において、積層方向Ｘに直交する方向であって、積層体１０と特定配置部品３０との並び方向を、便宜的に高さ方向Ｚという。また、高さ方向Ｚと積層方向Ｘとの双方に直交する方向を、便宜的に横方向Ｙという。特定配置部品３０であるコンデンサ３１は、積層方向Ｘから見たとき大面積冷却プレート４１と重なり、高さ方向Ｚから見たとき積層体１０と重なる。本実施形態においては、コンデンサ３１は、図３に示すごとく、積層方向Ｘから見たとき大面積冷却プレート４１の外形の内側に収まり、図２に示すごとく、高さ方向Ｚから見たときも積層体１０の外形に収まっている。

また、本実施形態において、図１、図２に示すごとく、積層体１０は、特定配置部品３０以外の構成部品の一つであるリアクトル３２を、冷却プレート４０及び半導体モジュール２と共に積層してなる。
また、図１、図３に示すごとく、積層体１０は、高さ方向Ｚにおいて、２つの構成部品の間に配置されている。そして、２つの構成部品のうちの一方であるコンデンサ３１が、特定配置部品３０となっている。また、高さ方向Ｚにおいて、積層体１０を挟んで互いに反対側に配された２つの構成部品のうちの他方は、半導体モジュール２の信号端子が接続される回路基板３３である。すなわち、積層体１０は、高さ方向Ｚにおいて、コンデンサ３１と回路基板３３との間に配されている。

積層冷却器４は、内部を冷媒が流通するよう構成されている。各冷却プレート４０の内部には、冷媒流路が形成されている。大面積冷却プレート４１以外の冷却プレート４０における冷媒流路は、横方向Ｙに沿って形成されている。
図１、図２に示すごとく、大面積冷却プレート４１は、積層冷却器４のうち、積層方向Ｘの一端に配されている。そして、大面積冷却プレート４１には、積層冷却器４へ冷媒を導入する冷媒導入管４２１と、積層冷却器４から冷媒を排出する冷媒排出管４２２とが設けられている。
リアクトル３２は、大面積冷却プレート４１とこれに隣り合う冷却プレート４０との間に配置している。

複数の冷却プレート４０は、積層方向Ｘに隣り合う冷却プレート４０同士が、横方向Ｙの両端部において、連結管４３によって互いに連結されている。そして、積層方向Ｘの一端に配された大面積冷却プレート４１に、冷媒導入管４２１及び冷媒排出管４２２が接続されている。これにより、冷媒導入管４２１から導入された冷媒が、複数の冷却プレート４０に分岐して流れ、冷媒排出管４２２から排出される。そして、冷媒が複数の冷却プレート４０を流通する間に、半導体モジュール２及びリアクトル３２と冷媒とが熱交換する。これにより、半導体モジュール２及びリアクトル３２が冷却される。また、コンデンサ３１も、大面積冷却プレート４１を流れる冷媒によって、間接的に冷却される。

図３に示すごとく、冷却プレート４０は、積層方向Ｘから見たとき、略全体にわたり内部に冷媒流路４０１が形成されていることが好ましい。特に、大面積冷却プレート４１は、積層方向Ｘから見たとき、半導体モジュール２と重なる部分にも、特定配置部品３０と重なる部分にも、冷媒流路４０１を形成してなることが好ましい。この場合には、積層体１０に組み込まれた構成部品であるリアクトル３２についても、特定配置部品３０であるコンデンサ３１についても、より効率的に冷却することができる。なお、図３以外の図面においては、冷媒流路４０１の記載を省略している。

ただし、冷却プレート４０には、冷媒流路が形成されていない部分を設けてもよい。例えば、大面積冷却プレート４１において、冷媒流路が、リアクトル３２と対向する位置に設けられ、コンデンサ３１に対向する位置に設けられていない構成としてもよい。これに対し、特定配置部品３０であるコンデンサ３１の冷却性の観点からは、上述のように、大面積冷却プレート４１において、冷媒流路４０１が、リアクトル３２と対向する位置にも、コンデンサ３１に対向する位置にも設けられている構成とすることが好ましい。
また、積層冷却器４を構成する部材は、アルミニウム合金等の金属からなる。

本実施形態の電力変換装置１は、例えば、図４に示すごとく、直流電源５１と三相交流の回転電機５２との間において、電力変換するよう構成されている。電力変換装置１は、昇圧回路部１２とインバータ回路部１３とを有する。昇圧回路部１２は、リアクトル３２及び半導体モジュール２等によって構成されている。インバータ回路部１３は、半導体モジュール２等によって構成されている。コンデンサ３１は、平滑コンデンサとして機能する。電力変換装置１は、直流電力を三相交流電力に変換して、回転電機５２を駆動するよう構成されている。また、回転電機５２において発電された電力を、インバータ回路部１３において直流に変換して、回生することもできる。

各半導体モジュール２は、スイッチング素子として、上アームスイッチング素子２ｕと下アームスイッチング素子２ｄとを内蔵している。
インバータ回路部１３は、上アームスイッチング素子２ｕと下アームスイッチング素子２ｄとを直列接続してなるレッグを、３相分備えている。各スイッチング素子は、ＩＧＢＴ、すなわち絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる。また、上アームスイッチング素子２ｕ及び下アームスイッチング素子２ｄには、それぞれフライホイールダイオードが逆並列接続されている。各レッグにおける上アームスイッチング素子２ｕと下アームスイッチング素子２ｄとの接続点が、それぞれ回転電機５２の３つの電極に接続される。なお、スイッチング素子としては、ＩＧＢＴに限らず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ、すなわちＭＯＳ型電界効果トランジスタを用いることもできる。

本実施形態において、インバータ回路部１３における各相を構成する上アームスイッチング素子２ｕ及び下アームスイッチング素子２ｄも、それぞれ２つのスイッチング素子の並列構造となっている。また、互いに直列接続された一つの上アームスイッチング素子２ｕと一つの下アームスイッチング素子２ｄとが、一つの半導体モジュール２に内蔵されて一体化されている。

昇圧回路部１２は、互いに並列接続された２つの上アームスイッチング素子２ｕと、互いに並列接続された２つの下アームスイッチング素子２ｄと、を有する。そして、互いに直列接続された一つの上アームスイッチング素子２ｕと一つの下アームスイッチング素子２ｄとが、一つの半導体モジュール２に内蔵されて一体化されている。

次に、本実施形態の作用効果につき説明する。
上記電力変換装置１において、構成部品の一つであるコンデンサ３１は、特定配置部品３０である。そのため、積層体１０の積層方向Ｘの体格を抑制することができると共に、大面積冷却プレート４１によるコンデンサ３１の冷却が可能となる。

すなわち、図１〜図３に示すごとく、コンデンサ３１は、積層体１０の一部ではない特定配置部品３０である。そのため、図５に示すようにコンデンサ３１を積層体１０の一部とした場合に比べ、積層体１０の積層方向Ｘの寸法を小さくすることができる。その結果、積層体１０の耐振性を向上させることができる。このように、積層体１０の積層方向Ｘの体格を抑制することで、例えば、電力変換装置１が車両のトランスミッションに搭載される場合などにおいても、耐振性の観点で有利となる。また、積層方向Ｘの体格を抑制できることで、共振周波数を高くすることができ、エンジンとの共振を防ぎやすくなる。

また、コンデンサ３１は、上記特定位置に配されているため、大面積冷却プレート４１によって、直接または間接的に冷却することが可能となる。
このように、コンデンサ３１を上記特定位置に配置することにより、耐振性とコンデンサ３１の冷却性確保との両立を図ることができる。

積層体１０は、特定配置部品３０以外の構成部品の一つであるリアクトル３２を、冷却プレート４０及び半導体モジュール２と共に積層してなる。それゆえ、冷却したい構成部品が複数ある場合に、極力積層体１０の積層方向Ｘの体格を抑制しつつ、複数の構成部品を効率的に冷却することができる。

また、コンデンサ３１とリアクトル３２とのうち、比較的発熱量の大きいリアクトル３２を積層体１０に組み込んで積極的に冷却し、比較的発熱量の小さいコンデンサ３１を上記特定位置に配置している。すなわち、上述のように昇圧に用いるリアクトル３２は、ノイズを吸収できるコンデンサ３１に比べて、ノイズを発生しやすく発熱量が大きい。そこで、リアクトル３２を積層体１０に組み込んで積極的に冷却する。その一方で、コンデンサ３１は積層体１０から外した特定配置部品３０とすることでも充分な冷却が可能となる。これにより、電力変換装置１の全体として、効率的な冷却を実現しやすくなる。

積層体１０は、高さ方向Ｚにおいて、２つの構成部品であるコンデンサ３１と回路基板３３との間に配置されている。そして、コンデンサ３１が特定配置部品３０である。これにより、コンデンサ３１を冷却しつつ、回路基板３３とコンデンサ３１との熱干渉を抑制することができる。

また、大面積冷却プレート４１は、積層冷却器４のうち、積層方向Ｘの一端に配されている。これにより、上述の特定位置に相当する空間を大きくとることができる。それゆえ、特定位置に特定配置部品３０を配置しやすく、電力変換装置１の大型化を抑制することができる。

また、大面積冷却プレート４１に、冷媒導入管４２１と冷媒排出管４２２とが設けられている。それゆえ、冷媒導入管４２１及び冷媒排出管４２２の配置自由度を高くすることができる。

以上のごとく、本実施形態によれば、耐振性に優れると共に構成部品の冷却を行うことができる電力変換装置を提供することができる。

（実施形態２）
本実施形態は、図６に示すごとく、特定配置部品３０であるコンデンサ３１が、大面積冷却プレート４１に面接触している形態である。
すなわち、大面積冷却プレート４１に、積層方向Ｘの一方から、コンデンサ３１が面接触している。ここで、コンデンサ３１と大面積冷却プレート４１とは、直接面接触していてもよいし、放熱シート等の伝熱部材を介して面接触していてもよい。

その他の構成は、実施形態１と同様である。
なお、実施形態２以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。

本実施形態においては、コンデンサ３１を一層効率的に冷却することができる。
その他、実施形態１と同様の作用効果を有する。

（実施形態３）
本実施形態は、図７に示すごとく、大面積冷却プレート４１における積層方向Ｘの両面に、それぞれ少なくとも一つの構成部品が対向配置されている実施形態である。
すなわち、本実施形態においては、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４を、大面積冷却プレート４１における、半導体モジュール２側と反対側の面である第１面４１１に配置している。また、大面積冷却プレート４１における第１面４１１と反対側の面である第２面４１２に、リアクトル３２が配置されている。さらに、大面積冷却プレート４１の第２面４１２には、特定配置部品３０であるコンデンサ３１も対向配置されている。

ＤＣ−ＤＣコンバータ３４は、例えば、トランス、スイッチング素子等を備え、高電圧の直流電力を低電圧の直流電力に変換するよう構成されている。

図７においては、コンデンサ３１が大面積冷却プレート４１との間に間隔を設けて対向配置された構成を示したが、コンデンサ３１を大面積冷却プレート４１に面接触させてもよい。また、図７においては、大面積冷却プレート４１にＤＣ−ＤＣコンバータ３４が面接触した構成を示したが、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４と大面積冷却プレート４１との間に間隔を設けて対向配置させてもよい。
また、図７においては、冷媒導入管４２１及び冷媒排出管４２２を省略したが、これらは、積層冷却器４における適切な位置に適宜配設することができる。
その他の構成は、実施形態１と同様である。

本実施形態においては、大面積冷却プレート４１によって、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４をも冷却することができる。したがって、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４をも備えた電力変換装置１において、効率的な冷却を行うことが可能となる。
その他、実施形態１と同様の作用効果を有する。

（実施形態４）
本実施形態は、図８、図９に示すごとく、ケース６を介して、特定配置部品３０の熱を、大面積冷却プレート４１に放熱できるよう構成された、電力変換装置１の実施形態である。
すなわち、電力変換装置１は、半導体モジュール２とコンデンサ３１と積層冷却器４とを収容する金属製のケース６を備えている。大面積冷却プレート４１は、ケース６に接触している。そして、特定配置部品３０であるコンデンサ３１は、ケース６に組み付けられている。

ケース６は、コンデンサ３１と、リアクトル３２及び積層体１０との間に配された、中間壁部６１を有する。そして、中間壁部６１に、コンデンサ３１が、図示しないボルト等によって、固定されている。ケース６は、高さ方向Ｚの両側が開放面となっている。そして、一対の開放面には、これらを塞ぐように、蓋体６０１、６０２が取り付けられている。

また、ケース６は、積層方向Ｘの一方に、開口部６２を設けてなる。該開口部６２から、積層体１０をケース６内に挿入できるよう構成されている。また、開口部６２を塞ぐように、大面積冷却プレート４１がケース６の外面に接触している。また、大面積冷却プレート４１の第１面４１１に、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４が面接触している。すなわち、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４は、ケース６の外に配されている。
その他の構成は、実施形態３と同様である。

本実施形態の場合には、ケース６を介して、特定配置部品３０であるコンデンサ３１の熱を大面積冷却プレート４１へ放熱することができる。それゆえ、特定配置部品３０の熱を効率的に放熱することができる。また、特定配置部品３０の配置自由度を向上させることができる。また、中間壁部６１がコンデンサ３１と半導体モジュール２との間に配されているため、コンデンサ３１と半導体モジュール２との間の熱干渉を抑制することができる。
その他、実施形態３と同様の作用効果を有する。

（実施形態５）
本実施形態においては、図１０〜図１２に示すごとく、半導体モジュール２が、互いに並列接続された複数の上アームスイッチング素子２ｕと、互いに並列接続された複数の下アームスイッチング素子２ｄとを一体化してなる。
本実施形態においては、並列接続された２つの上アームスイッチング素子２ｕと、並列接続された２つの下アームスイッチング素子２ｄとの４つのスイッチング素子を、一体化して一つの半導体モジュール２に内蔵している。
その他の構成は、実施形態１と同様である。

本実施形態においては、半導体モジュール２の数を少なくすることができる。そのため、図１１、図１２に示すごとく、積層体１０の積層方向Ｘの体格を小さくすることができる。すなわち、実施形態１の場合に比べて、積層体１０における半導体モジュール２の数を半減することができる。そのため、積層体１０の積層方向Ｘの寸法を大幅に低減することができる。その結果、一層、耐振性に優れた電力変換装置１を得ることができる。
その他、実施形態１と同様の作用効果を有する。

（実施形態６）
本実施形態は、図１３に示すごとく、２つの構成部品を特定配置部品３０とした実施形態である。
すなわち、特定配置部品３０として、コンデンサ３１と回路基板３３とが、特定位置に配されている。つまり、本実施形態においては、回路基板３３も、積層方向Ｘから見たとき大面積冷却プレート４１と重なり、かつ、高さ方向Ｚから見たとき積層体１０と重なる位置に、配されている。
その他の構成は、実施形態１と同様である。

本実施形態の場合には、回路基板３３も特定配置部品３０となるため、回路基板３３の冷却も効率的に行うことができる。
その他、実施形態１と同様の作用効果を有する。

（実施形態７）
本実施形態は、図１４、図１５に示すごとく、大面積冷却プレート４１以外の冷却プレート４０に、冷媒導入管４２１及び冷媒排出管４２２が接続されている、電力変換装置１の実施形態である。
本実施形態においては、大面積冷却プレート４１には、冷媒導入管４２１及び冷媒排出管４２２が接続されていない。そして、積層冷却器４における、大面積冷却プレート４１が配された側と反対側の積層方向Ｘの一端の冷却プレート４０に、冷媒導入管４２１及び冷媒排出管４２２が接続されている。
その他の構成は、実施形態１と同様である。

本実施形態の場合には、大面積冷却プレート４１における、半導体モジュール２側と反対側の面である第１面４１１に、構成部品を対向配置させやすい。すなわち、例えば、図１４、図１５に示すごとく、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４を、大面積冷却プレート４１の第１面４１１に、広い面積にて対向配置させることができる。また、大面積冷却プレート４１に、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４を面接触させやすくなる。その結果、ＤＣ−ＤＣコンバータ３４の冷却を効率的に行うことができる。
その他、実施形態１と同様の作用効果を有する。

（実施形態８）
本実施形態は、図１６に示すごとく、積層体１０を、冷却プレート４０と半導体モジュール２とによって構成した実施形態である。
すなわち、積層体１０に、リアクトル３２等の構成部品を積層していない。そして、コンデンサ３１を、特定位置に配置した特定配置部品３０としている。ここで、コンデンサ３１は、積層方向Ｘから見たとき、その一部分のみが大面積冷却プレート４１と重なっている。また、コンデンサ３１は、高さ方向Ｚから見たとき、その一部分のみが積層体１０と重なっている。
その他の構成は、実施形態１と同様である。
本実施形態においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。

（実施形態９）
本実施形態は、図１７に示すごとく、積層冷却器４における積層方向Ｘの両端以外の冷却プレート４０を、大面積冷却プレート４１とした実施形態である。
その他の構成は、実施形態８と同様である。
本実施形態においても、実施形態１と同様の作用効果を奏することができる。

本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。また、上記実施形態においては、コンデンサ又は回路基板を特定配置部品とした実施形態を示したが、特定配置部品は、これらに限られるものではない。例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータ、リアクトル等、他の構成部品を、特定配置部品としてもよい。

１ 電力変換装置
１０ 積層体
２ 半導体モジュール
３０ 特定配置部品
３１ コンデンサ（構成部品）
３２ リアクトル（構成部品）
３３ 回路基板（構成部品）
４ 積層冷却器
４０ 冷却プレート
４１ 大面積冷却プレート

Claims (5)

1. スイッチング素子（２ｕ、２ｄ）を内蔵した半導体モジュール（２）を冷却する冷却部（４０）と、
   前記冷却部から外部へ冷媒を排出する冷媒排出路が内部に形成された金属製の冷媒排出部（４１）と、を備え、
   前記冷媒排出路と前記半導体モジュールとの並び方向（Ｘ）に投影したときに、前記冷媒排出部の外形は、前記半導体モジュールの外形よりも大面積であり、
   前記並び方向における前記冷媒排出部の投影範囲内に、前記半導体モジュールと電気的に接続された第１電気部品（３１）の少なくとも一部が配置されており、
   前記第１電気部品は、前記冷却部に隣接して配置されている、電力変換装置（１）。
2. 前記半導体モジュールの信号端子が接続される回路基板（３３）を備え、
   前記回路基板は、前記冷却部を挟んで前記第１電気部品とは反対側に配置されている、請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記回路基板は、前記並び方向における前記冷媒排出部の投影範囲外に配置されている、請求項２に記載の電力変換装置。
4. 前記半導体モジュールと電気的に接続され、前記第１電気部品とは異なる第２電気部品（３４）が、前記冷媒排出部を介して前記半導体モジュールとは反対側に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電力変換装置。
5. 前記第２電気部品と前記冷媒排出部とは、互いに離間して対向配置している、請求項４に記載の電力変換装置。

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