JP2019197816A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
以上のパワー半導体モジュールの構造により、表面電極7の上端部分の電界集中をロウ材9の迫り出しにより緩和させることができる。特に、電界集中が増長する曲率半径Rの小さな箇所については、ロウ材9の迫り出し長さLをより大きくし電界緩和効果をより高くする。
2…セラミック基板
3…金属ベース
4…ボンディングワイヤ
5…絶縁ケース(外装ケース)
6…シリコーンゲル
7…表面電極(セラミック基板電極)
8…裏面電極(セラミック基板電極)
9,10…ロウ材
11,12…半田
13…表面電極7およびロウ材9の側面周辺部分(端部)
14…高絶縁樹脂
15…表面電極7の上端部分
16,17…表面電極7端部の段差部(段差構造)
18,19…表面電極7端部のテーパー部(テーパー形状)
20…導電性ペースト
21…中継基板
22…中継基板21の表面電極
100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300,1400…パワー半導体モジュール
Claims (10)
- セラミック基板と、
前記セラミック基板の第1の主面に接合された表面導体と、
前記セラミック基板の前記第1の主面の反対側の第2の主面に接合された裏面導体と、
前記表面導体上に半田を介して接合されたパワー半導体チップと、
前記裏面導体に半田を介して接合された金属ベースと、
前記セラミック基板、前記表面導体、前記裏面導体、前記パワー半導体チップを収容する絶縁ケースと、
前記絶縁ケース内に充填され、前記セラミック基板、前記表面導体、前記裏面導体、前記パワー半導体チップを封止する絶縁樹脂と、を備え、
前記表面導体の端部は、上端部よりも前記セラミック基板の側面側へ迫り出した迫り出し部を有し、
前記セラミック基板を平面視した場合において、前記表面導体の曲率半径が小さい領域ほど、前記上端部に対する前記迫り出し部の迫り出し量が大きいことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記表面導体は、ロウ材により前記第1の主面に接合された表面電極であり、
前記迫り出し部は、ロウ材であることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記表面電極の端部は、前記上端部よりも前記セラミック基板の側面側へ迫り出した下端部を有し、
前記上端部と前記下端部により段差が形成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項2に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記表面電極の端部は、前記上端部よりも前記セラミック基板の側面側へ迫り出した下端部を有し、
前記上端部と前記下端部によりテーパー形状が形成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記表面導体は、ロウ材により前記第1の主面に接合された表面電極であり、
前記迫り出し部は、導電性ペーストであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記表面導体は、第1の曲率半径を有する第1の領域と、
前記第1の領域よりも曲率半径が小さい第2の領域と、
直線状の第3の領域と、を有し、
各領域における前記迫り出し部の迫り出し量は、第2の領域>第1の領域>第3の領域であることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記迫り出し部は、高絶縁樹脂により被覆されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項7に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記高絶縁樹脂は、ポリイミド樹脂であることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記絶縁ケース内に収容された中継基板と、
前記中継基板の主面に導電性接合部材を介して接合された中継基板電極と、
前記中継基板電極と前記表面導体を電気的に接続するボンディングワイヤと、をさらに備え、
前記中継基板電極の端部は、上端部よりも前記中継基板の側面側へ迫り出した迫り出し部を有し、
前記中継基板を平面視した場合において、前記中継基板電極の曲率半径が小さい領域ほど、前記上端部に対する前記迫り出し部の迫り出し量が大きいことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュールであって、
前記絶縁樹脂は、シリコーンゲルであることを特徴とするパワー半導体モジュール。
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