JP2019192855A5 - - Google Patents

Description

本発明の一実施形態によれば、第１の主面、第２の主面、および前記第１の主面と前記第２の主面に連続する外縁を有し、複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板と、前記第１の主面に取り付けられた固体撮像素子と、前記固体撮像素子の周囲を囲むように前記第１の主面に取り付けられた枠体と、前記枠体の上に固定された透光性部材とを備える撮像素子モジュールであって、前記基板のガラス転移温度Ｔｇｐ以下における前記基板の面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｐ以上における前記基板の前記面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ２とし、前記枠体のガラス転移温度Ｔｇｆ以下における前記枠体の線膨張係数をαｆ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｆ以上における前記枠体の線膨張係数をαｆ２とし、常温をＴｏとした場合、Ｔｇｐ＞Ｔｇｆ、かつαｆ１＜αＰＣＢ１、かつ（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＜（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＋（Ｔｇｐ−Ｔｇｆ）×αｆ２または、Ｔｇｐ＜Ｔｇｆ、かつαＰＣＢ１＜αｆ１、かつ（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＜（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＋（Ｔｇｆ−Ｔｇｐ）×αＰＣＢ２の関係を充足する撮像素子モジュールが提供される。

本発明の他の実施形態によれば、第１の主面、第２の主面、および前記第１の主面と前記第２の主面に連続する外縁を有し、複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板と、前記第１の主面に取り付けられた枠体とを備える電子部品パッケージであって、前記基板のガラス転移温度Ｔｇｐ以下における前記基板の面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ１とし、前記Ｔｇｐ以上における前記基板の前記面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ２とし、前記枠体のガラス転移温度Ｔｇｆ以下における前記枠体の線膨張係数をαｆ１とし、前記Ｔｇｆ以上における前記枠体の線膨張係数をαｆ２とし、常温をＴｏとした場合、Ｔｇｐ＞Ｔｇｆ、かつαｆ１＜αＰＣＢ１、かつ（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＜（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＋（Ｔｇｐ−Ｔｇｆ）×αｆ２または、Ｔｇｐ＜Ｔｇｆ、かつαＰＣＢ１＜αｆ１、かつ（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＜（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＋（Ｔｇｆ−Ｔｇｐ）×αＰＣＢ２、の関係を充足する電子部品パッケージが提供される。

本発明のさらに他の実施形態によれば、第１の主面、第２の主面、および前記第１の主面と前記第２の主面に連続する外縁を有し、複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板を用意する工程と、前記第１の主面に固体撮像素子を取り付ける工程と、前記固体撮像素子の周囲を囲むように前記第１の主面に枠体を取り付ける工程と、前記枠体の上に透光性部材を取り付ける工程とを備える撮像素子モジュールの製造方法であって、前記基板のガラス転移温度Ｔｇｐ以下における前記基板の面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｐ以上における前記基板の前記面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ２とし、前記枠体のガラス転移温度Ｔｇｆ以下における前記枠体の線膨張係数をαｆ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｆ以上における前記枠体の線膨張係数をαｆ２とし、常温をＴｏとした場合、Ｔｇｐ＞Ｔｇｆ、かつαｆ１＜αＰＣＢ１、かつ（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＜（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＋（Ｔｇｐ−Ｔｇｆ）×αｆ２または、Ｔｇｐ＜Ｔｇｆ、かつαＰＣＢ１＜αｆ１、かつ（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＜（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＋（Ｔｇｆ−Ｔｇｐ）×αＰＣＢ２の関係を充足し、前記枠体を前記基板に取り付ける工程は、前記ガラス転移温度Ｔｇｐと前記ガラス転移温度Ｔｇｆとの間の温度において行われる撮像素子モジュールの製造方法が提供される。

本実施形態では車両の周囲、例えば前方または後方を撮像システム２０００で撮像する。図１８Ｂは、車両前方（撮像範囲２５１０）を撮像する場合の撮像システムを示している。撮像制御手段としての車両情報取得装置２３１０が、上述の第１および第２実施形態に記載した動作を行うように撮像システム２０００ないしは撮像装置１００４に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。

Claims (15)

1. 第１の主面、第２の主面、および前記第１の主面と前記第２の主面に連続する外縁を有し、複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板と、
   前記第１の主面に取り付けられた固体撮像素子と、
   前記固体撮像素子の周囲を囲むように前記第１の主面に取り付けられた枠体と、
   前記枠体の上に固定された透光性部材とを備える撮像素子モジュールであって、
   前記基板のガラス転移温度Ｔｇｐ以下における前記基板の面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｐ以上における前記基板の前記面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ２とし、前記枠体のガラス転移温度Ｔｇｆ以下における前記枠体の線膨張係数をαｆ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｆ以上における前記枠体の線膨張係数をαｆ２とし、常温をＴｏとした場合、
   Ｔｇｐ＞Ｔｇｆ、かつ
   αｆ１＜αＰＣＢ１、かつ
   （Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＜（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＋（Ｔｇｐ−Ｔｇｆ）×αｆ２
   または、
   Ｔｇｐ＜Ｔｇｆ、かつ
   αＰＣＢ１＜αｆ１、かつ
   （Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＜（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＋（Ｔｇｆ−Ｔｇｐ）×αＰＣＢ２、
   の関係を充足することを特徴とする撮像素子モジュール。
2. 前記ガラス転移温度Ｔｇｐは前記ガラス転移温度Ｔｇｆよりも大きく、前記枠体は前記基板上にモールド成型されていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子モジュール。
3. 前記線膨張係数αＰＣＢ１と、前記線膨張係数αｆ１とは、前記透光性部材の面内方向の線膨張係数αＬよりも小さく、かつ前記固体撮像素子の面内方向の線膨張係数αｃよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像素子モジュール。
4. 前記基板はプリプレグを含むプリント基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像素子モジュール。
5. 前記枠体は樹脂を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像素子モジュール。
6. 前記固体撮像素子は前記第１の主面に接着剤によって取り付けられたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像素子モジュール。
7. 前記接着剤はゴム弾性を有する樹脂であることを特徴とする請求項６に記載の撮像素子モジュール。
8. 前記枠体は前記基板の前記外縁を覆っていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像素子モジュール。
9. 前記枠体は前記基板の前記外縁を覆っていないことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像素子モジュール。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の前記固体撮像素子から出力された画素信号を処理する信号処理装置とを備える撮像システム。
11. 前記撮像システムの動きを検出する検出部と、
    前記検出部からの信号に基づき、前記撮像素子モジュールを変位させるアクチュエータとを備えることを特徴とする請求項１０に記載の撮像システム。
12. 前記固体撮像素子は複数の画素を備え、
    前記画素は複数の光電変換部を備え、
    前記信号処理装置は、複数の前記光電変換部にて生成された前記画素信号をそれぞれ処理し、前記固体撮像素子から被写体までの距離に基づく情報を取得することを特徴とする請求項１０または１１に記載の撮像システム。
13. 第１の主面、第２の主面、および前記第１の主面と前記第２の主面に連続する外縁を有し、複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板と、
    前記第１の主面に取り付けられた枠体とを備える撮像素子パッケージであって、
    前記基板のガラス転移温度Ｔｇｐ以下における前記基板の面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ１とし、前記Ｔｇｐ以上における前記基板の前記面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ２とし、前記枠体のガラス転移温度Ｔｇｆ以下における前記枠体の線膨張係数をαｆ１とし、前記Ｔｇｆ以上における前記枠体の線膨張係数をαｆ２とし、常温をＴｏとした場合、
    Ｔｇｐ＞Ｔｇｆ、かつ
    αｆ１＜αＰＣＢ１、かつ
    （Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＜（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＋（Ｔｇｐ−Ｔｇｆ）×αｆ２
    または、
    Ｔｇｐ＜Ｔｇｆ、かつ
    αＰＣＢ１＜αｆ１、かつ
    （Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＜（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＋（Ｔｇｆ−Ｔｇｐ）×αＰＣＢ２、
    の関係を充足することを特徴とする撮像素子パッケージ。
14. 第１の主面、第２の主面、および前記第１の主面と前記第２の主面に連続する外縁を有し、複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板を用意する工程と、
    前記第１の主面に固体撮像素子を取り付ける工程と、
    前記固体撮像素子の周囲を囲むように前記第１の主面に枠体を取り付ける工程と、
    前記枠体の上に透光性部材を取り付ける工程とを備える撮像素子モジュールの製造方法であって、
    前記基板のガラス転移温度Ｔｇｐ以下における前記基板の面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｐ以上における前記基板の前記面内方向の線膨張係数をαＰＣＢ２とし、前記枠体のガラス転移温度Ｔｇｆ以下における前記枠体の線膨張係数をαｆ１とし、前記ガラス転移温度Ｔｇｆ以上における前記枠体の線膨張係数をαｆ２とし、常温をＴｏとした場合、
    Ｔｇｐ＞Ｔｇｆ、かつ
    αｆ１＜αＰＣＢ１、かつ
    （Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＜（Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＋（Ｔｇｐ−Ｔｇｆ）×αｆ２
    または、
    Ｔｇｐ＜Ｔｇｆ、かつ
    αＰＣＢ１＜αｆ１、かつ
    （Ｔｇｆ−Ｔｏ）×αｆ１＜（Ｔｇｐ−Ｔｏ）×αＰＣＢ１＋（Ｔｇｆ−Ｔｇｐ）×αＰＣＢ２、
    の関係を充足し、
    前記枠体を前記基板に取り付ける工程は、前記ガラス転移温度Ｔｇｐと前記ガラス転移温度Ｔｇｆとの間の温度において行われることを特徴とする撮像素子モジュールの製造方法。
15. 前記ガラス転移温度Ｔｇｐは前記ガラス転移温度Ｔｇｆよりも大きく、前記ガラス転移温度Ｔｇｐと前記ガラス転移温度Ｔｇｆとの間の温度にて前記枠体を前記基板上にモールド成型することを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像素子モジュールの製造方法。