JP2019192663A - 半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体メモリの歩留まりを上げる。【解決手段】実施形態の半導体メモリは、積層部と、複数のピラーとを含む。積層部は、第1領域MRと、第1領域と異なる第2領域PRとを含む。積層部は、第1領域及び第2領域において、第1導電層と、第1導電層上の第1絶縁層25と、第1絶縁層上の第2導電層26とを含む。積層部は、第1領域において、第2導電層上に交互に積層された第2絶縁層62及び第3導電層27を含む。複数のピラーは、積層部の第1領域において、積層された第3導電層と、第2導電層と、第1絶縁層とのそれぞれを貫通し、底面が第1導電層に含まれる。第1領域における第1導電層のキャリア密度は、第2領域における第1導電層のキャリア密度よりも高い。【選択図】図24
Description
実施形態は、半導体メモリに関する。
半導体メモリとして、NAND型フラッシュメモリが知られている。
半導体メモリの歩留まりを上げる。
実施形態の半導体メモリは、積層部と、複数のピラーとを含む。積層部は、基板の表面に平行な面において、第1領域と、第1領域と異なる第2領域とを含む。積層部は、第1領域及び第2領域において、第1導電層と、第1導電層上の第1絶縁層と、第1絶縁層上の第2導電層とを含む。積層部は、第1領域において、第2導電層上に交互に積層された第2絶縁層及び第3導電層を含む。複数のピラーは、積層部の第1領域において、積層された第2絶縁層及び第3導電層と、第2導電層と、第1絶縁層とのそれぞれを貫通し、底面が第1導電層に含まれる。複数のピラーと第3導電体層とが交差する部分は、メモリセルとして機能する。第1領域における第1導電層のキャリア密度は、第2領域における第1導電層のキャリア密度よりも高い。
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。各実施形態は、発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示している。図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らない。本発明の技術思想は、構成要素の形状、構造、配置等によって特定されるものではない。
尚、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。参照符号を構成する文字の後の数字は、同じ文字を含んだ参照符号によって参照され、且つ同様の構成を有する要素同士を区別するために用いられている。同じ文字を含んだ参照符号で示される要素を相互に区別する必要がない場合、これらの要素は文字のみを含んだ参照符号により参照される。
[1]第1実施形態
以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ1について説明する。
以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ1について説明する。
[1−1]半導体メモリ1の構成
[1−1−1]半導体メモリ1の全体構成
半導体メモリ1は、例えばデータを不揮発に記憶することが可能なNAND型フラッシュメモリである。半導体メモリ1は、例えば外部のメモリコントローラ2によって制御される。図1は、第1実施形態に係る半導体メモリ1の構成例を示している。
[1−1−1]半導体メモリ1の全体構成
半導体メモリ1は、例えばデータを不揮発に記憶することが可能なNAND型フラッシュメモリである。半導体メモリ1は、例えば外部のメモリコントローラ2によって制御される。図1は、第1実施形態に係る半導体メモリ1の構成例を示している。
図1に示すように、半導体メモリ1は、例えばメモリセルアレイ10、コマンドレジスタ11、アドレスレジスタ12、シーケンサ13、ドライバモジュール14、ロウデコーダモジュール15、及びセンスアンプモジュール16を備えている。
メモリセルアレイ10は、複数のブロックBLK0〜BLKn(nは1以上の整数)を含んでいる。メモリセルアレイ10には、複数のビット線、及び複数のワード線が設けられる。ブロックBLKは、不揮発性メモリセルの集合であり、例えばデータの消去単位として使用される。各メモリセルは、1本のビット線と1本のワード線とに関連付けられる。メモリセルアレイ10の詳細な構成については後述する。
コマンドレジスタ11は、半導体メモリ1がメモリコントローラ2から受信したコマンドCMDを保持する。コマンドCMDは、例えばシーケンサ13に読み出し動作、書き込み動作、消去動作等を実行させる命令を含んでいる。
アドレスレジスタ12は、半導体メモリ1がメモリコントローラ2から受信したアドレス情報ADDを保持する。アドレス情報ADDは、例えばブロックアドレスBA、ページアドレスPA、及びカラムアドレスCAを含んでいる。ブロックアドレスBA、ページアドレスPA、及びカラムアドレスCAは、それぞれブロックBLK、ワード線、及びビット線の選択に使用される。
シーケンサ13は、半導体メモリ1全体の動作を制御する。例えば、シーケンサ13は、コマンドレジスタ11に保持されたコマンドCMDに基づいてドライバモジュール14、ロウデコーダモジュール15、及びセンスアンプモジュール16を制御して、読み出し動作、書き込み動作、消去動作等を実行する。
ドライバモジュール14は、読み出し動作、書き込み動作、消去動作等で使用される電圧を生成する。そして、ドライバモジュール14は、アドレスレジスタ12に保持されたページアドレスPAに基づいて、例えば選択ワード線に対応する信号線と非選択ワード線に対応する信号線とのそれぞれに、生成した電圧を印加する。
ロウデコーダモジュール15は、アドレスレジスタ12に保持されたブロックアドレスBAに基づいて、1つのブロックBLKを選択する。そして、ロウデコーダモジュール15は、例えば選択ワード線に対応する信号線と非選択ワード線に対応する信号線とのそれぞれに印加された電圧を、選択されたブロックBLK内の選択ワード線及び非選択ワード線にそれぞれ転送する。
センスアンプモジュール16は、書き込み動作において、メモリコントローラ2から受信した書き込みデータDATに応じて、各ビット線に所望の電圧を印加する。また、センスアンプモジュール16は、読み出し動作において、ビット線の電圧に基づいてメモリセルに記憶されたデータを判定し、判定結果を読み出しデータDATとしてメモリコントローラ2に転送する。
半導体メモリ1とメモリコントローラ2との間の通信は、例えばNANDインターフェイス規格をサポートしている。例えば、半導体メモリ1とメモリコントローラ2との間の通信では、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号WEn、リードイネーブル信号REn、レディビジー信号RBn、及び入出力信号I/Oが使用される。
コマンドラッチイネーブル信号CLEは、半導体メモリ1が受信した入出力信号I/OがコマンドCMDであることを示す信号である。アドレスラッチイネーブル信号ALEは、半導体メモリ1が受信した信号I/Oがアドレス情報ADDであることを示す信号である。ライトイネーブル信号WEnは、入出力信号I/Oの入力を半導体メモリ1に命令する信号である。リードイネーブル信号REnは、入出力信号I/Oの出力を半導体メモリ1に命令する信号である。
レディビジー信号RBnは、半導体メモリ1がメモリコントローラ2からの命令を受け付けるレディ状態であるか命令を受け付けないビジー状態であるかを、メモリコントローラ2に通知する信号である。入出力信号I/Oは、例えば8ビット幅の信号であり、コマンドCMD、アドレス情報ADD、データDAT等を含み得る。
以上で説明した半導体メモリ1及びメモリコントローラ2は、それらの組み合わせにより1つの半導体装置を構成しても良い。このような半導体装置としては、例えばSDTMカードのようなメモリカードや、SSD(solid state drive)等が挙げられる。
[1−1−2]メモリセルアレイ10の回路構成
図2は、第1実施形態に係る半導体メモリ1の備えるメモリセルアレイ10の回路構成の一例を、メモリセルアレイ10に含まれた複数のブロックBLKのうち1つのブロックBLKを抽出して示している。
図2は、第1実施形態に係る半導体メモリ1の備えるメモリセルアレイ10の回路構成の一例を、メモリセルアレイ10に含まれた複数のブロックBLKのうち1つのブロックBLKを抽出して示している。
図2に示すように、ブロックBLKは、例えば4つのストリングユニットSU0〜SU3を含んでいる。各ストリングユニットSUは、ビット線BL0〜BLm(mは1以上の整数)にそれぞれ関連付けられた複数のNANDストリングNSを含んでいる。
NANDストリングNSは、例えば8個のメモリセルトランジスタMT0〜MT7並びに選択トランジスタST1及びST2を含んでいる。
メモリセルトランジスタMTは、制御ゲート及び電荷蓄積層を含み、データを不揮発に保持する。選択トランジスタST1及びST2のそれぞれは、各種動作時におけるストリングユニットSUの選択に使用される。
各NANDストリングNSにおいて、メモリセルトランジスタMT0〜MT7は、選択トランジスタST1のソースと選択トランジスタST2のドレインとの間に直列接続される。同一のブロックBLK内のメモリセルトランジスタMT0〜MT7の制御ゲートは、それぞれワード線WL0〜WL7に共通接続される。
同一のブロックBLK内のストリングユニットSU0〜SU3にそれぞれ含まれた選択トランジスタST1のゲートは、それぞれ選択ゲート線SGD0〜SGD3に共通接続される。複数のブロックBLK間で同一列に対応する選択トランジスタST1のドレインは、対応するビット線BLに共通接続される。
同一のブロックBLK内の選択トランジスタST2のゲートは、選択ゲート線SGSに共通接続される。各ブロックBLK内の選択トランジスタST2のソースは、複数のブロックBLK間でソース線SLに共通接続される。
1つのストリングユニットSU内で共通のワード線WLに接続された複数のメモリセルトランジスタMTは、例えばセルユニットCUと称される。各セルユニットCUの記憶容量は、メモリセルトランジスタMTが記憶するデータのビット数に基づいて変化する。
例えば、1つのセルユニットCUは、メモリセルトランジスタMTの各々が1ビットデータを記憶する場合に1ページデータを記憶することが出来、メモリセルトランジスタMTの各々が2ビットデータを記憶する場合に2ページデータを記憶することが出来る。
このように、「1ページデータ」は、例えば1ビットデータを記憶するメモリセルトランジスタMTで構成されたセルユニットCUが記憶するデータの総量で定義される。
[1−1−3]メモリセルアレイ10の構造
以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ1の備えるメモリセルアレイ10の構造の一例について説明する。
以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ1の備えるメモリセルアレイ10の構造の一例について説明する。
尚、以下で参照される図面において、X方向はワード線WLの延伸方向に対応し、Y方向はビット線BLの延伸方向に対応し、Z方向は半導体メモリ1が形成される半導体基板20の表面に対する鉛直方向に対応している。図を見易くするために、平面図にはハッチングが各構成要素に適宜付加されている。平面図に付加されたハッチングは、ハッチングが付加された構成要素の素材や特性とは必ずしも関連していない。断面図では、絶縁層(層間絶縁膜)、配線、コンタクト等の構成要素が適宜省略されている。
図3は、第1実施形態におけるメモリセルアレイ10の平面レイアウトの一例を、Y方向に配列する複数のブロックBLKのうちブロックBLK0に対応する構造体を抽出して示している。
図3に示すように、例えば、ブロックBLK0のストリングユニットSU0〜SU3のそれぞれに対応する構造体は、各々がX方向に延伸して設けられ、Y方向に配列している。また、ストリングユニットSU0〜SU3のそれぞれに対応する構造体は、それぞれスリットSLTによって囲まれている。つまり、Y方向に隣り合うストリングユニットSU間には、X方向に延伸したスリットSLTが設けられている。
言い換えると、X方向に延伸した複数のスリットSLTが、Y方向に配列している。Y方向に延伸した2本のスリットSLTが、X方向に延伸した複数のスリットSLTのX方向における一端部分と他端部分とをそれぞれ繋ぐように設けられる。Y方向に延伸した2本のスリットSLTと、Y方向に隣り合うスリットSLTとの間の構造体が、1つのストリングユニットSUに対応している。尚、スリットSLTに囲まれた各領域には、複数のストリングユニットSUが設けられても良い。
ストリングユニットSUに対応する構造体が設けられた領域は、メモリ領域MR及び引出領域HRに分類される。まず、ストリングユニットSUのメモリ領域MRにおける詳細な構造について説明する。
メモリ領域MRは、実質的にデータを保持する領域である。メモリ領域MRには、複数のメモリピラーMPが例えば千鳥状に設けられる。メモリピラーMPの各々は、例えば1つのNANDストリングNSとして機能する。尚、図3に示されたメモリピラーMPの個数は模式的なものであり、メモリピラーMPの個数は図示された個数に限定されない。
図4は、第1実施形態におけるメモリセルアレイ10のメモリ領域MRにおける詳細な平面レイアウトの一例を、ストリングユニットSU0及びSU1のそれぞれに対応する構造体を抽出して示している。
図4に示すように、メモリセルアレイ10には、複数のビット線BLと複数のコンタクトCPとのそれぞれが、メモリピラーMPの位置に対応して配置される。
複数のビット線BLのそれぞれはY方向に延伸し、複数のビット線BLはX方向に配列している。例えば、各メモリピラーMPには、2本のビット線BLが重なっている。尚、各メモリピラーMPと重なるビット線BLの本数は、任意の本数に設計され得る。
各コンタクトCPは、対応するビット線BLとメモリピラーMPとの間に設けられる。各メモリピラーMPは、コンタクトCPを介して1本のビット線と電気的に接続される。1つのメモリピラーMPに複数のビット線BLが重なっている場合、コンタクトCPは、メモリピラーMPに重なっているビット線BLのうち1本のビット線BLと、当該メモリピラーMPとの間に設けられる。
図5は、図4のV−V線に沿った断面図であり、第1実施形態におけるメモリセルアレイ10のメモリ領域MRにおける断面構造の一例を示している。
図5に示すように、メモリ領域MRにおいてメモリセルアレイ10は、例えば導電体21、導電体22〜24、絶縁層25、導電体26〜29、メモリピラーMP、コンタクトCP、並びにスリットSLTを含んでいる。
半導体基板20の上方には、絶縁層を介して導電体21が設けられる。導電体21は、例えばXY平面に沿って広がった板状に形成される。導電体21は、例えばタングステン(W)を含んでいる。尚、半導体基板20と導電体21との間の領域には、例えばロウデコーダモジュール15やセンスアンプモジュール16等の回路が設けられる(図示せず)。
導電体21上には、導電体22が設けられる。導電体22上には、導電体23が設けられる。導電体23上には、導電体24が設けられる。導電体22〜24のそれぞれは、例えばXY平面に沿って広がった板状に形成される。
導電体21〜24のそれぞれの間は、それぞれ電気的に接続されている。導電体21〜24の組は、ソース線SLとして使用される。以下では、導電体21〜24の組のことを、ソース線部と称する。
導電体22及び24のそれぞれは、例えばノンドープのポリシリコン(Si)である。導電体23は、例えばリンがドープされたポリシリコン(Si)である。
導電体24上には、絶縁層25が設けられる。絶縁層25は、例えば二酸化シリコン(SiO2)等の絶縁体を含んでいる。
絶縁層25上には、導電体26が設けられる。導電体26は、例えばXY平面に沿って広がった板状に形成される。導電体26は、例えば選択ゲート線SGSとして使用される。導電体26は、例えばリンがドープされたポリシリコン(Si)である。
導電体26上には、絶縁層と導電体27とが交互に積層される。導電体27は、例えばXY平面に沿って広がった板状に形成される。積層された複数の導電体27は、半導体基板20側から順に、それぞれワード線WL0〜WL7として使用される。導電体27は、例えばタングステン(W)を含んでいる。
最上層の導電体27上には、絶縁層を介して導電体28が設けられる。導電体28は、例えばXY平面に沿って広がった板状に形成される。導電体28は、例えば選択ゲート線SGDとして使用される。導電体28は、例えばタングステン(W)を含んでいる。
導電体28上には、絶縁層を介して導電体29が設けられる。導電体29は、Y方向に沿って延伸したライン状に形成される。導電体29は、ビット線BLとして使用される。つまり、図示せぬ領域において複数の導電体29は、X方向に沿って配列している。導電体29は、例えば銅(Cu)を含んでいる。
メモリピラーMPは、Z方向に沿って延伸した柱状に形成され、例えば導電体23及び24、絶縁層25、導電体26、複数の導電体27、並びに導電体28を貫通している。
メモリピラーMPの上端は、導電体28が設けられた層と導電体29が設けられた層との間の層に含まれている。
メモリピラーMPの下端は、例えば導電体22が設けられた層に含まれている。言い換えると、メモリピラーMPの底面は、導電体22を貫通せずに止まっている。
また、メモリピラーMPは、例えばコア部材30、半導体31、積層膜32、及び導電体33を含んでいる。
コア部材30は、Z方向に沿って延伸した柱状に形成される。コア部材30の上端は、例えば導電体28が設けられた層と導電体29が設けられた層との間の層に含まれている。コア部材30の下端は、例えば導電体22が設けられた層に含まれている。コア部材30は、例えば二酸化シリコン(SiO2)等の絶縁体を含んでいる。
コア部材30の側面及び下面は、半導体31によって覆われている。半導体31は、側面接触部SCを有している。側面接触部SCは、導電体23が設けられた層に含まれている。半導体31は、側面接触部SCにおいて導電体23と接触し、導電体23と電気的に接続される。半導体31は、例えばポリシリコン(Si)である。
導電体23を含み且つ半導体基板20の表面に平行な断面におけるメモリピラーMPの構造の一例が、図6に示されている。
図6に示すように、導電体23を含む層においてコア部材30は、メモリピラーMPの中央部に設けられている。半導体31は、コア部材30を囲っている。導電体23は、半導体31の側面(側面接触部SC)に接触している。
図5に戻り、半導体31の側面と下面とは、積層膜32によって覆われている。尚、側面接触部SC近傍では、積層膜32が設けられない。メモリピラーMPの側面接触部SC近傍、すなわちメモリピラーMPの上部に設けられた積層膜32と、メモリピラーMPの下部に設けられた積層膜32との間には、上述したように導電体23が設けられる。
ワード線WLとして使用される導電体27を含み且つ半導体基板20の表面に平行な断面におけるメモリピラーMPの構造の一例が、図7に示されている。
図7に示すように、導電体27を含む層においてコア部材30は、メモリピラーMPの中央部に設けられている。半導体31は、コア部材30の側面を囲っている。積層膜32は、半導体31の側面を囲っている。積層膜32は、例えばトンネル酸化膜34、絶縁膜35、及びブロック絶縁膜36を含んでいる。
トンネル酸化膜34は、半導体31に接触し且つ半導体31の側面を囲っている。絶縁膜35は、トンネル酸化膜34に接触し且つトンネル酸化膜34の側面を囲っている。ブロック絶縁膜36は、絶縁膜35に接触し且つ絶縁膜35の側面を囲っている。導電体27は、ブロック絶縁膜36に接触し且つブロック絶縁膜36の側面を囲っている。
再び図5に戻り、コア部材30及び半導体31の上部には、導電体33が形成される。導電体33は、半導体31と電気的に接続されている。導電体33の側面は、例えば積層膜32によって覆われている。導電体33は、例えばポリシリコン(Si)であり、半導体31と一体で形成され得る。
以上で説明したメモリピラーMPの構成では、例えば、メモリピラーMPと導電体26とが交差する部分が、選択トランジスタST2として機能する。メモリピラーMPと複数の導電体27のそれぞれとが交差する部分が、それぞれメモリセルトランジスタMT0〜MT7として機能する。メモリピラーMPと導電体28とが交差する部分が、選択トランジスタST1として機能する。
つまり、半導体31は、メモリセルトランジスタMT並びに選択トランジスタST1及びST2のそれぞれのチャネルとして機能する。絶縁膜35は、メモリセルトランジスタMTの電荷蓄積層として機能する。
尚、メモリピラーMPは、複数のピラーがZ方向に連結された構造であっても良い。例えば、メモリピラーMPは、導電体28(選択ゲート線SGS)を貫通するピラーと、複数の導電体27(ワード線WL)を貫通するピラーとが連結された構造であっても良い。また、メモリピラーMPは、それぞれが複数の導電体27を貫通する複数のピラーがZ方向に連結された構造であっても良い。
メモリピラーMPの導電体33上には、柱状のコンタクトCPが設けられる。コンタクトCPの上面には、1個の導電体29、すなわち1本のビット線BLが接触している。尚、メモリピラーMPと導電体29との間は、2つ以上のコンタクトを介して電気的に接続されても良いし、その他の配線を介して電気的に接続されても良い。
スリットSLTは、Z方向に沿って延伸した板状に形成され、例えば導電体23及び24、絶縁層25、導電体26、複数の導電体27、並びに導電体28を分断している。このため、第1実施形態に係る半導体メモリ1において、導電体26、導電体27、及び導電体28のそれぞれは、X方向に延伸した形状となる。
スリットSLTの上端は、導電体28が設けられた層と導電体29が設けられた層との間の層に含まれている。スリットSLTの下端は、例えば導電体22が設けられた層に含まれている。言い換えると、スリットSLTの底面は、導電体22を貫通せずに止まっている。尚、スリットSLTは、少なくとも導電体26〜28を分断していれば良い。
また、スリットSLTは段差部CTを含み、段差部CTを境界としてスリット幅が変化している。具体的には、段差部CTは、例えば絶縁層25に含まれている。段差部CTよりも下層のスリット幅は、段差部CTよりも上層のスリット幅よりも狭い。
スリットSLTの内部には、絶縁体40が設けられる。絶縁体40は、例えば二酸化シリコン(SiO2)等の絶縁体を含んでいる。尚、絶縁体40は、複数種類の絶縁体により構成されても良い。例えば、スリットSLTに二酸化シリコンが埋め込まれる前に、スリットSLTの側壁として窒化シリコン(SiN)が形成されても良い。
次に、図3に戻り、ストリングユニットSUの引出領域HRにおける詳細な構造について説明する。
引出領域HRは、メモリ領域MRに設けられたNANDストリングNSに接続された各種配線とロウデコーダモジュール15との間を電気的に接続するための領域である。
引出領域HRにおいて、選択ゲート線SGS、ワード線WL0〜WL7、及び選択ゲート線SGDにそれぞれ対応する複数の導電体は、例えば階段状に設けられる。図3に示す一例では、ワード線WLに対応する導電体の端部は、2列の階段状に設けられている。
また、引出領域HRには、例えば選択ゲート線SGS、ワード線WL0〜WL7、及び選択ゲート線SGDのそれぞれに対応して、コンタクトCCが設けられている。選択ゲート線SGS、ワード線WL0〜WL7、及び選択ゲート線SGDのそれぞれは、対応するコンタクトCCを介して、ロウデコーダモジュール15に電気的に接続される。
図8は、図3のVIII−VIII線に沿った断面図であり、第1実施形態におけるメモリセルアレイ10の引出領域HRにおける断面構造の一例を示している。尚、図8に示された領域では、選択ゲート線SGS、ワード線WL0、WL2、WL4、及びWL6、並びに選択ゲート線SGDにそれぞれ対応する構成が表示されている。
図8に示すように、引出領域HRにおいてメモリセルアレイ10は、例えば導電体21〜24及び26、導電体27及び28、複数のコンタクトCC、並びに導電体52〜54を含んでいる。
例えば、選択ゲート線SGS、ワード線WL、及び選択ゲート線SGDにそれぞれ対応する導電体26、導電体27、導電体28のそれぞれの端部は、上述したように階段状に設けられる。これに限定されず、引出領域HRにおいて、導電体26〜28のそれぞれの端部は、少なくとも上層に設けられた導電体27又は28と重ならない部分を有していれば良い。
各コンタクトCCは、Z方向に沿って延伸した柱状に形成され、例えば導電体50及びスペーサ51を含んでいる。導電体50は、コンタクトCCの上面から下面に亘って延伸した柱状に形成される。スペーサ51は、導電体50の側面に形成され、円筒状に形成される。言い換えると、導電体50の側面は、スペーサ51によって覆われている。導電体50は、例えばタングステン(W)を含んでいる。スペーサ51は、例えば窒化シリコン(SiN)等の絶縁体を含んでいる。
導電体52〜54のそれぞれは、メモリ領域MRから引出領域HRに引き出された各種配線と、ロウデコーダモジュール15との間を接続するための配線である。導電体52は、導電体26に対応して設けられる。複数の導電体53は、それぞれ複数の導電体27に対応して設けられる。導電体54は、導電体28に対応して設けられる。
導電体26の端部上にコンタクトCCが設けられ、当該コンタクトCC上に導電体52が設けられる。複数の導電体27のそれぞれの端部上にそれぞれコンタクトCCが設けられ、当該複数のコンタクトCC上にそれぞれ導電体53が設けられる。導電体28の端部上にコンタクトCCが設けられ、当該コンタクトCC上に導電体54が設けられる。
以上で説明した導電体52〜54のそれぞれは、図示せぬ領域においてロウデコーダモジュール15と電気的に接続される。導電体52〜54がそれぞれ形成される層は、同じであっても良いし、異なっていても良い。導電体26並びに導電体27及び28のそれぞれの端部と対応する導電体52〜54との間は、2つ以上のコンタクトを介して電気的に接続されても良いし、その他の配線を介して電気的に接続されても良い。
以上で説明したメモリセルアレイ10の構造において、導電体27の個数は、ワード線WLの本数に基づいて設計される。選択ゲート線SGSには、複数層に設けられた複数の導電体26が割り当てられても良い。選択ゲート線SGSが複数層に設けられる場合に、導電体26と異なる導電体が使用されても良い。選択ゲート線SGDには、複数層に設けられた複数の導電体28が割り当てられても良い。
尚、本明細書では、スリットSLTが導電体27及び28を分断した構造が例示されているが、スリットSLTは、導電体28を分断していなくても良い。この場合、メモリピラーMPはZ方向に複数のピラーが連結された構造を有し、下方に設けられたピラーが導電体27を貫通し、上方に設けられたピラーが導電体28を貫通する。そして、導電体28は、スリットSLTと異なるスリットによって分断され、複数に分割された導電体28のそれぞれが選択ゲート線SGDとして機能する。
[1−2]半導体メモリ1の製造方法
図9は、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法の一例を示すフローチャートである。図10〜図24のそれぞれは、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程において、メモリ領域MRに形成される構造体の断面構造の一例を示している。
図9は、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法の一例を示すフローチャートである。図10〜図24のそれぞれは、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程において、メモリ領域MRに形成される構造体の断面構造の一例を示している。
以下に、図9と、図10〜図24のうち何れかの図面とを参照して、半導体メモリ1の製造方法の一例について、ソース線部の形成からスリットSLTの形成までの一連の工程を抽出して説明する。
尚、以下で参照される断面図に示された周辺領域PRは、メモリセルアレイ10において、図3を用いて説明したスリットSLTから離れた領域に対応している。第1実施形態に係る半導体メモリ1において、周辺領域PRには、例えばメモリセルアレイ10を貫通し、半導体基板20上の回路に電気的に接続されるコンタクトが形成される。
まず、図10に示すように、ソース線部が積層される(ステップS10)。
具体的には、半導体基板20上に層間絶縁膜60が形成され、層間絶縁膜60上に導電体21が形成される。そして、導電体21上に、導電体22、犠牲部材61、導電体24、及び絶縁層25が順に積層される。尚、導電体21が形成される前には、図示せぬ回路が半導体基板20上及び層間絶縁膜60内に形成される。
犠牲部材61としては、導電体22及び24のそれぞれに対してエッチング選択比を大きくすることが可能な材料が選択される。犠牲部材61は、例えばゲルマニウム(Ge)を含む半導体、すなわちシリコンゲルマニウム(SiGe)である。本例では、導電体22及び24のそれぞれがノンドープのポリシリコン膜であり、犠牲部材61がシリコンゲルマニウム膜であるものと仮定して説明する。
次に、図11に示すように、導電体26が形成され、複数の置換部材63が積層される(ステップS11)。
具体的には、絶縁層25上に、導電体26が積層される。導電体26上に、絶縁層62及び置換部材63が交互に積層される。置換部材63が形成される層数は、例えば積層するワード線WL及び選択ゲート線SGDの層数に対応している。絶縁層62は、例えば二酸化シリコン(SiO2)を含んでいる。置換部材63は、例えば窒化シリコン(SiN)を含んでいる。
次に、引出領域HRにおける構造体が加工され、図12に示すように周辺領域PRにおける構造体が加工される(ステップS12)。
具体的には、図示せぬ領域において、積層された置換部材63が、例えば図8を用いて説明したような階段構造に加工される。すると、例えば周辺領域PRにおける絶縁層62及び置換部材63が、本加工によって除去される。
その後、半導体基板20上に形成された構造体上に絶縁膜64が形成され、形成された絶縁膜64上が例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)によって平坦化される。
次に、図13に示すように、メモリピラーMPを形成する領域に対応してメモリホールMHが形成される(ステップS13)。
具体的には、まずフォトリソグラフィ等によって、メモリピラーMPを形成する領域が開口したマスクが絶縁膜64上に形成される。そして、形成されたマスクが利用されたエッチングによって、メモリホールMHが絶縁膜64の上面から導電体22に達するように形成される。
つまり、本工程においてメモリホールMHは、絶縁膜64、複数の置換部材63、複数の絶縁層62、導電体26、絶縁層25、導電体24、及び犠牲部材61のそれぞれを貫通する。そして、メモリホールMHの底部は、例えば導電体22が形成された層内で停止する。本工程におけるエッチング方法としては、例えばRIE(Reactive Ion Etching)等の異方性エッチングが使用される。
尚、本工程では、導電体26がエッチングストッパとして利用されても良い。導電体26がエッチングストッパとして利用されることにより、メモリホールMHの底部が導電体22の内部に入り込み過ぎることが抑制され、さらに複数のメモリホールMHの底部の位置のばらつきが抑制される。
次に、図14に示すように、メモリホールMHの内部にメモリピラーMPが形成される(ステップS14)。
具体的には、例えば、積層膜32(ブロック絶縁膜36、絶縁膜35、及びトンネル酸化膜34)、半導体31、及びコア部材30が、この順番で、絶縁膜64の上面とメモリホールMHの内壁とのそれぞれに形成される。
その後、絶縁膜64の上面よりも上層に形成された積層膜32、半導体31、及びコア部材30が除去され、メモリホールMHの上部に設けられたコア部材30が除去される。尚、この“メモリホールMHの上部”は、最上層に設けられた置換部材63の上面よりも上層に含まれた部分に対応している。それから、メモリホールMHのそれぞれの内部でコア部材30が除去された領域に、導電体33が形成される。
次に、図15に示すように、絶縁膜64の上面とメモリピラーMPの上面とのそれぞれに、保護膜65が形成される(ステップS15)。保護膜65としては、例えば二酸化シリコンが形成される。
次に、図16に示すように、スリットSLTが形成される(ステップS16)。
具体的には、まず、フォトリソグラフィ等によって、スリットSLTを形成する領域が開口したマスクが保護膜65上に形成される。そして、形成されたマスクが利用されたエッチングによって、スリットSLTが、保護膜65の上面から絶縁層25に達するように形成される。
つまり、本工程においてスリットSLTは、保護膜65、絶縁膜64、複数の置換部材63、複数の絶縁層62、及び導電体26のそれぞれを貫通する。そして、スリットSLTの底部は、例えば絶縁層25が形成された層内で停止する。本工程におけるエッチング方法としては、例えばRIE等の異方性エッチングが使用される。
尚、本工程のエッチングでは、スリットSLTの底部が絶縁層25が形成された層内で停止することが好ましいが、スリットSLTの底部が導電体24が形成された層に到達していても良い。
次に、図17に示すように、スペーサ66が形成される(ステップS17)。
具体的には、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)によって、保護膜65の上面とスリットSLTの内壁とにそれぞれスペーサ66が形成される。スペーサ66としては、例えば窒化シリコンが形成される。
次に、図18に示すように、スペーサ66が加工される(ステップS18)。
具体的には、例えばRIEによって、保護膜65の上面に形成されたスペーサ66と、スリットSLTの底部に形成されたスペーサ66とが除去される。これにより、スリットSLTの側面には、例えば窒化シリコンの側壁が形成される。
尚、本工程のエッチングは、スリットSLTの底部に形成されたスペーサ66が除去された後にも継続される。その結果、本工程のエッチングによってスリットSLTの底部は、例えば犠牲部材61が形成された層まで到達する。
本工程においてスリットSLTは、犠牲部材61を貫通していても良いし、スリットSLTの底部が導電体22が形成された層内に到達していても良い。本工程においてスリットSLTは、少なくとも犠牲部材61まで到達していれば良い。
次に、図19に示すように、犠牲部材61が除去される(ステップS19)。
具体的には、犠牲部材61がシリコンゲルマニウムである場合、例えば三フッ化塩素(ClF3)ガスを用いたCDE(Chemical Dry Etching)によって、犠牲部材61がスリットSLTを介して選択的にエッチングされ、犠牲部材61が選択的に除去される。その結果、メモリピラーMPの下部において、積層膜32の側面が露出する。尚、犠牲部材61は、周辺領域PRにおいて除去されずに残っていても良い。
次に、図20に示すように、メモリピラーMP底部の積層膜32が除去される(ステップS20)。
具体的には、例えばウェットエッチング又はドライエッチングによって、ブロック絶縁膜36、絶縁膜35、及びトンネル酸化膜34が順次除去される。その結果、メモリピラーMPの下部において、半導体31の側面が露出する。
次に、図21に示すように、導電体23が形成される(ステップS21)。
具体的には、例えばCVDによって、ステップS20において犠牲部材61が除去された空間に導電体23が形成され、その後エッチバックされる。その結果、メモリピラーMPの半導体31と、ソース線部(導電体21〜24の組)とが電気的に接続される。導電体23としては、例えばリンがドープされたポリシリコンが形成される。
尚、導電体23が形成された後のエッチバックの方法としては、例えば等方性のエッチングが使用される。本工程では、犠牲部材61が除去された空間が導電体23(例えばリンがドープされたポリシリコン)によって埋め込まれるが、スリットSLTの溝は、例えば導電体23によって埋め込まれない必要がある。この場合、スリットSLT底部の幅は、犠牲部材61の積層方向における幅よりも大きい必要がある。
次に、図22に示すように、スペーサ66及び置換部材63が除去される(ステップS22)。
具体的には、まずスリットSLT内で露出した導電体22〜24(ポリシリコン膜)の表面が酸化され、酸化保護膜(図示せず)が形成される。尚、ポリシリコン膜の表面に酸化保護膜を形成する際には、スペーサ66の表面には酸化保護膜が形成されない必要がある。つまり、本工程において酸化保護膜を形成する際には、選択酸化をする必要がある。
その後、例えば熱リン酸によるウェットエッチングによって、スペーサ66及び置換部材63が除去される。置換部材63が除去された構造体は、例えばメモリピラーMPによってその立体構造が維持される。
次に、図23に示すように、導電体27及び28が形成される(ステップS23)。
具体的には、ステップS22において置換部材63が除去された空間に、導電体27又は28に対応する導電体が形成される。例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)等のブロック膜が形成された後に、タングステン(W)等の金属膜が埋め込まれる。
そして、スリットSLT内に形成された導電体が、例えばウェットエッチングによって除去される。すると、異なる層に設けられた複数の導電体27と導電体28とが、それぞれ分離される。その結果、例えばワード線WL0〜WL7にそれぞれ対応する複数の導電体27と、選択ゲート線SGDに対応する導電体28とがそれぞれ形成される。
次に、図24に示すように、スリットSLT内に絶縁体40が形成される(ステップS24)。本工程では、スリットSLT内に絶縁体40が埋め込まれる前に、スリットSLTの側壁として窒化シリコン等が形成されても良い。
以上で説明した製造工程によって、NANDストリングNSと、NANDストリングNSに接続されるソース線SL、選択ゲート線SGS及びSGD、並びにワード線WLとのそれぞれが形成される。尚、以上で説明した製造工程はあくまで一例であり、各製造工程の間にその他の処理が挿入されても良い。
[1−3]ソース線部のその他の構成について
以上で説明したメモリセルアレイ10の構成及び製造方法において、ソース線部の積層構造は、その他の構成であっても良い。例えば、導電体22及び24として使用される材料と犠牲部材61として使用される材料との組み合わせは、その他の組み合わせであっても良い。以下に、導電体22及び24並びに犠牲部材61の第1〜第7の組み合わせについて順に説明する。
以上で説明したメモリセルアレイ10の構成及び製造方法において、ソース線部の積層構造は、その他の構成であっても良い。例えば、導電体22及び24として使用される材料と犠牲部材61として使用される材料との組み合わせは、その他の組み合わせであっても良い。以下に、導電体22及び24並びに犠牲部材61の第1〜第7の組み合わせについて順に説明する。
(第1の組み合わせ)
第1の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして炭素(C)がドープされたポリシリコン(Si)が使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウム(SiGe)が使用される。
第1の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして炭素(C)がドープされたポリシリコン(Si)が使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウム(SiGe)が使用される。
第1実施形態に第1の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えばフッ化水素(HF)及び硝酸(HNO3)を含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第2の組み合わせ)
第2の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして窒素(N)がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。
第2の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして窒素(N)がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。
第1実施形態に第2の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えばフッ化水素及び硝酸を含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第3の組み合わせ)
第3の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして酸素(O)がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。
第3の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして酸素(O)がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。
第1実施形態に第3の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えばフッ化水素及び硝酸を含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第4の組み合わせ)
第4の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとしてボロン(B)がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。
第4の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとしてボロン(B)がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。
第1実施形態に第4の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えばフッ化水素及び硝酸を含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第5の組み合わせ)
第5の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして炭素がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第5の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして炭素がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第1実施形態に第5の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えば水酸化カリウム(KOH)を含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第6の組み合わせ)
第6の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして窒素がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第6の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして窒素がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第1実施形態に第6の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えばコリンを含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第7の組み合わせ)
第7の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして酸素がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第7の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとして酸素がドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第1実施形態に第7の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えばコリンを含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
(第8の組み合わせ)
第8の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとしてボロンがドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第8の組み合わせでは、導電体22及び24のそれぞれとしてボロンがドープされたポリシリコンが使用され、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。
第1実施形態に第8の組み合わせが適用された場合、半導体メモリ1の製造工程のステップS19では、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を含む水溶液を用いたウエットエッチングが実行される。
以上で説明した第1〜第4の組み合わせのそれぞれでは、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが使用される。そして、ステップS19のウェットエッチングでは、例えばシリコンゲルマニウムのエッチングレートが高いHF/HNO3水溶液が使用される。その結果、ステップS19のエッチングにおいて、導電体22及び24と犠牲部材61との間のエッチング選択比が大きくなり、選択的に犠牲部材61を除去することが可能となる。
第5〜第8の組み合わせのそれぞれでは、犠牲部材61としてノンドープのポリシリコンが使用される。そして、導電体22及び24として何らかの不純物がドープされたポリシリコンが使用されることによって、ステップS19の有機アルカリ水溶液を用いたウェットエッチングにおける半導体22及び24のエッチングレートが低くなる。その結果、ステップS19のエッチングにおいて、導電体22及び24と犠牲部材61との間のエッチング選択比が大きくなり、選択的に犠牲部材61を除去することが可能となる。
尚、第4及び第8の組み合わせでは、犠牲部材61が形成された領域に形成される導電体23(例えばリンがドープされたポリシリコン)によって、導電体22及び24のボロンを補償し、全体としてはn型半導体膜として動作させることが望ましい。言い換えると、導電体22〜24で構成されるソース線部の半導体層では、電子密度を、正孔密度よりも高くすることが望ましい。この理由は、NANDストリングNSはn型動作させることが望ましく、ソース線部に使用される導電体22及び24をn型とする必要があるからである。
第4及び第8の組み合わせにおいて、導電体22及び24をn型半導体膜にするためには、例えば導電体23が形成された後の熱処理によって、導電体23内のリンを導電体22及び24に拡散させる。そして、導電体22及び24のそれぞれがリン及びボロンを含み、且つリンのドープ量がボロンのドープ量を上回るようにする。
その結果、ソース線部の半導体層では、電子密度が正孔密度を上回り、導電体22及び24のそれぞれが、n型動作することが可能となる。
以上の説明では、導電体22及び24が同様の材料で構成される場合を例に挙げたが、導電体22と導電体24とは異なる組成であっても良い。例えば、導電体22と導電体24とのそれぞれにドープされる不純物の濃度が異なっていても良いし、導電体22にドープされる不純物と導電体24にドープされる不純物とが異なっていても良い。
以上で説明した第1実施形態に係る半導体メモリ1の構成及び製造方法において、ポリシリコンは、成膜時点においてアモルファス状態であっても良い。例えば、半導体メモリ1の製造工程では、途中の熱処理を低減することにより、ステップS21において形成される導電体23がアモルファス状態であっても良い。アモルファス状態で形成されたシリコン膜は、例えばその後の熱処理によって結晶化される。
[1−4]第1実施形態の効果
以上で説明した第1実施形態に係る半導体メモリ1に依れば、半導体メモリ1の歩留まりを向上することが出来る。以下に、本効果の詳細について説明する。
以上で説明した第1実施形態に係る半導体メモリ1に依れば、半導体メモリ1の歩留まりを向上することが出来る。以下に、本効果の詳細について説明する。
メモリセルが三次元に積層された半導体記憶装置の製造工程では、例えば置換部材と絶縁層とが交互に積層された積層体が形成された後に、メモリホールが形成される。メモリホール内には、例えばONO(Oxide-Nitride-Oxide)膜、チャネル半導体を含む多層膜が形成され、NANDストリングとして機能するメモリピラーが形成される。各メモリピラーでは、例えば底部におけるONO膜が除去され、メモリピラー内のチャネル半導体は、メモリピラーの底面を介してソース線に電気的に接続される。
その後、メモリセルアレイが形成される構造体にスリットが形成され、置換部材を導電体に置換する処理が実行される。その結果、NANDストリングNSに接続される配線が積層された積層配線構造が形成される。このような半導体記憶装置において単位面積当たり記憶容量を大きくする方法としては、ワード線の積層数を増やして、1つのNANDストリングが含むメモリセルの数を増やすことが考えられる。
しかし、ワード線の積層数を増やす場合には、メモリホールのアスペクト比が増大し、RIE等によってメモリホール底部に形成されたONO膜を除去する難易度が高くなる。つまり、メモリホールのアスペクト比が高くなることに伴い、メモリピラーの底面からソース線のコンタクトを確保することが困難になることが考えられる。
これに対して、第1実施形態に係る半導体メモリ1では、メモリピラーMP内のチャネル半導体(半導体31)とソース線SL(例えば導電体23)との間が、メモリピラーMPの下部側面を介して電気的に接続される。
具体的には、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、まずソース線部として、導電体22、犠牲部材61、導電体24が順に積層される。そして、スリットSLTを形成した後且つワード線WL等の置換処理が実行される前に、スリットSLTを介して犠牲部材61が除去される。その後、犠牲部材61が除去された空間を介してメモリピラー下部側面のONO膜(積層膜32)が除去され、当該空間に導電体23が形成される。
その結果、第1実施形態に係る半導体メモリ1では、メモリピラーMP内の半導体31と、ソース線部の導電体23とが、メモリピラーMPの下部側面において接触する。つまり、メモリピラーMPのチャネル半導体とソース線SLとの間が、メモリピラーMPの下部側面を介して電気的に接続される。
このように、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法では、メモリピラーMPの下部側面においてソース線SLとのコンタクトを形成することによって、高アスペクト比のメモリホールMHの底部に対するRIEを省略することが可能となる。
これにより、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、ソース線SLのコンタクト形成時のプロセス難易度を下げることが出来、メモリホールMHの加工時における制約を緩和することが出来る。従って、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、半導体メモリ1の歩留まりを向上することが出来る。
第1実施形態に係る半導体メモリ1では、さらに以下で示す効果を得ることが出来る。以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ1のその他の効果について羅列する。
第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法では、メモリピラーMP内の半導体31とソース線部との接触面積のばらつきが抑制されるため、NANDストリングNSの特性ばらつきも改善され得る。
第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法では、犠牲部材61と、犠牲部材61を挟む導電体22及び24との間で、エッチングの選択比を大きくすることが可能な材料が選択される。そして、導電体22及び24と犠牲部材61とは、基本的に同族元素による半導体膜の積層構造とされる。ソース線部の積層構造の一例としては、例えばSi/SiGe/Si(導電体22/犠牲部材61/導電体24)が挙げられる。
この場合、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法では、メモリホールMHを形成するRIEにおいて、複雑なステップ切替が不要となる。すなわち、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法では、メモリホールMHの加工が容易となり、メモリホールMHの孔径の制御性が向上する。従って、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法
では、歩留まり及び特性ばらつきを改善することが出来る。
では、歩留まり及び特性ばらつきを改善することが出来る。
第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程のうち、犠牲部材61が除去される工程では、導電体26は、スリットSLTの開口部分と導電体26との間にスペーサ66が形成されていることによって保護される。一方で、導電体22及び24は、犠牲部材61とのエッチング選択比が大きいことから、当該工程のエッチングにより意図されない形状に加工されることが抑制され得る。
このため、第1実施形態に係る半導体メモリ1では、犠牲部材61の除去時に導電体22及び24の側面が保護されていなくても良く、スペーサ66を形成する範囲を狭くすることが出来る。
その結果、第1実施形態に係る半導体メモリ1では、スペーサ66が形成される範囲が犠牲部材61が形成された層まで達した場合に生じ得る、導電体23の埋め込み不良の発生を抑制することが出来る。従って、第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、導電体23を安定的に形成することが可能となり、歩留まりを上げることが出来る。
第1実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法では、犠牲部材61が除去された空間に導電体23(例えば、リンがドープされたポリシリコン)が埋め込まれる。この導電体23は、スリットSLTの側壁及び底部にも形成される。そして、スリットSLTの側壁及び底部に形成された導電体23は、エッチバックによって除去される。
スリットSLT内に形成される導電体23の膜厚は、犠牲部材61の層厚に基づいて変化する。このため、第1実施形態に係る半導体メモリ1では、犠牲部材61の層厚を抑制することによって、スリットSLT内の導電体23の膜厚を薄くすることが可能となる。
このように犠牲部材61の層厚が可能な限り薄く設計された場合、導電体23を形成した後のエッチバック量が抑制され得る。その結果、第1実施形態に係る半導体メモリ1では、スリットSLTの幅を縮小することが可能となる。従って、第1実施形態に係る半導体メモリ1は、メモリセルアレイの10の面積を縮小することが出来、製造コストを削減することが出来る。
第1実施形態に係る半導体メモリ1の構造では、犠牲部材61が残存する領域(例えば周辺領域PR)が存在し得る。周辺領域PRでは、例えばワード線WL等から引き出された配線(例えば導電体53)を、半導体基板20上の回路と接続するための貫通コンタクトが形成される。このような貫通コンタクトは、例えば貫通コンタクトの側壁に形成されたスペーサ絶縁膜によって、ソース線部と絶縁される。
このような場合においても、第1実施形態に係る半導体メモリ1において犠牲部材61は、導電体22及び24のそれぞれと電気的に接続された状態であるため、意図されない電荷の蓄積等の発生が抑制される。
その結果、第1実施形態に係る半導体メモリ1は、犠牲部材61が残存し且つ貫通コンタクトがソース線部を貫通する領域において、後天的に発生するショート不良の発生を抑制することが出来る。従って、第1実施形態に係る半導体メモリ1は、ソース線部に関する不良の識別が容易になり、歩留まりを向上することが出来る。
第1実施形態に係る半導体メモリ1に第5〜第8のいずれかの組み合わせが適用される場合、導電体22及び24並びに犠牲部材61の差異がドープされる不純物の種類及び量のみとなる。
このため、第5〜第8のいずれかの組み合わせが適用された場合の半導体メモリ1の製造コストは、SiGeが使用された第1〜第4のいずれかの組み合わせが適用された半導体メモリ1の製造コストよりも小さくなる。
[2]第2実施形態
第2実施形態に係る半導体メモリ1は、第1実施形態に対して、ソース線部の積層構造が異なる。以下に、第2実施形態に係る半導体メモリ1について、第1実施形態と異なる点を説明する。
第2実施形態に係る半導体メモリ1は、第1実施形態に対して、ソース線部の積層構造が異なる。以下に、第2実施形態に係る半導体メモリ1について、第1実施形態と異なる点を説明する。
[2−1]メモリセルアレイ10の構造
図25は、第2実施形態におけるメモリセルアレイ10のメモリ領域MRにおける断面構造の一例を、第1実施形態で説明された図5と同様の領域を抽出して示している。
図25は、第2実施形態におけるメモリセルアレイ10のメモリ領域MRにおける断面構造の一例を、第1実施形態で説明された図5と同様の領域を抽出して示している。
図25に示すように、第2実施形態におけるメモリセルアレイ10は、図5を用いて説明した第1実施形態におけるメモリセルアレイ10に対して、導電体22及び23間に薄膜70が設けられ、導電体23及び24間に薄膜71が設けられた構造を有する。
薄膜70及び71は、例えば二酸化シリコン(SiO2)や窒化シリコン(SiN)等の絶縁体である。薄膜70の膜厚は、導電体22及び23間を電気的に絶縁しない厚さに設計される。薄膜71の膜厚は、導電体23及び24間を電気的に絶縁しない厚さに設計される。薄膜70及び71のそれぞれの膜厚は、例えば2nm以下であることが望ましい。
尚、薄膜70及び71とは、同じ材料が使用されても良いし、異なる材料が使用されても良い。薄膜70及び71のそれぞれには、接する半導体層に含まれる不純物が含まれていても良い。また、薄膜70の膜厚と薄膜71の膜厚とは、同じであっても良いし、異なっていても良い。
第2実施形態に係る半導体メモリ1のその他の構造は、第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
[2−2]半導体メモリ1の製造方法
第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、例えば第1実施形態で図9を用いて説明したフローチャートと同様である。図26〜図32のそれぞれは、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程において、メモリ領域MRに形成される構造体の断面構造の一例を示している。
第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、例えば第1実施形態で図9を用いて説明したフローチャートと同様である。図26〜図32のそれぞれは、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程において、メモリ領域MRに形成される構造体の断面構造の一例を示している。
以下に、図9と、図26〜図32とを用いて、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法について、第1実施形態と異なる点を説明する。
まず、ステップS10において、図26に示すようにソース線部が積層される。具体的には、半導体基板20上に層間絶縁膜60が形成され、層間絶縁膜60上に導電体21が形成される。そして、導電体21上に、導電体22、薄膜70、犠牲部材61、薄膜71、導電体24、絶縁層25が順に積層される。
次に、ステップS11〜S13の処理が順に実行される。簡潔に述べると、絶縁層25上に導電体26が形成され、絶縁層62及び置換部材63が交互に積層される。その後、引出領域HRが加工され、絶縁膜64が形成される。それから、図27に示すように、メモリホールMHが形成される。
本工程においてメモリホールMHは、第1実施形態と同様に、絶縁膜64の上面から半導体22に達するように形成される。つまり、本工程においてメモリホールMHは、絶縁膜64、複数の置換部材63、複数の絶縁層62、導電体26、絶縁層25、薄膜71、導電体24、犠牲部材61、及び薄膜70のそれぞれを貫通する。そして、メモリホールMHの底部は、例えば導電体22が形成された層内で停止する。
次に、ステップS14〜S16の処理が順に実行される。簡潔に述べると、メモリホールMHの内部にメモリピラーMPが形成される。その後、絶縁膜64の上面とメモリピラーMPの上面とのそれぞれに、保護膜65が形成される。それから、図28に示すように、スリットSLTが形成される。
次に、ステップS17及びS18の処理が実行される。簡潔に述べると、保護膜65の上面とスリットSLTの内壁とにそれぞれスペーサ66が形成される。それから、例えばRIEによって、保護膜65の上面に形成されたスペーサ66と、スリットSLTの底部に形成されたスペーサ66とが除去される。
本工程のエッチングは、スリットSLTの底部に形成されたスペーサ66が除去された後にも継続される。当該エッチングによってスリットSLTの底部は、図29に示すように、例えば導電体22が形成された層まで到達する。
つまり、スリットSLTは、保護膜65、絶縁膜64、複数の置換部材63、複数の絶縁層62、導電体26、絶縁層25、薄膜71、導電体24、犠牲部材61、及び薄膜70のそれぞれを貫通する。そして、スリットSLTの底部は、例えば導電体22が形成された層内で停止する。
次に、ステップS19の処理が実行され、図30に示すように犠牲部材61が除去される。尚、第1実施形態と同様に、犠牲部材61は、周辺領域PRにおいて除去されずに残っていても良い。
次に、ステップS20の処理が実行され、図31に示すようにメモリピラーMP底部の積層膜32が除去される。図31では、本工程の処理後に薄膜70及び71が残っている場合が例示されている。これに限定されず、メモリ領域MRにおける薄膜70及び71は、本工程におけるエッチングによって除去されても良い。
次に、ステップS21の処理が実行され、図32に示すように半導体23が形成される。第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程の詳細やその他の製造工程については、
第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
[2−3]第2実施形態の効果
以上のように、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、第1実施形態で説明した半導体メモリ1の製造工程に対して、導電体22及び犠牲部材61間に薄膜70が設けられ、導電体24及び犠牲部材61間に薄膜71が設けられる。
以上のように、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、第1実施形態で説明した半導体メモリ1の製造工程に対して、導電体22及び犠牲部材61間に薄膜70が設けられ、導電体24及び犠牲部材61間に薄膜71が設けられる。
薄膜70は、熱処理において、導電体22及び犠牲部材61間で不純物が拡散することを抑制することが出来る。薄膜71は、熱処理において、導電体24及び犠牲部材61間で不純物が拡散することを抑制することが出来る。
これにより、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、ソース線部が形成されてから導電体23が形成されるまでの期間において、導電体22及び24並びに犠牲部材61のそれぞれの不純物濃度の変化が抑制され得る。
その結果、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、導電体22及び24並びに犠牲部材61のそれぞれのエッチングレートの変化を抑制することが出来、ソース線部の形状ばらつきを抑制することが出来る。従って、第2実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、ソース線SLのコンタクト起因の不良の発生を抑制することが出来、歩留まりを向上することが出来る。
[3]第3実施形態
第3実施形態に係る半導体メモリ1は、第1実施形態に対して、ソース線部の積層構造が異なる。以下に、第3実施形態に係る半導体メモリ1について、第1及び第2実施形態と異なる点を説明する。
第3実施形態に係る半導体メモリ1は、第1実施形態に対して、ソース線部の積層構造が異なる。以下に、第3実施形態に係る半導体メモリ1について、第1及び第2実施形態と異なる点を説明する。
[3−1]メモリセルアレイ10の構造
図33は、第3実施形態におけるメモリセルアレイ10のメモリ領域MRにおける断面構造の一例を、第1実施形態で説明された図5と同様の領域を抽出して示している。
図33は、第3実施形態におけるメモリセルアレイ10のメモリ領域MRにおける断面構造の一例を、第1実施形態で説明された図5と同様の領域を抽出して示している。
図33に示すように、第3実施形態におけるメモリセルアレイ10は、図5を用いて説明した第1実施形態におけるメモリセルアレイ10に対して、導電体22及び23間に絶縁膜80が設けられ、導電体23及び24間に絶縁膜81が設けられた構造を有する。
絶縁膜80及び81は、例えば二酸化シリコン(SiO2)や窒化シリコン(SiN)等の絶縁体である。絶縁膜80及び81とは、同じ材料が使用されても良いし、異なる材料が使用されても良い。絶縁膜80及び81のそれぞれには、接する半導体層に含まれる不純物が含まれていても良い。また、絶縁膜80の膜厚と絶縁膜81の膜厚とは、同じであっても良いし、異なっていても良い。
また、第3実施形態におけるメモリセルアレイ10は、第1実施形態におけるメモリセルアレイ10に対して、スリットSLTの段差部CTの位置が異なる構造を有する。具体的には、第3実施形態においてスリットSLTの段差部CTは、導電体23に接触している。言い換えると、段差部CTは、導電体23が形成された層に含まれている。
第3実施形態に係る半導体メモリ1のその他の構造は、第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
[3−2]半導体メモリ1の製造方法
第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、例えば第1実施形態で図9を用いて説明したフローチャートと同様である。図34〜図40のそれぞれは、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程において、メモリ領域MRに形成される構造体の断面構造の一例を示している。
第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、例えば第1実施形態で図9を用いて説明したフローチャートと同様である。図34〜図40のそれぞれは、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程において、メモリ領域MRに形成される構造体の断面構造の一例を示している。
以下に、図9と、図34〜図40とを用いて、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法について、第1実施形態と異なる点を説明する。
まず、ステップS10において、図34に示すようにソース線部が積層される。具体的には、半導体基板20上に層間絶縁膜60が形成され、層間絶縁膜60上に導電体21が形成される。そして、導電体21上に、導電体22、絶縁膜80、犠牲部材61、絶縁膜81、導電体24、絶縁層25が順に積層される。
次に、ステップS11〜S13の処理が順に実行される。簡潔に述べると、絶縁層25上に導電体26が形成され、絶縁層62及び置換部材63が交互に積層される。その後、引出領域HRが加工され、絶縁膜64が形成される。それから、図35に示すように、メモリホールMHが形成される。
本工程においてメモリホールMHは、第1実施形態と同様に、絶縁膜64の上面から導電体22に達するように形成される。つまり、本工程においてメモリホールMHは、絶縁膜64、複数の置換部材63、複数の絶縁層62、導電体26、絶縁層25、絶縁膜81、導電体24、犠牲部材61、及び絶縁膜80のそれぞれを貫通する。そして、メモリホールMHの底部は、例えば導電体22が形成された層内で停止する。
次に、ステップS14〜S16の処理が順に実行される。簡潔に述べると、メモリホールMHの内部にメモリピラーMPが形成される。その後、絶縁膜64の上面とメモリピラーMPの上面とのそれぞれに、保護膜65が形成される。それから、図36に示すように、スリットSLTが形成される。
本工程においてスリットSLTは、保護膜65の上面から絶縁膜81に達するように形成される。つまり、本工程においてスリットSLTは、保護膜65、絶縁膜64、複数の置換部材63、複数の絶縁層62、導電体26、絶縁層25、絶縁膜81、及び導電体24のそれぞれを貫通する。そして、スリットSLTの底部は、絶縁膜81が形成された層内で停止する。
次に、ステップS17及びS18の処理が実行される。簡潔に述べると、保護膜65の上面とスリットSLTの内壁とにそれぞれスペーサ66が形成される。それから、例えばRIEによって、保護膜65の上面に形成されたスペーサ66と、スリットSLTの底部に形成されたスペーサ66とが除去される。
本工程のエッチングは、スリットSLTの底部に形成されたスペーサ66が除去された後にも継続される。当該エッチングによってスリットSLTの底部は、図37に示すように、例えば犠牲部材61が形成された層まで到達する。つまり、スリットSLTの底部は、犠牲部材61が形成された層内で停止している。
次に、ステップS19の処理が実行され、図38に示すように犠牲部材61が除去される。尚、第1実施形態と同様に、犠牲部材61は、周辺領域PRにおいて除去されずに残っていても良い。
次に、ステップS20の処理が実行され、図39に示すようにメモリピラーMP底部の積層膜32が除去される。本工程のエッチングでは、メモリ領域MRに形成された絶縁膜80及び81も除去される。
次に、ステップS21の処理が実行され、図40に示すように半導体23が形成される。第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程の詳細やその他の製造工程については、
第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
第1実施形態と同様のため、説明を省略する。
[3−3]第3実施形態の効果
以上のように、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、第1実施形態で説明した半導体メモリ1の製造工程に対して、導電体22及び犠牲部材61間に絶縁膜80が設けられ、導電体24及び犠牲部材61間に絶縁膜81が設けられる。
以上のように、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、第1実施形態で説明した半導体メモリ1の製造工程に対して、導電体22及び犠牲部材61間に絶縁膜80が設けられ、導電体24及び犠牲部材61間に絶縁膜81が設けられる。
絶縁膜80は、熱処理において導電体22及び犠牲部材61間で不純物が拡散することを抑制し、犠牲部材61を除去する工程において導電体22を保護する。絶縁膜81は、熱処理において導電体24及び犠牲部材61間で不純物が拡散することを抑制し、犠牲部材61を除去する工程において導電体24を保護する。
つまり、第3実施形態に係る半導体メモリ1では、ソース線部が形成されてから導電体23が形成されるまでの製造工程において、導電体22及び24並びに犠牲部材61のそれぞれの不純物濃度の変化が抑制され、且つ導電体22及び24の形状が維持される。
その結果、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、ソース線部の形状ばらつきを抑制することが出来る。従って、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、ソース線SLのコンタクト起因の不良の発生を抑制することが出来、歩留まりを向上することが出来る。
尚、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、ステップS16においてスリットSLTを形成する際に、絶縁膜81をエッチングストッパとして使用している。
これにより、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造工程では、ステップS18においてスリットSLT底部を犠牲部材61まで到達させる工程における、スリットSLT底面の犠牲部材61への食い込み量のばらつきを抑制することが出来る。
その結果、第3実施形態に係る半導体メモリ1では、スペーサ66が形成される範囲が犠牲部材61が形成された層まで達した場合に生じ得る、導電体23の埋め込み不良の発生を抑制することが出来る。つまり、第3実施形態に係る半導体メモリ1の製造方法は、導電体23を安定的に形成することが可能となり、歩留まりを上げることが出来る。
[4]変形例等
実施形態の半導体メモリは、積層部<例えば図3、10>と、複数のピラー<例えば図3、MP>とを含む。積層部は、基板の表面に平行な面において、第1領域<例えば図24、MR>と、第1領域と異なる第2領域<例えば図24、PR>とを含む。積層部は、第1領域及び第2領域において、第1導電層<例えば図24、22〜24並びに61>と、第1導電上の第1絶縁層<例えば図24、25>と、第1絶縁層上の第2導電層<例えば図24、26>とを含む。積層部は、第1領域において、第2導電層上に交互に積層された第2絶縁層<例えば図24、62>及び第3導電層<例えば図24、27>を含む。複数のピラーは、積層部の第1領域において、積層された第2絶縁層及び第3導電層と、第2導電層と、第1絶縁層とのそれぞれを貫通し、底面が第1導電層に含まれる。複数のピラーと第1導電体層とが交差する部分は、メモリセルとして機能する。第1領域における第1導電層のキャリア密度は、第2領域における第1導電層のキャリア密度よりも高い。これにより、半導体メモリ1の歩留まりを上げることが出来る。
実施形態の半導体メモリは、積層部<例えば図3、10>と、複数のピラー<例えば図3、MP>とを含む。積層部は、基板の表面に平行な面において、第1領域<例えば図24、MR>と、第1領域と異なる第2領域<例えば図24、PR>とを含む。積層部は、第1領域及び第2領域において、第1導電層<例えば図24、22〜24並びに61>と、第1導電上の第1絶縁層<例えば図24、25>と、第1絶縁層上の第2導電層<例えば図24、26>とを含む。積層部は、第1領域において、第2導電層上に交互に積層された第2絶縁層<例えば図24、62>及び第3導電層<例えば図24、27>を含む。複数のピラーは、積層部の第1領域において、積層された第2絶縁層及び第3導電層と、第2導電層と、第1絶縁層とのそれぞれを貫通し、底面が第1導電層に含まれる。複数のピラーと第1導電体層とが交差する部分は、メモリセルとして機能する。第1領域における第1導電層のキャリア密度は、第2領域における第1導電層のキャリア密度よりも高い。これにより、半導体メモリ1の歩留まりを上げることが出来る。
上記実施形態では、隣接した半導体層(導電層)を区別可能であるものと仮定して説明したが、これに限定されない。例えば、隣接した半導体層では、半導体メモリ1の製造過程の熱処理によって不純物が拡散することによって、導電体22〜24のそれぞれの境界が分からなくなる可能性がある。
このような場合においても、メモリ領域MRにおけるソース線部内の半導体層と、周辺領域PRにおけるソース線部内の半導体層との間には、キャリア密度において差異が生じ得る。つまり、半導体メモリ1の製造工程において、ソース線部の犠牲部材61が残っているか、犠牲部材61が導電体23に置き換えられているかによって、ソース線部の半導体層のキャリア密度が異なることが考えられる。
例えば、メモリ領域MRでは、導電体23としてリンがドープされたポリシリコンが形成され、周辺領域PRでは、犠牲部材61としてシリコンゲルマニウムが残っている。このため、半導体メモリ1の製造過程においてソース線部の半導体層間でキャリアが拡散した場合には、半導体層のメモリ領域MRにおける電子密度が、周辺領域PRにおける電子密度よりも高くなる。これは、[1−3]で説明した第1〜第8の組み合わせのいずれにおいても同様である。
上記実施形態では、メモリピラーMPの径がZ方向の各位置において一定である場合が例示されているが、メモリピラーMPの形状はこれに限定されない。例えば、メモリピラーMPの断面形状は、途中が膨らんでいる樽型、基板側に向かって径が大きくなるテーパー型、又は基板側に向かって径が大きくなる逆テーパー型であっても良い。
同様に、ステップS16で形成されるスリットSLTの幅がZ方向の各位置において一定である場合が例示されているが、スリットSLTの形状はこれに限定されない。例えば、スリットSLTの断面形状は、途中が膨らんでいる樽型、基板側に向かって径が大きくなるテーパー型、又は基板側に向かって径が大きくなる逆テーパー型であっても良い。
本明細書において“接続”とは、電気的に接続されている事を示し、例えば間に別の素子を介することを除外しない。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…半導体メモリ、2…メモリコントローラ、10…メモリセルアレイ、11…コマンドレジスタ、12…アドレスレジスタ、13…シーケンサ、14…ドライバモジュール、15…ロウデコーダモジュール、16…センスアンプモジュール、20…半導体基板、21〜24…半導体、25…絶縁層、26〜29…導電体、30…コア部材、31…半導体、32…積層膜、33…導電体、34…トンネル酸化膜、35…絶縁膜、36…ブロック絶縁膜、40…絶縁体、50…導電体、51…スペーサ、52〜54…導電体、60…層間絶縁膜、61…犠牲部材、62…絶縁層、63…置換部材、64…絶縁膜、65…保護膜、66…スペーサ、70,71…薄膜、80,81…絶縁膜、BL…ビット線、WL…ワード線、SGD,SGS…選択ゲート線、SL…ソース線、BLK…ブロック、SU…ストリングユニット、MT…メモリセルトランジスタ、ST1,ST2…選択トランジスタ
Claims (10)
- 基板の表面に平行な面において、第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域とを含み、前記第1領域及び前記第2領域において、第1導電層と、前記第1導電層上の第1絶縁層と、前記第1絶縁層上の第2導電層とを含み、前記第1領域において前記第2導電層上に交互に積層された第2絶縁層及び第3導電層を含む積層部と、
前記積層部の前記第1領域において、前記積層された前記第2絶縁層及び前記第3導電層と、前記第2導電層と、前記第1絶縁層とのそれぞれを貫通し、底面が前記第1導電層に含まれ、前記第3導電層と交差する部分がメモリセルとして機能する複数のピラーと、
を備え、
前記第1領域における前記第1導電層のキャリア密度は、前記第2領域における前記第1導電層のキャリア密度よりも高い、半導体メモリ。 - 前記ピラーは、前記積層された方向に延伸した第1絶縁体と、前記第1絶縁体の底面及び側面をそれぞれ覆う第1半導体とを含み、
前記第1導電層は、前記ピラーの側面を介して前記第1半導体と接触している、
請求項1に記載の半導体メモリ。 - 前記積層部は、前記第1領域において前記積層された前記第2絶縁層及び前記第3導電層を分断し、底部が前記第1導電層に含まれるスリットをさらに含む、
請求項1又は請求項2に記載の半導体メモリ。 - 前記第1導電層は、前記基板側から順に積層された第1乃至第5層を含み、前記第2層及び前記第4層のそれぞれは酸化物又は窒化物を含む、
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体メモリ。 - 前記第2層の層厚と前記第4層の層厚とのそれぞれは、2nm以下である、
請求項4に記載の半導体メモリ。 - 前記第1領域における前記第1導電層は、リンを含む、
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体メモリ。 - 前記第2領域における前記第1導電層は、ゲルマニウムを含む、
請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の半導体メモリ。 - 前記第1導電層は、炭素を含む、
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体メモリ。 - 前記第1導電層は、窒素又は酸素を含む、
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体メモリ。 - 前記第1導電層は、ボロンを含む、
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体メモリ。
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