JP2019185842A - 不揮発性メモリ装置及びその初期化情報を読み取る方法 - Google Patents
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Abstract
Description
110 サーバ
111 PCIeバス
112、122 RNIC
114 ストレージデバイス
120 ホスト
124 メモリ
126 プロセッサ
130 ネットワーク
200 SSD
210 メモリコントローラ
220 不揮発性メモリ装置
230 揮発性メモリ装置
310 メモリセルアレイ
320 設定レジスタ
330 制御回路部
340 アドレスデコーダ
350 読み取り回路部
360 電圧発生部
362 低電圧発生回路
Claims (25)
- 複数のワードラインに連結されるメモリセルに初期化情報を保存するメモリセルアレイと、
前記初期化情報を読み取る初期化情報読み取り動作において、選択されたワードラインに、第1読み取り電圧を印加し、非選択ワードラインに、第2読み取り電圧を印加するように制御する制御回路部と、
前記初期化情報読み取り動作時、前記制御回路部から提供される電圧制御信号に応答し、電源電圧を低くすることにより、前記第2読み取り電圧を発生させる電圧発生部と、を含む不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセルは、1ビットデータを保存するシングルレベルセルであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1読み取り電圧は、前記シングルレベルセルの消去状態と、プログラム状態とを判別する電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1読み取り電圧は、接地電圧に設定されることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記制御回路部は、パワーアップを感知して前記電圧制御信号を発生させることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記電圧発生部は、前記電圧制御信号に応答し、前記電源電圧をポンピング不可能にすることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記電圧発生部は、
前記電源電圧と接地電圧との間に直列接続された複数の抵抗を有し、前記複数の抵抗それぞれの両端で分圧電圧を発生させる電圧分圧部と、
前記電圧制御信号に応答し、前記分圧電圧のうち一つを、前記第2読み取り電圧に出力する選択部とを含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 当該不揮発性メモリ装置は、前記初期化情報読み取り動作で読み取った前記初期化情報でセッティングされる設定レジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 少なくとも1つの不揮発性メモリ装置と、
前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置を制御するメモリコントローラと、を含み、
前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置は、
複数のワードラインに連結されるメモリセルに初期化情報を保存するメモリセルアレイと、
前記初期化情報を読み取る初期化情報読み取り動作において、選択されたワードラインに、第1読み取り電圧を印加し、非選択ワードラインに、第2読み取り電圧を印加するように制御する制御回路部と、
前記初期化情報読み取り動作時、前記制御回路部から提供される電圧制御信号に応答し、電源電圧を低くすることにより、前記第2読み取り電圧を発生させる電圧発生部と、を含む、メモリシステム。 - 当該メモリシステムは、パワーアップ時、前記初期化情報読み取り動作を遂行することを特徴とする請求項9に記載のメモリシステム。
- 当該メモリシステムは、前記パワーアップ時、前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置において、前記電源電圧をポンピング不可能にすることを特徴とする請求項10に記載のメモリシステム。
- 前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置は、前記メモリコントローラを経由せずに、前記電源電圧を提供されることを特徴とする請求項9に記載のメモリシステム。
- パワーアップを感知する段階と、
前記パワーアップに基づいて、メモリセルに保存された初期化情報を読み取る段階と、
前記初期化情報の読み取り時、前記メモリセルに連結されるワードラインのうち選択されたワードラインに提供される第1読み取り電圧を発生させ、非選択ワードラインに提供される第2読み取り電圧を発生させる段階と、を含み、
前記第2読み取り電圧は、電源電圧を低くすることによって生じることを特徴とする不揮発性メモリ装置の読み取り方法。 - 前記パワーアップに係わる電圧制御信号に応答し、前記電源電圧をポンピング不可能にする段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。
- 前記第2読み取り電圧を発生させる段階は、
前記パワーアップに係わる電圧制御信号に応答し、前記電源電圧を分圧して前記第2読み取り電圧を発生させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。 - 前記第1読み取り電圧は、シングルレベルセルの消去状態と、プログラム状態とを判別する電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。
- 前記第1読み取り電圧は、接地電圧に設定されることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。
- 前記第2読み取り電圧は、前記電源電圧と前記接地電圧との間の少なくとも1つの電圧レベルに設定されることを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。
- 前記読み取った初期化情報を設定レジスタに設定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。
- 前記初期化情報は、メモリセルアレイ内でのプログラム/消去を禁止するか否かということの保護情報、プログラム/読み取り/消去動作モードでの動作電圧レベルをトリミングするためのトリミングデータ、フェイルされたビットラインを救済するカラムリペア情報、または不良メモリセルを含むバッドブロック情報を含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置の読み取り方法。
- パワーアップ状態を感知する不揮発性メモリ装置において、
前記パワーアップ状態に応答し、当該不揮発性メモリ装置が、当該不揮発性メモリ装置のメモリセルアレイの第1メモリセルに保存された当該不揮発性メモリ装置に係わる初期化情報を読み取る段階と、
当該不揮発性メモリ装置に係わる前記初期化情報を、当該不揮発性メモリ装置のモードレジスタに保存する段階と、を含み、
当該不揮発性メモリ装置の前記メモリセルアレイの前記第1メモリセルに保存された当該不揮発性メモリ装置に係わる前記初期化情報を読み取る段階は、
前記第1メモリセルに連結された選択されたワードラインに、前記第1メモリセルの消去状態とプログラム状態とを判別するための第1読み取り電圧レベルを有する第1読み取り電圧を印加することと、
前記選択されたワードラインに、前記第1読み取り電圧を印加する間、前記第1メモリセルが連結されていない非選択ワードラインに、前記第1メモリセルのプログラム状態の電圧レベルより低い第2読み取り電圧レベルを有する第2読み取り電圧を印加することと、を含む、方法。 - 当該方法は、
前記第1メモリセルの前記プログラム状態の電圧レベルより低い電源電圧を受ける段階と、
前記電源電圧を、前記第1メモリセルの前記プログラム状態の電圧レベルより低い前記第2読み取り電圧を発生させる低電圧発生回路に印加する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 前記第2読み取り電圧レベルは、接地電圧レベルと前記電源電圧のレベルとの間であることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記第2読み取り電圧レベルは、接地電圧レベルであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記初期化情報は、当該不揮発性メモリ装置のプログラムまたは消去を禁止するか否かということの保護情報、当該不揮発性メモリ装置のプログラム、読み取りまたは消去動作モードでの動作電圧レベルをトリミングするためのトリミングデータ、当該不揮発性メモリ装置のフェイルされたビットラインを救済するカラムリペア情報、または当該不揮発性メモリ装置の不良メモリセルを示すバッドブロック情報を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
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