JP2019179940A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品で発生する熱の放熱経路と撮像素子で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、電子部品と撮像素子の両部品の放熱を可能にした放熱構成を提供する。【解決手段】第1のGND端子103b2を有する第1の電子部品502と、第2のGND端子401bを有する第2の電子部品401と、第1の電子部品と第2の電子部品が実装される配線基板304と、配線基板の内層に形成され、第1のGND端子と接続される第1のGND配線L2aと、配線基板の内層に形成され、第2のGND端子と接続される第2のGND配線L7bと、配線基板を固定するための本体部材を有する。第1のGND配線と第2のGND配線が、配線基板上に設けられた溝505によって分離され、第1のGND配線および第2のGND配線が本体部材を介して電気的に接続される。【選択図】図1
Description
本発明は、デジタルカメラ等の撮像装置に関し、特に撮像装置の放熱構造に関する。
デジタルカメラ等の撮像装置は、高性能化、多機能化が望まれる中で、撮像素子の高画素化、画像処理の高速化、多機能化が進んでいる。これによって、その機能を受け持つ電子部品の消費電力が増大し、その結果、電子部品からの発熱が増大している。したがって、電子機器には電子部品の温度上昇を抑える冷却構造が求められている。
特許文献1には、電子部品で発生した熱を放熱部材に逃がし、且つ、撮像素子に伝えない構成が開示されている。まず、電子部品で発生した熱は、電子部品のGND端子から撮像基板内の導体層に形成されたGND配線を介して、放熱プレートに伝わる。この放熱経路によって、電子部品の熱を放熱プレートに伝えることで、電子部品の温度上昇を抑える。そして、撮像素子のGND端子が接続されるGND配線と撮像素子のGND端子が接続されるGND配線は、電子部品の熱が撮像素子へ伝わらないように、熱的に分離されている。具体的には、撮像素子のGND配線と電子部品のGND配線とは、ブラインドビアの直径と同じ幅に設定された配線で形成された接続部でのみ電気的に接続される。また、接続部以外の箇所はスリットを設けて、両GND配線を分断している。接続部の幅は非常に小さいため、接続部において、熱は伝わりにくい。
しかしながら、特許文献1に示す構成では、スリットを挟んで、電子部品のGND配線と撮像素子のGND配線の間で熱交換が発生する。すなわち、放熱経路である電子部品のGND配線と撮像素子のGND配線の熱的な分断が不十分である。したがって、電子部品の熱が、電子部品のGND配線から撮像素子のGND配線へ伝わることで、撮像素子の温度が上昇してしまう。
そこで、本発明の目的は、電子部品で発生する熱の放熱経路と撮像素子で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、電子部品と撮像素子の両部品の放熱を可能にした放熱構成を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、
第1のGND端子(103b2)を有する第1の電子部品(502)と、
第2のGND端子(401b)を有する第2の電子部品(401)と、
前記第1の電子部品(502)と前記第2の電子部品(401)が実装される配線基板(304)と、
前記配線基板(304)の内層に形成され、前記第1のGND端子(103b2)と接続される第1のGND配線(L2a)と、
前記配線基板(304)の内層に形成され、前記第2のGND端子(401b)と接続される第2のGND配線(L7b)と、
前記配線基板(304)を固定するための本体部材(302)を有し、
前記第1のGND配線(L2a)と前記第2のGND配線(L7b)が前記配線基板(304)上に設けられた溝(505)によって分離され、
前記第1のGND配線(L2a)および前記第2のGND配線(L7b)が前記本体部材(302)を介して電気的に接続されることを特徴とする。
第1のGND端子(103b2)を有する第1の電子部品(502)と、
第2のGND端子(401b)を有する第2の電子部品(401)と、
前記第1の電子部品(502)と前記第2の電子部品(401)が実装される配線基板(304)と、
前記配線基板(304)の内層に形成され、前記第1のGND端子(103b2)と接続される第1のGND配線(L2a)と、
前記配線基板(304)の内層に形成され、前記第2のGND端子(401b)と接続される第2のGND配線(L7b)と、
前記配線基板(304)を固定するための本体部材(302)を有し、
前記第1のGND配線(L2a)と前記第2のGND配線(L7b)が前記配線基板(304)上に設けられた溝(505)によって分離され、
前記第1のGND配線(L2a)および前記第2のGND配線(L7b)が前記本体部材(302)を介して電気的に接続されることを特徴とする。
本発明に係る撮像装置によれば、電子部品で発生する熱の放熱経路と撮像素子で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、電子部品と撮像素子の両部品の放熱を可能にした放熱構成を提供することができる。
以下に、本発明の好ましい実施形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図2は、本発明の実施形態である撮像装置としてのカメラ本体201の外観を被写体側から見た斜視図である。
図2に図示するように、カメラ本体201は、不図示の撮影レンズユニットが着脱されるマウント202を備える。マウント202には、カメラ本体201と撮影レンズユニットとの間で制御信号や状態信号、データ信号等の各種信号の通信を可能にするマウント接点203が設けられている。マウント202の横にはレンズロック解除ボタン204が配置されている。レンズロック解除ボタン204を押し込んだ状態で撮影レンズユニットを撮影光軸回りに回転させると、撮影レンズユニットをカメラ本体201から取り外すことができる。
カメラ本体201の内部には、撮影レンズユニットを通過した撮影光束が導かれるミラーボックス205が設けられている。ミラーボックス205の内部には、メインミラー206と、不図示のサブミラーが配置されている。
メインミラー206は、ハーフミラーで構成されており、撮影レンズユニットを透過した撮影光束の一部が、メインミラー206で反射されて、不図示のペンタダハミラーへ導かれる。一方、メインミラー206を透過した撮影光束の一部は、サブミラーにて反射され、不図示の焦点検出センサユニットへ導かれる。
メインミラー206は、撮影レンズユニットを通過した撮影光束をペンタダハミラーへ導くために撮影光軸に対して所定の角度に保持される状態と、撮影光束を後述する撮像素子401へ導くために撮影光束から退避した位置に保持される状態に駆動される。サブミラーも同様に、撮影光束を焦点検出センサユニットへ導くために撮影光軸に対して所定の角度に保持される状態と、撮像素子401の方向へ導くために撮影光束から退避した位置に保持される状態に駆動される。
カメラ本体201の端には、グリップ207が設けられている。グリップ207は、撮影時に撮影者がカメラを安定して握り易いように前方に突出した形状となっている。なお、本発明の実施形態では、撮影者が右手でカメラ本体201を保持することを前提としてグリップ207を形成している。
グリップ207の近傍には、撮影動作の開始を指示するレリーズボタン208と、撮影モードに応じてシャッタスピードや絞り値を設定するためのメイン操作ダイヤル209と、LCD表示パネル210と、動作モード設定ボタン211とが配置されている。
カメラ本体201の上部中央付近には、カメラ本体201に対してポップアップするストロボユニット212と、外部ストロボ等のアクセサリが着脱されるアクセサリーシュー213が設けられている。アクセサリーシュー213内には、カメラ本体201に対する電気的接点214が配置されている。
カメラ本体201の上部においてLCD表示パネル210とは反対側には、撮影モード設定ダイヤル215が配されている。
カメラ本体201のグリップ207とは反対側の側面には、開閉可能な外部端子蓋216が設けられている。外部端子蓋216の内側には、ビデオ信号出力用ジャックやUSB出力用コネクタ等の外部インタフェース端子が設けられている。
図3は、カメラ本体201の内部の概略構成を示す分解斜視図である。
カメラ本体201の骨格となる本体シャーシ302の被写体側には、被写体側から順に、マウント202、ミラーボックス205、シャッタユニット303が配設されている。
一方、本発明における本体部材としての本体シャーシ302の撮影者側には、配線基板304が配設されている。本発明の実施形態では、本体シャーシ302は、インサート成形によって樹脂と金属板を一体化した複合部品である。本体シャーシ302の金属板の電位は接地電位(GND電位)となっている。
配線基板304の被写体側の面には、撮像ユニット301が配設されている。撮像ユニット301は、撮像ユニット301の構成部品である撮像素子401が配線基板304の被写体側の面にはんだ付けされることで、配線基板304に固定される。撮像素子401の詳細は後述する。
配線基板304は、撮像ユニット301がマウント202から撮像素子401の撮像面までが所定距離となり、且つ、マウント202と撮像素子401の撮像面とが平行となるように調整された上で、本体シャーシ302に固定される。このとき、撮像素子401とマウント202の光軸中心が一致した状態となる。
図4は、撮像ユニット301の構成を示す分解斜視図である。
撮像ユニット301では、本発明における第2の電子部品としての撮像素子401、ローパスフィルタ(以下、「LPF」と称する)保持部材402、圧電素子403、LPF404、遮光マスク405及び付勢部材406が、撮影者側から被写体側へ上記の順で配置されている。
撮像素子401は、入射した撮影光束を電気信号に変換する光電変換素子であり、配線基板304の被写体側にはんだ付けされている。
LPF保持部材402は、合成樹脂製材料で形成され、LPF保持部材402を配線基板304に対してビス固定するためのねじ穴402aが設けられている。LPF保持部材402は、配線基板304に設けられたビス穴を通してねじ穴402aに対してビス締めすることで、配線基板304に固定される。LPF保持部材402は、付勢部材406がLPF404および遮光マスク405を撮影者側に付勢し、LPF保持部材402に係止された状態で、配線基板304に固定される。
撮像素子401の被写体側に配置されるLPF404は、水晶からなる1枚の複屈折板であり、略矩形の形状を有する。LPF404の表面には、導電性付与や反射防止のためのコーティングがなされている。
圧電素子403はLPF404の有効撮影領域の外側に接着されている。圧電素子403には不図示のフレキシブルプリント基板が接着されており、所定の電圧を印加できるようになっている。
遮光マスク405は、不要光が撮像素子401に入射するのを防ぐためのものである。
図5は、撮像素子401がはんだ付けされた配線基板304を被写体側から見た斜視図である。
図5に図示するように、配線基板304の被写体側の面には、撮像素子401および中央演算処理装置501、本発明における第1の電子部品としての映像信号処理回路素子502、DCDCコンバータ素子503がはんだ付けされている。また、コンデンサ等の電子部品504が、配線基板304の被写体側の面と撮影者側の面の両面にはんだ付けされている。
中央演算処理装置501は、カメラの動作制御を司るものであり、様々な処理や指示を実行する。
映像信号処理回路素子502は、撮像素子401から出力される画像データに対してガンマ/ニー処理、フィルタ処理、モニタ表示用の情報合成処理等、画像処理全般を実行する。また、映像信号処理回路素子502は、中央演算処理装置501の指示に従って、JPEG等の画像データ圧縮処理を実行することもできる。
DCDCコンバータ素子503は、メインバッテリの電圧を変換して、中央演算処理装置501と映像信号処理回路素子502、さらに、配線基板304にはんだ付けされた他のデバイスへ電力を供給する。
撮像素子401および中央演算処理装置501、映像信号処理回路素子502、DCDCコンバータ素子503は、動作によって発熱する。したがって、撮像素子401および中央演算処理装置501、映像信号処理回路素子502、DCDCコンバータ素子503の4つの素子を含む配線基板304上の範囲Bにおいて、ヒートスポットが発生する。
配線基板304上の当接用ランドL1eおよびL1fは、配線基板304に形成されたGND配線と接地電位(GND電位)である本体シャーシ302の金属板を接続するためのレジスト開口部である。
配線基板304上の撮像素子401と映像信号処理回路素子502の間に設けた溝505は、本発明の第1の実施形態における、撮像素子401が映像信号処理回路素子502から熱を受けることを防ぐための構成であり、詳細は後述する。
図6は、本体シャーシ302と配線基板304の電気的接続箇所を撮影者側から見た斜視図である。
図6に図示するように、本体シャーシ302には、本発明における本体部材GND部としてのビス座601が設けられている。本体シャーシ302のグリップ207側に設けたビス座601をビス座601a、外部インタフェース端子側に設けたビス座601をビス座601bとする。
配線基板304には、配線基板304のビス座601に対応した位置にビス穴602が設けられている。配線基板304は、ビス穴602を通してビス座601に対してビス締めされることで本体シャーシ302に固定される。
ビス座601は、本体シャーシ302の金属板が露出して、配線基板304のビス座601に対応する面と接するように形成される。配線基板304のビス座601に対応する面は、図5に示すように当接用ランドL1eおよび当接用ランドL1fが形成されてGND配線が露出しており、ビス座601と配線基板304に形成されたGND配線が接する構成となっている。ビス座601の内、ビス座601aが当接用ランドL1eと接し、ビス座601bが当接用ランドL1fと接する。したがって、配線基板304に形成されたGND配線は、ビス座601において接地電位(GND電位)である本体シャーシ302の金属板と接続する。
図1は、第1の実施形態における映像信号処理回路素子502が実装された配線基板304の断面模式図(図5におけるA‐A断面)である。図1に図示される撮像素子401および映像信号処理回路素子502は、配線基板304にはんだ付けされる前の状態である。
以下、図1を参照して、第1の実施形態による、映像信号処理回路素子502で発生する熱の放熱経路と撮像素子401で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、映像信号処理回路素子502と撮像素子401の両部品の放熱を可能にした放熱構成について説明する。
まず、映像信号処理回路素子502の構成について説明する。
図1に図示するように、映像信号処理回路素子502は、BGA(Ball Grid Array)と呼ばれるパッケージで構成されている。映像信号処理回路素子502は半導体チップ101を有し、半導体チップ101は、ボンディングワイヤー102によって、インターポーザー103の上面パッド103aに接続されている。インターポーザー103は、実質的には高精細な多層プリント配線基板である。インターポーザー103の下面パッド103bには、はんだボール104が形成されている。
映像信号処理回路素子502の外周に近い位置に配置される下面パッド103bが、映像信号処理回路素子502の信号端子103b1として機能する。また、映像信号処理回路素子502の内周に近い位置に配置される下面パッド103bが、本発明における第1のGND端子としての、映像信号処理回路素子502のGND端子103b2として機能する。
映像信号処理回路素子502の表面は合成樹脂部105によって覆われる。したがって、合成樹脂部105は半導体チップ101やボンディングワイヤー102を覆うとともに、映像信号処理回路素子502の外形形状を形成している。
映像信号処理回路素子502は、動作によって半導体チップ101が発熱する。この熱は、映像信号処理回路素子502の誤動作などの問題を引き起こす。また、撮像素子401は熱の影響を受けやすい部品であり、周囲から熱を受けることを極力避けねばならない。撮像素子401の周囲で熱を発生する部品として、映像信号処理回路素子502および中央演算処理装置501、DCDCコンバータ素子503がある。特に、映像信号処理回路素子502は、画像処理全般を実行するため、多くの熱を発生する。
したがって、映像信号処理回路素子502の熱は、放熱経路を設けて、カメラ本体201の熱容量が大きい部位へ逃がす必要がある。本体シャーシ302は、前述のように比較的大きな熱容量を有するため、本発明の実施形態では、本体シャーシ302へ熱を伝える放熱経路を形成する。
半導体チップ101の熱は、熱抵抗の少ない経路を伝わっていくので、ボンディングワイヤー102からインターポーザー103内の配線を経て、はんだボール104に伝わる。合成樹脂部105は比較的熱抵抗が大きいため、半導体チップ101の熱は伝わりにくい。したがって、映像信号処理回路素子502の放熱経路は、合成樹脂部105の天面に形成するよりも、はんだボール104に形成する方が効果的である。
映像信号処理回路素子502は、より確実に接地電位(GND電位)に接続させるために、GND端子103b2までの導体抵抗が低くなるように設計されている。したがって、GND端子103b2までの熱抵抗も低くなり、GND端子103b2は半導体チップ101の熱が最も伝わりやすくなっている。また、半導体チップ101は通常は映像信号処理回路素子502の中央に配置されるため、半導体チップ101から直接、インターポーザー103に伝わる熱も、まずインターポーザー103の中央付近に伝わる。
これらのことから、映像信号処理回路素子502のGND端子103b2に放熱経路を形成するのが最も効果的である。
次に、配線基板304の層構成および基板内部の電気的接続を説明する。
図1に図示するように、配線基板304には、L1からL8までの8つの導体層と、各導体層間を絶縁するi1からi7までの7つの絶縁層とが形成されている。
導体層L4と導体層L5および絶縁層i4からなる2層構造の配線基板をコア層106とし、コア層106の表面に第1のビルドアップ層として導体層L1〜導体層L3を積層している。コア層106の裏面に第2のビルドアップ層として導体層L6〜導体層L8を積層している。これによって、配線基板304は、3−2−3構成の8層ビルドアップ配線板として形成されている。
配線基板304の導体層L1には、信号配線の保護と絶縁のためにレジスト107が塗布される。レジスト107には、所定の位置にレジスト開口部107aが形成されている。レジスト開口部107aが形成されることで、導体層L1には、映像信号処理回路素子502の信号端子103b1が接続される信号用ランドL1aおよびGND端子103b2が接続されるGND用ランドL1bが形成される。同様に導体層L1には、撮像素子401の信号端子401aが接続される信号用ランドL1cおよび本発明における第2のGND端子としてのGND端子401bが接続されるGND用ランドL1dが形成される。さらに、レジスト開口部107aが形成されることで、導体層L1には、不図示の当接用ランドL1eおよび当接用ランドL1fが形成される。
導体層L1から導体層L2は、導体層L1側からのレーザー加工による非貫通穴加工後に施される銅めっきにより接続される。同様に、導体層L2から導体層L3は導体層L2側からのレーザー加工、また、導体層L3から導体層L4は導体層L3側からのレーザー加工による非貫通穴加工後に施される銅めっきにより接続される。
これらの接続箇所は非貫通穴となっているため、ブラインドビア108と呼ばれる。ブラインドビア108の穴径は0.10〜0.15mm程度である。
導体層L4および導体層L5は、NC加工による貫通穴加工後に施される銅めっきにより互いに接続される。この接続箇所は、ビルドアップ層が積層されると外部からは観察できない箇所となるため、インナービア109と呼ばれる。インナービア109の穴径は0.20〜0.30mm程度である。
導体層L5から導体層L8も導体層L1から導体層L4と同様に、ブラインドビア108で接続される。
次に、映像信号処理回路素子502の放熱経路X、撮像素子401の放熱経路Yについて説明する。
導体層L1に形成されるGND用ランドL1bは、ブラインドビア108によって導体層L2に形成される、本発明における第1のGND配線としての第2のGND配線L2aに接続される。第2のGND配線L2aの配線幅(不図示)は、熱抵抗を小さくするために、配線基板304に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第2のGND配線L2aは、当接用ランドL1e近傍において、ブライドビア108を介して、導体層L1に形成される不図示の当接用ランドL1eに接続される。このようにして、配線基板304には、GND用ランドL1b、第2のGND配線L2a、当接用ランドL1eによって放熱経路Xが形成される。
半導体チップ101で発生する熱は、GND端子103b2からはんだボール104を経て、放熱経路Xによって当接用ランドL1eへ伝達される。そして、当接用ランドL1eがビス座601aと接することで、本体シャーシ302の金属板へ熱が伝わる。すなわち、映像信号処理回路素子502の熱は、配線基板304に形成された放熱経路Xにて、本体シャーシ302へ放熱される。
前述のように、撮像素子401は、周囲から熱を受けることを極力避けねばならない。そこで、映像信号処理回路素子502と同様に、本体シャーシ302へ熱を伝える放熱経路を設ける。さらに、配線基板304に設けた溝505により、周囲の電気部品(本発明の実施形態では、中央演算処理装置501、映像信号処理回路素子502、DCDCコンバータ素子503)からの熱が伝わりにくい構成とする。
まず、撮像素子401の熱を本体シャーシ302へ伝える放熱経路Yについて説明する。
導体層L1に形成されるGND用ランドL1dは、ブラインドビア108によって導体層L2に形成される第2のGND配線部L2bに接続される。さらにブラインドビア108によって、第2のGND配線部L2bは、導体層L3に形成される第3のGND配線部L3bを介して、導体層L4に形成される第4のGND配線部L4bに接続される。第4のGND配線部L4bは、インナービア109によって導体層L5に形成される第5のGND配線部L5bに接続される。さらにブラインドビア108によって導体層L6に形成される第6のGND配線L6bおよび導体層L7に形成される、本発明における第2のGND配線としての第7のGND配線L7bに接続される。第2のGND配線L2b〜第7のGND配線L7bの配線幅(不図示)は、第2のGND配線L2aと同様に熱抵抗を小さくするために、配線基板304に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第7のGND配線L7bは、当接用ランドL1f近傍において、ブラインドビア108によって、第6のGND配線部L6b〜第2のGND配線部L2bを介して、不図示の当接用ランドL1fと接続する。このようにして、配線基板304には、GND用ランドL1d、第2のGND配線L2b〜第7のGND配線L7b、当接用ランドL1fによって放熱経路Yが形成される。
撮像素子401で発生する熱は、放熱経路Yによって、GND用ランドL1dから当接用ランドL1fへ伝達される。そして、当接用ランドL1fがビス座601bと接することで、本体シャーシ302の金属板へ熱が伝わる。すなわち、撮像素子401の熱は、配線基板304に形成された放熱経路Yにて、映像信号処理回路素子502と同様に、本体シャーシ302へ放熱される。
次に、配線基板304の設けた溝505の効果について説明する。
配線基板304は、前述のように銅めっきにより導体層L1〜L8まで接続されている。銅は熱抵抗が小さいため、配線基板304の内部では導体層L1〜L8を介して熱が伝わりやすい。また、絶縁層i1〜i8は、導体層L1〜L8に比べて熱抵抗が大きいため、熱を伝えにくいが、熱の伝達を分断することはできない。
そこで、本発明の第1の実施形態における配線基板304には、図1に示すように、撮像素子401と映像信号処理回路素子502の間にコア層106まで達する溝505が配設されている。溝505は、配線基板304の製造工程において、導体層L1〜L8および絶縁層i1〜i7を積層した後、ルーター加工によって導体層L1からL3まで切削することで形成される。溝505を配設することによって、導体層L1〜L3は、撮像素子401と映像信号処理回路素子502の間では分断され空気層となる。空気は熱抵抗が大きいため、撮像素子401と映像信号処理回路素子502の間の熱交換を防ぐためには、効果的である。
導体層L5〜L8を伝わる熱について、前述のように放熱経路Xは、本体シャーシ302のグリップ207側に設けられたビス座601aへ熱を伝える。また、放熱経路Yは、本体シャーシ302の外部インタフェース端子側に設けられたビス座601bへ熱を伝える。すなわち、放熱経路Xと放熱経路Yは、溝505を挟んで互いに反対方向に熱を伝えるため、配線基板304の導体層L5〜L8を介して、放熱経路Xと放熱経路Yの間で生じる熱交換は小さい。したがって、導体層L5〜L8を介して撮像素子401に伝わる映像信号処理回路素子502の熱は小さくなる。
このようにして、溝505を設けることで、導体層L1〜L8を介して撮像素子401が映像信号処理回路素子502から熱を受けることを防ぐ。
図7は、本発明の第2の実施形態である映像信号処理回路素子502が実装された配線基板304の断面模式図(図5におけるA‐A断面)である。図1に図示した第1の実施形態と同様である部分については、図1と同じ符号を付けて、説明を省略する。
第2の実施形態によると、撮像素子401と映像信号処理回路素子502が、互いに配線基板304の反対側の面に実装される場合においても、撮像素子401が映像信号処理回路素子502から熱を受けることを防ぐことができる。また、映像信号処理回路素子502の熱および撮像素子401の熱を本体シャーシ302へ伝えることができる。
第2の実施形態における配線基板304の導体層L1および導体層L8には、所定の位置にレジスト開口部107aが形成されている。レジスト開口部107aが形成されることで、導体層L8には、映像信号処理回路素子502の信号端子103b1が接続される信号用ランドL8aおよびGND端子103b2が接続されるGND用ランドL8bが形成される。
導体層L8に形成されるGND用ランドL8bは、ブラインドビア108によって導体層L7に形成される第7のGND配線L7aに接続される。第7のGND配線L7aは、ブラインドビア108によって、導体層L6に形成される第6のGND配線部L6aを介して、導体層L5に形成される第5のGND配線部L5aに接続される。第5のGND配線部L5aは、インナービア109によって導体層L4に形成される第4のGND配線部L4aに接続される。さらにブラインドビア108によって、第4のGND配線部L4aは、導体層L3に形成される第3のGND配線L3aおよび導体層L2に形成される第2のGND配線L2aに接続される。第2のGND配線L2a〜第7のGND配線L7aの配線幅(不図示)は、熱抵抗を小さくするために、配線基板304に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第2のGND配線L2aは、当接用ランドL1e近傍において、ブラインドビア108を介して、導体層L1の不図示の当接用ランドL1eに接続される。
このようにして、配線基板304には、GND用ランドL1d、第2のGND配線L2a〜第7のGND配線L7a、当接用ランドL1eによって放熱経路Xが形成される。映像信号処理回路素子502の熱は、放熱経路Xにて、本体シャーシ302へ放熱される。
また、レジスト開口部107aが形成されることで、第1の実施形態における配線基板304と同様に、導体層L1に撮像素子401の信号端子401aが接続される信号用ランドL1cおよびGND端子401bが接続されるGND用ランドL1dが形成される。GND用ランドL1dは、ブラインドビア108によって導体層L2に形成される第2のGND配線L2bに接続される。第2のGND配線L2bの配線幅(不図示)は、第2のGND配線L2a〜第7のGND配線L7aと同様に熱抵抗を小さくするために、配線基板304に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第2のGND配線L2bは、当接用ランドL1f近傍において、ブライドビア108を介して、導体層L1に形成される不図示の当接用ランドL1fに接続される。
このようにして、配線基板304には、GND用ランドL1d、第2のGND配線L2b、当接用ランドL1fによって放熱経路Yが形成される。撮像素子401の熱は、放熱経路Yにて、本体シャーシ302へ放熱される。
第1の実施形態と同様に、第2の実施形態における配線基板304は、溝505を配設することで、導体層L1〜L8を介して撮像素子401が映像信号処理回路素子502から熱を受けることを防ぐ。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
103b2 第1のGND端子、302 本体部材、304 配線基板、
401 第2の電子部品としての撮像素子、401b 第2のGND端子、
502 第1の電子部品としての映像信号処理回路素子、505 溝、
L2a 第1のGND配線、L7b 第2のGND配線
401 第2の電子部品としての撮像素子、401b 第2のGND端子、
502 第1の電子部品としての映像信号処理回路素子、505 溝、
L2a 第1のGND配線、L7b 第2のGND配線
Claims (5)
- 第1のGND端子(103b2)を有する第1の電子部品(502)と、
第2のGND端子(401b)を有する第2の電子部品(401)と、
前記第1の電子部品(502)と前記第2の電子部品(401)が実装される配線基板(304)と、
前記配線基板(304)の内層に形成され、前記第1のGND端子(103b2)と接続される第1のGND配線(L2a)と、
前記配線基板(304)の内層に形成され、前記第2のGND端子(401b)と接続される第2のGND配線(L7b)と、
前記配線基板(304)を固定するための本体部材(302)を有し、
前記第1のGND配線(L2a)と前記第2のGND配線(L7b)が前記配線基板(304)上に設けられた溝(505)によって分離され、
前記第1のGND配線(L2a)および前記第2のGND配線(L7b)が前記本体部材(302)を介して電気的に接続されることを特徴とする撮像装置(201)。 - 前記溝(505)は、前記配線基板(304)の表層からコア層(106)まで設けられていることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1のGND配線(L2a)が形成される第1の基板層(L1)と前記第2のGND配線(L7b)が形成される第2の基板層(L7)は、前記コア層(106)を挟んで互いに反対側にあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の撮像装置。
- 前記第1の電子部品(502)と前記第2の電子部品(401)が前記配線基板(304)の同一面に実装されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の撮像装置。
- 前記第1の電子部品(502)と前記第2の電子部品(401)が前記配線基板(304)の互いに反対側の面にそれぞれに実装されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の撮像装置。
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