JP2019152501A5 - - Google Patents

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具体的に本発明の電磁波検出方法は、請求項1に記載するように、プローブ光を電磁波によって変調し、EOサンプリング法を利用して異なる二つの偏光成分の検出光を検出する電磁波検出方法において、前記検出光の偏光状態を表す偏光状態式の一部に係数βを挿入することで、前記検出光の信号強度が1/β(β<1)倍となる前記偏光状態式の構成部分を求め、当該構成部分に相当する前記偏光成分をβ倍に変換するように偏光制御を行うとともに、前記プローブ光に含まれる直交二方向の偏光成分のうち、長軸側の偏光成分を角度θだけ傾けて減衰させ、電気光学結晶を通過した前記検出光の和周波発生(SFG)成分および差周波発生(DFG)成分を含んだ短軸側の偏光成分について、前記検出光の信号強度が1/β(β=sinθ/cosθ)倍となるように偏光制御を行う構成としてある。
前記偏光制御は、例えば請求項に記載するように光学フィルタを用いて行うことができる。
前記係数βの値を小さくするほど信号強度を増強することができる。しかし、前記係数βの値が小さすぎるとノイズが大きくなって却って検出精度を低下させることから、請求項に示すように、検出光の電界振幅をE0としたときの前記検出光の強度(|E0|β)がノイズ強度よりも大きい範囲内で前記係数βの値を決定するとよい。
上記の本発明の電磁波検出方法を利用した電磁波検出装置は、請求項4に記載するように、プローブ光を電磁波によって変調し、EOサンプリング法を利用して異なる二つの偏光成分の検出光を検出する請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波検出方法を用いた電磁波検出装置であって、前記プローブ光に含まれる直交二方向の偏光成分のうち、長軸方向の偏光成分を角度θだけ傾ける第一の光学フィルタを、電気光学結晶の前に配置し、前記電気光学結晶から出射された前記検出光の偏光成分のうち前記長軸方向の偏光成分をカットする第二の光学フィルタを前記電気光学結晶の後に配置し、前記第二の光学フィルタを通過した前記検出光に含まれる偏光成分を、前記検出光の和周波発生(SFG)成分および差周波発生(DFG)成分と干渉させて変調させる構成としてある。
なお、本発明において用語「減衰」には、長軸側の偏光成分を完全に除去(カット)する場合も含まれる。

Claims (4)

  1. プローブ光を電磁波によって変調し、EOサンプリング法を利用して異なる二つの偏光成分の検出光を検出する電磁波検出方法において、
    前記検出光の偏光状態を表す偏光状態式の一部に係数βを挿入することで、前記検出光の信号強度が1/β(β<1)倍となる前記偏光状態式の構成部分を求め、
    当該構成部分に相当する前記偏光成分をβ倍に変換するように偏光制御を行うとともに、
    前記プローブ光に含まれる直交二方向の偏光成分のうち、長軸側の偏光成分を角度θだけ傾けて減衰させ、電気光学結晶を通過した前記検出光の和周波発生(SFG)成分および差周波発生(DFG)成分を含んだ短軸側の偏光成分について、前記検出光の信号強度が1/β(β=sinθ/cosθ)倍となるように偏光制御を行うこと、
    を特徴とする電磁波検出方法。
  2. 前記偏光制御を、光学フィルタを透過させることによって行うことを特徴とする請求項1に記載の電磁波検出方法。
  3. 前記βの値が、前記検出光の電界振幅をEとしたときの前記検出光の強度(|Eβ)がノイズ強度よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の電磁波検出方法。
  4. プローブ光を電磁波によって変調し、EOサンプリング法を利用して異なる二つの偏光成分の検出光を検出する請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波検出方法を用いた電磁波検出装置であって、
    前記プローブ光に含まれる直交二方向の偏光成分のうち、長軸方向の偏光成分を角度θだけ傾ける第一の光学フィルタを、電気光学結晶の前に配置し、
    前記電気光学結晶から出射された前記検出光の偏光成分のうち前記長軸方向の偏光成分をカットする第二の光学フィルタを前記電気光学結晶の後に配置し、
    前記第二の光学フィルタを通過した前記検出光に含まれる偏光成分を、前記検出光の和周波発生(SFG)成分および差周波発生(DFG)成分と干渉させて変調させること、
    を特徴とする電磁波検出装置。
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