JP2019145753A - 半導体装置、受信機及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 465
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 31
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 173
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100208382 Danio rerio tmsb gene Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7789—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface the two-dimensional charge carrier gas being at least partially not parallel to a main surface of the semiconductor body
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
- H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
- H01L29/0676—Nanowires or nanotubes oriented perpendicular or at an angle to a substrate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
- H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
- H01L29/068—Nanowires or nanotubes comprising a junction
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41741—Source or drain electrodes for field effect devices for vertical or pseudo-vertical devices
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- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
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- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
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Abstract
Description
最初に、半導体ナノワイヤを用いたMOSFETについて、図1に基づき説明する。図1に示される半導体ナノワイヤを用いたMOSFETは、半導体基板910の上に、導電性半導体層911が形成されており、導電性半導体層911の上には、導電性半導体層911の面に略垂直に延びる半導体ナノワイヤ920が形成されている。図2に示されるように、半導体ナノワイヤ920の側面の周囲には、Low−k材料により絶縁膜921が形成されており、半導体ナノワイヤ920の側面の周囲を覆っている。また、導電性半導体層911の上の半導体ナノワイヤ920が形成されている領域を除く領域には、絶縁膜912、絶縁膜921、層間絶縁膜913、ゲート電極931、層間絶縁膜914が積層されている。半導体ナノワイヤ920は、半導体基板910側の一方の端部920aは、導電性半導体層911と電気的に接続されており、導電性半導体層911の上には、ソース電極932が形成されている。また、半導体ナノワイヤ920の他方の端部920bには、ドレイン電極933が形成されている。
次に、第1の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、半導体ナノワイヤを用いたHEMT構造の半導体装置である。半導体装置をHEMT構造にすることにより、半導体ナノワイヤを用いた半導体装置の高速動作を可能とし、良好な高周波特性を得ることができる。
尚、本実施の形態における半導体装置は、電子走行部21は、InAsの他、InGaAs、InSb、InGaSb等のInを含む化合物半導体により形成してもよい。また、電子供給部22を形成しているInを含むInAlAsは、InAsと格子定数が近いため、電子走行部21を形成している材料と格子整合が取りやすく好ましい。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図6〜図11に基づき説明する。この説明では、図5に示される構造の半導体装置の製造方法について説明するが、便宜上、図5に示される半導体装置とは細部において異なっている部分が存在している。また、この半導体装置の製造方法は、本実施の形態における他の構造の半導体装置にも適用可能である。
次に、第2の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、半導体ナノワイヤを用いたHEMT構造の半導体装置であり、電子走行部を形成している半導体ナノワイヤが2種類の異なる材料により形成されている構造のものである。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について図13〜図18に基づき説明する。
次に、第3の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、電子走行部を形成している半導体ナノワイヤの一部に不純物元素がドープされている構造のものである。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について図20〜図25に基づき説明する。
次に、第4の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、第1の電子供給部を形成している半導体ナノワイヤの側面の周囲に電子走行部が形成され、電子走行部の側面の周囲に第2の電子供給部が形成されている構造のものである。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について図27〜図33に基づき説明する。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1から第4の実施の形態における半導体装置を用いた電波受信機である。
(付記1)
化合物半導体により形成された半導体基板と、
前記半導体基板の基板面より上方に延びる化合物半導体の半導体ナノワイヤにより形成された第1の半導体部と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に形成された第2の半導体部と、
前記第2の半導体部の周囲に形成されたゲート電極と、
前記第1の半導体部の一方の端部に接続されるドレイン電極と、
前記第1の半導体部の他方の端部に接続されるソース電極と、
を有し、
前記第2の半導体部は、前記第1の半導体部とは異なる半導体材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第2の半導体部は、前記ゲート電極と接する領域及び前記ゲート電極より前記ドレイン電極側の領域の太さよりも、前記ゲート電極より前記ソース電極側の領域が太いことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記第2の半導体部は、前記ゲート電極より前記ドレイン電極側の領域の太さよりも、前記ゲート電極と接する領域が太く、前記ゲート電極と接する領域の太さよりも、前記ゲート電極より前記ソース電極側の領域が太いことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記4)
前記第1の半導体部は、前記一方の端部の側の第1の領域と、前記他方の端部の側の第2の領域とを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とは接しているものであって、
前記第1の領域を形成している半導体材料と、前記第2の領域を形成している半導体材料は、異なるものであることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置。
(付記5)
前記第1の領域を形成している半導体材料は、前記第2の領域を形成している半導体材料よりも、バンドギャップが狭いことを特徴とする付記4に記載の半導体装置。
(付記6)
前記第1の半導体部は、前記一方の端部の側の第1の領域と、前記他方の端部の側の第2の領域とを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とは接しているものであって、
前記第2の領域は、前記第1の領域よりも、不純物元素を多く含んでいることを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記第1の半導体部は、InAs、InGaAs、InSb、InGaSbのいずれかにより形成されており、
前記第2の半導体部は、InAlAsを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
前記第2の半導体部は、n型であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9)
前記第1の半導体部において、前記第1の半導体部と前記第2の半導体部との界面近傍には、電子ガスが生成されていることを特徴とする付記1から8のいずれかに半導体装置。
(付記10)
化合物半導体により形成された半導体基板と、
前記半導体基板の基板面より上方に延びる化合物半導体の半導体ナノワイヤにより形成された第1の半導体部と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に形成された第2の半導体部と、
前記第2の半導体部の側面の周囲に形成された第3の半導体部と、
前記第3の半導体部の周囲に形成されたゲート電極と、
前記第2の半導体部の一方の端部に接続されるドレイン電極と、
前記第2の半導体部の他方の端部に接続されるソース電極と、
を有し、
前記第1の半導体部と、前記第3の半導体部は、同じ半導体材料により形成されており、
前記第2の半導体部は、前記第1の半導体部及び前記第3の半導体部とは異なる半導体材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記11)
前記第2の半導体部は、InAs、InGaAs、InSb、InGaSbのいずれかにより形成されており、
前記第1の半導体部及び前記第3の半導体部は、InAlAsを含む材料により形成されていることを特徴とする付記10に記載の半導体装置。
(付記12)
前記第1の半導体部及び前記第3の半導体部は、n型であることを特徴とする付記10または11に記載の半導体装置。
(付記13)
前記第2の半導体部において、前記第1の半導体部と前記第2の半導体部との界面近傍、及び、前記第3の半導体部と前記第2の半導体部との界面近傍には、電子ガスが生成されていることを特徴とする付記10から12のいずれかに記載の半導体装置。
(付記14)
前記半導体基板の上には、不純物元素を含む化合物半導体により形成された導電性半導体層が形成されており、
前記第1の半導体部は、前記導電性半導体層の上に形成されており、
前記ドレイン電極は、前記導電性半導体層の上に形成されていることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の半導体装置。
(付記15)
付記1から14のいずれかに記載の半導体装置と、
アンテナと、
を有することを特徴とする受信機。
(付記16)
化合物半導体により形成された半導体基板の上に、導電性半導体層、絶縁膜、ゲート電極層を順に積層して形成する工程と、
前記絶縁膜及びゲート電極層に開口部を形成し、前記開口部における前記導電性半導体層の上に触媒層を形成する工程と、
化合物半導体に含まれる一方の元素を含むガスと、他方の元素を含むガスとを供給することにより、前記触媒層が形成されている領域に半導体ナノワイヤを成長させ第1の半導体部を形成する工程と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に第2の半導体部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記17)
前記第1の半導体部を形成する工程は、
前記半導体基板側より第1の領域を成長させる工程と、
前記第1の領域に続く第2の領域を成長させる工程と、
を含むものであって、
前記第1の領域を形成する半導体材料と、前記第2の領域を形成する半導体材料は、異なるものであることを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)
前記第1の半導体部を形成する工程は、
前記半導体基板側より第1の領域を成長させる工程と、
前記第1の領域に続く第2の領域を成長させる工程と、
を含むものであって、
前記第2の領域は、前記第1の領域よりも、不純物元素を多く含んでいることを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)
化合物半導体により形成された半導体基板の上に、導電性半導体層、絶縁膜、ゲート電極層を順に積層して形成する工程と、
前記絶縁膜及びゲート電極層に開口部を形成し、前記開口部における前記導電性半導体層の上に触媒層を形成する工程と、
化合物半導体に含まれる一方の元素を含むガスと、他方の元素を含むガスとを供給することにより、前記触媒層が形成されている領域に半導体ナノワイヤを成長させ第1の半導体部を形成する工程と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に第2の半導体部を形成する工程と、
前記第2の半導体部の側面の周囲に第3の半導体部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記20)
前記半導体基板は、GaAsにより形成された半絶縁性基板であり、
前記触媒層は、Auを含む材料により形成されていることを特徴とする付記16から19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
11 導電性半導体層
12 絶縁膜
13 層間絶縁膜
21 電子走行部
21a 一方の端部
21b 他方の端部
22 電子供給部
22a 一方の端部
22b 他方の端部
22c ゲート電極層と接する領域
22d ゲート電極層よりドレイン電極側の領域
22e ゲート電極層よりソース電極側の領域
30 ゲート電極層
31 ゲート電極
32 ソース電極
33 ドレイン電極
50 触媒層
Claims (10)
- 化合物半導体により形成された半導体基板と、
前記半導体基板の基板面より上方に延びる化合物半導体の半導体ナノワイヤにより形成された第1の半導体部と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に形成された第2の半導体部と、
前記第2の半導体部の周囲に形成されたゲート電極と、
前記第1の半導体部の一方の端部に接続されるドレイン電極と、
前記第1の半導体部の他方の端部に接続されるソース電極と、
を有し、
前記第2の半導体部は、前記第1の半導体部とは異なる半導体材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の半導体部は、前記ゲート電極と接する領域及び前記ゲート電極より前記ドレイン電極側の領域の太さよりも、前記ゲート電極より前記ソース電極側の領域が太いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体部は、前記ゲート電極より前記ドレイン電極側の領域の太さよりも、前記ゲート電極と接する領域が太く、前記ゲート電極と接する領域の太さよりも、前記ゲート電極より前記ソース電極側の領域が太いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体部は、前記一方の端部の側の第1の領域と、前記他方の端部の側の第2の領域とを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とは接しているものであって、
前記第1の領域を形成している半導体材料と、前記第2の領域を形成している半導体材料は、異なるものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体部は、前記一方の端部の側の第1の領域と、前記他方の端部の側の第2の領域とを有し、
前記第1の領域と前記第2の領域とは接しているものであって、
前記第2の領域は、前記第1の領域よりも、不純物元素を多く含んでいることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体部は、InAs、InGaAs、InSb、InGaSbのいずれかにより形成されており、
前記第2の半導体部は、InAlAsを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。 - 化合物半導体により形成された半導体基板と、
前記半導体基板の基板面より上方に延びる化合物半導体の半導体ナノワイヤにより形成された第1の半導体部と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に形成された第2の半導体部と、
前記第2の半導体部の側面の周囲に形成された第3の半導体部と、
前記第3の半導体部の周囲に形成されたゲート電極と、
前記第2の半導体部の一方の端部に接続されるドレイン電極と、
前記第2の半導体部の他方の端部に接続されるソース電極と、
を有し、
前記第1の半導体部と、前記第3の半導体部は、同じ半導体材料により形成されており、
前記第2の半導体部は、前記第1の半導体部及び前記第3の半導体部とは異なる半導体材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置と、
アンテナと、
を有することを特徴とする受信機。 - 化合物半導体により形成された半導体基板の上に、導電性半導体層、絶縁膜、ゲート電極層を順に積層して形成する工程と、
前記絶縁膜及びゲート電極層に開口部を形成し、前記開口部における前記導電性半導体層の上に触媒層を形成する工程と、
化合物半導体に含まれる一方の元素を含むガスと、他方の元素を含むガスとを供給することにより、前記触媒層が形成されている領域に半導体ナノワイヤを成長させ第1の半導体部を形成する工程と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に第2の半導体部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 化合物半導体により形成された半導体基板の上に、導電性半導体層、絶縁膜、ゲート電極層を順に積層して形成する工程と、
前記絶縁膜及びゲート電極層に開口部を形成し、前記開口部における前記導電性半導体層の上に触媒層を形成する工程と、
化合物半導体に含まれる一方の元素を含むガスと、他方の元素を含むガスとを供給することにより、前記触媒層が形成されている領域に半導体ナノワイヤを成長させ第1の半導体部を形成する工程と、
前記第1の半導体部の側面の周囲に第2の半導体部を形成する工程と、
前記第2の半導体部の側面の周囲に第3の半導体部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018031223A JP7027949B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-02-23 | 半導体装置、受信機及び半導体装置の製造方法 |
US16/263,515 US10784368B2 (en) | 2018-02-23 | 2019-01-31 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018031223A JP7027949B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-02-23 | 半導体装置、受信機及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019145753A true JP2019145753A (ja) | 2019-08-29 |
JP7027949B2 JP7027949B2 (ja) | 2022-03-02 |
Family
ID=67686090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018031223A Active JP7027949B2 (ja) | 2018-02-23 | 2018-02-23 | 半導体装置、受信機及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10784368B2 (ja) |
JP (1) | JP7027949B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116960175B (zh) * | 2023-09-19 | 2023-12-12 | 广东致能科技有限公司 | 一种准垂直型半导体器件及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002198516A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Fujitsu Ltd | Hemt |
JP2008544521A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-04 | クナノ アーベー | 半導体ナノワイヤトランジスタ |
JP2009032724A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ、及びそれを備えたパワーアンプモジュール及び移動体通信装置並びに電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2010503981A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-02-04 | クナノ アーベー | ナノスケール電界効果トランジスタの構体 |
JP2013110160A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 半導体ナノデバイス |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2378557B1 (en) | 2010-04-19 | 2015-12-23 | Imec | Method of manufacturing a vertical TFET |
EP2808897B1 (en) * | 2013-05-30 | 2021-06-30 | IMEC vzw | Tunnel field effect transistor and method for making thereof |
US10014372B1 (en) * | 2017-01-05 | 2018-07-03 | International Business Machines Corporation | Vertical gate-all-around transistor with top and bottom source/drain epitaxy on a replacement nanowire, and method of manufacturing the same |
-
2018
- 2018-02-23 JP JP2018031223A patent/JP7027949B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-31 US US16/263,515 patent/US10784368B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002198516A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Fujitsu Ltd | Hemt |
JP2008544521A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-04 | クナノ アーベー | 半導体ナノワイヤトランジスタ |
JP2010503981A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-02-04 | クナノ アーベー | ナノスケール電界効果トランジスタの構体 |
JP2009032724A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ、及びそれを備えたパワーアンプモジュール及び移動体通信装置並びに電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2013110160A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 半導体ナノデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10784368B2 (en) | 2020-09-22 |
JP7027949B2 (ja) | 2022-03-02 |
US20190267484A1 (en) | 2019-08-29 |
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A621 | Written request for application examination |
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