JP2019145582A - 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低ＥＳＲ化を図る固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】固体電解コンデンサＡ１は、第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体１と、多孔質焼結体上に形成された誘電体層２と、誘電体層上に形成された固体電解質層３と、固体電解質層上に形成された第２の極を構成する電極層４とを含む。固体電解質層は、無機材料からなる固体粒子３２ｂと、固体粒子を覆うように形成された導電性の有機材料部３２ｃとを有する固体粒子含有層３２ａを含む。固体粒子と有機材料部との間には、シラン由来のケイ素を含む結合構造が形成されており、当該結合構造を介して固体粒子と有機材料部とが結合されている。【選択図】図２

Description

本発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。

たとえば、特許文献１は、陽極酸化皮膜と、陽極酸化皮膜上に形成されたプリコート層と、プリコート層上に形成された内部導電性高分子層とを含む弁作用金属からなる多孔質の陽極体と、陽極体上に形成された導電性高分子層と、導電性高分子層上に形成されたグラファイト層と、グラファイト層上に形成された金属層とを備え、陽極体上の陰極部と陽極部との境界に絶縁体からなるレジスト部が設けられた、固体電解コンデンサを開示している。

特開２００８−３１１５８２号公報

固体電解コンデンサの特性の一つとして、等価直列抵抗（ＥＳＲ：Equivalent series resistance）が知られている。ＥＳＲは、コンデンサによって不要な寄生成分であるため、できる限り低くすることが望まれている。
本発明の一実施形態は、従来よりもさらに低ＥＳＲ化を図ることができる固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。

本発明の一実施形態に係る固体電解コンデンサは、第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、前記固体電解質層上に形成された第２の極を構成する電極層とを含み、前記固体電解質層は、シランカップリング剤で表面処理された無機材料からなる固体粒子と、前記固体粒子を覆うように形成された導電性の有機材料部を有する固体粒子含有層を含む。

また、本発明の一実施形態に係る固体電解コンデンサは、第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、前記固体電解質層上に形成された第２の極を構成する電極層とを含み、前記固体電解質層は、無機材料からなる固体粒子と、前記固体粒子を覆うように形成された導電性の有機材料部とを有する固体粒子含有層を含み、前記固体粒子と前記有機材料部との間は、シラン由来のケイ素を介して結合されている。

また、本発明の一実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法は、第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体を形成する工程と、前記多孔質焼結体上に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層上に第２の極を構成する電極層を形成する工程とを含み、前記固体電解質層を形成する工程は、シランカップリング剤で表面処理された無機材料からなる固体粒子、導電性の有機材料の分散体および溶媒を含む分散体液を前記誘電体層側に供給した後、前記溶媒を除去することによって固体粒子含有層を形成する工程を含む。

図１は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの模式的な断面図である。 図２は、図１の固体電解コンデンサの要部拡大図である。 図３は、固体粒子およびその周囲の有機材料部の拡大図である。 図４は、固体粒子と有機材料部との結合状態を示す図である。 図５は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法のフロー図である。 図６は、図５に示す固体電解コンデンサの製造方法における外部電極層を形成する工程のフロー図である。 図７は、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサの模式的な要部拡大断面図である。 図８は、本発明の第３実施形態に係る固体電解コンデンサの模式的な要部拡大断面図である。 図９は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの模式的な断面図である。 図１０は、図９のＡ方向から前記固体電解コンデンサを見たときの図である。 図１１Ａは、図９の領域α１の部分拡大図であり、図１１Ｂは、図１の領域β１の部分拡大図であり、図１１Ｃは、図１の領域γ１の部分拡大図である。 図１２は、固体電解質層と電極層（陰極層）との間の架橋構造を示す図である。 図１３は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造方法のフロー図である。 図１４Ａは、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造工程の一部を示す断面図であり、図１４Ｂは、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサの製造工程の一部を示す平面図である。 図１５は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造工程の一部を示す図である。 図１６は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造工程の一部を示す図である。 図１７は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造工程の一部を示す図である。 図１８は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造工程によって得られるコンデンサ素子を示す断面図である。 図１９は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサの製造工程の一部を示す図である。

以下では、本発明の実施形態および参考形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜本発明の実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る固体電解コンデンサＡ１の模式的な断面図である。図２は、図１の固体電解コンデンサＡ１の要部拡大図である。図３は、固体粒子３２ｂおよびその周囲の有機材料部３２ｃの拡大図である。図４は、固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとの結合状態を示す図である。

固体電解コンデンサＡ１は、多孔質焼結体１と、陽極ワイヤ１１と、誘電体層２と、固体電解質層３と、本発明の電極層の一例としての陰極層４と、封止樹脂５と、陽極外部端子６と、陰極外部端子７とを備えている。
この実施形態では、多孔質焼結体１は、誘電体層２に対して本発明の第１の極の一例としての陽極をなすものであり、たとえば、弁作用金属からなっていてもよい。弁作用金属としては、たとえば、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等を適用できる。

多孔質焼結体１は、この実施形態では、直方体形状である。陽極ワイヤ１１は、多孔質焼結体１の内部にその一部が進入している。陽極ワイヤ１１は、たとえば、弁作用金属からなっていてもよい。陽極ワイヤ１１に使用できる弁作用金属としては、たとえば、前述のものが挙げられる。また、多孔質焼結体１は、その内部に微小な多数の細孔を有している。

誘電体層２は、多孔質焼結体１の表面に積層されている。多孔質焼結体１は、多数の細孔を有する構造であり、誘電体層２が覆う表面は、多孔質焼結体１の外観に表れる表面だけでなく、それぞれの細孔の内表面を含んでいてもよい。誘電体層２は、たとえば、弁作用金属の酸化物からなっていてもよく、具体的には、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）等を適用できる。

固体電解質層３は、誘電体層２を覆っている。図２に示すように、固体電解質層３は、たとえば、内部電極層３１および外部電極層３２を含んでいてもよい。
内部電極層３１は、誘電体層２のうち、多孔質焼結体１の細孔の内表面を覆っている部分を覆っており、多孔質焼結体１の細孔を埋める形態となっていてもよい。内部電極層３１としては、たとえば、二酸化マンガン、導電性ポリマー等を適用できる。

外部電極層３２は、内部電極層３１上に積層されており、多孔質焼結体１の外部において内部電極層３１を覆う形態となっていてもよい。この実施形態では、外部電極層３２は、固体粒子含有層３２ａとして構成されている。
固体粒子含有層３２ａは、固体粒子３２ｂおよび有機材料部３２ｃを含んでいる。
固体粒子３２ｂは、固体粒子含有層３２ａに分散して含まれている。固体粒子３２ｂを含むことによって、固体粒子含有層３２ａは、その表面が凹凸状となっていてもよい。このような凹凸状の表面性状を実現するには、たとえば固体粒子含有層３２ａの厚さが２〜３０μｍ程度である場合に、固体粒子３２ｂの平均粒径が５μｍ以下であることが好ましい。

固体粒子３２ｂは、この実施形態では、シランカップリング剤で表面処理された無機材料からなる。具体的には、シランカップリング剤で表面処理されたグラファイト等を適用できる。なお、グラファイトは、固体粒子３２ｂとして適用可能な材質の一例に過ぎず、固体粒子３２ｂの他の材質としては、たとえば、タンタル（Ｔａ）、ステンレス等の金属、酸化すず、ペロブスカイト型酸化物等の金属酸化物等、粒子の形態を取りうる各種導電性材料を適用することができる。

有機材料部３２ｃは、この実施形態では、固体粒子３２ｂの表面処理に使用されたシランカップリング剤の反応性官能基と反応して結合を形成できる官能基を有する導電性の有機材料であれば特に制限されない。たとえば、シランカップリング剤の反応性官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メタクリル基、ビニル基、メルカプト基等が挙げられ、有機材料部３２ｃとしては、これらの反応性官能基との間に結合を形成できる官能基を有するものであればよい。具体的には、シランカップリング剤の反応性官能基との間に結合を形成できる官能基を有する導電性ポリマーを適用できる。

これにより、図３および図４に示すように、固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとの間には、シラン由来のケイ素を含む結合構造３２ｅが形成されており、当該結合構造３２ｅを介して固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとが結合されている。
陰極層４は、固体電解質層３の外部電極層３２上に積層されており、たとえば、下地層４１および上層４２を含んでいてもよい。

下地層４１は、たとえば、グラファイトであってもよい。この実施形態では、固体電解質層３の外部電極層３２をなす固体粒子含有層３２ａと陰極層４の下地層４１とが直接接している。また、固体粒子含有層３２ａの固体粒子３２ｂと陰極層４の下地層４１とは、同じ材質であるグラファイトからなっていてもよい。さらに、下地層４１は、凹凸状とされた固体粒子含有層３２ａ上に形成されている。上層４２は、下地層４１上に積層されており、たとえば、銀（Ａｇ）からなっていてもよい。

封止樹脂５は、多孔質焼結体１、陽極ワイヤ１１、誘電体層２、固体電解質層３、および陰極層４を覆っており、たとえば、エポキシ樹脂からなっていてもよい。
陽極外部端子６は、陽極ワイヤ１１に接合されており、その一部が封止樹脂５から露出している。陽極外部端子６は、たとえば、銅メッキが施された４２アロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金からなっていてもよい。陽極外部端子６のうち封止樹脂５から露出した部位は、固体電解コンデンサＡ１を面実装するための実装端子として用いられる。

陰極外部端子７は、たとえば、銀（Ａｇ）等の導電性接合材７１を介して陰極層４に接合されており、その一部が封止樹脂５から露出している。陰極外部端子７は、たとえば、銅メッキが施された４２アロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金からなっていてもよい。陰極外部端子７のうち封止樹脂５から露出した部位は、固体電解コンデンサＡ１を面実装するための実装端子として用いられる。

次に、固体電解コンデンサＡ１の製造方法について、以下に説明する。
図５および図６は、固体電解コンデンサＡ１の製造方法のフローを示している。
固体電解コンデンサＡ１を製造するには、まず、多孔質焼結体１が形成される。この工程では、たとえば、タンタル（Ｔａ）やニオブ（Ｎｂ）等の弁作用金属の微粉末が準備される。この微粉末が、陽極ワイヤ１１となるワイヤ材料とともに金型に装填される。

そして、この金型で加圧成形することによって、ワイヤ材料が進入した多孔質体が得られる。この多孔質体および上記ワイヤ材料に焼結処理が施される。この焼結処理によって、弁作用金属の微粉末同士が焼結し、多数の細孔を有する多孔質焼結体１が形成される。
次に、誘電体層２が形成される。たとえば、上記ワイヤ材料によって多孔質焼結体１を支持しながら、リン酸水溶液の化成液に多孔質焼結体１が浸漬される。そして、この化成液中において、多孔質焼結体１に対して陽極酸化処理が施される。これにより、多孔質焼結体１の外表面および内表面を覆うように、たとえば五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）や五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）等からなる誘電体層２が形成される。

次に、固体電解質層３が形成される。固体電解質層３を形成する工程では、まず、内部電極層３１が形成される。
たとえば、多孔質焼結体１が既知の酸化剤溶液に浸漬され、引き揚げられる。この多孔質焼結体１が既知のモノマー溶液に浸漬され、引き揚げた後に乾燥させる。これにより、化学重合反応を起こさせる。そして、必要に応じて洗浄や再化成処理が行われる。これにより、導電性ポリマーからなる内部電極層３１が形成される。または、モノマーおよびドーパントを含む電解質液が塗布され、電流を流すことによって導電性ポリマーからなる内部電極層３１を形成する電解重合法を用いてもよい。あるいは、多孔質焼結体１が硝酸マンガン水溶液に浸漬された後に、多孔質焼結体１が硝酸マンガン水溶液から引き揚げられる。そして、硝酸マンガン水溶液が付着した多孔質焼結体１に対して焼成処理が施される。これにより、二酸化マンガンからなる内部電極層３１が形成されてもよい。

次に、外部電極層３２が形成される。まず、ポリマー分散体と溶媒とが混合される。ポリマー分散体は、あらかじめ重合反応させた導電性ポリマー粒子であり、たとえば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリ（Ｎ−メチルピロール）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）から選ばれる１種または２種からなる重合体または共重合体が、導電率の観点から好適に用いられる。さらには、ポリピリロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）は、導電性をより向上させるとともに、耐熱性を高めることが可能である点から、より好ましい。

溶媒は、上記ポリマー分散体を均一に分散させ得るものであれば特に制限されず、たとえば、水、エタノール、有機溶剤等を適用できる。
次に、ポリマー分散体と溶媒との混合物に固体粒子３２ｂが追加され、混合される。固体粒子３２ｂは、この実施形態では、シランカップリング剤で表面処理されたグラファイトであってもよい。グラファイトに対するシランカップリング剤の表面処理としては、公知の表面処理方法を適用できる。シランカップリング剤としては、たとえば、アミノシラン、エポキシシラン、メタクリルシラン、ビニルシラン、メルカプトシラン等の各種シランカップリング剤を適用できる。

なお、グラファイトは、固体粒子３２ｂとして適用可能な材質の一例に過ぎず、固体粒子３２ｂの他の材質としては、たとえば、タンタル（Ｔａ）、ステンレス等の金属、酸化すず、ペロブスカイト型酸化物等の金属酸化物等、粒子の形態を取りうる各種導電性材料を適用することができる。
また、この実施形態では、固体粒子３２ｂの平均粒径は５μｍ以下であってもよい。また、固体粒子３２ｂの濃度は、上記ポリマー分散体に対して５重量％〜７０重量％であってもよく、好ましくは２０重量％〜６０重量％であってもよい。これにより、固体粒子３２ｂを含む分散体液が得られる。

次に、上記分散体液が、多孔質焼結体１に形成された内部電極層３１に塗布される。この塗布方法としては、多孔質焼結体１を上記分散体液に浸漬させること、または、多孔質焼結体１に上記分散体液を吹き付けること等、多孔質焼結体１の内部電極層３１に適切に塗布可能な手法が適用できる。
次に、塗布した上記分散体液を、たとえば乾燥させることによって、上記溶媒が除去される。これにより、有機材料部３２ｃおよび分散配置された固体粒子３２ｂを含む固体粒子含有層３２ａが形成される。この実施形態では、この固体粒子含有層３２ａによって外部電極層３２が構成される。

次に、陰極層４が形成される。まず、下地層４１が形成される。下地層４１の形成は、たとえば、グラファイトと有機溶剤との溶液に多孔質焼結体１が浸漬され、引き揚げられた後に、乾燥あるいは焼成される。次に、上層４２が形成される。上層４２の形成は、たとえば、銀（Ａｇ）フィラーと有機溶剤との溶液に多孔質焼結体１が浸漬され、引き揚げられた後に、乾燥あるいは焼成される。これにより、上層４２が形成され、陰極層４が得られる。

この後は、陽極外部端子６の接合、および導電性接合材７１を用いた陰極外部端子７の接合が行われる。そして、金型成型等によって、封止樹脂５が形成される。以上の工程を経ることによって、図１および図２に示す固体電解コンデンサＡ１が得られる。
次に、固体電解コンデンサＡ１の作用について説明する。
この実施形態に係る固体電解コンデンサＡ１では、図３および図４に示すように、固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとの間には、シラン由来のケイ素を含む結合構造３２ｅが形成されており、当該結合構造３２ｅを介して固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとが結合されている。これにより、固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとの密着性を向上させることができる。その結果、固体粒子３２ｂと有機材料部３２ｃとの間の接触抵抗を低減することができ、低ＥＳＲ化を図ることができる。

また、この実施形態に係る固体電解コンデンサＡ１では、固体粒子含有層３２ａは、固体粒子３２ｂを含むことによって、表面が凹凸状となる。これにより、固体電解質層３の外部電極層３２に対して、陰極層４が入り込んだ構造となる。この構造がいわゆるアンカー効果を発揮することによって、固体電解質層３と陰極層４との間にクラックが発生することを抑制することができる。また、接触抵抗を生じうる固体電解質層３と陰極層４との界面の面積を増大させることができる。したがって、固体電解コンデンサＡ１の低ＥＳＲ化を図ることができる。

さらに、固体粒子含有層３２ａと陰極層４の下地層４１とが、直接接している。そして、固体粒子３２ｂと下地層４１とは、ともに材質がグラファイトであってもよく、この場合、下地層４１が固体粒子含有層３２ａに対して、馴染みよく接合する効果が期待できる。これは、固体電解質層３と陰極層４との接合強度を高めるのに適している。
また、外部電極層３２が固体粒子含有層３２ａのみで構成されていれば、固体電解コンデンサＡ１の製造方法において、外部電極層３２を形成するために、過度に複雑な工程を経る必要がない。したがって、比較的効率良く固体電解コンデンサＡ１を製造することができる。

図７および図８は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
図７は、本発明の第２実施形態に係る固体電解コンデンサＡ２の模式的な要部拡大断面図である。
固体電解コンデンサＡ２では、外部電極層３２が固体粒子含有層３２ａと導電性ポリマー層３２ｄとが積層された構成となっている点が、前述の第１実施形態と異なっている。

導電性ポリマー層３２ｄは、内部電極層３１と固体粒子含有層３２ａとの間に介在しており、多孔質焼結体１の外部において内部電極層３１を覆っている。導電性ポリマー層３２ｄは、たとえば、図６に示したフローにおいて、固体粒子３２ｂの追加を行わない分散体液を多孔質焼結体１に形成された内部電極層３１に塗布し、上記溶媒を除去することによって形成される。

このような実施形態によっても、固体電解コンデンサＡ２の低ＥＳＲ化を図ることができる。
また、前述の第１実施形態とは異なり、導電性ポリマー層３２ｄが固体粒子含有層３２ａと陰極層４との間に介在する構成であってもよい。この場合、固体粒子３２ｂが下地層４１に積極的に接する構成とはならない。しかし、凹凸状である固体粒子含有層３２ａの表面に形成された導電性ポリマー層３２ｄは、凹凸状となることが期待できる。これにより、固体電解質層３と陰極層４との接合強度を高めることができる。

図８は、本発明の第３実施形態に係る固体電解コンデンサＡ３の模式的な要部拡大断面図である。
固体電解コンデンサＡ３は、前述の固体電解コンデンサＡ１と同様の構成であり、主な相違点は、固体粒子３２ｂの形状である。より具体的には、第３実施形態に係る固体粒子３２ｂは、たとえばグラファイトからなり、偏平形状である。典型的には、固体粒子３２ｂの長手方向寸法に対する厚さ寸法の比が、１：０．０５〜１：０．５である。図８に示すように、ほとんどの固体粒子３２ｂは、厚さ方向が図中上下方向に沿っており、長手方向が図中上下方向と直角である方向に沿っている。

固体粒子含有層３２ａの表面は、凹凸状となっている。このような凹凸状の表面性状を実現するには、たとえば固体粒子含有層３２ａの厚さが２〜３０μｍ程度である場合に、固体粒子３２ｂの平均粒径が５μｍ以下であることが好ましい。なお、偏平形状の固体粒子３２ｂにおいては、平均粒径は長手方向寸法を指す。図８に示すように、固体粒子含有層３２ａの凹凸状となった表面の凸部分には、固体粒子３２ｂの少なくとも一部が存在していてもよい。

固体電解コンデンサＡ３の製造工程においては、固体粒子３２ｂの濃度は、前述のポリマー分散体に対して５重量％〜７０重量％であってもよく、好ましくは２０重量％〜６０重量％であってもよい。これにより、固体電解コンデンサＡ３においては、有機材料部３２ｃに対する固体粒子３２ｂの濃度が、５重量％〜７０重量％となり、より好ましくは２０重量％〜６０重量％となる。

次に、本発明の参考形態について、詳細に説明する。
＜本発明の参考形態＞
図９は、本発明の第１参考形態に係る固体電解コンデンサＡ４の模式的な断面図である。図１０は、図９のＡ方向から固体電解コンデンサＡ４を見たときの図である。図１１Ａは、図９の領域α１の部分拡大図であり、図１１Ｂは、図１の領域β１の部分拡大図であり、図１１Ｃは、図１の領域γ１の部分拡大図である。図１２は、固体電解質層１５と電極層（陰極層１６）との間の架橋構造１９を示す図である。

固体電解コンデンサＡ４は、コンデンサ素子２１と、導電性接着層２２と、樹脂パッケージ２３と、枕電極２４と、陽極実装端子５１と、陰極実装端子５２とを備えている。
固体電解コンデンサＡ４は、たとえば、回路基板Ｓ１ａに面実装された状態で用いられる。固体電解コンデンサＡ４は、図９の上下方向の寸法が、たとえば０．８ｍｍ程度であり、図９の左右方向の寸法が、たとえば１．６ｍｍ程度であり、図９の紙面奥行き方向の寸法が、たとえば０．８５ｍｍ程度であってもよい。

コンデンサ素子２１は、多孔質焼結体９と、陽極ワイヤ１２と、誘電体層１３（図１１Ａ〜図１１Ｃ参照）と、撥水膜１４と、固体電解質層１５と、陰極層１６とを含んでいる。
多孔質焼結体９は、たとえば直方体形状である。多孔質焼結体９は、誘電体層１３に対して第１の極の一例としての陽極をなすものであり、たとえば、弁作用金属からなっていてもよい。弁作用金属としては、たとえば、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等を適用できる。図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、多孔質焼結体９には多数の細孔１８が形成されている。

多孔質焼結体９は、図９の方向ｘを向く面９ａと、方向ｘの反対側を向く面９ｃと、面９ａおよび面９ｃとつながる４つの面９ｂ（図９にて２つのみ示す）とを有している。面９ａ，９ｂ，９ｃは、それぞれ、矩形状であってもよい。
陽極ワイヤ１２は、たとえば、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等どの弁作用金属からなっていてもよい。陽極ワイヤ１２は、多孔質焼結体９の面９ａから、方向ｘに向かって突出している。陽極ワイヤ１２の直径は、たとえば０．１５ｍｍ程度であってもよい。

図１１Ａ〜図１１Ｃに示すように、誘電体層１３は、多孔質焼結体９に積層されている。誘電体層１３は、たとえば、多孔質焼結体９を構成する弁作用金属の酸化物からなっていてもよい。このような弁作用金属の酸化物としては、たとえば、五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、五酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）等が挙げられる。
図９に示すように、撥水膜１４は、多孔質焼結体９および陽極ワイヤ１２を覆っている。撥水膜１４は、撥水性と導電性とを有する。この参考形態では、撥水膜１４は、フッ素樹脂と導電性ポリマーとが混合されていることによって、撥水性と導電性とを有していてもよい。

この参考形態において、このようなフッ素樹脂は、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、フッ化エチレンプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、およびポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）よりなる群の少なくとも一つから選択される樹脂を含んでいてもよい。

また、導電性ポリマーとしては、たとえば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）にポリスチレンスルホン酸をドーパントとしてドープした材質等が挙げられる。
撥水膜１４は、固体電解質層１５を形成するための溶液が陽極ワイヤ１２をしみ上がることを防止するためのものである。なお、フッ素樹脂の他に、たとえばシリコーンを用いることによって、撥水膜１４に撥水性を持たせてもよい。

図９の部分拡大図および図１０に示すように、撥水膜１４は、第１膜状部１４１と、第２膜状部１４２とを有している。
第１膜状部１４１は、陽極ワイヤ１２が貫通し、且つ、陽極ワイヤ１２の周方向の全体にわたって、陽極ワイヤ１２に密着している。第１膜状部１４１は、多孔質焼結体９の面９ａに沿って広がっている。第１膜状部１４１は、面９ａにおいて、面９ａの端縁の近傍には形成されておらず、陽極ワイヤ１２寄りの部位に形成されている。第１膜状部１４１は、方向ｘを向く平坦な面１４１ａを有する。

面１４１ａは、面１４１ａの全体にわたって、面９ａからの距離が一様である。すなわち、第１膜状部１４１は、第１膜状部１４１の全体にわたって、厚さＬ１ａが一様である。厚さＬ１ａは、たとえば５０μｍ以下であり、この参考形態では、厚さＬ１ａは２μｍ〜４μｍであってもよい。コンデンサ素子２１の体積を大きくするためには、厚さＬ１ａはなるべく小さい方が好ましい。図１１Ａに示すように、第１膜状部１４１の一部は細孔１８に形成されていることもある。このとき、第１膜状部１４１は多孔質焼結体９に食い込むように形成されているといえる。なお、ここでいう厚さＬ１ａは、面９ａ（多孔質焼結体９のうち最も方向ｘ側に位置する部位）と、面１４１ａとの離間距離をいう。

図９の部分拡大図に示すように、第２膜状部１４２は、方向ｘに向かって第１膜状部１４１から延びている。図１０に示すように、第２膜状部１４２は、陽極ワイヤ１２を覆っており、且つ、陽極ワイヤ１２の周方向の全体にわたって、陽極ワイヤ１２に密着している。図９の部分拡大図に示すように、第２膜状部１４２は、陽極ワイヤ１２の径方向外方を向く面１４２ａを有している。

面１４２ａは、面１４２ａの全体にわたって、陽極ワイヤ１２の表面からの距離が一様である。すなわち、第２膜状部１４２は、第２膜状部１４２の全体にわたって、厚さＬ１ｂが一様である。厚さＬ１ｂは、たとえば５０μｍ以下であり、この参考形態では、厚さＬ１ｂは２μｍ〜４μｍであってもよい。ここでいう厚さＬ１ｂは、陽極ワイヤ１２の表面と、面１４２ａとの離間距離をいう。また、第２膜状部１４２の厚さＬ１ｂは、第１膜状部１４１の厚さＬ１ａと同一であってもよい。

図９、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すように、固体電解質層１５は、誘電体層１３に積層されている。固体電解質層１５の一部は、細孔１８に形成されている。図９に示すように、固体電解質層１５の一部は、多孔質焼結体９の面９ａ，９ｂ，９ｃに形成されている。固体電解質層１５は、面９ａにおいて、陽極ワイヤ１２寄りの部位には形成されておらず、面９ａの端縁の近傍に形成されている。固体電解質層１５は、第１膜状部１４１と密着している。図１０に示すように、面９ａ上にて固体電解質層１５は、第１膜状部１４１を囲む形状となっている。

図９に示すように、固体電解質層１５は、方向ｘに向かって第１膜状部１４１よりも隆起する部位を有している。このように固体電解質層１５の隆起した部位の最大厚さＬ１ｃ（図１１Ｂ参照）は、たとえば、２μｍ〜１００μｍであってもよい。前述のように固体電解質層１５の一部は細孔１８に形成されているが、ここでいう最大厚さＬ１ｃは、面９ａ（多孔質焼結体９のうち最も方向ｘ側に位置する部位）と、固体電解質層１５の最も隆起した部位との方向ｘにおける離間距離をいう。

図９および図１１Ｃに示すように、陰極層１６は、固体電解質層１５を覆っている。この参考形態では、陰極層１６は、固体電解質層１５における多孔質焼結体９の面９ｂ，９ｃ上の部分の覆っており、固体電解質層１５における多孔質焼結体９の面９ａ上の部分は、陰極層１６から露出している。陰極層１６は、固体電解質層１５と導通している。
この参考形態では、図１２に示すように、固体電解質層１５と陰極層１６との間に架橋構造１９が形成されている。より具体的には、固体電解質層１５および陰極層１６は、ともに親水性の官能基を有する物質からなっていてもよく、架橋構造１９は、固体電解質層１５および陰極層１６の親水性の官能基とアミンとの結合による架橋構造１９を含んでいてもよい。図１２では、一例として、スルホン酸残基を有するポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を含む物質からなる固体電解質層１５と、カルボン酸残基を有するグラファイトからなる陰極層１６とが、アルキルジアミンによって結合された架橋構造１９が示されている。

上記のような固体電解質層１５としては、たとえば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）にポリスチレンスルホン酸をドーパントとしてドープした導電性ポリマー等が挙げられる。
一方、陰極層１６としては、カルボン酸残基のような親水性の官能基を有するグラファイト等が挙げられる。また、陰極層１６は、上記親水性の官能基を有する物質層の上に、銀（Ａｇ）層を積層した構造であってもよい。

導電性接着層２２は、たとえば、銀ペーストであってもよい。樹脂パッケージ２３は、たとえば、エポキシ樹脂からなっていてもよい。樹脂パッケージ２３は、コンデンサ素子２１を保護するためのものである。
枕電極２４は、コンデンサ素子２１に後述の陽極実装端子５１および陰極実装端子５２を取り付ける際に、陽極ワイヤ１２を支持するためのものである。枕電極２４は、方向ｘと交差する方向に延びており、この参考形態では、図９の上下方向に延びている。枕電極２４は、陽極ワイヤ１２のうち第２膜状部１４２から離間した部位に接合され、且つ、陽極ワイヤ１２と導通している。枕電極２４は、たとえば、銅メッキが施された４２アロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金からなっていてもよい。

陽極実装端子５１および陰極実装端子５２は、固体電解コンデンサＡ４を回路基板Ｓ１ａに実装するためのものである。陽極実装端子５１および陰極実装端子５２はいずれも、たとえば、銅メッキが施された４２アロイ等のＮｉ−Ｆｅ合金からなっていてもよい。
陽極実装端子５１は、枕電極２４を支持し、且つ、枕電極２４を介して陽極ワイヤ１２と導通している。陽極実装端子５１の一部は、樹脂パッケージ２３から露出している。陽極実装端子５１において樹脂パッケージ２３から露出している面は、固体電解コンデンサＡ４を回路基板Ｓ１ａに実装するための実装面５１３となっている。実装面５１３がハンダ８９によって回路基板Ｓ１ａに対し接着されることによって、固体電解コンデンサＡ４は回路基板Ｓ１ａに対し実装される。

陽極実装端子５１は、厚肉部５１１と、厚肉部５１１よりも厚さ（図９の上下方向における寸法）が薄い薄肉部５１２とを含む。厚肉部５１１にて実装面５１３と反対側に位置する面は、枕電極２４を支持する支持面５１４となっている。支持面５１４は、実装面５１３と平行であってもよい。厚肉部５１１の方向ｘ側の部分には、実装面５１３から支持面５１４側に凹むフィレット部５１１ａが形成されている。これにより、実装面５１３と回路基板Ｓ１ａとを接着するハンダ８９の一部は、ハンダフィレットとして形成される。

薄肉部５１２は、陽極実装端子５１が陰極層１６ないし固体電解質層１５に接触するのを防止するために形成されている。薄肉部５１２において実装面５１３と反対側に位置する面は、退避面５１５となっている。退避面５１５は、実装面５１３と平行であってもよい。退避面５１５は、陽極実装端子５１において、方向ｘと反対側の端部に位置している。退避面５１５は薄肉部５１２におけるものであるから、退避面５１５と実装面５１３との距離は、支持面５１４と実装面５１３との距離よりも小さい。

退避面５１５は、必ずしも実装面５１３と平行である必要はなく、支持面５１４から方向ｘの反対側に向かうにつれて、徐々に実装面５１３に接近する面であってもよい。この参考形態では、退避面５１５は、支持面５１４と起立面５１６を介してつながっている。起立面５１６は、退避面５１５に対し垂直である面であり、退避面５１５から支持面５１４に延びている。

陰極実装端子５２は、導電性接着層２２および陰極層１６を介して固体電解質層１５と導通している。陰極実装端子５２の一部は、樹脂パッケージ２３から露出している。陰極実装端子５２において樹脂パッケージ２３から露出している面は、固体電解コンデンサＡ４を回路基板Ｓ１ａに実装するための実装面５２３となっている。実装面５２３がハンダ８９によって回路基板Ｓ１ａに対し接着されることによって、固体電解コンデンサＡ４は回路基板Ｓ１ａに対し実装される。実装面５２３の面積と実装面５１３の面積とが同一であるならば、セルフアライメントに効果的である。陰極実装端子５２の方向ｘの反対側の部分には、陽極実装端子５１と同様に、フィレット部５２ａが形成されている。陰極実装端子５２にて実装面５２３と反対側に位置する面は、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を向上させる観点から、大きい方が好ましい。

次に、図１３〜図１９を参照して、固体電解コンデンサＡ４の製造方法について、以下に説明する。
まず、コンデンサ素子２１の製造方法について説明する。図１３には、コンデンサ素子２１の製造方法の流れを示す。
まず、図１４Ａおよび図１４Ｂに示す多孔質焼結体９’を形成する工程Ｓ１が行われる。工程Ｓ１では、たとえば、タンタル（Ｔａ）やニオブ（Ｎｂ）等の弁作用金属の微粉末に陽極ワイヤ１２’の一部を進入させた状態で加圧成形が行われる。この加圧成形によって得られた加圧成型体に対して焼結処理が施される。この焼結処理によって、弁作用金属の微粉末どうしが焼結し、多数の細孔を有する多孔質焼結体９’が形成される。

次に、撥水膜１４を形成する工程Ｓ２が行われる。なお、撥水膜１４を形成する工程Ｓ２は、後述する誘電体層１３を形成する工程Ｓ３の後に行ってもよく、後述する固体電解質層１５を形成する工程Ｓ４の前であればよい。工程Ｓ２では、フッ素樹脂材料と導電性ポリマー材料とを含む液体材料８を陽極ワイヤ１２’および多孔質焼結体９’に付着させる（図１９の工程Ｓ２１）。

図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、液体材料８を陽極ワイヤ１２’に付着させる工程Ｓ２１では、先端が二股状になっている保持部材８８の二股部分に、液体材料としての水性分散体８を保持させる。液体材料８は、フッ素樹脂材料および導電性ポリマー材料を含んでおり、比較的粘性が高い。
次に、図１４Ａおよび図１４Ｂの仮想線で示すように、保持部材８８を陽極ワイヤ１２’に接近させ、保持部材８８の二股部分が、陽極ワイヤ１２’における多孔質焼結体９’の近傍部分に嵌めこまれる。これにより、保持部材８８に保持された液体材料８は、陽極ワイヤ１２’および多孔質焼結体９’に付着する。この際に、液体材料８は多孔質焼結体９’に偏って付着することがある。また、多孔質焼結体９’の表面状態によって、多孔質焼結体９’における液体材料８の広がり方が異なる。

次に、保持部材８８を陽極ワイヤ１２’から離間させる。これにより、液体材料８が陽極ワイヤ１２’および多孔質焼結体９’に塗布された状態となる。次に、多孔質焼結体９’および陽極ワイヤ１２’に液体材料８を塗布したのち数秒ほど経過すると、液体材料８中の液体成分が多孔質焼結体９’にしみ込む。このように、液体材料８を陽極ワイヤ１２’に付着させる工程Ｓ２１が行われる。

液体材料８としては、たとえば、フッ素樹脂材料と導電性ポリマー材料とを溶媒に拡散させた材料を適用できる。フッ素樹脂材料は、たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、フッ化エチレンプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、および、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）よりなる群の少なくとも一つから選択される樹脂を含んでいてもよい。導電性ポリマーとしては、たとえば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）にポリスチレンスルホン酸をドーパントとしてドープした材質が挙げられる。溶媒は、水、有機溶剤等を上記の導電性ポリマーにあわせて選択することができる。

次に、図１５に示すように、加熱する工程Ｓ２２が行われる。これにより、フッ素樹脂材料および導電性ポリマーが焼成され、撥水膜１４が形成される。
この参考形態では、撥水膜１４は、多孔質焼結体９’と陽極ワイヤ１２’とに形成される。撥水膜１４のうち多孔質焼結体９’に形成されるものは、第１膜状部１４１となる。撥水膜１４のうち陽極ワイヤ１２’に形成されるものは、第２膜状部１４２となる。第１膜状部１４１および第２膜状部１４２は、陽極ワイヤ１２’に密着したものとなる。

なお、撥水膜１４の厚さをより厚くするために、撥水膜１４を形成する工程Ｓ２を繰り返し行ってもよい。また、撥水膜１４の厚さをより薄くするために、工程２１において、液体材料８を希釈したものを陽極ワイヤ１２’に塗布してもよい。
次に、誘電体層１３を形成する工程Ｓ３が行われる。工程Ｓ３は、たとえば、多孔質焼結体９’をリン酸水溶液の化成液に漬けた状態で陽極酸化処理を施すことによって行われる。

次に、図１６に示すように、固体電解質層１５を形成する工程Ｓ４が行われる。工程Ｓ４では、誘電体層１３が形成された多孔質焼結体９が、水溶液８７に浸漬される。
水溶液８７は、たとえば、硝酸マンガンの水溶液、もしくは、導電性ポリマーの水溶液であってもよい。多孔質焼結体９を水溶液８７に浸漬するとき、水溶液８７の界面が撥水膜１４を超えない位置関係とする。水溶液８７は、撥水膜１４との間に表面張力が生じ、撥水膜１４には水溶液８７は付着しない。仮に撥水膜１４に水溶液８７が一時的に付着しても、その後、多孔質焼結体９を水溶液８７から引き揚げたときに、水溶液８７は撥水膜１４から流れ落ちる。多孔質焼結体９を水溶液８７から引き揚げた後には、焼成処理が施される。多孔質焼結体９を水溶液８７に浸漬し、その後、焼成処理を施す当該作業を繰り返すことによって、固体電解質層１５を形成することができる。

次に、図１７に示すように、架橋剤を定着させる工程（架橋構造１９を形成する工程）Ｓ５が行われる。工程Ｓ５では、固体電解質層１５が形成された多孔質焼結体９が、水溶液２０に浸漬される。
水溶液２０は、たとえば、アルキルジアミン（エチレンジアミン等）等の架橋剤溶液であってもよい。上記架橋剤溶液の溶媒としては、水、有機溶剤等を上記の架橋剤の種類にあわせて選択することができる。多孔質焼結体９を水溶液２０から引き揚げた後には、焼成処理が施される。これにより、固体電解質層１５の表面に架橋剤が定着する。

次に、図１８に示すように、陰極層１６を形成する工程Ｓ６が行われる。工程Ｓ５では、たとえば、固体電解質層１５に架橋剤が定着した多孔質焼結体９が、グラファイト等の陰極材料が分散した溶液に浸漬され、乾燥（たとえば、室温乾燥）される。これにより、陰極層１６が形成されるが、必要により、グラファイト層を形成した後、当該グラファイト層上に銀層を形成してもよい。以上の工程Ｓ１〜Ｓ６を経ることによって、コンデンサ素子２１が製造される。

次に、導電性接着層２２を介して、陰極層１６と陰極実装端子５２とが接合される。また、たとえば溶接をすることによって、陽極ワイヤ１２に、枕電極２４および陽極実装端子５１が接合される。そして、コンデンサ素子２１を覆うように樹脂パッケージ２３が、モールド成形される。以上の工程を経ることによって、図１に示す固体電解コンデンサＡ４を製造することができる。

次に、固体電解コンデンサＡ４の作用について説明する。
この参考形態に係る固体電解コンデンサＡ４では、図１２に示すように、固体電解質層１５と陰極層１６との間に架橋構造１９が形成されている。これにより、固体電解質層１５と陰極層１６との密着性を向上させることができる。その結果、固体電解質層１５と陰極層１６との間に層間クラックが発生することを抑制することができるので、低ＥＳＲ化を図ることができる。

また、この参考形態に係る固体電解コンデンサＡ４では、撥水膜１４は、撥水性と導電性とを有している。そのため、固体電解質層１５と接する撥水膜１４は、固体電解質層１５と導通しており、陰極の一部として機能する。これにより、多孔質焼結体９の面９ａが撥水膜１４に覆われていても、この覆われた領域においてもコンデンサの機能を担う導通現象が確保される。その結果、撥水膜１４を設けるにも関わらず、ＥＳＲが増大することを回避することが可能である。したがって、しみ上がりを抑制しつつ、低ＥＳＲ化を図ることができる。

また、この参考形態に係る固体電解コンデンサＡ４では、撥水膜１４が導電性ポリマーを含むことによって、撥水膜１４は、酸化剤として機能しうる。すなわち、誘電体層１３に微小な亀裂や欠損があったとしても、撥水膜１４から酸素が供給されることによって、弁作用金属がただちに酸化され、誘電体層１３が修復される。したがって、漏れ電流の発生等を防止することができる。

以上、本発明の実施形態および参考形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の実施形態および参考形態では、多孔質焼結体１，９が固体電解コンデンサの陽極として構成されていたが、陰極として構成されていてもよい。この場合、陰極層４，１６は、陽極層として構成されてもよい。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
また、前述の本発明の参考形態からは、以下の特徴を抽出することができる。
（項１）
第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体と、前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、前記固体電解質層上に形成された第２の極を構成する電極層とを含み、前記固体電解質層と前記電極層との間に架橋構造が形成されている、固体電解コンデンサ。
（項２）
前記固体電解質層および前記電極層は、ともに親水性の官能基を有する物質からなり、前記架橋構造は、前記親水性の官能基とアミンとの結合による架橋構造を含む、項１に記載の固体電解コンデンサ。
（項３）
前記固体電解質層は、前記親水性の官能基を有する導電性ポリマーを含み、前記電極層は、前記親水性の官能基を有するグラファイトを含む、項２に記載の固体電解コンデンサ。
（項４）
前記固体電解質層の前記親水性の官能基は、スルホン酸残基を含み、前記電極層の前記親水性の官能基は、カルボン酸残基を含む、項２または３に記載の固体電解コンデンサ。
（項５）
第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体を形成する工程と、前記多孔質焼結体上に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に、親水性の官能基を有する固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層上に親水性の架橋剤を塗布する工程と、前記架橋剤の塗布後、前記固体電解質層上に、親水性の官能基を有する第２の極を構成する電極層を形成する工程とを含む、固体電解コンデンサの製造方法。
（項６）
前記架橋剤は、アミノ基を有する架橋剤を含む、項５に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
（項７）
前記固体電解質層は、前記親水性の官能基を有する導電性ポリマーを含み、前記電極層は、前記親水性の官能基を有するグラファイトを含む、項５または６に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
（項８）
前記固体電解質層の前記親水性の官能基は、スルホン酸残基を含み、前記電極層の前記親水性の官能基は、カルボン酸残基を含む、項５〜７のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

１ 多孔質焼結体
２ 誘電体層
３ 固体電解質層
４ 陰極層
３１ 内部電極層
３２ 外部電極層
３２ａ 固体粒子含有層
３２ｂ 固体粒子
３２ｃ 有機材料部
３２ｄ 導電性ポリマー層
３２ｅ 結合構造
Ａ１ 固体電解コンデンサ
Ａ２ 固体電解コンデンサ
Ａ３ 固体電解コンデンサ

Claims (17)

1. 第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体と、
   前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、
   前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、
   前記固体電解質層上に形成された第２の極を構成する電極層とを含み、
   前記固体電解質層は、シランカップリング剤で表面処理された無機材料からなる固体粒子と、前記固体粒子を覆うように形成された導電性の有機材料部を有する固体粒子含有層を含む、固体電解コンデンサ。
2. 第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体と、
   前記多孔質焼結体上に形成された誘電体層と、
   前記誘電体層上に形成された固体電解質層と、
   前記固体電解質層上に形成された第２の極を構成する電極層とを含み、
   前記固体電解質層は、無機材料からなる固体粒子と、前記固体粒子を覆うように形成された導電性の有機材料部とを有する固体粒子含有層を含み、
   前記固体粒子と前記有機材料部との間は、シラン由来のケイ素を介して結合されている、固体電解コンデンサ。
3. 前記固体電解質層は、前記多孔質焼結体の内部において前記誘電体層を覆う内部電極層を含み、
   前記固体粒子含有層は、前記内部電極層を覆うように形成されている、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
4. 前記有機材料部は、導電性ポリマーを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
5. 前記固体粒子は、グラファイトを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
6. 前記グラファイトは、扁平形状を有している、請求項５に記載の固体電解コンデンサ。
7. 前記固体粒子は、金属を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
8. 前記固体粒子は、金属酸化物を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
9. 前記多孔質焼結体は、弁作用金属を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
10. 第１の極を構成する導電性の多孔質焼結体を形成する工程と、
    前記多孔質焼結体上に誘電体層を形成する工程と、
    前記誘電体層上に固体電解質層を形成する工程と、
    前記固体電解質層上に第２の極を構成する電極層を形成する工程とを含み、
    前記固体電解質層を形成する工程は、シランカップリング剤で表面処理された無機材料からなる固体粒子、導電性の有機材料の分散体および溶媒を含む分散体液を前記誘電体層側に供給した後、前記溶媒を除去することによって固体粒子含有層を形成する工程を含む、固体電解コンデンサの製造方法。
11. 前記固体電解質層を形成する工程は、前記多孔質焼結体の内部において前記誘電体層を覆う内部電極層を形成する工程を含み、
    前記固体粒子含有層を形成する工程は、前記分散体液を前記内部電極層上に塗布した後に、前記溶媒を除去する工程を含む、請求項１０に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
12. 前記有機材料は、導電性ポリマーを含む、請求項１０または１１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
13. 前記固体粒子は、グラファイトを含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
14. 前記グラファイトは、扁平形状を有している、請求項１３に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
15. 前記固体粒子は、金属を含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
16. 前記固体粒子は、金属酸化物を含む、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
17. 前記多孔質焼結体は、弁作用金属を含む、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

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