JP2019145535A - セラミック積層基板およびセラミック積層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 積層体に割れや欠けなどの構造欠陥が発生しにくいセラミック積層基板を提供する。【解決手段】 セラミック基体１ａ〜１ｅが積層された積層体２と、貫通孔５ａ〜５ｈと金属薄膜６ａ〜６ｈとで構成された薄膜ビア８〜１２とを備え、薄膜ビア８〜１２は、内部に空隙を有し、かつ、少なくとも一方の端部が塞がれた非貫通孔であり、薄膜ビア８〜１２の端部に配線導体（外部電極３ａ、３ｂ、コイル導体４ａ〜４ｄ）が形成され、配線導体が金属薄膜６ａ〜６ｈと接続されたものとする。【選択図】 図２

Description

本発明はセラミック積層基板に関し、さらに詳しくは、セラミック基体が積層された積層体を備え、積層体に配線導体と層間接続導体が形成されたセラミック積層基板に関する。

また、本発明は、本発明のセラミック積層基板を製造するのに適したセラミック積層基板の製造方法に関する。

セラミック基体が積層された積層体を備え、積層体に配線導体と層間接続導体が形成されたセラミック積層基板が、電子機器に広く使用されている。特許文献１（ＷＯ２０１５／１５２３３３Ａ１公報）に、そのようなセラミック積層基板が開示されている。図６に、特許文献１に開示されたセラミック積層基板（積層型コイル部品）１０００を示す。

セラミック積層基板１０００は、複数のセラミック基体（絶縁体層）１０１ａ〜１０１ｈが積層された積層体１０２を備えている。最外層に積層されたセラミック基体１０１ａの外表面には、１対の外部電極１０３ａ、１０３ｂが形成されている。

セラミック基体１０１ａ〜１０１ｈの層間には、配線導体としてコイル導体（パターン導体部）１０４が形成されている。また、セラミック基体１０１ａ〜１０１ｇには、両主面間を貫通してビア（層間接続導体）１０５が形成されている。そして、異なる層間に形成されたコイル導体１０４を、ビア１０５で順に接続することによって、積層体１０１の内部にコイル１０６が形成されている。コイル１０６は、一端が外部電極１０３ａに接続され、他端が外部電極１０３ｂに接続されている。

セラミック積層基板１０００は、たとえば、次の方法で製造される。まず、セラミック基体１０１ａ〜１０１ｈとなるセラミックのグリーンシートを作製する。次に、グリーンシートに、必要に応じて、ビア１０５を形成するための貫通孔を形成する。次に、貫通孔に、ビア１０５となる導電性ペーストを充填する。次に、グリーンシートの主面に導電性ペーストを塗布し、外部電極１０３ａ、１０３ｂ、コイル導体１０４となる導電性ペーストパターンを形成する。次に、グリーンシートを所定の順番に積層し、圧着して一体化させ、未焼成の積層体を作製する。最後に、未焼成の積層体を焼成して積層体１０２を作製し、セラミック積層基板１０００が完成する。

ＷＯ２０１５／１５２３３３Ａ１公報

セラミック積層基板１０００には、未焼成の積層体を焼成して積層体１０２を作製するときに、グリーンシートの収縮率と、貫通孔に充填された導電性ペーストの収縮率とが異なることに起因して、積層体１０２や、積層体１０２とビア１０５との接触部分に割れや欠けなどの構造欠陥が発生する虞があった。

本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明のセラミック積層基板は、複数のセラミック基体が積層された積層体と、積層体の内部に形成された層間接続導体と、を備え、層間接続導体は、１層のセラミック基体、または、連続した複数層のセラミック基体を貫通して形成された貫通孔と、貫通孔の内壁に形成された金属薄膜と、を備えた薄膜ビアであり、薄膜ビアは、内部に空隙を有し、かつ、少なくとも一方の端部が塞がれた非貫通孔であり、薄膜ビアの端部と接する位置に配線導体が形成され、配線導体が金属薄膜と接続されたものとする。

配線導体と金属薄膜は、異なる組成からなるものであっても良い。異なる組成は、たとえば、ＡｇとＣｕのように主成分である金属が異なっている場合を含み、主成分である金属が同じであっても、副成分の有無の違い、副成分の種類の違い、副成分の量の違いなどがある場合も含む。

薄膜ビアの貫通孔が、連続した複数層のセラミック基体を貫通して形成されたものである場合は、隣接するセラミック基体に形成された金属薄膜同士を接続する接続導体が、セラミック基体の層間に形成されることも好ましい。この場合には、接続導体によって、隣接するセラミック基体に形成された金属薄膜同士を確実に接続することができる。

その場合において、薄膜ビアの貫通孔が、セラミック基体ごとに、径の大きい開口と、径の小さい開口とを有するテーパー形状を有し、接続導体が、隣接するセラミック基体に形成された、径の大きい開口部分の金属薄膜と、径の小さい開口部分の金属薄膜とを接続することも好ましい。この場合には、接続導体によって、隣接するセラミック基体に形成された金属薄膜同士をさらに確実に接続することができる。

配線導体がコイル導体を含み、異なる層間に形成されたコイル導体同士が薄膜ビアによって接続され、コイルが形成されることも好ましい。また、最外層に積層されたセラミック基体の外表面に形成された配線導体が、外部と接続する外部電極を構成することも好ましい。

また、本発明のセラミック積層基板を製造するのに適した、本発明の積層基板の製造方法は、複数のセラミック基体が積層された積層体と、積層体の内部に形成された層間接続導体と、を備えたセラミック積層基板の製造方法であって、層間接続導体は、１層のセラミック基体、または、連続した複数層のセラミック基体を貫通して形成された貫通孔と、貫通孔の内壁に形成された金属薄膜とを備え、内部に空隙を有する薄膜ビアであり、セラミック基体となるグリーンシートを作製する工程と、グリーンシートに貫通孔を形成する工程と、グリーンシートに形成した貫通孔の内壁に、金属薄膜を形成する工程と、グリーンシートの主面に配線導体を形成する工程と、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、積層体を焼成する工程と、を備えたものとする。

グリーンシートを積層して積層体を作製する工程において、薄膜ビアの貫通孔の少なくとも一方の端部がグリーンシートによって塞がれ、当該貫通孔が非貫通孔となっても良い。すでに、グリーンシートに形成した貫通孔の内壁に金属薄膜が形成されているため、当該貫通孔が非貫通孔になっても、薄膜ビアの貫通孔の内壁に金属薄膜を設けることができる。

薄膜ビアの貫通孔が、連続した複数層のセラミック基体を貫通したものである場合は、隣接するグリーンシートの内壁に形成された金属薄膜同士を接続する接続導体を、少なくとも一方の当該グリーンシートの主面に形成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合には、接続導体によって、隣接するグリーンシートに形成された金属薄膜同士を確実に接続することができる。

その場合において、グリーンシートに形成された貫通孔が、径の大きい開口と、径の小さい開口とを有するテーパー形状を有し、接続導体が、隣接するグリーンシートに形成された、径の大きい開口部分の金属薄膜と、径の小さい開口部分の金属薄膜とを接続することも好ましい。この場合には、接続導体によって、隣接するセラミック基体に形成された金属薄膜同士をさらに確実に接続することができる。なお、接続導体を形成する工程は、配線導体を形成する工程と同時におこなうこともできる。

配線導体がコイル導体を含み、グリーンシートを積層して積層体を作製する工程において、異なるグリーンシートに形成されたコイル導体同士が薄膜ビアによって接続され、コイルが形成されることも好ましい。また、配線導体が外部電極を含み、グリーンシートの主面に配線導体を形成する工程において、最外層に積層されるグリーンシートの外表面に外部電極が形成されることも好ましい。

本発明のセラミック積層基板は、層間接続導体が、１層のセラミック基体、または、連続した複数層のセラミック基体を貫通して形成された貫通孔と、貫通孔の内壁に形成された金属薄膜とを備え、内部に空隙を有する薄膜ビアであるため、未焼成の積層体を焼成して積層体を作製するときに、積層体に割れや欠けなどの構造欠陥が発生しにくい。

また、本発明の積層基板の製造方法によれば、本発明のセラミック積層基板を容易に製造することができる。

実施形態にかかるセラミック積層基板１００を示す斜視図である。 セラミック積層基板１００を示す断面図である。 セラミック積層基板１００のセラミック基体１ａ〜１ｅを示す積図である。 図４（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、セラミック積層基板１００の製造方法の一例において実施する工程を示す断面図である。 図５（Ｃ）〜（Ｅ）は、図４（Ｂ）の続きであり、それぞれ、セラミック積層基板１００の製造方法の一例において実施する工程を示す断面図である。 特許文献１に開示されたセラミック積層基板１０００を示す分解斜視図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

図１、図２、図３に、実施形態にかかるセラミック積層基板１００を示す。ただし、図１は、セラミック積層基板１００の斜視図である。図２は、セラミック積層基板１００の断面図である。図３は、セラミック積層基板１００のセラミック基体１ａ〜１ｅを示す積図である。なお、断面図である図２は、図１および図３にそれぞれ示す、一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。

セラミック積層基板１００は、上から順にセラミック基体１ａ、１ｂ、１ｂ、１ｄ、１ｅが積層された積層体２を備えている。積層体２（セラミック基体１ａ〜１ｅ）の材質は任意であるが、たとえば磁性体セラミックや非磁性体セラミックによって作製することができる。

セラミック基体１ａの上側主面に、配線導体として、１対の外部電極３ａ、３ｂが形成されている。

外部電極３ａ、３ｂの形状、大きさなどは任意であるが、たとえば長方形に形成されている。外部電極３ａ、３ｂの材質も任意であるが、たとえば、銀、銅、銀を含む合金、銅を含む合金などによって作製することができる。外部電極３ａ、３ｂの表面に、めっき層を形成しても良い。また、配置される外部電極の数も２つに制限されず、単数あるいは複数であっても良い。

セラミック基体１ｂの上側主面に、配線導体として、コイル導体４ａが形成されている。同様に、セラミック基体１ｃの上側主面に、配線導体として、コイル導体４ｂが形成されている。セラミック基体１ｄの上側主面に、配線導体として、コイル導体４ｃが形成されている。セラミック基体１ｅの上側主面に、配線導体として、コイル導体４ｄが形成されている。コイル導体４ａ〜４ｄは積層体２内部で接続され、積層方向に対し平行な巻回軸を有する螺旋状のコイルが形成されている。

コイル導体４ａ〜４ｄの形状、長さなどは任意である。コイル導体４ａ〜４ｄの材質も任意であるが、たとえば、銀、銅、銀を含む合金、銅を含む合金などによって作製することができる。

セラミック基体１ａを積層方向に貫通して、貫通孔５ａが形成されている。貫通孔５ａは、外部電極３ａの形成領域内に形成されている。また、貫通孔５ａは、セラミック基体１ｂに形成されたコイル導体４ａの一端の直上に形成されている。貫通孔５ａは、上側の開口の直径が下側の開口の直径よりも大きく、テーパー形状を有している。貫通孔５ａの内壁に、金属薄膜６ａが形成されている。貫通孔５ａと金属薄膜６ａとで、薄膜ビア８が構成されている。薄膜ビア８は、内部に空隙を有している。

セラミック基体１ｂを貫通して、貫通孔５ｂが形成されている。貫通孔５ｂは、コイル導体４ａの他端に形成されている。また、貫通孔５ａは、セラミック基体１ｃに形成されたコイル導体４ｂの一端の直上に形成されている。貫通孔５ｂは、上側の開口の直径が下側の開口の直径よりも大きく、テーパー形状を有している。貫通孔５ｂの内壁に、金属薄膜６ｂが形成されている。貫通孔５ｂと金属薄膜６ｂとで、薄膜ビア９が構成されている。薄膜ビア９は、内部に空隙を有している。

セラミック基体１ｃを貫通して、貫通孔５ｃが形成されている。貫通孔５ｃは、コイル導体４ｂの他端に形成されている。また、貫通孔５ｃは、セラミック基体１ｄに形成されたコイル導体４ｃの一端の直上に形成されている。貫通孔５ｃは、上側の開口の直径が下側の開口の直径よりも大きく、テーパー形状を有している。貫通孔５ｃの内壁に、金属薄膜６ｃが形成されている。貫通孔５ｃと金属薄膜６ｃとで、薄膜ビア１０が構成されている。薄膜ビア１０は、内部に空隙を有している。

セラミック基体１ｄを貫通して、貫通孔５ｄが形成されている。貫通孔５ｄは、コイル導体４ｃの他端に形成されている。また、貫通孔５ｄは、セラミック基体１ｅに形成されたコイル導体４ｄの一端の直上に形成されている。貫通孔５ｄは、上側の開口の直径が下側の開口の直径よりも大きく、テーパー形状を有している。貫通孔５ｄの内壁に、金属薄膜６ｄが形成されている。貫通孔５ｄと金属薄膜６ｄとで、薄膜ビア１１が構成されている。薄膜ビア１１は、内部に空隙を有している。

セラミック基体１ａを貫通して貫通孔５ｅが形成され、セラミック基体１ｂを貫通して貫通孔５ｆが形成され、セラミック基体１ｃを貫通して貫通孔５ｇが形成され、セラミック基体１ｄを貫通して貫通孔５ｈが形成されている。貫通孔５ｅ〜５ｈは、積層体２を平面視した場合に、外部電極３ｂの形成領域内の同じ位置に、重ねて形成されている。また、貫通孔５ｅ〜５ｈは、セラミック基体１ｅに形成されたコイル導体４ｄの他端の直上に形成されている。貫通孔５ｅ〜５ｈは、それぞれ、上側の開口の直径が下側の開口の直径よりも大きく、テーパー形状を有している。貫通孔５ｅの内壁に金属薄膜６ｅが形成され、貫通孔５ｆの内壁に金属薄膜６ｆが形成され、貫通孔５ｇの内壁に金属薄膜６ｇが形成され、貫通孔５ｈの内壁に金属薄膜６ｈが形成されている。

セラミック基体１ａの下側主面の貫通孔５ｅの下側の開口部分に、接続導体７ａが形成されている。同様に、セラミック基体１ｂの下側主面の貫通孔５ｆの下側の開口部分に、接続導体７ｂが形成されている。セラミック基体１ｃの下側主面の貫通孔５ｇの下側の開口部分に、接続導体７ｃが形成されている。

貫通孔５ｅ〜５ｈを繋ぐ長い貫通孔と、金属薄膜６ｅ〜６ｈとで、薄膜ビア１２が構成されている。ただし、金属薄膜６ｅと金属薄膜６ｆは、接続導体７ａを介して接続されている。同様に、金属薄膜６ｆと金属薄膜６ｇは、接続導体７ｂを介して接続されている。金属薄膜６ｇと金属薄膜６ｈは、接続導体７ｃを介して接続されている。薄膜ビア１２は、内部に空隙を有している。

金属薄膜６ａ〜６ｈは、貫通孔５ａ〜５ｈの内壁部分に形成され、１μｍから３μｍ程度の厚さを備えている。金属薄膜６ａ〜６ｈの材質は任意であるが、たとえば、銀、銅、銀を含む合金、銅を含む合金などによって作製することができる。

薄膜ビア８（貫通孔５ａ、金属薄膜６ａ）が、外部電極３ａとコイル導体４ａの一端とを接続している。薄膜ビア８は、上側の開口が外部に露出し、下側の開口がセラミック基体１ｂによって塞がれた有底孔である。

薄膜ビア９（貫通孔５ｂ、金属薄膜６ｂ）が、コイル導体４ａの他端とコイル導体４ｂの一端とを接続している。薄膜ビア９は、上側の開口がセラミック基体１ａによって塞がれ、下側の開口がセラミック基体１ｃによって塞がれた密閉孔である。

薄膜ビア１０（貫通孔５ｃ、金属薄膜６ｃ）が、コイル導体４ｂの他端とコイル導体４ｃの一端とを接続している。薄膜ビア１０は、上側の開口がセラミック基体１ｂによって塞がれ、下側の開口がセラミック基体１ｄによって塞がれた密閉孔である。

薄膜ビア１１（貫通孔５ｄ、金属薄膜６ｄ）が、コイル導体４ｃの他端とコイル導体４ｄの一端とを接続している。薄膜ビア１１は、上側の開口がセラミック基体１ｃによって塞がれ、下側の開口がセラミック基体１ｅによって塞がれた密閉孔である。

薄膜ビア１２（貫通孔５ｅ〜５ｈ、金属薄膜６ｅ〜６ｈ）が、外部電極３ｂとコイル導体４ｄの他端とを接続している。薄膜ビア１２は、上側の開口が外部に露出し、下側の開口がセラミック基体１ｅによって塞がれた有底孔である。

この結果、セラミック積層基板１００は、外部電極３ａと外部電極３ｂとの間に、薄膜ビア８、コイル導体４ａ、薄膜ビア９、コイル導体４ｂ、薄膜ビア１０、コイル導体４ｃ、薄膜ビア１１、コイル導体４ｄ、薄膜ビア１２を順に繋いだコイル１３が構成されている。

セラミック積層基板１００は、たとえば、図４（Ａ）〜図５（Ｅ）に示す方法で製造することができる。

まず、図４（Ａ）に示すように、セラミック基体１ａ〜１ｅを形成するためのセラミックのグリーンシート５１ａ〜５１ｅを作製する。グリーンシート５１ａ〜５１ｅは、たとえば磁性体のセラミック粉末に、バインダー、溶剤を添加してスラリーを作製し、作製されたスラリーを、たとえばドクターブレード法によって膜状にすることによって作製する。

次に、図４（Ｂ）に示すように、グリーンシート５１ａ〜５１ｄに、貫通孔５ａ〜５ｈを形成する。貫通孔５ａ〜５ｈは、たとえば、レーザー光の照射によって形成する。貫通孔５ａ〜５ｈは、それぞれ、上側の開口の直径が下側の開口の直径よりも大きいテーパー形状に形成される。テーパー形状の傾斜等は、レーザー光を照射する条件を選定することによって、調整することができる。

次に、図５（Ｃ）に示すように、貫通孔５ａ〜５ｈの内壁に、金属薄膜６ａ〜６ｈを形成する。金属薄膜６ａ〜６ｈは、薄膜技術によって形成する。具体的には、金属薄膜６ａ〜６ｈは、たとえばスパッタリング法によって形成する。ただし、使用する薄膜技術はスパッタリング法には限定されず、蒸着法、めっき法などであっても良い。薄膜技術を用いることにより、貫通孔の内壁部に満遍なく金属膜を形成することができる。

次に、図５（Ｄ）に示すように、グリーンシート５１ａの上側主面に外部電極３ａ、３ｂ、グリーンシート５１ｂ〜５１ｅの上側主面にコイル導体４ａ〜４ｄ、グリーンシート５１ａ〜５１ｃの下側主面に接続導体７ａ〜７ｃを形成する。外部電極３ａ、３ｂ、コイル導体４ａ〜４ｄ、接続導体７ａ〜７ｃの形成方法は任意であるが、たとえば、導電性ペーストをスクリーン印刷することによって形成することができる。

接続導体７ａ〜７ｃは、グリーンシート５１ａ〜５１ｅの上側主面と下側主面を導通させるよう金属薄膜６ｅ〜６ｈに接している。

また、接続導体７ａ〜７ｃは、貫通孔５ｅ〜５ｇの下側主面の開口部において、貫通孔５ｆ〜５ｈの上側主面の開口部よりも大きいことが望ましい。具体的には、積層方向から見て、上側主面の開口部を覆うように形成されることで、グリーンシート５１ａ〜５１ｅが積層された際に、接続導体７ａ〜７ｃに接する金属薄膜６ｆ〜６ｈの上側主面の開口部と広い範囲で接することができる。

次に、図５（Ｅ）に示すように、グリーンシート５１ａ〜５１ｅを積層し、圧着して、未焼成の積層体５２を作製する。この結果、未焼成の積層体５２の内部に、薄膜ビア８〜１２が形成される。

最後に、未焼成の積層体５２を、所定のプロファイルで焼成して、セラミック積層基板１００が完成する。

セラミック積層基板１００は、層間接続導体として薄膜ビア８〜１２を使用しているため、従来の貫通孔に導電性ペーストを充填して焼成したビアのように、グリーンシートの収縮率と導電性ペーストの収縮率とが異なることに起因して、焼成時に積層体に割れや欠けなどの構造欠陥が発生する虞が小さい。これは薄膜ビア８〜１２が、貫通孔５ａ〜５ｈの内壁に金属薄膜６ａ〜６ｈを形成したものであり、かつ、内部に空隙を有するからである。

焼成時に、グリーンシート５１ａ〜５１ｅが熱収縮を起こした場合、貫通孔５ａ〜５ｈは穴の大きさが拡がるように応力がかかる。しかしセラミック積層基板１００では、金属薄膜６ａ〜６ｈは内部に空隙を有するため、金属が充填されていた場合に比べ柔軟性が高く、応力がかかることを緩和する。したがって、できあがった積層体２（セラミック基体１ａ〜１ｅ）に、割れや欠けなどの構造欠陥が発生しにくい。

また、セラミック積層基板１００は、薄膜ビア１２において、金属薄膜６ｅと金属薄膜６ｆとを接続導体７ａを介して接続し、金属薄膜６ｆと金属薄膜６ｇとを接続導体７ｂを介して接続し、金属薄膜６ｇと金属薄膜６ｈとを接続導体７ｃを介して接続しているため、金属薄膜６ｅと金属薄膜６ｆとの接続、金属薄膜６ｆと金属薄膜６ｇとの接続、金属薄膜６ｇと金属薄膜６ｈとの接続が、それぞれ確実になっている。

また、セラミック積層基板１００は、薄膜ビア８、１２が有底孔であり、薄膜ビア９〜１１が密閉孔であるが、上記の製造方法では、予めグリーンシート５１ａ〜５１ｄの段階で貫通孔５ａ〜５ｈの内壁に金属薄膜６ａ〜６ｈを形成しているため、品質の高い薄膜ビア９〜１１を形成することが可能になっている。すなわち、積層体の内部に形成された密閉孔の内壁に後から金属薄膜を形成することは不可能であり、また、積層体の主面に露出した有底孔の内壁に後から金属薄膜を形成すると品質の低い金属薄膜になる虞があるが、上記の製造方法では、予めグリーンシート５１ａ〜５１ｄの段階で、貫通孔５ａ〜５ｈの内壁に金属薄膜６ａ〜６ｈを形成しているため、金属薄膜６ａ〜６ｈの品質が高くなっている。

以上、実施形態にかかるセラミック積層基板１００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

たとえば、セラミック積層基板１００では、積層体２（セラミック基体１ａ〜１ｅ）の材質に磁性体セラミックを使用したが、積層体２の材質は磁性体セラミックには限定されない。たとえば、絶縁体セラミック、半導体セラミック、誘電体セラミック、圧電体セラミックなどを使用しても良く、セラミック基体ごとに異なる材質のセラミックを使用しても良い。

また、セラミック積層基板１００では、積層体２の内部にコイルを構成したが、本発明においてコイルは必須のものではない。また、積層体２の内部に、コイルに代えて、あるいはコイルとともに、配線、抵抗、コンデンサなどを構成しても良い。

また、セラミック積層基板１００の主面に、他の電子部品を実装できるように実装用電極を形成しても良い。

また、セラミック積層基板１００の主面に他の電子部品を実装して、電子モジュールを構成しても良い。

１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ・・・セラミック基体
２・・・積層体
３ａ、３ｂ・・・外部電極
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ・・・コイル導体
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ、５ｇ、５ｈ・・・貫通孔
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈ・・・金属薄膜
７ａ、７ｂ、７ｃ・・・接続導体
８、９、１０、１１、１２・・・薄膜ビア
１３・・・コイル
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ・・・セラミックのグリーンシート
５２・・・未焼成の積層体

Claims (13)

1. 複数のセラミック基体が積層された積層体と、
   前記積層体の内部に形成された層間接続導体と、を備えたセラミック積層基板であって、
   前記層間接続導体は、１層の前記セラミック基体、または、連続した複数層の前記セラミック基体を貫通して形成された貫通孔と、前記貫通孔の内壁に形成された金属薄膜と、を備えた薄膜ビアであり、
   前記薄膜ビアは、内部に空隙を有し、かつ、少なくとも一方の端部が塞がれた非貫通孔であり、
   前記薄膜ビアの端部と接する位置に配線導体が形成され、
   前記配線導体が前記金属薄膜と接続された、セラミック積層基板。
2. 前記配線導体と前記金属薄膜とが異なる組成からなる、請求項１に記載されたセラミック積層基板。
3. 前記薄膜ビアの前記貫通孔が、連続した複数層の前記セラミック基体を貫通して形成され、
   隣接する前記セラミック基体に形成された前記金属薄膜同士を接続する接続導体が、前記セラミック基体の層間に形成された、請求項１または２に記載されたセラミック積層基板。
4. 前記薄膜ビアの前記貫通孔が、前記セラミック基体ごとに、径の大きい開口と、径の小さい開口とを有するテーパー形状を有し、
   前記接続導体が、隣接する前記セラミック基体に形成された、径の大きい開口部分の前記金属薄膜と、径の小さい開口部分の前記金属薄膜とを接続する、請求項３に記載されたセラミック積層基板。
5. 前記配線導体はコイル導体を含み、
   異なる層間に形成された前記コイル導体同士が前記薄膜ビアによって接続され、コイルが形成された、請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたセラミック積層基板。
6. 最外層に積層されたセラミック基体の外表面に形成された前記配線導体が、外部と接続する外部電極を構成する、請求項１ないし５のいずれか１項に記載されたセラミック積層基板。
7. 複数のセラミック基体が積層された積層体と、前記積層体の内部に形成された層間接続導体と、を備えたセラミック積層基板の製造方法であって、
   前記層間接続導体は、１層の前記セラミック基体、または、連続した複数層の前記セラミック基体を貫通して形成された貫通孔と、前記貫通孔の内壁に形成された金属薄膜とを備え、内部に空隙を有する薄膜ビアであり、
   前記セラミック基体となるグリーンシートを作製する工程と、
   前記グリーンシートに貫通孔を形成する工程と、
   前記グリーンシートに形成した前記貫通孔の内壁に、前記金属薄膜を形成する工程と、
   前記グリーンシートの主面に配線導体を形成する工程と、
   複数の前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、
   前記積層体を焼成する工程と、を備えたセラミック積層基板の製造方法。
8. 前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程において、
   前記薄膜ビアの前記貫通孔の少なくとも一方の端部が前記グリーンシートによって塞がれ、当該貫通孔が非貫通孔となる、請求項７に記載されたセラミック積層基板の製造方法。
9. 前記薄膜ビアの前記貫通孔が、連続した複数層の前記セラミック基体を貫通したものであり、
   隣接する前記グリーンシートの前記内壁に形成された前記金属薄膜同士を接続する接続導体を、少なくとも一方の当該グリーンシートの主面に形成する工程をさらに備えた、請求項７または８に記載されたセラミック積層基板の製造方法。
10. 前記グリーンシートに形成された前記貫通孔が、径の大きい開口と、径の小さい開口とを有するテーパー形状を有し、
    前記接続導体が、隣接する前記グリーンシートに形成された、径の大きい開口部分の前記金属薄膜と、径の小さい開口部分の前記金属薄膜とを接続する、請求項９に記載されたセラミック積層基板の製造方法。
11. 前記接続導体を形成する工程が、前記配線導体を形成する工程と同時におこなわれる、請求項９または１０に記載されたセラミック積層基板の製造方法。
12. 前記配線導体がコイル導体を含み、
    前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程において、異なる前記グリーンシートに形成された前記コイル導体同士が前記薄膜ビアによって接続され、コイルが形成される、請求項７ないし１１のいずれか１項に記載されたセラミック積層基板の製造方法。
13. 前記配線導体が外部電極を含み、
    前記グリーンシートの主面に配線導体を形成する工程において、最外層に積層される前記グリーンシートの外表面に前記外部電極が形成される、請求項７ないし１２のいずれか１項に記載されたセラミック積層基板の製造方法。
    
    

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