JP2019139056A - 表示装置及びカラーフィルタ基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品位を改善する。【解決手段】第1配向膜を備えた第1基板と、第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板との間に設けられる液晶層と、を備え、前記第1基板は、第1画素電極と、第2画素電極と、を備え、前記第2基板は、第1面を有する絶縁基板と、前記第1画素電極と対向し、前記第1面に接する第1着色層と、前記第1着色層と前記第2配向膜との間に設けられた透明樹脂層と、を備え、前記透明樹脂層は、前記第2画素電極に対向する凹部を有し、前記第2配向膜は、前記凹部に接する、表示装置。【選択図】 図9
Description
本発明の実施形態は、表示装置及びカラーフィルタ基板に関する。
近年、表示装置の表示品位を向上するための技術が種々検討されている。一例では、赤色、緑色、及び、青色の各カラーフィルタを覆うオーバーコート層の表面が平坦化され、オーバーコート層が白色カラーフィルタとしての機能を兼ね備える技術が開示されている。その他の例では、白画素においてオーバーコート層と白色カラーフィルタとが積層され、白色カラーフィルタと構造体とが一体的に形成される技術が開示されている。
本実施形態の目的は、表示品位を改善できる表示装置及びカラーフィルタ基板を提供することにある。
本実施形態によれば、
第1配向膜を備えた第1基板と、
第2配向膜を備えた第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板との間に設けられる液晶層と、を備え、
前記第1基板は、第1画素電極と、第2画素電極と、を備え、
前記第2基板は、
第1面を有する絶縁基板と、
前記第1画素電極と対向し、前記第1面に接する第1着色層と、
前記第1着色層と前記第2配向膜との間に設けられた透明樹脂層と、を備え、
前記透明樹脂層は、前記第2画素電極に対向する凹部を有し、
前記第2配向膜は、前記凹部に接する、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
絶縁基板と、
行列状に複数の開口部を形成する遮光部と、
赤カラーフィルタ、青カラーフィルタ、及び、緑カラーフィルタと、を含むカラーフィルタ層と、
オーバーコート層と、を備えたカラーフィルタ基板であって、
前記複数の開口部は、第1開口部及び第2開口部を含み、
前記カラーフィルタ層の何れか一色のカラーフィルタは、前記第1開口部に位置し、
前記オーバーコート層は、前記第1開口部において前記カラーフィルタ層と接し、前記第2開口部において前記絶縁基板と接する第1面と、前記第1面と反対の第2面と、を有し、
前記第1開口部における前記絶縁基板から前記第2面までの第1距離は、前記第2開口部における前記絶縁基板から前記第2面までの第2距離より大きい、カラーフィルタ基板が提供される。
第1配向膜を備えた第1基板と、
第2配向膜を備えた第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板との間に設けられる液晶層と、を備え、
前記第1基板は、第1画素電極と、第2画素電極と、を備え、
前記第2基板は、
第1面を有する絶縁基板と、
前記第1画素電極と対向し、前記第1面に接する第1着色層と、
前記第1着色層と前記第2配向膜との間に設けられた透明樹脂層と、を備え、
前記透明樹脂層は、前記第2画素電極に対向する凹部を有し、
前記第2配向膜は、前記凹部に接する、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
絶縁基板と、
行列状に複数の開口部を形成する遮光部と、
赤カラーフィルタ、青カラーフィルタ、及び、緑カラーフィルタと、を含むカラーフィルタ層と、
オーバーコート層と、を備えたカラーフィルタ基板であって、
前記複数の開口部は、第1開口部及び第2開口部を含み、
前記カラーフィルタ層の何れか一色のカラーフィルタは、前記第1開口部に位置し、
前記オーバーコート層は、前記第1開口部において前記カラーフィルタ層と接し、前記第2開口部において前記絶縁基板と接する第1面と、前記第1面と反対の第2面と、を有し、
前記第1開口部における前記絶縁基板から前記第2面までの第1距離は、前記第2開口部における前記絶縁基板から前記第2面までの第2距離より大きい、カラーフィルタ基板が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、本実施形態の表示装置DSPの外観を示す平面図である。一例では、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。本明細書において、第3方向Zを示す矢印の先端側の位置を上と称し、矢印の先端とは逆側の位置を下と称する。また、第3方向Zを示す矢印の先端側に表示装置DSPを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面に向かって見ることを平面視という。また、図1において、第2方向Yに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向D1と定義し、第2方向Yに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向D2と定義する。なお、第2方向Yと方向D1とのなす角度θ1は、第2方向Yと方向D2とのなす角度θ2とほぼ同一である。
ここでは、X−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。表示装置DSPは、表示パネルPNLと、フレキシブルプリント回路基板1と、ICチップ2と、を備えている。
表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、後述する液晶層LCと、シールSEと、遮光層LSと、を備えている。表示パネルPNLは、画像を表示する表示部DAと、表示部DAを囲む額縁状の非表示部NDAとを備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向している。第1基板SUB1は、第2基板SUB2よりも第2方向Yに延出した実装部MAを有している。
シールSEは、非表示部NDAに位置し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着するとともに、液晶層LCを封止している。遮光層LSは、非表示部NDAに位置している。シールSEは、平面視で、遮光層LSと重畳する位置に設けられている。図1において、シールSEが配置された領域と、遮光層LSが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールSEと遮光層LSとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層LSは、第2基板SUB2に設けられている。
シールSEは、非表示部NDAに位置し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着するとともに、液晶層LCを封止している。遮光層LSは、非表示部NDAに位置している。シールSEは、平面視で、遮光層LSと重畳する位置に設けられている。図1において、シールSEが配置された領域と、遮光層LSが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールSEと遮光層LSとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層LSは、第2基板SUB2に設けられている。
表示部DAは、遮光層LSによって囲まれた内側に位置している。表示部DAは、第1方向X(列方向)及び第2方向Y(行方向)にマトリクス状(行列状)に配置された複数の画素PXを備えている。図示した例では、第2方向Yに沿って奇数行目に位置する画素PXは、方向D1に沿って延出している。また、第2方向Yに沿って偶数行目に位置する画素PXは、方向D2に沿って延出している。なお、ここでの画素PXとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。また、カラー表示を実現するための最小単位を主画素MPと称する場合がある。主画素MPは、互いに異なる色を表示する複数の副画素PXを備えて構成されるものである。一例では、主画素MPは、副画素PXとして、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、青色を表示する青画素、及び、白色を表示する白画素を備えている。
表示部DAは、第1方向Xに沿って延出した一対の縁部E1及びE2と、第2方向Yに沿って延出した一対の縁部E3及びE4と、4つのラウンド部R1乃至R4と、を有している。表示パネルPNLは、第1方向Xに沿って延出した一対の直線部E11及びE12と、第2方向Yに沿って延出した一対の直線部E13及びE14と、2つのラウンド部R11及びR12と、を有している。ラウンド部R11及びR12は、それぞれラウンド部R1及びR2の外側に位置している。ラウンド部R11の曲率半径は、ラウンド部R1の曲率半径と同一であってもよいし、異なっていてもよい。直線部E11は、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の短辺に相当し、直線部E12は、第1基板SUB1の短辺に相当する。直線部E13及びE14は、いずれも第1基板SUB1及び第2基板SUB2の長辺に相当する。
フレキシブルプリント回路基板1及びICチップ2は、実装部MAに実装されている。なお、ICチップ2は、フレキシブルプリント回路基板1に実装されてもよい。ICチップ2は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。図示した例では、ICチップ2は、表示装置DSPへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラTCを内蔵している。
本実施形態の表示パネルPNLは、第1基板SUB1の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルPNLの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルPNLは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面と平行な面である。
また、表示パネルPNLの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルPNLは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面と平行な面である。
図2は、画素PXの基本構成及び等価回路を示す図である。複数本の走査線Gは、走査線駆動回路GDに接続されている。複数本の信号線Sは、信号線駆動回路SDに接続されている。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Sは、その一部が屈曲していたとしても、第2方向Yに延出しているものとする。
共通電極CEは、コモン電圧(Vcom)の電圧供給部CDに接続され、複数の画素PXに亘って配置されている。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。
図3は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。走査線G1乃至G3は、それぞれ第1方向Xに沿って直線的に延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。信号線S1乃至S7は、それぞれ概ね第2方向Yに沿って延出し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。
走査線G1及びG2の間には、赤画素PR1、緑画素PG1、青画素PB1、赤画素PR1、緑画素PG1、及び、白画素PW1が第1方向Xに沿ってこの順に並んでいる。
走査線G1及びG2の間において、信号線S1乃至S3は等しい間隔W1で配置され、信号線S4乃至S7は等しい間隔W1で配置され、信号線S3及びS4の間隔W2は間隔W1より大きい。青画素PB1は、信号線S3及びS4の間に位置している。なお、間隔W1及びW2は、いずれも第1方向Xに沿った長さである。
走査線G1及びG2の間において、信号線S1乃至S3は等しい間隔W1で配置され、信号線S4乃至S7は等しい間隔W1で配置され、信号線S3及びS4の間隔W2は間隔W1より大きい。青画素PB1は、信号線S3及びS4の間に位置している。なお、間隔W1及びW2は、いずれも第1方向Xに沿った長さである。
赤画素PR1及び緑画素PG1には、それぞれ同一形状の画素電極PE11が配置され、青画素PB1には、画素電極PE11より大きな画素電極PE12が配置され、白画素PW1には、画素電極PE11より小さな画素電極PE13が配置されている。第1方向Xに沿った長さLxについて、画素電極PE11及びPE13は等しい長さLx1を有し、画素電極PE12は長さLx1より長い長さLx2を有している。第2方向Yに沿った長さLyについて、画素電極PE11は長さLy1を有し、画素電極PE12は長さLy1より長い長さLy2を有し、画素電極PE13は長さLy1より短い長さLy3を有している。画素電極PE11及びPE13は、走査線G1及びG2の間に位置している。画素電極PE12は、走査線G1及びG2の間に位置するとともに、走査線G2と交差している。
画素電極PE11乃至PE13は、それぞれ方向D1に沿って延出した帯電極Pa1乃至Pa3を有している。図示した例では、帯電極Pa1及びPa3は2本であり、帯電極Pa2は3本である。帯電極Pa1乃至Pa3は、走査線G1及びG2の間に位置している。方向D1に沿った長さLdについて、帯電極Pa1は長さLd1を有し、帯電極Pa2は長さLd1より長い長さLd2を有し、帯電極Pa3は長さLd1より短い長さLd3を有している。
走査線G2及びG3の間には、赤画素PR2、緑画素PG2、白画素PW2、赤画素PR2、緑画素PG2、及び、青画素PB2が第1方向Xに沿ってこの順に並んでいる。赤画素PR1及びPR2、緑画素PG1及びPG2、青画素PB1及び白画素PW2、及び、白画素PW1及び青画素PB2は、それぞれ第2方向Yに並んでいる。
走査線G2及びG3の間において、信号線S1乃至S6は等しい間隔W1で配置され、信号線S6及びS7の間隔W2は間隔W1より大きい。青画素PB2は、信号線S6及びS7の間に位置している。
走査線G2及びG3の間において、信号線S1乃至S6は等しい間隔W1で配置され、信号線S6及びS7の間隔W2は間隔W1より大きい。青画素PB2は、信号線S6及びS7の間に位置している。
詳述しないが、赤画素PR2及び緑画素PG2には、それぞれ同一形状の画素電極PE21が配置され、青画素PB2には、画素電極PE21より大きな画素電極PE22が配置され、白画素PW2には、画素電極PE21より小さな画素電極PE23が配置されている。画素電極PE21乃至PE23は、それぞれ方向D2に沿って延出した帯電極Pb1乃至Pb3を有している。画素電極PE21乃至PE23は、それぞれ画素電極PE11乃至PE13と同様の形状を有している。なお、帯電極Pb3の第1方向Xに沿った幅は、帯電極Pb1の第1方向Xに沿った幅よりも大きい。また、帯電極Pb2の第1方向Xに沿った幅は、帯電極Pb1の第1方向Xに沿った幅よりも小さい。
図4は、図3に示した画素レイアウトに対応した遮光層BMを示す平面図である。遮光層BMは、格子状に形成され、平面視で、走査線G1乃至G3及び信号線S1乃至S7とそれぞれ重畳している。このような遮光層BMは、赤画素PR1及びPR2、緑画素PG1及びPG2、青画素PB1乃至PB3、及び、白画素PW1及びPW2をそれぞれ囲んでいる。遮光層BMは、図1に示した非表示部NDAの遮光層LSと同じ遮光性の材料で形成され、非表示部NDAにて遮光層LSと接続される。
図示した例では、遮光層BMは、遮光部B11乃至B15と、遮光部B21乃至B25と、遮光部B31乃至B33と、を有している。遮光部B11乃至B15は、走査線G1及びG2の間において、それぞれ方向D1に沿って延出し、それぞれ信号線S1乃至S5の上に重畳している。遮光部B21乃至B25は、走査線G2及びG3の間において、それぞれ方向D2に沿って延出し、それぞれ信号線S1乃至S5の上に重畳している。遮光部B31乃至B33は、それぞれ方向D1に沿って延出し、それぞれ走査線G1乃至G3の上に重畳している。これらの遮光部は、光を透過する複数の開口部を形成する。複数の開口部は、行列状に配列される。各開口部は、赤画素PR、緑画素PG、青画素PB、白画素PWのいずれかに相当する。
例えば、青画素PB1は、遮光部B13、B14、B31、及び、B32で囲まれている。また、白画素PW2は、遮光部B23、B24、B32、及び、B33で囲まれている。青画素PB1及び白画素PW2は、第2方向(行方向)Yに隣接している。白画素PW2は、緑画素PG2及び赤画素PR2の間に位置し、青画素PB1及びPB3の間に位置している。
例えば、青画素PB1は、遮光部B13、B14、B31、及び、B32で囲まれている。また、白画素PW2は、遮光部B23、B24、B32、及び、B33で囲まれている。青画素PB1及び白画素PW2は、第2方向(行方向)Yに隣接している。白画素PW2は、緑画素PG2及び赤画素PR2の間に位置し、青画素PB1及びPB3の間に位置している。
信号線S5は、赤画素PR1と緑画素PG1との間、及び、赤画素PR2と緑画素PG2との間に位置している。メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPは、いずれも信号線S5と重畳している。メインスペーサMSPとは、第1基板SUB1と第2基板SUB2とのセルギャップを形成するものであり、サブスペーサSSPとは、メインスペーサMSPの高さより低い高さを有するものである。
遮光層BMは、サブスペーサSSPの周囲において、サブスペーサSSPと略同心円状に拡張されている。また、遮光層BMは、メインスペーサMSPの周囲においても、メインスペーサMSPと略同心円状に拡張されている。
遮光層BMは、サブスペーサSSPの周囲において、サブスペーサSSPと略同心円状に拡張されている。また、遮光層BMは、メインスペーサMSPの周囲においても、メインスペーサMSPと略同心円状に拡張されている。
赤画素PR1及びPR2には赤色のカラーフィルタCFRが配置され、緑画素PG1及びPG2には緑色のカラーフィルタCFGが配置され、青画素PB1乃至PB3には青色のカラーフィルタCFBが配置されている。白画素PW1及びPW2には、後述する透明なオーバーコート層OCが配置される。
図5は、表示パネルPNLの構成を示す断面図である。メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に位置している。メインスペーサMSPは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2に接触し、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に所定のセルギャップを形成している。サブスペーサSSPは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2のいずれか一方と接触し、他方から離間している。図示した例では、サブスペーサSSPは、第1基板SUB1から離間し第2基板SUB2に接触している。なお、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPは、図示したように第2基板SUB2に設けられる例に限らず、第1基板SUB1に設けられてもよいし、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPが別々の基板に設けられてもよい。あるいは、サブスペーサSSPは省略してもよい。シールSEは、非表示部NDAに配置され、セルギャップが形成された状態で第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。
図6は、図3に示した画素の一例を示す平面図である。ここでは、図3に示した走査線G1及びG2と信号線S5及びS6とで囲まれた緑画素PG1に着目して、主要部について説明する。
スイッチング素子SWは、走査線G2及び信号線S6と電気的に接続されている。図示した例のスイッチング素子SWは、ダブルゲート構造を有している。スイッチング素子SWは、半導体層SCと、ドレイン電極DEと、を備えている。なお、スイッチング素子SWにおいて、ドレイン電極DEはソース電極と称される場合がある。半導体層SCは、その一部分が信号線S6と重なるように配置され、他の部分が信号線S5及びS6の間に延出し、略U字状に形成されている。半導体層SCは、信号線S6と重なる領域、及び、信号線S5及びS6の間において、それぞれ走査線G2と交差している。走査線G2において、半導体層SCと重畳する領域がそれぞれゲート電極GE1及びGE2として機能する。半導体層SCは、その一端部SCAにおいてコンタクトホールCH1を通じて信号線S6と電気的に接続され、また、その他端部SCBにおいてコンタクトホールCH2を通じてドレイン電極DEと電気的に接続されている。ドレイン電極DEは、島状に形成され、信号線S5及びS6の間に配置されている。
画素電極PE11は、複数の帯電極Pa1と一体の基部BSを備えている。基部BSは、ドレイン電極DEと重畳している。基部BSは、ドレイン電極DEと電気的に接続される。
画素電極PE11は、複数の帯電極Pa1と一体の基部BSを備えている。基部BSは、ドレイン電極DEと重畳している。基部BSは、ドレイン電極DEと電気的に接続される。
図7は、図6に示したA−B線に沿った第1基板SUB1の断面図である。第1基板SUB1は、絶縁基板10、絶縁膜11乃至16、半導体層SC、走査線G2、信号線S6、金属配線ML6、共通電極CE、配向膜AL1などを備えている。
絶縁基板10は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁膜11は、絶縁基板10の上に位置している。半導体層SCは、絶縁膜11の上に位置し、絶縁膜12によって覆われている。走査線G2の一部であるゲート電極GE1は、絶縁膜12の上に位置し、絶縁膜13によって覆われている。なお、図示しない他の走査線も、走査線G2と同一層に位置している。信号線S6は、絶縁膜13の上に位置し、絶縁膜14によって覆われている。なお、図示しない他の信号線も、信号線S6と同一層に位置している。信号線S6は、絶縁膜12及び13を貫通するコンタクトホールCH1を通じて半導体層SCにコンタクトしている。金属配線ML6は、絶縁膜14の上に位置し、絶縁膜15によって覆われている。共通電極CEは、絶縁膜15の上に位置し、絶縁膜16によって覆われている。共通電極CEは、絶縁膜15を貫通するコンタクトホールCH3を通じて金属配線ML6にコンタクトしている。配向膜AL1は、絶縁膜16の上に位置している。
絶縁膜11乃至13、及び、絶縁膜16は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜14及び15は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜である。なお、絶縁膜15は、無機絶縁膜であってもよい。
図8は、図6に示したC−D線に沿った表示パネルPNLの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された例に相当する。
第1基板SUB1において、信号線S5及びS6は、絶縁膜13の上に位置し、絶縁膜14によって覆われている。金属配線ML5及びML6は、それぞれ信号線S5及びS6の直上に位置している。画素電極PE11は、絶縁膜16の上に位置し、配向膜AL1によって覆われている。画素電極PE11及び共通電極CEは、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。
第2基板SUB2は、絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタ層CF、オーバーコート層OC、配向膜AL2などを備えている。このような第2基板SUB2は、カラーフィルタ基板と称される場合がある。絶縁基板20は、絶縁基板10と同様に、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層BM及びカラーフィルタ層CFは、絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。カラーフィルタ層CFは、赤色のカラーフィルタCFR、緑色のカラーフィルタCFG、及び、青色のカラーフィルタCFBを含んでいる。カラーフィルタCFGは、画素電極PE11と対向している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFGを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂によって形成されている。他のカラーフィルタCFR及びCFBも、カラーフィルタCFGと同様に、それぞれ画素電極PEと対向し、オーバーコート層OCによって覆われている。配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。配向膜AL1及びAL2は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。
上述した第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、配向膜AL1及びAL2が対向するように配置されている。第1基板SUB1と第2基板SUB2との間のセルギャップは、例えば2〜5μmである。
液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、配向膜AL1と配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子LMを備えている。液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。
液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、配向膜AL1と配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子LMを備えている。液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。
偏光板PL1を含む光学素子OD1は、絶縁基板10に接着されている。偏光板PL2を含む光学素子OD2は、絶縁基板20に接着されている。なお、光学素子OD1及びOD2は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。照明装置ILは、白色の照明光で表示パネルPNLの第1基板SUB1を照明する。
このような表示パネルPNLにおいては、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子LMは、配向膜AL1及びAL2の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ILから表示パネルPNLに向けて照射された照明光は、光学素子OD1及びOD2によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子LMは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ILからの照明光の一部は、光学素子OD1及びOD2を透過し、明表示となる。
図9は、図4に示したE−F線に沿った表示パネルPNLの断面図である。なお、ここでは、第1基板SUB1の構成を簡略化し、面SF1を有する配向膜AL1及び画素電極PEのみを図示している。配向膜AL2は、面SF1と対向する面SF2を有している。液晶層LCは、面SF1及び面SF2にそれぞれ接している。
第2基板SUB2において、絶縁基板20は、液晶層LCと対向する側に、面SF3を有している。面SF3は、X−Y平面と平行な面である。面SF1及び面SF2は、面SF3と平行であるものとする。遮光部B21乃至B25は、それぞれ面SF3に接し、第1方向Xに沿って間隔をおいて順に並んでいる。カラーフィルタCFB、CFR、及び、CFGは、それぞれ面SF3に接している。
例えば、緑画素PG2において、遮光部B22及びB23の間に位置するカラーフィルタCFGは、画素電極PE21と対向し、遮光部B22及びB23にそれぞれ接するとともに、面SF3に接している。赤画素PR2において、遮光部B24及びB25の間に位置するカラーフィルタCFRは、画素電極PE21と対向し、遮光部B24及びB25にそれぞれ接するとともに、面SF3に接している。オーバーコート層OCは、面SF4及び面SF5を有している。面SF4は、カラーフィルタCFB、CFR、及び、CFGにそれぞれ接している。また、面SF4は、白画素PW2において、遮光部B23及びB24の間で面SF3に直接接している。面SF5は、配向膜AL2に直接接している。オーバーコート層OCについて、面SF5は、遮光部B23及びB24の間において第1基板SUB1から離間する側に窪んだ凹部CC1を有している。凹部CC1は、画素電極PE23と対向している。面SF2も面SF5と同様に、凹部CC1に対応して窪んだ凹部CC2を有している。一例では、凹部CC1及びCC2は、同等の深さDPを有している。
例えば、緑画素PG2において、遮光部B22及びB23の間に位置するカラーフィルタCFGは、画素電極PE21と対向し、遮光部B22及びB23にそれぞれ接するとともに、面SF3に接している。赤画素PR2において、遮光部B24及びB25の間に位置するカラーフィルタCFRは、画素電極PE21と対向し、遮光部B24及びB25にそれぞれ接するとともに、面SF3に接している。オーバーコート層OCは、面SF4及び面SF5を有している。面SF4は、カラーフィルタCFB、CFR、及び、CFGにそれぞれ接している。また、面SF4は、白画素PW2において、遮光部B23及びB24の間で面SF3に直接接している。面SF5は、配向膜AL2に直接接している。オーバーコート層OCについて、面SF5は、遮光部B23及びB24の間において第1基板SUB1から離間する側に窪んだ凹部CC1を有している。凹部CC1は、画素電極PE23と対向している。面SF2も面SF5と同様に、凹部CC1に対応して窪んだ凹部CC2を有している。一例では、凹部CC1及びCC2は、同等の深さDPを有している。
ここで、遮光部B22と遮光部B23との間の第1中間点M1、及び、遮光部B23と遮光部B24との間の第2中間点M2に着目する。第1中間点M1は、遮光部B22及びB23のそれぞれから等距離の位置に相当する。同様に、第2中間点M2は、遮光部B23及びB24のそれぞれから等距離の位置に相当する。第1中間点M1では、カラーフィルタCFGが面SF3に接し、オーバーコート層OCがカラーフィルタCFGに接し、配向膜AL2がオーバーコート層OCに接している。第2中間点M2では、オーバーコート層OCが面SF3に接し、配向膜AL2がオーバーコート層OCに接している。第2中間点M2においては、凹部CC1と凹部CC2とが重畳している。
液晶層LCは、第1中間点M1において第1厚さT1を有し、第2中間点M2において第2厚さT2を有している。第1厚さT1及び第2厚さT2は、それぞれ面SF1と面SF2との間の第3方向Zに沿った距離に相当する。第2厚さT2は、第1厚さT1よりも厚い。
第2基板SUB2は、第1中間点M1において第3厚さ(第1距離)T3を有し、第2中間点M2において第4厚さ(第2距離)T4を有している。第3厚さT3及び第4厚さT4は、それぞれ面SF2と面SF3との間の第3方向Zに沿った距離に相当する。第4厚さT4は、第3厚さT3よりも薄い。第3厚さT3は、カラーフィルタCFG、オーバーコート層OC、及び、配向膜AL2のそれぞれの厚さの総和に相当する。第4厚さT4は、オーバーコート層OC、及び、配向膜AL2のそれぞれの厚さの総和に相当する。配向膜AL2の厚さは、第1中間点M1及び第2中間点M2においてほぼ同等である。オーバーコート層OCについては、第1中間点M1の厚さは、第2中間点M2の厚さより薄い。
液晶層LCは、第1中間点M1において第1厚さT1を有し、第2中間点M2において第2厚さT2を有している。第1厚さT1及び第2厚さT2は、それぞれ面SF1と面SF2との間の第3方向Zに沿った距離に相当する。第2厚さT2は、第1厚さT1よりも厚い。
第2基板SUB2は、第1中間点M1において第3厚さ(第1距離)T3を有し、第2中間点M2において第4厚さ(第2距離)T4を有している。第3厚さT3及び第4厚さT4は、それぞれ面SF2と面SF3との間の第3方向Zに沿った距離に相当する。第4厚さT4は、第3厚さT3よりも薄い。第3厚さT3は、カラーフィルタCFG、オーバーコート層OC、及び、配向膜AL2のそれぞれの厚さの総和に相当する。第4厚さT4は、オーバーコート層OC、及び、配向膜AL2のそれぞれの厚さの総和に相当する。配向膜AL2の厚さは、第1中間点M1及び第2中間点M2においてほぼ同等である。オーバーコート層OCについては、第1中間点M1の厚さは、第2中間点M2の厚さより薄い。
第2中間点M2における凹部CC2の第3方向Zに沿った深さDPは、第3厚さT3と第4厚さT4との差分ΔT34、あるいは、第1厚さT1と第2厚さT2との差分ΔT12に相当し、例えば、第1厚さT1の1/6以下である。一例では、第1厚さT1は2.8μmであり、差分ΔT34は0.05μm以上0.35μm以下である。また、差分ΔT34は、図5に示したメインスペーサMSPの第3方向Zに沿ったスペーサ高さより小さい。なお、差分ΔT12及びΔT34は、いずれも絶対値である。
カラーフィルタCFGと遮光部B23とが接して形成される積層体は、最大厚さとして、第5厚さT5を有している。カラーフィルタCFRと遮光部B24とが接して形成される積層体は、最大厚さとして、第6厚さT6を有している。図示した例では、第5厚さT5は、第6厚さT6よりも薄い。なお、第6厚さT6が第5厚さT5より薄くてもよい。白画素PW2を挟んだ両側に異なる色のカラーフィルタが配置される場合、白画素PW2に隣接するカラーフィルタと遮光部との積層体のうちの一方が他方よりも薄く形成されることにより、オーバーコート層OCを形成するための原料が白画素PW2に流れ込みやすくなる。
また、第6厚さT6は、第5厚さT5と同じ厚さであってもよい。つまり、白画素PW2を挟んだ両側の積層体は、他の積層体(例えば、カラーフィルタCFRと遮光部B25との積層体)の厚さT10よりも薄いことが望ましい。本発明では、オーバーコート層OCの白画素PWへの流れ込みやすさの為、白画素PW2を挟んだ両側に配置されるカラーフィルタを薄く形成している。
また、第6厚さT6は、第5厚さT5と同じ厚さであってもよい。つまり、白画素PW2を挟んだ両側の積層体は、他の積層体(例えば、カラーフィルタCFRと遮光部B25との積層体)の厚さT10よりも薄いことが望ましい。本発明では、オーバーコート層OCの白画素PWへの流れ込みやすさの為、白画素PW2を挟んだ両側に配置されるカラーフィルタを薄く形成している。
図9に示した例において、配向膜AL1及びAL2はそれぞれ第1配向膜及び第2配向膜に相当し、遮光部B22は第1遮光部に相当し、遮光部B23は第2遮光部に相当し、遮光部B24は第3遮光部に相当し、遮光部B25は第4遮光部に相当し、カラーフィルタCFGは第1着色層に相当し、カラーフィルタCFRは第2着色層に相当し、オーバーコート層OCは透明樹脂層に相当し、カラーフィルタCFGに対向する画素電極PE21は第1画素電極に相当し、画素電極PE23は第2画素電極に相当し、カラーフィルタCFRに対向する画素電極PE21は第3画素電極に相当し、面SF3は第1面に相当し、面SF1は第2面に相当し、面SF2は第3面に相当する。また、緑画素PG2は第1開口部に相当し、白画素PW2は第2開口部に相当し、面SF4はオーバーコート層の第1面に相当し、面SF5はオーバーコート層の第2面に相当する。
図10は、図4に示したG−H線に沿った表示パネルPNLの断面図である。遮光部B31及びB32の間に位置する青画素PB1のカラーフィルタCFB1は、画素電極PE12と対向し、遮光部B31及びB32にそれぞれ接するとともに、面SF3に接している。青画素PB3のカラーフィルタCFB3は、遮光部B33に接するとともに、面SF3に接している。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFB1及びCFB3にそれぞれ接するとともに、遮光部B32及びB33の間で面SF3に接している。凹部CC1及び凹部CC2は、遮光部B32及びB33の間に位置している。凹部CC1は、画素電極PE23と対向している。
図10に示した例においても、液晶層LCは、青画素PB1の中央部において第1厚さT1を有し、白画素PW2の中央部において第2厚さT2を有している。第2厚さT2は、第1厚さT1よりも厚い。また、第2基板SUB2は、青画素PB1の中央部において第3厚さT3を有し、白画素PW2の中央部において第4厚さT4を有している。第4厚さT4は、第3厚さT3よりも薄い。
図10に示した例においても、液晶層LCは、青画素PB1の中央部において第1厚さT1を有し、白画素PW2の中央部において第2厚さT2を有している。第2厚さT2は、第1厚さT1よりも厚い。また、第2基板SUB2は、青画素PB1の中央部において第3厚さT3を有し、白画素PW2の中央部において第4厚さT4を有している。第4厚さT4は、第3厚さT3よりも薄い。
このような表示パネルPNLにおいては、赤画素PR、緑画素PG、及び、青画素PBの各々の透過光を合成することによって得られる白色光の第1色度と、白画素PWの透過光によって得られる白色光の第2色度との差を低減することが要求される。第1色度は、赤画素PR、緑画素PG、及び、青画素PBの各々の開口部(光が透過する領域)の面積や、赤画素PR、緑画素PG、及び、青画素PBの各々の明度等により調整可能である。本実施形態では、第2色度は、白画素PWにおける液晶層LCのリタデーションΔn・dによって調整可能である。ここで、Δnは液晶層LCの屈折率異方性を示す値であり、dはセルギャップあるいは図9に示した液晶層LCの第2厚さT2に相当する値である。セルギャップdは、凹部CC2の深さDPによって調整される。
凹部CC2の深さDPは、例えば、オーバーコート層OCの原料の流動性(原料の分子量)、オーバーコート層OCを形成する際のプリベーク温度、白画素PWの第1方向Xに沿った幅及び第2方向Yに沿った幅、遮光部BとカラーフィルタCFとの重なり量、隣接する2つのカラーフィルタCF間の距離、遮光部Bの厚さ、カラーフィルタCFの厚さ、オーバーコート層OCの厚さなどの各種パラメータによって調整される。
つまり、白画素PWにおいて、凹部CC2の深さDP(あるいは差分ΔT34)を意図的に調整することで、セルギャップdを調整し、第2色度を制御することができる。
凹部CC2の深さDPは、例えば、オーバーコート層OCの原料の流動性(原料の分子量)、オーバーコート層OCを形成する際のプリベーク温度、白画素PWの第1方向Xに沿った幅及び第2方向Yに沿った幅、遮光部BとカラーフィルタCFとの重なり量、隣接する2つのカラーフィルタCF間の距離、遮光部Bの厚さ、カラーフィルタCFの厚さ、オーバーコート層OCの厚さなどの各種パラメータによって調整される。
つまり、白画素PWにおいて、凹部CC2の深さDP(あるいは差分ΔT34)を意図的に調整することで、セルギャップdを調整し、第2色度を制御することができる。
図11は、実施例1乃至3を説明するための図である。ここでは、遮光部Bの厚さTB、カラーフィルタCFの厚さTCF、及び、オーバーコート層OCの厚さTOCの各パラメータによって深さDPが調整される場合を例に説明する。厚さTBとは、図9において、遮光部B23の中央部における厚さであり、厚さTCFとは、第1中間点M1におけるカラーフィルタCFGの厚さであり、厚さTOCとは、第1中間点M1におけるオーバーコート層OCの厚さである。なお、他の遮光部も同等の厚さTBを有し、他のカラーフィルタも同等の厚さTCFを有しているものとする。基準値(Ref)としては、厚さTBが1.5μmであり、厚さTCFが2.6μmであり、厚さTOCが1.2μmである。
実施例1では、厚さTBが1.5μmであり、厚さTCFが2.3μmであり、厚さTOCが1.0μmである。このとき、深さDPは0.20μmである。このような表示パネルPNLにおいて、第1色度及び第2色度をシミュレーションしたところ、その差分Δxyはゼロであった。なお、第1色度及び第2色度の各々は、xy色度図上の座標(x、y)として表される。xy色度図とは、2°視野XYZ表色系において、色度座標x、yを平面上に示した図であり、CIE1931色度図と称される場合もある。差分Δxyは、第1色度の座標(x1、y1)と第2色度の座標(x2、y2)との直線距離に相当する。実施例1においては、第1色度の座標(x1、y1)が第2色度の座標(x2、y2)に一致した。
実施例2では、厚さTBが1.5μmであり、厚さTCFが2.3μmであり、厚さTOCが1.5μmである。このとき、深さDPは0.10μmである。このような表示パネルPNLにおいて、第1色度及び第2色度の差分Δxyは0.007であった。
実施例3では、厚さTBが1.0μmであり、厚さTCFが2.3μmであり、厚さTOCが1.5μmである。このとき、深さDPは0.07μmである。このような表示パネルPNLにおいて、第1色度及び第2色度の差分Δxyは0.009であった。
このように、実施例1乃至3のいずれにおいても、差分Δxyが0.01以下となることが確認された。また、発明者が種々検討したところ、深さDPが0.05μm以上0.35μm以下の範囲において、差分Δxyが0.01以下となることが確認された。これにより、表示品位を改善することができる。
実施例2では、厚さTBが1.5μmであり、厚さTCFが2.3μmであり、厚さTOCが1.5μmである。このとき、深さDPは0.10μmである。このような表示パネルPNLにおいて、第1色度及び第2色度の差分Δxyは0.007であった。
実施例3では、厚さTBが1.0μmであり、厚さTCFが2.3μmであり、厚さTOCが1.5μmである。このとき、深さDPは0.07μmである。このような表示パネルPNLにおいて、第1色度及び第2色度の差分Δxyは0.009であった。
このように、実施例1乃至3のいずれにおいても、差分Δxyが0.01以下となることが確認された。また、発明者が種々検討したところ、深さDPが0.05μm以上0.35μm以下の範囲において、差分Δxyが0.01以下となることが確認された。これにより、表示品位を改善することができる。
次に、白画素PWにおいて、液晶層LCのセルギャップdにより第2色度が調整可能となる原理について説明する。
図12Aは、白画素PWにおける液晶層LCの分光透過率を示す図である。横軸は波長(nm)を示し、縦軸は透過率(変調率)を示している。
図中のAは白画素PWのセルギャップd(あるいは、図9の第2厚さT2)が2.6μmである場合の分光透過率に相当し、以下同様に、Bはセルギャップdが2.7μmである場合の分光透過率に相当し、Cはセルギャップdが2.8μmである場合の分光透過率に相当し、Dはセルギャップdが2.9μmである場合の分光透過率に相当し、Eはセルギャップdが3.0μmである場合の分光透過率に相当し、Fはセルギャップdが3.1μmである場合の分光透過率に相当し、Gはセルギャップdが3.2μmである場合の分光透過率に相当する。
図中のAは白画素PWのセルギャップd(あるいは、図9の第2厚さT2)が2.6μmである場合の分光透過率に相当し、以下同様に、Bはセルギャップdが2.7μmである場合の分光透過率に相当し、Cはセルギャップdが2.8μmである場合の分光透過率に相当し、Dはセルギャップdが2.9μmである場合の分光透過率に相当し、Eはセルギャップdが3.0μmである場合の分光透過率に相当し、Fはセルギャップdが3.1μmである場合の分光透過率に相当し、Gはセルギャップdが3.2μmである場合の分光透過率に相当する。
液晶層LCの分光透過率A乃至Gの各々は、いずれの波長においても一定の透過率を有するわけではなく、波長によって異なる透過率を有する。概略的には、可視光域(例えば、400nm〜700nmの波長範囲)において、緑波長付近の透過率は最大となり、青波長付近及び赤波長付近の各々の透過率は緑波長付近の透過率よりも小さい。また、セルギャップdが増加するほど、最大透過率が増加し、しかも、最大透過率となる波長が長波長側にシフトする傾向にある。
図12Bは、図8に示した照明装置ILが第1基板SUB1を照明する照明光(白色光)の第1分光強度の一例を示す図である。横軸は波長(nm)を示し、縦軸は強度(相対値)を示している。図示した例によれば、第1分光強度では、青波長域における第1ピーク強度は450nm付近にあり、緑波長域における第2ピーク強度は540nm付近にあり、赤波長域における第3ピーク強度は630nm付近にある。また、第1ピーク強度が第1分光強度において最大であり、第3ピーク強度が第1ピーク強度より小さく、第2ピーク強度が第3ピーク強度より小さい。
図12Bに示した第1分光強度を有する照明光が図12Aに示した分光透過率を有する液晶層LCを透過した際の透過光の第2分光強度は、第1分光強度と分光透過率との積に相当する。
図13Aは、第2分光強度のうち、青波長域を拡大して示す図である。図13Bは、第2分光強度のうち、緑波長域を拡大して示す図である。図13Cは、第2分光強度のうち、赤波長域を拡大して示す図である。
図13Aに示すように、青波長域においてはセルギャップdが増加するほど、強度が減少する傾向にある。図13Bに示すように、緑波長域においてはセルギャップdが増加するほど、強度が増加する傾向にある。図13Cに示すように、赤波長域においてはセルギャップdが増加するほど、強度が増加する傾向にある。つまり、セルギャップdが異なる条件では、青成分、緑成分、及び、赤成分のそれぞれの強度の割合が異なる。
例えば、セルギャップdが2.6μmの場合(A)と、セルギャップdが3.2μmの場合(G)とで、透過光の各波長域の強度を比較する。青波長域について、AはGより大きい。緑波長及び赤波長については、AはGより小さい。つまり、セルギャップdが増加するほど、青成分が減少し、且つ、緑成分及び赤成分が増加する傾向にある。したがって、白画素PWのセルギャップdを調整することで、第2色度を調整することができる。
図13Aに示すように、青波長域においてはセルギャップdが増加するほど、強度が減少する傾向にある。図13Bに示すように、緑波長域においてはセルギャップdが増加するほど、強度が増加する傾向にある。図13Cに示すように、赤波長域においてはセルギャップdが増加するほど、強度が増加する傾向にある。つまり、セルギャップdが異なる条件では、青成分、緑成分、及び、赤成分のそれぞれの強度の割合が異なる。
例えば、セルギャップdが2.6μmの場合(A)と、セルギャップdが3.2μmの場合(G)とで、透過光の各波長域の強度を比較する。青波長域について、AはGより大きい。緑波長及び赤波長については、AはGより小さい。つまり、セルギャップdが増加するほど、青成分が減少し、且つ、緑成分及び赤成分が増加する傾向にある。したがって、白画素PWのセルギャップdを調整することで、第2色度を調整することができる。
図14は、セルギャップdと第2色度との関係の一例を示す図である。
セルギャップdが増加するほど、色度座標x及びyのいずれもが増加する傾向がある。例えば、青画素、緑画素、及び、赤画素のそれぞれのセルギャップが2.8μmである場合に、第1色度の座標が(x1、y1)=(0.275、0.282)である場合を想定する。この場合、第1色度と第2色度とを一致させるためには、図中にEで示したように、白画素PWのセルギャップdは3.0μmに設定される。したがって、凹部CC2の深さDPは、0.2μmに設定される。これにより、第1色度と第2色度との差分Δxyをゼロとすることができる。
また、図中にDで示したようにセルギャップdが2.9μmに設定された場合(つまり深さDPは0.1μm)、あるいは、図中にFで示したようにセルギャップdが3.1μmに設定された場合(つまり深さDPは0.3μm)であっても、第1色度と第2色度との差分Δxyを0.01以下とすることができる。
セルギャップdが増加するほど、色度座標x及びyのいずれもが増加する傾向がある。例えば、青画素、緑画素、及び、赤画素のそれぞれのセルギャップが2.8μmである場合に、第1色度の座標が(x1、y1)=(0.275、0.282)である場合を想定する。この場合、第1色度と第2色度とを一致させるためには、図中にEで示したように、白画素PWのセルギャップdは3.0μmに設定される。したがって、凹部CC2の深さDPは、0.2μmに設定される。これにより、第1色度と第2色度との差分Δxyをゼロとすることができる。
また、図中にDで示したようにセルギャップdが2.9μmに設定された場合(つまり深さDPは0.1μm)、あるいは、図中にFで示したようにセルギャップdが3.1μmに設定された場合(つまり深さDPは0.3μm)であっても、第1色度と第2色度との差分Δxyを0.01以下とすることができる。
図15は、本実施形態の他の構成例を示す断面図である。図示した断面は、図4に示したG−H線に沿った表示パネルPNLの断面に相当する。図示した構成例は、図10に示した構成例と比較して、遮光部B31とカラーフィルタCFB1とが接する第1幅W11が、遮光部B32とカラーフィルタCFB1とが接する第2幅W12より大きい点で相違している。換言すると、遮光部B31とカラーフィルタCFB1との接触面積は、遮光部B32とカラーフィルタCFB1との接触面積より大きい。詳述しないが、図示した青画素PB1のカラーフィルタCFB1のみならず、青画素PB3のカラーフィルタCFB3も同様に遮光部と接する幅が異なる。カラーフィルタCFB1は、遮光部B31の端部B31Eと遮光部B32の端部B32Eとの間で面SF3に接している。
図15に示した例においても、青画素PB1のカラーフィルタCFB1は画素電極PE12と対向し、凹部CC1は画素電極PE23と対向している。また、液晶層LCは、青画素PB1の中央部において第1厚さT1を有し、白画素PW2の中央部において第2厚さT2を有している。第2厚さT2は、第1厚さT1よりも厚い。また、第2基板SUB2は、青画素PB1の中央部において第3厚さT3を有し、白画素PW2の中央部において第4厚さT4を有している。第4厚さT4は、第3厚さT3よりも薄い。
図15に示した例においても、青画素PB1のカラーフィルタCFB1は画素電極PE12と対向し、凹部CC1は画素電極PE23と対向している。また、液晶層LCは、青画素PB1の中央部において第1厚さT1を有し、白画素PW2の中央部において第2厚さT2を有している。第2厚さT2は、第1厚さT1よりも厚い。また、第2基板SUB2は、青画素PB1の中央部において第3厚さT3を有し、白画素PW2の中央部において第4厚さT4を有している。第4厚さT4は、第3厚さT3よりも薄い。
カラーフィルタCFB1と遮光部B31とが接して形成される積層体は、最大厚さとして、第7厚さT7を有している。カラーフィルタCFB1と遮光部B32とが接して形成される積層体は、最大厚さとして、第8厚さT8を有している。図示した例では、第8厚さT8は、第7厚さT7よりも薄い。白画素PW2に隣接するカラーフィルタCFB1と遮光部B32との積層体が薄く形成されることにより、オーバーコート層OCを形成するための原料が白画素PW2に流れ込みやすくなる。
オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFB1及びCFB3、及び、遮光部B31乃至B33にそれぞれ接するとともに、遮光部B32及びB33の間で面SF3に接している。遮光部B32とオーバーコート層OCとが接する第3幅W13は、遮光部B33とオーバーコート層OCとが接する第4幅W14より大きい。換言すると、遮光部B32とオーバーコート層OCとの接触面積は、遮光部B33とオーバーコート層OCとの接触面積より大きい。
遮光部B32に着目すると、第2幅W12は第3幅W13より小さい。換言すると、カラーフィルタCFB1と遮光部B32との接触面積は、オーバーコート層OCと遮光部B32との接触面積より小さい。遮光部B31に着目すると、カラーフィルタCFB1と遮光部B31との接触面積は、オーバーコート層OCと遮光部B31との接触面積より大きい。
図15に示した例では、遮光部B31が第5遮光部に相当し、遮光部B32が第6遮光部に相当し、遮光部B33が第7遮光部に相当し、青画素PB1のカラーフィルタCFB1が第3着色層に相当し、画素電極PE21は第4画素電極に相当し、オーバーコート層OCが透明樹脂層に相当する。また、青画素PB1が第1開口部に相当し、白画素PW2が第2開口部に相当する。
図16は、図15に示した遮光部B31及びB32に接するカラーフィルタCFBの厚さプロファイルを示す図である。横軸は図4のG−H線に沿った位置であり、縦軸は厚さ(μm)である。厚さは、面SF3を基準としている。なお、遮光部B31及びB32の厚さは1.5μmであり、カラーフィルタCFBの厚さは2.3μmである。
図中のHは、図15に示した第1幅W11が7.5μmであり、第2幅W12が5.0μmである場合のプロファイルに相当する。図中のIは、第1幅W11が10.0μmであり、第2幅W12が2.5μmである場合のプロファイルに相当する。図中のJは、第1幅W11が11.5μmであり、第2幅W12が1.0μmである場合のプロファイルに相当する。プロファイルH乃至Jの各々について、概略的には、端部B31Eに近接する側の厚さが端部B32Eに近接する側の厚さより厚い。また、第2幅W12が減少するほど、端部B32E付近の厚さが減少する傾向にある。カラーフィルタCFBと遮光部B32との積層体が薄くする観点では、第2幅W12は、I及びJで示したように、2.5μm以下であることが望ましい。
図中のHは、図15に示した第1幅W11が7.5μmであり、第2幅W12が5.0μmである場合のプロファイルに相当する。図中のIは、第1幅W11が10.0μmであり、第2幅W12が2.5μmである場合のプロファイルに相当する。図中のJは、第1幅W11が11.5μmであり、第2幅W12が1.0μmである場合のプロファイルに相当する。プロファイルH乃至Jの各々について、概略的には、端部B31Eに近接する側の厚さが端部B32Eに近接する側の厚さより厚い。また、第2幅W12が減少するほど、端部B32E付近の厚さが減少する傾向にある。カラーフィルタCFBと遮光部B32との積層体が薄くする観点では、第2幅W12は、I及びJで示したように、2.5μm以下であることが望ましい。
図17は、遮光部B31及びB32、カラーフィルタCFB、及び、オーバーコート層OCの厚さプロファイルを示す図である。横軸は図4のG−H線に沿った位置であり、縦軸は厚さ(μm)である。青画素PB1において、カラーフィルタCFBの厚さとオーバーコート層OCの厚さとの総和は約3.75μmであり、白画素PW2におけるオーバーコート層OCの厚さは約3.65μmであり、白画素PW2において約0.1μmの凹部が形成されたことになる。
図18は、他の画素レイアウトに対応した遮光層BMを示す平面図である。図示した構成例は、図4に示した構成例と比較して、赤画素PR、緑画素PG、青画素PB、及び、白画素PWの各々の第1方向Xに沿った幅及び第2方向Yに沿った幅が同等である点で相違している。但し、図示した例の遮光層BMは、メインスペーサ及びサブスペーサと重畳する領域を考慮していない。赤画素PR1及びPR2には赤色のカラーフィルタCFRが配置され、緑画素PG1及びPG2には緑色のカラーフィルタCFGが配置され、青画素PB1乃至PB3には青色のカラーフィルタCFBが配置され、白画素PW1及びPW2にはオーバーコート層OCが配置されている。なお、同一色のカラーフィルタには同一のハッチングを施して区別している。
このような画素レイアウトの構成例においても、上記の構成例と同様に、白画素PWにおける第2色度が調整可能である。
このような画素レイアウトの構成例においても、上記の構成例と同様に、白画素PWにおける第2色度が調整可能である。
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な表示装置及びカラーフィルタ基板を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、本実施形態においては、赤画素、緑画素、及び、白画素のそれぞれの画素幅が同一であるが、これらの画素幅が異なっていてもよい。また、本実施形態においては、赤画素、緑画素、及び、白画素のそれぞれの画素電極が同一形状を有しているが、これらの画素電極の形状が異なっていてもよい。
DSP…表示装置
PNL…表示パネル
SUB1…第1基板 AL1…配向膜
SUB2…第2基板 20…絶縁基板 BM…遮光層 B…遮光部
CF…カラーフィルタ OC…オーバーコート層 AL2…配向膜
LC…液晶層
IL…照明装置
PNL…表示パネル
SUB1…第1基板 AL1…配向膜
SUB2…第2基板 20…絶縁基板 BM…遮光層 B…遮光部
CF…カラーフィルタ OC…オーバーコート層 AL2…配向膜
LC…液晶層
IL…照明装置
Claims (17)
- 第1配向膜を備えた第1基板と、
第2配向膜を備えた第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板との間に設けられる液晶層と、を備え、
前記第1基板は、第1画素電極と、第2画素電極と、を備え、
前記第2基板は、
第1面を有する絶縁基板と、
前記第1画素電極と対向し、前記第1面に接する第1着色層と、
前記第1着色層と前記第2配向膜との間に設けられた透明樹脂層と、を備え、
前記透明樹脂層は、前記第2画素電極に対向する凹部を有し、
前記第2配向膜は、前記凹部に接する、表示装置。 - 前記第2基板は、前記第1面にそれぞれ接し、第1方向に間隔を置いて順に並んだ第1乃至第4遮光部を備え、
平面視において、前記第1画素電極は前記第1遮光部と前記第2遮光部との間に位置し、前記第2画素電極は前記第2遮光部と前記第3遮光部との間に位置し、
前記透明樹脂層は、前記第1遮光部と前記第2遮光部との第1中間点において前記第1着色層に接し、前記第2遮光部と前記第3遮光部との第2中間点において前記第1面に接し、
前記液晶層は、前記第1配向膜の第2面及び前記第2配向膜の第3面に接し、前記第1中間点において前記第2面と前記第3面との間に第1厚さを有し、前記第2中間点において前記第2面と前記第3面との間に第2厚さを有し、前記第2厚さは前記第1厚さより厚く、
前記第2基板は、前記第1中間点において前記第1面と前記第3面との間に第3厚さを有し、前記第2中間点において前記第1面と前記第3面との間に第4厚さを有し、前記第4厚さは前記第3厚さより薄い、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第3厚さと前記第4厚さの差分は、前記第1厚さの1/6以下である、請求項2に記載の表示装置。
- 前記第3厚さと前記第4厚さの差分は、0.05μm以上0.35μm以下である、請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、さらに、第3画素電極を備え、
前記第2基板は、さらに、前記第3遮光部と前記第4遮光部との間において前記第3画素電極に対向し、前記第1面に接する第2着色層を備え、
前記第1着色層と前記第2遮光部との積層体は第5厚さを有し、前記第2着色層と前記第3遮光部との積層体は第6厚さを有し、前記第5厚さは前記第6厚さより薄い、請求項4に記載の表示装置。 - 前記第2着色層の色は、前記第1着色層の色とは異なる、請求項5に記載の表示装置。
- 前記第1着色層及び前記第2着色層のうちの一方の色は赤であり、他方の色は緑である、請求項5に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、さらに、第4画素電極を備え、
前記第2基板は、さらに、前記第1面にそれぞれ接し、第2方向に間隔をおいて順に並んだ第5乃至第7遮光部と、
前記第5遮光部と前記第6遮光部との間において、前記第4画素電極に対向し、前記第1面に接する第3着色層と、を備え、
前記透明樹脂層は、前記第5遮光部と前記第6遮光部との間において前記第3着色層に接し、前記第6遮光部と前記第7遮光部との間において前記第1面に接し、
前記第5遮光部と前記第3着色層とが接する第1幅は、前記第6遮光部と前記第3着色層とが接する第2幅より大きい、請求項2に記載の表示装置。 - 前記第2幅は、2.5μm以下である、請求項8に記載の表示装置。
- 前記第3着色層と前記第5遮光部との積層体は第7厚さを有し、前記第3着色層と前記第6遮光部との積層体は第8厚さを有し、前記第8厚さは前記第7厚さより薄い、請求項8に記載の表示装置。
- 前記第6遮光部と前記透明樹脂層とが接する第3幅は、前記第7遮光部と前記透明樹脂層とが接する第4幅より大きい、請求項8に記載の表示装置。
- 絶縁基板と、
行列状に複数の開口部を形成する遮光部と、
赤カラーフィルタ、青カラーフィルタ、及び、緑カラーフィルタと、を含むカラーフィルタ層と、
オーバーコート層と、を備えたカラーフィルタ基板であって、
前記複数の開口部は、第1開口部及び第2開口部を含み、
前記カラーフィルタ層の何れか一色のカラーフィルタは、前記第1開口部に位置し、
前記オーバーコート層は、前記第1開口部において前記カラーフィルタ層と接し、前記第2開口部において前記絶縁基板と接する第1面と、前記第1面と反対の第2面と、を有し、
前記第1開口部における前記絶縁基板から前記第2面までの第1距離は、前記第2開口部における前記絶縁基板から前記第2面までの第2距離より大きい、カラーフィルタ基板。 - 前記第1開口部には前記青カラーフィルタがあり、前記第1開口部及び前記第2開口部は行方向に隣接する、請求項12に記載のカラーフィルタ基板。
- 前記絶縁基板は、前記行方向に延びる長辺と列方向に延びる短辺を有する、請求項13に記載のカラーフィルタ基板。
- 前記第1距離と前記第2距離の差分は、0.05μm以上0.30μ以下である、請求項14に記載のカラーフィルタ基板。
- 前記オーバーコート層の前記第1開口部における膜厚は、前記第2開口部における膜厚よりも小さい、請求項15に記載のカラーフィルタ基板。
- 前記カラーフィルタ基板は、さらに、スペーサを備え、前記第1距離と前記第2距離との差分は、前記スペーサ高さより小さい、請求項16に記載の表示装置。
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