JP2019129329A - 電力増幅器 - Google Patents

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Abstract

【課題】出力信号に含まれる偶数次の高調波成分の発生を抑制可能な電力増幅器を提供する。【解決手段】本実施形態によれば、電力増幅器は、出力信号生成部と、帰還回路とを備える。出力信号生成部は、入力された交流信号に基づいて、第1基準電圧よりも第1電圧高いパルス幅の第1パルスと、第1基準電圧よりも第2電圧低いパルス幅の第2パルスとを各周期に含む出力信号を生成する。帰還回路は、出力信号の各周期における第1パルスのパルス幅と第2パルスのパルス幅とが等しくなるように、出力信号に応じた第1バイアス信号を生成して出力信号生成部の入力側に帰還させる。【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、電力増幅器に関する。
インバータにより構成した電力増幅器は、無線通信などに用いられる。無線通信では、使用可能な帯域が制限されているので、電力増幅器の出力信号に含まれる偶数次の高調波成分の発生を抑制することが求められている。
特開2008−17358号公報
出力信号に含まれる偶数次の高調波成分の発生を抑制可能な電力増幅器を提供する。
本実施形態によれば、電力増幅器は、出力信号生成部と、帰還回路とを備える。出力信号生成部は、入力された交流信号に基づいて、第1基準電圧よりも第1電圧高いパルス幅の第1パルスと、第1基準電圧よりも第2電圧低いパルス幅の第2パルスとを各周期に含む出力信号を生成する。帰還回路は、出力信号の各周期における第1パルスのパルス幅と第2パルスのパルス幅とが等しくなるように、出力信号に応じた第1バイアス信号を生成して出力信号生成部の入力側に帰還させる。
第1実施形態の電力増幅器の構成を示す回路図。 バイアス回路の構成を示す回路図。 第1実施形態の電力増幅器の動作を説明するための波形図。 第1実施形態の電力増幅器の動作を説明するための別の波形図。 第1実施形態の電力増幅器の性能について説明するためのグラフ。 第2実施形態の電力増幅器の構成を示す回路図。 第3実施形態の電力増幅器の構成を示す回路図。 第3実施形態の電力増幅器の通常運転時の接続状態例を示す図。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
(第1実施形態)
図1に基づき、電力増幅器の構成を説明する。図1は、第1実施形態の電力増幅器の構成を示す回路図である。
図1に示すように、電力増幅器は、信号発生部1と、インバータ2と、帰還回路3と、バイアス供給回路4と、マッチング回路5と、アンテナ6とを備えている。帰還回路3は、検出部31と、調整部32と、電気抵抗33とを有している。また、検出部31は、電気抵抗31aとコンデンサ31bとを有し、調整部32は、差動増幅器32aと、バイアス回路32bとを有している。バイアス供給回路4は、バイアス回路41と、電気抵抗42とを有する。
図1の電力増幅器はさらに、第1コンデンサ11と、第2コンデンサ12と、第1インバータ13と、第2インバータ14と、第3インバータ15と、第4インバータ16と、互いに並列に接続された複数の出力信号生成部17とを備えている。
本実施形態の電力増幅器は、例えばBluetooth(登録商標)規格に準拠した無線送信に用いられる。図1は、本実施形態の無線送信の説明に関連する構成要素を示しており、本実施形態の説明に関連しない既知の構成要素については図示を省略している。なお、マッチング回路5と、アンテナ6とは、本実施形態の電力増幅器の外部の構成要素であっても構わない。
信号発生部1は、信号を発生する回路であり、例えばシンセサイザやDCO(Digitally Controlled Oscillator)である。図1では、この信号が符号Vで示されている。信号発生部1は、信号Vとして正弦波を発生するが、信号Vが下流に伝播するにつれて、信号Vの波形はインバータ2、13、14、15、16等の影響で矩形波に近付いていく。
信号Vは、インバータ2を通過した後、入力ノードKで、第1コンデンサ11に供給される第1信号と、第2コンデンサ12に供給される第2信号とに分かれる。第1および第2コンデンサ11、12はそれぞれ、第1および第2信号の直流成分(DC成分)を除去する。
第1コンデンサ11を通過した第1信号は、第1および第3インバータ13、15を通過した後、第1トランジスタ17aのゲート端子に供給される。また、第2コンデンサ12を通過した第2信号は、第2および第4インバータ14、16を通過した後、第2トランジスタ17bのゲート端子に供給される。なお、第1コンデンサ11と第1トランジスタ17aとの間、及び、第2コンデンサ12と第2トランジスタ17bとの間の、インバータの数は2個に限定されず、偶数個であればよい。
出力信号生成部17は、第1基準電圧Vrefよりも第1電圧高いパルス幅の第1パルスと、第1基準電圧Vrefよりも第2電圧低いパルス幅の第2パルスとを各周期に含む出力信号Vを生成する。複数の出力信号生成部17は、各出力信号生成部17を取り囲む枠線の位置で互いに並列に接続されている。すなわち、これらの出力信号生成部17に信号を入力する配線は、第3インバータ15と出力信号生成部17との間のノードや、第4インバータ16と出力信号生成部17との間のノードで分岐している。また、これらの出力信号生成部17から信号を出力する配線は、出力信号生成部17とマッチング回路5との間のノードで合流している。なお、出力信号生成部17は少なくとも一つ備えられればよく、出力信号生成部17の数はアンテナ6の特性に応じて調整される。
帰還回路3は、第1基準電圧Vrefに出力信号Vの平均直流電圧Vdetの値を一致させるように、第1信号に第1バイアス信号Vgpを印加する。図1では、第1バイアス信号Vgpが第1コンデンサ11と第1インバータ13との間のノードKに印加された直後の第1信号が符号V2pで示され、第1インバータ13を通過後の第1信号が符号V3pで示され、第3インバータ15を通過後の第1信号が符号V4pで示されている。
バイアス供給回路4は、第2コンデンサ12と第2インバータ14との間のノードKで、第2信号に第2バイアス信号Vgnを印加する。図1では、第2バイアス信号Vgnが印加された直後の第2信号が符号V2Nで示され、第2インバータ14を通過後の第2信号が符号V3Nで示され、第4インバータ16を通過後の第2信号が符号V4Nで示されている。バイアス供給回路4は、第2バイアス信号Vgnの信号レベルを調整することにより、出力信号生成部17の出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅を制御する。
ここで、出力信号生成部17の詳細な構成を説明する。出力信号生成部17は、第1基準電圧ノード(KVDD)と第2基準電圧ノード(KGND)との間にカスコード接続された、互いに導電型の異なる第1トランジスタ17a及び第2トランジスタ17bを有する。例えば第1および第2トランジスタ17a、17bは、それぞれpMOSとnMOSである。出力信号生成部17は、交流信号Vに基づいて、第1基準電圧Vrefよりも第1電圧高いパルス幅の第1パルスと、第1基準電圧Vrefよりも第2電圧低いパルス幅の第2パルスとを各周期に含む出力信号を生成する。この第1基準電圧Vrefは、例えばVDD配線の電圧VDDの2分の1であり、第1電圧と第2電圧は同等の値である。より具体的には、第1トランジスタ17aは、交流信号Vに応じた信号V4pが入力される第1制御端子(ゲート)と、出力信号Vの周期ごとに第1パルスを出力する第1出力端子(ドレイン)とを有する。第2トランジスタ17bは、交流信号Vに応じた信号V4Nが入力される第2制御端子(ゲート)と、出力信号Vの周期ごとに第2パルスを出力する第2出力端子(ドレイン)とを有する。第1出力端子(ドレイン)及び第2出力端子(ドレイン)は互いにノードKで接続されている。
このような回路構成により、第1トランジスタ17aは第1信号V4Pが供給されると、第1パルス電流I1Pを出力する。また、第1トランジスタ17bは第2信号V4Nが供給されると、第2パルス電流I1Nを出力する。第1および第2パルス電流I1P、I1Nはそれぞれ、第1および第2トランジスタ17a、17bのドレイン電流に相当する。その結果、第1及び第2トランジスタ17a、17b間の出力ノードKから、第1パルスと、第2パルスとを各周期に含む出力信号Vがマッチング回路5に出力される。すなわち、出力信号Vは、出力ノードKの電圧に相当し、第1パルス電流I1Pと第2パルス電流I1Nとに基づいて各出力信号生成部17内で生成され、マッチング回路5に出力される。
ここで、帰還回路3の詳細について説明する。帰還回路3は、第1トランジスタ17aの第第1制御端子(ゲート)または第2トランジスタ17bの第2制御端子(ゲート)の一方に繋がる信号ラインに第1バイアス信号Vgpを帰還させる。すなわち、この帰還回路3は、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅が等しくなるように、出力信号Vに応じた第1バイアス信号Vgpを生成して出力信号生成部17の入力側に帰還させる。
出力信号Vは、帰還回路3の検出部31にも供給される。検出部31は、出力信号Vの平均直流電圧Vdetを検出する。検出部31は、例えば電気抵抗31aとコンデンサ31bにより構成されたローパスフィルタであり、出力信号Vの高周波成分を除去する。高周波成分が除去された出力信号Vは、調整部32に平均直流電圧Vdetとして出力される。なお、検出部31は、出力信号Vの高周波成分を除去可能であれば、その他の構成を有していてもよい。
調整部32は、差動増幅器32aと、バイアス回路32bとを備えて構成されている。差動増幅器32aの非反転入力端子(+)には、検出部31から平均直流電圧Vdetが入力されている。また、差動増幅器32aの反転入力端子(−)には、バイアス回路41から第1基準電圧Vrefが入力されている。差動増幅器32aは、例えばオペアンプであり、平均直流電圧Vdetの値と第1基準電圧Vrefの値とを一致させるように第1バイアス信号Vgpを生成する。また、第1バイアス信号Vgpの値が変更されると、第1信号V4pのパルス幅も変更される。換言すると、調整部32は、平均直流電圧Vdetと第1基準電圧Vrefとが一致するように、第1信号V4pのパルス幅を変更する。なお、本実施形態に係る基準電圧生成部は、バイアス回路32bに対応する。
図2は、バイアス回路32bの構成を示す回路図である。図2に示すように、バイア回路32bは、VDD配線とGND配線との間に直列に接続された第1可変抵抗32cと、第2可変抵抗32dとを有している。バイアス回路32bは、入力コードに基づき、第1可変抵抗32cと、第2可変抵抗32dとの抵抗値を変化させることで、第1基準電圧Vrefの値を制御することができる。なお、バイアス回路32bは、第1可変抵抗32cと、第2可変抵抗32dとにより構成されているが、第1基準電圧Vrefの値を制御可能であればその他の構成を有していてもよい。また、バイアス回路41も32bと同等の構成である。
第1基準電圧Vrefは、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅が等しければ、得られるべき平均直流電圧に設定される。この平均直流電圧は、例えばVDD配線の電圧VDDの2分の1であるので、第1基準電圧VrefはVDD/2に設定される。なお、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅が等しい場合の平均直流電圧の値は、第1および第2トランジスタ17b、17bの特性によりαのずれが生じ得る。このため、第1基準電圧Vrefは、例えばVDD配線の電圧と、第1および第2トランジスタ17b、17bの特性とに基づき、VDD/2+αとしてもよい。例えば第1基準電圧Vrefの値は、予備実験により予め取得してもよい。
マッチング回路5は、出力信号生成部17とアンテナ6との間にインピーダンスマッチング用に設けられている。出力信号生成部17の出力信号Vは、マッチング回路5を通過してアンテナ6に供給され、アンテナ6から外部に送信される。
このように、本実施形態の電力増幅器は、出力信号Vの平均直流電圧Vdetを検出部31により検出し、調整部32が平均直流電圧Vdetに基づき、出力信号Vの波形を変化させる。これにより、出力信号Vの波形を平均直流電圧Vdetと第1基準電圧Vrefとの値を一致させるように調整することができる。より具体的には、本実施形態の電力増幅器は、出力信号Vの平均直流電圧の値をVDD/2に一致させ、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅を一致させ、各周期における出力信号Vの波形が点対称となるように動作する。ここで、対称点を各周期における半周期の時点とする。これにより、出力信号Vの波形は対称点に対して奇関数となり偶数次の高調波成分がほぼ0に抑制される。
以下、本実施形態の電力増幅器の動作について詳細に説明する。
図3は、第1実施形態の電力増幅器の動作を説明するための波形図である。ここでは、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅が一致する場合を出力信号Vが対称であると呼ぶこととする。この場合、各周期の半周期の時点、すなわち対称点に対して第1パルスと第2パルスは、点対称となる。また、第1基準電圧VrefをVDD/2としている。
図3(a)は、帰還回路3が作用する前の出力信号Vと、帰還回路3が作用した後の出力信号Vの一例を示している。第1パルスの幅をPで示し、第2パルスの幅をPで示している。作用前の出力信号Vの平均直流電圧Vdetと第1基準電圧Vrefの値は、異なっている。また、作用前の出力信号Vでは、第1パルスのパルス幅Pと第2パルスのパルス幅Pとが一致していない(図3(a)左)。すなわち、出力信号Vの対称性は崩れている。一方、作用後の平均直流電圧Vdetと第1基準電圧Vrefとは一致し、第1パルスのパルス幅Pと第2パルスのパルス幅Pとが一致している(図3(a)右)。このように、帰還回路3が平均直流電圧Vdetと第1基準電圧Vrefとを一致させることで、出力信号V5の波形が点対称となる。
図3(b)は、帰還回路3が作用する前の第1信号V4Pと、帰還回路3が作用した後の第1信号V4Pの一例を示している。作用前の第1信号V4Pでは、ハイ期間とロー期間とは、ほぼ同等の長さである(図3(b)左)。一方、作用後の第1信号V4Pでは、ハイ期間がロー期間よりも長くなるように変化している(図3(b)右)。
図3(c)は、帰還回路3が作用する前の第2信号V4N(図3(c)左)と、帰還回路3が作用した後の第2信号V4N(図3(c)右)の一例を示している。
図3(d)は、帰還回路3が作用する前の第1パルス電流I1Pと、帰還回路3が作用した後の第1パルス電流I1Pの一例を示している。第1信号V4Pが図3(b)のように変化することで、作用後の第1パルス電流I1Pのパルス幅が短くなっている。
図3(e)は、帰還回路3が作用する前の第2パルス電流I1Nと、帰還回路3が作用した後の第2パルス電流I1Nの一例を示している。第2信号V4Nが図3(c)のように変化せずに維持されているで、作用後の第2パルス電流I1Nのパルス幅も変化せずに維持されている。
このように、第1基準電圧Vrefを出力信号Vの第1パルス及び第2パルスのパルス幅P、Pが一致するように第1バイアス信号Vgpが変更される。これにより、第1パルス及び第2パルスのパルス幅P、Pが一致する。その結果、出力信号Vに含まれる偶数次の高調波成分が抑制され、アンテナ6に出力される信号に含まれる偶数次の高調波成分が抑制される。
また、バイアス供給回路4が、第2信号に印加する第2バイアス信号Vgnを調整することで、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅を一致させた状態を維持しつつ、出力信号Vの波形を変更できる。これにより、第1及び第2トランジスタ17a、17bを流れる貫通電流の量を変更可能となり、本実施形態における無線通信のエネルギー効率を調整可能となる。
図4は、第1実施形態の電力増幅器の動作を説明するための別の波形図である。図4は、帰還回路3による第1バイアス信号Vgpの印加と第1パルス電流I1pの変化との関係を示したものである。
図4(a)は、信号発生部1から発生した信号Vの一例を示している。この信号Vは、電圧0と電圧VDDとの間で変動する正弦波である。以下、この信号Vから生じる第1電圧や第1パルス電流について説明する。
図4(b)は、第1バイアス信号Vgpが印加された直後の第1信号V2pを示している。第1信号V2Pの振動方向は、インバータ2の作用により、信号Vの振動方向と反転している。また、第1信号V2pの平均値は、第1バイアス信号Vgpの影響により、第1インバータ13の閾値VTHよりもVだけ高くなっている。さらに、図4(b)は、第1信号V2pの値が、閾値VTHよりも低い期間Tと高い期間Tとを示している。
図4(c)は、第1インバータ13を通過後の第1信号V3Pを示している。第1信号V3pの波形は、閾値VTHの影響により、期間Tが期間Tよりも短い矩形波となる。なお、正確には、第1信号は下流に伝播するにつれて徐々に正弦波から矩形波に変化していくが、ここでは作図の便宜上、第1信号V2pを正弦波で示し、第1信号V3Pを矩形波で示している。
図4(d)は、第3インバータ15を通過後の第1信号V4pを示している。第3インバータ15の作用により、第1信号V4pの波形は、期間Tが期間Tよりも短い矩形波となる。
図4(e)は、第1トランジスタ17aから出力された第1パルス電流I1pを示している。第1信号V4Pの期間Tの影響により、第1パルス電流I1pのパルス幅はTになる。
このように、第1信号V4pの期間Tは第1バイアス信号Vgpに応じて変化し、これにより第1パルス電流I1pのパルス幅が変化する。その結果、図3(a)右に示すように、出力信号Vの各周期における第1パルス及びと第2パルスのパルス幅を一致させることができる。これにより、各周期における出力信号V(図1)の波形が点対称となる。
図5は、第1実施形態の電力増幅器の性能について説明するためのグラフである。ここでは、電源電圧VDD、温度、入力信号V1の周波数をそれぞれ変更し、出力信号V5の高調波成分を求める計算機実験を行った。図5の上側が帰還回路3を用いない場合の結果であり、図5の下側が帰還回路3を用いた場合の結果である。図5の縦軸は、出力信号V5の高調波のパワーを示し、横軸は出力信号V5の周波数を示している。それぞれのラインは、電源電圧VDD、温度、入力信号V1の周波数を変更して得られた結果を示している。
この図5に示すように、帰還回路3を用いない場合には、電源電圧VDD、温度、入力信号V1の周波数の変動に対して、出力信号V5の高調波成分の値がばらつきを示す。これに対し、帰還回路3を用いた場合には、電源電圧VDD、温度、入力信号V1の周波数を変動させても、出力信号V5の高調波成分の値のばらつきが帰還回路3を用いない場合よりも小さいことを示す。これから分かるように、帰還回路3を用いることにより、電源電圧VDD、温度、入力信号V1の周波数が変動しても、ロバストに出力信号V5の高調波成分を抑制可能となる。換言すると、帰還回路3を用いることにより、電源電圧VDD、温度、入力信号V1の周波数が変動しても、出力信号V5の波形の対称性が崩れることを抑制可能となる。
以上のように、本実施形態によれば、帰還回路3は、第1基準電圧Vrefが出力信号Vの波形が対称となると得られる平均直流電圧の値に設定されると、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅とが等しくなるように第1バイアス信号Vgpを変更させる。これにより、出力信号Vの波形の対称性が向上し、出力信号Vに偶数次の高調波成分が含まれることが抑制される。
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態の電力増幅器の構成を示す回路図である。帰還回路3は、第2コンデンサ12と第2インバータ14との間のノードKで、第2信号に第2バイアス信号Vgnを印加することで、第1実施形態の電力増幅器と相違する。また、バイアス供給回路4は、第1コンデンサ11と第1インバータ13との間のノードKで、第1信号に第1バイアス信号Vgpを印加することで、第1実施形態の電力増幅器と相違する。その他の構成は、第1実施形態に係る電力増幅器と同等であるので、同等の構成には同一の番号を付して説明を省略する。
本実施形態によれば、帰還回路3は、第1基準電圧Vrefが出力信号Vの波形が対称となると得られる平均直流電圧の値に設定されると、出力信号Vの各周期における第1パルス及び第2パルスのパルス幅が等しくなるように第1バイアス信号Vgnを変更させる。これにより、出力信号Vの波形の対称性が向上し、出力信号Vに偶数次の高調波成分が含まれることが抑制される。
(第3実施形態)
第3実施形態に係る電力増幅器は、電力増幅器の起動時に用いる前駆部7を更に有することで第2実施形態に係る電力増幅器と異なる。電力増幅器の起動時に帰還回路3を駆動すると、帰還回路3が不安定動作をして、電力増幅器の出力信号に不要波成分が発生してしまう恐れがある。このため、本実施形態に係る電力増幅器は、電力増幅器の起動時に帰還回路3を電力増幅器から電気的に分離し、前駆部7により差動増幅器32aを前駆動させる。
図7は、第3実施形態の電力増幅器の構成を示す回路図である。図7では、差動増幅器32aの前駆部時の接続状態例を示している。図8は、第3実施形態の電力増幅器の通常運転時の接続状態例を示す回路図である。
図7に示すように、第3実施形態の電力増幅器は、図6に示す構成要素に加えて、前駆部7と、バイアス回路8と、切り替えスイッチ18、19とを備えている。なお、図1で示す構成要素に加えて、前駆部7と、バイアス回路8と、切り替えスイッチ18、19とを備えてもよい。この場合も本実施形態に係る前駆動と同等の制御を差動増幅器32aに行うことが可能となる。
前駆部7は、差動増幅器32aの前駆動の際に、差動増幅器32aの非反転入力端子に入力される電圧が第1基準電圧Vrefとなり、差動増幅器32aの出力電圧が初期電圧Vbn0となるように制御する。
バイアス回路8は、バイアス回路32bと同等の構成であり、差動増幅器32aの前駆動時に、ノードKに初期電圧Vbn0を供給する。これにより、第2トランジスタ17bのゲートには初期電圧Vbn0が供給される。一方で、バイアス回路41は、差動増幅器32aの前駆動時に、ノードKに初期電圧Vbp0を供給する。これらの初期電圧Vbn0、Vbp0は、予め予備実験により設定された値である。
図8に示すように、電力増幅器の通常運転時の接続状態では、ノードKに初期電圧Vbp0を供給すると、差動増幅器32aの出力電圧がVbn0付近となる。換言すると、ノードKに初期電圧Vbp0を供給した際に差動増幅器32aが通常的に出力する出力電圧を予備実験で見積もり、初期電圧Vbn0としている。
切り替えスイッチ18、19は、前駆動時に調整部32を電力増幅器から電気的に分離し、通常の運転時に調整部32を電力増幅器に電気的に接続する。すなわち、切り替えスイッチ18、19は、前駆部7と、バイアス回路8と、調整部32との接続を切り替える。より具体的には、図7に示すように、差動増幅器32aの前駆動の際には、調整部32を前駆部7に接続し、バイアス回路8を電気抵抗33の一端に接続する。一方で、図8に示すように、差動増幅器32aの通常駆動の際には、調整部32を電気抵抗33の一端と、検出部31の一端に接続する。なお、本実施形態に係る切替器は、切り替えスイッチ18、19に対応する。
ここで、前駆部7の詳細な構成を説明する。前駆部7は、第3トランジスタ70aと、第4トランジスタ70bと、第5トランジスタ70cと、第6トランジスタ70dと、差動増幅器70eとを有している。
第3トランジスタ70aと第4トランジスタ70bは、電源配線(VDD配線)とグランド配線(GND配線)との間で直列に接続されている。同様に、第5トランジスタ70cと第6トランジスタ70dは、電源配線(VDD配線)とグランド配線(GND配線)との間で直列に接続されている。また、第3トランジスタ70aと第5トランジスタ70cとは同等の特性を有するpMOSであり、第4トランジスタ70bと第6トランジスタ70dとは同等の特性を有するnMOSである。
差動増幅器70eは、例えばオペアンプである。第3トランジスタ70aと第4トランジスタ70bとの接続ノードK7は、切り替えスイッチ18の一端と接続される。第4トランジスタ70bのゲートは、切り替えスイッチ19の一端と接続される。第5トランジスタ70cと第6トランジスタ70dの接続ノードKは、差動増幅器70eの非反転入力端子(+)と接続されている。また、差動増幅器70eの反転入力端子(−)には、第1基準電圧Vrefが入力される。差動増幅器70eの出力端子は、第3トランジスタ70aと第5トランジスタ70cとのゲートに接続されている。
次に、前駆部7の動作について説明する。駆動時には、第3トランジスタ70aと第4トランジスタ70bとの接続ノードKは、切り替えスイッチ18により差動増幅器32aの非反転入力端子(+)と接続される。また、第4トランジスタ70bのゲートは、切り替えスイッチ19により差動増幅器32aの出力端子と接続される。そして、差動増幅器32aの反転入力端子(−)には、第1基準電圧Vrefが供給され、第6トランジスタ70dのゲートには、初期電圧Vbn0が供給される。ノードK3は、切り替えスイッチ19により抵抗33を介してバイアス回路8と接続され、初期電圧Vbn0が供給される。
一方で、通常時には、切り替えスイッチ18により検出部31の一端は、差動増幅器32aの非反転入力端子(+)と接続される。また、ノードK3は、切り替えスイッチ19により抵抗33を介して差動増幅器32aと接続される。
これらから分かるように、前駆部7の駆動時には、差動増幅器70eの帰還作用により、接続ノードKの電圧が第1基準電圧Vrefとなる。一方で、第3トランジスタ70aと第5トランジスタ70cとのゲートには、差動増幅器70eの出力電圧Vp7が共に供給されるため、第6トランジスタ70dのゲートに電圧Vbn0が供給されると、接続ノードKの電圧がKと同じくVrefとなる。この状態の前駆部7を調整部32と接続すると、差動増幅器32aの非反転入力端子(+)に入力される電圧が第1基準電圧Vrefとなり、差動増幅器32aの出力電圧が初期電圧Vbn0となる。そして、切り替えスイッチ18、19を切り替え、通常時の運転に移行する。すなわち、前駆動部7にて差動増幅器32aが生成するバイアス信号を所定値(初期電圧Vbn0)にさせた後に、出力信号生成部17の入力側に帰還させる。このように、前駆部7は、駆動時に、差動増幅器32aが生成するバイアス信号が出力信号生成部17に帰還されない状態で、差動増幅器32aを通常状態と近い状態にする。
以上のように、本実施形態によれば、電力増幅器の起動時に帰還回路3を電力増幅器から電気的に分離し、前駆部7により差動増幅器32aの動作状態が通常時の動作状態と同等になると電力増幅器に接続することとした。これにより、起動時から電力増幅器をより安定した状態で運転でき、電力増幅器の出力信号に不要波成分が発生することを抑制できる。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
1:信号発生部、2:インバータ、3:帰還回路、4:バイアス供給回路、5:マッチング回路、6:アンテナ、7:前駆部、8:バイアス回路、11:第1コンデンサ、12:第2コンデンサ、13:第1インバータ、14:第2インバータ、15:第3インバータ、16:第4インバータ、17:出力信号生成部、17a:第1トランジスタ、17b:第2トランジスタ、18:切り替えスイッチ、19:切り替えスイッチ、31:検出部、32:調整部、32a:差動増幅器、32b:バイアス回路、33:電気抵抗、41:バイアス回路、42:電気抵抗、70a:第3トランジスタ、70b:第4トランジスタ、70c:第5トランジスタ、70d:第6トランジスタ、70e:差動増幅器

Claims (7)

  1. 入力された交流信号に基づいて、第1基準電圧よりも第1電圧高いパルス幅の第1パルスと、前記第1基準電圧よりも第2電圧低いパルス幅の第2パルスとを各周期に含む出力信号を生成する出力信号生成部と、
    前記出力信号の各周期における前記第1パルスのパルス幅と前記第2パルスのパルス幅とが等しくなるように、前記出力信号に応じた第1バイアス信号を生成して前記出力信号生成部の入力側に帰還させる帰還回路と、
    を備える、電力増幅器。
  2. 前記帰還回路は、
    前記出力信号の平均直流電圧を検出する検出部と、
    前記平均直流電圧が第1基準電圧に一致するように、前記第1バイアス信号を生成する差動増幅器と、を有する、請求項1に記載の電力増幅器。
  3. 前記第1バイアス信号を前記出力信号生成部の入力側に帰還させるか否かを切り替える切替器と、
    前記切替器にて前記第1バイアス信号を前記出力信号生成部の入力側に帰還しない状態で、前記差動増幅器の出力信号を安定化させる前駆動部と、を更に備え、
    前記切替器は、前記前駆動部にて前記差動増幅器の出力信号を所定値にさせた後に、前記第1バイアス信号を前記出力信号生成部の入力側に帰還させる、請求項2に記載の電力増幅器。
  4. 前記出力信号生成部は、
    第1基準電圧ノードと第2基準電圧ノードとの間にカスコード接続された、互いに導電型の異なる第1トランジスタ及び第2トランジスタを有し、
    前記第1トランジスタは、前記交流信号に応じた信号が入力される第1制御端子と、前記出力信号の周期ごとに第1パルス出力する第1出力端子とを有し、
    前記第2トランジスタは、前記交流信号に応じた信号が入力される第2制御端子と、前記出力信号の周期ごとに第2パルスを出力する第2出力端子とを有し、
    前記第1出力端子及び前記第2出力端子は互いに接続され、
    前記帰還回路は、前記第1制御端子及び前記第2制御端子の一方に繋がる信号ラインに前記第1バイアス信号を帰還させる、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電力増幅器。
  5. 前記第1制御端子及び前記第2制御端子の他方に繋がる信号ラインに第2バイアス信号を供給するバイアス供給回路を更に備える、請求項4に記載の電力増幅器。
  6. 前記第1パルスのパルス幅と前記第2パルスのパルス幅とが一致するように前記第1基準電圧の電圧レベルを調整する基準電圧生成部を更に備える、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電力増幅器。
  7. 前記出力信号は、前記各周期における半周期の時点を対称点とする点対称な波形を有する前記出力信号を生成する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電力増幅器。
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