JP2019128124A - 筒状部材付きセラミックヒータ及びグロープラグ - Google Patents
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Abstract
【課題】セラミックヒータを破損し難くできる筒状部材付きセラミックヒータを提供すること。【解決手段】筒状部材付きセラミックヒータは、絶縁性セラミックからなり軸線に沿って延びる基体と、基体に埋設された発熱部を備え導電性セラミックからなる導体と、を備えるセラミックヒータと、基体のうち発熱部を埋設した部分を少なくとも露出させつつ軸線に沿って基体を保持する筒状部材と、を備え、セラミックヒータは、基体のうち筒状部材から露出した部分の表面に研削痕が形成される。軸線と直交する方向から見たときに、研削痕のうち少なくとも筒状部材に連なる第1研削痕と、第1仮想線を通り軸線に平行な仮想線と、のなす角は80°以下である。【選択図】図2
Description
本発明は筒状部材付きセラミックヒータ及びグロープラグに関し、特にセラミックヒータを破損し難くできる筒状部材付きセラミックヒータ及びグロープラグに関するものである。
導電性セラミックからなる導体が絶縁性セラミックからなる基体に埋め込まれたセラミックヒータが知られている。この種のセラミックヒータの製造方法として、未焼成導体が未焼成基体に埋め込まれた中間成形体を焼成して焼成体を形成した後、この焼成体の表面を研磨・研削することで、セラミックヒータの寸法や形状を整えることが知られている(特許文献1)。さらに、特許文献1に開示される技術では、得られたセラミックヒータを外筒と称する筒状部材に挿通し、セラミックヒータの一部分が筒状部材から露出した状態でセラミックヒータを筒状部材が保持する。
上記技術では、セラミックヒータに荷重が加わると、セラミックヒータのうち筒状部材から露出した部分に設けられた研削痕の影響により、セラミックヒータが破損するおそれがある。
本発明はこの問題点を解決するためになされたものであり、セラミックヒータを破損し難くできる筒状部材付きセラミックヒータ及びグロープラグを提供することを目的とする。
この目的を達成するために本発明の筒状部材付きセラミックヒータは、絶縁性セラミックからなり軸線に沿って延びる棒状の基体と、基体に埋設された発熱部を備え導電性セラミックからなる導体と、を備えるセラミックヒータと、基体のうち発熱部を埋設した部分を少なくとも露出させつつ軸線に沿って基体を保持する筒状部材と、を備える。セラミックヒータは、基体のうち筒状部材から露出した部分の表面に研削痕が形成される。筒状部材付きセラミックヒータを軸線と直交する方向から見たときに、研削痕のうち少なくとも筒状部材に連なる第1研削痕と、第1研削痕を通り軸線に平行な仮想線と、のなす角は80°以下である。
また、本発明のグロープラグは、セラミックヒータと、セラミックヒータを保持する筒状部材と、筒状部材を保持するハウジングと、を備えるものであり、上述の筒状部材付きセラミックヒータを備えている。
請求項1記載の筒状部材付きセラミックヒータによれば、セラミックヒータの基体に形成された研削痕のうち少なくとも筒状部材に連なる第1研削痕と、第1研削痕を通り軸線に平行な仮想線と、のなす角を80°以下としている。このセラミックヒータと物体との接触等により、軸線に略直交する方向(以下「略直交方向」と称す)からの荷重(以下「横荷重」と称す)がセラミックヒータに加えられると、セラミックヒータの露出した部分と筒状部材との境界付近の基体の表面に軸線方向の引張応力が集中し、これに起因して略直交方向にクラックが進展しようとする。これを防ぐため、第1研削痕と仮想線とのなす角を80°以下にすることで、クラックが進展しようとする略直交方向における第1研削痕の長さを短くできる。その結果、第1研削痕に沿ってクラックを進展し難くできるので、セラミックヒータを破損し難くできる。
なお、筒状部材付きセラミックヒータを軸線と直交する方向から見たときに、第1研削痕が直線状の場合には、第1研削痕に沿う直線と仮想線とのなす角が80°以下であれば良い。第1研削痕が曲線状の場合には、第1研削痕の所定位置における第1研削痕の接線と仮想線とのなす角が80°以下であれば良い。つまり、第1研削痕が曲線状の場合には、第1研削痕のいずれの位置においても仮想線とのなす角が80°以下であれば良い。
請求項2記載の筒状部材付きセラミックヒータによれば、研削痕と、その研削痕を通り軸線に平行な仮想線と、のなす角はいずれも80°以下なので、筒状部材から離れた部分も研削痕に沿ってクラックを進展し難くできる。よって、請求項1の効果に加え、セラミックヒータをより破損し難くできる。
なお、筒状部材付きセラミックヒータを軸線と直交する方向から見たときに、研削痕が直線状の場合には、研削痕に沿う直線と仮想線とのなす角が80°以下であれば良い。研削痕が曲線状の場合には、研削痕の所定位置における研削痕の接線と仮想線とのなす角が80°以下であれば良い。つまり、研削痕が曲線状の場合には、研削痕のいずれの位置においても仮想線とのなす角が80°以下であれば良い。
請求項3記載の筒状部材付きセラミックヒータによれば、セラミックヒータの研削痕のうち少なくとも発熱部が位置する軸線方向の領域に設けられた第2研削痕と、第2研削痕を通り軸線に平行な仮想線と、のなす角は20°以上である。このセラミックヒータの基体のうち発熱部が位置する領域は、基体のうち発熱部以外の導体が位置する領域に比べて高温になる。従って、セラミックヒータに熱衝撃が与えられると、基体のうち発熱部が位置する領域の熱応力が最大になる。そして、この熱応力は基体の表面の略直交方向の引張応力となり、これに起因して軸線方向にクラックが進展しようとする。これを防ぐため、第2研削痕と仮想線とのなす角を20°以上にすることで、クラックが進展しようとする軸線方向における第2研削痕の長さを短くできる。その結果、第2研削痕に沿ってクラックを進展し難くできるので、請求項1又は2の効果に加え、熱衝撃によりセラミックヒータを破損し難くできる。
なお、第2研削痕は、基体のうち発熱部が位置する軸線方向の領域に設けられていれば良く、第2研削痕の全体がこの領域内に設けられているものはもちろん、第2研削痕の一部がこの領域に設けられているものも含まれる。
なお、筒状部材付きセラミックヒータを軸線と直交する方向から見たときに、第2研削痕が直線状の場合には、第2研削痕に沿う直線と仮想線とのなす角が20°以上であれば良い。第2研削痕が曲線状の場合には、第2研削痕の所定位置における第2研削痕の接線と仮想線とのなす角が20°以上であれば良い。つまり、第2研削痕が曲線状の場合には、第2研削痕のいずれの位置においても仮想線とのなす角が20°以上であれば良い。
請求項4記載の筒状部材付きセラミックヒータによれば、研削痕と、その研削痕を通り軸線に平行な仮想線と、のなす角はいずれも20°以上なので、基体のうち発熱部以外の導体を取り囲む領域も、熱衝撃による研削痕に沿ったクラックの進展を抑制できる。よって、請求項3の効果に加え、セラミックヒータをより破損し難くできる。
なお、筒状部材付きセラミックヒータを軸線と直交する方向から見たときに、研削痕が直線状の場合には、研削痕に沿う直線と仮想線とのなす角が20°以上であれば良い。研削痕が曲線状の場合には、研削痕の所定位置における研削痕の接線と仮想線とのなす角が20°以上であれば良い。つまり、研削痕が曲線状の場合には、研削痕のいずれの位置においても仮想線とのなす角が20°以上であれば良い。
請求項5記載のグロープラグによれば、請求項1から4のいずれかに記載の筒状部材付きセラミックヒータを備えるので、請求項1から4のいずれかと同様の効果がある。
以下、本発明の好ましい実施の形態について添付図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形態における筒状部材付きセラミックヒータ10を備えるグロープラグ40の片側断面図である。図1では紙面下側を筒状部材付きセラミックヒータ10及びグロープラグ40の先端側、紙面上側を筒状部材付きセラミックヒータ10及びグロープラグ40の後端側という。
図1に示すように筒状部材付きセラミックヒータ10は、セラミックヒータ11と、セラミックヒータ11を保持する筒状部材30と、を備えている。セラミックヒータ11は、基体12と、基体12の内部に埋め込まれた導体13と、を備えている。
基体12は絶縁性セラミックからなる部材であり、本実施の形態では略円柱状に形成されている。基体12を構成する絶縁性セラミックに含まれる絶縁材料は、例えばSi3N4,AlN,サイアロン,Al2O3等が挙げられる。本実施の形態では、基体12はSi3N4を主成分とする絶縁性セラミックである。
導体13は導電性セラミックからなる部材である。導体13を構成する導電性セラミックには、例えばSi3N4,AlN,サイアロン,Al2O3等の絶縁材料の1種または2種以上が含まれている。なお、基体12と導体13の物理的性質や化学的性質を近づけるため、導体13に含まれる絶縁材料の材質は、絶縁性セラミックに含まれる絶縁材料の材質と同一であることが好ましい。本実施の形態では、導体13に含まれる絶縁材料はSi3N4を主成分とする。
導体13を構成する導電性セラミックに含まれる導電材料は、例えばW,Ta,Nb,Ti,Mo,Zr,Hf,V,Crの各珪化物、炭化物、ホウ化物および窒化物などから選ばれる1種または2種以上が挙げられる。基体12を構成する絶縁性セラミックがSi3N4やAlNを主成分とする場合には、導電材料はWC等のW炭化物やMoSi2等のMo珪化物が好適である。W炭化物やMo珪化物はSi3N4やAlNと熱膨張率が近いからである。本実施の形態では導電材料はW炭化物を主成分とする。
導体13に占める導電材料の割合は、要求される導体13の抵抗値に応じて、適宜設定される。なお、導電材料の熱膨張率は絶縁材料の熱膨張率に比べて大きいので、熱膨張率の差によって導体13に生じる応力を抑制するため、導体13の全体の体積に占める導電材料の体積の割合は20〜40体積%に設定されるのが好ましい。
導体13は、基体12の先端側に配置された発熱部14と、発熱部14から後端側へ向けて延びる一対のリード部15と、を備えている。発熱部14はU字状に形成され、リード部15は棒状に形成されると共に発熱部14の両端に接続する。リード部15は、発熱部14に電力を供給する部位である。発熱部14の断面積はリード部15の断面積より狭いので、発熱部14を構成する導電性セラミックの材質がリード部15を構成する導電性セラミックの材質と同じでも、発熱部14の抵抗をリード部15の抵抗よりも大きくできる。その結果、発熱部14の発熱量をリード部15の発熱量よりも大きくできるので、発熱部14を選択的に発熱させることができる。なお、発熱部14及びリード部15の断面積を異ならせるのではなく、比抵抗がリード部15の比抵抗よりも高い材質を発熱部14に採用して、発熱部14を選択的に発熱させることは当然可能である。
一対のリード部15の後端側には、径方向の外側に延びる電極部16,17がそれぞれ設けられている。電極部16,17は、電源電圧が印加される端子の役目を果たす部位であり、基体12の表面に露出している。電極部17は、電極部16よりも軸線O方向の後端側に配置されている。
筒状部材30は、セラミックヒータ11のうち発熱部14が埋め込まれた部分を少なくとも露出させて軸線O方向に沿って基体12を保持する部材である。本実施の形態では、筒状部材30はセラミックヒータ11が圧入される略円筒状の金属製(例えばステンレス鋼等)である。
筒状部材30は、セラミックヒータ11の電極部16に接触する。筒状部材30は主体金具41(後述する)の先端に接合される。筒状部材30は、筒部31の後端側に厚肉部32及び係合部33が形成されている。係合部33は厚肉部32よりも後端側に配置され、係合部33の外径は厚肉部32の外径よりも小さい。筒状部材30は、係合部33が主体金具41の軸孔42に嵌められ、厚肉部32が主体金具41の先端に突き当てられる。
次にグロープラグ40について説明する。グロープラグ40は、筒状部材付きセラミックヒータ10、主体金具41(ハウジング)及び中軸45を備えている。
主体金具41は、軸線Oに沿う軸孔42が形成された略円筒状の金属製(例えば炭素鋼やステンレス鋼等)の部材である。主体金具41は、軸線O方向の略中央の外周面にねじ部43が形成され、ねじ部43よりも後端側の外周面に工具係合部44が形成されている。ねじ部43は、エンジン(図示せず)に形成されたねじ穴に係合する部位である。工具係合部44は、エンジンのねじ穴にねじ部43を締め付けるときに、レンチ等の工具を係合させる部位である。
中軸45は金属製の円柱状の部材である。中軸45の先端側は軸孔42に収容され、中軸45の後端側は主体金具41から突出する。絶縁部材46は中軸45を囲むリング状の部材であり、主体金具41の軸孔42に配置されている。絶縁部材46は主体金具41に中軸45を固定する。絶縁部材46は、主体金具41と中軸45との間を電気的に絶縁すると共に、主体金具41と中軸45との間を気密封止する。
絶縁部材47は中軸45を囲む筒状部48及びフランジ部49を備える部材であり、絶縁部材46よりも後端側の軸孔42に配置されている。フランジ部49は、筒状部48よりも後端側において中軸45を囲んで配置されている。絶縁部材47は、主体金具41と中軸45との間、及び、主体金具41とスリーブ50との間を電気的に絶縁する。
スリーブ50は略円筒状の金属製の部材であり、フランジ部49に接した状態で、主体金具41の後端から突出した中軸45を囲む。スリーブ50は塑性変形され、中軸45に加締め固定されている。スリーブ50は絶縁部材47の脱落を防止する。
電極リング51はセラミックヒータ11を囲む金属製の部材であり、セラミックヒータ11の電極部17に接触する。中軸45と電極リング51との間はリード線52によって電気的に接続される。グロープラグ40の中軸45と主体金具41との間に電圧が印加されると、セラミックヒータ11の電極部16,17から発熱部14に通電される。
筒状部材付きセラミックヒータ10は、例えば以下のような方法によって製造される。まず、セラミックヒータ11の基体12及び導体13の原料を調製する。基体12の原料は、絶縁性セラミックの原料粉末を混合粉砕し、ニーダー(混練機)を用いてこの混合物にバインダ等を混練し、その後ペレット化して得られる。導体13の原料は、導電材料の原料粉末と絶縁材料の原料粉末とを混合粉砕し、ニーダーを用いてこの混合物にバインダ等を混練し、その後ペレット化して得られる。
導体13の原料を射出成形することにより、導体13の成形体を得る。次いで、導体13の成形体を金型のキャビティ内に配置した後、基体12の原料を射出成形することにより(いわゆる2色成形)、基体12の成形体に導体13の成形体が埋め込まれたセラミックヒータ11の成形体が得られる。
セラミックヒータ11の成形体を所定の温度で焼成することにより、セラミックヒータ11の焼成体が得られる。いわゆるホットプレス焼成を行っても良い。次いで、焼成体に研削加工が行われる。研削加工は、例えば、研削砥石、調整砥石およびブレードを焼成体に接触させた状態で研削砥石および調整砥石を回転し、焼成体を回転させながら軸線O方向へ送るスルーフィード方式のセンタレス研削が用いられる。これにより基体12の直径の寸法精度を向上できる。電極部16,17が基体12に埋没している場合には、基体12の外周面の研削により、電極部16,17を基体12の表面に露出させることができる。
図2を参照して、セラミックヒータ11の基体12の表面に残る研削痕18,19,20について説明する。図2は筒状部材付きセラミックヒータ10の全断面図の半分(紙面左側)及び外形図の半分(紙面右側)を、軸線Oを境に組み合わせた片側断面図である。図2では筒状部材付きセラミックヒータ10の後端側の図示が省略されている。図2の部分拡大図(円で囲まれた部分)は、基体12の表面の研削痕18,19,20が軸線Oの位置で途切れないようにするため、片側断面図の断面図の部分(紙面左側)にも外形図が図示されている。
基体12のうち少なくとも筒状部材30から露出した部分の表面に研削痕18,19,20が形成されている。研削痕18,19,20は、焼成体の研削加工のときについたツールマーク(切削痕、研磨痕、ホイールマーク等ともいう)である。なお、本実施形態では基体12にスルーフィード方式のセンタレス研削が施されるので、セラミックヒータ11の球冠状の先端面および平面状の後端面を除いて、基体12の外周面の全体に研削痕18,19,20が形成されている。
研削痕18,19,20は、光学顕微鏡や拡大鏡等の対象物を拡大する道具を用いて、軸線Oと直交する方向(図2紙面垂直方向)から筒状部材付きセラミックヒータ10を観察することにより検出される。光学顕微鏡等を用いることなく、CCD等の撮像素子に結像した筒状部材付きセラミックヒータ10の画像を拡大して研削痕18,19,20を検出しても良い。
研削痕18は、筋目の方向の一部が筒状部材30で隠蔽されることにより、筒状部材30に連なる。つまり、研削痕18は第1研削痕18である。第1研削痕18と軸線Oに平行な仮想線22とのなす角θ(鋭角側)は20°〜80°である。第1研削痕18の角θを特定するための仮想線22は、第1研削痕18を通る直線であって、軸線Oに平行な直線である。なお、仮想線22は第1研削痕18毎に設定される。本実施形態では、第1研削痕18と筒状部材30との交点を通るように仮想線22が設定される。
研削痕20は、基体12のうち発熱部14が位置する軸線方向の領域(いわゆる発熱部14を取り囲む領域)に形成されている。つまり、研削痕20は第2研削痕20である。第2研削痕20と軸線Oに平行な仮想線22とのなす角θ(鋭角側)は20°〜80°である。第2研削痕20の角θを特定するための仮想線22は、第2研削痕20を通る直線であって、軸線Oに平行な直線である。仮想線22は第2研削痕20毎に設定される。
研削痕19は、第1研削痕18及び第2研削痕20以外の研削痕である。研削痕19と軸線Oに平行な仮想線22とのなす角θ(鋭角側)は20°〜80°である。研削痕19の角θを特定するための仮想線22は、研削痕19を通る直線であって、軸線Oに平行な直線である。仮想線22は研削痕19毎に設定される。
なお、研削痕18,19,20が形成された基体12の軸線O方向における算術平均粗さRaは0.1〜2.0μmである。算術平均粗さRaはJIS B0601:2001に基づいて測定される。研削痕18,19,20の筋目と直交する方向における幅は0.2〜2.0μmである。
第1研削痕18と仮想線22とのなす角θと基体12に生じるクラックの進展との関係を、図3を参照して説明する。図3(a)は筒状部材付きセラミックヒータ10の側面図である。軸線Oと直交する方向(図3(a)紙面垂直方向)から筒状部材付きセラミックヒータ10を見たときの、基体12の第1研削痕18及び研削痕19が模式的に図示されている。第1研削痕18は、第1研削痕18と仮想線22とのなす角θが20°〜80°に設定されている。
図3(b)は比較例における筒状部材付きセラミックヒータ100の側面図である。軸線Oと直交する方向(図3(b)紙面垂直方向)から筒状部材付きセラミックヒータ100を見たときの、セラミックヒータ101の基体102の研削痕103が模式的に図示されている。研削痕103は研削痕103と仮想線22とのなす角θが87°〜89°に設定されている。図3(a)及び図3(b)では筒状部材付きセラミックヒータ10,100の軸線方向の両側の図示が省略されている。
筒状部材付きセラミックヒータ10,100を備えるグロープラグ40(図1参照)は、エンジン(図示せず)に形成されたねじ穴に主体金具41のねじ部43を係合して使用される。グロープラグ40をねじ穴に取り付けるとき等にセラミックヒータ11をエンジン等にぶつけてしまうと、軸線Oと略直交する方向(図3上下方向)の横荷重Fがセラミックヒータ11,101に加えられる。このとき、セラミックヒータ11,101の筒状部材30から露出した部分と筒状部材30との境界付近の基体12,102の表面に、軸線O方向の引張応力T1が集中する。すると、引張応力T1に起因するクラックが生じ、基体12,102の略直交方向に進展しようとする。
図3(b)に示す比較例における筒状部材付きセラミックヒータ100では、研削痕103が、クラックが進展しようとする略直交方向に沿って基体102の表面に設けられている。つまり、クラックが進展しようとする略直交方向における研削痕103の長さが長いので、研削痕103に沿ってクラックが進展し易い。
これに対し、図3(a)に示す本実施形態のセラミックヒータ11は、第1研削痕18と仮想線22とのなす角θが80°以下である。よって、図3(b)に示すように研削痕103と仮想線22とのなす角θが80°よりも大きい場合に比べて、クラックが進展しようとする略直交方向における第1研削痕18の長さを短くできる。角度θが小さくなるにつれて、略直交方向における第1研削痕18の長さは第1研削痕18の幅方向の寸法に近づくからである。その結果、第1研削痕18に沿ってクラックを進展し難くできるので、セラミックヒータ11を破損し難くできる。
第2研削痕20と仮想線22とのなす角θと基体12に生じるクラックの進展との関係を、図4を参照して説明する。図4(a)はセラミックヒータ11の側面図である。軸線Oと直交する方向(図4(a)紙面垂直方向)からセラミックヒータ11を見たときの、基体12の第2研削痕20及び研削痕19が模式的に図示されている。第2研削痕20は、第2研削痕20と仮想線22とのなす角θが20°〜80°に設定されている。
図4(b)は比較例におけるセラミックヒータ200の側面図である。軸線Oと直交する方向(図4(b)紙面垂直方向)からセラミックヒータ200を見たときの、基体201の研削痕202が模式的に図示されている。研削痕202は研削痕202と仮想線22とのなす角θが1°〜3°に設定されている。図4(a)及び図4(b)ではセラミックヒータ11,200の軸線方向の後端側の図示が省略されている。
セラミックヒータ11,200は、基体12,201のうち発熱部14が位置する領域23(発熱部14を取り囲む領域23)が、基体12,201のうち発熱部14以外の導体13(図2参照)を取り囲む領域に比べて高温になる。従って、セラミックヒータ11,200に熱衝撃(セラミックヒータ11,200の表面の急激な冷却)が与えられると、セラミックヒータ11,200の径方向の温度分布によって、基体12,201のうち発熱部14を取り囲む領域23の熱応力が最大になることが多い。そして、この熱応力は基体12,201の表面に集中し、略直交方向の引張応力T2となる。すると、引張応力T2に起因するクラックが生じ、基体12,201の軸線方向に進展しようとする。
図4(b)に示す比較例におけるセラミックヒータ200では、研削痕202が、クラックが進展しようとする軸線O方向に沿って基体201の表面に設けられている。つまり、クラックが進展しようとする軸線方向における研削痕202の長さが長いので、研削痕202に沿ってクラックが進展し易い。
これに対し、図4(a)に示す本実施形態のセラミックヒータ11は、第2研削痕20と仮想線22とのなす角θが20°以上である。よって、図4(b)に示すように研削痕202と仮想線22とのなす角θが20°よりも小さい場合に比べて、クラックが進展しようとする軸線O方向における第2研削痕20の長さを短くできる。角度θが大きくなるにつれて、軸線方向における第2研削痕20の長さは第2研削痕20の幅方向の寸法に近づくからである。その結果、第2研削痕20に沿う熱衝撃によるクラックを進展し難くできるので、セラミックヒータ11を破損し難くできる。
本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
(サンプルの作成)
基体12に形成された研削痕の角度θが異なる種々のセラミックヒータ11を作成し、これを筒状部材30が保持する種々のグロープラグ40のサンプル1〜7を作成した。まず、Si3N4を主成分とする絶縁性セラミックの原料粉末を混合粉砕し、ニーダー(混練機)を用いてこの混合物にバインダ等を混練し、その後ペレット化して基体12の原料を調製した。同様に、WCの原料粉末とSi3N4の原料粉末とを混合粉砕し、ニーダーを用いてこの混合物にバインダ等を混練し、その後ペレット化して導体13の原料を調製した。
基体12に形成された研削痕の角度θが異なる種々のセラミックヒータ11を作成し、これを筒状部材30が保持する種々のグロープラグ40のサンプル1〜7を作成した。まず、Si3N4を主成分とする絶縁性セラミックの原料粉末を混合粉砕し、ニーダー(混練機)を用いてこの混合物にバインダ等を混練し、その後ペレット化して基体12の原料を調製した。同様に、WCの原料粉末とSi3N4の原料粉末とを混合粉砕し、ニーダーを用いてこの混合物にバインダ等を混練し、その後ペレット化して導体13の原料を調製した。
導体13の原料を射出成形することにより、導体13の成形体を得た。この成形体を金型のキャビティ内に配置した後、基体12の原料を射出成形することにより、基体12の成形体に導体13の成形体が埋め込まれた棒状のセラミックヒータ11の成形体を得た。この成形体を所定の温度で焼成した後、種々の送り速度に設定したスルーフィード方式のセンタレス研削を焼成体に施すことにより、直径3.1mmの円柱状の種々のセラミックヒータ11を得た。
軸線O方向に28mmの長さだけセラミックヒータ11が先端から突き出るように筒状部材30にセラミックヒータ11を圧入した後、主体金具41及び中軸45等を組み付け、サンプル1〜7におけるグロープラグ40を得た。セラミックヒータ11(研削後)の軸線O方向における基体12の算術平均粗さRaは0.2μmであった。
光学顕微鏡を用いて100倍に拡大した状態で、軸線Oと直交する方向から各サンプルを観察し、筒状部材30に連なる第1研削痕18の中から無作為に10本の第1研削痕18を抽出した。次いで、仮想線22と10本の第1研削痕18とのなす角θをそれぞれ測定した。その角度θの最小値および最大値を表1に記した。
同様にして、セラミックヒータ11のうち、筒状部材30の先端から先端側に向かって14mm離れた位置に形成された研削痕19の中から無作為に10本の研削痕19を抽出し、仮想線22と10本の研削痕19とのなす角θをそれぞれ測定した。その角度θの最小値および最大値は、仮想線22と10本の第1研削痕18とのなす角θの最小値および最大値と同じ、若しくは、その最小値と最大値との範囲内に含まれるものであった。
各サンプルを2本ずつ準備し、各サンプルに曲げ試験および熱衝撃試験を行った。曲げ試験は、筒状部材30を固定し、セラミックヒータ11の先端から後端側へ1mm離れた位置に横荷重を加え、セラミックヒータ11が破断した最大荷重(N)を測定した。サンプル1の最大荷重よりも最大荷重が大きいサンプルを「良い(〇)」、サンプル1の最大荷重よりも最大荷重が小さいサンプルを「劣る(×)」と判定した。サンプル1は、第1研削痕18と仮想線22とのなす角θが最も大きく、80°よりも大きい。結果は表1に記した。
熱衝撃試験は、まず、グロープラグ40の中軸45と主体金具41との間に電圧を印加し、セラミックヒータ11の先端近傍の表面の温度を1300℃にした。セラミックヒータ11の温度測定は放射温度計を用いて行った。この状態で、セラミックヒータ11の最高温度(1300℃)を示す部分に3mlの常温(25〜30℃)の水を一気に掛け、直ちに電圧の印加を止めた。セラミックヒータ11が常温になった後、セラミックヒータ11の先端近傍を蛍光浸透液に浸漬し、余剰の浸透液を除去した後、現像することによりクラックの有無を判定した。セラミックヒータ11にクラックが発見されなかったサンプルは「良い(〇)」、クラックが発見されたサンプルは「劣る(×)」と判定した。結果は表1に記した。
表1に示すように曲げ試験においては、第1研削痕18の角度θが80°以下のサンプル3〜7が良い評価であった。サンプル2は破面の一部が第1研削痕18に沿っていた。従って、筒状部材30に連なる第1研削痕18と仮想線22とのなす角θを80°以下にすることにより、セラミックヒータ11の横荷重による破損を抑制できることが明らかになった。
熱衝撃試験においては、第2研削痕20の角度θが20°以上のサンプル1〜6が良い評価であった。サンプル7は破面の一部が研削痕19及び第2研削痕20に沿っていた。従って、発熱部14が位置する領域23の第2研削痕20と仮想線22とのなす角θを20°以上にすることにより、セラミックヒータ11の熱衝撃による破損を抑制できることが明らかになった。
以上、実施の形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変形が可能であることは容易に推察できるものである。
実施形態では、セラミックヒータ11の基体12が円柱状に形成される筒状部材付きセラミックヒータ10について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。基体12の形状は用途に応じて適宜設定できる。例えば、基体の軸線Oに直交する断面を楕円状、多角状等の形状にすることは当然可能である。
実施形態では、筒状部材30の内周面が円筒状に形成される筒状部材付きセラミックヒータ10について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。筒状部材の内周面の形状は、筒状部材が保持するセラミックヒータの形状に応じて適宜設定される。例えば、基体の軸線Oに直交する断面の形状が楕円状、矩形等の多角状等の場合、筒状部材の軸線Oに直交する断面における内周面の形状も楕円形、多角状等にされる。
実施形態では、筒状部材30が金属製の場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。筒状部材をポリカーボネート、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ふっ素樹脂等の合成樹脂製にすることは当然可能である。
実施形態では、射出成形によってセラミックヒータ11の成形体を製造する場合について説明したが、これは一例であり、公知の他の製造方法を採用できる。例えば、射出成形ではなく、導体13や基体12の原料粉末のプレス成形により成形体を得ることは当然可能である。また、導体13の射出成形と基体12のプレス成形とを組み合わせて成形体を得ることは当然可能である。
実施形態では、セラミックヒータ11の焼成体の表面をセンタレス研削によって成形する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。焼成体の成形手段(研削、切削、研磨など)は、セラミックヒータの形状や大きさ等によって適宜設定される。センタレス研削以外の他の成形手段としては、例えば、砥石等を用いた円筒研削、平面研削、バイト等を用いた切削、研磨布紙などの研磨材を用いた研磨などが挙げられる。
実施形態では、筒状部材付きセラミックヒータ10がグロープラグ40に用いられる場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。バーナーの着火用ヒータ、ガスセンサの加熱用ヒータ、DPF(Diesel particulate filter)に筒状部材付きセラミックヒータ10を用いることは当然可能である。
実施形態では、セラミックヒータ11を保持する筒状部材30が主体金具41に固定されたグロープラグ40について説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、セラミックヒータ11が筒状部材と共に変位可能となるように主体金具に保持されるグロープラグ(いわゆるヒータ付き圧力センサ)とすることは当然可能である。
10 筒状部材付きセラミックヒータ
11 セラミックヒータ
12 基体
13 導体
14 発熱部
18 第1研削痕(研削痕の一部)
19 研削痕
20 第2研削痕(研削痕の一部)
22 仮想線
23 発熱部が位置する領域
30 筒状部材
40 グロープラグ
41 主体金具(ハウジング)
O 軸線
11 セラミックヒータ
12 基体
13 導体
14 発熱部
18 第1研削痕(研削痕の一部)
19 研削痕
20 第2研削痕(研削痕の一部)
22 仮想線
23 発熱部が位置する領域
30 筒状部材
40 グロープラグ
41 主体金具(ハウジング)
O 軸線
Claims (5)
- 絶縁性セラミックからなり軸線に沿って延びる棒状の基体と、前記基体に埋設された発熱部を備え導電性セラミックからなる導体と、を備えるセラミックヒータと、
前記基体のうち前記発熱部を埋設した部分を少なくとも露出させつつ前記軸線に沿って前記基体を保持する筒状部材と、を備える筒状部材付きセラミックヒータであって、
前記セラミックヒータは、前記基体のうち前記筒状部材から露出した部分の表面に研削痕が形成され、
前記筒状部材付きセラミックヒータを前記軸線と直交する方向から見たときに、前記研削痕のうち少なくとも前記筒状部材に連なる第1研削痕と、前記第1研削痕を通り前記軸線に平行な仮想線と、のなす角は80°以下である筒状部材付きセラミックヒータ。 - 前記研削痕と、その前記研削痕を通り前記軸線に平行な仮想線と、のなす角はいずれも80°以下である請求項1記載の筒状部材付きセラミックヒータ。
- 前記筒状部材付きセラミックヒータを前記軸線と直交する方向から見たときに、前記研削痕のうち少なくとも前記発熱部が位置する軸線方向の領域に設けられた第2研削痕と、前記第2研削痕を通り前記軸線に平行な仮想線と、のなす角は20°以上である請求項1又は2に記載の筒状部材付きセラミックヒータ。
- 前記研削痕と、その前記研削痕を通り前記軸線に平行な仮想線と、のなす角はいずれも20°以上である請求項3記載の筒状部材付きセラミックヒータ。
- セラミックヒータと、前記セラミックヒータを保持する筒状部材と、前記筒状部材を保持するハウジングと、を備えるグロープラグであって、
前記セラミックヒータ及び前記筒状部材は、請求項1から4のいずれかに記載の筒状部材付きセラミックヒータであるグロープラグ。
Priority Applications (1)
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JP2018011274A JP2019128124A (ja) | 2018-01-26 | 2018-01-26 | 筒状部材付きセラミックヒータ及びグロープラグ |
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Cited By (1)
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US20200238470A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Processing method and processing device for ceramic honeycomb structure |
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JP2002364843A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グロープラグ |
JP2013215822A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | センタレス研削装置 |
-
2018
- 2018-01-26 JP JP2018011274A patent/JP2019128124A/ja active Pending
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US11919128B2 (en) * | 2019-01-24 | 2024-03-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Processing method and processing device for ceramic honeycomb structure |
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