JP2019127598A - 溶射部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基材と溶射膜との密着強度の向上を図ることが可能な溶射部材の製造方法を提供する。【解決手段】メディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下の溶射粒子１１を準備する溶射粒子準備工程Ｓ１と、表面１２ａの算術平均高さＳａ［μｍ］が０．０４×Ｄ５０≦Ｓａ≦１．４×Ｄ５０を満たす基材１２を準備する基材準備工程Ｓ２と、基材１２の表面１２ａに溶射粒子１１を溶射することにより基材１２の表面１２ａに溶射膜１３を形成する溶射膜形成工程Ｓ３とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は、溶射部材の製造方法に関する。

半導体デバイス、液晶デバイスなどを製造する場合、Ｓｉウエハやガラス基板に形成された所定の膜をＣＦ_４などのハロゲン系の腐食性ガスを用いプラズマ環境下で処理するドライエッチングなどの工程が存在する。そこで、近年、半導体デバイス、液晶デバイスなどの製造装置において、プラズマ環境下で腐食ガスに曝されるチャンバーや各種部材を構成するＡｌなどの金属材料からなる基材の腐食を防止するために、基材の表面に耐食性を有するＹ_２Ｏ_３などからなる溶射膜を形成することがある。

例えば、特許文献１には、アルミナからなる基材の表面粗さＲａを５μｍ〜１５μｍとした面に、Ｙ_２Ｏ_３又はＹＡＧを溶射して耐プラズマ層（溶射膜）を形成することが記載されている。特許文献１には、さらに、酸性エッチング液を用いてケミカルエッチング処理したアルミナからなる基材の面に、Ｙ_２Ｏ_３又はＹＡＧを溶射して耐プラズマ層を形成することが記載されている。

特開２００５−２２５７４５号公報

しかしながら、基材と溶射膜との密着強度が十分ではないという課題があった。

本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、基材と溶射膜との密着強度の向上を図ることが可能な溶射部材の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基材の表面に溶射膜が形成された溶射部材の製造方法であって、メディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下の溶射粒子を準備する工程と、前記表面の算術平均高さＳａ［μｍ］が０．０４×Ｄ５０≦Ｓａ≦１．４×Ｄ５０を満たす前記基材を準備する工程と、前記基材の表面に前記溶射粒子を溶射することにより前記基材の表面に前記溶射膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、メディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下と溶射粒子が小さいので、溶射において、溶融状態の溶射粒子が基材の表面に衝突して付着する際に、溶射粒子と基材との間に隙間が生じ難いので、基材と溶射膜との密着強度の向上を図ることが可能となる。

さらに、このような小さな溶射粒子を用いて溶射する場合、溶射粒子の運動の慣性が小さくキャリアガスの反流の影響を受けやすいが、基材の表面の算術平均高さＳａ［μｍ］が０．０４×Ｄ５０≦Ｓａ≦１．４×Ｄ５０と適当に小さいので、反流の影響が抑制され、基材の表面に十分な衝突力を有して衝突する溶射粒子の割合が大きくなるため、基材の表面に付着する溶射粒子の割合が低下することの抑制を図ることが可能となる。

本発明において、前記基材の表面は、スキューネスＳｓｋが−０．９未満、且つ、クルトシスＳｋｕが４を超えることが好ましい。

この場合、基材の表面のスキューネスＳｓｋが−０．９未満であるので、基材の表面には細かい谷が多く存在し、この谷に溶融状態の溶射粒子が入り込み、谷内で溶射粒子が固化する。そのため、基材と溶射膜との密着強度のさらなる向上を図ることが可能となる。

さらに、基材の表面のクルトシスＳｋｕが４を超えるので、基材の表面には鋭い山や谷が多く存在する。そのため、特に谷の深い部分でのＶ字角度が鋭くなるので、基材と溶射膜との密着強度のさらなる向上を図ることが可能となる。

また、本発明において、例えば、前記基材は、アルミナ、アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、前記溶射粒子は酸化イットリウムからなることが好ましい。

また、本発明において、例えば、前記溶射粒子を溶媒に分散させたスラリーの形態でプラズマ炎流又は燃焼炎ジェット流に供給することにより、前記溶射を行うが好ましい。

また、本発明において、例えば、前記基材と前記溶射膜の密着強度が２０［ＭＰａ］以上であることが好ましい。

本発明の実施形態に係る溶射部材の製造方法を模式的に示す図であり、図１Ａは溶射膜形成工程を示し、図１Ｂは溶射膜形成工程完了後を示す。 本発明の実施形態に係る溶射部材の製造方法のフローチャート。 溶融状態の溶射粒子が基材の表面に付着する形態を模式的に示す図であり、図３Ａは溶射粒子が大きい場合、図３Ｂは溶射粒子が小さい場合を示す。 溶射粒子がキャリアガスの反流の影響を受けることを模式的に示す図。 溶射粒子が基材の表面の深い谷に入り込んだ状態を模式的に示す図。

本発明の実施形態に係る溶射部材１０の製造方法について説明する。

この製造方法は、図１及び図２を参照して、溶射粒子１１を準備する溶射粒子準備工程Ｓ１（ＳＴＥＰ１）と、基材１２を準備する基材準備工程Ｓ２（ＳＴＥＰ２）と、基材１２の表面１２ａに溶射膜１３を形成する溶射膜形成工程Ｓ３（ＳＴＥＰ３）とを備える。これにより、基材１２の表面１２ａに溶射膜１３が形成された溶射部材１０が製造される。

溶射粒子準備工程Ｓ１においては、溶射の粉末原料である溶射粒子１１として、メディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下のものを用意する。なお、メディアン径Ｄ５０とは、積算値で５０％の粒子径（粒度）を意味する。

溶射膜形成工程Ｓ３における溶射において、基材１２の表面１２ａに衝突する溶射粒子１１が大きいと、図３Ａに模式的に示すように、溶融状態の溶射粒子１１がブリッジするようにつぶれた形態で基材１２の表面１２ａに付着するため、基材１２と溶射膜１３との間に隙間が生じやすい。

これに対して、溶射粒子１１が小さいと、図３Ｂに模式的に示すように、溶融状態の溶射粒子１１が基材１２の表面１２ａに衝突して付着する際、溶射粒子１１と基材１２との間に隙間が生じ難い。そのため、溶射粒子１１と基材１２とが実質的に接触して密着する面積が大きくなるので、密着強度が増加する。よって、溶射粒子１１を小さくすれば、密着強度が大きくなると本願の発明者は推測した。

具体的には、溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０が６［μｍ］以下、より好ましくは４［μｍ］以下であれば、密着強度が好ましいものとなるものとなる。

なお、上記の推測は、基材１２の表面１２ａに堆積された溶射粒子１１同士に関しても同様であり、溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０が６［μｍ］以下であると、溶射粒子１１同士の間に生じる隙間が小さくなり、溶射膜１３の緻密性の向上を図ることも可能となると推測される。

なお、溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］未満であると、溶射粒子１１が細かすぎて基材１２の表面１２ａに堆積されずに飛散するものが多くなり、材料効率が劣るので好ましくない。

本実施形態において、溶射粒子１１は、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）からなる。ただし、溶射粒子１１は、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、フッ化イットリウム（ＹＦ_３）、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ジルコニア（ＺｒＯ_２）、アルミナ−ジルコニア（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２）又はスピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）であってもよく、さらに、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、フッ化イットリウム（ＹＦ_３）又はオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ジルコニア（ＺｒＯ_２）、アルミナ−ジルコニア（Ａｌ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２）、スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）などを混合したもの、又はこの混合物を主成分とするものであってもよい。

基材準備工程Ｓ２においては、基材１２として、表面１２ａの算術平均高さＳａ［μｍ］が０．０４×Ｄ５０≦Ｓａ≦１．４×Ｄ５０を満たすものを準備する。

溶射膜形成工程Ｓ３における溶射において、基材１２の表面１２ａの算術平均高さＳａがメディアン径Ｄ５０に比べ大き過ぎると、図４に模式的に示すように、溶射ガンよりキャリアガスにのせて吐出された溶融状態の溶射粒子１１が基材１２との衝突時に表面１２ａの形状に起因するキャリアガスの反流の影響を受ける。そのため、算術平均高さＳａを適当に小さくして反流の影響を抑制し、基材１２の表面１２ａに十分な衝突力を有して衝突する溶射粒子１１の割合を大きくすることにより、基材１２の表面１２ａに付着する溶射粒子１１の割合を大きくすることができると本願の発明者は推測した。

特に溶射粒子のメディアン径Ｄ５０が６［μｍ］以下のような細かな粒子である場合には粒子の運動の慣性が小さくキャリアガスの反流の影響を受けやすい。そのため、溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０と基材１２の表面１２ａ粗さとの間に一定の関係が必要になると本願の発明者は推測した。

さらに、基材１２の表面１２ａは、スキューネス（偏り度）Ｓｓｋが負の値であることが好ましく、スキューネスＳｓｋが−０．９未満であることがより好ましい。スキューネスＳｓｋは、高さ分布の対称性を示す指標であり、スキューネスＳｓｋが負の値である場合、表面１２ａに細かい谷が多いことをあらわす。そして、スキューネスＳｓｋの絶対値の値が大きいほど、谷が深いことを意味する。

図５に模式的に示すように、表面１２ａに存在する細かい谷に溶融状態の溶射粒子１１が入り込み、この谷内で溶射粒子１１が固化する。そして、固化した溶射粒子１１が基材１２に圧縮応力を及ぼし、その結果として、基材１２と固化した溶射粒子１１間に働く摩擦力が大きくなるので、基材１２と溶射膜１３との密着強度の向上が図られると推測される。そのため、上述したように、スキューネスＳｓｋは負の値であることが好ましい。

さらに、スキューネスＳｓｋが負の値であってその絶対値が大きいと表面１２ａに存在する谷は深く、この深い谷の狭小空間に入り込んだ状態で固化した溶射粒子１１は、脱離しようとする力(図５の上向き矢印)に対し、基材１２と固化した溶射粒子１１との間に生じる摩擦力が反対方向（図５の略下向き）に作用するので、固化した溶射粒子１１が脱離することを抑制する作用は増大するため、基材１２と溶射膜１３との密着強度の向上がさらに図られると推測される。

そして、このような効果は、スキューネスＳｓｋが−０．９未満である場合に顕著となる。スキューネスＳｓｋが−０．９以上であると、表面１２ａの谷部の形状がＶ字状からＵ字状に変化する。溶射粒子１１が溶融凝固してＵ字状の谷部の側壁に接触するには、多量の溶融した溶射粒子１１ひいては粒径の充分大きな溶射粒子１１が必要となる。しかし、粒径の大きな溶射粒子１１を用いると、上述したように基材１２との密着性が十分に得られない。そのためスキューネスＳｓｋを−０．９未満とし、且つ粒径の小さな溶射粒子１１を用いることより、基材１２と溶射膜１３との密着性を高めることができる。

また、基材１２の表面１２ａは、クルトシス（尖り度）Ｓｋｕが４を超えることが好ましい。クルトシスＳｋｕは、高さ分布の鋭さを示す指標であり、クルトシスＳｋｕが３である場合、高さ分布が正規分布であり、クルトシスＳｋｕが３を超えて値が大きくなるに伴い、表面ａに鋭い山や谷が多くなり、クルトシスＳｋｕが３未満で値が小さくなるに伴い、表面が平坦であることを表わす。

クルトシスＳｋｕが４以下になると、基材１２の表面１２ａの任意の断面において粗さ曲線の中心線から離れた位置の確率密度が大きくなる。すなわち、基材１２の表面１２ａにおいて、谷部の占める割合に対する山部の占める割合が相対的に大きくなる。山部と谷部とでは溶射粒子１１が基材１２と接触して溶融凝固する際に受けるキャリアガスの影響が異なるので、得られる溶射膜１３の密着力にばらつきが生じ、溶射膜１３の均一性が低下する。その結果、密着性の弱い部分から剥離が生じるために、溶射膜１３の密着強度が低下するものと推定される。

クルトシスＳｋｕが大きいと、キャリアガスの反流の影響が小さくなり、溶射粒子１１が表面１２ａに付着する割合が向上すると推測される。特に、スキューネスＳｓｋが−０．９の場合には、クルトシスＳｋｕが４を超えることが好ましい。スキューネスＳｓｋが−０．９の場合にクルトシスＳｋｕが４を超えるようにすることにより、小さな溶射粒子１１が基材１２に溶射される際に表面１２ａの深い谷部に良好に密着するとともに、基材１２に対して均質に溶射され、基材１２と溶射膜１３の密着強度が大きくなる。また、基材１２と溶射膜１３の密着密度が大きくなるのは、表面１２ａの特に谷の深い部分ではＶ字角度が鋭くなる傾向になるため、谷部で凝固した溶射粒子１１と表面１２ａとの摩擦力がさらに大きくなるためと推定される。

基材１２は、アルミナ、アルミニウム又はアルミニウム合金からなることが好ましい。ただし、基材１２は、ステンレス鋼、チタン合金、タングステン、シリコン、金属複合材料（ＭＭＣ）などの金属からなるものであってもよい。また、基材１２の形状は、円板状、多角形板状、楕円板状などの種々の形状であってもよく、複雑形状であってもよい。

溶射膜形成工程Ｓ３においては、基材１２の表面１２ａに溶射粒子１１を溶射することにより基材１２の表面１２ａに溶射膜１３を形成する。

具体的には、図示しないが、アノード（陽極電極）とカソード（陰極電極）とからなる一対の電極を備えたプラズマ溶射装置において、アノードとカソードとの間に直流高圧電圧が印加されることによりアークが発生する。これにより、プラズマ溶射装置から噴出されるプラズマガスはプラズマ炎流となって噴出する。そして、この噴出するプラズマ炎流に、溶射粒子１１を溶媒に分散させたスラリーが供給されることにより、プラズマ炎に溶射粒子１１が投入される。

プラズマ溶射装置は、大気プラズマ溶射法、減圧プラズマ溶射法、加圧プラズマ溶射法などのガスプラズマ溶射法によってプラズマ溶射を行うことが可能な従来公知の装置であってよく、特に限定されない。プラズマガスとして、例えば、Ａｒ、Ａｒ＋Ｎ_２，Ａｒ＋Ｈ_２、Ａｒ＋Ｎ_２＋Ｈ_２、Ａｒ＋ＣＯ_２又はＡｒ＋Ｏ_２などを用いればよい。

なお、溶射は、スラリーをプラズマ炎流に供給する代わりに、スラリーを燃焼炎ジェット流などに供給することにより行ってもよい。

本実施形態においては、溶射粒子１１を溶媒に分散させたスラリーの形態で溶射する湿式溶射を行うことによって工程Ｓ３は行われる。これは、溶射粒子１１が細かいので、乾式溶射では溶射粒子をプラズマ炎流に供給することが困難であるからである。ただし、本発明は乾式溶射で行ってもよい。溶媒としては、エタノールなどの可燃性有機溶媒又は水などが用いられる。スラリーにおける溶射粒子１１の割合は、例えば２０〜４０［重量％］である。

プラズマ炎流に投入された溶射粒子１１は、プラズマ炎中で高温加熱され外表面付近が少なくも半溶融状態となって、プラズマ炎流に乗って基材１２の表面１２ａに衝突する。基材１２に衝突した溶射粒子１１は、表面１２ａに堆積され、その後冷却される。このようにして形成された溶射膜１３は、後述する実施例から分かるように、基材１２との密着強度が２０［ＭＰａ］以上と密着強度が高いものとなる。

溶射部材１０は、例えば、内部に埋設された電極に電圧が印加されることによって発生するクーロン力により、基板を載置面である基材１２の表面１２ａに吸引する静電チャックであってもよい。また、溶射部材１０は、内部に埋設された発熱抵抗体によって、載置面である基材１２の表面１２ａに載置された基板を加熱するヒータであってもよい。また、溶射部材１０は、ヒータ機能付きの静電チャックであってもよい。

（実施例１）
溶射粒子１１として、メディアン径Ｄ５０が３μｍの酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末を用意した。

基材１２として、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）からなり、一辺１００［ｍｍ］、厚さ５［ｍｍ］の正方形板状のものを用意した。基材１２の表面１２ａを炭化珪素（ＳｉＣ）からなる粒度＃１７０の砥石を用いて平面研削を行った。研削後の表面１２ａは、算術平均高さＳａが１．０７［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−１．６７、クルトシスＳｋｕが１１．４であった。

そして、プラズマ溶射装置によって上記溶射粒子を３０重量％の割合で水を用いて分散させたスラリーを基材１２の表面１２ａに溶射して基材１２の表面１２ａに、厚さ３０［μｍ］の溶射膜１３を形成した。プラズマガスＧとして、Ａｒ、Ｎ_２、Ｈ_２の混合ガスを用い、溶射距離を７５［ｍｍ］とした。

このとき、プラズマ溶射装置における入力電力は１０５［ｋＷ］であった。

引っ張りにより基材１２と溶射膜１３とが剥離する強度、すなわち密着強度を、ＪＩＳ Ｈ８６６６に準じた試験方法によって測定した。密着強度は２２［ＭＰａ］であり、２０［ＭＰａ］を超えており、良好であった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

（実施例２）
上述した実施例１と比較して、基材１２の材質をアルミ合金（Ａ６０６１）としたことのみが相違する。研削後の基材１２の表面１２ａは、算術平均高さＳａが０．３８［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−１．１７、クルトシスＳｋｕが５．２９であった。

溶射膜１３の密着強度は２４［ＭＰａ］であり、実施例１より良好であった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

（実施例３）
上述した実施例２と比較して、平面研削に代えて、基材１２の表面１２ａを炭化珪素（ＳｉＣ）からなる粒度＃１２０の研磨材を用いてサンドブラストを行ったことのみが相違する。研磨後の表面１２ａは、算術平均高さＳａが２．５２［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−０．９７、クルトシスＳｋｕが５．７４であった。

溶射膜１３の密着強度は２２［ＭＰａ］であり、実施例１と同じであり、良好であった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

（比較例１）
上述した実施例１と比較して、平面研削に代えて、基材１２の表面１２ａを炭化珪素（ＳｉＣ）からなる粒度＃４６の研磨材を用いてサンドブラストを行ったことのみが相違する。研磨後の表面１２ａは、算術平均高さＳａが５．６７［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−０．８０、クルトシスＳｋｕが３．５０であった。

溶射膜１３の密着強度は１４［ＭＰａ］と２０［ＭＰａ］未満であり、良好ではなかった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

（比較例２）
上述した比較例１と比較して、溶射粒子１１としてメディアン径Ｄ５０が３０μｍの酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末を用意し、この溶射粉末１１を顆粒として乾式溶射を行ったことのみが相違する。研磨後の基材１２の表面１２ａは、算術平均高さＳａが５．６７［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−０．８０、クルトシスＳｋｕが３．５０であった。

溶射膜１３の密着強度は１１［ＭＰａ］と２０［ＭＰａ］未満であり、良好ではなかった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

（比較例３）
上述した実施例３と比較して、基材１２の表面１２ａを炭化珪素（ＳｉＣ）からなる粒度＃４６の研磨材を用いてサンドブラストを行ったことのみが相違する。研磨後の基材１２の表面１２ａは、算術平均高さＳａが５．４９［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−０．４３、クルトシスＳｋｕが３．１３であった。

溶射膜１３の密着強度は１７［ＭＰａ］と２０［ＭＰａ］未満であり、良好ではなかった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

（比較例４）
上述した比較例３と比較して、溶射粒子１１としてメディアン径Ｄ５０が３０μｍの酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）粉末を用意し、この溶射粉末１１を顆粒として乾式溶射を行ったことのみが相違する。研磨後の基材１２の表面１２ａは、比較例３と同様に、算術平均高さＳａが５．４９［μｍ］、スキューネスＳｓｋが−０．４３、クルトシスＳｋｕが３．１３であった。

溶射膜１３の密着強度は１４［ＭＰａ］と２０［ＭＰａ］未満であり、良好ではなかった。溶射膜１３には、クラックなどの欠陥は目視で確認できなかった。

以上の結果を表１及び表２にまとめた。

溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下であり、且つ、基材１２の表面１２ａの算術平均高さＳａ［μｍ］が０．０４×Ｄ５０≦Ｓａ≦１．４×Ｄ５０を満たす場合、実施例１〜３に示すように、基材１２と溶射膜１３との密着強度は２０［ＭＰａ］を超えており、良好であった。

一方、溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０が６［μｍ］を超える場合、比較例２，４に示すように、基材１２と溶射膜１３との密着強度は１４［ＭＰａ］以下であり、良好ではなかった。また、溶射粒子１１のメディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下であっても、基材１２の表面１２ａの算術平均高さＳａ［μｍ］が１．４×Ｄ５０を超える場合、比較例３に示すように、基材１２と溶射膜１３との密着強度は１７［ＭＰａ］であり、良好ではなかった。

さらに、基材１２の表面１２ａのスキューネスＳｓｋが−０．９未満、且つ、クルトシスＳｋｕが４を超える場合、実施例１〜３に示すように、基材１２と溶射膜１３との密着強度は２０［ＭＰａ］を超えており、良好であった。

一方、基材１２の表面１２ａのスキューネスＳｓｋが−０．９以上、且つ、クルトシスＳｋｕが４以下である場合、比較例１〜４に示すように、基材１２と溶射膜１３との密着強度は１７［ＭＰａ］以下であり、良好ではなかった。

１０…溶射部材、 １１…溶射粒子、 １２…基材、 １２ａ…基材の表面、 １３…溶射膜。

Claims (5)

1. 基材の表面に溶射膜が形成された溶射部材の製造方法であって、
   メディアン径Ｄ５０が０．１［μｍ］以上６［μｍ］以下の溶射粒子を準備する工程と、
   前記表面の算術平均高さＳａ［μｍ］が０．０４×Ｄ５０≦Ｓａ≦１．４×Ｄ５０を満たす前記基材を準備する工程と、
   前記基材の表面に前記溶射粒子を溶射することにより前記基材の表面に前記溶射膜を形成する工程とを備えることを特徴とする溶射部材の製造方法。
2. 前記基材の表面は、スキューネスＳｓｋが−０．９未満、且つ、クルトシスＳｋｕが４を超えることを特徴とする請求項１に記載の溶射部材の製造方法。
3. 前記基材は、アルミナ、アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、前記溶射粒子は酸化イットリウムからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の溶射部材の製造方法。
4. 前記溶射粒子を溶媒に分散させたスラリーの形態でプラズマ炎流又は燃焼炎ジェット流に供給することにより、前記溶射を行うことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の溶射部材の製造方法。
5. 前記基材と前記溶射膜の密着強度が２０［ＭＰａ］以上であることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の溶射部材の製造方法。