JP2005154896A - 真空装置用部品及びその製造方法並びにそれを用いた装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体等の成膜装置及びプラズマ処理装置に用いる真空装置用部品において、表面がセラミック及び又は金属溶射膜で被覆され、該溶射膜の表面に幅10〜300μm、高さ4〜600μm、幅(W)と高さ(H)の比(H/W)が0.4以上の突起状粒子が、20個/mm2〜20000個/mm2以下の範囲で存在し、空孔率が10〜40%となるものは、膜状物質の付着性が高く、膜状物質の剥離に起因する発塵による製品汚染がなく、なおかつ長時間の連続使用が可能である。
【選択図】 選択図なし
Description
石英ベルジャー内面をホワイトアルミナのグリットWA#60を用いて、圧力0.5MPaでブラスト後、純水で超音波洗浄し、オーブンで乾燥した。その後、石英ベルジャーの内面に、ArとH2の流量比を80:20、投入電力:35kWでプラズマ溶射により、ジルコニア溶射膜を形成した。原料粉末としては、5重量%の酸化イットリウム(純度:99.9%)が添加された安定化ジルコニア顆粒粉末(一次平均粒径0.2μm、平均粒径50μm、純度:99.9%)を使用した。プラズマガンと石英ベルジャーとの距離は70mmとした。溶射後、温度40℃に保たれた5重量%の硝酸水溶液に1時間浸漬後、超純水で超音波洗浄し、クリーンオーブンで乾燥し、セラミック溶射膜が部分安定化ジルコニアである石英ベルジャーを完成した。
実施例1において、プラズマガンと石英ベルジャーとの距離を120mmとした以外は、実施例1と同様の条件にて石英ベルジャー製品および5インチ角ジルコニア溶射膜を製造した。基材からサンプルを切り出して、表面のSEM観察を実施したところ、0.2〜3.6μmの範囲にある微細な球状粒子からなる突起状粒子の存在が確認された。200倍にて撮影したSEM写真より、100個の突起状粒子を任意に抽出したところ、平均サイズは32μmであった。さらに、200倍にて撮影した10枚の当該写真から測定した突起状粒子の個数を測定したところ、平均個数は400個/mm2であった。
石英ベルジャー内面をホワイトアルミナのグリットWA#60を用いて、圧力0.5MPaでブラスト後、純水で超音波洗浄し、オーブンで乾燥した。その後、石英ベルジャーの内面に、ArとH2の流量比を75:25、プラズマガンと石英ガラス基材の距離を65mm、投入電力:35kWとしてプラズマ溶射によりアルミナ溶射膜を形成した。プラズマ溶射には、1重量%のマグネシア(純度:99.9%)を添加したアルミナ顆粒粉末(一次平均粒径0.5μm、平均粒径25μm、純度:99.9%)を用いた。溶射後、超純水で超音波洗浄し、クリーンオーブンで乾燥し、石英ベルジャーを完成した。
実施例3において、プラズマガンと石英ベルジャーとの距離を125mmとした以外は、実施例3と同様の条件にて石英ベルジャー製品および5インチ角マグネシア添加アルミナ溶射膜を製造した。基材からサンプルを切り出して、表面のSEM観察を実施したところ、0.5〜3.9μmの範囲にある微細な球状粒子からなる突起状粒子の存在が確認された。150倍にて撮影したSEM写真より、100個の突起状粒子を任意に抽出したところ、平均サイズは22μmであった。さらに、150倍にて撮影した10枚の当該写真から測定した突起状粒子の個数を測定したところ、平均個数は860個/mm2であった。
ステンレス製のドーナツリング内面をホワイトアルミナのグリットWA#60を用いて、圧力0.5MPaでブラスト後、純水で超音波洗浄し、オーブンで乾燥した。その後、ドーナツリングの内面に、プラズマガスとしてN2ガスを使用し、プラズマガンとステンレス基材の距離を75mm、投入電力:40kWとしてプラズマ溶射によりイットリア溶射膜を形成した。原料粉末として純度99.9%のイットリア顆粒粉末(一次平均粒径0.3μm、平均粒径35μm)に純度99.9%の酸化ランタン顆粒粉末(一次平均粒径0.3μm、平均粒径30μm)が15重量%添加されたものを用いた。溶射後、超純水で超音波洗浄し、クリーンオーブンで乾燥し、セラミック溶射膜がイットリア−酸化ランタンであるスパッタリング用シールドを完成した。
実施例5において、プラズマガンとドーナツ状リングとの距離を115mmとした以外は、実施例5と同様の条件にてシールド製品および5インチ角イットリア−酸化ランタン溶射膜を製造した。基材からサンプルを切り出して、表面のSEM観察を実施したところ、0.3〜3.4μmの範囲にある微細な球状粒子からなる突起状粒子の存在が確認された。100倍にて撮影したSEM写真より、100個の突起状粒子を任意に抽出したところ、平均サイズは14μmであった。さらに、100倍にて撮影した10枚の当該写真から測定した突起状粒子の個数を測定したところ、平均個数は1600個/mm2であった。
実施例5において、プラズマガンとドーナツ状リングとの距離を180mmとした以外は、実施例5と同様の条件にてシールド製品および5インチ角イットリア−酸化ランタン溶射膜を製造した。基材からサンプルを切り出して、表面のSEM観察を実施したところ、0.3〜4.8μmの範囲にある微細な球状粒子からなる突起状粒子の存在が確認された。100倍にて撮影したSEM写真より、100個の突起状粒子を任意に抽出したところ、平均サイズは25μmであった。さらに、100倍にて撮影した10枚の当該写真から測定した突起状粒子の個数を測定したところ、平均個数は300個/mm2であった。
石英ベルジャー内面をホワイトアルミナのグリットWA#60を用いて、圧力0.5MPaでブラスト後、純水で超音波洗浄し、オーブンで乾燥した。その後、石英ベルジャーの内面に、ArとH2の流量比を70:30、投入電力:40kWとしてプラズマ溶射により、アルミナ溶射膜を形成した。原料粉末としては、純度99.99%のアルミナ顆粒粉末(一次平均粒径0.5μm、平均粒径45μm)を使用した。プラズマガンと石英ベルジャーとの距離は150mmとした。溶射後、超純水で超音波洗浄し、クリーンオーブンで乾燥し、セラミック溶射膜が高純度アルミナである石英ベルジャーを完成した。
比較例1と同様の方法で製造した石英ベルジャーをCVDによる成膜装置に取り付けて使用した。使用開始から70時間を経過した後において、装置内部に膜状物質の剥離による粒子が採取された。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガス51としてアルゴンと水素の流量比80:20とし、溶射距離54を100mmとし、溶射ガンを600mm/秒の速度、5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が40μmのアルミナ粉末の粉末供給量を20g/分として、25kWのパワーで2回溶射し、突起状粒子を有する表面層を、基材である石英上に形成した。
溶射パワーを35kWとした以外は、実施例8と同条件で溶射して表面層を形成した。溶射した基材を顕微鏡観察が可能なサイズに切り出し、超音波洗浄、乾燥後、レーザー共焦点顕微鏡で溶射膜表面および断面を観察したところ、溶射膜の膜厚は、120μmであり、表面層には山形状の突起状粒子の存在が認められた。突起状粒子100個を任意に抽出して測定した結果、突起1個当たりの大きさは幅20〜200μm、高さは4〜100μmであり、100個の突起状粒子の中には、幅と高さの比が0.3である偏平粒子が観察された。溶射膜の断面を研磨して鏡面に仕上げ、電子顕微鏡写真を撮影して空孔率の測定を行ったところ、空孔率は3%であった。この偏平粒子の断面を研磨して偏光顕微鏡で観察したところ、粒子中心部までも溶融していることが認められた。
溶射パワーを30kWとして、平均粒径が60μmのアルミナ粉末を用いたこと以外は実施例8と同条件で試料を作製した。溶射した基材を顕微鏡観察が可能なサイズに切り出し、超音波洗浄、乾燥後、レーザー共焦点顕微鏡で溶射膜表面および断面を観察したところ、溶射膜の膜厚は、120μmであり、表面層には山形状の突起状粒子の存在が認められた。突起状粒子100個を任意に抽出して測定した結果、突起1個当たりの大きさは幅15〜100μm、高さは5〜85μmであり、高さと幅の比の平均値は0.9であり、突起の数は730個/mm2であった。溶射膜の断面を研磨して鏡面に仕上げ、電子顕微鏡写真を撮影して空孔率の測定を行ったところ、空孔率は18%であった。突起状粒子の断面を研磨して偏光顕微鏡で観察したところ、大部分の突起状粒子には核のようなものが見られ、溶射粉末の周辺部が溶融し、中心部が未溶融のまま溶射されていることがわかった。
溶射パワーを32kWとして、平均粒径が50μmのアルミナ粉末を用いたこと以外は実施例8と同条件で試料を作製した。さらにこの溶射膜上に溶射パワーを20kwとして、平均粒径が25μmのアルミナ粉末を用いて、その他の条件は実施例8と同じ条件で試料を作製した。溶射した基材を顕微鏡観察が可能なサイズに切り出し、超音波洗浄、乾燥後、レーザー共焦点顕微鏡で溶射膜表面および断面を観察したところ、溶射膜の膜厚は、200μmであり、表面層には0.6〜3.6μmの範囲にある微細な球状粒子が集合してなる、山形状の突起状粒子の存在が認められた。突起状粒子100個を任意に抽出して測定した結果、突起1個当たりの大きさは幅10〜65μm、高さは6〜120μmであり、高さと幅の比(H/W)の平均値は1.6であり、突起の数は1300個/mm2であった。溶射膜の断面を研磨して鏡面に仕上げ、電子顕微鏡写真を撮影して空孔率の測定を行ったところ、上層の空孔率は32%であり、下層の空孔率は8%であった。突起状粒子の断面を研磨して偏光顕微鏡で観察したところ、大部分の突起状粒子には核のようなものが見られ、溶射粉末の周辺部が溶融し、中心部が未溶融のまま溶射されていることがわかった。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガス52としてアルゴンと水素の流量比75:25とし、溶射距離54を100mmとし、溶射ガンを500mm/秒の速度、5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が30μmの球状銅粉末の粉末供給量を15g/分として、20kWのパワーで2回溶射し、突起状粒子を有する表面層を基材であるステンレス上に形成した。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、ガス流量を実施例8のときの2倍の80SLMとした。プラズマガス52としてアルゴンと水素の流量比90:10とし、溶射距離54を100mmとし、溶射ガンを1000mm/秒の速度、5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が65μmの球状アルミニウム粉末の供給量を10g/分として、70kWのパワーで2回溶射し、突起状粒子を有する表面層を基材であるステンレス上に形成した。
溶射パワーを35kWとした以外は実施例11と同条件で溶射して表面層を形成した。溶射した基材を顕微鏡観察が可能なサイズに切り出し、超音波洗浄、乾燥後、レーザー共焦点顕微鏡で溶射膜表面を観察したところ、溶射膜の膜厚は、110μmであり、表面層には。突起状粒子100個を任意に抽出して測定した結果、突起1個当たりの大きさは幅15〜180μm、高さは3〜70μmであり、100個の突起状粒子の中には、幅と高さの比(H/W)が0.2である偏平粒子が観察された。溶射膜の断面を研磨して鏡面に仕上げ、電子顕微鏡写真を撮影して空孔率の測定を行ったところ、空孔率は8%であった。この偏平粒子の断面を研磨して偏光顕微鏡で観察したところ、粒子中心部までも溶融していることが認められた。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガス52としてアルゴンと水素の流量比90:10とし、溶射距離54を80mmとし、溶射ガンを400mm/秒の速度、5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が35μmの安定化ジルコニア粉末の周囲に、平均粒径が30μmのアルミナ粉末を1:1の割合でコーティングさせた粉末を供給量15g/分として、25kWのパワーで2回溶射し、突起状粒子を有する表面層を形成した。
次に得られた試料の付着物に対する保持性を評価するため、スパッタ法を用いて実施例8から13及び、比較例3から4の試料に窒化珪素膜を直接成膜して付着性について試験を行った。到達真空5×10−5Paまで真空に引いた後、珪素のターゲットを用いてアルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを0.3Paの圧力まで導入し、室温で窒化珪素の膜厚を100μm形成した。成膜後、大気に戻して1日放置後に各試料を600℃で1時間加熱し、室温に戻ってから顕微鏡で検査したところ、実施例8〜13の試料では剥離やパーティクルの発生は全く見られなかったが、比較例3〜4の試料では剥離が認められた。
実施例8から9及び比較例3の方法により作製した石英ベルジャーをCVDによる成膜装置に取り付けて使用した。実施例8から9のシールドにおいては、使用開始から160時間を経過した後においても、装置内部に膜状物質の剥離による粒子は採取されなかったが、比較例3のシールドにおいては、使用開始から70時間を経過した後において、膜状物質の剥離による粒子が観測された。
実施例10から13及び比較例4の方法により作製したシールドをスパッタリングによる成膜装置に取り付けて使用した。実施例10から13のシールドにおいては、使用開始から150時間を経過した後においても、装置内部に膜状物質の剥離による粒子は採取されなかったが、比較例4のシールドにおいては、使用開始から60時間を経過した後において、膜状物質の剥離による粒子が観測された。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガス52としてアルゴンと水素の流量比95:5とし、溶射距離54を120mmとし、溶射ガンを400mm/秒の速度、5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が15μmのITO粉末(酸化インジウムー酸化スズ10重量%)の粉末供給量を20g/分として、25kWのパワーでITOターゲット(酸化スズ10重量%)表面に2回溶射し、突起状粒子を有する表面層を形成した。このとき、ITOターゲット表面のエロージョン部には溶射されないようにマスキングをして、非エロージョン部のみにITO溶射膜を形成した。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガス52としてガス流量を70SLMとし、アルゴンと水素の流量比90:10とし、溶射距離54を125mmとし、溶射ガンを300mm/秒の速度、3mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が30μmの球状クロム粉末の粉末供給量を15g/分として、80kWのパワーでクロムターゲット表面に2回溶射し、突起状粒子を有する表面層を形成した。このとき、クロムターゲット表面のエロージョン部には溶射されないようにマスキングをして、非エロージョン部のみにクロム溶射膜を形成した。
図8に示すようなプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガス52としてガス流量を90SLMとし、アルゴンと水素の流量比92:8とし、溶射距離54を100mmとし、溶射ガンを450mm/秒の速度、3.5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が70μmの球状アルミニウム粉末の粉末供給量を8g/分として、70kWのパワーでアルミニウムターゲット表面および側面に4回溶射し、突起状粒子を有する表面層を形成した。このとき、アルミニウムターゲット表面のエロージョン部には溶射されないようにマスキングをして、非エロージョン部のみにアルミニウム溶射膜を形成した。
高速で成膜可能な高速フレーム溶射装置を用いて、燃料ガスとして圧力0.7MPaのプロパンガス、燃焼ガスとして圧力1.0MPaの酸素ガスを使用し、溶射距離を140mmとし、溶射ガンを500mm/秒の速度、5mmピッチで溶射ガンを移動させながら、平均粒径が60μmの球状アルミニウム粉末の粉末供給量を10g/分として、アルミニウムターゲットおよびバッキングプレートの表面および側面に、4回溶射し、突起状粒子を有する表面層を形成した。このとき、アルミニウムターゲット表面のエロージョン部には溶射されないようにマスキングをして、非エロージョン部のみにアルミニウム溶射膜を形成した
溶射したターゲットを顕微鏡観察が可能なサイズに切り出し、超音波洗浄、乾燥後、レーザー共焦点顕微鏡で溶射膜表面および断面を観察したところ、膜厚は200μmであり、表面層には1.4〜5.0μmの範囲にある微細な球状粒子が集合してなる、山形状の突起状粒子の存在が認められた。突起状粒子100個を任意に抽出して測定した結果、突起1個当たりの大きさは幅20〜180μm、高さは25〜240μmであり、高さと幅の比(H/W)の平均値は1.6であり、突起の数は480個/mm2であった。溶射膜の断面を研磨して鏡面に仕上げ、電子顕微鏡写真を撮影して空孔率の測定を行ったところ、空孔率は20%であった。突起状粒子の断面を研磨して偏光顕微鏡で観察したところ、大部分の突起状粒子には核のようなものが見られ、溶射粉末の周辺部がわずかに溶融し、中心部が未溶融のまま溶射されていることがわかった。
実施例17〜20により作製したターゲットをスパッタリングによる成膜装置に取り付けて使用した。使用開始から100時間を経過した後においてターゲット表面を観察したところ、ターゲット表面に再デポ粉末が強固に付着しており、素手で剥離しようとしても剥がれない程度に付着していた。
実施例17と同様の方法によりITOターゲット表面にITO粉末を溶射しないこと以外は、実施例21と同様の方法にて、ITOターゲットをスパッタリングによる成膜装置に取り付けて使用した。使用開始から50時間を経過した後においてターゲット表面を観察したところ、ターゲットの非エロージョン部から再デポ粉末が剥離しており、さらにターゲットのエロージョン部周辺には、再デポ粉末が散乱している様子が観察された。
21:高さプロファイル
22:突起状粒子の幅
23:突起状粒子の高さ
30:基材
31:融点が高い溶射材料
32:融点が低い溶射材料
33:突起状粒子
40:溶射ガン
41:溶射フレーム
42:溶射粉末
43:飛行溶射粒子の未溶融部分
44:飛行溶射粒子の溶融部分
45:飛行溶射粒子の未溶融部分から成る突起状粒子の核
46:飛行溶射粒子の溶融部分から成る突起状粒子の皮
50:カソード
51:アノード
52:プラズマガス(供給口)
53:溶射粉末(供給口)
54:溶射距離
55:基材
56:突起状粒子層
Claims (15)
- 基材上に、セラミック溶射膜を形成した真空装置用部品であって、該溶射膜の表面に直径0.1〜5μmの粒子が集合した突起状粒子が、分散して存在することを特徴とする真空装置用部品。
- 基材上に、金属溶射膜を形成した真空装置用部品であって、該溶射膜の表面に直径0.1〜10μmの粒子が集合した突起状粒子が、分散して存在することを特徴とする真空装置用部品。
- 基材上に、セラミック及び/又は金属溶射膜が形成され、該溶射膜の表面に幅10〜300μm、高さ4〜600μm、幅(W)と高さ(H)の比(H/W)の平均値が0.4以上の突起状粒子が、20個/mm2以上〜20000個/mm2以下の範囲で存在し、該溶射膜の空孔率が10〜40%であることを特徴とする真空装置用部品。
- 基材と前記溶射膜との間に、空孔率が3%以上10%未満の、前記溶射膜とは異なる溶射膜が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の真空装置用部品。
- 突起状粒子の幅と高さの比の平均値が0.5以上2.0以下であることを特徴とする請求項3〜4のいずれかに記載の真空装置用部品。
- 突起状粒子の中心部が未溶融のままであることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の真空装置用部品。
- 突起状粒子が融点の異なる材料からなり、融点の小さい材料が融点の大きい材料を包み込む様に形成されていることを特徴とする請求項3から5のいずれかに記載の真空装置用部品。
- セラミック及び/又は金属からなる溶射粉末を半溶融状態で基材上へ衝突させて、基材表面に幅10〜300μm、高さ4〜600μm、幅(W)と高さ(H)の比(H/W)の平均値が0.4以上の突起状粒子が20個/mm2以上〜20000個/mm2以下の範囲で存在し、該溶射膜の空孔率が10%〜40%となる溶射膜を設けたことを特徴とする真空装置用部品の製造方法。
- セラミック及び/又は金属からなる溶射粉末を、融点の小さい材料が融点の大きい材料を包み込む様に形成し、溶射時には融点の小さい材料を完全に溶融させ、融点の大きい材料は未溶融又は半溶融状態で基材上へ衝突させて、基材表面に幅10〜300μm、高さ4〜600μm、幅(W)と高さ(H)の比(H/W)の平均値が0.4以上の突起状粒子が20個/mm2以上〜20000個/mm2以下の範囲で存在し、該溶射膜の空孔率が10%〜40%となる溶射膜を設けたことを特徴とする真空装置用部品の製造方法。
- PVDまたはCVD処理中に生成する膜状物質が堆積される部分に、請求項1〜6のいずれかに記載の真空装置用部品を使用してなる成膜装置。
- プラズマエッチング処理中に生成する膜状物質が堆積またはエッチングされる部分に、請求項1〜6のいずれかに記載の真空装置用部品を使用してなるプラズマエッチング装置。
- プラズマエッチング処理中に生成する膜状物質が堆積またはエッチングされる部分に、請求項1〜6のいずれかに記載の真空装置用部品を使用してなるプラズマクリーニング装置。
- 真空装置用部品であるスパッタリングターゲット材上の非エロ−ジョン部分に、セラミック及び/又は金属溶射膜を形成し、該溶射膜の表面には幅10〜300μm、高さ4〜600μm、幅(W)と高さ(H)の比(H/W)の平均値が0.4以上の突起状粒子が、20個/mm2以上〜20000個/mm2以下の範囲で存在し、該溶射膜の空孔率が10%〜40%であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- ターゲット材がバッキングプレ−トに接合されてなることを特徴とする請求項13に記載のスパッタリングターゲット。
- スパッタリングタ−ゲットの非エロ−ジョン部分が、ターゲット材の非エロージョン部分、バッキングプレートの表面部分および側面部分から選ばれる少なくとも一種の部分である請求項14に記載のスパッタリングターゲット。
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