JP2015002306A - 絶縁基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】少ない工数で安価に製造可能であり、かつ、熱放散性に優れた絶縁基板を提供する。また、このような絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基体となるベース金属板１上に形成され、融点４００℃以上１０００℃以下で沸点１５００℃以上である三酸化二ホウ素、五酸化二バナジウムまたは三酸化二ビスマスの少なくとも一種を含む酸化物系セラミクス微粒子と、酸化アルミニウム微粒子と、を含有するセラミクス層である絶縁層２と、絶縁層２上に形成される回路パターン層３と、を備える絶縁基板１０とした。そして、上記の酸化物系セラミクス微粒子と、上記の酸化アルミニウム微粒子と、による溶射用フィラーをプラズマ溶射または高速フレーム溶射によりベース金属板１上に溶射して形成する絶縁基板の製造方法とした。
【選択図】図１

Description

本発明は、放熱能力が高い絶縁基板およびこの絶縁基板の製造方法に関する。

電源装置に使用されるパワー半導体を搭載する半導体モジュールは、家庭用エアコン、冷蔵庫などの民生機器から、インバータ、サーボコントローラなどの産業機器まで、広範囲にわたって適用されている。このような半導体モジュールには、消費電力の点から、金属ベースプリント配線板やセラミクス配線板が搭載される。金属ベースプリント配線板やセラミクス配線板は、熱放散性に優れ、パワー半導体など高発熱部品を実装する配線板として用いられている。これらの金属ベースプリント配線板やセラミクス配線板に、パワー半導体などの１または複数の回路素子を搭載し、プラスチックケース枠を接着し、シリコーンゲルやエポキシ樹脂などで封止することによって半導体モジュールを製造する。

続いて、金属ベースプリント配線板やセラミクス配線板について図を参照しつつ説明する。まず、金属ベースプリント配線板について説明する。図３は従来技術の金属ベースプリント配線板の断面構造を示す。金属ベースプリント配線板１００は、３層構造であり、ベース金属板１０１、絶縁層１０２、回路パターン層１０３を少なくとも備える。

ベース金属板１０１は、アルミニウム板や銅板などである。絶縁層１０２は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、または、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの無機フィラーを含有したエポキシ樹脂などの絶縁樹脂であって、このベース金属板１０１上に形成されている。回路パターン層１０３は、パワー半導体等が搭載される回路のパターンであり、この絶縁層１０２の上に形成される。金属ベースプリント配線板１００はこのようなものである。

続いてセラミクス配線板２００について説明する。図４は従来技術のセラミクス配線板の説明図であり、図４（ａ）は回路層の説明図、図４（ｂ）はセラミクス配線板の断面図をそれぞれ示す。セラミクス配線板２００は、図４（ｂ）で示すように多層構造であり、ベース金属板２０１、はんだ層２０２、回路層２０３を少なくとも備える。そして、回路層２０３は、図４（ａ）で示すように、さらに上側パターン層２０３ａ、セラミクス絶縁板２０３ｂ、下側パターン層２０３ｃを備える。

図４（ａ）に示すように、セラミクス絶縁板２０３ｂを介し上下両側に上側パターン層２０３ａ、および、下側パターン層２０３ｃが形成されている。上側パターン層２０３ａ、および、下側パターン層２０３ｃは銅もしくはアルミニウム等による回路パターンである。

セラミクス絶縁板２０３ｂには酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、または、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの板体が用いられる。酸化アルミニウムの熱伝導率が約２０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化アルミニウムの熱伝導率が約１６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋ、窒化ケイ素の熱伝導率が約８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、エポキシ樹脂に無機フィラーを配合した場合に比べて熱伝導率が１〜２桁高い。
そして、図４（ｂ）で示すように、この回路層２０３をはんだ層２０２によりベース金属板２０１と接合する。セラミクス配線板２００はこのようなものである。

そして、このようなセラミクス配線板を採用した半導体モジュールについての先行技術が、例えば、特許文献１に開示されている。特許文献１に記載のセラミクス配線板は、特に溶射を行ってセラミクスによる絶縁層を形成するものである。

特開２００５−５６３８号公報（請求項４〜６、段落［００５０］、［００６４]、図２、図４等）

図３を用いて説明した上記の金属ベースプリント配線板１００では、放熱特性が低いという問題があった。絶縁層１０２は、先に述べたようにエポキシ樹脂に酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）等の無機フィラーを含有させたものであるが、無機フィラーの充填量に限界があり、熱伝導率は現状１〜３Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。したがって、適用できるパワー半導体モジュールの電流容量にも限界があり、現状５０Ａクラス程度までしか適用できなかった。

一方で５０Ａを超えるような大容量のパワー半導体モジュールの場合には、放熱性の観点から、金属ベースプリント配線板ではなく、絶縁層の熱伝導率がより高いセラミクス配線板が用いられている。しかしながら、セラミクス配線板は、価格が高いという問題があった。

その理由として、セラミクス配線板２００を製造する場合、まず原料粉をバインダーと練り合わせ、グリーンシートと呼ばれる板体を高温にて焼成してセラミクス絶縁板２０３ｂを作製する。このセラミクス絶縁板２０３ｂに対し、回路パターン用の銅箔などを高温で接合して回路層２０３とする。この回路層２０３を厚さ２〜３ｍｍのベース金属板２０１にはんだで接合したうえでモジュール構造にし、セラミクス配線板２００を作成する。

したがって、このようなセラミクス配線板２００は、その工数や高温処理が多いため、価格が高いという問題があった。また、ベース金属板２０１とはんだ付けを行うため、熱抵抗が上昇するという問題もあった。さらにまた、はんだ付け工程が必要なためやはり工数が多いという問題もあった。

また、特許文献１に記載の技術は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）や窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の微粒子を溶射で金属ベースとなるリードフレームに積層する技術である。しかしながら、酸化アルミニウムの溶射を行うと、高温で一旦溶解してから積層するので、積層されるときにアモルファス状態になりやすく、更に粒子が扁平して積層すると粒子に力が加わった状態となるため、このような粒子の表層部に微細なクラックが生じる。

このクラックが熱抵抗となり、焼成タイプの酸化アルミニウムは熱伝導率が約２０Ｗ／ｍ・Ｋであるのに対し、溶射した場合４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと約１／４以下に低減してしまい、放熱特性を高めてはいるが、それでも理論上期待される本来の特性を発現できない。このように従来技術では、コスト低減が容易ではなく、かつ、放熱性に難がある絶縁基板であった。

そこで、本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、少ない工数で安価に製造でき、かつ、熱放散性に優れた絶縁基板を提供することにある。また、このような絶縁基板の製造方法を提供することにある。

本発明の請求項１に係る発明の絶縁基板は、
基体となるベース金属板と、
ベース金属板上に形成され、融点４００℃以上１０００℃以下で沸点１５００℃以上である三酸化二ホウ素、五酸化二バナジウムまたは三酸化二ビスマスの少なくとも一種を含む酸化物系セラミクス微粒子と、酸化アルミニウム微粒子と、を含有するセラミクス層である絶縁層と、
絶縁層上に形成される回路パターン層と、
を備えることを特徴とする。

また、本発明の請求項２に係る発明の絶縁基板は、
請求項１に記載の絶縁基板において、
前記ベース金属板は、銅、ニッケル、鉄、チタン、モリブデン、または、タングステンのうちの一種の金属もしくは二種以上の合金による金属で形成されていることを特徴とする。

また、本発明の請求項３に係る発明の絶縁基板は、
請求項１または請求項２に記載の絶縁基板において、
前記絶縁基板は、パワー半導体冷却用の基板であることを特徴とする。

本発明の請求項４に係る発明の絶縁基板の製造方法は、
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の絶縁基板の製造方法であって、
前記酸化物系セラミクス微粒子と前記酸化アルミニウム微粒子とを混合した溶射用フィラーを、プラズマ溶射または高速フレーム溶射によりベース金属板上に溶射し、接合した皮膜により絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有することを特徴とする。

また、本発明の請求項５に係る発明の絶縁基板の製造方法は、
請求項４に記載の絶縁基板の製造方法において、
前記酸化物系セラミクス微粒子は、その含有率が前記酸化アルミニウム微粒子のｍｏｌ数に対して、０．１％ｍｏｌ以上１０％ｍｏｌ以下であることを特徴とする。

また、本発明の請求項６に係る発明の絶縁基板の製造方法は、
請求項４または請求項５に記載の絶縁基板の製造方法において、
前記溶射用フィラーは、さらに焼結助剤である酸化イットリウム、酸化カルシウムまたは酸化マグネシウムのうちの一種もしくは二種以上が混合分散されていることを特徴とする。

また、本発明の請求項７に係る発明の絶縁基板の製造方法は、
請求項４〜請求項６の何れか一項に記載の絶縁基板の製造方法において、
前記絶縁層形成工程の後、絶縁層を４００℃以上に加熱する加熱工程を有することを特徴とする。

また、本発明の請求項８に係る発明の絶縁基板の製造方法は、
請求項７に記載の絶縁基板の製造方法において、
前記加熱工程は、プラズマ照射により絶縁層を加熱する工程であることを特徴とする。

本発明によれば、ベース金属板上に直接的にセラミクス性の絶縁層を高速で形成でき、さらにその上に回路パターン層を高速で形成できるため、ベース金属板とのはんだ付けが不要でかつ熱伝導性に優れた絶縁基板を安価に製作することができる。

総じて少ない工数で安価に製造でき、かつ、熱放散性に優れた絶縁基板を提供することができる。また、このような絶縁基板の製造方法を提供することができる。

本発明を実施するための形態の絶縁基板の説明図であり、図１（ａ）は絶縁基板の断面図、図１（ｂ）は絶縁層の拡大図である。 本発明を実施するための形態の絶縁基板の製造方法の説明図であり、図２（ａ）は溶射用フィラーの説明図、図２（ｂ）は絶縁層形成工程の説明図、図２（ｃ）はベース金属板に絶縁層が形成された直後の外観図、図２（ｄ）は回路パターン層形成工程の説明図、図２（ｅ）は製造された絶縁基板の断面図である。 従来技術の金属ベースプリント配線板の断面図である。 従来技術のセラミクス配線板の説明図であり、図４（ａ）は回路層の説明図、図４（ｂ）はセラミクス配線板の断面図である。

続いて、本発明を実施するための最良の形態に係る絶縁基板、および、この絶縁基板の製造方法について、図を参照しつつ以下に説明する。図１（ａ）の絶縁基板の断面図で示すように、絶縁基板１０は、３層構造であり、ベース金属板１、絶縁層２、回路パターン層３を少なくとも備える。

ベース金属板１は、熱伝導率が高い金属板、例えば、銅、ニッケル、鉄、チタン、モリブデン、タングステンのうちの一種の金属、もしくは、これらの中の二種以上の合金による金属で形成されている板である。

絶縁層２は、図１（ｂ）の絶縁層の拡大図で示すように、酸化アルミニウム微粒子２ａと、酸化物系セラミクス微粒子２ｂと、を含有するセラミクス層であって、このベース金属板１上に形成されている。酸化アルミニウム微粒子２ａは平均粒径が１０〜２００μｍ程度であり、また、酸化物系セラミクス微粒子２ｂの平均粒径は０．１〜２００μｍ程度である。

酸化アルミニウム微粒子２ａは、詳しくは、融点が２０００℃以上で沸点が２９００℃以上である酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の微粒子である。
酸化物系セラミクス微粒子２ｂは、詳しくは、融点４００℃以上１０００℃以下で沸点１５００℃以上である三酸化二ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、五酸化二バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）または三酸化二ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の少なくとも一種の微粒子である。

従って、絶縁層２の組成としては、
（１）酸化アルミニウム微粒子２ａを酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）とし、また、酸化物系セラミクス微粒子２ｂを三酸化二ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、五酸化二バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）または三酸化二ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の何れか一つを選択する組み合わせ、
（２）酸化アルミニウム微粒子２ａを酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）とし、また、酸化物系セラミクス微粒子２ｂを三酸化二ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、五酸化二バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）または三酸化二ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の中から二つ選択する組み合わせ、
（３）酸化アルミニウム微粒子２ａを酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）とし、また、酸化物系セラミクス微粒子２ｂを三酸化二ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、五酸化二バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）または三酸化二ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）の全部を選択する組み合わせ、
の何れかを採用できる。

このような絶縁層２では、酸化アルミニウム微粒子２ａおよび酸化物系セラミクス微粒子２ｂは溶射により加熱溶着させて形成した層であり、溶着により密接し空隙が少ない層となっている。そして、溶射時に受ける力により酸化アルミニウム微粒子２ａは楕円状に扁平している。また、衝突時に受ける力や、扁平状に変形した酸化アルミニウム微粒子２ａに加わっている歪力により粒子の表層部に微細なクラックが生じる。しかしながら、酸化アルミニウム微粒子２ａの表層部のクラックや、酸化アルミニウム微粒子２ａ間に形成される隙間には、酸化物系セラミクス微粒子２ｂが溶融した状態で浸入して隙間やクラックの存在を少なくしている。また、表面は酸化物系セラミクス微粒子２ｂによりならされて前記のクラックや隙間がなく平らな面となっている。

この絶縁層２の厚みは、主に回路電圧を考慮して設定するものであり、通常５０μｍから５００μｍ程度である。絶縁層２によりベース金属板１と回路パターン層３とが短絡しないように電気的絶縁を確保している。

回路パターン層３は、パワー半導体や駆動ＩＣなどが実装される回路パターンであり、この絶縁層２の上に直接的に形成される。

このような絶縁基板１０は、特に絶縁層２において、酸化アルミニウム微粒子２ａ間の隙間や酸化アルミニウム微粒子２ａの表層部のクラックに、酸化物系セラミクス微粒子２ｂを溶融した状態で浸入させることで、これら隙間やクラックの存在を少なくして絶縁層２の熱伝導率を大きくしており、回路パターン層３の下部の熱抵抗を小さくして熱放散性を向上させている。従来よりも格段に熱抵抗が小さい（熱伝導率が大きい）絶縁層２を通じて回路パターン層３からベース金属板１へ効率的に放熱することができる。絶縁基板１０はこのようなものである。

続いてこの絶縁基板１０の製造方法について図２を参照しつつ詳細に説明する。
図２（ａ）は、溶射するため複合された溶射用フィラーである。溶射する前に、紛状の酸化アルミニウム微粒子２ａと酸化物系セラミクス微粒子２ｂとを混ぜ合わせた状態を示したものである。この溶射用フィラーは、スプレードライなどの手法を用いて溶射しやすい粒径に造粒することも可能である。

ここで酸化アルミニウム微粒子２ａの平均粒径は１０〜２００μｍ程度であり、また、酸化物系セラミクス微粒子２ｂの平均粒径は０．１〜２００μｍ程度とする。
酸化物系セラミクス微粒子２ｂでは、平均粒径が０．１μｍよりも小さいと溶射時に蒸発し、また、高熱伝導化が発現しないため平均粒径を０．１μｍ以上に大きくする必要がある。また、酸化アルミニウム微粒子２ａや酸化物系セラミクス微粒子２ｂでは、平均粒径が２００μｍよりも大きいと成膜ができないため平均粒径を２００μｍ以下に小さくする必要がある。

また、酸化物系セラミクス微粒子２ｂは、その含有率を、酸化アルミニウム微粒子２ａのｍｏｌ数に対して、０．１％ｍｏｌ以上１０％ｍｏｌ以下にする。
実験により、酸化物系セラミクス微粒子２ｂの含有率が０．１％ｍｏｌ以下では、熱伝導率の向上効果が発現しないことが知見されたためであり、また、３０％ｍｏｌ以上でも熱伝導率が低下することが知見されたためである。

ここで溶射用フィラーには、さらに焼結助剤である酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のうちの一種もしくは二種以上が混合分散されており、絶縁層が焼結しやすくなっている。

図２（ｂ）はベース金属板１の周囲にマスク４を配置し、このベース金属板１に上記のような溶射用フィラーを溶射する状態を示したものである（絶縁層形成工程）。なお、このベース金属板１は、既知の手法であるショットブラストなどにより、溶射前に表面の粗面化を行い、アンカー効果による密着性向上を図るようにするとよい。

溶射には、プラズマ溶射法や高速フレーム溶射法などがありいずれの溶射方法を用いてもよい。
ここでプラズマ溶射法とは、雰囲気を大気圧下、または、減圧下とし、加熱により溶射用フィラーを溶融もしくは軟化させて加速し、ベース金属板１に衝突させて、微粒子を凝固・堆積させて積層し、絶縁層を形成するというものである。
また、高速フレーム溶射は、燃焼ガスによる超音速の噴流を作り、溶射用フィラーを溶融・加速することでベース金属板１に衝突させて、微粒子を凝固・堆積させて積層し、絶縁層を形成するというものである。

このような溶射用フィラーのプラズマ溶射や高速フレーム溶射により、ベース金属板１に溶着させていく。ここで、酸化アルミニウム微粒子２ａは融点が２０００℃以上で沸点が２９００℃以上であり、溶射時に変形することはあっても溶けることはない。一方で、酸化物系セラミクス微粒子２ｂは、融点４００℃以上１０００℃以下で沸点１５００℃以上であり、溶融しやすくなっている。

したがって、酸化アルミニウム微粒子２ａは溶けないが酸化物系セラミクス微粒子２ｂは溶けるため、酸化アルミニウム微粒子２ａ間の隙間や酸化アルミニウム微粒子２ａの表層部のクラックに、酸化物系セラミクス微粒子２ｂが溶けた状態で入り込んで、微細な隙間やクラックを少なくして製膜している。このようにして絶縁層が順次積層されていくため、全般的に隙間やクラックがない絶縁層２とすることができる。この絶縁層２の厚みは溶射時間をコントロールすることにより調整できる。

図２（ｃ）は溶射後の絶縁層２が形成された状態を示したものである。この場合、絶縁層２の表面は積層後に凹凸等が形成されることなくほぼ同一平面に形成されている。なお、絶縁層２の厚さａは、主に回路電圧を考慮して設定する。通常、５０μｍから５００μｍ程度である。なお、この厚さａが大きくなるにつれて外界からの衝撃に対する耐衝撃性を向上させ、また、交流破壊電圧が高くなるが熱抵抗が増大するというトレードオフの関係にあり、放熱特性を向上させたい場合には例えば１５０μｍというような値が選択される。絶縁層２の厚さａは５０〜５００μｍ中から使用目的に応じて設計選択される。

絶縁層形成工程の後、絶縁層を４００℃以上に加熱する（加熱工程）。
酸化アルミニウム微粒子２ａにより形成された層では酸化アルミニウム微粒子２ａ間の隙間や酸化アルミニウム微粒子２ａの表層部のクラックが大幅に少なくなっているが、それでもこれら隙間やクラックが僅かに残るおそれがあるため、４００℃以上に加熱することで、融点４００℃以上の酸化物系セラミクス微粒子２ｂを再度溶融させ、酸化アルミニウム微粒子２ａ間の隙間や酸化アルミニウム微粒子２ａの表層部のクラックを、酸化物系セラミクス微粒子２ｂが溶融した状態で埋めることで、物質移動による膜の緻密化が促進される。このように隙間やクラックを大幅に少なくすることにより、熱伝導率の高い絶縁層２を形成可能である。なお、この加熱工程を減圧下や真空環境下で行って空気を抜けやすくするようにしてボイドの発生を抑えるようにしても良い。このようにして絶縁層２が形成される。

続いて図２（ｄ）で示すように、絶縁層２が形成された後にマスク５を設置して銅やアルミニウムなどを溶射やコールドスプレーにより所定厚さまで積層していく。そして、図２（ｅ）で示すように、回路パターン層３を形成する。
これらの工程を経て、三層構造の絶縁基板１０を製造する。

この絶縁基板１０の製造方法によれば、ベース金属板１の上に直接的に、緻密な絶縁層２を形成することができ、従来技術の金属ベースプリント配線板（図３参照）に比べ優れた熱放散性を有し、かつ従来技術のセラミクス配線板（図４参照）に比べ大幅に工数を低減して安価である絶縁基板１０を提供することができる。

続いて本発明の実施例およびその放熱特性について説明する。
酸化アルミニウム（昭和電工製Ａ−１２）中心径６０μｍ １０２０ｇ、三酸化二ホウ素（和光純薬工業製）０．７ｇをそれぞれ秤量し、ボールミル中で混合（２０ｈ）を行った。ボールミル混合品を溶射用フィラーとする。この溶射用フィラーの回収後、溶射用のベース金属板１（無酸素銅の基板であり厚さ３ｍｍ）を事前に鉄球にてブラスト処理し、粗面化を行った。

粗面化したベース金属板１に対し、溶射はスルザーメテコ製９ＭＢを用いて、電流７００Ａ、ガスＨｅ圧 １００ＰＳＩ、溶射距離（溶射ガン−基板）８ｃｍの条件で狙い、膜厚５００μｍで製膜を実施した。

溶射後、溶射用フィラーの供給を止め、プラズマ処理により絶縁層２の温度が５００±５０℃になるように温度制御し、１時間加熱を実施した。
絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は次表の絶縁層２の熱伝導率評価結果に示すようになる。

この実施例１では７．５Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

なお、この実施例１において、溶射後熱処理しない場合では３．２Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと同程度またはそれ以下となっている。
同様に実施例１において、三酸化二ホウ素を配合しない場合では、３．７Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと同程度またはそれ以下となっている。
この点からも本発明の具体例である実施例１が良好であることを示している。

この実施例２は、先の実施例１と比較すると、三酸化二ホウ素（和光純薬工業製）の配合量を０．７ｇから７ｇに変更した以外は、実施例１と同じ条件となる。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、１２．４Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

この実施例３は、先の実施例１と比較すると、三酸化二ホウ素（和光純薬工業製）の配合量を０．７ｇから６９ｇに変更した以外は、実施例１と同じ条件となる。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、６．６Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

酸化アルミニウム（昭和電工製Ａ−１２）中心径６０μｍ １０２０ｇ、五酸化二バナジウム（和光純薬工業製）１．８２ｇをそれぞれ秤量し、ボールミル中で混合（２０ｈ）を行った。ボールミル混合品を溶射用フィラーとする。この溶射用フィラーの回収後、溶射用のベース金属板１（無酸素銅の基板であり厚さ３ｍｍ）を事前に鉄球にてブラスト処理し、粗面化を行った。

粗面化したベース金属板１に対し、溶射はスルザーメテコ製９ＭＢを用いて、電流７００Ａ、ガスＨｅ圧 １００ＰＳＩ、溶射距離（溶射ガン−基板）８ｃｍの条件で狙い、膜厚５００μｍで製膜を実施した。

溶射後、溶射用フィラーの供給を止め、プラズマ処理により絶縁層２の温度が７５０±５０℃になるように温度制御し、１時間加熱を実施した。
実施例１と比較すると、三酸化二ホウ素（和光純薬工業製）の代わりに五酸化二バナジウム（和光純薬工業製）とし、配合量を１．８２ｇとし、溶射後のプラズマ処理により７５０±５０℃になるよう温度制御した点が相違している。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、７．３Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

この実施例５は、先の実施例４と比較すると、五酸化二バナジウム（和光純薬工業製）の配合量を１．８２ｇから１８ｇに変更した以外は、実施例４と同じ条件となる。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、１１．４Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

この実施例６は、先の実施例４と比較すると、五酸化二バナジウム（和光純薬工業製）の配合量を１．８２ｇから１８０ｇに変更した以外は、実施例４と同じ条件となる。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、６．５Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

酸化アルミニウム（昭和電工製Ａ−１２）中心径６０μｍ １０２０ｇ、三酸化二ビスマス（和光純薬工業製）４．７ｇをそれぞれ秤量し、ボールミル中で混合（２０ｈ）を行った。ボールミル混合品を溶射用フィラーとする。この溶射用フィラーの回収後、溶射用のベース金属板１（無酸素銅の基板であり厚さ３ｍｍ）を事前に鉄球にてブラスト処理し、粗面化を行った。

粗面化したベース金属板１に対し、溶射はスルザーメテコ製９ＭＢを用いて、電流７００Ａ、ガスＨｅ圧 １００ＰＳＩ、溶射距離（溶射ガン−基板）８ｃｍの条件で狙い、膜厚５００μｍで製膜を実施した。

溶射後、溶射用フィラーの供給を止め、プラズマ処理により絶縁層２の温度が８５０±５０℃になるように温度制御し、１時間加熱を実施した。
実施例１と比較すると、三酸化二ホウ素（和光純薬工業製）の代わりに三酸化二ビスマス（和光純薬工業製）とし、配合量を４．７ｇとし、溶射後のプラズマ処理により８５０±５０℃になるよう温度制御した点が相違している。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、６．１Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

この実施例８は、先の実施例７と比較すると、三酸化二ビスマス（和光純薬工業製）の配合量を４．７ｇから４７ｇに変更した以外は、実施例７と同じ条件となる。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、１０．７Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

この実施例９は、先の実施例７と比較すると、三酸化二ビスマス（和光純薬工業製）の配合量を４．７ｇから４６０ｇに変更した以外は、実施例７と同じ条件となる。

絶縁層２の室温における厚さ方向の熱伝導率を、フラッシュ法を用いて評価した。熱伝導率は表１で示したように、６．４Ｗ／ｍ・Ｋを示しており、従来技術の４〜５Ｗ／ｍ・Ｋと比較しても良好な値を保っている。

以上、本発明の絶縁基板およびその製造方法について説明した。本実施形態では特にパワー半導体冷却用の基板であることを想定し、回路パターン層に搭載される回路素子の具体例としてパワー半導体や駆動ＩＣを例に挙げて説明した。しかしながら、本発明は回路素子がパワー半導体や駆動ＩＣに限定される趣旨ではなく、他のＣＰＵやＭＰＵ等の半導体・ＩＣ・抵抗・コンデンサ・コイル等各種の素子を回路素子に含めるものである。このようなパワー半導体以外の各種冷却用途でも本発明の適用は可能である。

このような本発明によれば、絶縁層の高熱伝導化を図り、熱放散性に優れた絶縁基板とすることができる。また、このような絶縁基板を製造することができる。

本発明の絶縁基板は、パワー半導体のような放熱が必要な素子の冷却用途として有用である。また、本発明の絶縁基板の製造方法はこのような絶縁基板を安価に製造できる点で有用である。

１０：絶縁基板
１：ベース金属板
２：絶縁層
２ａ：酸化アルミニウム微粒子
２ｂ：酸化物系セラミクス微粒子（三酸化ホウ素、五酸化バナジウム、酸化ビスマス）
３：回路パターン層
４，５：マスク

Claims (8)

1. 基体となるベース金属板と、
   ベース金属板上に形成され、融点４００℃以上１０００℃以下で沸点１５００℃以上である三酸化二ホウ素、五酸化二バナジウムまたは三酸化二ビスマスの少なくとも一種を含む酸化物系セラミクス微粒子と、酸化アルミニウム微粒子と、を含有するセラミクス層である絶縁層と、
   絶縁層上に形成される回路パターン層と、
   を備えることを特徴とする絶縁基板。
2. 請求項１に記載の絶縁基板において、
   前記ベース金属板は、銅、ニッケル、鉄、チタン、モリブデン、または、タングステンのうちの一種の金属もしくは二種以上の合金による金属で形成されていることを特徴とする絶縁基板。
3. 請求項１または請求項２に記載の絶縁基板において、
   前記絶縁基板は、パワー半導体冷却用の基板であることを特徴とする絶縁基板。
4. 請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の絶縁基板の製造方法であって、
   前記酸化物系セラミクス微粒子と前記酸化アルミニウム微粒子とを混合した溶射用フィラーを、プラズマ溶射または高速フレーム溶射によりベース金属板上に溶射し、接合した皮膜により絶縁層を形成する絶縁層形成工程を有することを特徴とする絶縁基板の製造方法。
5. 請求項４に記載の絶縁基板の製造方法において、
   前記酸化物系セラミクス微粒子は、その含有率が前記酸化アルミニウム微粒子のｍｏｌ数に対して、０．１％ｍｏｌ以上１０％ｍｏｌ以下であることを特徴とする絶縁基板の製造方法。
6. 請求項４または請求項５に記載の絶縁基板の製造方法において、
   前記溶射用フィラーは、さらに焼結助剤である酸化イットリウム、酸化カルシウムまたは酸化マグネシウムのうちの一種もしくは二種以上が混合分散されていることを特徴とする絶縁基板の製造方法。
7. 請求項４〜請求項６の何れか一項に記載の絶縁基板の製造方法において、
   前記絶縁層形成工程の後、絶縁層を４００℃以上に加熱する加熱工程を有することを特徴とする絶縁基板の製造方法。
8. 請求項７に記載の絶縁基板の製造方法において、
   前記加熱工程は、プラズマ照射により絶縁層を加熱する工程であることを特徴とする絶縁基板の製造方法。

Images