JP2019127039A - スーパーストレート - Google Patents
スーパーストレート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019127039A JP2019127039A JP2019008590A JP2019008590A JP2019127039A JP 2019127039 A JP2019127039 A JP 2019127039A JP 2019008590 A JP2019008590 A JP 2019008590A JP 2019008590 A JP2019008590 A JP 2019008590A JP 2019127039 A JP2019127039 A JP 2019127039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- superstrate
- layer
- buffer layer
- super straight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/225—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/03—3 layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2313/00—Elements other than metals
- B32B2313/04—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2315/00—Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
- B32B2315/08—Glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/281—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/282—Carbides, silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 表面を有する本体と、
前記表面の上にあるバッファ層と、
前記バッファ層の上にある保護層と、を含み、
前記保護層は、前記本体の前記表面の表面粗さ以下の表面粗さを有する表面を有し、前記保護層は、前記バッファ層に対して選択的に除去可能な材料を含む、
ことを特徴とするスーパーストレート。 - 前記保護層の前記表面粗さは、前記スーパーストレートの接触領域の上で1nm未満である、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記本体は、平坦化前駆体材料を硬化させるために使用される放射線に対して少なくとも70%の透過率を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記保護層は、透明酸化物、窒化物、または、酸窒化物を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記バッファ層は、有機化合物を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記バッファ層は、スピンオンカーボン、または、フォトレジスト、または、化学気相成長法によりまたは物理的に堆積されたカーボンフィルムを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記バッファ層、前記保護層、または、その両方は、前記本体と比較して、プロセスガスについての透過性が高い、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記プロセスガスは、ヘリウムである、
ことを特徴とする請求項7に記載のスーパーストレート。 - 前記バッファ層または前記保護層は、堆積された酸化物、陽極酸化されたアルミナ、有機シラン、有機ケイ酸塩材料、有機ポリマー、無機ポリマー、または、それらの任意の組み合わせを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記本体は、ソーダ石灰ガラス、石英、ホウケイ酸ガラス、アルカリバリウムケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、または、合成溶融シリカを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - 前記保護層は、前記スーパーストレートを使用して形成された層からの前記スーパーストレートの剥離を容易にするように剥離化合物で処理される、
ことを特徴とする請求項1に記載のスーパーストレート。 - スーパーストレートを形成する方法であって、
本体の表面の上にある第1バッファ層を形成する工程と、
前記第1バッファ層の上にある第1保護層を形成する工程と、を含み、
前記第1保護層は、前記本体の前記表面の表面粗さ以下の表面粗さを有し、前記保護層は、前記バッファ層に対して選択的にエッチング可能な材料を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記表面に沿って前記第1保護層における欠陥密度を決定するように前記スーパーストレートを検査する工程と、
前記欠陥密度が保護層欠陥閾値を超えた場合に前記第1保護層を除去する工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記保護層の除去は、前記保護層をドライエッチングすること、真空紫外線洗浄すること、または、ウェットエッチングすることを含む、
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記スーパーストレートの上にある第2保護層を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記表面に沿って前記第1バッファ層における欠陥密度を決定するように前記スーパーストレートを検査する工程と、
前記欠陥密度がバッファ層欠陥閾値を超えた場合に前記第1バッファ層を除去する工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 前記スーパーストレートの上にある第2保護層を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記保護層を形成することは、化学気相成長、原子層堆積、物理気相成長によって前記保護層を堆積すること、または、前記保護層または前記保護層の前駆体をコーティングすることを含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記バッファ層を形成することは、有機化合物をコーティングすること、および、前記有機化合物を硬化させることを含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 基板の上に平坦化層を形成するためのスーパーストレートであって、
表面を有する本体と、
前記表面の上にある層と、を備え、
前記層は、前記本体に対して選択的にエッチング可能な材料を含む、
ことを特徴とするスーパーストレート。 - 前記スーパーストレートの面積が前記基板の面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項20に記載のスーパーストレート。 - 基板の上に平坦化層を形成するためのスーパーストレートを形成する方法であって、
前記スーパーストレートの本体の表面の上にある層を形成する工程を含み、
前記層は、前記バッファ層に対して選択的にエッチング可能な材料を含む、
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 前記スーパーストレートの面積が前記基板の面積よりも大きい、
ことを特徴とする請求項22に記載のスーパーストレート。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/879,061 | 2018-01-24 | ||
US15/879,061 US11126083B2 (en) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | Superstrate and a method of using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019127039A true JP2019127039A (ja) | 2019-08-01 |
JP6802863B2 JP6802863B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=67298607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019008590A Active JP6802863B2 (ja) | 2018-01-24 | 2019-01-22 | スーパーストレート |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11126083B2 (ja) |
JP (1) | JP6802863B2 (ja) |
KR (1) | KR102511324B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11908711B2 (en) * | 2020-09-30 | 2024-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Planarization process, planarization system and method of manufacturing an article |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009149097A (ja) * | 2009-02-04 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法 |
JP2011529626A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-12-08 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング |
JP2016528741A (ja) * | 2013-08-19 | 2016-09-15 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | ナノメータスケール精度を有するユーザ定義プロファイルのプログラム可能な薄膜蒸着 |
US20170106399A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Versatile process for precision nanoscale manufacturing |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5736424A (en) | 1987-02-27 | 1998-04-07 | Lucent Technologies Inc. | Device fabrication involving planarization |
US6589889B2 (en) | 1999-09-09 | 2003-07-08 | Alliedsignal Inc. | Contact planarization using nanoporous silica materials |
US7241395B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Reverse tone patterning on surfaces having planarity perturbations |
TWI352690B (en) | 2007-09-28 | 2011-11-21 | Ether Precision Inc | The molding die of molding glasses and its recycli |
US20100078846A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Molecular Imprints, Inc. | Particle Mitigation for Imprint Lithography |
US8470188B2 (en) | 2008-10-02 | 2013-06-25 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography templates |
US20100104852A1 (en) | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Molecular Imprints, Inc. | Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates |
US20100109201A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-Imprint Lithography Template with Ordered Pore Structure |
US20100109195A1 (en) | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Molecular Imprints, Inc. | Release agent partition control in imprint lithography |
JP2011009250A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 基板処理方法、半導体装置の製造方法及びインプリント装置 |
JP2013503057A (ja) | 2009-08-26 | 2013-01-31 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 機能ナノ粒子 |
US8961852B2 (en) * | 2010-02-05 | 2015-02-24 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Templates having high contrast alignment marks |
US8541053B2 (en) | 2010-07-08 | 2013-09-24 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced densification of silicon oxide layers |
US8935981B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-01-20 | Canon Nanotechnologies, Inc. | High contrast alignment marks through multiple stage imprinting |
JP6123304B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-05-10 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート用積層基板、テンプレートブランク、ナノインプリント用テンプレート、および、テンプレート基板の再生方法、並びに、テンプレート用積層基板の製造方法 |
-
2018
- 2018-01-24 US US15/879,061 patent/US11126083B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-16 KR KR1020190005755A patent/KR102511324B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-22 JP JP2019008590A patent/JP6802863B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011529626A (ja) * | 2008-06-09 | 2011-12-08 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング |
JP2009149097A (ja) * | 2009-02-04 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法 |
JP2016528741A (ja) * | 2013-08-19 | 2016-09-15 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | ナノメータスケール精度を有するユーザ定義プロファイルのプログラム可能な薄膜蒸着 |
US20170106399A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Versatile process for precision nanoscale manufacturing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11126083B2 (en) | 2021-09-21 |
KR20190090339A (ko) | 2019-08-01 |
US20190227437A1 (en) | 2019-07-25 |
JP6802863B2 (ja) | 2020-12-23 |
KR102511324B1 (ko) | 2023-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6889792B2 (ja) | 紫外線リソグラフィ用ガラスセラミックス及びその製造方法 | |
JP6515235B2 (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
US10001699B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
US9281251B2 (en) | Substrate backside texturing | |
US10586694B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
JP6028384B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
KR102228638B1 (ko) | 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의 제조방법 및 전사용 마스크의 제조방법 | |
KR20190098710A (ko) | 수퍼스트레이트 및 수퍼스트레이트의 사용 방법 | |
JP6904234B2 (ja) | マスクブランク用基板およびマスクブランク | |
US20130084352A1 (en) | Mold having release layer for imprinting, method for producing mold having release layer for imprinting, and method for producing copy mold | |
JP2008094641A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP6802863B2 (ja) | スーパーストレート | |
Ye et al. | High volume jet and flash imprint lithography for discrete track patterned media | |
CN102096316A (zh) | 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法 | |
JP2017044892A (ja) | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、およびマスクブランク | |
JP6713336B2 (ja) | マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 | |
CN104407503B (zh) | 曝光方法和半导体器件的制造方法 | |
US20230415195A1 (en) | Superstrate including a body and layers and methods of forming and using the same | |
US20160168020A1 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface | |
KR20130143307A (ko) | 마스크 블랭크용 기판 연마 장치 및 이를 이용한 마스크 블랭크용 기판 연마방법 | |
JP6512254B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
JP2023081830A (ja) | スーパーストレート及びその使用方法 | |
Keilen | Investigation of Chemical Mechanical Polishing to Enhance Feature Resolution by Atomic Layer Deposition | |
JP2023008475A (ja) | インプリントモールドおよびその製造方法ならびに再生インプリントモールドの製造方法 | |
US8865376B2 (en) | EUVL process structure fabrication methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200716 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201127 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6802863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |