JP2019124960A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】可搬性に優れた電子機器を提供する。または、一覧性に優れた電子機器を提供する。または、写真や動画の撮影時に用いることのできる新たな光源を備える電子機器を提供する。【解決手段】カメラと、可撓性を有する表示部と、を有する電子機器であって、表示部は、第１の領域と、第２の領域とを有し、第１の領域は、カメラの被写体に光を出す機能を有し、第２の領域は、カメラによって撮影された被写体の画像を表示する機能を有し、表示部は、第１の領域と、第２の領域とが互いに異なる向きになるように曲がる機能を有する電子機器。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。特に、可撓性を有し、湾曲させることのできる
表示装置に関する。また、本発明の一態様は、表示装置を備える電子機器に関する。

なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、
記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることがで
きる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例
えば、携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は薄型であること、軽量であること
、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められ
ている。

また、特許文献１には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有
機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている
。

特開２００３−１７４１５３号公報

近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する情報量を増やし、表示の一覧
性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途等では、表示領域を大型化さ
せると可搬性（ポータビリティともいう）が低下してしまう。そのため表示の一覧性の向
上と高い可搬性を両立することは困難であった。

また、携帯情報端末等の電子機器にカメラを搭載し、使用者が手軽に写真や動画を撮影
できることが望まれている。また被写体を照らす光源の高輝度化、低消費電力化が求めら
れている。

本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または
、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、写真や動画の撮影
時に用いることのできる新たな光源を備える電子機器を提供することを課題の一とする。
または、新規な表示装置、照明装置、または電子機器を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。

本発明の一態様は、カメラと、可撓性を有する表示部と、を有する電子機器であって、
表示部は、第１の領域と、第２の領域とを有し、第１の領域は、カメラの被写体に光を出
す機能を有し、第２の領域は、カメラによって撮影された被写体の画像を表示する機能を
有し、表示部は、第１の領域と、第２の領域とが互いに異なる向きになるように曲がる機
能を有する電子機器である。

また、本発明の他の一態様は、筐体と、カメラと、可撓性を有する表示部と、を有する
電子機器であって、表示部は、筐体の第１の面に固定されている領域を有し、カメラは、
筐体の第２の面に固定されている領域を有し、表示部は、第１の領域と、第２の領域とを
有し、第１の領域は、カメラの被写体に光を出す機能を有し、第２の領域は、カメラによ
って撮影された被写体の画像を表示する機能を有し、表示部は、第１の領域と、第２の領
域とが互いに異なる向きになるように曲がる機能を有する電子機器である。

また、上記筐体は、第３の面を有し、第３の面は、第１の面と接する領域を有し、表示
部は、第３の面に沿うように設けられている領域を有することが好ましい。また、筐体は
、凹部を有し、凹部は、表示部を折りたたんで収納する機能を有することが好ましい。

また、上記表示部は、第１の画素と第２の画素とを有し、第１の画素は、第１の発光素
子を有し、第２の画素は、第２の発光素子を有し、第１の画素と第２の画素との間に、第
３の発光素子を有することが好ましい。このとき、第１の画素と第２の画素とは、アクテ
ィブマトリクス駆動により制御される機能を有し、第３の発光素子は、パッシブマトリク
ス駆動により制御される機能を有することが好ましい。

また、上記表示部は、第３の領域と第４の領域とを有し、第３の領域は、第１の領域及
び第２の領域を有し、第４の領域は、第３の領域の輪郭に沿って設けられている領域を有
し、第４の領域は、第４の発光素子を有することが好ましい。このとき、表示部は、回路
及び配線を有し、回路と配線の両方、またはいずれか一方と、第４の発光素子とは、互い
に重なる領域を有することが好ましい。また、上記第３の領域は、アクティブマトリクス
駆動により制御される機能を有し、第４の領域は、パッシブマトリクス駆動により制御さ
れる機能を有することが好ましい。

本発明の一態様によれば、可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優
れた電子機器を提供できる。または、写真や動画の撮影時に用いることのできる新たな光
源を備える電子機器を提供できる。

実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、表示部の一例を示す図。 実施の形態に係る、表示領域の一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について説明する。

［電子機器の構成例］
図１（Ａ）乃至（Ｅ）に、以下で例示する電子機器１００を示す。図１（Ａ）は、電子
機器１００が備える表示部１０１を展開した状態を示している。また図１（Ｂ）及び（Ｃ
）は、電子機器１００が備える表示部１０１を折りたたんだ状態を示している。また、図
１（Ｄ）及び（Ｅ）は、電子機器１００の使用状態の一例を示している。

電子機器１００は、表示部１０１と筐体１０２を有する。

表示部１０１は可撓性を有する。また表示部１０１は筐体１０２と接する一部の領域で
筐体１０２に固定されている。また、表示部１０１は、画像を表示する表示領域１０３と
、表示領域１０３を囲う非表示領域１０４とを有する。

筐体１０２は、その表面にカメラ１０５を備える。図１では筐体１０２の表示部１０１
を固定する面とは反対側の面にカメラ１０５が設けられた場合を示している。

本発明の一態様の電子機器１００は、可撓性を有する表示部１０１の一部が、筐体１０
２によって支持された構成を有する。表示部１０１は曲げるなどの変形を加えることが可
能である。例えば表示部１０１を表示面が内側になるように曲げる（内曲げ）ことや、表
示面が外側になるように曲げる（外曲げ）ことが可能である。なお表示部における表示面
とは、画像が表示される面をいう。また表示部１０１を曲げることで折りたたむことがで
きる。本発明の一態様の電子機器１００は、表示部１０１を折りたたんだ状態では可搬性
に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により、表示の一覧性に優れる。

また筐体１０２は、表示部１０１を折りたたんだ状態で収納できる凹部を有している。
このような凹部を設けることで、表示部１０１を折りたたんだ際に表示部１０１が筐体１
０２から突出する部分を無くす、または減らすことが可能となる。そのため電子機器１０
０を持ち運ぶ際などに表示部１０１が破損してしまうことを抑制できる。例えば、衣服の
ポケットやカバンに入れて電子機器１００を持ち運ぶ際などには好適である。

本発明の一態様の電子機器１００を使用する際、表示部１０１を展開した状態とするこ
とで継ぎ目のない広い表示領域１０３全体を用いてもよいし、表示部１０１の表示面が外
側になるように曲げることで、表示領域１０３の一部を用いてもよい。また表示部１０１
の表示面を内側に折りたたむ際、使用者に見えない一部の表示領域１０３を非表示とする
ことで、表示部１０１の消費電力を抑制できる。

また表示部１０１の表示領域１０３は、これを展開した状態で所定の縦横比となるよう
に設定することが好ましい。例えば、縦横比が９：１６などとなるように設定する。また
、表示部１０１を折り畳んだ状態（例えば図１（Ｂ）に示す状態）のとき、展開した状態
における縦横比と近い値になるように設定することが好ましい。こうすることで、展開し
た状態と折り畳んだ状態とで、表示される画像の縦横比を概略等しくすることが可能とな
る。その結果、展開した状態と折り畳んだ状態とで視認される表示領域１０３全体に同じ
画像を拡大または縮小して表示する場合、いずれかの状態で不自然な余白部分が生じてし
まう、または縦と横とで拡大率または縮小率が異なり、画像が歪んでしまうことを抑制す
ることができる。

また、表示部１０１は筐体１０２の２面以上に亘って設けられていることが好ましい。
図１では表示部１０１が筐体１０２の一方の側面に沿って設けられている場合を示してい
る。このとき、筐体１０２の側面に設けられた部分を含む表示領域１０３全体に一つの画
像を表示してもよい。また、筐体１０２の側面に設けられた表示領域１０３の一部には、
電子メールやＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知
らせる表示、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名のほか
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などの様々な情報を表示できる。ま
たは、操作ボタンや、アイコン、スライダーなどの機能を有する画像を表示してもよい。

図１（Ｄ）、（Ｅ）では、カメラ１０５を用いて撮影する場合の例を示している。

ここで、表示部１０１の表示領域１０３の一部を、撮影時の光源として機能する領域１
１１として用いることができる。図１（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、表示部１０１の一部
をカメラ１０５の撮影方向に向けて折り返した状態で、領域１１１から光を射出すること
で、被写体を明るく照らすことができる。

領域１１１は面光源として機能するため、被写体を撮影したときの影をぼかす効果を奏
する。ＬＥＤやフラッシュランプ等の点光源を用いた場合では陰影が強調されすぎてしま
う場合があるが、領域１１１からの発光を用いることで柔らかな印象の像を撮影すること
が可能となる。

また、被写体を照らす光源としてキセノン光源等を用いる場合に比べて、消費電力を極
めて小さくすることができる。そのため、キセノン光源等を用いる場合に別途必要であっ
たバッテリを搭載する必要がない。また、領域１１１の大きさを使用者により自由に設定
できるようにすることが好ましい。領域１１１の面積を大きくするほど、同じ輝度の光を
発するために必要な消費電力を低減することが可能となる。

領域１１１を光源として用いる場合には、例えば領域１１１に亘って同じ色を表示すれ
ばよい。例えば領域１１１に亘って白色を表示する。または、電球色、昼白色、または昼
光色などの色温度を想定し、色温度が２０００Ｋ〜８０００Ｋの範囲の白色を表示しても
よい。領域１１１が表示部１０１の一部であるため、様々な色の光を光源として用いるこ
とができる。または、領域１１１に亘って赤、青、緑、黄色等の白以外の単色を表示して
もよい。

または、領域１１１を２以上の部分に分割し、各々の部分に異なる色の表示を行っても
よい。または、領域１１１に亘って色を連続的に変化させた（グラデーションともいう）
表示を行ってもよい。

また、領域１１１からの発光は、撮影のタイミングに合わせて発光させてもよいし、一
定期間連続的に発光させてもよい。動画撮影時には、撮影中は常時発光させておくことが
好ましい。

また、図１（Ｅ）に示すように、表示領域１０３の折り返していない部分の領域１１２
には、撮影画像を表示できる。このとき、領域１１２に表示される撮影画像は、その縦横
比が所定の値、例えば３：４などになるように表示することが好ましい。使用者は、領域
１１２に表示される画像を見ながら、撮影を行うことができる。また同時に領域１１１か
ら発せられる光の強度や、領域１１１の面積を調整することもできる。

また、表示領域１０３の領域１１３には、写真や動画の撮影情報を表示できる。領域１
１３は領域１１２の近傍に配置すればよく、領域１１２の上、下、右、左のいずれかに配
置してもよいし、２以上に分けて配置してもよい。また領域１１２と領域１１３を重ねて
配置してもよい。領域１１３に表示することのできる撮影情報としては、絞り値、シャッ
タースピード、ＩＳＯ感度、焦点距離などの情報のほか、露出補正やフィルタの設定情報
、撮影画像の画質、解像度、サイズ、階調数などの情報、現在設定されている撮影モード
（マクロモード、夜景モード、逆光モード、オートモード等）の情報などを表示すること
ができる。

［電子機器の他の構成例］
図１では、表示部１０１が筐体１０２の側面まで延在して設けられる場合を示したが、
筐体１０２のカメラ１０５が配置されている面にまで延在して設けられていてもよい。

図２（Ａ）では、筐体１０２の背面側（カメラ１０５が配置されている側）にまで表示
部１０１が延在して設けられている例を示している。このとき、表示部１０１の筐体１０
２の背面に沿って設けられた部分において、一部の領域を領域１１１として機能させるこ
とが好ましい。表示部１０１の折り返した部分に加えて、筐体１０２の背面に沿った部分
も撮影時の光源として機能させることで、発光の輝度を高めることができる。さらに、領
域１１１の面積が増大するため、より被写体のつくる陰影をぼかす効果を高めることが可
能となる。

また、図２（Ａ）に示すように、筐体１０２に光源１０６を別途配置してもよい。光源
１０６としては、例えばＬＥＤなどを用いればよい。こうすることで、用途に応じて光源
を使い分けることができる。

また、図２（Ｂ）に示すように、表示部１０１の筐体１０２の背面に沿って設けられた
部分において、カメラ１０５と重なる部分に開口部を設ける構成としてもよい。カメラ１
０５の周囲を領域１１１で囲うことにより、例えば被写体が極めて近い場合であっても、
好適に被写体を照らすことが可能となる。

また、図３（Ａ）、（Ｂ）では、表示部１０１の表示領域１０３を囲う非表示領域１０
４の一部に、撮影時の光源として機能する発光領域１１４を配置する構成を示している。
発光領域１１４は表示領域１０３の輪郭に沿って設けられている。

発光領域１１４は、非表示領域１０４の一部に重ねて配置されていてもよいし、非表示
領域１０４の全体に亘って配置されていてもよい。また、図３（Ｂ）に示すように、表示
部１０１の一部が筐体１０２の背面側に延在して設けられている場合、筐体１０２の背面
に沿って設けられる非表示領域１０４の一部または全部に発光領域１１４を配置してもよ
い。

発光領域１１４は発光素子を有している。当該発光素子は、表示領域１０３に設けられ
る発光素子と同一の工程で形成されていることが好ましい。また、発光領域１１４は、表
示領域１０３が有する複数の画素を駆動するための回路、または複数の画素や回路と電気
的に接続する配線と重ねて設けられていることが好ましい。

発光領域１１４に複数の発光素子を設け、これらを個別に発光させることのできる構成
とすることが好ましい。好適には、各々の発光素子はパッシブマトリクス駆動により制御
されていることが好ましい。なお、発光領域１１４に亘って一つの発光素子を設けてもよ
いが、個別に発光を制御することで、カメラ１０５の撮影方向に向いた領域のみを発光さ
せることができるため好ましい。

また、表示領域１０３に設けられる複数の画素はアクティブマトリクス駆動により制御
され、発光領域１１４に設けられる発光素子はパッシブマトリクス駆動により制御される
ことが好ましい。このように駆動方式を個別に設定することで、撮影を行わないときには
発光領域１１４を駆動させるための電源電位の供給を遮断することができ、消費電力を低
減できる。さらに、撮影を行う際には、表示領域１０３に表示する画像（例えば撮影画像
）の表示品位を向上させることができる。発光領域１１４は必要に応じて駆動すればよく
、例えば撮影を行う際に領域１１１からの光の光量で十分なときには、発光領域１１４を
駆動させないようにすることもできる。

また、発光領域１１４内の発光素子を発光させるための電圧を、表示領域１０３内の画
素が有する発光素子を発光させるための電圧と異ならせてもよい。例えば、発光領域１１
４内の発光素子を発光させるための電圧を高く設定することで、発光領域１１４からの光
の輝度を、領域１１１からの光の輝度よりも高めることができる。さらに、これらを同時
に発光させることで、より高い輝度の光を被写体に照射することができる。

なお、筐体１０２内に、バッテリ、演算装置や駆動回路などの各種ＩＣが実装されたプ
リント配線基板、無線受信器、無線送信機、無線受電器、加速度センサなどを含む各種セ
ンサなどの電子部品を適宜組み込むことにより、電子機器１００を携帯端末、携帯型の画
像再生装置、携帯型の照明装置などとして機能させることができる。また筐体１０２には
、カメラ、スピーカ、電源供給端子を含む各種入出力端子、光学センサなどを含む各種セ
ンサ、操作ボタンなどを組み込んでもよい。

ここで、上述の電子機器１００は一つの筐体１０２を有する構成を示したが、２以上の
筐体を備えていてもよい。図４（Ａ）乃至（Ｄ）には、３つの筐体を有する電子機器１５
０の構成例を示している。

図４（Ａ）には電子機器１５０を展開した状態を示す。また図４（Ｂ）には電子機器１
５０を折りたたんだ状態を示す。また図４（Ｃ）はカメラ１０５の撮影方向に表示部１０
１の一部を向けた場合を示している。また、図４（Ｄ）は図４（Ａ）中の切断線Ｘ−Ｙに
おける断面概略図を示している。

電子機器１５０は、３つの筐体（筐体１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ）を備え、これら
に表示部１０１が保持されている。２つの筐体間にはヒンジ１５１が設けられ、ヒンジ１
５１を介して表示部１０１を内曲げまたは外曲げすることができる。

筐体１０２ａ、筐体１０２ｂ及び筐体１０２ｃのうち、少なくとも一には上述した電子
部品を組み込むことができる。このとき、各電子部品を複数の筐体のうちのいずれか一に
集約して設けてもよいし、複数の筐体に分散させて設け、ヒンジ１５１を介して筐体間を
つなぐ配線などにより、複数の筐体内の電子部品を電気的に接続する構成としてもよい。
電子部品を複数の筐体に分散させることで、各筐体の厚さを薄くすることが可能となる。

また、図４（Ｄ）に示すように、複数の筐体にそれぞれバッテリ１５２を組み込むこと
が好ましい。各々の筐体にバッテリ１５２を備える構成とすることで、電子機器１５０を
長時間に亘って使用することが可能となる。また、所定の容量を満たすように、小型のバ
ッテリ１５２を各々の筐体内に分散して設けることで、各々のバッテリ１５２の物理的な
厚さを低減することも可能であり、その場合には電子機器１５０の厚さを低減することが
できる。バッテリ１５２としては、積層型の蓄電装置を用いることで、その厚さを低減す
ることができる。例えば積層型のリチウムイオン電池等を用いることができる。

また図５（Ａ）〜（Ｃ）で例示する電子機器１６０は、外側の２つの筐体（筐体１０２
ａ、１０２ｃ）の側面から裏面にかけて、表示部１０１が設けられている。また筐体１０
２ｃの裏面側では、表示部１０１に設けられた開口と重なる位置にカメラ１０５が設けら
れている構成を示している。

このように、複数の筐体を有する場合でも、表示部１０１を筐体の２面以上に沿って配
置することで、電子機器１６０を折りたたんだ場合でも筐体の２面以上に表示させること
が可能となる。

なお、ここでは筐体を３つ有する構成について示したが、筐体の数はこれに限られず、
２つの筐体を有する構成としてもよいし、４つ以上の筐体を有する構成としてもよい。そ
のばあい、複数の筐体の少なくとも一の一面に、カメラ１０５を配置すればよい。

また、上記で例示した各図面において、複数の筐体の厚さを同程度に明示しているが、
これに限られず、各々の筐体の厚さを異ならせてもよい。２以上の筐体の厚さ、好ましく
はすべての筐体の厚さを同程度とすると、電子機器を展開した状態における発光面の水平
性を保持しやすいため好ましい。また、複数の筐体のうちの一つに上記各種電子部品の全
部または大半を集約して、当該筐体を比較的厚さの厚い本体として用い、他の筐体の厚さ
を低減して単に表示部１０１を支持するための部材として用いることもできる。

［表示部の構成例］
図６（Ａ）に、表示部１０１の上面概略図を示す。表示部１０１は可撓性を有する基板
１２０上に表示領域１０３、回路１２１、回路１２２、複数の配線１２３を備える。また
複数の配線１２３と電気的に接続するＦＰＣ１２４が基板１２０に貼り付けられている。
またＦＰＣ１２４にはＩＣ１２５が設けられている。

表示領域１０３は複数の画素を有する。表示領域１０３に設けられる画素は、少なくと
も一つの表示素子を有することが好ましい。表示素子としては、代表的には有機ＥＬ素子
などの発光素子、または液晶素子等を用いることができる。

回路１２１および回路１２２は、表示領域１０３の画素を駆動する機能を有する回路で
ある。例えば、ゲート駆動回路として機能させることができる。なお、ここでは表示領域
１０３を挟んで２つ回路を有する構成としたが、いずれか一つであってもよい。またＦＰ
Ｃ１２４を介して画素に信号を供給する場合には、回路１２１および回路１２２を設けな
い構成としてもよい。

複数の配線１２３は、回路１２１、回路１２２、または表示領域１０３内の画素に電気
的に接続する。また複数の配線１２３の一部がＦＰＣ１２４と接続する端子と電気的に接
続する。

図６（Ａ）では、ＦＰＣ１２４にＣＯＦ方式等により実装されたＩＣ１２５を有してい
る構成を示している。ＩＣ１２５は例えばソース駆動回路として機能させることができる
。または、表示領域１０３に供給する画像信号に対して補正等を行う機能を有していても
よい。なお、可撓性を有する基板１２０上にソース駆動回路として機能しうる回路を設け
る場合や、外部に当該回路を備える場合には、ＩＣ１２５を実装しない構成としてもよい
。また、表示部１０１の画素数が多い場合には、ＦＰＣ１２４を複数設ける構成としても
よい。

ここで、表示領域１０３の画素が発光素子を有している場合、画像を表示する場合と、
撮影時の光源として機能させる場合とで、画素に供給する電位を異ならせるようにするこ
とが好ましい。こうすることで、撮影時の光源として機能させるときに、画像を表示する
場合に比べて発光素子に流れる電流を大きくし、発光素子からの発光輝度を高めることが
できる。例えば、表示領域１０３を撮影時の光源として機能する領域１１１として用いる
場合には、画素に電気的に接続するゲート線として機能する配線、信号線として機能する
配線の両方に、画像を表示する際に用いる電位よりも高い（または低い）電位を供給すれ
ばよい。

そのため、ゲート駆動回路として機能しうる回路１２１、回路１２２は２以上の電位を
画素に供給可能な構成とすればよい。例えば２系統の電源線を配置し、いずれかの電源線
の電位を画素に供給可能な構成とすればよい。また、ソース駆動回路として機能しうるＩ
Ｃ１２５は、出力信号の電位を２以上にして、いずれかの電位を画素に供給可能な構成と
すればよい。例えば、ＩＣ１２５がレベルシフタ回路を有する構成とし、当該レベルシフ
タ回路の出力電位（振幅）を変化させることのできる構成とすればよい。

また、回路１２１および回路１２２を複数に分割し、各々を独立に駆動させる構成とし
てもよい。図６（Ｂ）では、回路１２１を３つ（回路１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ）に
、また回路１２２を３つ（回路１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ）にそれぞれ分割した場合
について示している。また、図６（Ｂ）では、回路１２１ａに電気的に接続する複数の配
線１２６ａ、回路１２１ｂに電気的に接続する複数の配線１２６ｂ、回路１２２ａに電気
的に接続する複数の配線１２７ａ、回路１２２ｂに電気的に接続する複数の配線１２７ｂ
を有する構成を示している。

ゲート駆動回路として機能しうる回路を複数に分割することで、表示部１０１を折りた
たんだ時に隠れる表示領域１０３の一部を駆動させないようにすることが容易となる。ま
たこのとき、回路に供給する電源電位を遮断することが容易となる。その結果、表示部１
０１の消費電力を極めて低いものとすることができる。

また、ゲート駆動回路として機能しうる回路を複数に分割し、それぞれ個別に駆動させ
ることで、表示領域１０３の一部の領域に他の領域とは異なる電位を供給することが容易
となる。その結果、表示領域１０３の一部の領域に画像を表示し、他の一部の領域を撮影
時の光源として機能する領域１１１として用いることが容易となる。例えば図６（Ｂ）に
示す構成では、回路１２１ａ及び１２２ａに供給する電源電位を、回路１２１ｂ、１２２
ｂ、１２１ｃ、及び１２２ｃに供給する電源電位よりも高い（または低い）電位とするこ
とで、回路１２１ａ及び回路１２２ａと電気的に接続する画素からの発光輝度を、他の部
分よりも高くすることができる。

図６（Ｃ）では、回路１２１、回路１２２、および複数の配線１２３と重ねて、撮影時
の光源としての機能を有する発光領域１１４を設けた場合について示している。このよう
に、表示領域１０３の周囲に配置される回路や配線に重ねて発光領域１１４を設けること
で、これらを重ねない場合にくらべて表示部１０１の非表示領域の面積を縮小することが
可能となる。

［表示領域の構成例］
以下では、表示領域１０３に画像を表示するための複数の画素と、当該画素の間に発光
素子を備える場合の例について説明する。

図７（Ａ）は、表示領域１０３に設けられる画素において、画素電極のパターンを示す
上面概略図である。ここでは表示領域１０３に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）または青色（Ｂ
）に対応した３種類の画素を備える場合について説明する。

赤色の光を呈する画素は画素電極１３１Ｒを有する。同様に、緑色の光を呈する画素は
画素電極１３１Ｇを、青色の光を呈する画素は画素電極１３１Ｂをそれぞれ備える。

また、隣接する画素の間には電極１３２が設けられている。電極１３２は、各画素電極
と電気的に分離され、格子状に配置されている。

図７（Ｂ）は、図７（Ａ）中の切断線Ａ−Ｂに対応する表示部１０１の断面概略図であ
る。一例として、図７（Ｂ）では発光素子に白色発光の有機ＥＬ素子が適用されたトップ
エミッション型の発光素子を適用した場合における、発光素子近傍の断面を示している。
なお、より具体的な構成例については後述する。

各画素電極及び電極１３２は絶縁層１４１上に設けられている。また各画素電極及び電
極１３２の端部を覆って絶縁層１４３が設けられている。また各画素電極、電極１３２お
よび絶縁層１４３を覆って発光性の有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層１３３とよぶ）が
設けられている。またＥＬ層１３３を覆って電極１３４が設けられている。

また絶縁層１４１と封止材１４４を介して接着される基板１４２が設けられている。基
板１４２の一面には、カラーフィルタ１３５Ｒ、１３５Ｇ、１３５Ｂがそれぞれ設けられ
ている。赤色の光を透過するカラーフィルタ１３５Ｒは画素電極１３１Ｒと重ねて設けら
れている。緑色の光を透過するカラーフィルタ１３５Ｇは画素電極１３１Ｇと重ねて設け
られている。青色の光を透過するカラーフィルタ１３５Ｂは画素電極１３１Ｂと重ねて設
けられている。また、電極１３２と重なる位置にはカラーフィルタは設けられていない。

また、図７（Ｃ）では塗り分け方式で作製された発光素子を適用した場合を示している
。画素電極１３１Ｒ上には赤色の発光を呈するＥＬ層１３６Ｒが設けられている。同様に
、画素電極１３１Ｇ上には緑色の発光を呈するＥＬ層１３６Ｇが、画素電極１３１Ｂ上に
は青色の発光を呈するＥＬ層１３６Ｂが、それぞれ設けられている。また電極１３２上に
は白色の発光を呈するＥＬ層１３３が設けられている。

なお、ここでは基板１４２にカラーフィルタを設けない構成を示しているが、図７（Ｂ
）に示すように、各画素電極に重なる位置にカラーフィルタを設けてもよい。

このような構成とすることで、表示領域１０３にフルカラーの画像を表示することがで
きる。さらに、電極１３２、ＥＬ層１３３および電極１３４を含む発光素子からの白色発
光（Ｗ）を、撮影時の光源として用いることができる。

またこのような電極１３２を表示領域１０３に複数設けることで、各々の電極を含む発
光素子の発光を個別に制御することが可能となる。例えば、電極１３２を含む発光素子は
、パッシブマトリクス駆動により制御される構成とすると、当該発光素子を駆動するため
に別途トランジスタ等を設ける必要がないため好ましい。

以上が表示領域についての説明である。

なお、表示素子として、発光素子を用いた場合についての例を示したが、本発明の実施
形態の一態様は、これに限定されない。

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置または
表示パネル、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用い
ること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、表示パネル、発光
素子又は発光装置は、例えば、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機
物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、
緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、
電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（Ｇ
ＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカ
ル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ
（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インタ
ーフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉
方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ
、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少なくとも一つを有している。これらの
他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変
化する表示媒体を有していても良い。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬデ
ィスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミ
ッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆ
ａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）
などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶
ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディス
プレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、
又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなどがある。なお、半透
過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、
または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の
一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、そ
の場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これによ
り、さらに、消費電力を低減することができる。

例えば、本明細書等において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、ま
たは、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示部に適用可能な発光パネル
の構成例及び作製方法例について説明する。

＜具体例１＞
図８（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図８（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の
断面図の一例を図８（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を
用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは
、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が
適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば
、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。

図８（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘ
ｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回
路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び封止層８
２３によって封止されている。

図８（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２
１、封止層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３
、接着層８４１、及び基板８０３を有する。封止層８２３、オーバーコート８４９、絶縁
層８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重な
る遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で
覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は封止層８２３で充填されて
いる。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図８（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層
８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層
８４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、ス
タート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図８（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８
２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び
絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２
５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は
電気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口す
る（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰ
Ｃ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５
及び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に
絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる発光パネルを
示している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかける
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１や基板８０３へと転置
することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。

＜具体例２＞
図８（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図８（Ｂ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の
断面図の一例を図８（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光パネルは、具体例１とは異なる、
カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体
例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図８（Ｄ）に示す発光パネルは、図８（Ｃ）に示す発光パネルと下記の点で異なる。

図８（Ｄ）に示す発光パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ
８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図８（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。接
続体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁
層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導
電層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材
料が制限されない。

＜具体例３＞
図９（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図９（Ａ）における一点鎖線Ａ５−Ａ６間の
断面図の一例を図９（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光パネルは、塗り分け方式を用いた
トップエミッション型の発光パネルである。

図９（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有
する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０
１、基板８０３、枠状の封止層８２４、及び封止層８２３によって封止されている。

図９（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２
１、封止層８２３、枠状の封止層８２４、及び基板８０３を有する。封止層８２３及び基
板８０３は可視光を透過する。

枠状の封止層８２４は、封止層８２３よりもガスバリア性が高い層であることが好まし
い。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。

具体例３では、封止層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光パネルから取り出さ
れる。したがって、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図９（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。

図９（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８
２５は、基板８０３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口
を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続してい
る。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現で
きる。

＜具体例４＞
図９（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図９（Ｂ）における一点鎖線Ａ７−Ａ８間の
断面図の一例を図９（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を
用いたボトムエミッション型の発光パネルである。

図９（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１
７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３を
有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及
び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層
８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上
部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている
。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過す
る。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければ
よい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図９（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層
８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実
現できる。

＜具体例５＞
図９（Ｅ）に具体例１〜４とは異なる発光パネルの例を示す。

図９（Ｅ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８
１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、封止層８２３
、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と
電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下
部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１
と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに
設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は
、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０
．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、
該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３
０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い絶縁層８１３等を形成し、基板８０１へと転置するこ
とで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又
は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

＜材料の一例＞
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説
明した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発
光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の
厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、
ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破
損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もし
くは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しに
くい発光パネルを実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であ
ることがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウ
ム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好
適に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを
抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱
放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構
造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹
脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱
膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド
樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリ
プレグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用する
こともできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハード
コート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラ
ミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成
とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることが
できる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基
板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好
ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に
対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１
０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有
機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し
、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を
基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることが
できる。

接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂
、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート
等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または
、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも
一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ
（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁
層８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発
光する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これに
より、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以
下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^−７［
ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とす
る。

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニ
ウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、
及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミド
アミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、
低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させ
ることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、そ
の開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印
刷等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することが
できる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができ
る各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることが
できる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成と
することで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８
２７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに
用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を
用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化
物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等
）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉ
ｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を
透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラ
ーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いるこ
とができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソ
グラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光
を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光
層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、
発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含
む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部
などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるた
め好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設け
ることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オ
ーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用い
ることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料とし
て封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコ
ートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属
膜を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の
、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、
例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用
いることが好ましい。

＜作製方法例＞
次に、発光パネルの作製方法を図１０及び図１１を用いて例示する。ここでは、具体例
１（図８（Ｃ））の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。

まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層８１３を形
成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶
縁層８１７、複数の発光素子、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出
するように、絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口する（図１０（Ａ）
）。

また、作製基板２０５上に剥離層２０７を形成し、剥離層２０７上に絶縁層８４３を形
成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７、着色層８４５、及びオーバーコート８４
９を形成する（図１０（Ｂ））。

作製基板２０１及び作製基板２０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３及び剥離層２０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板２０５の着色層８４５等が設けられた面又は作製基板２０１の発光素
子８３０等が設けられた面に封止層８２３となる材料を塗布し、封止層８２３を介して該
面同士が対向するように、作製基板２０１及び作製基板２０５を貼り合わせる（図１０（
Ｃ））。

そして、作製基板２０１を剥離し、露出した絶縁層８１３と基板８０１を、接着層８１
１を用いて貼り合わせる。また、作製基板２０５を剥離し、露出した絶縁層８４３と基板
８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる。図１１（Ａ）では、基板８０３が導電層
８５７と重ならない構成としたが、導電層８５７と基板８０３が重なっていてもよい。

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ
_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離して
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹
脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、
作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金
属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で
剥離を行ってもよい。

最後に、絶縁層８４３及び封止層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる
（図１１（Ｂ））。なお、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５
７を露出させるために、基板８０３及び接着層８４１も開口する（図１１（Ｃ））。開口
の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビーム
スパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に鋭利な刃物等を用い
て切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

以上により、発光パネルを作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示部に適用可能な、折り曲げ
可能なタッチパネルの構成について、図１２〜図１５を用いて説明する。なお、各層の材
料については実施の形態２を参照することができる。

＜構成例１＞
図１２（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）の一点鎖線
Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１２（Ｃ）は図１２（Ａ）の一点鎖線
Ｅ−Ｆ間の断面図である。

図１２（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８
は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用
いてタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができ
る配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動
回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回
路３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択すること
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動
回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える
。

図１２（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向
する基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができ
る。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／
ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好
ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ
、及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された
積層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ
、及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体であ
る。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリ
イミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合
を有する樹脂を含む材料を接着層に用いることができる。

封止層３６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止層３６０は空気より
大きい屈折率を備える。また、封止層３６０側に光を取り出す場合は、封止層３６０は封
止層３６０を挟む２つの部材（ここでは基板５７０と基板５１０）を光学的に接合する層
（以下、光学接合層ともいう）としても機能する。画素回路及び発光素子（例えば第１の
発光素子３５０Ｒ）は基板５１０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１２
（Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発
光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒ及び第１の発光素子３５０Ｒに電力
を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１２（Ｂ））
。また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば第１の
着色層３６７Ｒ）を備える。

第１の発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、第１の下部電
極３５１Ｒと上部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１２（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３
５３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する
光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのま
ま透過する領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒ
に接する封止層３６０を有する。

第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第
１の発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層３６０及び第１の
着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射
出される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反
射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔ
を覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上
に有する。

タッチパネル３９０は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３
２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔
壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１２
（Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有し
ていてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続され
ていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第
２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを
含む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が
配線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することがで
きるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（
１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３
ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成について
は、実施の形態２を参照できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各
種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステ
ンなどの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例え
ば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する
二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−
アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造
、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタ
ン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタ
ン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その
モリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらに
その上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化イ
ンジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含
む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

＜構成例２＞
図１３（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代
表的な構成要素を示す。図１４は、図１３（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図で
ある。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１３（Ｂ））
。また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお
、基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１
）と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数
の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお
、図１３（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０側）に設けられるタ
ッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１３（Ｂ）
を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適
用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極
５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８
の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置
されている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電
極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例え
ば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５
９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及
び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１
を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基
板５７０に貼り合わせている。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９
１及び電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極
５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高めること
ができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９
２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることが
できる。

一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている
。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。

一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１
を電気的に接続している。

なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一
部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護
することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒ
ｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副
画素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び封止層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒ及び第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

第１の発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を
有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、第１の
発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、第
１の発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す
矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７
ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っ
ている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適
用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性
の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有す
る。

表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する
。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５
１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦ
ＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良
い。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜
を配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１４（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１４（Ａ）に図
示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体
層を、図１４（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用す
ることができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１４
（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜
等を含む半導体層を、図１４（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５
０３ｔに適用することができる。

＜構成例３＞
図１５は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネ
ル５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部
５０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成
例２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１５（
Ａ）に示す第１の発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を
射出する。これにより、第１の発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７
Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図１５（Ａ）
）。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５
９５を貼り合わせる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１５（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１５（Ａ）に図
示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１５（Ｂ）に図示するトランジスタ５
０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１５
（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１５
（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができ
る。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

１００ 電子機器
１０１ 表示部
１０２ 筐体
１０２ａ 筐体
１０２ｂ 筐体
１０２ｃ 筐体
１０３ 表示領域
１０４ 非表示領域
１０５ カメラ
１０６ 光源
１１１ 領域
１１２ 領域
１１３ 領域
１１４ 発光領域
１２０ 基板
１２１ 回路
１２１ａ 回路
１２１ｂ 回路
１２１ｃ 回路
１２２ 回路
１２２ａ 回路
１２２ｂ 回路
１２２ｃ 回路
１２３ 配線
１２４ ＦＰＣ
１２５ ＩＣ
１２６ａ 配線
１２６ｂ 配線
１２７ａ 配線
１２７ｂ 配線
１３１Ｂ 画素電極
１３１Ｇ 画素電極
１３１Ｒ 画素電極
１３２ 電極
１３３ ＥＬ層
１３４ 電極
１３５Ｂ カラーフィルタ
１３５Ｇ カラーフィルタ
１３５Ｒ カラーフィルタ
１３６Ｂ ＥＬ層
１３６Ｇ ＥＬ層
１３６Ｒ ＥＬ層
１４１ 絶縁層
１４２ 基板
１４３ 絶縁層
１４４ 封止材
１５０ 電子機器
１５１ ヒンジ
１５２ バッテリ
１６０ 電子機器
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０５ 作製基板
２０７ 剥離層
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３６０ 封止層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 封止層
８２４ 封止層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層

Claims (1)

1. カメラと、可撓性を有する表示部と、を有する電子機器であって、
   前記表示部は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記カメラの被写体に光を出す機能を有し、
   前記第２の領域は、前記カメラによって撮影された前記被写体の画像を表示する機能を有し、
   前記表示部は、前記第２の領域が前記第１の領域よりも大きくなるように、前記第１の領域と前記第２の領域との間で曲げることができる、電子機器。

Images