JP2019106616A - Mems素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】大きな出力信号を得ることができ、かつハンドル基板の変形を抑制することができるMEMS素子を提供する。【解決手段】バックチャンバー13を備えたハンドル基板7と、ハンドル基板上に、スペーサー10を挟んで固定電極を含む固定電極膜11と可動電極を含む可動電極膜9とが対向配置しているMEMS素子2において、バックチャンバー内に、バックチャンバーの側壁から対向する側壁側に突出するハンドル基板の一部からなる補強部14を備える。補強部は、可動電極膜に対向するハンドル基板の一方の表面とは反対側の他方の表面側に配置され、他方の表面側の側壁間の変形を抑制する。この補強部は、可動電極から所定の寸法だけ離間した構成とすることで、比較的大きな可動電極膜から出力信号を得ることができる。【選択図】図1
Description
本発明は、MEMS素子に関し、特にトランスデューサ等の各種センサとして用いることができるMEMS素子に関する。
例えばMEMS素子を用いたマイクロフォン装置では、図6に示すように実装基板1上にMEMS素子2やこのMEMS素子2から出力された信号を処理する集積回路3のような電子部品を実装し、全体を金属製の蓋部4で覆う構造を採用している。図6に示す例では、MEMS素子2に音圧等が伝搬するように蓋部4に孔部5を形成している。集積回路3の表面は樹脂6で覆い保護している。
図7は、図6に示すMEMS素子2の拡大図である。MEMS素子2は、ハンドル基板7上に絶縁膜8を介して可動電極を含む可動電極膜9が積層し、さらにスペーサー10を介して固定電極を含む固定電極膜11が積層形成されている。なお図7では、集積回路3との接続は図示を省略している。この種のMEMS素子は、例えば特許文献1に記載されている。
ところで図7に示すように、実装基板1上にハンドル基板7が接着部材12によって固着された後、実装基板1上に集積回路3を実装したり、蓋部4を形成する組立工程では、100℃を超えるような加熱処理が行われる場合がある。その際、ハンドル基板7には大きく開口したバックチャンバー13が形成されているため、実装基板1とハンドル基板7との熱膨張や熱収縮の物性の違いにより、図7に示す矢印方向の力や逆方向の力がハンドル基板7に加わってしまう。
その結果、MEMS素子2の形状が歪み、可動電極膜9と固定電極膜11との間の寸法が変動して出力特性が変動してしまうという問題があった。そこで、ハンドル基板7にある程度の力が加わってもMEMS素子2の形状が歪まないようにバックチャンバーの開口面積を小さくし、さらに開口面積の減少によって出力信号が低下する場合には複数のMEMS素子からの出力信号を合算して大きな出力信号を得るように構成することも可能である。
ところで、図7に示すようなMEMS素子2では、可動電極膜9の外周が絶縁膜8とスペーサー10とで挟持されているため、この挟持されている部分近傍の可動電極膜9の振動は小さく、挟持されている部分から離れた可動電極膜9の中心近傍の振動が信号出力に寄与している。上述のように、バックチャンバーの開口面積を小さくし、複数のMEMS素子からの出力信号を合算して大きな出力信号を得ようとすると、信号出力に寄与しない部分の可動電極の面積が増加してしまう。そのため、比較的大きな可動電極を備えたMEMS素子から大きな出力信号を得る方が好ましい。そこで本願発明は、大きな出力信号を得ることができ、かつハンドル基板7の変形を抑制することができるMEMS素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、バックチャンバーを備えたハンドル基板と、該ハンドル基板上に、スペーサーを挟んで固定電極を含む固定電極膜と可動電極を含む可動電極膜とが対向配置しているMEMS素子において、前記バックチャンバー内に、該バックチャンバーの側壁から対向する側壁側に突出する前記ハンドル基板の一部からなる補強部を備え、該補強部は、前記可動電極膜に対向する前記ハンドル基板の一方の表面とは反対側の他方の表面側に配置され、前記他方の表面側の側壁間の変形を抑制することを特徴とする。
本願請求項2に係る発明は、請求項1記載のMEMS素子において、前記ハンドル基板は積層体からなり、前記積層体を構成するハンドル基板は、前記補強部を備えたハンドル基板と前記補強部を備えないハンドル基板とで構成され、前記補強部を備えたハンドル基板は、前記他方の表面側に前記補強部が配置するように積層されていることを特徴とする。
本願請求項3に係る発明は、請求項2記載のMEMS素子において、前記補強部を備えたハンドル基板は、複数の前記補強部を備えたハンドル基板からなることを特徴とする。
本願請求項4に係る発明は、請求項1乃至3いずれか記載のMEMS素子において、前記補強部は、相互に交わる少なくとも2方向に延出する部分を備えていることを特徴とする。
本発明のMEMS素子によれば、実装構造において実装基板に接するハンドル基板の裏面側に補強部を備えることで、実装基板とハンドル基板との間の熱膨張や熱収縮の物性の違いによりハンドル基板を変形させようとする力がハンドル基板7に加わった場合でも、ハンドル基板の変形を抑制することができる。特に本発明の補強部をハンドル基板7に加わる力が大きい位置に配置することで、ハンドル基板の変形を確実に抑制することができる。さらに本発明のMEMS素子は、ハンドル基板の表面側、即ち可動電極膜に対向する表面は、可動電極膜とは離間した形状としているため、可動電極の面積を大きく確保することができ、出力信号の低下を招くことがない。
さらに本発明のMEMS素子によれば、従来のハンドル基板の厚さよりハンドル基板を薄くしてもハンドル基板の変形を抑制できるため、MEMS素子の低背化が可能となるという利点がある。
一方、本発明のMEMS素子は、ハンドル基板を複数のハンドル基板を積層した構造とすることができる。そのため、積層されるハンドル基板それぞれに、ハンドル基板に加わる力に抗する方向に延出する補強部を形成し、補強部の延出方向が交わるように積層することで、異なる方向から加わる力に抗した補強部を用意することが可能となる。さらに補強部を備えたハンドル基板と補強部を備えないハンドル基板とを積層する構造とすることで、バックチャンバーの体積を可能な限り大きくすることができるので、出力信号の大きいMEMS素子が得られるという利点もある。
本発明のMEMS素子は、ハンドル基板と一体となった補強部を備える構造とし、ハンドル基板、あるいは可動電極膜および固定電極膜の変形を抑制する構成としている。この補強部は、可動電極から所定の寸法だけ離間した構成とすることで、補強部により可動電極膜が分割されることはなく、比較的大きな可動電極膜から出力信号を得ることができる構成となっている。以下、本発明に実施例について詳細に説明する。
まず、本発明の第1の実施例のMEMS素子について説明する。本実施例のMEMS素子は、先に説明した図7に示すMEMS素子と比較してハンドル基板のバックチャンバーの構造が異なっている。図1は本発明の第1の実施例のMEMS素子の断面図であって、図2(a)に示すような平面構造を有するバックチャンバーを備えたMEMS素子について、略円形の可動電極膜9の中心を通り、図面左右方向あるいは上下方向に切断した場合の断面(図1a)と、同様に可動電極膜9の中心を通らず、バックチャンバー13と補強部14を横断する断面(図1b)をそれぞれ模式的に示した断面図である。
図1に示すように、シリコン基板からなるハンドル基板7の表面には、シリコン基板を熱酸化して形成した絶縁膜8が積層している。この絶縁膜8上には、導電性のポリシリコン膜からなる可動電極を含む可動電極膜9が積層している。可動電極膜9の応力緩和のため、スリットも形成されている。
可動電極膜9上には、USG(Undoped Silicate Glass)膜からなるスペーサー10を介して導電性のポリシリコン膜からなる固定電極を含む固定電極膜11が形成されている。固定電極膜11には、音等を可動電極膜9に伝えるための貫通孔が形成されている。さらに図示しない配線部が形成されている。このようにハンドル基板7上の形状、製造方法等は周知のMEMS素子の形状、製造方法等と同一である。
次に本発明の特徴であるバックチャンバーの構造について説明する。従来のMEMS素子は、ハンドル基板7の裏面側から表面側に達する1個の貫通孔によってバックチャンバー13が形成されている(図7)。これに対し本実施例のMEMS素子は、ハンドル基板7の一部にバックチャンバーを分割するように補強部14が形成されている(図2a)。この補強部14は、バックチャンバー13の周囲のハンドル基板7同様に、ハンドル基板7をエッチング除去せず残して形成できる。その結果、ハンドル基板7と補強部14は一体に形成される(図1a)。またこの補強部14の間にはバックチャンバー13が形成されていることがわかる(図1b)。
この補強部14は、ハンドル基板7の変形を抑制するために形成されているので、例えば、図2(a)のように十字形状のように交わる2方向の変形を抑えることができる形状とするのが好ましい。この場合、例えば図1に矢印で示す方向、あるいはその逆向きの方向の力がハンドル基板7に加わった場合でも、補強部14を配置することで、ハンドル基板7が変形することはない。同様に、図1(a)(b)に矢印で示すそれぞれの方向と異なる方向の力がハンドル基板7に加わった場合でも、図1に示すように補強部14を配置することで、ハンドル基板7が変形することはない。
図1に示す例では、補強部14はハンドル基板7の厚さと同じ厚さとしている。そのため可動電極膜9中心の可動電極膜9に対向する位置に補強部14が配置し、可動電極膜9の振幅が制限されることになる。そこで、十分な大きさのMEMS素子の出力信号が得られるように、絶縁膜8の厚さを設定すれば良い。なお、可動電極膜9に対向する位置に配置している補強部14は、可動電極膜9の破損を防止するストッパーとして使用することが可能である。可動電極膜9の振幅が制限されることは、出力信号の大きさの制限にもつながるため、図2(b)に示すように可動電極膜9の振幅の大きい領域には補強部14を形成しない形状とする等、補強部14の形状は適宜設定すれば良い。
次に第2の実施例について説明する。図3は本発明の第2の実施例の断面図を示す。上述の第1の実施例では、補強部14の厚さをハンドル基板7の厚さと同じ厚さに形成していたが、本実施例では、補強部14の厚さをハンドル基板7より薄くしている。また補強部14をハンドル基板7の裏面側に配置している。
図3に示すように本実施例の補強部14は、実装基板1と接合するハンドル基板7の裏面側に配置している。実装基板1から受ける力はハンドル基板7の裏面側に加わるため、補強部14をハンドル基板7の裏面側に配置すれば、補強部14の厚さが薄くても十分にハンドル基板7の変形を抑制することが可能となる。
なお、図3に示す補強部14を形成する場合、予めハンドル基板7表面にバックチャンバーに相当する深さの凹部を形成しておき、一旦犠牲層を充填して平坦化してハンドル基板7表面に所望の構造を形成させ、その後、薄く残るハンドル基板7にバックチャンバー13を形成し、平坦化のために使用した犠牲層を除去すれば、簡便に形成することができる。
次に第3の実施例を説明する。上述の第2の実施例で説明したMEMS素子を形成する場合、バックチャンバーを形成するため、比較的深い凹部を形成し、その平坦化を行う必要があり、製造工程が複雑になる。そこで、ハンドル基板を図4に示すようにハンドル基板7a、7bのように分割して積層構造とすることで簡便に製造することが可能となる。この場合、通常の方法により形成した補強部を備えていないハンドル基板7aを備えたMEMS素子を、補強部14を形成したハンドル基板7bに積層する。図4に示す例では、ハンドル基板7aの厚さがハンドル基板7bの厚さより厚く形成されているが、これに限定されることはない。
次に第4の実施例を説明する。上述の第3の実施例で説明したMEMS素子では、ハンドル基板7aをハンドル基板7bに積層した例について説明したが、図5に示すように、さらにハンドル基板7cを積層する構造としても良い。この場合、補強部14の形状を一方のバックチャンバーの側面から対向する側面に向かって延出する形状とし、ハンドル基板7bとハンドル基板7cとを補強部14b、14cの延出方向がそれぞれ異なる方向となるように積層している。ここで積層体となるハンドル基板7b、7cが、実装基板1側に配置することで、ハンドル基板7bに加わる力に対し、補強部14b、14cが一体となって、ハンドル基板7b、7c、7aの変形を抑制することができる。なお、補強部14b、14cが個々に延出構造が異なる形状を備えている場合には、それぞれの形状が重なるように配置してもよい。
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上述の実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。例えば補強部14は、実装基板1からハンドル基板7に加わる力に抗してハンドル基板7の変形を抑制する位置に配置されることは必須であるが、図2等で図示したようにハンドル基板7等の裏面側の表面と実装基板1に対向する補強部14の表面とが同一面上となる位置に配置することは必須の要件ではなく、適宜設定すればよい。
1:実装基板、2:MEMS素子、3:集積回路、4:蓋部、5:孔部、6:樹脂、7、7a、7b、7c:ハンドル基板、8絶縁膜、9:可動電極膜、10:スペーサー、11:固定電極膜、12:接着部材、13:バックチャンバー、14:補強部
Claims (4)
- バックチャンバーを備えたハンドル基板と、該ハンドル基板上に、スペーサーを挟んで固定電極を含む固定電極膜と可動電極を含む可動電極膜とが対向配置しているMEMS素子において、
前記バックチャンバー内に、該バックチャンバーの側壁から対向する側壁側に突出する前記ハンドル基板の一部からなる補強部を備え、
該補強部は、前記可動電極膜に対向する前記ハンドル基板の一方の表面とは反対側の他方の表面側に配置され、前記他方の表面側の側壁間の変形を抑制することを特徴とするMEMS素子。 - 請求項1記載のMEMS素子において、前記ハンドル基板は積層体からなり、前記積層体を構成するハンドル基板は、前記補強部を備えたハンドル基板と前記補強部を備えないハンドル基板とで構成され、前記補強部を備えたハンドル基板は、前記他方の表面側に前記補強部が配置するように積層されていることを特徴とするMEMS素子。
- 請求項2記載のMEMS素子において、前記補強部を備えたハンドル基板は、複数の前記補強部を備えたハンドル基板からなることを特徴とするMEMS素子。
- 請求項1乃至3いずれか記載のMEMS素子において、前記補強部は、相互に交わる少なくとも2方向に延出する部分を備えていることを特徴とするMEMS素子。
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