JP2019101357A - 半導体装置及び半導体装置の位置検出方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の位置検出方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体位置検出装置100の平面図である。図1(b)は、図1(a)において半導体位置検出装置100をA−A’線に沿って切断した場合の要部を拡大した断面図である。
すなわち第1の実施形態を用いた半導体装置の製造方法を採用することにより、半導体装置の歩留まりや信頼性を向上させることが出来る。
図3(a)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体位置検出装置200の平面図である。図3(b)は、図3(a)において半導体位置検出装置200をB−B’線に沿って切断した場合の要部を拡大した断面図である。
また、第2の実施形態を用いた半導体装置の製造方法についても、第1の実施形態と同様であり、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図4(a)は、本発明の第3の実施形態に係る半導体位置検出装置300の平面図である。図4(b)は、図4(a)において半導体位置検出装置300をC−C’線に沿って切断した場合の要部を拡大した断面図である。
絶縁膜302はスクライブライン305上の全面に形成されておらず、認識マーク303を含む領域の下のみに形成されていることは、第2の実施形態と同様である。
また、第3の実施形態を用いた半導体装置の製造方法についても、第1の実施形態と同様であり、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
例えば、上記実施形態においては、半導体位置検出装置は一方向に延在するスクライブライン上の途中の領域に形成されていたが、縦横のスクライブラインが交差する領域でもよく、また、スクライブライン上でなくてもよい。個々の半導体装置の内部や、半導体装置が形成されない半導体基板の最外周領域など、半導体装置の座標認識の役割が果たせるのであれば、その配置はどこであっても構わない。
102、202、302 絶縁膜
103、203、303 認識マーク
104、204、304 剥離抑制膜
304a シリコン窒化膜
304b シリコン酸化膜
105、205、305 スクライブライン
106、206、306 層間絶縁膜
107、207、307 剥離抑制膜開口部分
108、208、308 重なり部分
Claims (7)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された認識マークと、
前記認識マーク上に形成された剥離抑制膜とを有し、
前記剥離抑制膜は、前記認識マーク上であって、平面視において前記認識マークを含み前記認識マークより広い領域に形成され、前記認識マークの外周部分において前記認識マークとの重なり部分を有し、前記重なり部分の内側の領域に開口部分を有する半導体位置検出装置を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記認識マークが、金属層からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属層が、前記半導体装置において配線に用いられる金属層であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記認識マークの外側の領域に前記半導体基板の表面が露出する領域を有し、
前記剥離抑制膜の一部が前記半導体基板の表面に接していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記重なり部分の幅が10μm以上、50μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表面に形成する半導体装置の位置検出方法であって、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の前記半導体位置検出装置に、位置検出のための照射レーザーを、前記重なり部分と前記開口部分とに渡って走査し、前記照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行うことを特徴とする、半導体装置の位置検出方法。 - 半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された認識マークと、
前記認識マーク上に形成された剥離抑制膜とを有し、
前記剥離抑制膜は、前記認識マーク上であって、平面視において前記認識マークを含み前記認識マークより広い領域に形成され、前記認識マークの外周部分において前記認識マークとの重なり部分を有し、前記重なり部分の内側の領域に開口部分を有する半導体位置検出装置を備え、
位置検出のための照射レーザーを、前記重なり部分と前記開口部分とに渡って走査し、
前記照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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