JP2019096640A - 塗布装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】塗布装置において、待機時のノズル先端で塗布剤が乾燥することを効果的に防止する。【解決手段】塗布処理の休止時においてノズル21を待機させる待機室31と、キャリアガス中に溶剤SLを含ませるバブリング処理を行なうバブリング室32とを備え、バブリング室32が待機室31の外部に設けられるとともに、バブリング室32においてバブリング処理を行なうことによって溶剤SLを含ませたキャリアガスが接続経路を介して待機室31に供給される。【選択図】図1

Description

本発明は、液晶表示装置や半導体装置などの電子機器などを製造する際において、製造途中のワークである基板などの表面に溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置に関するものである。
従来、溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤(例えば、レジスト)をノズルより吐出して塗布する塗布装置では、塗布動作が一定時間以上なされずに放置される待機時において、ノズル先端の塗布剤中の溶剤が気化し、塗布剤の粘度が変化する。その状態で塗布すると吐出不良の問題や塗布剤の膜厚精度が不安定になる問題が発生する場合があることから、これら塗布装置においては、塗布を再開する前にノズル先端に残された塗布剤を排出し廃液するダミーディスペンス処理など行なう方法が採られる場合や、溶剤貯めを設けるなどにより溶剤雰囲気を有した待機室を設けて、この待機時にノズル先端を当該待機室内に退避することで、ノズル先端の塗布剤の粘度変化、つまり、乾燥を防止しようとする方法が採られる場合が多かった。後者の方法では、溶剤雰囲気における溶剤の蒸気圧を所定範囲とするために溶剤貯めに温度調節(加熱)機能が設けられる場合もある。
また、上記説明したダミーディスペンス処理を行なう場合には、廃液される材料が無駄になること、一方、溶剤雰囲気を有した待機室を設ける方法を採った場合にも、待機室内での乾燥防止が不充分であることにより、吐出不良や膜厚精度が不安定となることが発生する場合があること、結局、ダミーディスペンス処理と併用されることとなり、廃液される材料が無駄になることなどを問題点として挙げて、待機室内での乾燥防止を更に進めることを意図した塗布装置が幾つか提案されている。
例えば、特許文献1においては、溶剤貯めを設けるなどにより溶剤雰囲気を有した待機室内の溶剤濃度の変動を防ぐために、ノズルと待機室間にOリングなどを配すことで密閉度を上げたうえで、待機室内へのパージガスの供給と、溶剤貯めに対する溶剤の供給をプログラムにより、タイミング、シーケンスなどを管理した構成とした塗布装置や、特許文献2においては、既存の塗布装置と同様に待機室内に溶剤貯めを設けて溶剤雰囲気とするとともに、溶剤貯めの溶剤中において窒素ガスをバブリングさせることにより、待機室内の溶剤濃度を高めることを意図した塗布装置が提案されている。この特許文献2に開示された塗布装置では、溶剤中でバブリングさせることで気泡状態のガスと溶剤の接触面積が増大されることから、供給されるガス中の溶剤濃度が概ね飽和濃度となり、待機室内の溶剤雰囲気を飽和濃度に近づけることができる点で乾燥防止に対しては効果的な方法である。
特開2001−203151号公報 特開平5−6854号公報
然しながら、上記特許文献1に開示された塗布装置においては、待機室内の溶剤雰囲気の変動を少なくすることに対しては、ある程度効果が得られるかもしれないが、待機室の雰囲気に対する溶剤の供給については、溶剤貯め内の溶剤表面からの揮発に任されている。一方、塗布処理が行われている間は、待機室は外部に開放された状態であり、待機室内の溶剤濃度は低下することになり、パージガスの供給時においても、溶剤濃度は低下することになる。従って、これらの溶剤濃度の低下要因により一度下がった溶剤濃度について、溶剤表面からの揮発によって溶剤が雰囲気に対して供給飽和濃度に至るまでに時間差を生じる。つまり、待機室内にノズルが待機されている間において、待機室内の溶剤雰囲気が飽和濃度になっていない状態が存在することとなる。その間には、ノズル先端に付着した塗布剤からも溶剤が揮発することとなり、当該塗布剤の粘度変化と、それに伴う不具合を生ずることとなり、結局、乾燥防止は充分でないことになる。
また、特許文献1の塗布装置、特許文献2の塗布装置の両者ともに、他の既存技術と同様に溶剤貯めが待機室内に設けられることから、溶剤貯めに対する溶剤供給が待機室内に設けられる溶剤貯めに対して行なわれることとなり、特にノズルが待機されている間において、溶剤供給が行われると、ノズルに溶剤が付着し塗布不良を引き起こす可能性がある。特に、特許文献2の塗布装置においては、待機室内に設けられる溶剤貯めに対してバブリングがされることから、特にバブリング時に飛沫が飛び易く、より以上にノズルに溶剤が付着し塗布不良を引き起こす可能性が高いことになる。また、特許文献1の塗布装置、特許文献2の塗布装置の両者ともに、塗布処理が行われている間は、待機室は外部に開放された状態であり、その開放された状態で待機室内に設けられる溶剤貯めからは溶剤が揮発され続けることとなり、溶剤使用量の増加を招く問題もある。
本発明は、上記説明の様な課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置において、ノズル先端で塗布剤が乾燥することによる吐出不良やノズルに溶剤が付着することによる塗布不良を防ぐこと、塗布剤の膜厚精度の安定を維持すること、ノズルの待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤の使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤の使用量を削減することなどを可能とする塗布装置を得るものである。
本発明の塗布装置においては、溶剤を含んだ塗布剤を吐出して塗布するノズルによる塗布処理の休止時において、当該ノズルを待機させる待機室と、液体として貯められた溶剤、その貯められた溶剤内に配置され、導入されたキャリアガスを前記貯められた溶剤内において発生する気泡に変換するフィルタ、およびそのフィルタに対して接続して設けられ、気泡に変換されるキャリアガスを供給する供給経路を備えることにより、前記のキャリアガス中に溶剤を含ませるバブリング処理を行なうバブリング室とを備え、このバブリング室は、待機室の外部に設けられるとともに、当該バブリング室においてバブリング処理を行なうことによって溶剤を含ませた前記のキャリアガスが、バブリング室と待機室間を接続して設けられる接続経路を介して、待機室に供給されるものである。
溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置において、ノズル待機室の外部より、溶剤中でバブリングすることで溶剤濃度を高めたガスを供給することにより、ノズル待機中においてノズル先端で塗布剤が乾燥することを効果的に防止することができる。
本発明の実施の形態1のレジスト塗布装置の概略図である。 本発明の実施の形態1のレジスト塗布装置の要部説明図である。 本発明の実施の形態1の第1の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。 本発明の実施の形態1の第2の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。 本発明の実施の形態1の第3の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。 本発明の実施の形態2のレジスト塗布装置の要部説明図である。 本発明の実施の形態2の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。 本発明の変形例のレジスト塗布装置のノズルの形態と塗布動作を示した説明図である。
実施の形態1.
本発明を適用した実施の形態1のレジスト塗布装置の構成について図1及び図2を用いて説明する。ここで、図1は本実施の形態1のレジスト塗布装置の全体図を示した説明図、図2は発明の要部となるノズル待機部の詳細を示した説明図である。なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図中、既出の図において説明したものと同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。以下の図においても同様とする。
本実施の形態1のレジスト塗布装置は、図1に示されるとおり、塗布処理部10と、レジスト供給部20と、ノズル待機部30と、廃液系統部40とで構成されている。
まず、塗布処理部10は、レジストRE(塗布剤)の塗布対象となるワークとなる基板Wを真空吸着して保持する真空チャック11と、真空チャック11の背面側の中央部に連結され、真空チャック11の下側面に対して垂直方向、下方側に延在して設けられる回転軸12と、真空チャック11上に保持された基板Wを側方より覆うよう設けられるカップ13と、回転軸12に連結され、真空チャック11および保持された基板Wを回転動作するモータ(図示省略)などにより構成されている。また、カップ13の下部には、塗布処理部10内でのレジストRE(塗布剤)の塗布処理が行なわれた際に、基板W上に塗布されず不要となったレジストRE(塗布剤)を排液(排出)するために排出口13dが設けられ、廃液配管42に接続される。
また、レジスト供給部20は、塗布剤であるレジストREを吐出するノズル21と、ノズル21について、上下方向、或いは、水平方向に動作する駆動機構(図示省略)と、レジストREの新液を収容するレジスト収容タンク22と、レジスト収容タンク22からノズル21までレジストREを供給するレジスト供給配管23と、レジスト供給配管23の途中に設けられ、レジストREをノズル21まで送出する手段となるベローズポンプ24などにより構成されている。なお、この送出する手段としては、ベローズポンプ24を設ける方法に限られず、例えば、レジスト収容タンク22を密閉構造として、窒素ガスや乾燥空気などを供給することにより昇圧し、レジスト供給配管23の途中に供給バルブを配置して、供給バルブの開閉動作により、ノズル21からのレジストREの吐出動作を制御するようにしても良い。
また、ノズル待機部30は、レジスト塗布装置において、塗布剤であるレジストREを塗布しない塗布処理の休止時においてノズル21が待機動作される部分であって、図1に示されるとおり、基板Wの上方から外れた位置に設けられる。また、その構成としては、ノズル待機室31と、バブリング室32などよりなるが、本実施の形態1のレジスト塗布装置の特徴的な構成となることから、ノズル待機部30を構成する各構成について、図2を用いて詳細に説明する。図2では、ノズル21が待機動作を行う途中の状態を示しており、ノズル21がノズル待機室31に一部挿入された状態である。まず、ノズル待機室31は、樹脂からなる中空の箱状の筺体部31aを備えており、この筺体部31aの底部に溶剤SLが貯められる。また、筺体部31aの底部には、適宜、溶剤SLを外部に排出させることができるように、排出口31dが設けられ、廃液配管42に接続される。溶剤SLは、適宜、上記排出動作されることなどにより、液面が管理され、ノズル21がノズル待機室31内の所定位置まで挿入された際にもノズル21先端が溶剤SLに触れることが無い程度に、ノズル21先端と液面の距離が設定される。なお、溶剤SLは、レジストREを構成する溶剤として一般的な溶剤を用いることができるが、具体的には、例えば、乳酸エチル、ペグミア、酢酸ブチルなどを用いることができる。
筺体部31aの上面には、ノズル21が挿入される開口部となるノズル挿入口31oと、ノズル挿入口31oを取り囲む円筒状の周壁部31bが設けられる。周壁部31bの内径はノズル21の外径より、若干程度大きく形成されている。それにより、ノズル21がノズル待機室31の周壁部31bに接触することなく進入することができる。一方、挿入されるノズル21には、ノズル21がノズル待機室31内の所定位置まで挿入された際に、上記の周壁部31bを外側より覆うように、ゴム材などによりなる蓋部材21cが取り付けられている。蓋部材21cは、図示されるとおり、カップ形状、或いは、はかま形状に設けられ、その内径は周壁部31bの外径と概ね同等に形成されている。待機中、つまり、ノズル21がノズル待機室31内の所定位置まで挿入された状態で、蓋部材21cとノズル21本体との隙間にノズル待機室31の周壁部31bが嵌合され、蓋部材21cは周壁部31bと協働してノズル挿入口31oを封止する役割をする。つまり、蓋部材21cと周壁部31bにより、ノズル21がノズル待機室31内に挿入された状態において、ノズル挿入口31oを封止する封止機構として機能する。
ノズル挿入口31oの下側には、開閉動作が可能な開閉シャッタ31sが設けられる。更に、開閉シャッタ31sが閉まった状態で、ノズル挿入口31oが外部に対して封止されるように、ノズル挿入口31oの下側にゴム材などによるパッキング材31pが設けられる。なお、開閉シャッタ31sは、基本的にはノズル21がノズル待機部30に無い状態、つまり、ノズル21の待機中以外では閉まった状態となり、ノズル21が待機される前後において、ノズル21の挿抜状態に同期して開閉動作するように機能するものである。開閉シャッタ31sの開閉動作については、メカ的にノズル21の挿抜状態に同期する機構を設けても良いし、開閉シャッタ31sに駆動系を有した動作機構を持たせて、ノズル21の挿抜状態を別途センサなどにより認識させて、当該情報によって、挿抜状態に同期して開閉シャッタ31sを開閉動作させても良い。
また、ノズル待機室31の筺体部31a側面には、バブリング室32とノズル待機室31間を接続して設けられる接続経路となる配管であって、バブリング室32内で溶剤SLを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスをノズル待機室31に供給するキャリアガス供給配管35(以下、キャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35と呼ぶ)が接続される。また、バブリング室32の構成としては、液体として貯められた溶剤SLと、この溶剤SL内の底部に配置され、導入された気体を気泡BBに変換するフィルタであるバブリングフィルタ33と、このバブリングフィルタ33に対して接続され、気泡BBに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管36を備えている。また、バブリング室32内で生成された溶剤SLを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスを採取するために、バブリング室32の上部において、キャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35の一端が接続されている。
バブリングフィルタ33を構成するフィルタ材としては、ある程度、微細な網目構造を有したメッシュ体、微細孔を有したスポンジ材、或いは、微細孔を有した焼結体などを用いることができる。キャリアガス供給配管36から供給されるキャリアガスより、ある程度微細な径の気泡BBを生成し、バブリング効果が得られるバブリングフィルタ33を用いることが望ましい。特に、気泡BBの径が50μm以下となるマイクロバブリングができることが、バブリング室32を経たキャリアガスに対して、より高濃度(限界まで、その温度における飽和濃度に近づく程度の高濃度)の溶剤SLを含ませることができる点で望ましい。その為には、バブリングフィルタ33を構成するフィルタ材の微細な網目構造、微細孔の径についても、少なくとも100μm以下とすることが望ましい。
また、キャリアガス供給配管36には、バブリング室32の外部に設けられるキャリアガス供給源34が接続される。キャリアガス供給源34としては、キャリアガスに窒素ガスを用いるのであれば、窒素ガスボンベを用いても良い。或いは、キャリアガスに乾燥空気を用いるのであれば、乾燥空気の供給源として一般的な構成となる昇圧ポンプと、各種フィルタ(乾燥フィルタ、ダスト除去フィルタ、ケミカルフィルタなど)などを組み合わせた構成を用いると良い。
また、図示されるとおり、キャリアガス供給配管36の途中には、バブリング室32に供給するキャリアガスについて、供給状態と供給停止状態を制御できるように、エアオペレーションバルブや電磁弁などの制御バルブ36aを設けると良い。或いは、キャリアガス供給源34自体に供給状態と供給停止状態を制御する制御機構を備える構成としても良い。更に、ノズル待機室31内の溶剤SLの濃度を所望の濃度に管理できるように、これら制御バルブ36aやキャリアガス供給源34が備える制御機構における供給状態と供給停止状態の切り替え動作(つまり、バブリング室32内において溶剤SLを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスをノズル待機室31内に導入するか否かに対応)を管理する制御システム(図示省略)を備えていても良い。
当該制御システムの機能としては、例えば、タイマー機能(計時機能)を備え、供給状態(バブリング室32内のキャリアガスをノズル待機室31内に導入する状態)とする際の1回の所定時間について管理する機能、供給状態(バブリング室32内のキャリアガスをノズル待機室31内に導入する状態)とする所定の頻度を管理する機能、具体的には、所定の頻度として、一定の時間間隔で行なう運用とし、その時間間隔により供給状態とするタイミングを管理する機能、或いは、所定の頻度として、ノズルの待機時間(休止時間)の長さを計測するとともに、その待機時間が所定時間を超えたか否かにより供給状態(バブリング室32内のキャリアガスをノズル待機室31内に導入する状態)とするタイミングを管理する(具体的には待機時間が所定時間を超えた場合に供給を開始する)機能などが挙げられる。
また、ノズル待機室31の筺体部31aにおいては、その底部に貯められた溶剤SLの液面よりも少なくとも上部となる何れかの部分に、排気配管37が接続される。この排気配管37により、上記のキャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35を介して筺体部31a内に導入された溶剤SLを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスの導入量に応じて、筺体部31a内の気体が排出されるように機能する。排気配管37には、適宜、逆止弁(逆流防止弁)37aが設けられることにより、上記溶剤SLを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスの導入量の大小に応じて、筺体部31a内の気体を必要量排出させることができる。
なお、上記の筺体部31a内の気体の排気配管37による排出先については、適当な排気先に接続すれば良いが、例えば以下のとおりとすれば良い。つまり、塗布処理部10においても、レジストREの塗布処理時において、レジストRE内の溶剤が揮発されることで、溶剤の混入された気体が発生されることから、当該溶剤の混入された気体が塗布装置の外部に漏れないように排気される構成が採られている。従って、上記の排気配管37による排気と塗布処理部10からの排気とを併せて、所定の排気先に接続すれば良い。
続いて、廃液系統部40について説明する。廃液系統部40においては、図1に示されるとおり、塗布処理部10のカップ13の下部より排液(排出)されるレジストRE(塗布剤)よりなる廃液DLや、ノズル待機部30のノズル待機室31より排液(排出)される溶剤SLよりなる廃液DLなどのレジスト塗布装置内で発生した各廃液DLについて、回収し一旦貯めて置く廃液タンク41と、これらカップ13やノズル待機室31の下部に設けられる排出口31dと上記廃液タンク41間を接続し、廃液DLを廃液タンク41に向けて排液(排出)する経路となる廃液配管42とを備えている。
なお、レジストRE(塗布剤)と溶剤SLを分けて回収する必要がある場合には、廃液タンク41をレジストRE(塗布剤)回収用と溶剤SL回収用と、それぞれ別途設けても良い。その場合には、廃液配管42についても、塗布処理部10のカップ13から排液されるレジストRE(塗布剤)用の系統と、ノズル待機室31より排液(排出)される溶剤SL用の系統と、それぞれ分けて接続すれば良い。
また、廃液タンク41には、下部に廃液タンク41内に貯められた廃液DLを排出する排出口41dを設けておくと良い。廃液DLについて再生処理して再利用する場合や、そのまま廃棄物として廃棄処理する場合など、運用方法に応じて、排出口41dよりも後段の処理について適宜設定すれば良い。例えば、排液口の後段に運搬可能な排液容器を配して、排液容器を別所に搬出し、再利用や廃棄などの処理に進めることも可能である。或いは、排液口の後段に再生処理システムを直結して配置しても良いし、後段に他の装置からの排液もまとめて保管する大型の排液タンクを配置して接続されるようにしても良い。
また、廃液タンク41の構成としては、図示されるような、廃液タンク41内に廃液DLを直接貯め置いて、上記説明の排出口41dを設けて排出可能とする構成ではなく、廃液タンク41内に、別途、運搬可能な排液容器を収納し、その排液容器中に廃液DLを回収し、排液容器を別所に搬出することにより、廃液タンク41内に回収した廃液DLを以降の処理に進める構成としても良い。
続いて、本実施の形態1のレジスト塗布装置の動作について説明する。このレジスト塗布装置によりレジストREを塗布する動作については、従来と同様であるので、簡単に説明する。レジストREの塗布動作時においては、図1中にて、ノズル21が2ヵ所に図示されているうちの右側の位置、つまり、塗布処理部10の位置に示される位置で塗布動作が行われる。
この塗布動作時においては、レジストRE(塗布剤)の塗布対象のワークとなる基板Wを真空チャック11により真空吸着することにより保持し、図示されるとおり、この基板Wの中央部にノズル21が配置された状態で、ノズル21の先端より、レジストREが滴下される。ノズル21よりレジストREが滴下される動作においては、レジスト供給部20において、レジスト収容タンク22よりレジストREを送出する手段として設けられる構成となるベローズポンプ24などが動作することにより、レジスト供給配管23を経由して、ノズル21先端までレジストREが供給される。そして、ノズル21先端より基板Wの中央部に向ってレジストREが吐出され、レジストREの基板W上への滴下動作が行われる。
その後、基板Wを保持したままで、真空チャック11が回転軸12に連結されて設けられるモータにより駆動され、回転動作することにより、基板W上の中央部に滴下されたレジストREが基板Wの表面全体に拡がり、概ね均一な厚みに塗布される。また、基板W上に塗布されるに際して、余剰のレジストREについては、基板W上より遠心力により振り飛ばされ、基板Wの周囲に設けられたカップ13の壁面などに付着した後、カップ13の下部に設けられる排出口13dを介して、廃液配管42に流れることで、廃液DLとして廃液タンク41まで排出される。
本実施の形態1のレジスト塗布装置におけるレジストREの塗布動作については、以上説明のとおりであるが、本実施の形態1のレジスト塗布装置の動作としては、特に上記説明したレジストREの塗布動作の合間に発生する待機時の動作に特徴がある。この待機時においては、図1中にて、ノズル21が2ヵ所に図示されているうちの左側の位置、つまり、ノズル待機部30の位置に示される位置で、この待機時における動作が行われる。待機時においては、図示されるとおり、ノズル21はノズル待機部30におけるノズル待機室31内に挿入された状態となる。
なお、レジストREの塗布動作より、この待機時の動作に切り替わる際においては、先に説明したレジストREの塗布動作時の位置より、図1中に左右方向の矢印により動作方向が示されるとおり、ノズル21の駆動機構が動作することによって塗布処理部10の位置よりノズル待機部30の位置までノズル21が移動される。このノズル21の移動の際には、この駆動機構の動作により、適宜、上下方向の移動動作を行いながら、水平方向に移動動作される。これらノズル21の移動動作を経て、ノズル21の待機時の動作が行なわれることになるが、その詳細については、図2のノズル待機部30の構成説明図を用いて以下説明を行う。
図2においては、先にも説明したとおり、ノズル21が待機動作を行う途中の状態を示しており、ノズル21がノズル待機室31に一部挿入された状態であるが、例えば、本実施の形態1のレジスト塗布装置においては、この図2の状態に至る少し前における塗布処理部10の位置よりノズル待機部30の位置までノズル21が移動動作を開始した時点において、キャリアガス供給配管36の途中に設けられた制御バルブ36aを動作させることで、キャリアガス供給源34からバブリング室32へのキャリアガスの供給を開始する。バブリング室32に供給されたキャリアガスは、図2に示されるとおり、バブリング室32内のバブリングフィルタ33を介してバブリング室32内の溶剤SL内でバブリング処理されることにより、溶剤SL内で微細な径の気泡BBの状態のキャリアガスとして供給される。その結果、キャリアガスと溶剤SLの接触面積が気泡BBの径の細かさの程度に応じて飛躍的に大きくなり、キャリアガス中へ溶剤SLが高濃度に含まれるように調整されることになる。
そして、上記のとおり、溶剤SLを高濃度に含むように調整されたキャリアガスが、バブリング室32内の溶剤SLの液面の上部に生成され、バブリング室32とノズル待機室31間の接続経路となるキャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35を介して、ノズル待機室31の筺体部31a内に導入される。このノズル待機室31の筺体部31aの容積に比べて、数倍程度の容積を占める高濃度に溶剤SLが含まれるキャリアガスが供給されることで、筺体部31a内の雰囲気は、この溶剤SLを高濃度に含むように調整されたキャリアガスにより置換されて、充分に高濃度化される。
この筺体部31a内の雰囲気が溶剤SLによって充分に高濃度化された状態で、図2に示される状態を経て、ノズル21がノズル待機室31の筺体部31a内に完全に挿入されることにより、ノズル21の待機動作が行われる。ノズル21が待機動作に入る前におけるキャリアガスの導入だけであっても、筺体部31aの雰囲気は溶剤SLにより高濃度化され、ノズル21の待機動作中における乾燥を防止する点で顕著な効果が得られるが、ノズル21が筺体部31a内に挿入動作される際に、開閉シャッタ31sの開閉動作を伴うこともあり、多少、筺体部31a内の雰囲気が外部に漏れると共に、筺体部31a内に外部の雰囲気が混入する場合も想定されることになる。その結果、ノズル21が筺体部31a内に挿入された直後においては、筺体部31a内の雰囲気において、溶剤SLの濃度が若干低下することが懸念される。
以上を踏まえると、キャリアガス供給源34からのバブリング室32へのキャリアガスの供給、つまり、バブリング室32からのノズル待機室31への溶剤SLを高濃度に含むように調整されたキャリアガスの供給については、ノズル21の待機動作中も継続されることが望ましい。ノズル21が挿入動作される際に溶剤SL濃度が低下した筺体部31a内の雰囲気が、バブリング室32よりキャリアガスが供給されることによって完全に置換され、再び高濃度まで戻るまでは、少なくとも継続されることが望ましい。また、それも難しい場合には、ノズル21が筺体部31a内に挿入される動作が完了するまで、ノズル待機室31へバブリング室32よりキャリアガスの供給が行われることにより、筺体部31a内は外部雰囲気に対して、多少、陽圧にすることができ、ノズル21が筺体部31a内に挿入動作される際に外部雰囲気が侵入することを殆ど生じ無くする効果が得られる。
以上説明を行った本実施の形態1のレジスト塗布装置においては、ノズル待機室31の外部に別途設けられたバブリング室32内において、溶剤SL内に設けられたバブリングフィルタ33を介することで導入されたキャリアガスが微細な径の気泡BBの状態のキャリアガスとして溶剤SL内に供給されることにより、キャリアガスと溶剤SLの接触面積が気泡BBの径の細かさの程度に応じて飛躍的に大きくなり、キャリアガス中へ溶剤SLが高濃度に含まれるように調整される。特に、バブリングフィルタ33について、気泡BBとして、その径が50μm以下となるマイクロバブリングができるものとすることにより、キャリアガス中の溶剤SLの濃度を飽和蒸気圧程度まで効果的に高めることができる。
そして、その溶剤SLが高濃度に含まれるキャリアガスがノズル待機室31内に導入されて、ノズル待機室31内の雰囲気について、当該溶剤SLが高濃度に含まれるキャリアガスにより置換される。そのノズル待機室31内の雰囲気が溶剤SLによって充分に高濃度化され、ノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、ノズル21が待機動作されることから、待機時におけるノズル21の先端部において、塗布剤であるレジストREが乾燥することを効果的に防止することができる。
従って、ノズル21の待機後においては、基本的には従来行なっていたダミーディスペンス処理を省略することも可能となる。或いは、ダミーディスペンス処理を行なうとしても、その回数について大幅に削減することができる。何れにしても、ダミーディスペンス処理を行なう際に廃棄されることになるレジストREの使用量を大幅に削減することができる。
また、キャリアガス中の溶剤SLの濃度を高濃度化するバブリング処理がノズル待機室31と別途設けられたバブリング室32内において行われることから、バブリング処理の際に生ずる溶剤SLの飛沫がノズル21に影響することも無い。従って、ノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を生ずることも無い。更に、キャリアガスの入出部分を除いて外部に対して閉じた空間となるバブリング室32内においてバブリング処理が行われることから、溶剤SLが無駄に揮発され続けて、使用量の増加を招くことも無い。
更に、本実施の形態1では、バブリング室32よりノズル待機室31内に対してキャリアガスを供給するタイミングについて、管理する制御機構を設け、適宜、その機能を用いることによって、溶剤SLの使用量を削減することもできる。特に、バブリング室32よりノズル待機室31内に対してキャリアガスを供給するタイミングの管理に関して、先に具体的に説明したように、供給するタイミングについて、所定時間の一定間隔で行なう設定、或いは前記塗布処理の休止時間が所定時間を超えた場合に行なう設定などを用いることにより、溶剤SLを含んだキャリアガスの供給について、乾燥を防ぐ効果が得られるために必要最小限とし、乾燥を防ぐ効果と溶剤SLの使用量を削減する効果について両立して得られるよう最適化することも可能である。
以上説明のとおり、本実施の形態1のレジスト塗布装置においては、ノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル21の先端部でレジストREが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストREの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル21の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストREの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤SLの使用量を削減することなどが可能となる。
上記のとおり説明を行なった実施の形態1のレジスト塗布装置においては、バブリング室32において、溶剤SLを高濃度に含ませるキャリアガスについて、バブリング室32の外部に設けられる窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源34により供給する構成について説明を行った。また、バブリング室32内で溶剤SLを高濃度に含ませたキャリアガスを流し続けることにより、溶剤SLが浪費されることも懸念して、バブリング室32よりノズル待機室31内に対してキャリアガスを供給するタイミングについて管理する制御機構を設けて、適宜、ノズル待機室31への溶剤SLを高濃度に含ませたキャリアガスの供給について必要最小限化する構成を用いた例について説明した。そこで、実施の形態1のレジスト塗布装置を少し変形した変形例として、ノズル待機部30における特にバブリング室32へキャリアガスを供給する構成について変更を加えた2例の変形例となるレジスト塗布装置について、以下、それぞれ、第1の変形例については図3を用いて、第2の変形例については図4を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態1からの変更点に重点をおいて説明を行う。
先ず、実施の形態1の第1の変形例のレジスト塗布装置について、図3を用いて説明を行う。この実施の形態1からの変更点の要部を示す図3は、実施の形態1における図2に対応し、ノズル待機部30より変更されたノズル待機部30Aの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態1の第1の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部30Aにおいては、図3に示されるとおり、バブリング室32においてバブリングフィルタ33に対して接続され、気泡BBに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管36について、その一端がノズル待機室31の筺体部31aに接続されている。筺体部31aにおけるキャリアガス供給配管36が接続される部分には、排気口37dが設けられ、キャリアガス供給配管36が接続されている。また、キャリアガス供給配管36の途中には、ポンプ36pが設けられる。つまり、以上の構成を備えることにより、バブリング室32に供給されるキャリアガスとして、ノズル待機室31の筺体部31a内の雰囲気が導入されることとなる。
実施の形態1の第1の変形例のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態1からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態1の第1の変形例のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。この第1の変形例のレジスト塗布装置の動作としては、ノズル21の待機時以外の動作については、実施の形態1で説明したとおりであることから説明を省略し、以下、ノズル21の待機時に関係する動作について説明する。先ず、図中のポンプ36pが動作されることにより、キャリアガス供給配管36に沿って矢印が付されているとおり、矢印の向きにキャリアガス供給配管36中を気体が流れる。具体的には、ノズル待機室31の筺体部31a内の雰囲気、つまり、筺体部31a内の気体がキャリアガス供給配管36中を通り、キャリアガス供給配管36が接続されるバブリング室32内のバブリングフィルタ33に流れることになる。そして、ノズル待機室31の筺体部31a内の気体がキャリアガスとしてバブリングフィルタ33に導入されることにより、気泡BBに変換され、気泡BBの状態でバブリング室32内の溶剤SLと接触され、溶剤SLが高濃度に含むよう調整される。
その後、バブリング室32とノズル待機室31間の接続経路となるキャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35を介して、溶剤SLが高濃度に含むよう調整されたノズル待機室31の筺体部31a内の気体が、再びノズル待機室31の筺体部31a内に導入される。つまり、ノズル待機室31内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させることになる。また、更にポンプ36pの動作が継続されると、ノズル待機室31の筺体部31a内に導入された溶剤SLが高濃度に含むよう調整された気体は、再び、キャリアガス供給配管36中を通って、バブリングフィルタ33に導入されることになる。つまり、ノズル待機室31の筺体部31a内の雰囲気に対して、何度もバブリング処理が行なわれ、溶剤SLを高濃度に含むように調整がされることにより、効果的にノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めることができる。
以上のとおり、ノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、適宜、ノズル21をノズル待機室31の筺体部31a内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態1と同様に、待機時におけるノズル21の先端部において、塗布剤であるレジストREが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ノズル待機室31の筺体部31a内の雰囲気に対して、何度もバブリング処理が行なわれ、溶剤SLを高濃度に含むように調整がされること、或いは、予め溶剤SLを高濃度に含んだキャリアガスに対して、更にバブリング処理が行なわれ、キャリアガス中への溶剤SLの更なる高濃度化が行なわれることにより、実施の形態1の構成よりも、更に効果的に上記のレジストREが乾燥することを防止できることになる。
また、この第1の変形例の場合には、ノズル待機室31内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させることから、ノズル21の待機中も含めて、絶えず、バブリング室32よりノズル待機室31中へのキャリアガスの供給を続けても、既に溶剤SLを高濃度に含んだノズル待機室31内の雰囲気(気体)に対して、バブリング室32内でバブリング処理した際において、当該気体に対して追加して混入されるバブリング室32内の溶剤SLの量は僅かである。従って、このバブリング室32内の溶剤SLが消費されることは殆ど無く、使用量について顕著に増加することは無い。また、ノズル待機室31中にキャリアガスを供給するタイミングなどを管理する制御機構を設ける必要も無くなることとなり、装置構成を単純化することも可能となる。
なお、この第1の変形例では、バブリング室32の外部に設けられる窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源34の設置を省略することが可能となり、省略した場合には、更に装置構成を単純化することが可能となる。また、逆に、バブリング室32に供給するキャリアガスとして、実施の形態1において用いた窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源34と、ノズル待機室31内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させる構成を併用しても良い。
例えば、キャリアガス供給配管36の途中において、キャリアガス供給源34に接続される配管と、ノズル待機室31に接続される配管の2系統を備え、途中に系統を切り替える切り替え機構を備える構成とする。装置動作としては、最初はキャリアガス供給源34に接続される配管系統より、バブリング室32に窒素ガスや乾燥空気よりなるキャリアガスを供給し、これらのキャリアガスをバブリング室32中でバブリング処理することにより、溶剤SLを含ませたうえ、ノズル待機室31に導入する。その後、切り替え機構により、ノズル待機室31に接続される配管系統に切り替えることで、ノズル待機室31内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させる動作とする。以降は、例えば、ノズル21の待機動作中において、継続してバブリング室32よりノズル待機室31中へのキャリアガスの供給を続けてもノズル待機室31内の雰囲気が再循環されることとなり、溶剤SLの使用量の増加を伴わない。また、キャリアガスとして、最初は窒素ガスや乾燥空気など、ある程度、管理された気体をベースとして、ノズル待機室31内の雰囲気を構成することができ、ノズル待機室31内の雰囲気を所望の状態に管理し易い点で望ましいことになる。
また、この第1の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態1と共通していることから、実施の形態1のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル21の先端部でレジストREが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストREの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル21の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストREの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤SLの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
続いて、実施の形態1の第2の変形例のレジスト塗布装置について、図4を用いて説明を行う。この実施の形態1からの変更点の要部を示す図4は、実施の形態1における図2、或いは、先に説明した第1の変形例における図3に対応し、ノズル待機部30より変更されたノズル待機部30Bの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態1の第2の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部30Bにおいては、図4に示されるとおり、バブリング室32においてバブリングフィルタ33に対して接続され、気泡BBに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管36について、その一端が廃液タンク41に接続されている。また、キャリアガス供給配管36の途中には、ポンプ36pが設けられる。つまり、以上の構成を備えることにより、バブリング室32に供給されるキャリアガスとして、廃液タンク41内の雰囲気が導入されることとなる。
また、廃液タンク41内の雰囲気をキャリアガスとして導入するため、廃液タンク41内における気体の存在する部分より雰囲気を採取できるように、キャリアガス供給配管36は廃液タンク41の筺体における廃液DLの液面よりも少なくとも上部となる壁面の何れかの部分に接続されている。なお、廃液タンク41は、実施の形態1の図1を用いて説明したとおり、塗布処理部10のカップ13の下部より排液(排出)されるレジストRE(塗布剤)よりなる廃液DLや、ノズル待機部30のノズル待機室31より排液(排出)される溶剤SLよりなる廃液DLなどのレジスト塗布装置内で発生した各廃液DLについて、回収し一旦貯めて置く構成である。
実施の形態1の第2の変形例のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態1からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態1の第2の変形例のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。この第2の変形例のレジスト塗布装置の動作としては、ノズル21の待機時以外の動作については、実施の形態1で説明したとおりであることから説明を省略し、以下、ノズル21の待機時に関係する動作について説明する。先ず、図中のポンプ36pが動作されることにより、キャリアガス供給配管36に沿って矢印が付されているとおり、矢印の向きにキャリアガス供給配管36中を気体が流れる。具体的には、廃液タンク41内の雰囲気、つまり、廃液タンク41内の気体がキャリアガス供給配管36中を通り、キャリアガス供給配管36が接続されるバブリング室32内のバブリングフィルタ33に流れることになる。この廃液タンク41内の雰囲気としては、レジストREよりなる廃液DLや溶剤SLよりなる廃液DLが廃液タンク41内に貯められていることから、これらの廃液DLより、揮発成分である溶剤SLが気体となって大気中に混入された状態となる。つまり、予め、比較的高濃度の溶剤SLが混入された気体により構成される。
そして、この溶剤SLが混入された気体によりなる廃液タンク41内の気体がキャリアガスとしてバブリングフィルタ33に導入されることにより、気泡BBに変換され、気泡BBの状態でバブリング室32内の溶剤SLと接触され、予め、比較的高濃度の溶剤SLが混入された気体よりなる廃液タンク41内の気体に対して、更に溶剤SLの濃度が高濃度化される。その後、バブリング室32とノズル待機室31間の接続経路となるキャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35を介して、溶剤SLについて、より高濃度に含むようバブリング処理された廃液タンク41内の気体が、ノズル待機室31の筺体部31a内に導入される。従って、ノズル待機室31の筺体部31a内の雰囲気について、予め、比較的高濃度の溶剤SLが混入された気体に対して、更にバブリング処理が行なわれ、溶剤SLを高濃度に含むように調整がされることにより、効果的にノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めることができる。
以上のとおり、ノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、適宜、ノズル21をノズル待機室31の筺体部31a内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態1と同様に、待機時におけるノズル21の先端部において、塗布剤であるレジストREが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ノズル待機室31の筺体部31a内の雰囲気について、予め溶剤SLを高濃度に含んだ廃液タンク41内の気体よりなるキャリアガスに対して、更にバブリング処理が行なわれ、キャリアガス中への溶剤SLの更なる高濃度化が行なわれることにより、実施の形態1の構成よりも、更に効果的に上記のレジストREが乾燥することを防止できることになる。
また、この第2の変形例の場合には、キャリアガスとして、予め溶剤SLを高濃度に含んだ廃液タンク41内の雰囲気が利用されることから、ノズル21の待機中も含めて、絶えず、バブリング室32よりノズル待機室31中へのキャリアガスの供給を続けても、予め溶剤SLを高濃度に含んだ気体に対して、バブリング室32内でバブリング処理した際において、当該気体に対して追加して混入されるバブリング室32内の溶剤SLの量は僅かである。従って、このバブリング室32内の溶剤SLが消費されることは殆ど無く、使用量について顕著に増加することは無い。また、ノズル待機室31中にキャリアガスを供給するタイミングなどを管理する制御機構を設ける必要も無くなることとなり、装置構成を単純化することも可能となる。また、バブリング室32の外部に設けられる窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源34の設置を省略することが可能となり、更に装置構成を単純化することが可能となる。
また、この第2の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態1と共通していることから、実施の形態1のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル21の先端部でレジストREが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストREの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル21の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストREの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤SLの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
上記のとおり説明を行なった実施の形態1のレジスト塗布装置からの2つの変形例においては、特にバブリング室32内に設けられる溶剤SLの浪費を防ぐ観点で、ノズル待機部30におけるバブリング室32へキャリアガスを供給する構成について変更を行ったものであった。同じく、バブリング室32内に設けられる溶剤SLの浪費を防ぐ観点からの別の方法としては、キャリアガスの供給方法を変更するのではなく、溶剤SLを貯め置いてバブリング処理を行なうバブリング室32自体について、溶剤SLを高濃度に含んだ液体である廃液DLが貯め置かれる構成となる廃液タンク41に置き換えることによっても、溶剤SLの使用量を削減することにつながる。そこで、実施の形態1のレジスト塗布装置より、バブリング室32について、バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク41Bにより代替する変更を加えたレジスト塗布装置の第3の変形例について、以下、図5を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態1からの変更点に重点をおいて説明を行う。
この実施の形態1からの変更点の要部を示す図5は、実施の形態1における図2に対応し、ノズル待機部30より変更されたノズル待機部30Cの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態1の第3の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部30Cにおいては、図5に示されるとおり、実施の形態1におけるバブリング室32の代わりに設けられた廃液タンク41Bを備えており、その廃液タンク41Bの構成としては、貯められた廃液DL内の底部にバブリングフィルタ33を配置することでバブリング処理が可能な構成としている。つまり、廃液タンク41Bはバブリング室32の機能を兼ねていることになる。また、廃液タンク41B内でバブリング処理されることにより生成された溶剤SLを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスを採取するために、廃液タンク41Bの上部において、キャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35の一端が接続されている。なお、廃液タンク41Bは、上記のとおり、バブリングフィルタ33や、キャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35の一端が接続される構成であること以外については、実施の形態1の図1を用いて説明したとおり、塗布処理部10のカップ13の下部より排液(排出)されるレジストRE(塗布剤)よりなる廃液DLや、ノズル待機部30のノズル待機室31より排液(排出)される溶剤SLよりなる廃液DLなどのレジスト塗布装置内で発生した各廃液DLについて、回収し一旦貯めて置く構成となる。
また、バブリングフィルタ33は、導入された気体を気泡BBに変換するフィルタであること、バブリングフィルタ33を構成するフィルタ材の構成、更に、このバブリングフィルタ33に対して接続され、気泡BBに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管36を備えていること、更に、キャリアガス供給配管36には、バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク41Bの外部に設けられるキャリアガス供給源34が接続されること、キャリアガス供給配管36の途中には制御バルブ36aが設けられることなどについては、実施の形態1と同様の構成を備えていれば良い。
実施の形態1の第3の変形例のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態1からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態1の第3の変形例のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。この第3の変形例のレジスト塗布装置の動作としては、ノズル21の待機時以外の動作については、実施の形態1で説明したとおりであることから説明を省略し、以下、ノズル21の待機時に関係する動作について説明する。先ず、初めの動作としては、実施の形態1と同様であるが、この図5の状態に至る少し前における塗布処理部10の位置よりノズル待機部30の位置までノズル21が移動動作を開始した時点において、キャリアガス供給配管36の途中に設けられた制御バルブ36aを動作させることで、キャリアガス供給源34からバブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク41Bへのキャリアガスの供給を開始する。バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク41Bに供給されたキャリアガスは、図5に示されるとおり、廃液タンク41B内のバブリングフィルタ33を介して廃液タンク41B内の廃液DL内でバブリング処理されることにより、廃液DL内で微細な径の気泡BBの状態のキャリアガスとして供給される。その結果、キャリアガスと溶剤SLの接触面積が気泡BBの径の細かさの程度に応じて飛躍的に大きくなり、キャリアガス中へ廃液DL中に混在される揮発成分となる溶剤SLが高濃度に含まれるように調整されることになる。
そして、上記のとおり、溶剤SLを高濃度に含むように調整されたキャリアガスが、廃液タンク41B内の廃液DLの液面の上部に生成され、廃液タンク41Bとノズル待機室31間の接続経路となるキャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管35を介して、ノズル待機室31の筺体部31a内に導入される。以降については、基本的には実施の形態1と同様の動作となるが、このノズル待機室31の筺体部31aの容積に比べて、数倍程度の容積を占める高濃度に溶剤SLが含まれるキャリアガスが供給されることで、筺体部31a内の雰囲気は、この溶剤SLを高濃度に含むように調整されたキャリアガスにより置換されて、充分に高濃度化される。
以上のとおり、ノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、適宜、ノズル21をノズル待機室31の筺体部31a内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態1と同様に、待機時におけるノズル21の先端部において、塗布剤であるレジストREが乾燥することを効果的に防止することができる。
また、この第3の変形例の場合には、バブリング処理に用いられ、キャリアガスに含ませる溶剤SLについては、バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク41B内における廃液DL中に混在される揮発成分となる溶剤SLが再利用されることから、ノズル21の待機中も含めて、絶えず、当該バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク41Bよりノズル待機室31中へのキャリアガスの供給を続けても、そもそも通常は廃棄される廃液DL内の溶剤SLが消費されるだけであり、バブリング処理を行なうために新規に準備された溶剤が消費されることは無い。また、ノズル待機室31中にキャリアガスを供給するタイミングなどを管理する制御機構を設ける必要も無くなることとなり、装置構成を単純化することも可能となる。
また、この第3の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態1と共通していることから、実施の形態1のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル21の先端部でレジストREが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストREの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル21の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストREの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。なお、この第3の変形例では、乾燥防止のために用いられる溶剤SLについては、廃液DL内の溶剤SLを代用していることから、新規に乾燥防止のために溶剤SLを用いることが不要となり、新規に準備する溶剤SLという観点では消費自体が無いとも言えることになる。
実施の形態2.
以上説明を行った実施の形態1およびその変形例のレジスト塗布装置においては、バブリング処理を行いキャリアガス中に溶剤SLを含ませるバブリング室32や廃液タンク41Bと、ノズル待機室31内とで、それぞれの温度について特に管理することなく、基本的には両者ともに室温であることを想定した構成であった。溶剤SLの乾燥(気化)のし易さや結露(液化、或いは凝縮)のし易さに相関する雰囲気中の溶剤SLの濃度および飽和蒸気圧については、温度により変動し、ある温度において、その雰囲気が含むことのできる溶剤SLの最大濃度については、その温度における飽和蒸気圧により決まる。つまり、バブリング処理を行いキャリアガス中に溶剤SLを含ませるバブリング室32や廃液タンク41Bと、ノズル待機室31内とで、両者の温度の関係により、ノズル待機室31内の雰囲気が溶剤SLの乾燥(気化)が進む雰囲気であるか、逆に溶剤SLの結露(液化、或いは凝縮)が進む雰囲気であるかが決まることになる。
先に説明した実施の形態1およびその変形例のレジスト塗布装置においては、両者の温度が概ね室温であって、同等であることから、バブリング処理により溶剤SLの濃度において高濃度化されたキャリアガスの状態、つまり、溶剤SLが乾燥し難いキャリアガスの状態であることが、ノズル待機室31内の雰囲気として導入された後でも、概ね変動が無く、大きく問題となることは無い。然しながら、両者の温度の関係を適正に制御、管理することにより、ノズル待機室31内の雰囲気について、溶剤SLの乾燥について、より発生し難くするとともに、悪影響を生ずるような結露を生じない雰囲気とすることも可能である。そこで、バブリング処理を行うバブリング室32の構成について、温度制御を行う機能を有するように変更を行った実施の形態2のレジスト塗布装置について、以下、図6を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態1からの変更点に重点をおいて説明を行う。
先ず、実施の形態2のレジスト塗布装置の構成について、図6を用いて説明を行う。この実施の形態1からの変更点の要部を示す図6は、実施の形態1における図2に対応し、ノズル待機部30より変更されたノズル待機部30Dの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態2のレジスト塗布装置のノズル待機部30Dにおいては、図6に示されるとおり、バブリング室32内に、ハブリング室32内の溶剤SLについて温度管理する機能として、加熱機構の一例となる加熱ヒータ38が備えられる。なお、加熱ヒータ38は、溶剤SLの温度を測定する温度センサと連動して、溶剤SLの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構に接続される構成とされることが望ましい。つまり、加熱ヒータ38に加えて、溶剤SLの温度を測定する温度センサと、溶剤SLの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構を備えていることが望ましい。
また、図示されるとおり、更に、ノズル待機室31内の温度を測定する温度センサSMを備えて、上記説明した溶剤SLの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構については、この温度センサSMにより測定されたノズル待機室31内の温度との相対比較により、溶剤SLの温度を所定の温度範囲に管理する機能を有することが望ましい。なお、レジスト塗布装置がクリンルーム内などの室温の温度管理がされる環境に置かれていて、ノズル待機室31内の温度の変動などが殆ど無い場合には、上記の温度センサSMを省略することも可能である。その場合には、上記説明した溶剤SLの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構は、温度センサSMが測定したノズル待機室31内の温度の代わりに、その変動が少なく管理されたノズル待機室31内の通常の温度を用いて、その温度との相対比較により、溶剤SLの温度を所定の温度範囲に管理すれば良いことになる。
また、温度調節機構により管理される対象となる溶剤SLの温度についての所定の温度範囲については、具体的には、ノズル待機室31内の温度に比べて、少なくとも高い温度範囲に溶剤SLの温度が管理されることが望ましい。なお、ノズル待機室31内の温度に比べて、溶剤SLの温度について、高い温度範囲とするだけであれば、加熱ヒータ38のみを備え、最低限、過剰な昇温が防止されるよう、所定の時間周期で加熱ヒータ38による加熱のオンオフがされる構成のみが配置されるようにし、上記の温度調節機構の設置を省略することもできる。
また、より好ましい所定の温度範囲としては、溶剤SLの温度がノズル待機室31内の温度に比べて、少なくとも高い温度範囲とされるとともに、その高い温度の範囲としては、3度未満の範囲とされることが好ましい。
実施の形態2のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態1からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態2のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。本実施の形態2のレジスト塗布装置の動作としては、上記のとおり、加熱ヒータ38と温度調節機構が動作することにより、ハブリング室32内の溶剤SLの温度について、ノズル待機室31内の温度より、或いは室温よりも高い所定の温度範囲に調整されることを除いて、実施の形態1で説明したとおりであることから説明を省略する。
実施の形態2のレジスト塗布装置の作用としては、上記説明のとおり、ハブリング室32内の溶剤SLの温度について、少なくとも加熱機構となる加熱ヒータ38が設けられ、ノズル待機室31内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高い温度範囲に調整される。その結果、ハブリング室32内でバブリング処理される際において、溶剤SLが昇温されていることにより、溶剤SLの飽和蒸気圧が高くなり、それに伴って、キャリアガス或いは気泡BBが含むことのできる溶剤SLの最大濃度についても高くすることができる。つまり、キャリアガス中の溶剤SLの濃度について、より高濃度化することができる。
また、バブリング処理されたことにより、キャリアガス中の溶剤SLの濃度について、その温度における飽和蒸気圧まで高めることができなかったとしても、ハブリング室32内の温度よりも低い温度となる室温相当のノズル待機室31にキャリアガスが導入されることより、飽和蒸気圧が下がり、ノズル待機室31内の温度においては、キャリアガス中における溶剤SLの濃度は飽和蒸気圧に対して、より近づくように高められることなる。つまり、ノズル待機室31の雰囲気について、より溶剤SLの乾燥が発生し難い雰囲気とすることができる。
更に、温度調節機構を設け、ハブリング室32内における溶剤SLの温度について、ノズル待機室31内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、3度未満の範囲で高くなる所定範囲に管理されることによって、先に説明したとおり、当該温度の溶剤SL内で行なわれるバブリング処理を経て、当該温度における飽和蒸気圧に近づく程度まで高濃度化されたキャリアガス中における溶剤SLの濃度について、ノズル待機室31内において、数度程度、キャリアガスの温度が下がることにより、更に、飽和蒸気圧に対して近づくように、或いは、飽和蒸気圧を少し超えて、若干、結露(液化、或いは凝縮)が発生する程度まで高められることとなる。また、ハブリング室32内における溶剤SLの温度と、ノズル待機室31内の温度の差が3度未満の範囲の程度に制御、或いは管理されていることから、上記のとおり、ノズル待機室31との温度差が比較的高く、結果として、飽和蒸気圧を少し超えて、若干、結露(液化、或いは凝縮)が発生した際においても、過剰に結露(液化、或いは凝縮)することは無い。従って、ノズル21の表面などから結露した溶剤SLが落下することや、レジストREが結露した溶剤SLにより薄まることによって塗布不良などが発生することも無い。つまり、確実に乾燥を生じない雰囲気であるとともに過剰に結露(液化、或いは凝縮)することも生じない適切な雰囲気に安定化することができる。
以上のとおり、本実施の形態2では、ノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度、或いは飽和蒸気圧を少し超えた程度まで高めた状態で、適宜、ノズル21をノズル待機室31の筺体部31a内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態1と同様に、待機時におけるノズル21の先端部において、塗布剤であるレジストREが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ハブリング室32内における溶剤SLの温度について、ノズル待機室31内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高く設定されること、更に、3度未満の範囲で高くなる所定範囲に管理されることにより、ノズル待機室31の雰囲気について、より溶剤SLの乾燥が発生し難い雰囲気とすることができる。更に、確実に乾燥を生じない雰囲気である一方、過剰な結露が生ずることもない適切な雰囲気に安定化することができる。
また、本実施の形態2では、基本的な装置構成については、実施の形態1と共通していることから、実施の形態1のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル21の先端部でレジストREが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストREの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル21の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストREの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤SLの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
上記のとおり説明を行なった実施の形態2のレジスト塗布装置においては、ハブリング室32内の溶剤SLの温度について、加熱機構となる加熱ヒータ38や温度調節機構が設けられ、ノズル待機室31内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高い温度範囲に調整することが可能な構成した例について説明を行ったが、バブリング処理される際におけるキャリアガスの温度について、ノズル待機室31内の温度に比べて同様の温度調整が行うことにより、実施の形態2と同様の効果が得られる。そこで、実施の形態2のレジスト塗布装置を少し変形した変形例として、ノズル待機部30Dにおける特にバブリング室32へキャリアガスを供給する構成について変更を加えたレジスト塗布装置の変形例について、以下、図7を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態2からの変更点に重点をおいて説明を行う。
先ず、実施の形態2の変形例のレジスト塗布装置の構成について、図7を用いて説明を行う。この実施の形態2からの変更点の要部を示す図7は、実施の形態2における図6に対応し、ノズル待機部30Dより変更されたノズル待機部30Eの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態2の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部30Eにおいては、図7に示されるとおり、バブリング室32には、特に加熱機構や温度調節機構を設けることなく、キャリアガス供給源34とバブリングフィルタ33との間を接続し、キャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管36の途中において、加熱機構や温度調節機構を設けた構成に変更することとした。より具体的には、キャリアガス供給配管36の途中に、加熱機構として、加熱ヒータ38と、加熱ヒータ38を収容する加熱室39を設けた構成とした。また、実施の形態2と同様に、加熱ヒータ38には、加熱室39内の温度を測定する温度センサと連動して、加熱室39内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構に接続される構成とされることが望ましい。つまり、加熱ヒータ38に加えて、加熱室39内のキャリアガスの温度を測定する温度センサと、加熱室39内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構を備えていることが望ましい。
また、実施の形態2と同様に、図示されるとおり、更に、ノズル待機室31内の温度を測定する温度センサSMを備えて、上記説明した加熱室39内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構については、この温度センサSMにより測定されたノズル待機室31内の温度との相対比較により、加熱室39内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する機能を有することが望ましい。なお、レジスト塗布装置がクリンルーム内などの室温の温度管理がされる環境に置かれていて、ノズル待機室31内の温度の変動などが殆ど無い場合には、上記の温度センサSMを省略することも可能である。その場合には、上記説明した加熱室39内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構は、温度センサSMが測定したノズル待機室31内の温度の代わりに、その変動が少なく管理されたノズル待機室31内の通常の温度を用いて、その温度との相対比較により、加熱室39内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理すれば良いことになる。
また、加熱室39内のキャリアガスの温度を管理する際に目安となる所定の温度範囲と、その作用については、実施の形態2における溶剤SLの温度を管理する際の目安となる所定の温度範囲と、その作用と同様であることから、ここでは重複説明を省略することにする。
以上のとおり、この実施の形態2の変形例においても、実施の形態2と同様に、ノズル待機室31内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度、或いは飽和蒸気圧を少し超えた程度まで高めた状態で、適宜、ノズル21をノズル待機室31の筺体部31a内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態2と同様に、待機時におけるノズル21の先端部において、塗布剤であるレジストREが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ハブリング室32内に供給されるキャリアガスの温度について、ノズル待機室31内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高く設定されること、更に、3度未満の範囲で高くなる所定範囲に管理されることにより、ノズル待機室31の雰囲気について、より溶剤SLの乾燥が発生し難い雰囲気とすることができる。更に、確実に乾燥を生じない雰囲気である一方、過剰な結露を生ずることもない適切な雰囲気に安定化することができる。
また、この実施の形態2の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態1或いは実施の形態2と共通していることから、実施の形態1或いは実施の形態2のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル21に溶剤SLが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル21の先端部でレジストREが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストREの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル21の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストREの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤SLの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
以上説明を行なった実施の形態1、2、およびそれら変形例においては、先端部に1つの円形の塗布剤の吐出口を有したノズル21より、塗布剤としてレジストREを基板Wの中央部に滴下塗布し、基板Wを保持する真空チャック11を回転動作することにより、基板W上の中央部に滴下されたレジストREが基板Wの表面全体に拡がり塗布する中央滴下方式のレジスト塗布装置に適用した例により説明を行った。一方、本発明は、図8に示すように、スリット状の塗布剤の吐出口25oを有したノズル25を水平方向(図中に矢印にてノズル25の動作方向を示す)に移動動作することにより、基板W上に、塗布剤であるレジストREを平面状に塗布するスリットコータ方式のレジスト塗布装置に適用しても良く、上記説明を行った実施の形態1、2、およびそれら変形例で得られる効果と同様の効果が得られる。特に、このスリットコータ方式のレジスト塗布装置においては、上記のとおり、比較的広い面積のスリット状の吐出口25oを有することから、ノズル25の先端部のレジストが乾燥することによる吐出不良についても、ノズル25の先端部に溶剤SLが付着することによる塗布不良についても発生し易いことから、本発明を適用した際における改善効果が高く、より好適に適用することができる。
また、以上説明を行なった実施の形態1、2、およびそれら変形例においては、塗布剤としてレジストREを対象とするレジスト塗布装置に適用した例により説明を行なったが、塗布装置の用途、塗布剤などについてもレジスト塗布装置に限られない。つまり、液晶表示装置や半導体装置などの電子機器などを製造する際において、製造途中のワークである基板W等の表面に溶剤SLを含んだ液体やペーストなどの塗布剤(例えば、シール剤、接着剤など)をノズルより吐出して塗布する塗布装置であれば、ノズルの先端部で塗布剤が乾燥することによる吐出不良が発生すること、ノズルの先端部に溶剤SLが付着することによる塗布不良が発生することといった課題は共通していることから、本発明を好適に適用することが可能である。つまり、実施の形態1、2、およびそれら変形例のレジスト塗布装置において得られる効果と同様の効果が得られることになる。
また、本発明は上記説明を行った実施の形態1、2およびそれら変形例或いは変形を示唆した構成に限られたものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、一部構成について適宜公知の構成に変更することが可能である。また、上記説明を行った実施の形態1、2およびそれら変形例或いは変形を示唆したそれぞれの構成は、矛盾を生じない範囲で互いに組み合わせて適用することができ、それぞれの構成により生ずるそれぞれの効果や複合効果を得ることができる。
10 塗布処理部、
11 真空チャック、12 回転軸、13 カップ、13d 排出口、
20 レジスト供給部、21,25 ノズル、21c 蓋部材、
22 レジスト収容タンク、23 レジスト供給配管、24 ベローズポンプ、
25o 吐出口、
30,30A,30B,30C,30D,30E ノズル待機部、
31 ノズル待機室、31a 筺体部、31d 排出口、31o ノズル挿入口、
31b 周壁部、31s 開閉シャッタ、31p パッキング材、
32 バブリング室、33 バブリングフィルタ、34 キャリアガス供給源、
35 キャリアガス(高濃度溶剤混入)供給用配管、
36 キャリアガス供給配管、36a 制御バルブ、36p ポンプ、
37 排気配管、37a 逆止弁(逆流防止弁)、37d 排気口、
38 加熱ヒータ、39 加熱室、
40 廃液系統部、41,41B 廃液タンク、41d 排出口、42 廃液配管、
W 基板、RE レジスト、SL 溶剤、DL 廃液、BB 気泡、
SM 温度センサ。

Claims (11)

  1. 溶剤を含んだ塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置であって、
    前記ノズルが前記塗布剤を塗布しない塗布処理の休止時において前記ノズルを待機させる待機室と、
    液体として貯められた前記溶剤、その貯められた溶剤内に配置され、導入されたキャリアガスを前記貯められた溶剤内において発生する気泡に変換するフィルタ、および前記フィルタに対して接続して設けられ、前記気泡に変換されるキャリアガスを供給する供給経路を備えることにより、前記キャリアガス中に前記溶剤を含ませるバブリング処理を行なうバブリング室とを備え、
    前記バブリング室は、前記待機室の外部に設けられ、前記バブリング室においてバブリング処理が行なわれることによって前記溶剤を含ませた前記キャリアガスが、前記バブリング室と前記待機室間を接続して設けられる接続経路を介して、前記待機室に供給されることを特徴とする塗布装置。
  2. 前記溶剤を含ませた前記キャリアガスを前記待機室へ供給するタイミングについて管理する制御機構を備えることを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
  3. 前記制御機構として、計時機能を備え、前記溶剤を含ませた前記キャリアガスを前記待機室へ供給するタイミングについて、所定時間の一定間隔で行なうか、前記塗布処理の休止時間が所定時間を超えた場合に行なうかの何れかにより行なうことを特徴とする請求項2に記載の塗布装置。
  4. 前記待機室の外部に塗布装置内で発生した前記塗布剤や前記溶剤の廃液を回収し貯めて置く廃液タンクを備え、前記廃液タンク内に貯められた溶剤内に配置され、導入されたキャリアガスを前記貯められた溶剤内において発生する気泡に変換するフィルタと、前記フィルタに対して接続して設けられ、前記気泡に変換されるキャリアガスを供給する供給経路と、を備えることにより、前記廃液タンクにより前記バブリング室を兼ね、当該廃液タンク内においてバブリング処理が行なわれることによって前記溶剤を含ませた前記キャリアガスが、前記廃液タンクと前記待機室間を接続して設けられる接続経路を介して、前記待機室に供給されることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1項に記載の塗布装置。
  5. 前記バブリング室に供給されるキャリアガスについて、少なくとも一部において前記待機室内の雰囲気が導入されることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載の塗布装置。
  6. 前記待機室の外部に塗布装置内で発生した前記塗布剤や前記溶剤の廃液を回収し貯めて置く廃液タンクを備え、前記バブリング室に供給されるキャリアガスについて、少なくとも一部において前記廃液タンク内の雰囲気が供給されることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか1項に記載の塗布装置。
  7. 前記バブリング室において、加熱機構を備え、前記待機室内の温度よりも高い温度の溶剤中において、バブリング処理が行なわれることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1項に記載の塗布装置。
  8. 前記供給経路の途中において、加熱機構を備え、前記待機室内の温度よりも高い温度の前記キャリアガスが供給されることにより、バブリング処理が行なわれることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1項に記載の塗布装置。
  9. 前記加熱機構に加えて、前記待機室内の温度について測定する測定手段と、前記加熱機構による加熱状態を調整する温度調節機構と、前記測定手段により測定された前記待機室内の温度に対して、前記溶剤或いは前記キャリアガスの温度について、3度未満の範囲で高い温度に調整するよう、前記温度調節機構を制御する制御機構を備えたことを特徴とする請求項7或いは請求項8に記載の塗布装置。
  10. 前記待機室においては、中空の箱状の筺体部と、当該筺体部の上面に設けられ前記ノズルが挿入される開口部と、前記開口部に設けられ前記ノズルの前記待機室への挿抜状態に同期して開閉動作する開閉シャッタと、前記ノズルが挿入された状態で、前記待機室の開口部を封止する封止機構とを備えることを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載の塗布装置。
  11. 前記ノズルが、前記塗布剤を平面状に塗布することが可能なスリット状の吐出口を有することを特徴とする請求項1から請求項9の何れか1項に記載の塗布装置。
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