JP2017147391A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017147391A
JP2017147391A JP2016029810A JP2016029810A JP2017147391A JP 2017147391 A JP2017147391 A JP 2017147391A JP 2016029810 A JP2016029810 A JP 2016029810A JP 2016029810 A JP2016029810 A JP 2016029810A JP 2017147391 A JP2017147391 A JP 2017147391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
gas
substrate
mounting table
slow leak
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016029810A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6623077B2 (ja
Inventor
純太 宮本
Junta MIYAMOTO
純太 宮本
矢野　守隆
Moritaka Yano
守隆 矢野
三橋　毅
Takeshi Mihashi
毅 三橋
康裕 芝
Yasuhiro Shiba
康裕 芝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2016029810A priority Critical patent/JP6623077B2/ja
Priority to US15/399,229 priority patent/US20170241017A1/en
Priority to TW106100466A priority patent/TWI616934B/zh
Priority to KR1020170014906A priority patent/KR101924277B1/ko
Publication of JP2017147391A publication Critical patent/JP2017147391A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6623077B2 publication Critical patent/JP6623077B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/06—Silver salts
    • G03F7/063—Additives or means to improve the lithographic properties; Processing solutions characterised by such additives; Treatment after development or transfer, e.g. finishing, washing; Correction or deletion fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】メンテナンス後の処理であっても基板にパーティクルが付着することを防止できる。【解決手段】制御部５１は、処理空間ＴＳのＨＭＤＳガスを乾燥窒素ガスで置換させた後、小流量の乾燥窒素ガスをスローリーク配管４５からフィルタ３９，４１に供給させるスローリーク動作を行わせる。したがって、基板Ｗに対する処理が終わった後、メンテナンスのために供給管４３を取り外したりしても、フィルタ３９，４１に水分を含んだ空気が触れることを防止できる。その結果、ＨＭＤＳガスと水分との反応によるパーティクルのゲル化を防止できるので、ゲル化に起因してパーティクルがフィルタ３９，４１を通過することを防止でき、メンテナンス後の処理であっても基板Ｗにパーティクルが付着することを防止できる。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板（以下、単に基板と称する）に対して、処理ガスを供給して所定の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
従来、この種の装置として、レジスト液を基板面に供給してレジスト被膜を形成する前に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）ガスを含む処理ガスを供給することにより、基板に対して疎水化処理を施して、基板に被着されたレジスト被膜の密着性を向上させるものがある（例えば、特許文献１参照）。
ここで、図４を参照して、従来例の具体的な構成について説明する。なお、図４は、従来例に係る基板処理装置の要部を示す概略構成図である。
従来例に係る基板処理装置は、基板Ｗを載置する載置台１０１と、載置台１０１の上面を覆う蓋１０３と、平面視における蓋１０３の中心部から、蓋１０３の内部に処理ガスを供給するガス供給部１０５とを備えている。ガス供給部１０５は、ＨＭＤＳガスを発生させるバブリングタンク１０７と、バブリングタンク１０７内のＨＭＤＳガスを供給する管１０９と、キャリアガスあるいは置換用ガスとしての窒素（Ｎ２）ガスを供給する管１１１と、これらの管１０９，１１１を連結する管継ぎ手１１３と、管継ぎ手１１３と蓋１０３とを連通接続した供給管１１５と、供給管１１５に取り付けられ、供給管１１５を流通するガス中のパーティクルを除去するフィルタ１１７とを備えている。
このように構成された基板処理装置では、例えば、次のようにして基板Ｗに対して疎水化処理が実施される。まず基板Ｗを搬入して載置台１０１に載置し、蓋１０３で基板Ｗを覆う。そして、供給管１１５から蓋１０３の内部に処理ガスを供給する。所定の供給時間だけ処理ガスを供給させた後、処理ガスの供給を停止させ、所定時間だけその状態を保持して基板Ｗを蓋１０３内部の処理雰囲気に晒しておく。そして、管１１１から窒素ガスを供給して置換した後、蓋１０３を移動して基板Ｗを搬出する。
特許第３４２５８２６号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、供給管１１５を管継ぎ手１１３側で取り外し、蓋１０３等を清浄にするためのメンテナンスを定期的に実施するのが一般的である。ところが、メンテナンス後における処理において、特に平面視における基板Ｗの中心部にパーティクルが付着することがあるという問題がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、メンテナンス後の処理であっても基板にパーティクルが付着することを防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、上記の問題を解決するために、鋭意研究した結果、次のような知見を得た。ところで、上記のような現象は、基板Ｗを載置していない状態で一定時間だけ処理ガスを供給するダミーディスペンスの直後には生じなくなるものの、しばらくすると再び生じた。基板Ｗに付着したパーティクルを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により分析した結果、その成分がシリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）やいくつかの金属を含むことがわかった。基板Ｗに付着していたパーティクルの大きさは、フィルタ１１７の膜を通過できずに捕捉されるべき大きさよりも大きなものであった。これらの事実から、本発明者等は、次のようなメカニズムにより問題が発生していると考えた。
ここで、図５を参照する。なお、図５（ａ）〜（ｃ）は、問題発生のメカニズムを示した模式図である。基板Ｗに対して疎水化処理を行うと、図５（ａ）に示すように、処理ガスに含まれていた各種のパーティクルＰＭがフィルタ１１７によって捕捉されるとともに、フィルタ１１７にはＨＭＤＳガスが凝結してＨＭＤＳの液体として付着する。メンテナンスの際に供給管１１５を管継ぎ手１１３側で取り外すと、フィルタ１１７が空気に触れるので、図５（ｂ）に示すように、空気中の水分とＨＭＤＳの液体とが反応してアンモニウムイオン（ＮＨ４＋）やトリメチルシリル基（ＴＭＳ）などのアルカリ性の物質を生成する。このアルカリ性の物質が各種のパーティクルＰＭと反応して各種のパーティクルＰＭを溶解させ、ゲル状のパーティクルＧＰＭを生じさせる。このゲル状のパーティクルＧＰＭは、フィルタ１１７の膜を通過することができる。したがって、メンテナンス後に処理ガスを供給すると、図５（ｃ）に示すように、ゲル状のパーティクルＧＰＭは、フィルタ１１７の膜から一部が離脱したり全部が透過したりして、処理ガスの流れに乗って平面視における基板Ｗの中央部に付着する。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して処理ガスによる処理を行う基板処理装置において、基板を載置する載置台と、基板の処理時に前記載置台に載置された基板を覆って処理空間を形成する蓋部材とを備えた処理部と、前記処理空間内の気体を排出する排出部と、処理液を気化させて処理ガスを発生させる処理ガス発生部と、乾燥気体を供給する乾燥気体供給部と、前記蓋部材に一端側が連通接続され、前記処理空間に前記処理ガス及び前記乾燥気体を供給する供給管と、前記処理ガス発生部からの処理ガスを所定方向に流通させることにより、前記処理空間に供給される処理ガスに含まれているパーティクルを除去するフィルタと、前記排出部により前記処理空間の気体を排出させ、前記処理ガス発生部からの処理ガスを前記処理空間に供給させることにより、前記処理部内の基板に対して前記処理ガスによる処理を行わせ、前記処理空間に処理流量で前記乾燥気体を供給させて前記処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させた後、前記乾燥気体供給部からの乾燥気体を前記所定方向に流通させ、かつ、前記処理流量よりも少ない流量で前記フィルタに供給させるスローリーク動作を行わせる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御部は、排出部により処理空間の気体を排出させ、処理ガスを処理空間に供給させることにより、処理部内の基板に対して処理ガスによる処理を行わせる。次に、制御部は、処理空間に処理流量で乾燥気体を供給させて処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させる。その後、制御部は、乾燥気体を所定方向に流通させ、かつ、そのときの流量を処理流量よりも少なくしてフィルタに供給させるスローリーク動作を行わせる。したがって、基板に対する処理が終わった後、メンテナンスのために供給管を取り外したりしても、フィルタに水分を含んだ空気が触れることを防止できる。その結果、処理ガスと水分との反応によるパーティクルのゲル化を防止できるので、ゲル化に起因してパーティクルがフィルタを通過することを防止でき、メンテナンス後の処理であっても基板にパーティクルが付着することを防止できる。
また、本発明において、前記処理ガス発生部からの処理ガスと前記乾燥気体供給部からの乾燥気体とが供給される上流側供給管と、前記供給管の他端側が着脱自在に連通接続され、前記上流側供給管の一端側が着脱自在に連通接続された管継ぎ手と、前記上流側供給管の他端側に設けられ、前記処理ガス発生部からの処理ガスの前記上流側供給管への流通を制御する第１の開閉弁と、前記乾燥気体供給部からの乾燥気体の前記上流側供給管への流通を制御する第２の開閉弁と、を備え、前記フィルタは、前記上流側供給管に配置されていることが好ましい（請求項２）。
フィルタが上流側供給管に設けられているので、処理ガス及び乾燥気体に含まれているパーティクルを除去できる。また、第１の開閉弁と第２の開閉弁で生じたパーティクルもフィルタで除去できるので、基板を清浄に処理できる。
また、本発明において、前記第２の開閉弁の上流側と下流側とを連通接続したスローリーク配管と、前記スローリーク配管内における乾燥気体の流量を制御する制御弁とを備え、
前記制御部は、前記制御弁を操作して前記スローリーク動作を行わせることが好ましい（請求項３）。
スローリーク配管と制御弁とを備えたスローリーク動作専用の構成を備えているので、乾燥気体供給部を用いて直接的にスローリーク動作を行わせる場合に比べて、スローリーク動作を柔軟に制御することができる。
また、本発明において、前記第１の開閉弁と前記第２の開閉弁は、三方弁で構成されていることが好ましい（請求項４）。
２つの流体を選択的に切り換えることができる三方弁により、構成を簡易化することができるとともに、コストを抑制できる。
また、本発明において、前記制御部は、前記置換の後、前記蓋部材が前記載置台から離間し始めた時点で前記スローリーク動作を行わせることが好ましい（請求項５）。
蓋部材が載置台から上昇し始めた時点で、周囲から水分を含んだ空気が流入する恐れが生じる。この時点でスローリーク動作を開始させることにより、水分と処理ガスとの反応がフィルタで生じることを防止できる。
また、本発明において、前記制御部は、前記処理のために基板を前記載置台に載置させ、前記蓋部材が前記載置台に当接した時点で前記スローリーク動作を停止させることが好ましい（請求項６）。
蓋部材が載置台に当接した時点で、周囲から水分を含んだ空気が流入する恐れがなくなる。この時点でスローリーク動作を停止させることにより、無駄な乾燥気体の消費を抑制できる。
また、請求項７に記載の発明は、基板を載置する載置台と、前記載置台に載置された基板を覆って処理空間を形成する蓋部材とを備えた処理部を用いて基板に対して処理ガスによる処理を行う基板処理方法において、前記処理空間の気体を排出させ、処理液を気化させてなる処理ガスをフィルタの所定方向に流通させてパーティクルを除去させて前記処理空間に供給させることにより、前記処理部内の基板に対して前記処理ガスによる処理を行わせる処理過程と、前記処理空間に処理流量で乾燥気体を供給させて前記処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させる置換過程と、乾燥気体を前記所定方向に流通させ、かつ、前記処理流量よりも少ない流量で前記フィルタに供給させるスローリーク動作過程と、を実施することを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、処理過程では、処理空間の気体を排出させ、処理ガスを処理空間に供給させることにより、処理部内の基板に対して処理ガスによる処理を行わせる。次に、置換過程では、処理空間に処理流量で乾燥気体を供給させて処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させる。スローリーク動作過程では、乾燥気体を所定方向に流通させ、かつ、そのときの流量を処理流量よりも少なくしてフィルタに供給させるスローリーク動作を行わせる。したがって、基板に対する処理が終わった後、メンテナンスを行っても、フィルタに水分を含んだ空気が触れることを防止できる。その結果、処理ガスと水分との反応によるパーティクルのゲル化を防止できるので、ゲル化に起因してパーティクルがフィルタを通過することを防止でき、メンテナンス後の処理であっても基板にパーティクルが付着することを防止できる。
また、本発明において、前記スローリーク動作過程は、前記置換過程の後、前記蓋部材が前記載置台から離間し始めた時点から実施されることが好ましい（請求項８）
蓋部材が載置台から上昇し始めた時点で、周囲から水分を含んだ空気が流入する恐れが生じる。この時点でスローリーク動作を開始させることにより、水分と処理ガスとの反応がフィルタで生じることを防止できる。
また、本発明において、前記スローリーク動作過程は、前記処理過程のために基板を前記載置台に載置させ、前記蓋部材が前記載置台に当接した時点で前記スローリーク動作過程を停止させることが好ましい（請求項９）
蓋部材が載置台に当接した時点で、周囲から水分を含んだ空気が流入する恐れがなくなる。この時点でスローリーク動作を停止させることにより、無駄な乾燥気体の消費を抑制できる。
本発明に係る基板処理装置によれば、制御部は、排出部により処理空間の気体を排出させ、処理ガスを処理空間に供給させることにより、処理部内の基板に対して処理ガスによる処理を行わせる。次に、制御部は、処理空間に処理流量で乾燥気体を供給させて処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させる。その後、制御部は、乾燥気体を所定方向に流通させ、かつ、そのときの流量を処理流量よりも少なくしてフィルタに供給させるスローリーク動作を行わせる。したがって、基板に対する処理が終わった後、メンテナンスのために供給管を取り外したりしても、フィルタに水分を含んだ空気が触れることを防止できる。その結果、処理ガスと水分との反応によるパーティクルのゲル化を防止できるので、ゲル化に起因してパーティクルがフィルタを通過することを防止でき、メンテナンス後の処理であっても基板にパーティクルが付着することを防止できる。
実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。 各部の動作及び処理空間の圧力変化を示すタイムチャートである。 変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。 従来例に係る基板処理装置の要部を示す概略構成図である。 （ａ）〜（ｃ）は、問題発生のメカニズムを示した模式図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。
本実施例に係る基板処理装置は、基板Ｗに対して処理ガスによる処理を行うものである。具体的には、処理液を気化したガスを含む処理ガスによって処理を行う。処理液としては、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が挙げられる。このＨＭＤＳは、基板Ｗの表面に作用して、基板Ｗの表面を疎水面に改質する性質を有する。
基板Ｗを処理する処理部１は、載置台３と、蓋部材５とを備えている。載置台３は、平面視で基板Ｗの外径よりも大きな外形寸法を有する。蓋部材５は、平面視で基板Ｗの外形よりも大きな内径の空間を有する。この蓋部材５は、昇降機構７によって載置台３の上面にて昇降自在に構成されており、基板Ｗの処理時に載置台３に載置された基板Ｗを覆って処理空間ＴＳを内部に形成する。昇降機構７は、蓋部材５が載置台３の上方に離間した「受渡位置」と、蓋部材５の下縁が載置台３の上面に当接した「処理位置」とにわたって蓋部材５を昇降する。蓋部材５は、基板Ｗの全面に処理ガスが均等に行き渡るように、平面視における中心部に供給口９が形成されている。
載置台３は、上面に載置された基板Ｗを加熱するためのヒータ（不図示）や、基板Ｗを受け渡す際に昇降し、基板Ｗの下面に当接して基板Ｗを支持する支持ピン（不図示）などを内蔵している。また、載置台３は、処理空間ＴＳに連通した排気口１１が形成されている。この排気口１１には、排気管１３の一端側が連通接続され、他端側が排気ユーティリティや排気ポンプなどの排気手段（不図示）に連通接続されている。この排気管１３には、圧力センサ１５と、制御弁１７とが取り付けられている。制御弁１７は、流量を調整することができ、蓋部材５が処理位置にある場合に、排気量を大きく調節して蓋部材５を載置台３の上面に吸着させるシール動作を行ったり、処理空間ＴＳの気体を置換したりするのに用いられる。圧力センサ１５は、処理空間ＴＳの内部圧力を検出する。
なお、上述した排気口１１が本発明における「排出部」に相当する。
処理部１には、供給系１９から気体が供給される。供給系１９は、ＨＭＤＳガスを含む処理ガスと、不活性ガスとして乾燥窒素ガス（Ｄｒｙ Ｎ２ガス）とを処理部１に対して供給する。
ＨＭＤＳガスを含む処理ガスを発生させるバブリングタンク２１には、配管２３の一端側が連通接続され、配管２３の他端側が三方弁２５の第１の入力側に連通接続されている。配管２３には、処理ガスの流量をモニタするための流量計２７が取り付けられている。配管２９は、一端側が乾燥窒素ガス供給源に連通接続され、その他端側が三方弁２５の第２の入力側に連通接続されている。配管２９には、乾燥窒素ガスの流量をモニタするための流量計３１と、三方弁２５の第２の入力側への乾燥窒素ガスの流通を制御する開閉弁３３とが取り付けられている。
なお、上述したバブリングタンク２１が本発明における「処理ガス発生部」に相当し、配管２９が本発明における「乾燥気体供給部」に相当する。また、上述した三方弁２５が本発明における「第１の開閉弁」及び「第２の開閉弁」に相当する。
三方弁２５の下流側には、配管３５が配置されている。この配管３５の一端側は、管継ぎ手３７に着脱自在に連通接続され、その他端側は、三方弁２５における１つの出力側に連通接続されている。配管３５には、フィルタ３９とフィルタ４１が直列に取り付けられている。フィルタ３９とフィルタ４１とは同じ仕様のフィルタであるが、例えば、上流側のフィルタ４１が、下流側のフィルタ３９よりも目が粗い仕様のものとしてもよい。
このようにフィルタ３９，４１が配管３５に直列に設けられているので、ＨＭＤＳガス及び乾燥窒素ガスに含まれているパーティクルを確実に除去できる。また、三方弁２５の開閉動作により生じたパーティクルもフィルタ３９，４１で除去できるので、基板Ｗを清浄に処理することができる。さらに、乾燥窒素ガスとＨＭＤＳガスの切換を三方弁２５により行うので、構成を簡易化することができる。
なお、上述した配管３５が本発明における「上流側供給管」に相当する。
蓋部材５の供給口９には、供給管４３の一端側が連通接続されている。供給管４３の他端側は、管継ぎ手３７に着脱自在に連通接続されている。本実施例に係る基板処理装置では、蓋部材５に付着した汚れなどを除去するメンテナンスの際には、供給管４３の他端側を管継ぎ手３７から取り外した状態で行うようになっている。
上述した配管２９は、開閉弁３３の上流側と、三方弁２５の下流側であってフィルタ３９，４１の上流側とがスローリーク配管４５で連通接続されている。このスローリーク配管４５には、制御弁４７が設けられている。この制御弁４７は、乾燥窒素ガスの流量を調整する。この制御弁４７は、開放時における流量を予め設定可能になっている。この開放時における流量は、後述する乾燥窒素ガスによる置換時の処理流量よりも少ない流量に設定されている。
このように、スローリーク配管４５と制御弁４７とを備えたスローリーク動作専用の構成を備えているので、乾燥窒素ガス供給源を用いて直接的にスローリーク動作を行わせる場合に比べて、スローリーク動作を柔軟に制御することができる。
制御部５１は、ＣＰＵやメモリで構成されている。不図示のメモリは、基板Ｗを処理する手順を規定したレシピなどを予め記憶している。制御部５１は、昇降機構７の昇降動作、制御弁１７の開閉動作、三方弁２５の切換動作、開閉弁３３の開閉動作、制御弁４７の開閉動作を操作することができるとともに、圧力センサ１５及び流量計２７，３１の監視を行う。制御部５１は、上記の各部をレシピに基づいて操作して、基板処理装置の動作を制御する。
次に、図２を参照して、上述したように構成された基板処理装置の動作について説明する。なお、図２は、各部の動作及び処理空間の圧力変化を示すタイムチャートである。
ここでは、処理対象である基板Ｗが載置台３に載置され、蓋部材５が載置台３に当接した処理位置に移動された状態をタイムチャートにおけるｔ０時点としている。このｔ０時点では、制御弁１７が大流量に設定されて、蓋部材５が載置台３に押圧されるシールオンの状態とされ、開閉弁３３が開放され、三方弁２５が乾燥窒素ガス側に設定され、制御弁４７が閉止された状態である。また、このｔ０時点では、処理空間ＴＳ内の圧力が−Ｐ４［ｋＰａ］であるとする。
制御部５１は、制御弁１７を操作して、ｔ１時点で処理空間ＴＳ内の圧力が−Ｐ１以下になるように排気口１１から排気を行わせる（図２中の上部に記載の「減圧」）。これにより基板Ｗが減圧された処理雰囲気に置かれる。制御部５１は、圧力センサ１５からの信号に基づいて処理空間ＴＳ内の圧力が−Ｐ１［ｋＰａ］以下になったことをｔ１時点にて確認すると、三方弁２５をＨＭＤＳガス側に切り換えるとともに、開閉弁３３を閉止させる（（図２中の上部に記載の「塗布」））。この状態をｔ２時点まで維持する。これにより、基板ＷがＨＭＤＳガス雰囲気に晒され、基板Ｗの表面全体に疎水化が進行する。このときＨＭＤＳガスの供給により、処理空間ＴＳ内の圧力が徐々に上昇し、ｔ２時点で−Ｐ２［ｋＰａ］付近にまで圧力が上昇する。
次に、制御部５１は、ｔ２時点において、三方弁２５を乾燥窒素ガス側に切り換えるとともに、制御弁１７を操作して排気口１１からの排気を小流量に設定する（図２中の上部に記載の「保持」）。これにより、処理空間ＴＳ内のＨＭＤＳガスの処理雰囲気がｔ３時点まで維持される。なお、三方弁２５が乾燥窒素ガス側に切り換えられてはいるが、開閉弁３３が閉止されたままであるので、乾燥窒素ガスが処理空間ＴＳに供給されることはない。
制御部５１は、ｔ３時点において、開閉弁３３を開放させるとともに、制御弁１７を操作して大きな排気量で排気口１１から排気させる（図２中の上部に記載の「Ｎ２置換」）。これにより、処理空間ＴＳ内に処理流量で乾燥窒素ガスが供給される。但し、ｔ４時点において処理空間ＴＳ内の圧力が負圧（−Ｐ３［ｋＰａ］）で平衡するように、乾燥窒素ガスと排気の流量の比率が設定され、蓋部材５と載置台３のシールがオン状態に維持される。
なお、上述したｔ０時点からｔ３時点までが本発明における「処理過程」に相当する。
制御部５１は、ｔ４時点において、制御弁１７を操作して、排気口１１からの排気を小流量に設定する（図２中の上部に記載の「Ｎ２」）。これにより、乾燥窒素ガスの供給と併せて、処理空間ＴＳ内の圧力がｔ５時点で大気圧に復帰し、蓋部材５と載置台３のシールがオフにされる。
なお、上述したｔ３時点からｔ４時点までが本発明における「置換過程」に相当する。
制御部５１は、ｔ５時点で昇降機構７を操作して、蓋部材５を載置台３から受渡位置にまで上昇させるとともに、制御弁１７を操作して排気口１１からの排気を大流量にする（図２中の上部に記載の「蓋部材上昇」）。さらに、制御部５１は、ｔ５時点で蓋部材５の下縁が載置台３の上面から離間し始めると、開閉弁３３を閉止させるとともに、制御弁４７を開放させる。これにより、乾燥窒素ガスが処理流量よりも少ない流量で配管３５側に供給される（図２中の上部に記載の「スローリーク動作」）。
次に、制御部５１は、図示しない搬送機構により、ｔ６時点からｔ７時点の間に疎水化処理済みの基板Ｗを処理部１から搬出させる（図２中の上部に記載の「基板搬出」）。
制御部５１は、ｔ７時点において、制御弁１７を操作して排気口１１からの排気量を小流量に設定するとともに、昇降機構７を操作して蓋部材５を処理位置にまで下降させる（図２中の上部に記載の「蓋部材下降」）。続いて、制御部５１は、この状態をｔ９時点まで維持する（図２中の上部に記載の「待機」）。なお、このｔ７時点からｔ１０時点までは、排気口１１からの排気流量を小さくしている関係上、処理空間ＴＳ内の圧力が一時的に陽圧になる。
制御部５１は、ｔ９時点において、開閉弁３３を開放させ、スローリーク動作による小流量の乾燥窒素ガス加えて処理流量分を加えて処理空間ＴＳに供給する（図２中の上部に記載の「Ｎ２」）。これにより、処理空間ＴＳ内が不活性ガス雰囲気に維持される。
制御部５１は、ｔ１０時点において、次の基板Ｗの処理のために、昇降機構７を操作して蓋部材５を受渡位置に上昇させるとともに、制御弁１７を操作して排気口１１からの排気量を大流量に設定する（図２中の上部に記載の「蓋部材上昇」）。
制御部５１は、ｔ１１時点において、次の基板Ｗを載置台３に載置させる（図２中の上部に記載の「基板搬入」）。次いで、制御部５１は、ｔ１２時点において昇降機構７を操作して蓋部材５を処理位置に下降させるとともに、制御弁１７を操作して排気口１１からの排気量を小流量にする（図２中の上部に記載の「蓋部材下降」）。また、制御部５１は、蓋部材５が処理位置に移動したｔ１３時点にて制御弁４７を閉止させ、スローリーク動作を終了させる。
本実施例に係る基板処理装置では、上述したように処理が行われる。このとき、ｔ５時点からｔ１３時点までスローリーク動作が行われる（本発明における「スローリーク動作過程」に相当）。例えば、ｔ８時点からｔ９時点の待機状態において、蓋部材３を清浄化するメンテナンスを行う場合、供給管４３の他端側を管継ぎ手３７側で取り外し、蓋部材３や供給管４３の洗浄を行っても、フィルタ３９，４１に配管３５から空気が入り込むことを防止できる。したがって、フィルタ３９，４１に空気中の水分が触れることを防止できる。その結果、ＨＭＤＳガスと水分との反応によるパーティクルのゲル化を防止できるので、ゲル化に起因してパーティクルがフィルタ３９，４１を通過することを防止でき、メンテナンス後の処理であっても基板Ｗにパーティクルが付着することを防止できる。
また、蓋部材５が載置台３から上昇し始めたｔ５時点で蓋部材５の周囲から水分を含んだ空気が処理空間ＴＳに流入する恐れが生じるが、このｔ５時点でスローリーク動作を開始させることにより、水分と処理ガスとの反応がフィルタで生じることを防止できる。
さらに、蓋部材５が載置台３に当接したｔ１３時点で、周囲から水分を含んだ空気が処理空間ＴＳに流入する恐れがなくなる。このｔ１３時点でスローリーク動作を停止させることにより、無駄な乾燥窒素ガスの消費を抑制できる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、処理ガスとしてＨＭＤＳガスを例に取って説明したが、本発明はこのような処理ガスに限定されるものではない。例えば、ＴＭＳＤＭＡ（Ｎ−トリメチルシリルジメチルアミン）やＴＭＳＤＥＡ（Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン）等のシリル化剤の処理ガスにも適用できる。
（２）上述した実施例では、乾燥気体として乾燥窒素ガスを例示したが、本発明はこのような気体に限定されない。例えば、アルゴンやヘリウムなどの不活性ガスを採用するようにしてもよい。
（３）上述した実施例では、配管３５にフィルタ３９，４１を２個直列に設けたが、これを１個だけにしてもよい。また、図３に示す位置にフィルタを配置するようにしてもよい。なお、図３は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す全体図である。
すなわち、この変形例では、配管３５にフィルタ３９，４１を設けず、配管２３にフィルタ６１を設け、配管２９にフィルタ６３を設けている。そして、スローリーク配管４５の一端側を配管２９に連通接続させ、スローリーク配管４５の他端側をフィルタ６１の上流側にあたる配管２３に連通接続させる。スローリーク配管４５には、制御弁４７を設けておく。また、配管２３のフィルタ６１より上流側に開閉弁６５を配置し、フィルタ６１の下流側であって、三方弁２５の上流側にリーク排気管６７を分岐して設け、リーク排気管６７にリーク排気弁６９を設けておく。そして、開閉弁６５を閉止させてＨＭＤＳガスを停止させるとともに、リーク排気弁６９を開放させ、さらに制御弁４７を開放させる。これにより、上述した実施例と同様にフィルタ６１にスローリーク動作を行わせることができ、同様の効果を奏することができる。その上、この変形例では、三方弁２５を交換するようなメンテナンスを行う場合であっても、同様の効果を奏する。
（４）上述した実施例では、配管３５にフィルタ３９，４１を設けているが、供給管４３にフィルタ３９，４１を設けるようにしてもよい。但し、この場合には、供給管４３を蓋部材５側で着脱自在に構成しておく。
（５）上述した実施例では、二種類の気体を三方弁２３で切り換えるようにしているが、それぞれ別体の２個の開閉弁で切り換える構成としてもよい。
（６）上述した実施例では、乾燥窒素ガスを置換ガスとして用いているが、乾燥窒素ガスをＨＭＤＳガスと混合して処理ガスとするような、乾燥窒素ガスをキャリアガスとして用いる場合であっても本発明を適用できる。
Ｗ … 基板
１ … 処理部
３ … 載置台
５ … 蓋部材
７ … 昇降機構
ＴＳ … 処理空間
１１ … 排気口
１５ … 圧力センサ
１７ … 制御弁
１９ … 供給系
２３ … 配管
２５ … 三方弁
２９ … 配管
３３ … 開閉弁
３５ … 配管
３７ … 管継ぎ手
３９，４１ … フィルタ
４３ … 供給管
４５ … スローリーク配管
４７ … 制御弁
５１ … 制御部

Claims (9)

  1. 基板に対して処理ガスによる処理を行う基板処理装置において、
    基板を載置する載置台と、基板の処理時に前記載置台に載置された基板を覆って処理空間を形成する蓋部材とを備えた処理部と、
    前記処理空間内の気体を排出する排出部と、
    処理液を気化させて処理ガスを発生させる処理ガス発生部と、
    乾燥気体を供給する乾燥気体供給部と、
    前記蓋部材に一端側が連通接続され、前記処理空間に前記処理ガス及び前記乾燥気体を供給する供給管と、
    前記処理ガス発生部からの処理ガスを所定方向に流通させることにより、前記処理空間に供給される処理ガスに含まれているパーティクルを除去するフィルタと、
    前記排出部により前記処理空間の気体を排出させ、前記処理ガス発生部からの処理ガスを前記処理空間に供給させることにより、前記処理部内の基板に対して前記処理ガスによる処理を行わせ、前記処理空間に処理流量で前記乾燥気体を供給させて前記処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させた後、前記乾燥気体供給部からの乾燥気体を前記所定方向に流通させ、かつ、前記処理流量よりも少ない流量で前記フィルタに供給させるスローリーク動作を行わせる制御部と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記処理ガス発生部からの処理ガスと前記乾燥気体供給部からの乾燥気体とが供給される上流側供給管と、
    前記供給管の他端側が着脱自在に連通接続され、前記上流側供給管の一端側が着脱自在に連通接続された管継ぎ手と、
    前記上流側供給管の他端側に設けられ、前記処理ガス発生部からの処理ガスの前記上流側供給管への流通を制御する第１の開閉弁と、
    前記乾燥気体供給部からの乾燥気体の前記上流側供給管への流通を制御する第２の開閉弁と、
    を備え、
    前記フィルタは、前記上流側供給管に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記第２の開閉弁の上流側と下流側とを連通接続したスローリーク配管と、前記スローリーク配管内における乾燥気体の流量を制御する制御弁とを備え、
    前記制御部は、前記制御弁を操作して前記スローリーク動作を行わせることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項２または３に記載の基板処理装置において、
    前記第１の開閉弁と前記第２の開閉弁は、三方弁で構成されていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記置換の後、前記蓋部材が前記載置台から離間し始めた時点で前記スローリーク動作を行わせることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記処理のために基板を前記載置台に載置させ、前記蓋部材が前記載置台に当接した時点で前記スローリーク動作を停止させることを特徴とする基板処理装置。
  7. 基板を載置する載置台と、前記載置台に載置された基板を覆って処理空間を形成する蓋部材とを備えた処理部を用いて基板に対して処理ガスによる処理を行う基板処理方法において、
    前記処理空間の気体を排出させ、処理液を気化させてなる処理ガスをフィルタの所定方向に流通させてパーティクルを除去させて前記処理空間に供給させることにより、前記処理部内の基板に対して前記処理ガスによる処理を行わせる処理過程と、
    前記処理空間に処理流量で乾燥気体を供給させて前記処理空間の処理ガスを乾燥気体で置換させる置換過程と、
    乾燥気体を前記所定方向に流通させ、かつ、前記処理流量よりも少ない流量で前記フィルタに供給させるスローリーク動作過程と、
    を実施することを特徴とする基板処理方法。
  8. 請求項７に記載の基板処理方法において、
    前記スローリーク動作過程は、前記置換過程の後、前記蓋部材が前記載置台から離間し始めた時点から実施されることを特徴とする基板処理方法。
  9. 請求項７または８に記載の基板処理方法において、
    前記スローリーク動作過程は、前記処理過程のために基板を前記載置台に載置させ、前記蓋部材が前記載置台に当接した時点で前記スローリーク動作過程を停止させることを特徴とする基板処理方法。
JP2016029810A 2016-02-19 2016-02-19 基板処理装置及び基板処理方法 Active JP6623077B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016029810A JP6623077B2 (ja) 2016-02-19 2016-02-19 基板処理装置及び基板処理方法
US15/399,229 US20170241017A1 (en) 2016-02-19 2017-01-05 Substrate treating apparatus and substrate treating method
TW106100466A TWI616934B (zh) 2016-02-19 2017-01-06 基板處理裝置及基板處理方法
KR1020170014906A KR101924277B1 (ko) 2016-02-19 2017-02-02 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016029810A JP6623077B2 (ja) 2016-02-19 2016-02-19 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017147391A true JP2017147391A (ja) 2017-08-24
JP6623077B2 JP6623077B2 (ja) 2019-12-18

Family

ID=59629789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016029810A Active JP6623077B2 (ja) 2016-02-19 2016-02-19 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170241017A1 (ja)
JP (1) JP6623077B2 (ja)
KR (1) KR101924277B1 (ja)
TW (1) TWI616934B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170133694A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 세메스 주식회사 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN110230041B (zh) * 2018-03-05 2021-05-07 北京北方华创微电子装备有限公司 一种原子层沉积设备及方法
JP2021009980A (ja) * 2019-07-03 2021-01-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR20210063564A (ko) * 2019-11-25 2021-06-02 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
CN113010125B (zh) * 2019-12-20 2024-03-19 托比股份公司 方法、计算机程序产品和双目式头戴装置控制器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI273642B (en) * 2002-04-19 2007-02-11 Ulvac Inc Film-forming apparatus and film-forming method
JP5720406B2 (ja) * 2011-05-10 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法
JP2014057047A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びガス供給装置
JP6202681B2 (ja) * 2014-03-26 2017-09-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
TW201606115A (zh) * 2014-07-07 2016-02-16 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 用於薄膜沉積之含鉬及鎢之前驅物
JP6021977B2 (ja) * 2015-03-25 2016-11-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201730927A (zh) 2017-09-01
TWI616934B (zh) 2018-03-01
KR20170098162A (ko) 2017-08-29
KR101924277B1 (ko) 2018-11-30
JP6623077B2 (ja) 2019-12-18
US20170241017A1 (en) 2017-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6623077B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN108074844B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
KR101552532B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
CN108074840B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
CN108022861B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP2009032878A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
JP2007088398A (ja) 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
KR102581314B1 (ko) 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템
KR100417272B1 (ko) 처리액 공급장치, 처리장치 및 처리방법
CN110828332B (zh) 基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置
KR20170108916A (ko) 성막 장치 및 배기 장치 및 배기 방법
JP7493325B2 (ja) 基板処理装置
TW202117898A (zh) 基板處理裝置之清洗方法及基板處理系統
KR102358308B1 (ko) 기판 처리 장치, 인젝터 내의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법
TWI462173B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2013062417A (ja) 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置
JPH07142438A (ja) 洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン
JP3954464B2 (ja) 基板処理装置
JP2003115519A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ
JPWO2012008439A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP2013149666A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2024024804A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2008218471A (ja) 基板処理装置
KR20070071950A (ko) 반도체 소자 제조용 장비
JPH11335846A (ja) 成膜装置及びその運転方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181221

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190925

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191029

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6623077

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250