TW201730927A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理裝置及基板處理方法，其控制部係藉由排出部來排出處理空間的氣體，且使來自處理氣體產生部的處理氣體供給至處理空間，藉此對基板進行取決於處理氣體的處理，在使乾燥氣體以處理流量供給至處理空間並使氣體以乾燥氣體進行置換之後，使來自乾燥氣體供給部的乾燥氣體朝向預定方向流通，且進行以比處理流量更少之流量供給至過濾器的緩慢洩漏動作。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法，用以對半導體晶圓(wafer)、液晶顯示器用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、有機EL(Electro Luminescence；電致發光)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光顯示器(optical display)用基板、磁碟(magnetic disk)用基板、磁光碟(magneto optical disk)用基板、光罩(photomask)用基板、太陽電池用基板(以下，簡稱為基板)，供給處理氣體並進行預定的處理。
以往，作為此種的裝置係有在將阻劑液(resist solution)供給至基板面並形成阻劑被膜之前，供給含有HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)氣體的處理氣體，藉此對基板施予疏水化處理，以提高沉積於基板後的阻劑被膜之密接性(例如，參照日本特許第3425826號公報)。
在此，參照圖1，對習知例之具體的構成加以說明。再者，圖1係顯示習知例的基板處理裝置之主要部分的概 略構成圖。
習知例的基板處理裝置係具備：載置台101，用以載置基板W；蓋體103，用以覆蓋載置台101之上表面；以及氣體供給部105，其從俯視觀察下的蓋體103之中心部朝向蓋體103之內部供給處理氣體。氣體供給部105係具備：氣泡槽(bubbling tank)107，用以產生HMDS氣體；管109，用以供給氣泡槽107內的HMDS氣體；管111，用以供給作為載送氣體(carrier gas)或置換用氣體的氮(N2)氣；管接頭113，用以連結此等的管109、111；供給管115，用以連通連接管接頭113和蓋體103；以及過濾器(filter)117，其安裝於供給管115，用以除去流通於供給管115的氣體中之微粒子(particle)。
在如此所構成的基板處理裝置中，例如是以如下方式對基板W實施疏水化處理。首先是搬入基板W並載置於載置台101，且用蓋體103來覆蓋基板W。然後，從供給管115朝向蓋體103之內部供給處理氣體。在僅以預定之供給時間供給處理氣體之後，使處理氣體之供給停止，且僅以預定時間保持該狀態並將基板W暴露於蓋體103內部之處理氛圍中。然後，在從管111供給氮氣並進行置換之後，移動蓋體103以搬出基板W。
然而，在具有如此構成的習知例之情況下會有如下的問題。
亦即，習知的裝置一般是將供給管115在管接頭113側卸下，且定期地實施用以使蓋體103等潔淨的保修 (maintenance)。可是，在保修後的處理中，會有有時特別在俯視觀察下的基板W之中心部附著微粒子的問題。
本發明係有鑑於如此的情形所開發完成，其目的在於提供一種即便是保修後之處理仍可以防止在基板附著微粒子的基板處理裝置及基板處理方法。
本發明人等係為了解決上述的問題而進行了精心研究，結果，獲得如下的知識見解。可是，如上述的現象，雖然不會在未載置基板W之狀態下僅以一定時間供給處理氣體的虛擬分配(dummy dispense)之後緊接著發生，但是不久就會再次發生。藉由掃描式電子顯微鏡(SEM；Scanning Electron Microscope)分析已附著於基板W的微粒子後的結果，可明白其成分含有矽(Si)、氧(O)、碳(C)、氟(F)或幾個金屬。附著於基板W的微粒子之大小係比無法通過過濾器117的膜而應會被捕捉的大小更大。根據該等事實，本發明人等係考慮到會因如下的機制(mechanism)而發生問題。
在此，參照圖2。再者，圖2A至圖2C係顯示問題發生之機制的示意圖。當對基板W進行疏水化處理時，如圖2A所示，處理氣體中所含之各種的微粒子PM就會由過濾器117所捕捉，並且HMDS氣體會凝結並作為HMDS的液體而附著於過濾器117。由於當進行保修而將供給管115在管接頭113側卸下時，過濾器117就會接觸空氣，所以如圖2B所示，空氣中的水分和HMDS的液體會起反應並生成銨離子(ammonium ion)(NH4+)或三甲矽烷基 (trimethylsilyl group)(TMS)等的鹼性物質。該鹼性物質係與各種的微粒子PM起反應並使各種的微粒子PM溶解，且使凝膠狀(gelatinous)的微粒子GPM產生。該凝膠狀的微粒子GPM係可以通過過濾器117的膜。因此，當保修後供給處理氣體時，如圖2C所示，凝膠狀的微粒子GPM就會有一部分從過濾器117的膜脫離或全部從過濾器117的膜穿透，並乘處理氣體之流動而附著於俯視觀察下的基板W之中央部。基於如此之知識見解而完成的本發明，係構成如下。
本發明係為了達成如此的目的而採用如下的構成。
本發明係一種對基板進行取決於處理氣體的處理的基板處理裝置，前述基板處理裝置係包含以下的元件：處理部，其具備有載置台及蓋構件，該載置台係用以載置基板，該蓋構件係在進行基板之處理時用以覆蓋被載置於前述載置台的基板並形成處理空間；排出部，用以排出前述處理空間內的氣體；處理氣體產生部，用以使處理液氣化以產生處理氣體；乾燥氣體供給部，用以供給乾燥氣體；供給管，其一端側連通連接於前述蓋構件，且對前述處理空間供給前述處理氣體及前述乾燥氣體；過濾器，其使來自前述處理氣體產生部的處理氣體朝向預定方向流通，藉此除去供給至前述處理空間之處理氣體中所含的微粒子；以及控制部，其藉由前述排出部來排出前述處理空間的氣體，且使來自前述處理氣體產生部的處理氣體供給至前述處理空間，藉此對前述處理部內的基板進行取決於前述處理氣 體的處理，在使前述乾燥氣體以處理流量供給至前述處理空間並使前述處理空間的處理氣體以乾燥氣體進行置換之後，使來自前述乾燥氣體供給部的乾燥氣體朝向前述預定方向流通，且進行以比前述處理流量更少之流量供給至前述過濾器的緩慢洩漏動作(slow leak operation)。
依據本發明，控制部係藉由排出部來排出處理空間的氣體，且使處理氣體供給至處理空間，藉此對處理部內的基板進行取決於處理氣體的處理。其次，控制部係使乾燥氣體以處理流量供給至處理空間並使處理空間的處理氣體以乾燥氣體進行置換。之後，控制部係使乾燥氣體朝向預定方向流通，且使當時的流量比處理流量還減少以進行供給至過濾器的緩慢洩漏動作。因此，在結束對基板的處理之後，即便為了保修而卸下供給管，仍可以防止含有水分的空氣接觸過濾器。結果，由於可以防止因處理氣體與水分之反應而引起的微粒子之凝膠化，所以可以防止起因於凝膠化而使微粒子通過過濾器，且即便是保修後的處理仍可以防止微粒子附著於基板。
又，在本發明中，較佳是具備：上游側供給管，其供給有來自前述處理氣體產生部的處理氣體和來自前述乾燥氣體供給部的乾燥氣體；管接頭，其裝卸自如地連通連接有前述供給管的另一端側，且裝卸自如地連通連接有前述上游側供給管的一端側；第一開閉閥，其設置於前述上游側供給管的另一端側，用以控制來自前述處理氣體產生部的處理氣體朝向前述上游側供給管流通；以及第二開閉閥， 用以控制來自前述乾燥氣體供給部的乾燥氣體朝向前述上游側供給管流通；前述過濾器係配置於前述上游側供給管。
由於過濾器係設置於上游側供給管，所以可以除去處理氣體及乾燥氣體中所含的微粒子。又，由於亦可以用過濾器來除去在第一開閉閥和第二開閉閥所產生的微粒子，因此可以潔淨地處理基板。
又，在本發明中，較佳是具備：緩慢洩漏配管，用以連通連接前述第二開閉閥的上游側和下游側；以及控制閥，用以控制前述緩慢洩漏配管內的乾燥氣體之流量；前述控制部係操作前述控制閥以進行前述緩慢洩漏動作。
由於具備具有緩慢洩漏配管和控制閥的緩慢洩漏動作專用之構成，所以比起使用乾燥氣體供給部而直接進行緩慢洩漏動作的情況，還可以柔軟地控制緩慢洩漏動作。
又，在本發明中，前述第一開閉閥和前述第二開閉閥，較佳是由三通閥所構成。
藉由可以選擇性地切換二個流體的三通閥，就可以簡化構成，並且可以控制成本。
又，在本發明中，前述控制部較佳是在前述置換之後使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點進行。
在蓋構件從載置台開始上升的時間點，恐會發生含有水分的空氣從周圍流入之虞。藉由使緩慢洩漏動作在此時 間點開始，就可以防止水分與處理氣體的反應在過濾器上發生。
又，在本發明中，前述控制部較佳是為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
在蓋構件已抵接於載置台的時間點，並無含有水分的空氣從周圍流入之虞。藉由使緩慢洩漏動作在此時間點停止，就可以抑制白白浪費掉的乾燥氣體之消耗。
又，本發明係一種使用具備有載置台及蓋構件的處理部來對基板進行取決於處理氣體的處理的基板處理方法，該載置台係用以載置基板，該蓋構件係用以覆蓋被載置於前述載置台的基板並形成處理空間，前述基板處理方法係包含以下的步驟：處理步驟，其使前述處理空間的氣體排出，且使處理液氣化所成的處理氣體朝向過濾器之預定方向流通以除去微粒子並供給至前述處理空間，藉此對前述處理部內的基板進行取決於前述處理氣體的處理；置換步驟，其使乾燥氣體以處理流量供給至前述處理空間並使前述處理空間的處理氣體以乾燥氣體進行置換；以及緩慢洩漏動作步驟，其使乾燥氣體朝向前述預定方向流通，且以比前述處理流量更少之流量供給至前述過濾器。
依據本發明，在處理步驟中，係使處理空間的氣體排出，且使處理氣體供給至處理空間，藉此對處理部內的基板進行取決於處理氣體的處理。其次，在置換步驟中，係使乾燥氣體以處理流量供給至處理空間並使處理空間的處 理氣體以乾燥氣體進行置換。在緩慢洩漏動作步驟中，係使乾燥氣體朝向預定方向流通，且使當時的流量比處理流量還減少以進行供給至過濾器的緩慢洩漏動作。因此，在結束對基板的處理之後，即便進行保修，仍可以防止含有水分的空氣接觸過濾器。結果，由於可以防止因處理氣體與水分之反應而引起的微粒子之凝膠化，因此可以防止起因於凝膠化而使微粒子通過過濾器，且即便是保修後的處理仍可以防止微粒子附著於基板。
又，本發明中，前述緩慢洩漏動作步驟較佳是在前述置換步驟之後從前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點起實施。
在蓋構件從載置台開始上升的時間點，恐會發生含有水分的空氣從周圍流入之虞。藉由使緩慢洩漏動作在此時間點開始，就可以防止水分與處理氣體的反應在過濾器上發生。
又，在本發明中，前述緩慢洩漏動作步驟較佳是為了前述處理步驟而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作步驟在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
在蓋構件已抵接於載置台的時間點，就無含有水分的空氣從周圍流入之虞。藉由使緩慢洩漏動作在此時間點停止，就可以抑制白白浪費掉的乾燥氣體之消耗。
雖然為了說明發明，已有圖式被認為是目前較佳的幾個形態，但是應理解發明並非被限定於如同圖式般的構成 及手段。
1‧‧‧處理部
3、101‧‧‧載置台
5‧‧‧蓋構件
7‧‧‧升降機構
9‧‧‧供給口
11‧‧‧排氣口(排出部)
13‧‧‧排氣管
15‧‧‧壓力感測器
17‧‧‧控制閥
19‧‧‧供給系統
21、107‧‧‧氣泡槽(處理氣體產生部)
23‧‧‧配管
25‧‧‧三通閥(第一開閉閥、第二開閉 閥)
27、31‧‧‧流量計
29‧‧‧配管(乾燥氣體供給部)
33、65‧‧‧開閉閥
35‧‧‧配管(上游側供給管)
37、113‧‧‧管接頭
39、41、61、63、117‧‧‧過濾器
43、115‧‧‧供給管
45‧‧‧緩慢洩漏配管
47‧‧‧控制閥
51‧‧‧控制部
67‧‧‧洩漏排氣管
69‧‧‧洩漏排氣閥
103‧‧‧蓋體
105‧‧‧氣體供給部
109、111‧‧‧管
GPM‧‧‧凝膠狀的微粒子
PM‧‧‧微粒子
TS‧‧‧處理空間
W‧‧‧基板
圖1係顯示習知例的基板處理裝置之主要部分的概略構成圖。
圖2A至圖2C係顯示問題發生之機制的示意圖。
圖3係顯示實施例的基板處理裝置之概略構成的整體圖。
圖4係顯示各部之動作及處理空間之壓力變化的時序圖(time chart)。
圖5係顯示變化例的基板處理裝置之概略構成的整體圖。
以下，基於圖式而詳細說明本發明之較佳的實施例。
圖3係顯示實施例的基板處理裝置之概略構成的整體圖。
本實施例的基板處理裝置係對基板W進行取決於處理氣體的處理。具體而言，係藉由含有將處理液予以氣化後之氣體的處理氣體來進行處理。作為處理液，例如，可列舉HMDS(六甲基二矽氮烷)。該HMDS係作用於基板W之表面，並具有將基板W之表面改質成疏水面的性質。
處理基板W的處理部1係具備載置台3及蓋構件5。載置台3係在俯視觀察下具有比基板W之外徑更大的外形尺寸。蓋構件5係在俯視觀察下具有比基板W之外形更大的內徑之空間。該蓋構件5係藉由升降機構7構成能在載 置台3之上表面升降自如，且在進行基板W之處理時用以覆蓋被載置於載置台3的基板W並在內部形成處理空間TS。升降機構7係將蓋構件5升降及於蓋構件5離開載置台3之上方的「交接位置」、和蓋構件5之下緣已抵接於載置台3之上表面的「處理位置」。蓋構件5係在俯視觀察下的中心部形成有供給口9，以便處理氣體能均等地遍及於基板W之全面。
載置台3係內置有加熱器(未圖示)或支撐銷(未圖示)等，該加熱器係用以加熱被載置於載置台3之上表面的基板W，該支撐銷係在交接基板W時升降，且抵接於基板W之下表面以支撐基板W。又，載置台3係形成有已連通於處理空間TS的排氣口11。在該排氣口11係連通連接有排氣管13的一端側，而另一端側則連通連接於排氣設施(exhaust utility)或排氣泵等的排氣手段(未圖示)。在該排氣管13係安裝有壓力感測器15及控制閥17。控制閥17係可以調整流量，且在蓋構件5位於處理位置的情況下，被用於將排氣量調節較大，以進行使蓋構件5吸附於載置台3之上表面的密封動作(sealing action)，或置換處理空間TS的氣體。壓力感測器15係檢測處理空間TS的內部壓力。
再者，上面所述的排氣口11係相當於本發明中的「排出部」。
在處理部1係從供給系統19供給有氣體。供給系統19係將含有HMDS氣體的處理氣體、和作為惰性氣體的乾燥氮氣(dry N2 gas)供給至處理部1。
在使含有HMDS氣體之處理氣體產生的氣泡槽(bubbling tank)21，係連通連接有配管23的一端側，而配管23的另一端側則連通連接於三通閥25的第一輸入側。在配管23係安裝有用以監視處理氣體之流量的流量計27。配管29係使一端側連通連接於乾燥氮氣供給源，其另一端側則連通連接於三通閥25的第二輸入側。在配管29係安裝有流量計31及開閉閥33，該流量計31係用以監視乾燥氮氣之流量，該開閉閥33係用以控制朝向三通閥25之第二輸入側的乾燥氮氣之流通。
再者，上面所述的氣泡槽21係相當於本發明中的「處理氣體產生部」，配管29係相當於本發明中的「乾燥氣體供給部」。又，上面所述的三通閥25係相當於本發明中的「第一開閉閥」及「第二開閉閥」。
在三通閥25的下游側係配置有配管35。該配管35的一端側係裝卸自如地連通連接於管接頭37，而其另一端側則連通連接於三通閥25中的一個輸出側。在配管35係串聯地安裝有過濾器39和過濾器41。雖然過濾器39和過濾器41係相同規格的過濾器，但是例如亦可設為上游側之過濾器41的網眼比下游側之過濾器39的網眼更粗的規格。
如此，由於過濾器39、41係串聯地設置於配管35，因此可以確實地除去HMDS氣體及乾燥氮氣中所含的微粒子。又，由於藉由三通閥25之開閉動作所產生的微粒子亦可以用過濾器39、41來除去，因此可以潔淨地處理基板W。更且，由於是藉由三通閥25來進行乾燥氮氣和HMDS氣 體的切換，所以可以簡化構成。
再者，在上面所述的配管35係相當於本發明中的「上游側供給管」。
在蓋構件5的供給口9係連通連接有供給管43的一端側。供給管43的另一端側係裝卸自如地連通連接於管接頭37。在本實施形態的基板處理裝置中，係在進行用以除去已附著於蓋構件5之髒污等的保修時，在將供給管43的另一端側從管接頭37卸下之狀態下進行。
上面所述的配管29係用緩慢洩漏配管45來連通連接開閉閥33的上游側、和三通閥25的下游側且為過濾器39、41的上游側。在該緩慢洩漏配管45係設置有控制閥47。該控制閥47係調整乾燥氮氣的流量。該控制閥47係能夠事先設定開放時的流量。該開放時的流量係設定成比藉由後面所述之乾燥氮氣而進行置換時的處理流量更少的流量。
如此，由於具備具有緩慢洩漏配管45和控制閥47的緩慢洩漏動作專用之構成，所以比起使用乾燥氮氣供給源直接進行緩慢洩漏動作的情況，還可以柔軟地控制緩慢洩漏動作。
控制部51係由CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)或記憶體(memory)所構成。未圖示的記憶體係事先記憶已規定處理基板W之順序的配方(recipe)等。控制部51係可以操作升降機構7的升降動作、控制閥17的開閉動作、三通閥25的切換動作、開閉閥33的開閉動作、控制閥47 的開閉動作，並且進行壓力感測器15及流量計27、31的監視。控制部51係基於配方來操作上述的各部，並控制基板處理裝置的動作。
其次，參照圖4，就構成如上面所述的基板處理裝置之動作加以說明。再者，圖4係顯示各部之動作及處理空間之壓力變化的時序圖。
在此，係將作為處理對象的基板W載置於載置台3，且移動至蓋構件5已抵接於載置台3之處理位置後的狀態，假設為時序圖中的t0時間點。在該t0時間點，係假設為控制閥17被設定成大流量，蓋構件5被按壓於載置台3的加封(seal-on)之狀態，且為開閉閥33被開放，三通閥25被設定於乾燥氮氣側，控制閥47被封閉後的狀態。又，在該t0時間點，係假設處理空間TS內的壓力為-P4[kPa]。
控制部51係操作控制閥17，並在t1時間點以處理空間TS內的壓力成為-P1以下的方式從排氣口11進行排氣(圖4中之上部所記載的「減壓」)。藉此基板W能置放於減壓後的處理氛圍中。當控制部51係在t1時間點確認處理空間TS內的壓力已基於來自壓力感測器15的信號而變成-P1[kPa]以下時，就將三通閥25切換至HMDS氣體側，並且使開閉閥33封閉(圖4中之上部所記載的「塗布」)。將該狀態維持至t2時間點。藉此，基板W就暴露於HMDS氣體氛圍中，且在基板W之表面整體進行疏水化。此時藉由HMDS氣體之供給，處理空間TS內的壓力就會慢慢地上升，且壓力會在t2時間點上升至-P2[kPa]附近。
其次，控制部51係在t2時間點，將三通閥25切換至乾燥氮氣側，並且操作控制閥17以將來自排氣口11的排氣設定於小流量(圖4中之上部所記載的「保持」)。藉此，處理空間TS內的HMDS氣體之處理氛圍就能維持至t3時間點。再者，雖然三通閥25已切換至乾燥氮氣側，但是由於開閉閥33保持被封閉的狀態，所以乾燥氮氣不會供給至處理空間TS。
控制部51係在t3時間點使開閉閥33開放，並且操作控制閥17以較大的排氣量從排氣口11排氣(圖4中之上部所記載的「N2置換」)。藉此，乾燥氮氣能以處理流量供給至處理空間TS內。但是，在t4時間點為了使處理空間TS內的壓力以負壓(-P3[kPa])來平衡，而設定乾燥氮氣與排氣之流量的比率，且使蓋構件5和載置台3的密封維持於開啟狀態(ON state)。
再者，上面所述的t0時間點至t3時間點係相當於本發明中的「處理步驟」。
控制部51係在t4時間點操作控制閥17以將來自排氣口11的排氣設定於小流量(圖4中之上部所記載的「N2」)。藉此，合併乾燥氮氣之供給，使處理空間TS內的壓力在t5時間點恢復至大氣壓，且使蓋構件5和載置台3的密封設為關閉(OFF)。
再者，上面所述的t3時間點至t4時間點係相當於本發明中的「置換步驟」。
控制部51係在t5時間點操作升降機構7，以使蓋構件 5從載置台3上升至交接位置，並且操作控制閥17使來自排氣口11的排氣成為大流量(圖4中之上部所記載的「蓋構件上升」)。更且，控制部51係當蓋構件5之下緣在t5時間點開始離開載置台3之上表面時，就使開閉閥33封閉，並且使控制閥47開放。藉此，乾燥氮氣能以比處理流量更少的流量供給至配管35側(圖4中之上部所記載的「緩慢洩漏動作」)。
其次，控制部51係藉由未圖示的搬運機構，在t6時間點至t7時間點的期間使疏水處理完成的基板W從處理部1搬出(圖4中之上部所記載的「基板搬出」)。
控制部51係在t7時間點操作控制閥17以使來自排氣口11的排氣量設定於小流量，並且操作升降機構7使蓋構件5下降至處理位置(圖4中之上部所記載的「蓋構件下降」)。接著，控制部51係將該狀態維持至t9時間點(圖4中之上部所記載的「待機」)。再者，從將來自排氣口11的排氣流量形成較小的關係考慮，從該t7時間點至t10時間點係使處理空間TS內的壓力暫時成為正壓。
控制部51係在t9時間點使開閉閥33開放，且施加藉由緩慢洩漏動作而致使的小流量之乾燥氮氣並施加處理流量份而供給至處理空間TS(圖4中之上部所記載的「N2」)。藉此，處理空間TS內能維持於惰性氣體氛圍。
控制部51係在t10時間點為了下一個基板W之處理而操作升降機構7以使蓋構件5上升至交接位置，並且操作控制閥17以將來自排氣口11的排氣量設定於大流量(圖4 中之上部所記載的「蓋構件上升」)。
控制部51係在t11時間點使下一個基板W載置於載置台3(圖4中之上部所記載的「基板搬入」)。接著，控制部51係在t12時間點操作升降機構7以使蓋構件5下降至處理位置，並且操作控制閥17以使來自排氣口11的排氣量成為小流量(圖4中之上部所記載的「蓋構件下降」)。又，控制部51係在蓋構件5移動至處理位置後的t13時間點使控制閥47封閉，且使緩慢洩漏動作結束。
在本實施形態的基板處理裝置中，係能如上面所述般地進行處理。此時，從t5時間點至t13時間點進行緩慢洩漏動作(相當於本發明中的「緩慢洩漏動作步驟」)。例如，即便是在從t8時間點至t9時間點的待機狀態中，進行將蓋構件3潔淨化之保修的情況下，將供給管43的另一端側在管接頭37側卸下，且進行蓋構件3或供給管43的洗淨，仍可以防止空氣從配管35進入過濾器39、41。因此，可以防止空氣中的水分接觸過濾器39、41。結果，由於可以防止因HMDS氣體與水分之反應而引起的微粒子之凝膠化，因此可以防止起因於凝膠化而使微粒子通過過濾器39、41，且即便是保修後的處理仍可以防止微粒子附著於基板W。
又，雖然在蓋構件5從載置台3開始上升的t5時間點恐會發生含有水分的空氣從蓋構件5之周圍流入處理空間TS之虞，但是藉由使緩慢洩漏動作在該t5時間點開始，就可以防止水分與處理氣體之反應在過濾器發生。
更且，在蓋構件5已抵接於載置台3的t13時間點，並無含有水分的空氣從周圍流入處理空間TS之虞。藉由使緩慢洩漏動作在該t13時間點停止，就可以抑制白白浪費掉的乾燥氮氣之消耗。
本發明並未被限於上述實施形態，而可以如下述般地變化實施。
(1)在上面所述的實施例中，雖然已取HMDS氣體作為處理氣體之例加以說明，但是本發明並非被限定於如此的處理氣體。例如，亦可以適用於TMSDMA(N-trimethyl silyl-dimethylamine；N-三甲基矽烷基二甲胺)或TMSDEA(N-trimethyl silyl-diethylamine；N-三甲基矽烷基二乙胺)等之矽烷化劑(silylation agent)的處理氣體。
(2)在上面所述的實施例中，雖然已例示乾燥氮氣作為乾燥氣體，但是本發明並未被限定於如此的氣體。例如，亦可採用氬(argon)或氦(helium)等的惰性氣體。
(3)在上面所述的實施例中，雖然是在配管35設置二個串聯的過濾器39、41，但是亦可將此僅設置一個。又，亦可在圖5所示之位置配置過濾器。再者，圖5係顯示變化例的基板處理裝置之概略構成的整體圖。
亦即，在該變化例中，係不在配管35設置過濾器39、41，而是在配管23設置過濾器61，且在配管29設置過濾器63。然後，使緩慢洩漏配管45的一端側連通連接於配管29，將緩慢洩漏配管45的另一端側連通連接於與過濾器61之上游側相當的配管23。在緩慢洩漏配管45係事先 設置控制閥47。又，在比配管23之過濾器61還靠上游側配置開閉閥65，且在過濾器61之下游側且三通閥25之上游側分歧地設置洩漏排氣管67，在洩漏排氣管67事先設置洩漏排氣閥69。然後，使開閉閥65封閉以使HMDS氣體停止，並且使洩漏排氣閥69開放，更進一步使控制閥47開放。藉此，可以與上面所述的實施例同樣地使過濾器61進行緩慢洩漏動作，且可以達成同樣的功效。而且，在該變化例中，即便是在進行如交換三通閥25之保修的情況下，仍能達成同樣的功效。
(4)在上面所述的實施例中，雖然是在配管35設置過濾器39、41，但是亦可在供給管43配置過濾器39、41。但是，在此情況下，係將供給管43在蓋構件5側事先構成裝卸自如。
(5)在上面所述的實施例中，雖然是用三通閥25來切換二種類的氣體，但是亦可分別形成為由不同個體的二個開閉閥所切換的構成。
(6)在上面所述的實施例中，雖然是使用乾燥氮氣作為置換氣體，但是即便在使用如將乾燥氮氣與HMDS氣體混合並形成為處理氣體的乾燥氮氣作為載送氣體的情況下仍可以適用本發明。
本發明係可以在不脫離其精神或本質屬性的情況下，以其他的特定形式來具體化，因而，作為該發明之範圍的教示，應參考所附申請專利範圍而非前述說明書。
1‧‧‧處理部
3‧‧‧載置台
5‧‧‧蓋構件
7‧‧‧升降機構
9‧‧‧供給口
11‧‧‧排氣口(排出部)
13‧‧‧排氣管
15‧‧‧壓力感測器
17‧‧‧控制閥
19‧‧‧供給系統
21‧‧‧氣泡槽(處理氣體產 生部)
23‧‧‧配管
25‧‧‧三通閥(第一開閉 閥、第二開閉閥)
27、31‧‧‧流量計
29‧‧‧配管(乾燥氣體供給 部)
33‧‧‧開閉閥
35‧‧‧配管(上游側供給管)
37‧‧‧管接頭
39、41‧‧‧過濾器
43‧‧‧供給管
45‧‧‧緩慢洩漏配管
47‧‧‧控制閥
51‧‧‧控制部

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係對基板進行取決於處理氣體的處理，前述基板處理裝置係包含以下的元件：處理部，其具備有載置台及蓋構件，該載置台係用以載置基板，該蓋構件係在進行基板之處理時用以覆蓋被載置於前述載置台的基板並形成處理空間；排出部，用以排出前述處理空間內的氣體；處理氣體產生部，用以使處理液氣化以產生處理氣體；乾燥氣體供給部，用以供給乾燥氣體；供給管，其一端側連通連接於前述蓋構件，且對前述處理空間供給前述處理氣體及前述乾燥氣體；過濾器，其使來自前述處理氣體產生部的處理氣體朝向預定方向流通，藉此除去供給至前述處理空間之處理氣體中所含的微粒子；以及控制部，其藉由前述排出部來排出前述處理空間的氣體，且使來自前述處理氣體產生部的處理氣體供給至前述處理空間，藉此對前述處理部內的基板進行取決於前述處理氣體的處理，在使前述乾燥氣體以處理流量供給至前述處理空間並使前述處理空間的處理氣體以乾燥氣體進行置換之後，使來自前述乾燥氣體供給部的乾燥氣體朝向前述預定方向流通，且進行以 比前述處理流量更少之流量供給至前述過濾器的緩慢洩漏動作。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中具備：上游側供給管，其供給有來自前述處理氣體產生部的處理氣體和來自前述乾燥氣體供給部的乾燥氣體；管接頭，其裝卸自如地連通連接有前述供給管的另一端側，且裝卸自如地連通連接有前述上游側供給管的一端側；第一開閉閥，其設置於前述上游側供給管的另一端側，用以控制來自前述處理氣體產生部的處理氣體朝向前述上游側供給管流通；以及第二開閉閥，用以控制來自前述乾燥氣體供給部的乾燥氣體朝向前述上游側供給管流通；前述過濾器係配置於前述上游側供給管。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中具備：緩慢洩漏配管，用以連通連接前述第二開閉閥的上游側和下游側；以及控制閥，用以控制前述緩慢洩漏配管內的乾燥氣體之流量；前述控制部係操作前述控制閥以進行前述緩慢洩漏動作。
  4. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述第一開閉閥和前述第二開閉閥係由三通閥所構成。
  5. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述第一開閉閥和前述第二開閉閥係由三通閥所構成。
  6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述置換之後使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點進行。
  7. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述置換之後使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點進行。
  8. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述置換之後使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點進行。
  9. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述置換之後使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點進行。
  10. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述置換之後使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點進行。
  11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  12. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  13. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  14. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  15. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  16. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係為了前述處理而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  17. 一種基板處理方法，係使用具備有載置台及蓋構件的處理部來對基板進行取決於處理氣體的處理，該載置台係用以載置基板，該蓋構件係用以覆蓋被載置於 前述載置台的基板並形成處理空間，前述基板處理方法係包含以下的步驟：處理步驟，其使前述處理空間的氣體排出，且使處理液氣化所成的處理氣體朝向過濾器之預定方向流通以除去微粒子並供給至前述處理空間，藉此對前述處理部內的基板進行取決於前述處理氣體的處理；置換步驟，其使乾燥氣體以處理流量供給至前述處理空間並使前述處理空間的處理氣體以乾燥氣體進行置換；以及緩慢洩漏動作步驟，其使乾燥氣體朝向前述預定方向流通，且以比前述處理流量更少之流量供給至前述過濾器。
  18. 如請求項17所記載之基板處理方法，其中前述緩慢洩漏動作步驟係在前述置換步驟之後從前述蓋構件開始離開前述載置台的時間點起實施。
  19. 如請求項17所記載之基板處理方法，其中前述緩慢洩漏動作步驟係為了前述處理步驟而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作步驟在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
  20. 如請求項18所記載之基板處理方法，其中前述緩慢洩漏動作步驟係為了前述處理步驟而使基板載置於前述載置台，且使前述緩慢洩漏動作步驟在前述蓋構件已抵接於前述載置台的時間點停止。
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