JP2019086460A - 処理装置、検査装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｑ値を用いた測定対象の良否検査における検査精度の向上が可能なＱ値を算出する。【解決手段】測定対象の直流抵抗値Ｒｄ１を４端子法で測定する第１測定処理を実行する第１測定部１１と、測定対象の直流抵抗値Ｒｄ２を２端子法で測定する第２測定処理、並びに測定対象の交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌをそれぞれ２端子法で測定する第３測定処理を実行する第２測定部１２と、各直流抵抗値Ｒｄ１，Ｒｄ２、交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌに基づいて測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理部１７とを備え、第２測定部１２は、第２測定処理を第３測定処理の実行前後に実行し、処理部１７は、各直流抵抗値Ｒｄ２の中の最小の直流抵抗値Ｒｄ２と直流抵抗値Ｒｄ１との差分値を用いて交流抵抗値Ｒａを補正する補正処理を実行し、補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて算出処理を実行する。【選択図】図１

Description

本発明は、測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理装置、Ｑ値に基づいて測定対象を検査する検査方法、および測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理方法に関するものである。

この種の処理装置として、下記特許文献１において出願人が開示したインピーダンス測定装置が知られている。このインピーダンス測定装置は、コントローラ、第１測定手段および第２測定手段を備え、インダクタ素子のＱ値を算出すると共にＱ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定可能に構成されている。この場合、第１測定手段は、直流信号を用いた４端子測定法でインダクタ素子の直流抵抗値Ｒｄｃ４を測定する。また、第２測定手段は、直流信号を用いた２端子測定法でインダクタ素子の直流抵抗値Ｒｄｃ２を測定すると共に、高周波信号を用いた２端子測定法でインダクタ素子の実効抵抗値Ｒｓおよびインダクタンス値Ｌを測定する。また、コントローラは、第１測定手段および第２測定手段を制御すると共に、各測定値Ｒｄｃ４，Ｒｄｃ２，Ｒｓ，Ｌを用いて算出したＱ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定する。このインピーダンス測定装置では、第２測定手段が２端子測定法で測定を行う際の測定用のプローブの接触抵抗値Ｒｃの影響を低減させるため、Ｒｄｃ２とＲｄｃ４との差分値を接触抵抗値Ｒｃ（Ｒｃ＝Ｒｄｃ２−Ｒｄｃ４）として求め、実効抵抗値Ｒｓを接触抵抗値Ｒｃで補正し、その補正値Ｒｓ’（Ｒｓ’＝Ｒｓ−Ｒｃ）を用いてＱ値を算出している。

特開２０１５−１２５１３５号公報（第５−８頁、第１−２図）

ところが、上記のインピーダンス測定装置には、改善すべき以下の課題がある。具体的には、上記のインピーダンス測定装置では、第２測定手段が、実効抵抗値Ｒｓの測定前および測定後のいずれか一方において直流抵抗値Ｒｄｃ２の測定を１回だけ実行し、その直流抵抗値Ｒｄｃ２から求めた接触抵抗値Ｒｃで実効抵抗値Ｒｓを補正している。この場合、直流抵抗値Ｒｄｃ２の測定時刻における接触抵抗値Ｒｃと実効抵抗値Ｒｓの測定時刻における接触抵抗値Ｒｃとが異なるとき、つまり、両測定時刻の間に接触抵抗値Ｒｃが変化したときには、実際の接触抵抗値Ｒｃとは異なる接触抵抗値Ｒｃで実効抵抗値Ｒｓを補正したこととなり、このときには、Ｑ値を正確に算出することが困難となる。特に、実効抵抗値Ｒｓの測定時刻における接触抵抗値Ｒｃの方が直流抵抗値Ｒｄｃ２の測定時刻における接触抵抗値Ｒｃよりも小さいときには、接触抵抗値Ｒｃを含まない実際の実効抵抗値Ｒｓよりも補正値Ｒｓ’（補正後の実効抵抗値Ｒｓ）の方が小さくなり、Ｑ値（ωＬ／Ｒｓ’）が実際の値よりも大きくなる結果、Ｑ値に基づくインダクタ素子の検査の際に、実際にはＱ値が小さい不良のインダクタ素子を良品と判定するおそれがある。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、Ｑ値を用いた測定対象の良否検査における検査精度の向上が可能なＱ値を算出し得る処理装置、検査装置および処理方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の処理装置は、測定対象の直流抵抗値を４端子法で測定する第１測定処理を実行する第１測定部と、前記測定対象の直流抵抗値を２端子法で測定する第２測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ２端子法で測定する第３測定処理を実行する第２測定部と、前記各直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理部とを備えた処理装置であって、前記第２測定部は、前記第２測定処理を前記第３測定処理の実行前後に実行し、前記処理部は、前記各第２測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第１測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する。

また、請求項２記載の処理装置は、請求項１記載の処理装置において、前記第２測定部は、前記第３測定処理の実行前および当該第３測定処理の実行後の少なくとも一方において前記第２測定処理を複数回実行する。

また、請求項３記載の処理装置は、請求項１または２記載の処理装置において、前記処理部は、前記補正処理において、前記差分値に予め規定された０以上１以下の係数を乗じて得た値を前記交流抵抗値から差し引いて当該交流抵抗値を補正する。

また、請求項４記載の処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載の処理装置において、前記処理部は、前記差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに前記補正処理を実行して補正した前記補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行し、前記差分値が前記設定値以下のときには前記補正処理前の前記交流抵抗値を用いて前記算出処理を実行する。

また、請求項５記載の検査装置は、請求項１から４のいずれかに記載の処理装置と、当該処理装置によって算出された前記Ｑ値に基づいて前記測定対象の良否を検査する検査部とを備えている。

また、請求項６記載の処理方法は、測定対象の直流抵抗値を４端子法で測定する第１測定処理、前記測定対象の直流抵抗値を２端子法で測定する第２測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ２端子法で測定する第３測定処理を実行し、前記各直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理方法であって、前記第２測定処理を前記第３測定処理の実行前後に実行し、前記各第２測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第１測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する。

請求項１記載の処理装置、請求項５記載の検査装置、および請求項６記載の処理方法では、第２測定処理を第３測定処理の実行前後に実行し、各第２測定処理によって測定された各直流抵抗値の中の最も小さい直流抵抗値と第１測定処理によって測定された直流抵抗値との差分値を用いて交流抵抗値を補正し、補正した補正抵抗値を用いてＱ値を算出する。この場合、第２測定処理を１回だけ実行して測定した直流抵抗値を用いてＱ値を算出する構成および方法では、接触抵抗値が時間経過に伴って変化する場合において、その１回の第２測定処理によって測定された直流抵抗値に含まれる接触抵抗値が交流抵抗値に含まれる接触抵抗値よりも大きいときには、その直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値が、測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さい値となり、この補正抵抗値を用いて算出したＱ値の算出値が測定対象の実際のＱ値よりも大きな値となる結果、実際にはＱ値が小さい不良の測定対象を良品と誤判定するおそれがある。これに対して、この処理装置、検査装置および処理方法では、第３測定処理の実行前後で実行した各第２測定処理において測定された各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値を用いるため、補正した補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることを回避することができる結果、Ｑ値の算出値が実際のＱ値よりも大きな値となる事態を確実に防止することができる。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、Ｑ値を用いた測定対象の良否検査における検査精度を十分に向上させることが可能なＱ値を算出することができる。

また、請求項２記載の処理装置、および請求項５記載の検査装置によれば、第３測定処理の実行前および第３測定処理の実行後において第２測定処理をそれぞれ複数回実行することにより、接触抵抗値が不規則に変化する場合においても、第２測定処理の実行回数を多くして、各第２測定処理で測定した直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値を用いることで、Ｑ値の算出値が実際のＱ値よりも大きな値となる事態をより確実に防止することができる。

また、請求項３記載の処理装置、および請求項５記載の検査装置では、補正処理において、差分値に０以上１以下の係数を乗じて得た値を交流抵抗値から差し引いて交流抵抗値を補正する。この場合、差分値に係数を乗じて得た値で補正した補正抵抗値は、差分値で補正した補正抵抗値よりも小さな値となることがない。このため、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることを確実に回避することができる結果、Ｑ値の算出値が実際のＱ値よりも大きな値となる事態をさらに確実に防止することができる。

また、請求項４記載の処理装置、および請求項５記載の検査装置では、差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに補正処理を実行して補正した補正抵抗値を用いてＱ値を算出し、差分値が設定値以下のときには補正処理前の交流抵抗値を用いてＱ値を算出する。このため、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、例えば、良好な状態のプローブを使用したときに通常生じる接触抵抗値の上限値を設定値として設定することで、差分値が設定値よりも大きく、交流抵抗値を補正する必要性が高いときだけ補正処理を行い、差分値が設定値以下で、交流抵抗値を補正する必要性が低いときには、補正処理を行わないようにすることができるため、必要性が低い補正によって実際のＱ値よりも大きな算出値が算出される事態を一層確実に防止することができる。

検査装置１の構成を示す構成図である。 第１測定処理を説明する説明図である。 第２測定処理および第３測定処理を説明する説明図である。 検査処理５０のフローチャートである。 算出処理７０のフローチャートである。 算出処理７０を説明する説明図である。

以下、処理装置、検査装置および処理方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、図１に示す検査装置１の構成について説明する。検査装置１は、検査装置の一例であって、測定対象の一例としてのインダクタ素子１００のＱ値を算出すると共に、Ｑ値の算出値Ｑｃに基づいてインダクタ素子１００の良否を検査可能に構成されている。具体的には、検査装置１は、同図に示すように、第１測定部１１、第２測定部１２、操作部１３、記憶部１４、表示部１５、搬送機構１６および処理部１７を備えて構成されている。この場合、検査装置１のうちの後述する検査機能を除く部分によって処理装置が構成される。

第１測定部１１は、プローブ３１ａ〜３１ｄを移動させる図外の移動機構と、電流出力部１１ａおよび電圧検出部１１ｂ（図２参照）とを備えて構成され、処理部１７の制御に従い、インダクタ素子１００の直流抵抗値Ｒｄ１を４端子法で測定する第１測定処理を実行する。具体的には、第１測定処理において、第１測定部１１の移動機構が、同図に示すように、測定位置Ｐ１に搬送されたインダクタ素子１００の端子１０１ａにプローブ３１ａ，３１ｃを接触させると共に、インダクタ素子１００の端子１０１ｂにプローブ３１ｂ，３１ｄを接触させ、電流出力部１１ａが、直流電流を出力してプローブ３１ａ，３１ｂを介してインダクタ素子１００に供給し、電圧検出部１１ｂが、端子１０１ａ，１０１ｂ間の電圧値をプローブ３１ｃ，３１ｄを介して検出する。また、第１測定部１１は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいて直流抵抗値Ｒｄ１を測定する。

第２測定部１２は、プローブ３２ａ，３２ｂを移動させる図外の移動機構と、電流出力部１２ａおよび電圧検出部１２ｂ（図３参照）とを備えて構成され、処理部１７の制御に従い、インダクタ素子１００の直流抵抗値Ｒｄ２を２端子法で測定する第２測定処理、およびインダクタ素子１００の交流抵抗値Ｒａ（実効抵抗値）およびインダクタンス値Ｌをそれぞれ２端子法で測定する第３測定処理を実行する。具体的には、第２測定処理において、第２測定部１２の移動機構が、同図に示すように、測定位置Ｐ２に搬送されたインダクタ素子１００の端子１０１ａ，１０１ｂにプローブ３２ａ，３２ｂをそれぞれ接触させ、電流出力部１２ａが、直流電流を出力してプローブ３２ａ，３２ｂを介してインダクタ素子１００に供給し、電圧検出部１１ｂが、端子１０１ａ，１０１ｂ間の電圧値をプローブ３２ａ，３２ｂを介して検出する。また、第２測定部１２は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいて直流抵抗値Ｒｄ２を測定する。

また、第３測定処理において、第２測定部１２の移動機構が、インダクタ素子１００の端子１０１ａ，１０１ｂにプローブ３２ａ，３２ｂをそれぞれ接触させた状態を維持し（図３参照）、電流出力部１２ａが、交流電流を出力してプローブ３２ａ，３２ｂを介してインダクタ素子１００に供給し、電圧検出部１２ｂが、端子１０１ａ，１０１ｂ間の交流電圧値をプローブ３２ａ，３２ｂを介して検出する。また、第２測定部１２は、交流電圧値（電圧実効値）、供給している交流電流の交流電流値（電流実効値）、および交流電圧と交流電流との位相差に基づいて交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌを測定する。

操作部１３は、各種のボタンやキーを備えて構成され、これらが操作されたときに操作信号を出力する。

記憶部１４は、第１測定部１１によって測定された直流抵抗値Ｒｄ１を記憶すると共に、第２測定部１２によって測定された直流抵抗値Ｒｄ２、交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌを記憶する。また、記憶部１４は、処理部１７によって実行される後述する検査処理５０において算出されるＱ値の算出値Ｑｃを記憶する。また、記憶部１４は、検査処理５０において用いるＱ値の基準値Ｑｒ、並びに検査処理５０において実行される算出処理７０において用いる設定値Ｒｒおよび係数Ｋｃを記憶する。

表示部１５は、処理部１７の制御に従い、処理部１７によって実行される検査処理５０において算出されるＱ値の算出値Ｑｃや、検査処理５０において検査されるインダクタ素子１００の良否の検査結果を表示する。

搬送機構１６は、処理部１７の制御に従い、図外の供給装置によってインダクタ素子１００が供給される供給位置、第１測定部１１によって第１測定処理が実行される測定位置Ｐ１（図２参照）、第２測定部１２によって第２測定処理および第３測定処理が実行される測定位置Ｐ２（図３参照）、並びに各測定処理および検査が終了したインダクタ素子１００が図外の搬出装置によって搬出される搬出位置にインダクタ素子１００を搬送する。

処理部１７は、操作部１３から出力される操作信号に従って検査装置１を構成する各構成要素を制御する。また、処理部１７は、図５に示す算出処理７０を実行して、直流抵抗値Ｒｄ１，Ｒｄ２、交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌに基づいてインダクタ素子１００のＱ値を算出する。また、処理部１７は、検査部として機能し、図４に示す検査処理５０を実行して、Ｑ値の算出値Ｑｃに基づいてインダクタ素子１００の良否を検査する検査機能を有している。

次に、検査装置１を用いて測定対象としてのインダクタ素子１００のＱ値を算出する処理方法、およびＱ値の算出値Ｑｃに基づいてインダクタ素子１００の良否を検査する検査方法について図面を参照して説明する。

まず、操作部１３を操作して、検査の開始を指示する。この際に、操作部１３が操作信号を出力し、処理部１７が操作信号に従って図４に示す検査処理５０を実行する。この検査処理５０では、処理部１７は、搬送機構１６を制御して、図外の供給装置によって供給位置に供給されたインダクタ素子１００を図２に示す測定位置Ｐ１に搬送させる（ステップ５１）。

次いで、処理部１７は、第１測定部１１を制御して、第１測定処理を実行させる（ステップ５２）。この第１測定処理では、第１測定部１１は、図外の移動機構を作動させてプローブ３１ａ〜３１ｄを移動させ、図２に示すように、測定位置Ｐ１に搬送されたインダクタ素子１００の端子１０１ａにプローブ３１ａ，３１ｃを接触させると共に、インダクタ素子１００の端子１０１ｂにプローブ３１ｂ，３１ｄを接触させる。

続いて、第１測定部１１の電流出力部１１ａが、直流電流を出力してプローブ３１ａ，３１ｂを介してインダクタ素子１００に供給する。次いで、第１測定部１１の電圧検出部１１ｂが、端子１０１ａ，１０１ｂ間の電圧値をプローブ３１ｃ，３１ｄを介して検出する。続いて、第１測定部１１は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいてインダクタ素子１００の直流抵抗値Ｒｄ１を測定する。次いで、処理部１７は、測定された直流抵抗値Ｒｄ１を記憶部１４に記憶させる。

この場合、上記したように４つのプローブ３１ａ〜３１ｄを用いる４端子法による抵抗測定では、プローブ３１ａ〜３１ｄと端子１０１ａ，１０１ｂとの接触部分に生じる接触抵抗の影響が十分に低く抑えられるため、接触抵抗の値（以下「接触抵抗値Ｒｃ」ともいう）が含まれていない（または、ほぼ含まれていない）直流抵抗値Ｒｄ１を測定することが可能となっている。

続いて、処理部１７は、搬送機構１６を制御して、インダクタ素子１００を測定位置Ｐ１から図３に示す測定位置Ｐ２に搬送させる（ステップ５３）。

次いで、処理部１７は、第２測定部１２を制御して、第２測定処理（第３測定処理の実行前の第２測定処理）を実行させる（ステップ５４）。この第２測定処理では、第２測定部１２は、図外の移動機構を作動させてプローブ３２ａ，３２ｂを移動させ、図３に示すように、測定位置Ｐ２に搬送されたインダクタ素子１００の端子１０１ａ，１０１ｂに、プローブ３２ａ，３２ｂをそれぞれ接触させる。

続いて、第２測定部１２の電流出力部１２ａが、直流電流を出力してプローブ３２ａ，３２ｂを介してインダクタ素子１００に供給する。次いで、電流出力部１２ａの電圧検出部１２ｂが、端子１０１ａ，１０１ｂ間の電圧値をプローブ３２ａ，３２ｂを介して検出する。続いて、第２測定部１２は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいてインダクタ素子１００の直流抵抗値Ｒｄ２を測定する。次いで、処理部１７は、測定された直流抵抗値Ｒｄ２を記憶部１４に記憶させる。

この場合、上記したように２つのプローブ３２ａ，３２ｂを用いる２端子法による抵抗測定では、プローブ３２ａ，３２ｂと端子１０１ａ，１０１ｂとの接触部分に生じる接触抵抗の影響を抑えることができないため、直流抵抗値Ｒｄ２には接触抵抗値Ｒｃが含まれている。

続いて、処理部１７は、第２測定部１２を制御して、予め規定された時間間隔で第２測定処理を複数回（例えば、３回）に実行させ、各第２測定処理で測定された各直流抵抗値Ｒｄ２を記憶部１４に記憶させる。

次いで、処理部１７は、第２測定部１２を制御して、第３測定処理を実行させる（ステップ５５）。この第３測定処理では、第２測定部１２は、図３に示すように、インダクタ素子１００の端子１０１ａ，１０１ｂにプローブ３２ａ，３２ｂをそれぞれ接触させた状態で、電流出力部１２ａが、交流電流を出力してプローブ３２ａ，３２ｂを介してインダクタ素子１００に供給する。続いて、電圧検出部１２ｂが、端子１０１ａ，１０１ｂ間の交流電圧値をプローブ３２ａ，３２ｂを介して検出する。次いで、第２測定部１２は、交流電圧値（電圧実効値）、供給している交流電流の交流電流値（電流実効値）、および交流電圧と交流電流との位相差に基づいてインダクタ素子１００の交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌを測定する。続いて、処理部１７は、測定された交流抵抗値Ｒａおよびインダクタンス値Ｌを記憶部１４に記憶させる。

次いで、処理部１７は、第２測定部１２を制御して、上記した第２測定処理（第３測定処理の実行後の第２測定処理）を実行させる（ステップ５６）。この場合、処理部１７は、予め規定された時間間隔で第２測定処理を複数回（例えば、３回）に実行させ、各第２測定処理で測定された各直流抵抗値Ｒｄ２を記憶部１４に記憶させる。

続いて、処理部１７は、算出処理７０を実行する（ステップ５７）。この算出処理７０では、処理部１７は、図５に示すように、記憶部１４に記憶されている各直流抵抗値Ｒｄ２を読み出し、その中から最小の直流抵抗値Ｒｄ２（以下、最小の直流抵抗値Ｒｄ２を「直流抵抗値Ｒｄ２ｓ」ともいう）を特定する（ステップ７１）。

次いで、処理部１７は、記憶部１４に記憶されている直流抵抗値Ｒｄ１を読み出して、直流抵抗値Ｒｄ２ｓと直流抵抗値Ｒｄ１との差分値Ｒｍ（Ｒｄ２ｓ−Ｒｄ１）を算出する（ステップ７２）。この場合、上記したように、直流抵抗値Ｒｄ２ｓには接触抵抗値Ｒｃが含まれ、直流抵抗値Ｒｄ１には接触抵抗値Ｒｃが含まれていないため、差分値Ｒｍは、接触抵抗値Ｒｃに相当する。

続いて、処理部１７は、記憶部１４に記憶されている設定値Ｒｒを読み出して、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒよりも大きいか否かを判別する（ステップ７３）。この場合、先端部が摩耗したり酸化したりしていない良好な状態のプローブ３２ａ，３２ｂを使用したときに通常生じる接触抵抗値Ｒｃの上限値が設定値Ｒｒとして予め設定されている。

処理部１７は、ステップ７３において、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒよりも大きいと判別したときには、記憶部１４に記憶されている係数Ｋｃを読み出して、差分値Ｒｍに係数Ｋｃを乗算した補正値Ｒｍ’（Ｒｍ×Ｋｃ）を算出する（ステップ７４）。この場合、係数Ｋｃは、０以上１以下の範囲で任意に規定される。なお、係数Ｋｃを１に規定する（つまり、補正値Ｒｍ’を差分値Ｒｍとする）ことで、差分値Ｒｍをそのまま用いて後述する交流抵抗値Ｒａの補正を行うことができ、係数Ｋｃを０に規定する（つまり、補正値Ｒｍ’を０とする）ことで、交流抵抗値Ｒａの補正を行わないことができる。

次いで、処理部１７は、記憶部１４に記憶されている交流抵抗値Ｒａを読み出して、交流抵抗値Ｒａから補正値Ｒｍ’を減算して補正した補正抵抗値Ｒａ’を算出する補正処理を実行する（ステップ７５）。この場合、補正値Ｒｍ’は、上記したように、接触抵抗値Ｒｃに相当する差分値Ｒｍに係数Ｋｃを乗算した値であるため、交流抵抗値Ｒａから補正値Ｒｍ’を減算することで、交流抵抗値Ｒａから接触抵抗値Ｒｃに相当する抵抗値、または接触抵抗値Ｒｃよりも小さい抵抗値を除外することができる。

続いて、処理部１７は、補正抵抗値Ｒａ’を用いてインダクタ素子１００のＱ値を算出する（ステップ７６）。この場合、Ｑ値の算出値をＱｃとし、第３測定処理における交流電流の角周波数をωとし、インダクタ素子１００のインダクタンス値をＬとすると、Ｑｃ＝ωＬ／Ｒａ’となる。

ここで、例えば、図６に示すように、インダクタ素子１００や検査装置１の電気的特性、および測定環境等に起因して、接触抵抗値Ｒｃが時間経過に伴って変化（同図の例では、時間経過に伴って減少）するときには、交流抵抗値Ｒａを測定した時刻（第３測定処理を実行した時刻）と、直流抵抗値Ｒｄ２を測定した時刻（第２測定処理を実行した時刻）とが異なるため、直流抵抗値Ｒｄ２に含まれる接触抵抗値Ｒｃと交流抵抗値Ｒａに含まれる接触抵抗値Ｒｃとが異なることとなる。この場合、交流抵抗値Ｒａに含まれる接触抵抗値Ｒｃよりも大きい接触抵抗値Ｒｃを含んだ直流抵抗値Ｒｄ２（同図の例では、第３測定処理以前に実行した第２測定処理で測定した直流抵抗値Ｒｄ２）と直流抵抗値Ｒｄ１との差分値Ｒｍに基づく補正値Ｒｍ’で交流抵抗値Ｒａを補正したときには、補正後の補正抵抗値Ｒａ’が、接触抵抗値Ｒｃを含まないインダクタ素子１００の実際の交流抵抗値Ｒａよりも小さい値となることがあり、このような補正抵抗値Ｒａ’を用いて算出したＱ値の算出値Ｑｃは、インダクタ素子１００の実際のＱ値よりも大きな値となる。このため、第２測定処理を１回だけ実行して測定した直流抵抗値Ｒｄ２を用いる構成および方法では、その直流抵抗値Ｒｄ２に含まれる接触抵抗値Ｒｃが交流抵抗値Ｒａに含まれる接触抵抗値Ｒｃよりも大きいときには、Ｑ値の算出値Ｑｃがインダクタ素子１００の実際のＱ値よりも大きな値となり、実際にはＱ値が小さい不良のインダクタ素子１００を良品と誤判定するおそれがある。

これに対して、この検査装置１では、上記したように、第３測定処理の実行前後で第２測定処理を実行し、各第２測定処理で測定した各直流抵抗値Ｒｄ２の中の最小の直流抵抗値Ｒｄ２と直流抵抗値Ｒｄ１との差分値Ｒｍに基づく補正値Ｒｍ’で交流抵抗値Ｒａを補正する。このため、この検査装置１では、補正抵抗値Ｒａ’がインダクタ素子１００の実際の交流抵抗値Ｒａよりも小さい値となって、Ｑ値の算出値Ｑｃがインダクタ素子１００の実際のＱ値よりも大きな値となり、実際にはＱ値が小さい不良のインダクタ素子１００が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。

一方、処理部１７は、上記したステップ７３において差分値Ｒｍが設定値Ｒｒ以下であると判別したときには、ステップ７４，７５を実行することなく、補正処理前の交流抵抗値Ｒａを用いてインダクタ素子１００のＱ値を算出する（ステップ７６）。つまり、この検査装置１では、良好な状態のプローブ３２ａ，３２ｂを使用したときの接触抵抗値Ｒｃである設定値Ｒｒよりも差分値Ｒｍの方が大きく、交流抵抗値Ｒａを補正する必要性が高いときに補正処理を行い、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒ以下で、交流抵抗値Ｒａを補正する必要性が低いときには補正処理を行わない構成および方法が採用されている。

次いで、処理部１７は、Ｑ値の算出値Ｑｃを記憶部１４に記憶させると共に、表示部１５に表示させて算出処理７０を終了し、続いて、図４に示す検査処理５０のステップ５８を実行する。このステップ５８では、処理部１７は、記憶部１４に記憶されている算出値Ｑｃおよび基準値Ｑｒを読み出して、算出値Ｑｃと基準値Ｑｒとを比較する。この場合、処理部１７は、算出値Ｑｃが基準値Ｑｒ以上のときには、インダクタ素子１００を良品と判定し、算出値Ｑｃが基準値Ｑｒ未満のときには、インダクタ素子１００を不良品と判定する。次いで、処理部１７は、検査結果（判定結果）を表示部１５に表示させる。

続いて、処理部１７は、搬送機構１６を制御して、インダクタ素子１００を測定位置Ｐ２から搬出位置に搬送させて（ステップ５９）、検査処理５０を終了する。

このように、この処理装置、検査装置１および処理方法では、第２測定処理を第３測定処理の実行前後に実行し、各第２測定処理によって測定された各直流抵抗値Ｒｄ２の中の最も小さい直流抵抗値Ｒｄ２と第１測定処理によって測定された直流抵抗値Ｒｄ１との差分値を用いて交流抵抗値Ｒａを補正し、補正した補正抵抗値Ｒａ’を用いてＱ値を算出する。この場合、第２測定処理を１回だけ実行して測定した直流抵抗値Ｒｄ２を用いてＱ値を算出する構成および方法では、接触抵抗値Ｒｃが時間経過に伴って変化する場合において、その直流抵抗値Ｒｄ２に含まれる接触抵抗値Ｒｃが交流抵抗値Ｒａに含まれる接触抵抗値Ｒｃよりも大きいときには、その直流抵抗値Ｒｄ２を用いて補正した補正抵抗値Ｒａ’が、インダクタ素子１００の実際の交流抵抗値Ｒａよりも小さい値となり、この補正抵抗値Ｒａ’を用いて算出したＱ値の算出値Ｑｃがインダクタ素子１００の実際のＱ値よりも大きな値となる結果、実際にはＱ値が小さい不良のインダクタ素子１００を良品と誤判定するおそれがある。これに対して、この処理装置、検査装置１および処理方法では、第３測定処理の実行前後で実行した各第２測定処理において測定した各直流抵抗値Ｒｄ２の中の最小の直流抵抗値Ｒｄ２を用いるため、補正した補正抵抗値Ｒａ’がインダクタ素子１００の実際の交流抵抗値Ｒａよりも小さな値となることを回避することができる結果、Ｑ値の算出値Ｑｃが実際のＱ値よりも大きな値となる事態を確実に防止することができる。したがって、この処理装置、検査装置１および処理方法によれば、Ｑ値を用いたインダクタ素子１００の良否検査における検査精度を十分に向上させることが可能なＱ値を算出することができる。

また、この処理装置、検査装置１および処理方法によれば、第３測定処理の実行前および第３測定処理の実行後において第２測定処理をそれぞれ複数回実行することにより、接触抵抗値Ｒｃが不規則に変化する場合においても、第２測定処理の実行回数を多くして、各第２測定処理で測定した直流抵抗値Ｒｄ２の中の最小の直流抵抗値Ｒｄ２を用いることで、Ｑ値の算出値Ｑｃが実際のＱ値よりも大きな値となる事態をより確実に防止することができる。

また、この処理装置、検査装置１および処理方法では、補正処理において、差分値Ｒｍに０以上１以下の係数Ｋｃを乗じて得た補正値Ｒｍ’を交流抵抗値Ｒａから差し引いて交流抵抗値Ｒａを補正する。この場合、補正値Ｒｍ’で補正した補正抵抗値Ｒａ’は、差分値Ｒｍで補正した補正抵抗値Ｒａ’よりも小さな値となることがない。このため、この処理装置、検査装置１および処理方法によれば、補正抵抗値Ｒａ’がインダクタ素子１００の実際の交流抵抗値Ｒａよりも小さな値となることを確実に回避することができる結果、Ｑ値の算出値Ｑｃが実際のＱ値よりも大きな値となる事態をさらに確実に防止することができる。

また、この処理装置、検査装置１および処理方法では、差分値Ｒｍが予め設定された設定値Ｒｒよりも大きいときに補正処理を実行して補正した補正抵抗値Ｒａ’を用いてＱ値を算出し、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒ以下のときには補正処理前の交流抵抗値Ｒａを用いてＱ値を算出する。このため、この処理装置、検査装置１および処理方法によれば、例えば、良好な状態のプローブ３２ａ，３２ｂを使用したときに通常生じる接触抵抗値Ｒｃの上限値を設定値Ｒｒとして設定することで、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒよりも大きく、交流抵抗値Ｒａを補正する必要性が高いときだけ補正処理を行い、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒ以下で、交流抵抗値Ｒａを補正する必要性が低いときには、補正処理を行わないようにすることができるため、必要性が低い補正によって実際のＱ値よりも大きな算出値Ｑｃが算出される事態を一層確実に防止することができる。

なお、処理装置、検査装置１および処理方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、第３測定処理の実行前後において第２測定処理をそれぞれ複数回実行する例について上記したが、第３測定処理の実行前および第３測定処理の実行後のいずれか一方において第２測定処理を複数回実行し、他方において１回実行する構成および方法を採用することもできる。また、第３測定処理の実行前後において第２測定処理をそれぞれ１回だけ回実行する構成および方法を採用することもできる。

また、算出処理７０において、差分値Ｒｍに係数Ｋｃを乗算して補正値Ｒｍ’を算出し、補正値Ｒｍ’で交流抵抗値Ｒａを補正する例について上記したが、係数Ｋｃを乗算する処理を行わずに、差分値Ｒｍをそのまま用いて交流抵抗値Ｒａを補正する構成および方法を採用することもできる。

また、算出処理７０において、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒよりも大きいか否かを判別し、差分値Ｒｍが設定値Ｒｒよりも大きいときにのみ補正処理を実行する構成および方法について上記したが、この判別処理を行わずに、常に補正処理を実行する構成および方法を採用することもできる。

また、搬送機構１６を備えてインダクタ素子１００を自動的に搬送する検査装置１に適用した例について上記したが、搬送機構１６を備えずに、手動で搬送したインダクタ素子１００を検査する検査装置に適用することもできる。また、第１測定部１１および第２測定部１２が移動機構を備えて、移動機構によってプローブ３１ａ〜３１ｄやプローブ３２ａ，３２ｂをインダクタ素子１００の端子１０１ａ，１０１ｂに接触させる例について上記したが、プローブ３１ａ〜３１ｄやプローブ３２ａ，３２ｂを端子１０１ａ，１０１ｂに手動で接触させる構成および方法を採用することもできる。

また、Ｑ値に基づいてインダクタ素子１００を検査する検査装置１に適用した例について上記したが、検査機能を有していない（Ｑ値を算出する機能のみを有する）処理装置に適用することもできる。

また、測定対象は、上記したインダクタ素子１００に限定されず、良否検査にＱ値を用いる各種の電子部品を測定対象とすることができる。

１ 検査装置
１１ 第１測定部
１２ 第２測定部
１７ 処理部
１００ インダクタ素子
Ｋｃ 係数
Ｌ インダクタンス値
Ｑｃ 算出値
Ｒａ 交流抵抗値
Ｒａ’ 補正抵抗値
Ｒｄ１ 直流抵抗値
Ｒｄ２ 直流抵抗値
Ｒｄ２ｓ 直流抵抗値
Ｒｍ 差分値
Ｒｒ 設定値

Claims (6)

1. 測定対象の直流抵抗値を４端子法で測定する第１測定処理を実行する第１測定部と、前記測定対象の直流抵抗値を２端子法で測定する第２測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ２端子法で測定する第３測定処理を実行する第２測定部と、前記各直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理部とを備えた処理装置であって、
   前記第２測定部は、前記第２測定処理を前記第３測定処理の実行前後に実行し、
   前記処理部は、前記各第２測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第１測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する処理装置。
2. 前記第２測定部は、前記第３測定処理の実行前および当該第３測定処理の実行後の少なくとも一方において前記第２測定処理を複数回実行する請求項１記載の処理装置。
3. 前記処理部は、前記補正処理において、前記差分値に予め規定された０以上１以下の係数を乗じて得た値を前記交流抵抗値から差し引いて当該交流抵抗値を補正する請求項１または２記載の処理装置。
4. 前記処理部は、前記差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに前記補正処理を実行して補正した前記補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行し、前記差分値が前記設定値以下のときには前記補正処理前の前記交流抵抗値を用いて前記算出処理を実行する請求項１から３のいずれかに記載の処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の処理装置と、当該処理装置によって算出された前記Ｑ値に基づいて前記測定対象の良否を検査する検査部とを備えた検査装置。
6. 測定対象の直流抵抗値を４端子法で測定する第１測定処理、前記測定対象の直流抵抗値を２端子法で測定する第２測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ２端子法で測定する第３測定処理を実行し、前記各直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のＱ値を算出する算出処理を実行する処理方法であって、
   前記第２測定処理を前記第３測定処理の実行前後に実行し、
   前記各第２測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第１測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する処理方法。

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