JP2019078684A - シリコンウェーハの金属不純物分析方法 - Google Patents
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Abstract
Description
シリコンウェーハの表面を−10℃〜5℃にしつつフッ酸とオゾンの混合ガスにより気相エッチングして前記シリコンウェーハの表層を分解するエッチング工程と、
前記エッチング工程を実施した後の前記シリコンウェーハの表面に対して全反射蛍光X線分析法による金属不純物の分析を行う分析工程と、
を備えることを特徴とする。
以下本発明の第1実施形態を説明する。先ず、評価対象のシリコンウェーハを準備する。準備するシリコンウェーハの直径、抵抗率、結晶方位、導電型等は特に限定はない。また、シリコンウェーハの元となるシリコン単結晶はチョクラルスキー法(CZ法)で製造されたとしても良いし、フローティングゾーン法(FZ法)で製造されたとしても良い。また、準備するシリコンウェーハとして、シリコンウェーハの表面にシリコン単結晶のエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを準備しても良いし、エピタキシャル成長前のポリッシュドウェーハを準備しても良い。
次に本発明の第2実施形態を上記第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。先ず、準備したシリコンウェーハWの表面をフッ酸とオゾンの混合ガスにより気相エッチングする(図2(a)参照)。このエッチング工程は第1実施形態と同様であり、つまり、ウェーハWの表面温度を−10℃〜5℃にしつつ気相エッチングを行う。
2 ウェーハステージ
3 不純物回収ステージ
10 半導体検出器
Claims (3)
- シリコンウェーハの表面を−10℃〜5℃にしつつフッ酸とオゾンの混合ガスにより気相エッチングして前記シリコンウェーハの表層を分解するエッチング工程と、
前記エッチング工程を実施した後の前記シリコンウェーハの表面に対して全反射蛍光X線分析法による金属不純物の分析を行う分析工程と、
を備えることを特徴とするシリコンウェーハの金属不純物分析方法。 - 前記分析工程では、前記エッチング工程により前記シリコンウェーハの表面に残留した不純物を回収して該表面の1点に集め、その1点に対して全反射蛍光X線分析法による金属不純物の分析を行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの金属不純物分析方法。
- 1枚の前記シリコンウェーハに対して前記エッチング工程及び前記分析工程を繰り返すことを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの金属不純物分析方法。
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